JP5163747B2 - 弾性表面波共振子、弾性表面波発振器および弾性表面波モジュール装置 - Google Patents
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Description
近年、携帯機器の普及により、これらに使用される弾性表面波共振子の小型化が要求されている。弾性表面波共振子の小型化にあたり、Q値の低下あるいはCI値の増加が起こり、弾性表面波共振子の特性が充分に得られないという問題がある。
この対策として、例えば特許文献1には、41°回転Y軸カットのニオブ酸リチウム基板を用い、すだれ状電極の電極指幅と電極指のピッチとの比(線幅比またはライン占有率)を、すだれ状電極の中央部から両端に近づくに従って小さくして、Q値を向上させる技術が開示されている。
また、特許文献1は圧電基板としてニオブ酸リチウム基板を対象にしており、水晶基板についての開示はない。
このようにIDTにライン占有率で重み付けすることにより、IDT内への振動エネルギーの閉じ込め効果を高めることができ、従来の弾性表面波共振子に比べて、Q値の良好な弾性表面波共振子を実現することができる。このことから、弾性表面波共振子の小型化が可能となる。
最初に、本発明の理解と実施形態との比較のため、比較例としての弾性表面波共振子について説明する。
図22は、一般的な弾性表面波共振子の概略を示す説明図である。
弾性表面波共振子100は、水晶基板101上にすだれ状電極からなるIDT102と、弾性表面波が伝搬する方向(矢印H方向)にIDT102を両側から挟むように形成された1対の反射器103と、を有している。
IDT102は、電気的な極性が異なる電極指102a,102bが交互に配列されて形成されている。この2本の電極指102a,102bを1対の電極指と呼ぶ。
また、隣接する電極指102aと電極指102bの中心と中心との間隔である電極指間隔PTは、IDT102内で一様に形成されている。
反射器103は電極指103aが多数配列され、電気的に中立となるように形成されている。また、隣接する電極指103aの中心と中心との間隔である電極指間隔PTrは、反射器103内で一様に形成されている。
電極指102a,102bの線幅をL、隣接する電極指との間(電極指が形成されていないスペース部分)の寸法をS、隣接する電極指との間隔の中心線と中心線との間の寸法を電極指間隔PTとする。また、隣接する電極指との間の寸法の中心線と中心線との間の寸法をHとする。ライン占有率ηは、η=L/H=L/(L+1/2(S+S))=L/(L+S)、である。なお、このように同じ線幅の電極指が同じ電極指間隔で並んでいるので、電極指間隔PT=L+S=H、である。
なお、IDT102と反射器103は金属材料のアルミニウム(Al)で形成され、所定の膜厚(0.06λ:λは弾性表面波の波長)に設定されている。また、IDT102における電極指の対数は100対、反射器103はそれぞれ25対に設定されている(総対数150対)。
以上のような弾性表面波共振子100において、IDT102にSH(Shear Horizontal)波が励振され、特性としてQ値は5500を実現している。
(第1の実施形態)
図1は本実施形態の弾性表面波共振子の構成を示す模式平面図である。図2は本実施形態の弾性表面波共振子における電極指位置と電極指間隔の関係を示す説明図である。図3は本実施形態の弾性表面波共振子における電極指位置とライン占有率の関係を示す説明図である。図4は水晶基板の切り出し角度及び弾性表面波伝搬方向を示す説明図である。図5はライン占有率を説明する模式図である。
