CN102197591B - 表面声波谐振器、表面声波振荡器以及表面声波模块装置 - Google Patents

表面声波谐振器、表面声波振荡器以及表面声波模块装置 Download PDF

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Abstract

能够提高Q值，实现表面声波谐振器的小型化。一种表面声波谐振器，其在石英基板上设有IDT，该IDT具有激励出表面声波的电极指，IDT具有配置于中央部的第1区域、以及配置于第1区域的两侧的第2区域和第3区域，在第1区域中频率固定，在第2区域和第3区域中包含如下部分：在该部分中，随着接近IDT的端部，频率依次降低，设第1区域中的频率为Fa、第2区域中的端部的频率为FbM、第3区域中的端部的频率为FcN时，0.9815＜FbM/Fa＜0.9953且0.9815＜FcN/Fa＜0.9953。

Description

表面声波谐振器、表面声波振荡器以及表面声波模块装置
技术领域
本发明涉及使用压电基板的表面声波谐振器、表面声波振荡器以及表面声波模块装置。 
背景技术
以往，在电子设备中广泛利用了使用表面声波(Surface Acoustic Wave：SAW)的表面声波谐振器。 
近年来，随着便携设备的普及，要求用于这些便携设备的表面声波谐振器小型化。为了实现表面声波谐振器的小型化，当减少由梳齿状电极形成的IDT(Interdigital Transducer：叉指式换能器)的对数时，会产生Q值的降低或CI(晶体阻抗)值的增加，存在无法充分得到表面声波谐振器的特性的问题。 
作为其对策，例如在专利文献1中，将交替配置有电极指的IDT划分为3个区域，以2％以内的不同的固定周期长度形成各区域的IDT的电极指。这样，能够提高Q值，实现表面声波谐振器的小型化。 
并且，在专利文献2中公开了如下的IDT：采用在IDT的全长范围中IDT内的相邻的2个电极指的中心与中心之间的间隔变化的结构，由此，实现良好的电气耦合度。 
专利文献1：日本特开2004-194275号公报 
专利文献2：日本特表2004-523179号公报 
发明概要
发明要解决的问题 
但是，在上述专利文献1中，由于IDT的各区域的边界为周期长度的不连续部，因此表面声波的一部分产生转换成体波的模式转换。该体波放射到基板内，基于表面声波的谐振的Q值降低。这样，在专利文献1的现有技术中，不是高效提高Q值的 结构。 
而且，在专利文献2中，电极指的间隔在IDT的全长范围中变化，虽然得到了良好的电气耦合度，但是，无法确切地提高Q值。 
用于解决问题的手段 
本发明是为了解决上述课题的至少一部分而完成的，可作为以下的形式或应用例来实现。 
[应用例1]本应用例的表面声波谐振器在压电基板上设有叉指式换能器IDT，该IDT具有激励出表面声波的电极指，该表面声波谐振器的特征在于，所述IDT具有配置于中央部的第1区域、以及配置于该第1区域的两侧的第2区域和第3区域，在所述第1区域中频率固定，在所述第2区域和所述第3区域中包含如下部分：在该部分中，随着从与所述第1区域相邻的相邻部接近所述IDT的端部，频率依次降低，设所述第1区域中的频率为Fa、所述第2区域中的与所述第1区域侧相反的一侧的端部的频率为FbM、所述第3区域中的与所述第1区域侧相反的一侧的端部的频率为FcN时，各端部的频率变化为：0.9815＜FbM/Fa＜0.9953，并且0.9815＜FcN/Fa＜0.9953。 
根据该结构，IDT具有配置于中央部的第1区域、以及配置于该第1区域的两侧的第2区域和第3区域，在第1区域中频率固定，在第2区域和第3区域中包含如下部分：在该部分中，随着接近端部，频率依次降低。即，通过频率对IDT进行了加权。 
即，在振动位移大的第1区域中，重视通过减少表面声波的反射波彼此的相位偏移而带来的反射波彼此的叠加的加强，使区域内的频率固定。而在振动位移小的第2区域和第3区域中，牺牲反射波彼此的相位匹配，而形成频率依次降低的多个(优选为大量)部分，在多个部位(优选为大量部位)产生由频率差引起的表面声波向IDT中央部的反射。 
通过该加权，在IDT中央部的第1区域中，反射波彼此以相位偏移小的方式叠加，所以确保了较大的振动位移，而且能增大表面声波从第2区域和第3区域向第1区域的反射，所以，IDT内的振动能量的封闭状态提高，能够提高Q值。 
而且，通过将第1区域中的频率Fa与第2区域中的端部的频率FbM、第3区域中的端部的频率FcN之比(FbM/Fa、FcN/Fa)设定为上述范围，由此，与现有的表面声波谐振器相比，能够提高Q值，能够实现表面声波谐振器的小型化。 
[应用例2]在上述应用例的表面声波谐振器中，优选的是，0.9865≤FbM/Fa≤0.9920，并且0.9865≤FcN/Fa≤0.9920。 
通过将第1区域中的频率Fa与第2区域中的端部的频率FbM、第3区域中的端部的频率FcN之比(FbM/Fa、FcN/Fa)设定为上述范围，由此，与现有的表面声波谐振器相比，能够大幅提高Q值，能够实现表面声波谐振器的进一步的小型化。 
[应用例3]在上述应用例的表面声波谐振器中，优选的是，在所述频率依次降低的部分中，设所述第2区域的一个部位的频率为Fbm、与其相邻的部位的频率为Fbm+1、且所述第3区域的一个部位的频率为Fcn、与其相邻的部位的频率为Fcn+1时，相邻部位的频率变化为：0＜|Fbm+1-Fbm|/Fbm＜0.000225，并且0＜|Fcn+1-Fcn|/Fcn＜0.000225。 
根据该结构，通过将IDT的第2区域和第3区域中的相邻部位的频率变化(|Fbm+1-Fbm|/Fbm、|Fcn+1-Fcn|/Fcn)设定为上述范围内，由此，与现有的表面声波谐振器相比，能够提高Q值，能够实现表面声波谐振器的小型化。 
[应用例4]在上述应用例的表面声波谐振器中，优选的是，在所述第1区域中，相邻的2个电极指的中心与中心之间的电极指间隔固定，在所述第2区域中，所述电极指间隔形成为大于所述第1区域的所述电极指间隔，并且从与所述第1区域相邻的相邻部朝向所述IDT的一个端部依次增加，在所述第3区域中，所述电极指间隔形成为大于所述第1区域的所述电极指间隔，并且从与所述第1区域相邻的相邻部朝向所述IDT的另一个端部依次增加，设所述第1区域的电极指间隔为Pa、所述第2区域中的端部的电极指间隔为PbM、所述第3区域中的端部的电极指间隔为PcN时，各端部的电极指间隔的变化为：1.0047＜PbM/Pa＜1.0188，并且1.0047＜PcN/Pa＜1.0188。 
根据该结构，作为利用IDT的频率实现的加权，通过改变电极指间隔来改变频率。在第1区域中电极指间隔固定，在第2区域和第3区域中，电极指间隔形成为从与第1区域相邻的相邻部朝向IDT的端部依次增加。通过该加权，在IDT中央部的第1区域中，确保了较大的振动位移，在其两侧的第2区域和第3区域中，能够增大表面声波的反射，所以，在IDT内，振动能量的封闭状态提高，能够提高Q值。 
而且，通过将第1区域的电极指间隔Pa与所述第2区域的端部的电极指间隔PbM、所述第3区域的端部的电极指间隔PcN之比(PbM/Pa、PcN/Pa)设定为上述范围，由此，与现有的表面声波谐振器相比，能够提高Q值，能够实现表面声波谐振器的小 型化。 
[应用例5]在上述应用例的表面声波谐振器中，优选的是，1.0081≤PbM/Pa≤1.0137，并且1.0081≤PcN/Pa≤1.0137。 
通过将第1区域的电极指间隔Pa与所述第2区域的端部的电极指间隔PbM、所述第3区域的端部的电极指间隔PcN之比(PbM/Pa、PcN/Pa)设定为上述范围，由此，与现有的表面声波谐振器相比，能够大幅提高Q值，能够实现表面声波谐振器的进一步的小型化。 
[应用例6]在上述应用例的表面声波谐振器中，优选的是，设所述第2区域的一个部位的电极指间隔为Pbm、与其相邻的部位的电极指间隔为Pbm+1、且所述第3区域的一个部位的电极指间隔为Pcn、与其相邻的部位的电极指间隔为Pcn+1时，相邻部位的电极指间隔的变化为：0＜|Pbm+1-Pbm|/Pbm＜0.000225，并且0＜|Pcn+1-Pcn|/Pcn＜0.000225。 
根据该结构，通过将IDT的第2区域和第3区域中的相邻的电极指间隔的变化(|Pbm+1-Pbm|/Pbm、|Pcn+1-Pcn|/Pcn)设定为上述范围内，由此，能够提高表面声波谐振器的Q值，能够实现表面声波谐振器的小型化。 
[应用例7]在上述应用例的表面声波谐振器中，优选的是，设所述IDT的电极指的对数为Ni、所述IDT中的所述第1区域的电极指的对数为Na时，所述第1区域的电极指的对数Na为2对以上，且处于Na/Ni≤0.312的范围内。 
根据该结构，通过如上地设定IDT的电极指的对数Ni与第1区域的电极指的对数Na之比(Na/Ni)，由此，与现有的表面声波谐振器相比，能够提高Q值，能够实现表面声波谐振器的小型化。 
[应用例8]在上述应用例的表面声波谐振器中，优选的是，0.111≤Na/Ni≤0.285。 
根据该结构，通过如上地设定IDT的电极指的对数Ni与第1区域的电极指的对数Na之比(Na/Ni)，由此，与现有的表面声波谐振器相比，能够大幅提高Q值，能够实现表面声波谐振器的进一步的小型化。 
