JP4868124B2 - 弾性表面波共振子 - Google Patents

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Description

本発明は、面内回転した回転STカット水晶板等の圧電体平板上に、レイリー型等の弾性表面波を利用して、3次高調波動作させた新しい形式の弾性表面波共振子に関する。
従来、圧電気を有する水晶STカット基板(圧電体平板の一例)を用いて構成する弾性表面波共振子は、その周波数温度特性が零温度係数をもち精度が良いために、各種高速ネットワーク系のデータ伝送用水晶発振器の発振素子として使用されているが、これはジッタが無く位相ノイズに優れた信号が高信頼性かつ低コストに容易に得られるという長所があるためである。
しかしながら近年、前述のネットワーク系の信号伝送速度がGHz帯にまで高速化するとともに、より高周波数かつ高精度な水晶発振器が求められるに至っている。そこで最近注目されて来たものとして、前述したSTカットの精度±100ppm(0〜70℃範囲)に対して、約半分(精度±50ppm)の周波数温度特性が得られる面内回転した回転STカット水晶板を用いた弾性表面波共振子がある。この水晶板は、レイリー型弾性表面波を利用している(例えば、特許文献1)。
面内回転した回転STカット水晶板を利用した弾性表面波共振子についても、従来のSTカットと同様に例えば金属アルミニウムからなる多数の平行導体の電極指を周期的に配置した、すだれ状電極(以下、「IDT」と書く)を形成し、さらにその両側に一対の反射器を多数のストリップ形状からなる電極導体を平行にかつ周期的に配置して構成し、1ポート型の弾性表面波共振子を形成できる。
特開昭57−73513号公報
しかしながら、前述の従来技術を使用したものはいずれも基本波動作する弾性表面波共振子であるため、IDTの電極指および反射器の導体ストリップの繰り返しの周期長Pと動作周波数との関係は、Vを弾性表面波の速度とし、fを動作周波数とすればf=V/(2P)の関係にある。その結果、前記動作周波数fは速度VとPに制約されており、圧電体基板の速度V=3000m/s、電極パターンを形成する露光機の分解能を0.5×10-6mとすれば、P=1.0×10-6mとなり、1.5GHz程度が高周波化の限界となっているのが現状である。
本発明はかかる課題を解決するものでその目的とするところは、基本波動作周波数の3倍で高調波動作可能な弾性表面波共振子を実現して、これらを用いて1から5GHz帯で使用可能な、高精度かつ低位相ノイズなSAW発振器および電圧制御型SAW発振器をギガビット系の高速有線通信市場に提供することにある。
(1)本発明の弾性表面波共振子は、圧電体平板上の位相伝播方向Xに弾性表面波を励振する少なくとも1個のすだれ状電極と、前記すだれ状電極の前記X方向両側に配置した一対の反射器と、を備える弾性表面波共振子であって、前記すだれ状電極は、前記X方向に配列された多数の電極指を備え、前記すだれ状電極の前記電極指の前記方向の幅寸法をLTとし、前記すだれ状電極の前記電極指の存在しない領域の前記X方向の寸法をSTとして、前記すだれ状電極の配列周期長であるPT=LT+STに対する線幅比LT/PTが(1/6±1/12)の範囲であり、前記反射器は、前記X方向に配列された多数の電極指を備え、前記反射器の前記電極指の前記X方向の幅寸法をLRとし、前記反射器の前記電極指の存在しない領域の前記X方向の寸法をSRとして、前記反射器の配列周期長であるPR=LR+SRに対する線幅比LR/PRが(1/6±1/12)の範囲であり、前記反射器の配列周期長PRに対して前記すだれ状電極の配列周期長PTの関係がPR<PTであって、前記PTと前記PRとの差は、前記弾性表面波の基本波の3次高調波の周波数を前記反射器が反射可能な周波数帯域内に維持しつつ前記基本波の周波数を前記反射器が反射可能な周波数帯域外にする