JP4059147B2 - 弾性表面波共振子 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、面内回転した回転STカット水晶板等の圧電体平板上に、レイリー型等の弾性表面波を利用して、振動エネルギーを格段に共振子の中央に集中してQ値及びCI値を向上し、かつ並列容量を著しく減少して駆動効率を向上させた新しい形式のいわゆるエネルギー閉込型の弾性表面波共振子(以降省略して、SAW共振子と称する)に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、圧電気を有する水晶STカット基板(圧電体平板の一例)を用いて構成するSAW共振子は、その周波数温度特性が零温度係数をもち精度が良いために、各種高速ネットワーク系のデータ伝送用水晶発振器の発振素子として使用されているが、これはジッタが無く位相ノイズに優れた信号が高信頼性かつ低コストに容易に得られるという長所があるためである。
【0003】
しかしながら近年、前記のネットワーク系の信号伝送速度がGHz帯にまで高速化するとともに、より高精度な水晶発振器が求められるに至っている。そこで最近注目されて来たものとして、前記STカットの精度±100ppm(0〜70℃範囲)に対して、約半分(精度±50ppm)の周波数温度特性が得られる面内回転STカット水晶板を用いたSAW共振子がある(参考文献として、特開昭57−73513公報)。前記の基板は、レイリー型弾性表面波を利用している。
このような面内回転STカット水晶板について、図2にその方位を示す。図中の202が水晶結晶の基本軸である電気軸X,203が機械軸Y,204が光軸Zであり、面内回転STカット水晶板は、201で示すY板を電気軸X回りにθ度(特に零温度係数が得られるθ=31度から42度)回転した基板200において、さらに前記基板(200と207は同一)での電気軸X軸からの面内の回転角Ψ=±(40〜46)度方位を使用する弾性表面波の位相伝播方位(X'=素子のx軸)としたものである。
【0004】
面内回転STカット水晶板を利用したSAW共振子206については、後述の図3のようにx軸に沿って形成される。例えば金属アルミニウムからなる多数の平行導体の電極指を周期的に配置したすだれ状電極(以下略してIDT:Interdegital Transducerと称す)を形成し、さらにその両側に一対の反射器を多数のストリップ形状からなる電極導体を平行にかつ周期的に配置して構成し、1ポート型のSAW共振子を形成できる。
【0005】
より詳細には、例えば良く知られたSTカット(θ=31から42度であり、弾性表面波の位相伝播方向が電気軸(X軸)方位)におけるSAW共振子においては、前記IDTを構成する際の要点として、正電極と負電極を1対としてM対としたときに、IDTの電極指全体でのトータル反射係数Гを次式(1)の通り定義した上で、10>Г>0.8とすれば、振動エネルギーが共振子の中央に集中した、いわゆるエネルギー閉込型SAW共振子(参考文献:エネルギー閉じ込め弾性表面波共振子,信学技法US87−36,pp9−16(1987.9.))を実現できることが知られている。
【0006】
【数1】
但し、ここでMは前記IDTの対数、bは電極1本当たりの弾性表面波の反射率、Hは前記導体の膜厚、λは利用する弾性表面波の波長である。
【0007】
例えば、STカット水晶板で前記アルミニウム導体で形成されたIDTであれば、b=0.255、H/λ=0.03(3%)としてM=80対とすれば、QおよびCI特性が良好な従来型の1ポート型SAW共振子を構成できる。このとき前記Γ=2.448程度となる。なお一般的言われている電極1本当りの反射係数γは、このSTカット水晶板の場合、前述の式(1)からγ=b(H/λ)=Г/(4M)=0.00765となる。このような形式のSAW共振子を後述のものと区別するために標準型と呼ぶことにする。
【0008】
さらにまた、前記の標準型よりエネルギの中央集中度を増すアイデア的検討結果は、本願発明者等の文献である特開平10−335966公報において提示したが、これをさらに発展定量解析したものとして、
3つの領域に区分されたすだれ状電極の配列周期長について、両側に配置したすだれ状電極の配列周期長がPTs、中央に配置したすだれ状電極の配列周期長がPTc、反射器の配列周期長PRの寸法間の大小を、PR>PTs>PTcの関係に設定し、PTc/PTsの比が0.985から0.995の範囲であり、PR/PTsは1.0から1.01の範囲であり、