[应用例9]在上述应用例的表面声波谐振器中，优选的是，在所述IDT的两侧具有反射器，将设置在所述IDT的一侧的反射器的电极指的对数设为Nr1、将设置在所述IDT的另一侧的反射器的电极指的对数设为Nr2时，处于Na/(Ni+Nr1+Nr2)≤0.24的范围内。 
根据该结构，通过如上地设定IDT的电极指的对数Ni和反射器的对数Nr之和与第1区域的电极指的对数Na之比(Na/(Ni+Nr1+Nr2))，由此，与现有的表面声波谐振器相比，能够大幅提高Q值，能够实现表面声波谐振器的进一步的小型化。 
[应用例10]在上述应用例的表面声波谐振器中，优选的是，0.088≤Na/(Ni+Nr1+Nr2)≤0.219。 
根据该结构，通过如上地设定IDT的电极指的对数Ni和反射器的对数Nr之和与第1区域的电极指的对数Na之比(Na/(Ni+Nr1+Nr2))，由此，与现有的表面声波谐振器相比，能够大幅提高Q值，能够实现表面声波谐振器的进一步的小型化。 
[应用例11]在上述应用例的表面声波谐振器中，优选的是，将用所述电极指的宽度除以相邻的所述电极指的中心与中心之间的间隔即电极指间隔而得到的值设为线占有率，在所述第1区域中，线占有率固定，在所述第2区域中，所述线占有率形成为大于所述第1区域的所述线占有率，并且从与所述第1区域相邻的相邻部朝向所述IDT的一个端部依次增加，在所述第3区域中，所述线占有率形成为大于所述第1区域的所述线占有率，并且从与所述第1区域相邻的相邻部朝向所述IDT的另一个端部依次增加，设所述第1区域的线占有率为ηa、所述第2区域中的与所述第1区域侧相反的一侧的端部的线占有率为ηbM、所述第3区域中的与所述第1区域侧相反的一侧的端部的线占有率为ηcN时，各端部的线占有率的变化为：1.15＜ηbM/ηa＜1.70，并且1.15＜ηcN/ηa＜1.70。 
根据该结构，作为利用IDT的频率实现的加权，通过改变线占有率来改变频率。在第1区域中线占有率固定，在第2区域和第3区域中，线占有率形成为从与第1区域相邻的相邻部朝向IDT的端部依次增加。通过该加强，在IDT中央部的第1区域中，确保较大的振动位移，而在IDT的端部的第2区域和第3区域中，振动位移小，增大表面声波的反射，所以，在IDT内，振动能量的封闭状态提高，能够提高Q值。 
而且，通过将所述第1区域的线占有率ηa与第2区域中的端部的线占有率ηbM、第3区域中的端部的线占有率ηcN之比(ηbM/ηa、ηcN/ηa)设定为上述范围，由此，与现有的表面声波谐振器相比，能够提高Q值，能够实现表面声波谐振器的小型化。 
[应用例12]在上述应用例的表面声波谐振器中，优选的是，设所述第2区域的一个部位的线占有率为ηbm、与其相邻的部位的线占有率为ηbm+1、且所述第3区域的 一个部位的线占有率为ηcn、与其相邻的部位的线占有率为ηcn+1时，相邻的部位的线占有率的变化为：0.0018＜|ηbm+1-ηbm|/ηbm＜0.00885，并且0.0018＜|ηcn+1-ηcn|/ηcn＜0.00885。 
根据该结构，通过将IDT的第2区域和第3区域中的相邻部位的线占有率的变化(|ηbm+1-ηbm|/ηbm、|ηcn+1-ηcn|/ηcn)设定为上述范围内，由此，与现有的表面声波谐振器相比，能够提高Q值，能够实现表面声波谐振器的小型化。 
[应用例13]在上述应用例的表面声波谐振器中，优选的是，所述压电基板是石英基板。 
根据该结构，使用石英基板作为压电基板，所以，能够得到频率温度特性良好的表面声波谐振器。 
[应用例14]在本应用例的表面声波振荡器中，其特征在于，该表面声波振荡器在封装中搭载有电路元件以及上述表面声波谐振器。 
根据该结构，搭载了Q值提高的小型化的表面声波谐振器，所以，能够提供小型的表面声波振荡器。 
[应用例15]在本应用例的表面声波模块装置中，其特征在于，该表面声波模块装置在电路基板上搭载有上述表面声波谐振器。 
根据该结构，搭载了Q值提高的小型化的表面声波谐振器，所以，能够提供小型的表面声波模块装置。 
附图说明
图1是示出第1实施方式的表面声波谐振器的结构的平面示意图。 
图2是示出石英基板的切取角度和表面声波传播方向的说明图。 
图3是示出第1实施方式的表面声波谐振器中的电极指位置与电极指间隔之间的关系的说明图。 
图4是示出第1实施方式的表面声波谐振器中的电极指位置与频率之间的关系的说明图。 
图5是示出第1实施方式的表面声波谐振器中的电极指位置与电极指间隔的变化率的说明图。 
图6是示出电极指的总对数与Q值之间的关系的曲线图。 
图7是示出电极指的总对数中的IDT与反射器的对数的明细的表。 
图8是示出电极指间隔的变化率与Q值之间的关系的曲线图。 
图9是示出与电极指间隔的变化率对应的标准化电极指间隔与标准化频率的表。 
图10是示出反射器的电极指间隔和IDT的第1区域中的构成同极性的电极指间隔之比与Q值之间的关系的曲线图。 
图11是示出第1区域的对数占IDT对数总体的比例与Q值之间的关系的曲线图。 
图12是示出第1区域的对数占总对数的比例与Q值之间的关系的曲线图。 
图13是示出相邻电极指的电极指间隔的改变量与Q值之间的关系的曲线图。 
图14是示出相邻电极指的频率的变化量与Q值之间的关系的曲线图。 
图15是示出标准化膜厚与频率变化量之间的关系的曲线图。 
图16是示出变形例1的电极指位置与电极指间隔的变化率的说明图。 
图17是示出变形例2的电极指位置与电极指间隔的说明图。 
图18是示出变形例2的电极指位置与频率之间的关系的说明图。 
图19是示出变形例3的电极指位置与电极指间隔的说明图。 
图20是示出变形例3的电极指位置与频率之间的关系的说明图。 
图21是示出变形例4的电极指位置与电极指间隔的说明图。 
图22是示出变形例4的电极指位置与频率之间的关系的说明图。 
图23是示出变形例5的电极指位置与电极指间隔的说明图。 
图24是示出变形例5的电极指位置与频率之间的关系的说明图。 
图25是示出变形例6的电极指位置与电极指间隔的说明图。 
图26是示出变形例6的电极指位置与频率之间的关系的说明图。 
图27是示出变形例7的电极指位置与电极指间隔的说明图。 
图28是示出变形例7的电极指位置与频率之间的关系的说明图。 
图29是说明面内旋转ST切石英基板的说明图。 
图30是示出电极指间隔的变化率与Q值之间的关系的曲线图。 
图31是示出第2实施方式的表面声波谐振器的表面声波谐振器结构的平面示意图。 
图32是示出第2实施方式的表面声波谐振器中的电极指位置与线占有率之间的关系的说明图。 
图33是示出第2实施方式的表面声波谐振器中的线占有率与频率之间的关系的说明图。 
图34是说明线占有率的示意图。 
图35是示出IDT端部中的电极指的标准化线宽与Q值之间的关系的曲线图。 
图36是示出相邻电极指的线占有率的变化率与Q值之间的关系的曲线图。 
图37是示出第2实施方式的表面声波振荡器的概略剖面图。 
图38是第3实施方式的搭载了表面声波谐振器而构成接收机模块的电路框图。 
图39是示出现有的表面声波谐振器的概略的说明图。 
图40是说明线占有率的示意图。 
图41是示出IDT和反射器的对数之和(总对数)与Q值之间的关系的曲线图。 
图42是示出总对数中的IDT与反射器的对数的明细的表。 
图43是示出另一现有的表面声波谐振器的概略的说明图。 
具体实施方式
下面，根据附图来说明本发明具体化的实施方式。另外，在以下说明所使用的各图中，适当变更了各个部件的尺寸比例，以使各个部件成为可识别的大小。 
(作为比较例的表面声波谐振器) 
首先，为了理解本发明并与实施方式进行比较，对作为比较例的表面声波谐振器进行说明。 
图39是示出普通的表面声波谐振器的概略的说明图。 
表面声波谐振器100在作为压电基板的石英基板101上具有由梳齿状电极构成的IDT 102以及一对反射器103，这一对反射器103形成为在表面声波传播的方向(箭头H方向)上从两侧夹着IDT 102。 
当用欧拉角( 
Figure BDA0000056876790000081
θ、ψ)表示切面和表面声波传播方向时，石英基板101是欧拉角为(0°、38°、90°)的石英基板。 
IDT 102是通过交替排列电极性不同的电极指102a、102b而形成的。将这2个电极指102a、102b称为一对电极指。 
并且，在IDT内，相邻的电极指102a与电极指102b的中心与中心之间的间隔、即电极指间隔PT形成为相同。 
反射器103排列有多个电极指103a，形成为电中性。并且，在反射器103内，相邻的电极指103a的中心与中心之间的间隔、即电极指间隔PTr形成为相同。 
这里，将IDT 102和反射器103中的电极指在表面声波传播的方向上所占的比例称为线占有率η。详细地说，如图40所示，当设电极指102a、102b的线宽为L、与相邻的电极指之间(未形成电极指的间隙部分)的尺寸为S、相邻的电极指间隔为PT时，PT＝S+(L/2+L/2)、线占有率η(L/2+L/2)/PT＝L/PT。该线占有率η被设定为0.5。 