範囲とし、前記弾性表面波の動作周波数fと速度Vと前記配列周期長PTとの関係がf=3V/(2PT)であり、前記圧電体平板が水晶単結晶からなり、かつ水晶回転Y板を電気軸(X軸)の回りに反時計方向にθ=31度から42度回転し、さらに主平面の法線の回りに電気軸から40度から46度回転したXP方向に弾性表面波の位相伝搬方向が存在するように電極指を配置しており、前記電極指および前記反射器が有する導体ストリップは、アルミニウムの薄膜をフォトリソ加工により形成した金属パターンからなり、前記アルミニウムの薄膜の膜厚Hと前記配列周期長PRで表される2PRとの比が(0.03±0.01)の範囲にあることを特徴とする。
上記(1)の構成によれば、基本波の3倍の動作周波数において、同一膜厚比H/λにあっても(λは弾性表面波の波長)、すだれ状電極の電極指および反射器の導体ストリップのもつ反射係数が基本波の場合の約80%が確保できるため、20%程度のIDT対数あるいは反射器本数を増加させるだけで、弾性表面波の振動エネルギの閉じ込めが可能となり、3次高調波動作する良好な弾性表面波共振子が実現できるという効果がある。さらに、上記(1)の構成によれば、基本波の発振を抑圧しつつ基本波の3倍の動作周波数を有する3次高調波を発振させることができる。
(2)本発明の弾性表面波共振子は、前記反射器が有する線幅比LR/PRが(1/2±1/12)の範囲であることを特徴とする。
上記(2)の構成によれば、基本波の3倍の動作周波数において、同一膜厚比H/λにあっても(λは弾性表面波の波長)、反射器の導体ストリップのもつ反射係数が基本波の場合の約80%が確保できるため、20%程度の反射器本数を増加させるだけで、弾性表面波の振動エネルギの閉じ込めが可能となり、小型で良好な弾性表面波共振子が実現できるという効果がある。
(3)本発明の弾性表面波共振子は、前記圧電体平板が水晶単結晶からなり、かつ水晶回転Y板を電気軸(X軸)の回りに反時計方向にθ=31度から42度回転し、さらに主平面の法線の回りに電気軸から40度から46度回転したXP方向に弾性表面波の位相伝搬方向が存在するように電極指を配置しており、前記電極指および前記反射器が有する導体ストリップは、アルミニウムの薄膜をフォトリソ加工により形成した金属パターンからなり、前記アルミニウムの薄膜の膜厚Hと前記配列周期長PRで表される2PRとの比が(0.03±0.01)の範囲にあることを特徴とする。
上記(3)の基板構成であれば、基本波動作状態においては膜厚比H/λ0=H/(2PR)が0.03であり反射係数が正値をとる。また、3次高調波動作時においては弾性表面波の波長λ3がλ0/3となるために、膜厚比H/λ3が3倍の0.09となるから反射係数が負値をとる。一方において強制なエネルギ閉じ込め状態を得るためのIDTと反射器の電極周基長の条件は、反射係数が負値の場合にはPR<PTが必要であり、反射係数が正値の場合にはPR>PTが必要条件である。従って、基本波が抑圧される結果となり3次高調波動作のみが可能になるという効果がある。
最初に、本発明に使用する圧電体平板につき説明する。前記の圧電体平板は面内回転STカット水晶板であり、図1において水晶結晶からの切り出し方位を示す。図中の501が水晶結晶の基本軸である電気軸X、502が機械軸Y、503が光軸Zである。面内回転STカット水晶板は、電気軸Xと光軸Zの2軸が作る面を主面とするY板を電気軸Xの回りに反時計方向にθ度(特に零温度係数が得られるθ=31度から42度)回転した圧電体平板500において、さらに圧電体平板500の法線507の回りにX軸からの面内の回転角Ψが±(40〜46)度である方位を弾性表面波の位相伝播方位X'(素子のx軸506)としたものである。
さらに圧電体平板500の表面を鏡面研磨した後、レイリー型等の弾性表面波の位相伝播方位X'に対して直交して、例えば金属アルミニウムからなる多数の平行導体の電極指を周期的に配置した少なくとも1個のすだれ状電極を構成し、その両側に一対の反射器を形成して弾性表面波共振子を構成する。