前記中央に配置したすだれ状電極の対数をMcとし、全体の対数Mとの比であるMc/Mが0.1から0.6の範囲である弾性表面波共振子が本発明人等によつて先願として出願されている(後述の図2,図3,図4,図5,図6,図7を用いて合わせ説明する)。
【0009】
【特許文献1】
特開昭57−73513公報
【特許文献2】
特開平10−335966公報
【非特許文献1】
信学技法US87−36,pp.9−16(1987.9)
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前述の出願となる従来技術を使用し、同一のSAW共振子の構成をとった、本願の主題である面内回転STカット水晶板を利用したSAW共振子においては、電極指交差幅比WCRを40波長とすれば、従来と同等な高いQ値と、水晶発振器に使う上で適切に低い十数ΩのCI値(等価直列抵抗R1)が得られが、IDTの電極指対数Mを135以上に大きく設定するため並列容量C0が4〜6pFと大きくなり、発振回路を構成すると、発振回路の増幅度が減少する他、前記C0と発振回路のインダクタンスが共振して異常発振状態起こすことがあるという問題点を有していた。
【0011】
前記対数Mが大きくなる原因は、STカットにて利用されるレイリー波(縦波と横波の合成)に対して、面内回転STカット水晶板での前記反射係数γが約半分と小さいことにより、前記Гを同一値に保つためには、前記IDTの対数Mと反射器の導体本数Nが約2倍必要となるためである。
【0012】
その目的とするところは、面内回転STカット水晶板を利用し、周波数温度特性が優れかつ材料のQ値が優れた水晶基板を用いてSAW共振子を構成し、さらにこれを用いて発振が安定で従って信頼性のある、低ジッタかつ低位相ノイズなクロック信号源であるSAW発振器および電圧制御型SAW発振器をギガビット系の高速有線通信市場に提供することにある。
【0015】
【課題を解決するための手段】
本発明の弾性表面波共振子は、3つの領域に区分されたすだれ状電極の配列周期長について、両側に配置したすだれ状電極の配列周期長がPTs、中央に配置したすだれ状電極の配列周期長がPTc、反射器の配列周期長PRの寸法間の大小を、PR>PTs>PTcの関係に設定し、PTc/PTsの比が0.985から0.995の範囲であり、PR/PTsは1.0から1.01の範囲であり、前記中央に配置したすだれ状電極の対数をMcとし、全体の対数Mとの比であるMc/Mが0.1から0.6の範囲である弾性表面波共振子において、
弾性表面波の位相伝播方向Xに関して、前記中央に配置したすだれ状電極の中央位置X=0においてW(X)=1で、中央位置X=0から両端方向に遠ざかるに従い、W(X)は対称かつ単調に減少する重み関数W(X)により、3つの領域全体のすだれ状電極の間引き重み付けを行ったことを特徴とする。
【0016】
上記構成によれば、STカットとか面内回転STカット水晶板を利用して素子サイズを20%程度減少させた弾性表面波共振子において、水晶発振器に使う上で有効な、高いQ値と適切に低いCI値(等価直列抵抗R1)が得られる上に、すだれ状電極の電極指対数Mを135以上に大きく設定しても並列容量C0が、C0=2〜4pF程度と小さく押さえることができ、発振回路の増幅度の減少を軽減し、前記C0と発振回路のインダクタンスが共振して異常発振現象を押さえることができるという効果を有する。
【0017】
本発明の弾性表面波共振子は、前記3つの領域全体のすだれ状電極について、間引き重み付けを行う重み関数φ(j)=1−W(j)(jは整数)を与える重み関数W(X)が前記弾性表面波共振子の固有振動変位に関する包絡線振幅関数U(X)であることを特徴とする。
【0018】
上記構成によれば、STカットとか面内回転STカット水晶板を利用して素子サイズを20%程度減少させた弾性表面波共振子において、間引き重み関数φ(j)に対して、唯一最良の重み関数W(X)=U(X)を提供することができ、弾性表面波共振子の励振効率を評価するパラメータである1/(ωC0R1)が、従来品の3.8に対して、本発明のM=200の場合に9.0となって、約2.5倍に改善される。
【0019】
本発明の弾性表面波共振子は、前記3つの領域全体のすだれ状電極について、間引き重み付けを行う重み関数φ(j)=1−W(j)(j=1〜Mは整数)を与える重み関数W(X)が、COS2(KX)かつK=π/Mであることを特徴とする。
【0020】
上記構成によれば、STカットとか面内回転STカット水晶板を利用して素子サイズを20%程度減少させた弾性表面波共振子において、間引き重み関数φ(j)に対して、唯一最良の重み関数W(X)=U(X)にほぼ一致する重み関数を提供することができ、弾性表面波共振子の励振効率を評価するパラメータである1/(ωC0R1)について、従来品の3.8に対して本発明のM=200の場合に9.0となって、約2.5倍に改善できる。