另外，IDT 102和反射器103由金属材料铝(Al)形成，且被设定为规定的膜厚(0.06λ：λ为表面声波的波长)。而且，电极指的线宽被设定为0.25λ。并且，IDT 102中的电极指的对数为100对，反射器103分别被设定为15对(30个)(总对数为130对)。IDT 102的电极指间隔为5.1743μm，频率为314.316MHz。反射器103的电极指间隔PTr被设定为5.2003μm。 
在以上这种表面声波谐振器100中，在IDT 102中激励出SH(Shear Horizontal)波，作为特性，实现了Q值10600。 
这种结构的表面声波谐振器100的Q值随IDT 102和反射器103的电极指对数而变动。 
图41是示出IDT和反射器中的对数之和(总对数)与Q值之间的关系的曲线图。图42是示出图41的总对数中的IDT与反射器的对数的明细的表。 
关于总对数，如图42所示，针对IDT的电极指的对数被固定为100对、而改变左右的反射器的对数时的Q值进行了调查。 
如图41所示，当总对数增多时，Q值提高而增大。在总对数为110～170对左右时，相对于对数的增加，Q值的增加也增大，但是，当总对数超过170对时，相对于对数的增加，Q值的增加减小，接近饱和状态。 
这样，可以通过增加电极指的总对数来提高Q值，但是，对数增多会使表面声波谐振器的尺寸增大，与表面声波谐振器的小型化相悖。关于表面声波谐振器的小型化，需要利用较少的电极指的总对数来提高Q值。 
接着，对另一种表面声波谐振器进行说明。 
图43是示出基于日本特开2004-194275号公报的发明的表面声波谐振器的概略的说明图。 
表面声波谐振器110在作为压电基板的石英基板111上具有IDT 112以及在表面声波传播的方向上形成的一对反射器113。 
在日本特开2004-194275号公报的发明中，没有示出SH波的具体结构例，所以，为了与本申请发明进行比较，根据日本特开2004-194275号公报的发明，通过仿真和试验，求出高效激励出SH波的设计条件，作为表面声波谐振器的特性，对Q值进行了测定。 
当用欧拉角( 
Figure BDA0000056876790000101
θ、ψ)表示切面和表面声波传播方向时，石英基板111是欧拉角为(0°、38°、90°)的石英基板。 
IDT 112被划分为中央部的第1区域114a及其两侧的第2区域114b和第3区域114c这3个区域。这里，设相邻的电极指112a与电极指112b的中心与中心之间的间隔为电极指间隔PT。在各区域内电极指间隔PT相同，但是，随区域不同，电极指间隔PT形成为不同。设第1区域114a的电极指间隔为PTc、第2区域114b和第3区域114c的电极指间隔为PTs时，存在PTc＜PTs的关系。 
反射器113排列有多个电极指113a，且形成为电中性。并且，当设相邻的电极指113a的中心与中心之间的间隔、即电极指间隔为PTr时，存在PTc＜PTs＜PTr的关系。 
并且，IDT 112中激励出的表面声波在箭头H方向上传播，表面声波在电极指112a、112b交叉的方向上行进。 
另外，IDT 112和反射器113由金属材料铝(Al)形成，且被设定为规定的膜厚(0.06λ：λ为表面声波的波长)。并且，IDT 112中的电极指的对数为100对，其中，第1区域114a被设定为20对，第2区域114b和第3区域114c分别被设定为40对。而且，反射器113分别被设定为15对，构成总对数为130对的表面声波谐振器110。 
关于IDT 112的电极指间隔，在第1区域114a中为PTc＝5.1743μm，在第2区域114b和第3区域114c中为PTs＝5.2003μm，关于频率，在第1区域114a中为314.316MHz，在第2区域114b和第3区域114c中为312.744MHz。而且，反射器113的电极指间隔PTr被设定为5.2260μm。并且，线占有率η被设定为0.5。 
在以上这种表面声波谐振器110中，在IDT 112中激励出SH(Shear Horizontal)波，作为特性实现了Q值12700。 
(第1实施方式) 
接着，对本实施方式的表面声波谐振器进行说明。 
图1是示出本实施方式的表面声波谐振器的结构的平面示意图。图2是示出石英基板的切取角度和表面声波传播方向的说明图。图3是示出本实施方式的表面声波谐振器中的电极指位置与电极指间隔之间的关系的说明图。图4是示出本实施方式的表面声波谐振器中的电极指位置与频率之间的关系的说明图。图5是示出本实施方式的表面声波谐振器中的电极指位置与电极指间隔的变化率的说明图。 
如图1所示，表面声波谐振器1在作为压电基板的石英基板11上具有由梳齿状电极构成的IDT 12以及一对反射器13，这一对反射器13形成为在表面声波传播的方向上从两侧夹着IDT 12。 
当用欧拉角( 
Figure BDA0000056876790000111
θ、ψ)表示切面和表面声波传播方向时，石英基板11是欧拉角为(-1°～+1°、26.0°～40.7°、85°～95°)的石英基板。 
如图2所示，石英的晶轴由X轴(电轴)、Y轴(机械轴)以及Z轴(光轴)来定义，欧拉角(0°、0°、0°)表示与Z轴垂直的石英Z板8。这里，欧拉角的 
Figure BDA0000056876790000112
(未图示)与石英Z板8的第1旋转相关，是以Z轴为旋转轴、将从+X轴向+Y轴侧旋转的方向设为正旋转角度的第1旋转角度。欧拉角的θ与石英Z板8在第1旋转后进行的第2旋转相关，是以第1旋转后的X轴为旋转轴、将从第1旋转后的+Y轴向+Z轴侧旋转的方向设为正旋转角度的第2旋转角度。石英基板11的切面由第1旋转角度 
Figure BDA0000056876790000113
和第2旋转角度θ决定。欧拉角的ψ与石英Z板8在第2旋转后进行的第3旋转相关，是以第2旋转后的Z轴为旋转轴、将从第2旋转后的+X轴向第2旋转后的+Y轴侧旋转的方向设为正旋转角度的第3旋转角度。利用相对于第2旋转后的X轴的第3旋转角度ψ来表示表面声波的传播方向。表面声波谐振器1使用了第1旋转角度 
Figure BDA0000056876790000114
为-1°～+1°、第2旋转角度θ为26.0°～40.7°的石英基板11。而且，以使表面声波的传播方向处于ψ＝85°～95°的范围的方式配置IDT 12。该角度ψ还称为面内旋转角。该石英基板的频率相对于温度变化的变动小，频率温度特性良好。 
IDT 12是以电极性不同的方式交替排列电极指12a、12b而形成的。在本实施方式中，将这2个电极指12a、12b计为一对电极指。 
如图1、图3所示，IDT 12被划分为3个区域，中央部为第1区域14a，其两侧为第2区域14b和第3区域14c。第1区域14a中的电极指的对数为20对，第2区域14b中的电极指的对数为40对，第3区域14c中的电极指的对数为40对，IDT 12 的对数被设定为100对。 
这里，设相邻的电极指12a与电极指12b的中心与中心之间的间隔为电极指间隔。第1区域14a内的电极指间隔为Pa，且是相同的。第2区域14b内的电极指间隔按Pb0～PbM变化。第2区域14b的电极指间隔以如下方式变化：从与第1区域14a相邻的部分朝向IDT 12的一个端部，电极指间隔依次增大。并且，第3区域14c内的电极指间隔按Pc0～PcN变化。第3区域14c的电极指间隔以如下方式变化：从与第1区域14a相邻的部分朝向IDT 12的另一个端部，电极指间隔依次增大。 
反射器13排列有多个电极指13a，且形成为电中性。其中，反射器13可以接地，也可以与电极指12a和12b中的一方连接。并且，相邻的电极指13a的中心与中心之间的间隔即电极指间隔为Pr，且是相同的。 
在反射器13中，将相邻的2个电极指13a计为一对电极指，在本实施方式中，左右分别配置有15对(30对)电极指13a。 
另外，IDT 12和反射器13由金属材料铝(Al)形成，规定的膜厚被设定为0.06λ(λ为表面声波的波长)。而且，电极指的线宽被设定为0.25λ。 
电极指间隔为Pa＝5.1743μm、PbM＝PcN＝5.2354μm、Pr＝5.2003μm。 
图4是将图3的电极指间隔表示为频率的曲线图。 
在IDT 12的第1区域14a中，频率为Fa，且是固定的。第2区域14b内的频率按Fb0～FbM变化。第2区域14b的频率以如下方式变化：从与第1区域14a相邻的部分朝向IDT 12的一个端部，频率依次减小。第3区域14c内的频率按Fc0～FcN变化。第3区域14c的频率以如下方式变化：从与第1区域14a相邻的部分朝向IDT 12的另一个端部，频率依次减小。 
另外，频率为Fa＝314.316MHz、FbM＝FcN＝310.666MHz。 
接着，对表面声波谐振器中的电极指位置与电极指间隔的变化率的关系进行说明。 
图5示出了以IDT 12的第1区域14a的电极指间隔为基准的电极指间隔的变化率与电极指位置之间的关系。从与第1区域14a相邻的部分朝向IDT 12的两个端部，电极指间隔形成为依次增大，在IDT 12的两个端部中，电极指间隔的变化率(PbM-Pa)/Pa×100和(PcN-Pa)/Pa×100为1.2％。并且，反射器13中的电极指间隔的变化率(Pr-Pa)/Pa×100为0.5％。 
