CN116195185A - 弹性波装置 - Google Patents

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Abstract

提供一种弹性波装置，能够改善通带外的衰减区域中的响应水平。本发明的弹性波装置(1)具备压电性基板(2)、设置在压电性基板(2)上的第一IDT电极(3A)、以及第一反射器(4A)及第二反射器。第一IDT电极(3A)、第一反射器(4A)及第二反射器分别具有多个电极指。第一IDT电极(3A)、第一反射器(4A)及第二反射器中的至少任意一个具有占空比不均匀部，该占空比不均匀部是在弹性波传播方向上连续的三根电极指的占空比全部不同的部分。

Description

弹性波装置
技术领域
本发明涉及弹性波装置。
背景技术
以往，弹性波装置被广泛用于便携电话机的滤波器等。在下述的专利文献1中，公开了一种作为弹性波装置的纵耦合谐振器型弹性波滤波器的一例。在该弹性波装置中，在压电基板上设置有多个梳型电极部。各梳型电极部分别具有一对梳齿状电极。在各梳型电极部中，一个梳齿状电极的占空比与另一个梳齿状电极的占空比不同。由此，实现了插入损耗的改善。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2004-112591号公报
发明内容
发明要解决的问题
但是，在使用了专利文献1所记载的弹性波装置的情况下，由于产生不需要的谐振而使滤波器特性有时发生劣化。尤其是在利用纵模形成衰减区域的纵耦合谐振器型弹性波滤波器中，纵模的强度变高，衰减区域的响应水平有可能发生劣化。
本发明的目的在于，提供一种能够改善通带外的衰减区域中的响应水平的弹性波装置。
用于解决问题的手段
在本发明的弹性波装置的某个宽泛方面中，具备：压电性基板；IDT电极，其设置在所述压电性基板上；以及第一反射器及第二反射器，其设置在所述压电性基板上的所述IDT电极的弹性波传播方向两侧，所述IDT电极、所述第一反射器及所述第二反射器分别具有多个电极指，所述IDT电极、所述第一反射器及所述第二反射器中的至少任意一个具有占空比不均匀部，该占空比不均匀部是在弹性波传播方向上连续的三根所述电极指的占空比全部不同的部分。
在本发明的弹性波装置的另一个宽泛方面中，具备：压电性基板；IDT电极，其设置在所述压电性基板上；以及第一反射器及第二反射器，其设置在所述压电性基板上的所述IDT电极的弹性波传播方向两侧，所述IDT电极、所述第一反射器及所述第二反射器分别具有多个电极指，在将任意的所述电极指的宽度除以所述IDT电极、所述第一反射器及所述第二反射器的全部所述电极指的宽度的平均值而得到的值设为所述任意的电极指的平均宽度比时，所述IDT电极、所述第一反射器及所述第二反射器中的至少任意一个具有平均宽度比不均匀部，该平均宽度比不均匀部是在弹性波传播方向上连续的三根所述电极指的所述平均宽度比全部不同的部分。
发明效果
根据本发明的弹性波装置，能够改善通带外的衰减区域中的响应水平。
附图说明
图1是包括本发明的第一实施方式的弹性波装置的滤波器装置的电路图。
图2是示出本发明的第一实施方式的弹性波装置的第一反射器及第一IDT电极附近的示意性俯视图。
图3是示出本发明的第一实施方式的第一IDT电极中的在弹性波传播方向上连续的三根电极指附近的示意性正面剖视图。
图4是示出本发明的第一实施方式中的多个IDT电极、第一反射器及第二反射器的各电极指的占空比的图。
图5是示出具有本发明的第一实施方式的弹性波装置的滤波器装置及第一比较例的衰减量频率特性的图。
图6是示出具有本发明的第一实施方式的弹性波装置的滤波器装置的占空比的标准偏差与通带外的响应水平之间的关系的图。
图7是示出本发明的第一实施方式的第一变形例的弹性波装置的第一反射器及第一IDT电极附近的示意性俯视图。
图8是示出本发明的第一实施方式的第二变形例的弹性波装置的第一反射器及第一IDT电极附近的示意性俯视图。
图9是示出本发明的第一实施方式的第三变形例的第一IDT电极中的在弹性波传播方向上连续的三根电极指附近的示意性正面剖视图。
图10是本发明的第二实施方式的弹性波装置的示意性俯视图。