【0022】
本発明の弾性表面波共振子は、前記すだれ状電極と前記反射器はアルミニウム金属からなり、また前記すだれ状電極は正負電極指を1対としてM対、前記反射器はN本の電極導体からなり、それらの総和M+Nを200から248の範囲となし、かつ前記すだれ状電極の対数Mは135から240の範囲であり、
前記電極1本当りの弾性表面波の反射係数γが0.005から0.015の範囲として、すだれ状電極全体が有するトータル反射係数Гを1.8>Γ>0.25であり、
前記反射器と前記すだれ状電極間の最も近接した平行導体間の距離は、すだれ状電極の1周期長が有するラインとスペースのうちスペースからなり、
前記すだれ状電極の配列周期長PTs、PTc、反射器の配列周期長PRの寸法を、PR>PTs>PTcの関係に設定し、PTc/PTsの比が0.985から0.995の範囲であり、PR/PTsは1.0から1.01の範囲であり、前記中央に配置したすだれ状電極の対数をMcとし、全体の対数Mとの比であるMc/Mが0.1から0.6の範囲である弾性表面波共振子において、
弾性表面波の位相伝播方向Xに関して、前記中央に配置したすだれ状電極の中央位置X=0においてW(X)=1で、中央位置X=0から両端方向に遠ざかるに従い、W(X)は対称かつ単調に減少する重み関数W(X)により、3つの領域全体のすだれ状電極の間引き重み付けを行ったことを特徴とする。
【0023】
上記構成範囲であれば、前記圧電体平板が従来の水晶回転Y板を電気軸(X軸)回りに反時計方向に回転し、かつ弾性表面波の伝播方向を、前記電気軸(X軸)より面内回転したSTカット水晶板上に形成した弾性表面波共振子のQ値とR1を最良の水準に実現できる上に、すだれ状電極の電極指対数Mを135以上に大きく設定しても並列容量C0が、従来技術によるC0=4〜6pFと大きくなることに対して、C0=2〜4pF程度と小さく押さえることができ、発振回路の増幅度の減少を軽減し、前記C0と発振回路のインダクタンスが共振して異常発振現象を押さえることができるという効果を有する。
【0024】
本発明の弾性表面波共振子は、前記圧電体平板の条件として、水晶回転Y板を電気軸(X軸)回りに反時計方向に回転角θ=31度から42度回転し、かつ弾性表面波の伝播方向xを、前記水晶電気軸(X軸)より40度から46度の範囲で面内回転した回転STカット水晶板を使用することを特徴とする。
【0025】
上記構成とすれば、本発明の手段を適用して従来と比較してQ値が高く、R1が低く、並列容量C0が小さい上に、弾性表面波共振子の周波数温度特性を0℃から70℃範囲において従来の1/2の約半分(精度±20ppm)に改善して、全体で±50ppmの従来になく高精度な水晶SAW発振器が実現できるという効果を有する。
【0026】
【発明の実施の形態】
水晶からなる圧電体材料から前述のSTカットあるいは面内回転STカットを切り出して(図2参照)、その表面を鏡面研磨した後、レイリー型弾性表面波の位相伝搬方向xに対して直交して、例えば金属アルミニウムからなる多数の平行導体の電極指を周期的に配置したIDTを形成し、さらには、その両側に一対の反射器を多数のストリップ形状からなる電極導体を平行にかつ周期的に配置して構成し、1ポート型のSAW共振子を形成する。
【0027】
つぎに本発明の詳細な説明に入る前に、従来技術との差異の理解を容易ならしめるために、本発明の基本的な部分を構成する1ポート型のSAW共振子の属性について、先願である従来品の基本的構成および特性を使って説明する。まず図3によって本発明が適用される従来品の具体的な構成を説明した後、さらに図4、図5、図6、図7においてそれらの特性を説明する。
【0028】
図3は前述の図2の方位基板にて得られる圧電体平板上に形成した本発明が適用される従来品の電極パターンを図示したものである。
【0029】
図3中の各部位の名称は、300は前述の図2の方位基板からなる圧電体平板、圧電体平板上の319は本素子に利用する弾性表面波の伝播方向であるx軸である。水平な破線で区分された区間において形成された電極パターンの全体からなる各々の部位は、最下部の301と最上部の302は本素子の反射器1と反射器2である。303と305は全体ですだれ状電極(以下略してIDT:Interdegital Transducerと称す)を構成する。3個に区分されたIDTは303を端部IDT1、304を端部IDT2、305を中央IDTと呼ぶことにする。反射器1と反射器2における、306と307等はアルミニウム金属からなる電極導体ストリップ群であって、摂動効果により弾性表面波を反射する役目を果たす。前記IDTにおける、316等は正負の電極指であって、正負を1対として全体でM対、中央IDTではMc対、端部IDT1と端部IDT2では各々(M-Mc)/2対が形成されている。前記3個のIDT 303、304、305の電極指群316等を縦に一体化して接続する312は給電導体(ブスバー)と呼ばれるものである。