该表面声波谐振器1构成为，IDT 12的电极指12a、12b彼此的电极性为异性，对IDT 12施加交变电压，由此，激励出作为表面声波的SH波。在IDT 12中激励出的SH波在箭头H方向上传播，SH波在电极指12a、12b交叉的方向上行进。 
在以上这种表面声波谐振器1中，在IDT 12中激励出SH波，作为特性实现了Q值20000。 
这样，在IDT的第1区域中频率固定，在第2区域和第3区域中包含如下部分：在该部分中，频率随着接近端部而依次降低。即，在IDT的两个端部中，利用频率对IDT进行加权，使得频率低于第1区域的频率。关于在表面声波谐振器中产生的表面声波的驻波，在配置于IDT中央的第1区域中，该驻波的振动位移大，在配置于其两侧的第2区域和第3区域中，该驻波的振动位移小。在振动位移大的第1区域中，通过将电极指间隔设为固定，能够加强表面声波的反射波彼此的叠加。而在振动位移小的第2区域和第3区域中，朝向IDT 12的两端部而依次增大电极指间隔，由此，能够增加由频率差引起的针对第1区域的反射波的量，能够提高振动能量在IDT内的封闭效果。因此，通过该加权，能够提高表面声波谐振器的Q值。 
在振动位移大的第1区域中，当依次改变频率时，表面声波的反射波彼此的相位偏差增大，难以实现反射波彼此的高效叠加。进而，因从表面声波转换为体波而导致的损失(转换损失)也增大。 
在振动位移小的第2区域和第3区域中，当依次改变频率时，也容易产生反射波彼此的相位偏差以及转换成体波的转换损失，但与此相比，下述效果更显著：在多个部位产生因频率差引起的表面声波的反射，即增加了针对第1区域的反射波的量。另外，关于因频率差引起的表面声波的反射，在日本特开平10-335966号公报中进行了详细公开，所以这里省略说明。 
在本实施方式中，作为使IDT端部的频率比第1区域的频率低的手段，通过设定较宽的IDT的电极指间隔来进行应对。 
接着，对本发明的表面声波谐振器所具有的特性进行详细说明。 
图6是示出IDT和反射器中的电极指的对数之和(总对数)与Q值之间的关系的曲线图。图7是示出图6的电极指的总对数中的IDT与反射器的对数的明细的表。 
IDT的电极指的对数总体为100对，第1区域的对数固定为20对，第2区域和第3区域的对数分别固定为40对。然后，对改变左右的反射器的对数时的Q值进行 了调查。在图6中，为了进行比较，一并记载了所述现有的表面声波谐振器100的数据。 
如图6所示，在本发明的表面声波谐振器1中，当电极指的总对数增多时，表面声波谐振器的Q值提高而增大。在总对数为110～140对左右时，相对于对数的增加，Q值的增加也增大，但是，当总对数超过150对时，相对于对数的增加，Q值的增加减小，接近饱和状态。 
根据该图可知，与现有的表面声波谐振器100相比，在本实施方式的表面声波谐振器1中，电极指的总对数处于110～150对这一电极指对数较少的范围内，Q值提高显著。例如，在总对数为130对时，能够得到Q值20000。 
这样，在本实施方式中，即使电极指的对数较少，也能够提高Q值，所以能够实现表面声波谐振器的小型化。 
并且，例如在实现Q值10000的表面声波谐振器的情况下，对于现有的表面声波谐振器100，需要总对数为130对，而对于本发明的表面声波谐振器1，在总对数为105对时，就能够实现Q值10000。这样，本发明的表面声波谐振器1能够在不使Q值劣化的情况下实现小型化。 
图8是示出IDT端部中的电极指间隔的变化率与Q值之间的关系的曲线图。关于电极指间隔的变化率，如图5中说明的那样，以IDT的第1区域的电极指间隔为基准，以百分率来表示IDT端部中的电极指间隔(变化最大的部分的电极指间隔)的增加量。 
随着电极指间隔的变化率增大，Q值上升，在电极指间隔的变化率大约为1.2％时，得到最大的Q值，当电极指间隔的变化率进一步增大时，Q值降低。 
根据该曲线图，如果电极指间隔的变化率为3.02％以下，则可以改变电极指间隔来提高Q值。而且，如果电极指间隔的变化率超过0.47％且小于1.88％，则能够得到超过现有的表面声波谐振器100的Q值12700的Q值。并且，如果电极指间隔的变化率为0.72％以上且1.49％以下，则能够得到17300以上的Q值。进一步，如果电极指间隔的变化率为0.81％以上且1.37％以下，则能够得到18500以上的Q值。 
这里，可以通过下式求出IDT中的频率。 
F＝V/λ＝V/2P    …(1) 
其中，F为频率，V为表面声波的传播速度，λ为表面声波的波长，P为电极指 间隔。 
使用上式(1)的关系，根据电极指间隔的变化率，换算出图9所示的值。 
Pa是第1区域中的电极指间隔，PbM是第2区域中的端部的电极指间隔，PcN是第3区域中的端部的电极指间隔。这里，利用第1区域的电极指间隔Pa对各个电极指间隔进行标准化(PbM/Pa、PcN/Pa)来进行表示。 
并且，Fa是第1区域中的频率，FbM是第2区域中的端部的频率，FcN是第3区域中的端部的频率。这里，利用第1区域的频率Fa对各个频率进行标准化(FbM/Fa、FcN/Fa)来进行表示。 
根据该结果，使用对电极指间隔的变化率进行标准化后的电极指间隔或者标准化后的频率，可以换个方式来表示能得到所述良好Q值的范围。 
例如可知，如果标准化后的电极指间隔(PbM/Pa、PcN/Pa)为1.0302以下，则能够得到改变电极指间隔的效果。而且，如果标准化后的电极指间隔(PbM/Pa、PcN/Pa)超过1.0047且小于1.0188，则能够得到超过现有的表面声波谐振器110的Q值12700的Q值。并且，如果标准化后的电极指间隔(PbM/Pa、PcN/Pa)为1.0072以上且1.0149以下，则能够得到17300以上的Q值。进一步，如果标准化后的电极指间隔(PbM/Pa、PcN/Pa)为1.0081以上且1.0137以下，则能够得到18500以上的Q值。 
并且可知，如果标准化后的频率(FbM/Fa、FcN/Fa)为0.9707以上，则能够得到改变电极指间隔的效果。而且，如果标准化后的频率(FbM/Fa、FcN/Fa)超过0.9815且小于0.9953，则能够得到超过现有的表面声波谐振器110的Q值12700的Q值。并且，如果标准化后的频率(FbM/Fa、FcN/Fa)为0.9853以上且0.9929以下，则能够得到17300以上的Q值。进一步，如果标准化后的频率(FbM/Fa、FcN/Fa)为0.9865以上且0.9920以下，则能够得到18500以上的Q值。 
图10是示出反射器的电极指间隔和IDT的第1区域中的构成同极性的电极指间隔之比与Q值之间的关系的曲线图。 
如图1所示，设IDT 12的第1区域中的构成同极性的电极指的中心与中心之间的间隔为Lt，设反射器13的与一个电极指的两侧相邻的电极指的中心与中心之间的间隔为Lr。而且，图10示出了Lt/Lr与Q值之间的关系。 
根据图10的曲线图可知，在Lt/Lr为0.980～1.000的范围内，随着Lt/Lr增大，Q值降低。即，反射器的电极指间隔Lr大于IDT的电极指间隔Lt时，Q值增大。该 趋势与现有的表面声波谐振器100相同。 
接着，说明以相同的电极指间隔Pa形成的第1区域的对数对Q值的影响。 
图11是示出第1区域的对数占IDT对数总体的比例与Q值之间的关系的曲线图。 
根据该曲线图可知，随着第1区域的对数占IDT对数总体的比例增大，Q值上升，当第1区域的对数大约为20％时，Q值最大，以后，当第1区域的对数的比例增大时，Q值降低。 
根据该结果可知，如果第1区域的对数占IDT对数总体的比例为31.2％以下，则能够确保Q值为17300以上。并且，如果第1区域的对数占IDT对数总体的比例处于11.1％以上且28.5％以下的范围，则能够确保Q值为18500以上。 
另外，为了确保稳定的特性，优选第1区域的对数为2对以上。 
图12是示出第1区域的对数占IDT对数与反射器对数之和即总对数的比例与Q值之间的关系的曲线图。 
反射器的对数是设于IDT的一侧的反射器的电极指的对数Nr1与设于IDT的另一侧的反射器的电极指的对数Nr2之和。 
根据该曲线图可知，随着第1区域的对数占IDT对数总体的比例增大，Q值上升，当第1区域的对数大约为16％时，Q值最大，以后，当第1区域的对数的比例增大时，Q值降低。 
根据该结果可知，如果第1区域的对数占总对数的比例为24％以下，则能够确保Q值为17300以上。并且，如果第1区域的对数占IDT对数总体的比例处于8.8％以上且21.9％以下的范围，则能够确保Q值为18500以上。 
另外，为了确保稳定的特性，优选第1区域的对数为2对以上。 
并且，设于IDT的一侧的反射器的电极指的对数Nr1与设于IDT的另一侧的反射器的电极指的对数Nr2不必为相同的对数。 
接着，对第2区域和第3区域中相邻电极指的电极指间隔的改变量或频率的变化量与Q值之间的关系进行说明。 
图13是示出相邻电极指的电极指间隔的改变量与Q值之间的关系的曲线图。 
设第2区域的一个部位的电极指间隔为Pbm、与其相邻的部位的电极指间隔为Pbm+1时，相邻电极指的电极指间隔的改变量为|Pbm+1-Pbm|/Pbm。并且，设第3区域的一个部位的电极指间隔为Pcn、与其相邻的部位的电极指间隔为Pcn+1时，相邻电 极指的电极指间隔的改变量为|Pcn+1-Pcn|/Pcn。 