図4に示すように、水晶の結晶軸はX軸(電気軸)、Y軸(機械軸)およびZ軸(光軸)によって定義され、オイラー角(0°,0°,0°)はZ軸に垂直な水晶Z板8となる。ここで、オイラー角のφ(図示せず)は水晶Z板8の第1の回転に関するものであり、Z軸を回転軸とし、+X軸から+Y軸側へ回転する方向を正の回転角度とした第1回転角度である。オイラー角のθは水晶Z板8の第1の回転後に行う第2の回転に関するものであり、第1の回転後のX軸を回転軸とし、第1の回転後の+Y軸から+Z軸側へ回転する方向を正の回転角度とした第2回転角度である。水晶基板11のカット面は第1回転角度φと第2回転角度θとで決定される。オイラー角のψは水晶Z板8の第2の回転後に行う第3の回転に関するものであり、第2の回転後のZ軸を回転軸とし、第2の回転後の+X軸から第2の回転後の+Y軸側へ回転する方向を正の回転角度とした第3回転角度である。弾性表面波の伝搬方向は第2の回転後のX軸に対する第3回転角度ψで表される。弾性表面波共振子1は、第1回転角度φを−1°〜+1°とし、第2回転角度θを26.0°〜40.7°とした水晶基板11が用いられている。さらに、弾性表面波の伝搬方向がψ=85°〜95°の範囲となるようにIDT12が配置されている。この角度ψは面内回転角とも呼ばれている。この水晶基板は温度変化に対する周波数変動が小さく、周波数温度特性が良好である。
ここで、隣接する電極指12aと電極指12bの中心と中心との間隔を電極指間隔とする。IDT12の電極指間隔は、図2に示すようにPTで一定である。
隣接する電極指12a,12bにおいて、ライン占有率が異なる場合は、両側に隣接するスペース部分の間隔が異なるため、次のように算出する。
図5に示すように、隣接する電極指の線幅をそれぞれL0、L1、L2、隣接する電極指との間(電極指が形成されていないスペース部分)の寸法をSL、SR、隣接する電極指間隔をPTとする。電極指間隔PT=SL+1/2(L0+L1)、または、PT=SR+1/2(L1+L2)、であり、中央の電極指におけるライン占有率は、η=L1/(L1+1/2(SL+SR))、となる。
隣接する電極指13aの中心と中心との間隔である電極指間隔は、図2に示すようにPTrで一様である。また、反射器13のライン占有率は、図3に示すようにIDT12の中央部のライン占有率ηcと同じ値に設定されている。
反射器13において、隣接する2本の電極指13aをもって1対の電極指と数え、本実施形態では左右それぞれ25対(50本)の電極指13aが配置されている。
電極指間隔はPT=5.000μm、PTr=5.025μm、である。また、ライン占有率はηc=0.43、ηe=0.53、に設定されている。
以上のような弾性表面波共振子1において、IDT12にSH波が励振され、特性としてQ値は10800を実現している。
図6は弾性表面波共振子のライン占有率ηと周波数の関係を表すグラフである。
ライン占有率ηが約0.4から大きくなると周波数は低下し、およそライン占有率ηが0.53のときに周波数が最低となる。そして、ライン占有率ηが0.53からさらに大きくなると周波数は上昇する。
本実施形態では、IDT12の中央部ではライン占有率ηc=0.43、IDT12の端部ではライン占有率ηe=0.53、を採用しており、IDT12の中央部の周波数に対して、IDT12の端部の周波数が低く設定されている。そして、IDT12の中央部から端部に向かい、ライン占有率を順次変化させることで、周波数が順次低くなるように形成されている。
このグラフから、ηe/ηcが1.0から大きくなるに従い、Q値は大きくなり、ηe/ηc=1.4のときにQ値は最大になる。そして、ηe/ηcが1.4から大きくなるに従い、Q値は小さくなっていく。
IDT12の中央部および端部のライン占有率の比ηe/ηcが、1.0<ηe/ηc<1.85の範囲にあれば、従来の弾性表面波共振子のQ値(5500)を超え、ライン占有率で重み付けを施さない場合(ηe/ηc=1.0)よりもQ値が向上する。
このように、各電極指の端面における弾性表面波の反射だけでなく、周波数差に起因する弾性表面波の反射も多くの箇所で発生するので、IDT12内への振動エネルギーの閉じ込め効果を高めることができ、従来の弾性表面波共振子に比べて、Q値の良好な弾性表面波共振子1を実現することができる。このことから、弾性表面波共振子1の小型化が可能である。なお、周波数差に起因する弾性表面波の反射については、特開平10−335966号公報に詳細に開示されているので、ここでは説明を省略する。
IDT12と反射器13は金属材料のアルミニウム(Al)で形成され、所定の膜厚は水晶基板のオイラー角が(−1°〜+1°,26.0°〜40.7°,85°〜95°)の場合は0.06λ(λは弾性表面波の波長)、水晶基板のオイラー角が(−1°〜+1°,113°〜135°,±5)の場合は0.1λに設定されている。