また図3中の記号313と318のPRは、反射器1、反射器2の導体ストリップの配列周期長であり、導体ストリップの幅LRと導体ストリップ間のすきま長SRの和、PR=LR+SRである。また、309と311、308と310の寸法は、各々前記IDTにおける電極指の線幅LTとそれらの間隙長(スペース)STである。さらに、314と317で指定される配列周期長PTsは、端部IDT1と端部IDT2の配列周期長であり、前記電極指の線幅LTとそれらの間隙長(スペース)STの和である。315のPTcは中央IDTの配列周期長である。また、323と324の寸法Gは端部IDT1と端部IDT2のスペースSTに等しく設定する。
【0030】
つぎに前記記号PR、PTs、PTcで表わされるの寸法値の適正な設定について説明する。図3の右側に配置して図示した横軸320と縦軸321からなる図は、本素子のx座標位置に対応した前記配列周期長P(x)の関係、すなはちPR、PTs、PTcの寸法比較特性線322を表している。寸法長PR、PTs、PTcは各区間において一定であり、従ってP(x)は階段状の関数で表される。従ってすだれ状電極の線幅Lについては、前記の寸法LT/ST比もIDTの3区間とも一定値とする場合には、すだれ状電極の各線幅Lは各区間内では加工バラツキを除けば一定値をとる。さらに特別には、線幅比PTc/PTsが1に近いことから、線幅LをIDTの3区間とも一定とすることもできる。前記IDTの線幅Lは、電極1本当りの反射率bが最大となるような値に設定することが多い。図2の面内回転STカット水晶板については、全IDTと反射器ともLT/ST比は0.42から0.67範囲である。弾性表面波の波長λの1/4また膜厚Hも加工バラツキを除けば同様に一定値に設定する。
【0031】
具体的には、前記すだれ状電極(IDT)の配列周期長PTs、PTc、反射器の配列周期長PRの寸法を、PR>PTs>PTcの関係に設定し、PTc/PTsの比が0.985から0.995の範囲であり、PR/PTsは1.0から1.01の範囲であり、前記中央に配置したすだれ状電極の対数をMcとし、全体の対数Mとの比であるMc/Mが0.1から0.6の範囲とする。
【0032】
ここで、‘前記線幅比PTc/PTsが0.985から0.995の範囲’についての加工の可否につき言及する。素子周波数f(MHz)と前記寸法PTc,PTs(μm)の間には、利用する弾性表面波の速度Vsを3100m/sとして、PTc,PTs=Vs/(2f)の関係がある。本発明がことに低周波数において加工上有利であることは明らかであるが、ことに低周波数において小型化が困難となることも事実である。一例として、f=200MHzにすると、PTsが7.750μm、PTcはPTsの0.995として7.711μmとなる。両者の差は0.039μmとなる。この加工精度分解能は、5倍に縮小露光可能な投影機に使用するマスク精度に換算すると、0.195となって、電子ビーム露光機の現行分解能0.01μmに対して十分な大きさとなって実現可能である。寸法PTcのIDT領域の対数Mcが20対であれば、該当する領域の5倍となるマスク寸法差は0.039×20×2×5=7.8μmとなって十分計測かつ識別可能である。
【0033】
さらに詳細に構成条件を規定すれば、つぎのように言える。前記すだれ状電極と反射器はアルミニウム金属からなり、また前記すだれ状電極は正負電極指を1対としてM対、前記反射器はN本の電極導体からなり、それらの総和M+Nを180から240の範囲となし、かつ前記すだれ状電極の対数Mは50から120の範囲であり、
前記電極1本当りの弾性表面波の反射係数γが0.005から0.015の範囲として、すだれ状電極全体が有するトータル反射係数Гを1.8>Γ>0.25であり、前記反射器と前記すだれ状電極間の最も近接した平行導体間の距離は、すだれ状電極の1周期長が有するラインLTとスペースSTのうちスペースSTからなり、前記すだれ状電極の配列周期長PTs、PTc、反射器の配列周期長PRの寸法を、PR>PTs>PTcの関係に設定し、PTc/PTsの比が0.985から0.995の範囲であり、PR/PTsは1.0から1.01の範囲であり、前記中央に配置したすだれ状電極の対数をMcとし、全体の対数Mとの比であるMc/Mが0.1から0.6の範囲である。またあらためて、前記圧電体平板の条件として、水晶回転Y板を電気軸(X軸)回りに反時計方向に回転角θ=31度から42度回転し、かつ弾性表面波の伝播方向を、前記電気軸(X軸)より40度から46度の範囲で面内回転した回転STカット水晶板を使用する(請求項7の説明)。