图11是示出本发明的第二实施方式中的IDT电极、第一反射器及第二反射器的各电极指的平均宽度比的图。
图12是示出具有本发明的第二实施方式的弹性波装置的滤波器装置及第二比较例的衰减量频率特性的图。
图13是示出具有本发明的第二实施方式的弹性波装置的滤波器装置的电极指的平均宽度比的标准偏差与纵模纹波的响应水平之间的关系的图。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的具体的实施方式进行说明，由此使本发明变得清楚。
需要说明的是，本说明书所记载的各实施方式是例示性的内容，预先指出在不同的实施方式之间能够进行结构的部分置换或组合。
图1是包括本发明的第一实施方式的弹性波装置的滤波器装置的电路图。需要说明的是，在图1中，以简图的形式示出弹性波装置1。
本实施方式的弹性波装置1是纵耦合谐振器型弹性波滤波器。滤波器装置10具有上述弹性波装置1。需要说明的是，滤波器装置10是本发明的一实施方式的滤波器装置。滤波器装置10是接收滤波器。不过，滤波器装置10也可以是发送滤波器。滤波器装置10的电路结构没有特别限定。滤波器装置10包括本发明的弹性波装置1即可。
图2是示出本发明的第一实施方式的弹性波装置的第一反射器及第一IDT电极附近的示意性俯视图。需要说明的是，在图2中，省略了与弹性波装置1连接的布线。在图2以外的俯视图中也同样。
弹性波装置1是7IDT型的纵耦合谐振器型弹性波滤波器。弹性波装置1具有压电性基板2。在压电性基板2上设置有多个IDT电极。通过向各IDT电极施加交流电压而激励弹性波。在本实施方式中，在弹性波装置1中激励声表面波。多个IDT电极沿着弹性波传播方向排列。在压电性基板上的多个IDT电极的弹性波传播方向两侧设置有一对反射器。更具体而言，一对反射器是图1所示的第一反射器4A及第二反射器4B。从第一反射器4A侧起依次配置有作为多个IDT电极的第一IDT电极3A、第二IDT电极3B、第三IDT电极3C、第四IDT电极3D、第五IDT电极3E、第六IDT电极3F及第七IDT电极3G。需要说明的是，弹性波装置1的IDT电极的个数不限定于7个。弹性波装置1例如也可以是3IDT型或5IDT型等。
如图2所示，第一IDT电极3A具有一对汇流条和多个电极指。一对汇流条具有第一汇流条12及第二汇流条13。第一汇流条12及第二汇流条13相对置。第一IDT电极3A的多个电极指是多个第一电极指14及多个第二电极指15。多个第一电极指14的一端分别与第一汇流条12连接。多个第二电极指15的一端分别与第二汇流条13连接。多个第一电极指14及多个第二电极指15相互交替插入。其他的各IDT电极也与第一IDT电极3A同样地具有一对汇流条和多个电极指。
第一反射器4A具有多个电极指16。同样地，第二反射器4B也具有多个电极指。在本实施方式中，各IDT电极、第一反射器4A及第二反射器4B的电极指间距全部相同。电极指间距是指相邻的电极指彼此的中心间距离。不过，各IDT电极、第一反射器4A及第二反射器4B的电极指间距也可以未必完全相同。
在本说明书中，按照每个电极指来规定占空比。即，在各IDT电极、第一反射器4A及第二反射器4B中，任意的电极指的宽度除以电极指间距而得到的值分别为该任意的电极指的占空比。更具体而言，在将占空比设为d、将电极指的宽度设为w、将电极指间距设为p时，d＝w/p。需要说明的是，电极指的宽度是电极指的沿着弹性波传播方向的尺寸。
此外，将在弹性波传播方向上连续的三根电极指的占空比全部不同的部分设为占空比不均匀部。在本说明书中，将计算占空比时的电极指间距设为任意的电极指与该任意的电极指的两旁的电极指之间的中心间距离的平均值。在图3中示出上述电极指间距的详细情况及占空比不均匀部的例子。
图3是示出第一实施方式的第一IDT电极中的在弹性波传播方向上连续的三根电极指附近的示意性正面剖视图。电极指18A是第一IDT电极3A的弹性波传播方向上的一端的电极指。电极指18A、电极指18B及电极指18C是在弹性波传播方向上连续的三根电极指。