特に、水晶基板のオイラー角が(−1°〜+1°,113°〜135°,±5)の場合は、IDT12の対数が30対、反射器13の対数が5対という少ない対数ながらも20000以上という高いQ値が得られており、効果が絶大である。
IDT12や反射器13の対数を減らして小型化を図ろうとする場合、弾性表面波のエネルギー閉じ込めが弱くなってしまいQ値の低下が生じてしまう。そこで、IDT12や反射器13の膜厚を厚くすることで電極指1本あたりの弾性表面波反射量を大きくし、弾性表面波のエネルギー閉じ込めを強めようとする。ところが、膜厚を厚くすると弾性表面波の電極指での反射の際に、弾性表面波のエネルギーの一部がバルク波へ変換されやすくなってしまって、エネルギー閉じ込めの強化や高Q化の効果が十分にえられないことがあった。本実施形態によれば、膜厚の増加に伴うバルク波変換損失の増大が抑制され、エネルギー閉じ込めの強化や高Q化の効果が得られる。
水晶基板のオイラー角が(−1°〜+1°,113°〜135°,±5)の場合はレイリー波が励振され、水晶基板のオイラー角が(−1°〜+1°,26.0°〜40.7°,85°〜95°)の場合はSH波が励振されるが、本実施形態の効果は、レイリー波とSH波のいずれにおいても得られることが分かる。
(変形例1)
第1の実施形態では、反射器のライン占有率をIDT中央部のライン占有率と同等に設定したが、本実施形態では、反射器のライン占有率をIDT端部のライン占有率と同等に設定した。
IDT22の電極指間隔は、図9に示すようにPTで一定である。
IDT22のライン占有率ηは、図10に示すように、IDT22の中央部のライン占有率ηをηc、IDT22の端部のライン占有率ηをηeとすると、ηc<ηeという関係にある。また、中央部からライン占有率ηcがIDT22の両方の端部に向かい、ライン占有率ηeまで順次大きくなるように変化している。
隣接する電極指23aの中心と中心との間隔である電極指間隔はPTrで一様である。また、反射器23のライン占有率は、IDT22の端部のライン占有率ηeと同じ値に設定されている。
反射器23の対数は本変形例では左右それぞれ25対の電極指23aが配置されている。
電極指間隔はPT=5.000μm、PTr=5.025μm、である。また、ライン占有率はηc=0.43、ηe=0.56、に設定されている。
以上のような弾性表面波共振子2において、IDT22にSH波が励振され、特性としてQ値は20000を実現している。
このグラフから、ηe/ηcが1.0から大きくなるに従い、Q値は大きくなり、ηe/ηc=1.3のときにQ値は最大になる。そして、ηe/ηcが1.3から大きくなるに従い、Q値は小さくなっていく。
IDTの中央部および端部のライン占有率の比ηe/ηcが、1.0<ηe/ηc<1.79の範囲にあれば、6180以上のQ値を得ることができ、ライン占有率で重み付けを施さない場合(ηe/ηc=1.0)よりもQ値が向上する。
(変形例2)
第1の実施形態では、反射器のライン占有率をIDT中央部のライン占有率と同等に設定したが、本変形例では、反射器のライン占有率をIDT端部のライン占有率より大きく設定した。
本変形例の弾性表面波共振子の構成は、変形例1とほぼ同様のため、詳細な説明を省略し、簡単に説明する。
図12は本変形例の弾性表面波共振子における電極指位置と電極指間隔の関係を示す説明図である。図13は本変形例の弾性表面波共振子における電極指位置とライン占有率の関係を示す説明図である。
水晶基板は、カット面及び弾性表面波伝搬方向をオイラー角(φ,θ,ψ)で表示すると、オイラー角(−1°〜+1°,26.0°〜40.7°,85°〜95°)の水晶基板である。別の実施形態では、オイラー角が(−1°〜+1°,113°〜135°,±5)の水晶基板を用いることができる。
IDTのライン占有率ηは、図13に示すように、IDTの中央部のライン占有率ηをηc、IDTの端部のライン占有率ηをηeとすると、ηc<ηeという関係にある。また、中央部からライン占有率ηcがIDTの両方の端部に向かい、ライン占有率ηeまで順次大きくなるように変化している。