【0034】
前記基板の反射係数γの範囲は0.005から0.015であるが、図3の構成であれば、反射係数γが半分の0.005においても総和M+Nが180〜240かつ、対数Mが50から120の範囲において良好な特性が得られるものである。このときIDTが有する全反射係数はГは、0.005×50(本)=0.25から0.015×120(本)=1.8の範囲をとる。
【0035】
つぎに図6において、図3の構成を一例として得られる振動変位の形態を示す。
図6は最近開発した計算手法により、図3の構成のSAW共振子(素子と呼ぶ)が有する振動変位の状態を計算したものである。前記計算手法を若干説明すると、素子状態変数Wとして、W={右側進行波R(X)、左側進行波L(X)、電圧V、電流I(X)}の組み合わせをとるものであり、従来一般的な等価回路法と比較して、振動変位が直接的に求まるため便利である。前記の振動変位とは、時間とともに周期的に定常振動する振幅変位の最大値を結んだ包絡線振幅U(X){=R(X)+L(X)}である(図中の曲線600と601)。図6中の横軸は、両側2個の反射器とIDTから構成されるSAW共振子の電極導体1本のなす線幅LRあるいはLTの中央位置(節点)の位置座標を示し、縦軸の左側は前記U(X)の相対値を、右側のN(X)は前記U(X)がとりうる最大値であるUmaxにて、U(X)を規格化して得られるN(X)=U(X)/Umaxの値である。PTc/PTsの比が0.985から0.995の範囲においては、前記Umaxは6.2(曲線600のPTc/PTs=0.995の場合)から14.0(曲線601のPTc/PTs=0.985の場合)の値であった。また同図上部に示した0から1の座標は、IDTの前記位置座標をIDTの全長にて規格化した座標値であって、片方の端を0、もう一方の端を1としてある。
【0036】
前記の規格化振幅N(x)は、全体からなるIDT領域の中央位置である全長の1/2において、N(x)=1であり、1/4と3/4において0.33から0.53であり、IDTの両端0、1において0.048から0.177の値をとり、従前型より著しく中央の変位が大きな、すなわち中央にエネルギの集中した滑らかな関数をとっていることがわかる。
【0037】
さらにまた、本発明のSAW共振子が従来と異なるものである根拠として、本発明になるSAW共振子が有するアドミタンスY(f)の周波数特性(共振特性)を図4に示す(曲線400)。同図の横軸は、周波数であるが周波数変化率df/f(ppm単位)であり、縦軸はSAW共振子のアドミタンスY(f)の対数表示(20LOG10Y(f))である。401の主振動モードの下側4000から5000ppmに存在する振幅の小さな共振402が従来の主振動モードに相当するが、ここではスプリアスである。
【0038】
つぎに本発明の適用対象となる図3の構成条件が与える一特性につき説明する。
図5は、全IDTの対数M(横軸)に対する、本発明のSAW共振子の等価直列抵抗R1(Ω)(縦軸)の関係を図示したものである。曲線501は前記ETA=0.1の場合であり、曲線502は前記ETA=0.2の場合であり、曲線503は前記ETA=0.3の場合であり、曲線505は前記ETA=0.5の場合である。ETAが0.2から0.5の範囲においては、ほぼ同水準のR1の値となり、Mの増加に従い、20数Ωから15Ωへと緩やかに減少する傾向を示していることがわかる。ただしPTNGは0.985から0.995の範囲とした。
【0039】
以上、本発明の適用対象となる従来品の構成と特性について説明したが、つぎに本発明につき順を追って説明する。
(実施例)
図1は請求項1の本発明に係わる弾性表面波共振子(以下略して本素子と称す)の一実施例について、前述の図2の方位基板にて得られる圧電体平板上に形成した電極パターンを図示したものである。前述の図3の従来例に対して、126と127の構成要素が新たに付加されている。その他は同一であるが、再度記述すると以下のとおりである(請求項2,6,7の説明)。
【0040】