根据该曲线图可知，随着相邻的电极指间隔的改变量增大，Q值降低。在相邻的电极指间隔的改变量处于0＜|Pbm+1-Pbm|/Pbm＜0.000225且0＜|Pcn+1-Pcn|/Pcn＜0.000225的范围时，与现有的表面声波谐振器100相比，Q值提高，能够确保超过12700的值。 
图14是示出相邻电极指的频率的变化量与Q值之间的关系的曲线图。 
设所述第2区域的一个部位的频率为Fbm、与其相邻的部位的频率为Fbm+1时，相邻电极指的频率变化量为|Fbm+1-Fbm|/Fbm。并且，设第3区域的一个部位的频率为Fcn、与其相邻的部位的频率为Fcn+1时，相邻部位的频率变化量为|Fcn+1-Fcn|/Fcn。 
根据该曲线图可知，随着相邻电极指间隔的频率变化量增大，Q值降低。 
当相邻部位的频率变化为0＜|Fbm+1-Fbm|/Fbm＜0.000225且0＜|Fcn+1-Fcn|/Fcn＜0.000225的范围时，与现有的表面声波谐振器100相比，Q值提高，能够确保超过12700的值。 
接着，对标准化膜厚与频率变化量的关系进行说明。 
图15是示出标准化膜厚与频率变化量之间的关系的曲线图。 
标准化膜厚H/λ是通过如下方式得到的：设IDT的电极膜的厚度为H、表面声波的波长为λ，利用波长λ对电极膜的厚度H进行标准化，由此得到该标准化膜厚H/λ。 
在图15中，为了进行比较，一并记载了现有的表面声波谐振器100的数据。 
根据该曲线图可知，在现有的表面声波谐振器100中，当标准化膜厚H/λ变动0.001时，频率大约变动465ppm，而在本实施方式的表面声波谐振器1中，相对于标准化膜厚H/λ的变动0.001，频率的变动大约为432ppm。 
这样，本实施方式的表面声波谐振器1与现有的表面声波谐振器100相比，相对于标准化膜厚H/λ的变化，频率变化量较小。即，能够减小频率相对于IDT的膜厚偏差的变动。由此，能够减小表面声波谐振器的制造中因IDT的膜厚引起的频率偏差，频率管理变得容易。 
以上，在本实施方式的表面声波谐振器1的IDT中，在配置于中央部的第1区域中频率固定，在配置于其两侧的第2区域和第3区域中包含如下部分：在该部分中，随着接近端部，频率依次降低。在第1区域中，为了使频率固定，采用了具有相等电极指间隔的周期结构，通过采取该等间距的周期结构，由此，在相邻的电极端面中被 反射的表面声波处于等相位状态(同相状态)，产生较强的谐振状态。对于IDT有限的现实的谐振器，在相对于表面声波的传播方向从前后充分叠加了反射波的IDT的中央部中，处于驻波状态，实现了较强的谐振状态，表面的位移也增大。 
另一方面，在IDT的第2区域和第3区域中，反射波彼此的叠加较弱，表面的位移也小，但作为非周期结构，通过使该部分的频率低于IDT中央部，由此，即使反射波的叠加处于更弱的状态，也能够增强谐振器总体的能量封闭状态，作为谐振器的谐振状态增强，能够提高Q值。 
这样，为了提高作为谐振器的Q值，优选的是：在IDT中央部采用具有相等电极指间隔的周期结构，在IDT端部采用降低频率的非周期结构，以成为较强的谐振状态。特别有效的方式是，越接近谐振状态弱的IDT端部，使频率越低。 
下面，对第1实施方式的表面声波谐振器的变形例进行说明。 
(变形例1) 
图16是示出变形例1的表面声波谐振器的电极指位置与电极指间隔的变化率的说明图。变形例1与第1实施方式相比，反射器中的电极指间隔的变化率不同。 
电极指间隔形成为从与第1区域相邻的部分朝向IDT的两端部依次增大，在IDT的两端部中，电极指间隔的变化率为1.2％。并且，反射器中的电极指间隔的变化率为2.0％。 
在第1实施方式中，反射器中的电极指间隔的变化率形成为比IDT的端部中的电极指间隔的变化率小，但是，如图16所示，反射器中的电极指间隔的变化率也可以形成为比IDT的端部中的电极指间隔的变化率大。 
在这种结构中，也能够得到与第1实施方式相同的效果。 
(变形例2) 
图17是示出表面声波谐振器的变形例2的电极指位置与电极指间隔的说明图。 
与第1实施方式相比，变形例2构成为IDT的第2区域和第3区域的端部中的电极指间隔(频率)分别不同。 
IDT的第1区域内的电极指间隔为Pa，且是相同的。第2区域内的电极指间隔按Pb0～PbM变化。第2区域的电极指间隔以如下方式变化：从与第1区域相邻的部分朝向IDT的一个端部，电极指间隔依次增大。并且，第3区域内的电极指间隔按Pc0～PcN变化。第3区域的电极指间隔以如下方式变化：从与第1区域相邻的部分朝 向IDT的另一个端部，电极指间隔依次增大。而且，第2区域和第3区域的端部的电极指间隔为PbM≠PcN。 
并且，反射器的相邻电极指的中心与中心之间的间隔即电极指间隔为Pr，且是相同的。 
第1区域中的电极指的对数为20对，第2区域中的电极指的对数为40对，第3区域中的电极指的对数为40对，IDT的对数被设定为100对。反射器在左右分别配置有15对电极指。 
另外，电极指间隔为Pa＝5.1743μm、PbM＝5.2354μm、PcN＝5.2364μm、Pr＝5.2003μm。 
图18是将图17的电极指间隔表示为频率的曲线图。 
在IDT的第1区域中，频率为Fa，且是固定的。第2区域内的频率按Fb0～FbM变化。而且，第2区域的频率以如下方式变化：从与第1区域相邻的部分朝向IDT的一个端部，频率依次减小。第3区域内的频率按Fc0～FcN内变化。第3区域的频率以如下方式变化：从与第1区域相邻的部分朝向IDT的另一个端部，频率依次减小。而且，第2区域和第3区域的端部的频率为FbM≠FcN。 
另外，频率为Fa＝314.316MHz、FbM＝310.648MHz、FcN＝310.588MHz。 
在以上这种结构的表面声波谐振器中，在IDT中激励出表面声波，作为特性，实现了Q值19700。 
(变形例3) 
图19是示出表面声波谐振器的变形例3的电极指位置与电极指间隔的说明图。 
与第1实施方式相比，变形例3构成为IDT的第2区域和第3区域的对数分别不同。 
IDT的第1区域内的电极指间隔为Pa，且是相同的。第2区域内的电极指间隔按Pb0～PbM变化。第2区域的电极指间隔以如下方式变化：从与第1区域相邻的部分朝向IDT的一个端部，电极指间隔依次增大。并且，第3区域内的电极指间隔按Pc0～PcN变化。第3区域的电极指间隔以如下方式变化：从与第1区域相邻的部分朝向IDT的另一个端部，电极指间隔依次增大。而且，第2区域和第3区域的端部的电极指间隔为PbM＝PcN。 
并且，反射器的相邻电极指的中心与中心之间的间隔即电极指间隔为Pr，且是相同的。 
第1区域中的电极指的对数为20对，第2区域中的电极指的对数为40对，第3区域中的电极指的对数为35对，IDT的总对数被设定为95对。反射器在左右分别配置有15对电极指。 
另外，电极指间隔为Pa＝5.1743μm、PbM＝PcN＝5.2354μm、Pr＝5.2003μm。 
并且，图20是将图19的电极指间隔表示为频率的曲线图。 
在IDT的第1区域中，频率为Fa，且是固定的。第2区域内的频率按Fb0～FbM变化。而且，第2区域的频率以如下方式变化：从与第1区域相邻的部分朝向IDT的一个端部，频率依次减小。第3区域内的频率按Fc0～FcN变化。第3区域的频率以如下方式变化：从与第1区域相邻的部分朝向IDT的另一个端部，频率依次减小。 
另外，频率为Fa＝314.316MHz、FbM＝FcN＝310.666MHz。 
在以上这种结构的表面声波谐振器中，在IDT中激励出表面声波，作为特性，实现了Q值18500。 
(变形例4) 
图21是示出表面声波谐振器的变形例4的电极指位置与电极指间隔的说明图。 
与第1实施方式相比，变形例4在IDT的第2区域和第3区域的端部，具有电极指间隔相同的部分。 
IDT的第1区域内的电极指间隔为Pa，且是相同的。第2区域的电极指间隔以如下方式变化：从与第1区域相邻的部分朝向IDT的一个端部，电极指间隔依次增大。第2区域内的电极指间隔按Pb0～PbM变化，在IDT的一个端部，具有电极指间隔为Pbf且相同的部分。IDT的端部的电极指间隔Pbf形成为比第2区域内的电极指间隔PbM小。 
并且，第3区域的电极指间隔以如下方式变化：从与第1区域相邻的部分朝向IDT的另一个端部，电极指间隔依次增大。第3区域内的电极指间隔按Pc0～PcN变化，在IDT的另一个端部，具有电极指间隔为Pcf且相同的部分。IDT的端部的电极指间隔Pcf形成为比第3区域内的电极指间隔PcN小。而且，第2区域和第3区域的电极指间隔为PbM＝PcNm、Pbf＝Pcf。 
并且，反射器的相邻电极指的中心与中心之间的间隔即电极指间隔为Pr，且是相同的。 
第1区域中的电极指的对数为20对，第2区域中的电极指的对数为40对，其中 端部的电极指间隔相同的部分为4对，第3区域中的电极指的对数为40对，其中端部的电极指间隔相同的部分为4对，IDT的总对数被设定为100对。反射器在左右分别配置有15对电极指。 
另外，电极指间隔为Pa＝5.1743μm、PbM＝PcN＝5.2364μm、Pbf＝Pcf＝5.2157μm、Pr＝5.2003μm。 
并且，图22是将图21的电极指间隔表示为频率的曲线图。 
在IDT的第1区域中，频率为Fa，且是固定的。第2区域的频率以如下方式变化：从与第1区域相邻的部分朝向IDT的一个端部，频率依次减小。 