以下本発明の弾性表面波共振子の実施形態について、まず理解を容易ならしめるために、図2によって具体的な電極パターンの実施例を説明した後、図3、図4、図5、図6を用いてその動作原理を詳細に解説する。
図2は請求項1の本発明に係わる弾性表面波共振子(以下略して本素子と称すことがある)の一実施例について、圧電体平板上に形成した電極パターンを図示したものである。
図2中の各部位は、水晶からなる圧電体平板100、反射器101,103、すだれ状電極(IDT)102、反射器を構成する導体ストリップ104,105、給電導体(ブスバー)108に接続された正極側の電極指106、給電導体(ブスバー)109に接続された負極側の電極指107である。さらに、圧電体平板100上の110は利用する弾性表面波の位相伝播方位X’を示す軸である(図5の506に対応)。
さらに説明すると、図2中の反射器101,103において、記号LRは導体ストリップ104の幅(ライン)寸法LRであり、SRは導体で被服されていない幅(スペース)寸法SRである。またPRは幅(ライン)寸法LRと幅(スペース)寸法SRの和からなる導体ストリップの配列周期長としての周期長PRである。つぎに、すだれ状電極(IDT)102において、記号LTは電極指106および電極指107等の幅(ライン)寸法LTであり、STは電極導体で被服されていない幅(スペース)寸法STである。またPTは幅(ライン)寸法LTと幅(スペース)寸法STの和からなる電極指の配列周期長としての周期長PTである。
さらに説明すると、すだれ状電極(IDT)102において線幅比として定義される線幅比LT/PTが(1/6±1/12)の範囲であり、かつ反射器101,103においては、線幅比LR/PRが(1/6±1/12),(1/2±1/12)の範囲に設定しており、スペース領域が広い構造となっている。周期長PRと周期長PTについては、PR<PTであって、周期長PRと周期長PTとの差が、周期長PTに対して、おおむね大抵の基板に対して有効な1から10%の範囲で設けてある。また電極指106,107および反射器101,103が有する導体ストリップ104,105は、アルミニウムの薄膜の膜厚Hをフォトリソ加工により形成した金属パターンからなり、アルミニウム薄膜の膜厚Hと周期長PRとの比が(0.03±0.01)の範囲に構成する。
以上の構成からなる本素子において、すだれ状電極(IDT)102に印加する信号の周波数は、f0=V/(2PT)を基本波の動作周波数とすれば、この3倍であるf3=3V/(2PT)の弾性表面波の動作周波数fとしての周波数f3で動作させて使用することが特徴である。
次に、図3と図4を用いて、本発明の素子の動作特性について説明する。
図3は本発明になる図2のような電極指あるいは導体ストリップの本数を200本として、周期的構造をなすIDTおよび反射器が有する反射特性200を示すものである。また、図3は、弾性表面波の動作周波数fとしての周波数f3(図2参照)の周波数による3次高調波動作状態での反射特性を示すものである。図3中の横軸はIDTの電極指106,107(図2参照)が有する線幅Lと、反射器101,103(図2参照)の導体ストリップ104,105が有する線幅Pとの線幅比L/Pである。
線幅比L/PはIDTであれば、線幅比LT/PT(図2参照)とほぼ同一であり、反射器であれば線幅比LR/PRにほぼ相当する。縦軸はIDTおよび反射器全体が有する弾性表面波の反射係数であり、個々の電極指および導体ストリップの反射係数rの総和からなる反射係数Γを示すものである。
図3に示すとおり、反射係数Γは線幅比L/Pがおよそ1/6=1.6付近の値の場合、あるいは1/2付近の値、およそ5/6付近の値をとる場合において最大値0.84をとっている。従って、線幅比L/Pとして、おおよそ(1/6±1/12)の値、(1/2±1/12)の値、あるいは(5/6±1/12)の範囲の値に設定すれば、反射係数Γは最大値が得られ最小の小型な弾性表面波共振子が得られることになる。