また図1中の記号113と118のPRは、反射器1、反射器2の導体ストリップの配列周期長であり、導体ストリップの幅LRと導体ストリップ間のすきま長SRの和、PR=LR+SRである。また、109と111、108と110の寸法は、各々前記IDTにおける電極指の線幅LTとそれらの間隙長(スペース)STである。さらに、114と117で指定される配列周期長PTsは、端部IDT1と端部IDT2の配列周期長であり、前記電極指の線幅LTとそれらの間隙長(スペース)STの和である。115のPTcは中央IDTの配列周期長である。また、123と124の寸法Gは端部IDT1と端部IDT2のスペースSTに等しく設定する。
【0041】
つぎに前記記号PR、PTs、PTcで表わされるの寸法値の適正な設定について説明する。図1の右側に配置して図示した横軸120と縦軸121からなる図は、本素子のx座標位置に対応した前記配列周期長P(x)の関係、すなはちPR、PTs、PTcの寸法比較特性線122を表している。寸法長PR、PTs、PTcは各区間において一定であり、従ってP(x)は階段状の関数で表される。従ってすだれ状電極の線幅Lについては、前記の寸法LT/ST比もIDTの3区間とも一定値とする場合には、すだれ状電極の各線幅Lは各区間内では加工バラツキを除けば一定値をとる。さらに特別には、線幅比PTc/PTsが1に近いことから、線幅LをIDTの3区間とも一定とすることもできる。前記IDTの線幅Lは、電極1本当りの反射率bが最大となるような値に設定することが多い。
【0042】
本発明においては、図1中の126と127の構成要素が新たに付加されていることは述べた。126と127等は、正負からなる電極指対をIDTの給電112から切り離した浮き状態の電極であり、弾性表面波定在振動の駆動および検出には寄与していない。これらの“浮き電極対”は特定の密度分布のに従って多数配置されており、この分布密度を重み付け関数1−W(X)で表すことにする。前記の関数W(X)の形状はおおむねつぎのとおりである。
【0043】
弾性表面波の位相伝播方向Xに関して、前記中央に配置したすだれ状電極(IDT)の中央位置X=0においてW(X)=1であり、中央位置X=0から正負両端方向に遠ざかるに従い、W(X)は対称かつ単調に減少して3つに区分したIDTの全領域をカバーしている。このような手段によってIDTの励振強度に重み付けする方法は、一般的には“間引き重み付け法”と呼ばれている。
【0044】
本発明にあっては、前記の重み関数として、図6に見られる本発明のSAW共振子の規格化された振動変位に関する包絡線振幅関数U(X)をW(X)として使用することが特徴である(請求項3の説明)。前記U(X)は、前述の浮き電極対が存在しない場合における図1のSAW共振子の固有振動変位解である。水晶基板のような電気機械結合定数が0.001から0.003程度と小さな基板に関しては、浮き電極対の有り無しにかかわらず、同一のU(X)を与える。
【0045】
さらに厳密を期するならば、前期U(X)に対応してIDTの電極指に発生する電流密度分布関数dI(X)をW(X)として使用することである。図7には前記U(X)とdI(X)の一実施例の関係を図示した。図7中の破線の曲線700がU(X)であり、実線の曲線701がdI(X)である。dI(X)の左右両端は突然ゼロに推移しているが、この領域は反射器の領域である。図7の基本波振動モードの場合にはU(X)とdI(X)は規格化すればほぼ同一の形状をなしている。従ってどちらを使用しても同一の結果が得られる。
【0046】
つぎに、請求項4に関して図8をもちいて説明する。図8の横軸は3つのIDTの全領域(M=200対)の右半分100対を図示したものである。縦軸は振幅を1に規格化した前記重み関数W(X)とU(X)である。図8中の801がW(X)、800がU(X)である。この場合重み関数W(X)は、W(X)=COS2(KX)と置いていることが特徴である。ここで、関数の形を規定する波数KはK=π/Mと設定する。この設定により、全IDTの左右端部X=±M/2において、W(X=±M/2)=COS2(±KM/2)=0としており、これから±XM/2=π/2が与えられ、さらに前記K=±(π/2)(2/M)=±(π/M)が得えられる。同図から見られるとおり、W(X)とU(X)は、U(X)の振幅が大きく従って重要な部分であるM=0から70対付近までの範囲において一致していることがわかる。ただし、この場合の座標Xは、実座標xをIDTの電極周期長PTsあるいはPTcで割って得られる規格化座標とみなせることを付け加える。
【0047】