第2区域内的频率按Fb0～FbM变化，在IDT的一个端部，具有频率为Fbf且相同的部分。IDT的端部的频率Fbf形成为比第2区域内的频率FbM高。 
第3区域的频率以如下方式变化：从与第1区域相邻的部分朝向IDT的另一个端部，频率依次减小。而且，第3区域内的频率按Fc0～FcN变化，在IDT的另一个端部，具有频率为Fcf且相同的部分。IDT的端部的频率Fcf形成为比第2区域内的频率FcN高。 
另外，频率为Fa＝314.316MHz、FbM＝FcN＝310.588MHz、Fbf＝Fcf＝311.821MHz。 
在以上这种结构的表面声波谐振器中，在IDT中激励出表面声波，作为特性，实现了Q值17200。 
(变形例5) 
图23是示出表面声波谐振器的变形例5的电极指位置与电极指间隔的变化率的说明图。 
与第1实施方式相比，变形例5在IDT的第2区域和第3区域中，具有电极指间隔相同的部分。 
IDT的第1区域内的电极指间隔为Pa，且是相同的。第2区域的电极指间隔以如下方式变化：从与第1区域相邻的部分朝向IDT的一个端部，电极指间隔依次增大。第2区域内的电极指间隔以与第1区域相邻的部分为起点按Pb0～Pbg变化，然后以电极指间隔Pbg确保相同的部分，进而，朝向IDT的一个端部变化到电极指间隔PbM。 
并且，第3区域的电极指间隔以如下方式变化：从与第1区域相邻的部分朝向IDT的另一个端部，电极指间隔依次增大。第3区域内的电极指间隔以与第1区域相邻的 部分为起点按Pc0～Pcg变化，然后以电极指间隔Pbg确保相同的部分，进而，朝向IDT的一个端部变化到电极指间隔PcN。 
而且，第2区域和第3区域的电极指间隔为Pbg＝Pcg、PbM＝PcN。 
并且，反射器的相邻电极指的中心与中心之间的间隔即电极指间隔为Pr，且是相同的。 
第2区域中的电极指的对数为40对，其中，电极指间隔Pb0～Pbg为20对，电极指间隔相同的部分为4对，电极指间隔Pbg～PbM为16对。同样，第3区域中的电极指的对数为40对，其中，电极指间隔Pc0～Pcg为20对，电极指间隔相同的部分为4对，电极指间隔Pcg～PcN为16对。而且，第1区域中的电极指的对数为20对，IDT的总对数被设定为100对。反射器在左右分别配置有15对电极指。 
另外，电极指间隔为Pa＝5.1743μm、PbM＝PcN＝5.2364μm、Pbg＝Pcg＝5.2157μm、Pr＝5.2003μm。 
并且，图24是将图23的电极指间隔表示为频率的曲线图。 
在IDT的第1区域中，频率为Fa，且是固定的。第2区域的频率以如下方式变化：从与第1区域相邻的部分朝向IDT的一个端部，频率依次减小。 
第2区域内的频率按Fb0～Fbg变化，然后以频率Fbg确保相同的部分，进而，朝向IDT的一个端部变化到频率FbM。 
并且，第3区域的频率以如下方式变化：从与第1区域相邻的部分朝向IDT的另一个端部，频率依次减小。第3区域内的频率以与第1区域相邻的部分为起点按Fc0～Fcg变化，然后以频率Fcg确保相同的部分，进而，朝向IDT的一个端部变化到频率FcN。 
而且，第2区域和第3区域的频率为Fbg＝Fcg、FbM＝FcN。 
另外，频率为Fa＝314.316MHz、FbM＝FcN＝310.588MHz、Fbf＝Fcf＝311.821MHz。 
在以上这种结构的表面声波谐振器中，在IDT中激励出表面声波，作为特性，实现了Q值15100。 
(变形例6) 
图25是示出表面声波谐振器的变形例6的电极指位置与电极指间隔的变化率的说明图。 
与第1实施方式相比，变形例6在IDT的第2区域和第3区域的端部，具有电 极指间隔朝向IDT的端边依次减小的部分。 
IDT的第1区域内的电极指间隔为Pa，且是相同的。第2区域内的电极指间隔按Pb0～PbM以如下方式变化：从与第1区域相邻的部分朝向IDT的一个端部，电极指间隔依次增大，在IDT的一个端部，电极指间隔按PbM～Pbh形成为电极指间隔依次减小。 
并且，第3区域内的电极指间隔按Pc0～PcN以如下方式变化：从与第1区域相邻的部分朝向IDT的一个端部，电极指间隔依次增大，在IDT的一个端部，电极指间隔按PcN～Pch形成为电极指间隔依次减小。而且，第2区域和第3区域的电极指间隔为PbM＝PcN、Pbh＝Pch。 
并且，反射器的相邻电极指的中心与中心之间的间隔即电极指间隔为Pr，且是相同的。 
第2区域中的电极指的对数为40对，其中端部的电极指间隔依次减小的部分为4对。第3区域中的电极指的对数为40对，其中端部的电极指间隔依次减小的部分为4对。而且，第1区域中的电极指的对数为20对，IDT的总对数被设定为100对。并且，反射器在左右分别配置有15对电极指。 
另外，电极指间隔为Pa＝5.1743μm、PbM＝PcN＝5.2364μm、Pbh＝Pch＝5.2157μm、Pr＝5.2003μm。 
并且，图26是将图25的电极指间隔表示为频率的曲线图。 
在IDT的第1区域中，频率为Fa，且是固定的。第2区域的频率以如下方式变化：从与第1区域相邻的部分朝向IDT的一个端部，频率依次减小。 
第2区域内的频率按Fb0～FbM变化，频率依次减小，在IDT的一个端部，频率按FbM～Fbh变化，频率依次增大。 
第3区域内的频率按Fc0～FcN变化，频率依次减小，在IDT的另一个端部，频率按FcN～Fch变化，频率依次增大。 
另外，频率为Fa＝314.316MHz、FbM＝FcN＝310.588MHz、Fbh＝Fch＝311.821MHz。 
在以上这种结构的表面声波谐振器中，在IDT中激励出表面声波，作为特性，实现了Q值17800。 
(变形例7) 
图27是示出表面声波谐振器的变形例7的电极指位置与电极指间隔的变化率的 说明图。 
与第1实施方式相比，变形例7在IDT的第2区域和第3区域中，具有电极指间隔朝向IDT的端边依次减小的部分。 
IDT的第1区域内的电极指间隔为Pa，且是相同的。第2区域内的电极指间隔按Pb0～Pbj以如下方式变化：从与第1区域相邻的部分朝向IDT的一个端部，电极指间隔依次增大，电极指间隔按Pbj～Pbk以依次减小的方式变化。而且，电极指间隔按Pbk～PbM以如下方式变化：朝向IDT的一个端部，电极指间隔依次减小。 
并且，第3区域内的电极指间隔按Pc0～Pcj以如下方式变化：从与第1区域相邻的部分朝向IDT的另一个端部，电极指间隔依次增大，电极指间隔按Pcj～Pck以依次减小的方式变化。而且，电极指间隔按Pck～PcN以如下方式变化：朝向IDT的另一个端部，电极指间隔依次减小。 
而且，第2区域和第3区域的电极指间隔为PbM＝PcN、Pbj＝Pcj、Pbk＝Pck。 
并且，反射器的相邻电极指的中心与中心之间的间隔即电极指间隔为Pr，且是相同的。 
第2区域中的电极指的对数为40对，其中电极指间隔依次减小的部分为4对。第3区域中的电极指的对数为40对，其中电极指间隔依次减小的部分为4对。而且，第1区域中的电极指的对数为20对，IDT的总对数被设定为100对。并且，反射器在左右分别配置有15对电极指。 
另外，电极指间隔为Pa＝5.1743μm、PbM＝PcN＝5.2364μm、Pbj＝Pcj＝5.2157μm、Pbk＝Pck＝5.2053μm、Pr＝5.2003μm。 
并且，图28是将图27的电极指间隔表示为频率的曲线图。 
在IDT的第1区域中，频率为Fa，且是固定的。第2区域内的频率按Fb0～Fbj变化，频率依次减小，接着，电极指间隔按Fbj～Fbk以依次增大的方式变化。进而，朝向IDT的一个端部，频率从Fbk变化到FbM，频率依次减小。 
同样，第3区域内的频率按Fc0～Fcj变化，频率依次减小，接着，电极指间隔按Fcj～Fck以依次增大的方式变化。进而，朝向IDT的一个端部，频率从Fck变化到FcN，频率依次减小。 
另外，频率为Fa＝314.316MHz、FbM＝FcN＝310.588MHz、Fbj＝Fcj＝311.821MHz、Fbk＝Fck＝312.444MHz。 
在以上这种结构的表面声波谐振器中，在IDT中激励出表面声波，作为特性，实现了Q值15800。 
在第1实施方式和变形例1～7中，使用了欧拉角为(-1°～+1°、26.0°～40.7°、85°～95°)的石英基板。 
作为其他石英基板，可以利用欧拉角为(-1°～+1°、113°～135°、±(40°～49°))的基板。该石英基板被称为面内旋转ST切石英基板，激励出作为表面声波的瑞利波。 
如图29所示，表面声波谐振器1使用了相对于石英Z板8，第1旋转角度 
Figure BDA0000056876790000251
(未图示)为-1°～+1°、第2旋转角度θ为113°～135°的石英基板11a。而且，以使第3旋转角度ψ成为±(40°～49°)的范围内的方式配置IDT 12。该面内旋转ST切石英基板相对于温度变化的频率变动小，频率温度特性良好。 
图30是示出使用面内旋转ST切石英基板时电极指间隔的变化率与Q值之间的关系的曲线图。关于电极指间隔的变化率，如图5中说明的那样，以IDT的第1区域的电极指间隔为基准，以百分率来表示IDT端部中的电极指间隔(变化最大的部分的电极指间隔)的增加量。 