一方図4は、図3と同様な反射特性300を示す特性図であるが、動作周波数が前記の基本波f0である点が異なっており、反射係数Γの最大値は0.997程度の値を示している。この場合、線幅比L/Pが0.5において反射係数Γは最大を示す。
図3は前述の周波数f3において動作した場合に得られるものであるが、最大値0.84は、基本波f0における動作特性図である図4と比較しても約16%程度の減少にとどまり、弾性表面波共振子の構成には支障をきたさない。ちなみに、電極指あるいは導体ストリップの本数は200本より大きくとも少なくとも反射特性の最大値を示す線幅比L/Pの値は変わらない。
次に、図5は本発明の弾性表面波共振子の構成に使用する圧電体平板が有する特性を示すものである。
図5中の横軸は前述の線幅比L/Pであり、縦軸は電極指あるいは反射器が有する導体ストリップ1本当たりの反射係数rを単位%でみたものである。図中の白丸点400(r=3%)は線幅比L/Pが0.5かつ膜厚比H/λが0.03における反射係数rを示す点である。また401は、線幅比L/Pが0.5かつ膜厚比H/λが0.09における反射係数r(=10%)を示す点である。また曲線402は反射係数rがほぼゼロをとる境界線であり、同図紙面における右上半分の反射係数rが負値をとる負値領域403と同図紙面における下左半面の反射係数rが正値をとる正値領域404の境界線を示す。本発明になる弾性表面波共振子においては、図5の特性を利用して基本波動作状態における共振子の直列等価抵抗いわゆるCI値を増大させて抑圧することができる。
そのメカニズムは次のようなものである。まず基本波f0の動作において、本発明の弾性表面波共振子の膜厚比H/λを+0.03かつ線幅比L/Pを0.5に設定する(図5中の白丸点400に対応)。このとき弾性表面波の波長λは周期長PTの2倍である2PTの状態となっている。次に基本波f0の3倍の周波数f3において動作させると、このとき弾性表面波の波長λは2PTの1/3の状態になることから、膜厚比H/λはH/(2PT)の3倍となって0.09となる(図5中の黒丸点401に対応)。結果として反射係数rは負値となる。ここから先のメカニズムは図6の概説図に示す。
図6は横軸が動作周波数fであり、縦軸はIDTあるいは反射器における弾性表面波の反射係数および放射振幅の相対値を示している。
反射特性曲線600はIDTが有する反射係数Γであり、破線で示した曲線601、602、603は前記の同一IDTが有する弾性表面波の放射特性である。反射特性曲線600の平坦部下側に配置する曲線601は、反射係数rが正値をとる基本波f0近傍における動作時ものであり、また一方の平坦部上側に配置する曲線603は反射係数rが負値をとる3次高調波動作f3状態における前記の同一IDTが有する弾性表面波の放射特性である。
弾性表面波共振子を構成する反射器の反射特性とIDTの放射特性の周波数配置としては、反射器は図6の反射特性曲線600をとるものとして、IDTは放射特性602の関係となるように設定する。すなわち反射特性曲線600のほぼ中央にIDTの放射特性602を配置して最も強制な反射現象が実現してQ値の高い共振子となるように、反射器の導体ストリップの周期長PRとIDTの電極指の周期長PTを設定する。このように設定するためには、基本波動作状態ではIDTの周期長PTの寸法を小さくして曲線601から602状態にシフトさせる。従って、PT<PRの関係が必要である。また一方、3次高調波動作状態においてはIDTの周期長PTの寸法を大きくして曲線603から602状態にシフトさせる。従って、PT>PRの関係が必要である。