反射器の対数は本変形例では左右それぞれ25対の電極指が配置されている。
電極指間隔はPT=5.000μm、PTr=5.025μm、である。また、ライン占有率はηc=0.43、ηe=0.53、ηr=0.58に設定されている。
以上のような弾性表面波共振子において、IDTにSH波が励振され、特性としてQ値は20500を実現している。
このグラフから、ηr/ηeが0.6から大きくなるに従い、Q値は大きくなり、ηr/ηe=1.1のときにQ値は最大になる。そして、ηr/ηeが1.1から大きくなるに従い、Q値は小さくなっていく。
反射器およびIDT端部のライン占有率の比ηr/ηeが、0.65≦ηr/ηe≦1.58の範囲にあれば、7450以上のQ値を得ることができる。
(第2の実施形態)
本実施形態では、IDTの中央部にライン占有率が一様な領域を備えている。
図15は本実施形態の弾性表面波共振子の構成を示す模式平面図である。図16は本実施形態の弾性表面波共振子における電極指位置と電極指間隔の関係を示す説明図である。図17は本実施形態の弾性表面波共振子における電極指位置とライン占有率の関係を示す説明図である。
IDT32の電極指間隔は、図16に示すようにPTで一定である。
IDT32は、図17に示すように、IDT22の中央部はライン占有率が一様な領域を有している。このライン占有率が一様な領域のライン占有率ηをηc、IDT22の端部のライン占有率ηをηeとすると、ηc<ηeという関係にある。また、中央部からライン占有率ηcがIDT32の両方の端部に向かい、ライン占有率ηeまで順次大きくなるように変化している。
IDT32の対数をN、中央部の対数をNfとし、本実施形態では、IDT32の対数Nは100対、中央部の対数Nfは40対に設定されている。
隣接する電極指33aの中心と中心との間隔である電極指間隔はPTrで一様である。また、反射器33のライン占有率は、IDT32の端部のライン占有率ηeと同じ値に設定されている。
反射器33の対数は本実施形態では左右それぞれ25対の電極指33aが配置されている。
電極指間隔はPT=5.000μm、PTr=5.025μm、である。また、ライン占有率はηc=0.43、ηe=0.645、に設定されている。
以上のような弾性表面波共振子3において、IDT32にSH波が励振され、特性としてQ値22500を実現している。
このグラフからNf/Nが0から大きくなるに従い、Q値は大きくなり、Nf/N=0.4のときQ値は最大になる。つまり、中央部のライン占有率が一様な領域における電極指の対数が、IDT対数の40%のときにQ値が最大になる。そして、Nf/Nが0.4から大きくなるに従い、Q値は小さくなっていく。
Nf/Nが0<Nf/N<0.59の範囲にあれば、20000以上のQ値を得ることができ、IDTの中央部にライン占有率の一様な領域を設けない場合(ηe/ηc=1.0)よりもQ値が向上する。
このグラフから、ηe/ηcが1.0から大きくなるに従い、Q値は大きくなり、ηe/ηc=1.5のときにQ値は最大になる。そして、ηe/ηcが1.5から大きくなるに従い、Q値は小さくなっていく。
IDTの中央部および端部のライン占有率の比ηe/ηcが、1.0<ηe/ηc<2.1の範囲にあれば、5800以上のQ値を得ることができ、IDTの中央部にライン占有率の一様な領域を設けない場合(ηe/ηc=1.0)よりもQ値が向上する。
さらに、上記実施形態では、IDTの電極の膜厚をそれぞれ0.06λ(λは弾性表面波の波長)としたが、これ以外の電極膜厚でも、同様な効果が得られることを確認した。
また、上記実施形態では、IDTの両側に反射器を設けた構成としたが、反射器のない構成としても、同様な効果を得ることができる。
(第3の実施形態)
図20は弾性表面波共振子をパッケージ内に搭載した弾性表面波発振器を示す概略断面図である。
弾性表面波発振器40は、セラミックパッケージ41、ICチップ42、弾性表面波共振子1、蓋体47などを備えている。