如该曲线图所示，随着电极指间隔的变化率增大，Q值上升，当电极指间隔的变化率大约为1.2％时，Q值最大。这样，通过将电极指间隔的变化率设为1.2％以下，由此，即使在使用面内旋转ST切石英基板的情况下，也能够提高Q值。 
表1和表2主要示出了将石英基板的欧拉角改变成各种各样的值时表面声波谐振器的Q值，表1基于电极指间隔在整个IDT内均相同时的比较例，表2基于第1实施方式。 
IDT 12和反射器13由金属材料铝(Al)形成，规定的膜厚被设定为0.06λ(λ为表面声波的波长)。关于线占有率η，在石英基板的欧拉角为(-1°～+1°、26.0°～40.7°、85°～95°)的情况下，线占有率η＝0.5，在石英基板的欧拉角为(-1°～+1°、113°～135°、±(40°～49°))的情况下，η＝0.4。 
[表1] 
Figure BDA0000056876790000261
[表2] 
Figure BDA0000056876790000262
对表1和表2进行比较可知，在任意条件下，与电极指间隔在整个IDT内均相同的表面声波谐振器相比，基于本发明的表面声波谐振器均能够实现较高的Q值。 
在石英基板的欧拉角为(-1°～+1°、113°～135°、±(40°～49°))的情况下，激励出瑞利波，在石英基板的欧拉角为(-1°～+1°、26.0°～40.7°、85°～95°)的情况下，激励出SH波，可知，能够与表面声波的类型无关地得到本实施方式的效果。 
另外，关于本实施方式的效果，确认到，不仅在石英基板的欧拉角为(-1°～+1°、113°～135°、±(40°～49°))的情况以及(-1°～+1°、26.0°～40.7°、85°～95°)的情况下能产生效果，在其他欧拉角的情况下也能产生效果。 
(第2实施方式) 
接着，对表面声波谐振器的第2实施方式进行说明。 
在本实施方式中，作为使IDT端部的频率比第1区域的频率低的手段，通过设定较大的电极指的线占有率来进行应对。 
图31是示出本实施方式的表面声波谐振器的结构的平面示意图。图32是示出本实施方式的表面声波谐振器中的电极指位置与线占有率之间的关系的说明图。图33是示出本实施方式的表面声波谐振器中的电极指位置与频率之间的关系的说明图。图34是说明线占有率的示意图。 
如图31所示，表面声波谐振器2在作为压电基板的石英基板21上具有由梳齿状电极构成的IDT 22以及一对反射器23，这一对反射器23形成为在表面声波传播的方向上从两侧夹着IDT 22。 
当用欧拉角( 
Figure BDA0000056876790000271
θ、ψ)表示切面和表面声波传播方向时，石英基板21是欧拉角为(-1°～+1°、26.0°～40.7°、85°～95°)的石英基板。 
IDT 22是以电极性不同的方式交替排列电极指22a、22b而形成的。而且，IDT 22中的电极指间隔被设定为相同。另外，在本实施方式中，将这2个电极指22a、22b计为一对电极指。 
如图31、图32所示，IDT 22被划分为3个区域，中央部为第1区域24a，其两侧为第2区域24b和第3区域24c。第1区域24a中的电极指的对数为20对，第2区域24b中的电极指的对数为40对，第3区域24c中的电极指的对数为40对，IDT 22的对数被设定为100对。 
这里，将IDT 22和反射器23中的电极指在表面声波传播的方向所占的比例称为线占有率η。 
如图32所示，第1区域24a内的线占有率为ηa，且是相同的。第2区域24b内 的线占有率按ηb0～ηbM变化。第2区域24b的线占有率以如下方式变化：从与第1区域24a相邻的部分朝向IDT 22的一个端部，线占有率依次增大。并且，第3区域24c内的线占有率按ηc0～ηcN变化。第3区域24c的线占有率以如下方式变化：从与第1区域24a相邻的部分朝向IDT 22的另一个端部，线占有率依次增大。 
另外，像第1区域24a那样、相邻电极指的线占有率相同时的线占有率的计算方法如图40所示。 
在如第2区域24b或第3区域24c那样、相邻电极指中线占有率不同的情况下，两侧相邻的间隙部分的间隔不同，所以，如下进行计算。 
如图34所示，设相邻电极指的线宽分别为L0、L1、L2、与相邻电极指之间(未形成电极指的间隙部分)的尺寸为SL、SR、相邻的电极指间隔为PT。电极指间隔为PT＝SL+1/2(L0+L1)或PT＝SR+1/2(L1+L2)，中央的电极指中的线占有率为η＝L1/(L1+1/2(SL+SR))。 
反射器23排列有多个电极指23a，且形成为电中性。并且，电极指23a的线占有率为ηr，且是相同的。 
在反射器23中，将相邻的2个电极指23a计为一对电极指，在本实施方式中，左右分别配置有15对电极指23a。 
另外，IDT 22和反射器23由金属材料铝(Al)形成，规定的膜厚被设定为0.06λ(λ为表面声波的波长)。而且，线占有率为ηa＝0.44、ηbM＝ηcN＝0.57、ηr＝0.57。 
图33是将图32的线占有率表示为频率的曲线图。 
在IDT 22的第1区域24a中，频率为Fa，且是固定的。第2区域24b内的频率按Fb0～FbM变化。第2区域24b的频率以如下方式变化：从与第1区域24a相邻的部分朝向IDT 22的一个端部，频率依次减小。第3区域24c内的频率按Fc0～FcN变化。第3区域24c的频率以如下方式变化：从与第1区域24a相邻的部分朝向IDT 22的另一个端部，频率依次减小。 
另外，频率为Fa＝311.620MHz、FbM＝FcN＝310.270MHz。 
接着，对本发明的表面声波谐振器所具有的特性进行详细说明。 
图35是示出IDT端部中的电极指的标准化线宽与Q值之间的关系的曲线图。电极指的标准化线宽是以IDT的第1区域的电极指线宽为基准的、与IDT端部中的电极指线宽之比。即，是用IDT端部中的电极指线宽除以IDT的第1区域的电极指线 宽而得到的值。 
如果电极指间隔相同，则该值是与线占有率之比(ηbM/ηa、ηcN/ηa)相同的值。 
随着标准化线宽增大，Q值上升，当标准化线宽大约为1.4时，得到最大的Q值，当标准化线宽进一步增大时，Q值降低。 
根据该曲线图可知，如果标准化线宽(线占有率之比：ηbM/ηa或ηcN/ηa)为1.85以下，则可以通过改变标准化线宽来提高Q值。而且，如果标准化线宽(线占有率之比：ηbM/ηa或ηcN/ηa)超过115且小于1.70，则能够得到超过现有的表面声波谐振器110的Q值12700的Q值。 
图36是示出相邻电极指的线占有率的变化率与Q值之间的关系的曲线图。 
设第2区域的一个部位的线占有率为ηbm、与其相邻的部位的线占有率为ηbm+1时，相邻的部位的线占有率的变化为|ηbm+1-ηbm|/ηbm。并且，设第3区域的一个部位的线占有率为ηcn、与其相邻的部位的线占有率为ηcn+1时，相邻的部位的线占有率的变化为|ηcn+1-ηcn|/ηcn。 
根据该曲线图可知，随着相邻的部位的线占有率的变化增大，Q值上升，当线占有率的变化大约为0.005时，得到最大的Q值，当线占有率的变化进一步增大时，Q值降低。 
可知，如果相邻的部位的线占有率的变化为0.0106以下，则可以通过改变线占有率来提高Q值。并且，在相邻的部位的线占有率的变化为0.0018＜|ηbm+1-ηbm|/ηbm＜0.00885且0.0018＜|ηcn+1-ηcn|/ηcn＜0.00885的范围中，与现有的表面声波谐振器100相比，Q值提高，能够确保超过12700的值。 
以上，在本实施方式的表面声波谐振器2的IDT 22中，在配置于中央部的第1区域24a中频率固定，在配置于该第1区域24a的两侧的第2区域24b和第3区域24c中包含如下部分：在该部分中，随着接近端部，频率依次降低。在第1区域24a中，为了使频率固定，采用了具有相等线占有率的周期结构，在第2区域24b和第3区域24c的端部，为了降低频率，采用了线占有率朝向端部逐渐增大的结构。 
这样，在IDT 22的中央部的第1区域24a中，能够确保较大的振动位移，在IDT22的端部的第2区域24b和第3区域24c中，能够增加表面声波的反射量，所以，在IDT 22内振动能量的封闭状态提高，能够提高Q值。 
另外，在第1、第2实施方式中，使用了铝作为IDT、反射器的电极材料，但是， 铝合金也能发挥相同效果。并且，作为铝以外的电极材料，也可以使用金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)、钨(W)、钽(Ta)以及以这些材料中的任一种为主要成分的合金等。 
而且，在第1、第2实施方式中，设IDT的电极的膜厚为0.06λ(λ为表面声波的波长)，但确认到，除此之外的电极膜厚也能够得到相同效果。 
并且，在第1实施方式中，设电极指的宽度为0.25λ，但是，除此之外的电极指的宽度也能够发挥效果。 
并且，在第1、第2实施方式中，作为IDT的频率加权的具体实施方式，对电极指间隔加权和线占有率加权进行了说明，但除此之外，也可以是电极指的膜厚加权、利用电极指之间的槽深实现的加权等。在电极指的膜厚加权和设置在电极指上的保护膜的膜厚加权中，只要从IDT的中央部朝向端部增加膜厚即可。另外，作为保护膜的材料，可以利用氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、氧化铝等。在利用电极指之间的槽深实现的加权中，只要对石英基板进行蚀刻，从IDT的中央部朝向端部渐深地形成槽即可。 