以上から言えることは、3次高調波動作状態において最良な共振条件に設定するためにPT>PRと設定すれば、基本波動作状態においては、IDT放射特性は反射器の反射特性の平坦部下側にはずれて、十分な反射が実現されず良好な共振現象が得られない。従って基本波f0における共振先鋭度Qは大幅に低下してその等価直列抵抗CI値は3次高調波動作のCI値より数倍に増大する。結果として本発明の弾性表面波共振子を用いて水晶SAW発振器を構成した場合には、3次高調波のCI値が小さいために唯一この3次高調波周波数f3が選択された発振のみが実現されることになる。
本発明の弾性表面波共振子の構成部品である圧電体平板の切断方位図。 本発明の弾性表面波共振子の一実施例が有する電極パターンを示す平面図。 本発明の弾性表面波共振子の3次高調波動作状態における反射特性を示す特性図。 本発明の弾性表面波共振子の基本波動作状態における反射特性を示す特性図。 本発明の弾性表面波共振子の構成部品である圧電体平板が有する特性図。 本発明の弾性表面波共振子の動作原理を説明する概説図。
符号の説明
100,500…圧電体平板、101,103…反射器、102…すだれ状電極(IDT)、104,105…反射器を構成する導体ストリップ、106,107…電極指、108,109…給電導体(ブスバー)、200,300…反射特性、400…白丸点、401…黒丸点、402,601,603…曲線、403…負値領域、404…正値領域、506…素子のx軸、507…法線、600…反射特性曲線、602…放射特性、f…動作周波数、f0…基本波、f3…動作周波数fとしての3次高調波周波数、H…膜厚、L,P…線幅、LR,LT…幅(ライン)寸法、PR,PT…配列周期長としての周期長、Q…共振先鋭度、r,Γ…反射係数、SR,ST…幅(スペース)寸法、V…速度、X’…位相伝播方位、λ…波長、Ψ…回転角。

Claims (1)

  1. 圧電体平板上の位相伝播方向Xに弾性表面波を励振する少なくとも1個のすだれ状電極と、前記すだれ状電極の前記X方向両側に配置した一対の反射器と、を備える弾性表面波共振子であって、
    前記すだれ状電極は、前記X方向に配列された多数の電極指を備え、前記すだれ状電極の前記電極指の前記方向の幅寸法をLTとし、前記すだれ状電極の前記電極指の存在しない領域の前記X方向の寸法をSTとして、前記すだれ状電極の配列周期長であるPT=LT+STに対する線幅比LT/PTが(1/6±1/12)の範囲であり、
    前記反射器は、前記X方向に配列された多数の電極指を備え、前記反射器の前記電極指の前記X方向の幅寸法をLRとし、前記反射器の前記電極指の存在しない領域の前記X方向の寸法をSRとして、前記反射器の配列周期長であるPR=LR+SRに対する線幅比LR/PRが(1/6±1/12)の範囲であり、
    前記反射器の配列周期長PRに対して前記すだれ状電極の配列周期長PTの関係がPR<PTであって、前記PTと前記PRとの差は、前記弾性表面波の基本波の3次高調波の周波数を前記反射器が反射可能な周波数帯域内に維持しつつ前記基本波の周波数を前記反射器が反射可能な周波数帯域外にする範囲とし、
    前記弾性表面波の動作周波数fと速度Vと前記配列周期長PTとの関係がf=3V/(2PT)であり、
    前記圧電体平板が水晶単結晶からなり、かつ水晶回転Y板を電気軸(X軸)の回りに反時計方向にθ=31度から42度回転し、さらに主平面の法線の回りに電気軸から40度から46度回転したXP方向に弾性表面波の位相伝搬方向が存在するように電極指を配置しており、
    前記電極指および前記反射器が有する導体ストリップは、アルミニウムの薄膜をフォトリソ加工により形成した金属パターンからなり、前記アルミニウムの薄膜の膜厚Hと前記配列周期長PRで表される2PRとの比が(0.03±0.01)の範囲にあることを特徴とする弾性表面波共振子。
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