つぎに、図9は図8で与えられる重み関数W(X)をもちいて、具体的な間引き重み付け関数φを関数1-W(X)から計算したものである(900)。具体的にはIDTにおける整数j(j=-(M/2)〜−1,+1〜+(M/2))番目の正負電極指対を給電導体(図1の112)に接続する場合には、1を与え、接続しない場合には0を与えたものであり、離散的な価をとる関数である。W(X)は全IDTの中央値X=0に関して対称関数であることが望ましい。対称である場合において、前記W(j)=0の設定手段は、1-W(i)(i=1〜+(M/2))の積算値であるSUM=Σ(1-W(j))がj番目の電極指対において1を超えたとすれば、φ(j)=0を与えるものである。SUMが1以下の状態ではφ(j)=1と設定して得られたものである(請求項5の説明)。
【0048】
以上説明した本発明の図1の構成と、図7、図8、図9の間引き重み付け手段により得られるSAW共振子の特性につき説明する。
【0049】
すでに説明したように、従来技術の問題点を要約すると、図3による従来の構成では、全IDTの対数Mを増加させると10数Ω程度の低いCI値(等価直列抵抗R1)が得られるが(図5)、IDTの電極指対数Mを135以上に大きく設定するため並列容量C0が4〜6pFと大きくなり、発振回路を構成すると、発振回路の増幅度が減少する他、前記C0と発振回路のインダクタンスが共振して異常発振状態を起こすことがあるという問題点を有していることである。
【0050】
まず、図10において、本発明の間引き重み付けを行った場合と行わない場合のSAW共振子の並列容量C0の変化を示した。図中、1000が本発明の間引き重み付けを行った場合のC0変化であり、破線1001が行わない場合である。みてのとおり、例えばM=135の場合において、3.62pFが2.43pFと大幅(67%)にC0が減少していることがわかる。一方、Mに対する等価直列抵抗R1の変化については、図11のように変化しているが、従来の図5と比較すると、例えばM=200においては従来はR1=15Ωであるものが、本発明では15.4Ωと大差ない水準の特性が得られていることがわかる。ただし、図11が得られる条件は、面内回転STカットを使用し、全IDT対数をM、Nを反射器の導体本数として、M+N=248の条件のもとで、電極指交差幅比WCR=40、中央IDTの対数McとMとの比Mc/M=ETA=0.5、中央の電極周期長PTcと両側のIDTの電極周期長PTsの比PTc/PTs=0.995として、周波数300MHzについての結果である。この条件でM=135の付近において、SAW共振子のQ値が2万と高い値が得られ結果、逆に等価直列抵抗R1は30Ωと大きくなっている。また、SAW共振子の励振効率を評価するパラメータである1/(ωC0R1)については、本発明のM=200の場合が従来品の3.8に対して9.0となつて、約2.5倍に改善されている。
【0051】
さらに本発明の利点を、SAW共振子のアドミタンス特性Y(f)を示す図4と図12にて説明する。本発明においては、主振動の下側に発生しているスプリアス共振を抑圧できることである。例えば、従来の図4の402のスプリアスは本発明の図12のアドミタンスY(f)1200における1201ように2dB程度小さく抑圧される。さらに、条件によっては前記スプリアスを完全に抑圧できる条件もあることを付け加える。
【0052】
以上のとおり、本発明が水晶のみからなる基板で、レイリー型の弾性表面波を利用した弾性表面波共振子の構成および特性につき説明したが、前記基板が水晶以外でも、また基板表面にSiO2、ZnO等の薄膜が本素子の特性を損なわない程度に形成されても、本発明の構成条件が満足される範囲であれば有効であることを付け加える。
【0053】
また、前述の本発明になる間引き重み付け手段は、図1のような特定の構成条件からなる弾性表面波共振子のみに適用されるばかりでなく、従来の一般的な構成になるSAW共振子(すなわち、圧電体平板上の伝播方向xに弾性表面波を励振する1個のすだれ状電極とその伝播方向両側に配置した1対の反射器とからなる弾性表面波共振子において適用でき、弾性表面波の位相伝播方向Xに関して、前記中央に配置したすだれ状電極の中央位置X=0においてW(X)=1で、中央位置X=0から両端方向に遠ざかるに従い、W(X)は対称かつ単調に減少する重み関数W(X)であるU(X)およびCOS2(KX)を用いて、前述のすだれ状電極の間引き重み付けを行っても良いことを付け加える(請求項1の説明)。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の弾性表面波共振子の一実施例が有する電極パターンの平面図。
【図2】 本発明の弾性表面波共振子に関して使用する水晶面内回転STカット板の方位を示す図。