并且，在第1、第2实施方式中，采用了在IDT的两侧设置有反射器的结构，但是，即使采用没有反射器的结构也能够得到效果。 
(第3实施方式) 
可以在封装内搭载上述表面声波谐振器而构成表面声波振荡器。 
图37是示出在封装内搭载有表面声波谐振器的表面声波振荡器的概略剖面图。 
表面声波振荡器30具有陶瓷封装31、IC芯片32、表面声波谐振器1以及盖体37等。 
陶瓷封装31层叠有陶瓷片而形成了开口的凹部38。并且，在陶瓷封装31中，以包围开口的方式设有由可伐合金等金属材料形成的接缝环35。而且，在陶瓷封装31的外周面上，形成有用于与电路基板等外部连接的外部连接电极36。另外，虽然没有图示，但设有将外部连接电极36与陶瓷封装31的凹部38内连接的配线。 
在陶瓷封装31的凹部38的底面固定有作为电路元件的IC芯片32，该IC芯片32利用金线等金属线进行了安装。IC芯片32具有对表面声波谐振器1进行激励的振荡电路，还可以包含温度补偿电路、电压控制电路等。并且，在陶瓷封装31的凹部38的台部，利用粘接剂34固定着表面声波谐振器1。而且，利用金属线33与连接在IDT上的焊盘连接。 
在陶瓷封装31的凹部38的上方配置有由可伐合金等金属材料形成的盖体37，并对盖体37和接缝环35进行缝焊，由此，将陶瓷封装31的凹部38内气密地密封。 
这样，在陶瓷封装31内搭载了Q值提高且CI值减小的表面声波谐振器1，所以，能够得到表面声波的激励稳定、功耗降低的表面声波振荡器30。 
(第4实施方式) 
并且，可以搭载上述表面声波谐振器而构成表面声波模块装置。 
作为表面声波模块装置的一例，图38是在电路基板上搭载了表面声波谐振器而构成接收机模块的电路框图。 
接收机模块40具有接收天线41、低噪声放大器(LNA)42、混频器43、局部振荡器44、中间频率(IF)放大器45以及检波器46。 
接收天线41经由LNA 42与混频器43的输入连接。并且，局部振荡器44也与混频器43的输入连接。该局部振荡器44具有表面声波谐振器和对表面声波谐振器进行激励的振荡电路。由此，局部振荡器44能够可靠地向混频器43输出频率信号。而且，IF放大器45与检波器46串联连接在混合器43输出端上。 
从对方发送机发送来的信号经由接收天线41输入到LNA 42，在LNA 42中放大后，输入到混频器43。混频器43从局部振荡器44输入频率信号，对从LNA 42输入的信号进行降频后输出。降频后的信号在IF放大器45中放大后，输入到检波器46进行检波。通过采用这种结构，接收机模块40可以接收从发送机发送来的信号。并且，接收机模块40在局部振荡器44中具有上述表面声波谐振器，所以，能够得到能稳定地接收信号且功耗小的接收机模块。 
另外，可在外装等中安装上述接收机模块而构成为电子设备。 
标号说明 
1、2：表面声波谐振器；8：石英Z板；11：石英基板；12：IDT；12a、12b：IDT的电极指；13：反射器；13a：反射器的电极指；14a：第1区域；14b：第2区域；14c：第3区域；21：石英基板；22：IDT；22a、22b：IDT的电极指；23：反射器；23a：反射器的电极指；24a：第1区域；24b：第2区域；24c：第3区域；30：表面声波振荡器；31：陶瓷封装；32：IC芯片；33：金属线；34：粘接剂；35：接缝环；36：外部连接电极；37：盖体；40：接收机模块；41：接收天线；42：低噪声放大器(LNA)；43：混频器；44：局部振荡器；45：中间频率(IF)放大器；46：检波器。 

Claims (15)

1.一种表面声波谐振器，该表面声波谐振器在压电基板上设有叉指式换能器IDT，该IDT具有激励出表面声波的电极指，该表面声波谐振器的特征在于，
所述IDT具有配置于中央部的第1区域、以及配置于该第1区域的两侧的第2区域和第3区域，
在所述第1区域中频率固定，在所述第2区域和所述第3区域中包含如下部分：在该部分中，从与所述第1区域相邻的相邻部朝向所述IDT的端部，频率依次降低，
设所述第1区域中的频率为Fa、所述第2区域中的与所述第1区域侧相反的一侧的端部的频率为FbM、所述第3区域中的与所述第1区域侧相反的一侧的端部的频率为FcN时，各端部的频率变化为：
0.9815<FbM/Fa<0.9953，并且
0.9815<FcN/Fa<0.9953。
2.根据权利要求1所述的表面声波谐振器，其特征在于，
0.9865≦FbM/Fa≦0.9920，并且
0.9865≦FcN/Fa≦0.9920。
3.根据权利要求1或2所述的表面声波谐振器，其特征在于，
在所述频率依次降低的部分中，
设所述第2区域的一个部位的频率为Fbm、与其相邻的部位的频率为Fbm+1、且所述第3区域的一个部位的频率为Fcn、与其相邻的部位的频率为Fcn+1时，相邻部位的频率变化为：
0<|Fbm+1-Fbm|/Fbm<0.000225，并且
0<|Fcn+1-Fcn|/Fcn<0.000225。
4.根据权利要求1所述的表面声波谐振器，其特征在于，
在所述第1区域中，相邻的2个电极指的中心与中心之间的电极指间隔固定，
在所述第2区域中，所述电极指间隔形成为大于所述第1区域的所述电极指间隔，并且从与所述第1区域相邻的相邻部朝向所述IDT的一个端部依次增加，
在所述第3区域中，所述电极指间隔形成为大于所述第1区域的所述电极指间隔，并且从与所述第1区域相邻的相邻部朝向所述IDT的另一个端部依次增加，
设所述第1区域的电极指间隔为Pa、所述第2区域中的端部的电极指间隔为PbM、所述第3区域中的端部的电极指间隔为PcN时，各端部的电极指间隔的变化为：
1.0047<PbM/Pa<1.0188，并且
1.0047<PcN/Pa<1.0188。
5.根据权利要求4所述的表面声波谐振器，其特征在于，
1.0081≦PbM/Pa≦1.0137，并且
1.0081≦PcN/Pa≦1.0137。
6.根据权利要求4或5所述的表面声波谐振器，其特征在于，
设所述第2区域的一个部位的电极指间隔为Pbm、与其相邻的部位的电极指间隔为Pbm+1、且所述第3区域的一个部位的电极指间隔为Pcn、与其相邻的部位的电极指间隔为Pcn+1时，相邻部位的电极指间隔的变化为：
0<|Pbm+1-Pbm|/Pbm<0.000225，并且
0<|Pcn+1-Pcn|/Pcn<0.000225。
7.根据权利要求1、2、4和5中的任一项所述的表面声波谐振器，其特征在于，
设所述IDT的电极指的对数为Ni、所述IDT中的所述第1区域的电极指的对数为Na时，
所述第1区域的电极指的对数Na为2对以上，且处于Na/Ni≦0.312的范围内。
8.根据权利要求7所述的表面声波谐振器，其特征在于，
0.111≦Na/Ni≦0.285。
9.根据权利要求7所述的表面声波谐振器，其特征在于，
在所述IDT的两侧具有反射器，
将设置在所述IDT的一侧的反射器的电极指的对数设为Nr1、将设置在所述IDT的另一侧的反射器的电极指的对数设为Nr2时，
处于Na/（Ni+Nr1+Nr2）≦0.24的范围内。
10.根据权利要求9所述的表面声波谐振器，其特征在于，
0.088≦Na/（Ni+Nr1+Nr2）≦0.219。
11.根据权利要求1所述的表面声波谐振器，其特征在于，
将用所述电极指的宽度除以相邻的所述电极指的中心与中心之间的间隔即电极指间隔而得到的值设为线占有率，
在所述第1区域中，线占有率固定，
在所述第2区域中，所述线占有率形成为大于所述第1区域的所述线占有率，并且从与所述第1区域相邻的相邻部朝向所述IDT的一个端部依次增加，
在所述第3区域中，所述线占有率形成为大于所述第1区域的所述线占有率，并且从与所述第1区域相邻的相邻部朝向所述IDT的另一个端部依次增加，
设所述第1区域的线占有率为ηa、所述第2区域中的与所述第1区域侧相反的一侧的端部的线占有率为ηbM、所述第3区域中的与所述第1区域侧相反的一侧的端部的线占有率为ηcN时，各端部的线占有率的变化为：
1.15<ηbM/ηa<1.70，并且
1.15<ηcN/ηa<1.70。
12.根据权利要求11所述的表面声波谐振器，其特征在于，
设所述第2区域的一个部位的线占有率为ηbm、与其相邻的部位的线占有率为ηbm+1、且所述第3区域的一个部位的线占有率为ηcn、与其相邻的部位的线占有率为ηcn+1时，相邻的部位的线占有率的变化为：
0.0018<|ηbm+1-ηbm|/ηbm<0.00885，并且
0.0018<|ηcn+1-ηcn|/ηcn<0.00885。
13.根据权利要求1、2、4、5、11和12中的任一项所述的表面声波谐振器，其特征在于，
所述压电基板是石英基板。
14.一种表面声波振荡器，其特征在于，该表面声波振荡器在封装中搭载有电路元件以及权利要求1、2、4、5、11和12中的任一项所述的表面声波谐振器。
15.一种表面声波模块装置，其特征在于，该表面声波模块装置在电路基板上搭载有权利要求1、2、4、5、11和12中的任一项所述的表面声波谐振器。
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