セラミックパッケージ41は、セラミックシートを積層して開口された凹部48が形成されている。また、セラミックパッケージ41には開口を囲むようにコバールなどの金属材料で形成されたシームリング45が設けられている。さらに、セラミックパッケージ41の外周面には、回路基板などの外部との接続を果たす外部接続電極46が形成されている。なお、図示しないが外部接続電極46とセラミックパッケージ41の凹部48内とを接続する配線が設けられている。
このように、Q値が向上しCI値が低減した弾性表面波共振子1をセラミックパッケージ41内に搭載していることから、弾性表面波の励振が安定し、消費電力が低下した弾性表面波発振器40を得ることができる。
(第4の実施形態)
図21は弾性表面波モジュール装置の一例として、回路基板に弾性表面波共振子を搭載して受信機モジュールを構成した回路ブロック図である。
受信アンテナ51はLNA52を介して混合器53の入力に接続している。また、局部発振器54も混合器53の入力に接続している。この局部発振器54は、弾性表面波共振子と弾性表面波共振子を励振させる発振回路を備えている。これにより、局部発振器54は、周波数信号を混合器53に確実に出力できる。そして、混合器53の出力には、IF増幅器55と検波器56が直列に接続している。
なお、上記の受信機モジュールを外装などに取り付けて、電子機器として構成することも可能である。
Claims (8)
- 圧電基板上に弾性表面波を励振する電極指を有するIDTが設けられており、
前記電極指のうちの一つの電極指の幅を、前記一つの電極指の中心と前記一つの電極指の一方の側に隣在する電極指の中心との間隔の中心線と、前記一つの電極指の中心と前記一つの電極指の他方の側に隣在する電極指の中心との間隔の中心線との間の寸法で除した値をライン占有率とし、
前記IDTは、隣在する電極指の中心間距離である電極指間距離PTが前記IDT内で一様であり、弾性表面波が伝搬する方向に沿って前記IDTの中央部から両端部に向かい前記ライン占有率が順次変化し、前記中央部の周波数に比べて、前記中央部から前記両端部に向かい周波数が順次低くなるように形成された領域を含むことを特徴とする弾性表面波共振子。 - 請求項1に記載の弾性表面波共振子において、
弾性表面波が伝搬する方向に沿って前記中央部から前記両端部に向かい周波数が順次低くなる領域は、前記中央部と比べて大きいライン占有率を有することを特徴とする弾性表面波共振子。 - 請求項1または2に記載の弾性表面波共振子において、
前記中央部にライン占有率が一様な領域を備え、
ライン占有率が一様な領域の電極指対数Nfと、前記IDTの電極指総対数Nとの比Nf/Nが、0<Nf/N<0.59、の範囲にあることを特徴とする弾性表面波共振子。 - 請求項1乃至3のいずれか一項に記載の弾性表面波共振子において、
前記両端部のライン占有率ηeと前記中央部のライン占有率ηcとの比ηe/ηcが、1<ηe/ηc<1.79、の範囲にあることを特徴とする弾性表面波共振子。 - 請求項1乃至4のいずれか一項に記載の弾性表面波共振子において、
弾性表面波が伝搬する方向に沿って前記IDTを挟むように配置された一対の反射器を備え、
前記反射器は、多数配置された電気的に中立である電極指で構成され、隣在した電極指の中心間距離である電極指間隔PTrが前記反射器内で一様であり、
前記反射器の多数配置された電極指のうちの1つの幅を、前記電極指間隔PTrで除した値をライン占有率ηrとし、
前記反射器の前記ライン占有率ηrが前記反射器内で一様であり、前記ライン占有率ηrと前記両端部のライン占有率ηeとの比ηr/ηeが、0.65≦ηr/ηe≦1.58、の範囲にあることを特徴とする弾性表面波共振子。 - 請求項1乃至5のいずれか一項に記載の弾性表面波共振子において、
前記圧電基板がオイラー角(−1°〜+1°,26.0°〜40.7°,85°〜95°)の水晶基板であることを特徴とする弾性表面波共振子。 - 請求項1乃至6のいずれか一項に記載の弾性表面波共振子と回路素子とが配置されているパッケージを備えていることを特徴とする弾性表面波発振器。
- 請求項1乃至6のいずれか一項に記載の弾性表面波共振子を搭載した回路基板を備えていることを特徴とする弾性表面波モジュール装置。
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