【図3】 従来の弾性表面波共振子が有する電極パターンの平面図。
【図4】 従来の弾性表面波共振子が有するY(f)の周波数特性を示す特性図。
【図5】 従来の弾性表面波共振子が有するM対R1の関係を示す特性図。
【図6】 本発明の一実施例が有する弾性表面波共振子が有する振動変位図。
【図7】 本発明の一実施例が有する弾性表面波共振子が有する電流分布関数を示す特性図。
【図8】 本発明の一実施例である弾性表面波共振子が有する振動変位関数U(X)と重み関数W(X)の比較図。
【図9】 本発明の一実施例である弾性表面波共振子が有する間引き重み付け関数φ(j)示す特性図。
【図10】 本発明の一実施例である弾性表面波共振子が有するM対C0の関係を示す特性図。
【図11】 本発明の一実施例である弾性表面波共振子が有するM対R1値の関係を示す特性図。
【図12】 本発明の間引き重み付けした一実施例である弾性表面波共振子が有するY(f)の周波数特性を示す特性図。
【符号の説明】
100 圧電体平板
101 反射器1
102 反射器2
103 端部IDT1
104 中央IDT
105 端部IDT2
112 給電導体
122 電極周期長を与える寸法関数
126,127 浮き電極指対
Claims (5)
- 3つの領域に区分されたすだれ状電極の配列周期長について、両側に配置したすだれ状電極の配列周期長がPTs、中央に配置したすだれ状電極の配列周期長がPTc、反射器の配列周期長PRの寸法間の大小を、PR>PTs>PTcの関係に設定し、PTc/PTsの比が0 . 985から0 . 995の範囲であり、PR/PTsは1 . 0から1 . 01の範囲であり、前記中央に配置したすだれ状電極の対数をMcとし、全体の対数Mとの比であるMc/Mが0 . 1から0 . 6の範囲である弾性表面波共振子において、
弾性表面波の位相伝播方向Xに関して、前記中央に配置したすだれ状電極の中央位置X=0においてW(X)=1で、中央位置X=0から両端方向に遠ざかるに従い、W(X)は対称かつ単調に減少する重み関数W(X)により、3つの領域全体のすだれ状電極の間引き重み付けを行ったことを特徴とする弾性表面波共振子。 - 前記3つの領域全体のすだれ状電極について、間引き重み付けを行う重み関数φ(j)=1−W(j)(jは整数)を与える重み関数W(X)が前記弾性表面波共振子の固有振動変位に関する包絡線振幅関数U(X)であることを特徴とする請求項1記載の弾性表面波共振子。
- 前記3つの領域全体のすだれ状電極について、間引き重み付けを行う重み関数φ(j)=1−W(j)(j=1〜Mは整数)を与える重み関数W(X)が、COS 2 (KX)かつK=π/Mであることを特徴とする請求項1記載の弾性表面波共振子。
- 前記すだれ状電極と前記反射器はアルミニウム金属からなり、また前記すだれ状電極は正負電極指を1対としてM対、前記反射器はN本の電極導体からなり、それらの総和M+Nを200から248の範囲となし、かつ前記すだれ状電極の対数Mは135から240の範囲であり、
前記電極1本当りの弾性表面波の反射係数γが0 . 005から0 . 015の範囲として、すだれ状電極全体が有するトータル反射係数Гを1 . 8>Γ>0 . 25であり、
前記反射器と前記すだれ状電極間の最も近接した平行導体間の距離は、すだれ状電極の1周期長が有するラインとスペースのうちスペースからなり、
前記すだれ状電極の配列周期長PTs、PTc、反射器の配列周期長PRの寸法を、PR>PTs>PTcの関係に設定し、PTc/PTsの比が0 . 985から0.995の範囲であり、PR/PTsは1.0から1.01の範囲であり、前記中央に配置したすだれ状電極の対数をMcとし、全体の対数Mとの比であるMc/Mが0.1から0.6の範囲である弾性表面波共振子において、
弾性表面波の位相伝播方向Xに関して、前記中央に配置したすだれ状電極の中央位置X=0においてW(X)=1で、中央位置X=0から両端方向に遠ざかるに従い、W(X)は対称かつ単調に減少する重み関数W(X)により、3つの領域全体のすだれ状電極の間引き重み付けを行ったことを特徴とする請求項1記載の弾性表面波共振子。 - 前記圧電体平板は、水晶回転Y板を電気軸(X軸)回りに反時計方向に回転角θ=31度から42度回転し、かつ弾性表面波の伝播方向xを、前記電気軸(X軸)より40度から46度の範囲で面内回転した回転 ST カット水晶板であることを特徴とする請求項1記載の弾性表面波共振子。
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