计算图3所示的电极指18B的占空比时的电极指间距是电极指18B与电极指18A的中心间距离L1以及电极指18B与电极指18C的中心间距离L2的平均值。更具体而言，计算电极指18B的占空比时的电极指间距，等于从电极指18B的中央与电极指18A的中央之间的中央到电极指18B的中央与电极指18C的中央之间的中央为止的距离A。
另一方面，计算弹性波传播方向上的一端或另一端的电极指的占空比时的电极指间距，是该电极指与该电极指的相邻的电极指的中心间距离。例如，图3所示的计算电极指18A的占空比时的电极指间距是电极指18A与电极指18B的中心间距离L1。在第一反射器4A及第二反射器4B中也同样。
在图3所示的部分，电极指间距是固定的，但电极指18A、电极指18B及电极指18C的宽度全部不同。因此，该部分是占空比不均匀部。
本实施方式的特征在于，多个IDT电极、第一反射器4A及第二反射器4B中的至少任意一个具有占空比不均匀部。由此，能够改善通带外的衰减区域中的响应水平。以下，与本实施方式的详细情况一起说明该效果的详细情况。
图4是示出第一实施方式中的多个IDT电极、第一反射器及第二反射器的各电极指的占空比的图。越是从第一反射器4A侧朝向第二反射器4B侧，则图4的横轴上的电极指的编号越大。
在本实施方式中，多个IDT电极、第一反射器4A及第二反射器4B中的占空比是随机的。多个IDT电极、第一反射器4A及第二反射器4B的全部部分是占空比不均匀部。弹性波装置1的占空比的最小值是0.39。占空比的最大值是0.62。占空比的平均值是0.5。需要说明的是，在弹性波装置1中，全部电极指的占空比中的95％的占空比为0.45以上且0.55以下。在弹性波装置1中，多个IDT电极、第一反射器4A及第二反射器4B的全部占空比的分布中的标准偏差为0.024。
需要说明的是，本实施方式的滤波器装置10的电路结构如图1所示。更具体而言，滤波器装置10具有第一信号端5及第二信号端6。第一信号端5是天线端。第一信号端5与天线连接。第一信号端5及第二信号端6可以构成为电极焊盘，或者也可以构成为布线。此外，滤波器装置10具有弹性波谐振器S1、弹性波谐振器S2、弹性波谐振器P1及弹性波谐振器P2。弹性波谐振器S1及弹性波谐振器S2是串联阱。弹性波谐振器S1连接在第一信号端5与弹性波装置1之间。弹性波谐振器S2连接在弹性波装置1与第二信号端6之间。弹性波谐振器P1及弹性波谐振器P2是并联阱。弹性波谐振器P1连接在弹性波谐振器S1及弹性波装置1之间的连接点与接地电位之间。弹性波谐振器P2连接在第二信号端6与接地电位之间。
如上所述，在本实施方式中，能够改善通带外的衰减区域中的响应水平。通过对滤波器装置10与第一比较例进行比较而示出该效果。需要说明的是，第一比较例的滤波器装置与本实施方式的不同之处在于，纵耦合谐振器型弹性波滤波器的多个IDT电极、第一反射器及第二反射器中的占空比分别是固定的。
图5是示出具有第一实施方式的弹性波装置的滤波器装置及第一比较例的衰减量频率特性的图。
如图5中的箭头B1、箭头B2及箭头B3所示，在第一比较例中，在通带外，由无用波引起的响应水平高。与此相对，可知在第一实施方式中，由无用波引起的响应水平变低。尤其是如箭头B1所示，在第一实施方式中，能够改善通带外的衰减区域中的响应水平。
在第一比较例中，占空比是固定的，因此，在相邻的电极指中，所反射的信号的相位一致。因此，有时产生不必要的谐振。与此相对，在第一实施方式中，配置有占空比不均匀部。在占空比不均匀部中，在相邻的电极指中反射的信号的相位难以一致。由此，与箭头B1所示的纵模等无用波的谐振相关的Q值变低。因此，能够抑制产生不必要的谐振，能够改善由无用波引起的响应水平。
这里，在滤波器装置10中，使弹性波装置1的多个IDT电极、第一反射器4A及第二反射器4B的全部占空比的分布中的标准偏差不同，测定了通带外的响应水平。需要说明的是，测定响应水平的频率为图5中的箭头B1所示的频率。
图6是示出具有第一实施方式的弹性波装置的滤波器装置的占空比的标准偏差与通带外的响应水平之间的关系的图。
如图6所示，可知在占空比的标准偏差为0.015以上的情况下，与标准偏差小于0.015的情况相比，由作为无用波的纵模引起的响应水平变低。因此，弹性波装置1的多个IDT电极、第一反射器4A及第二反射器4B的全部占空比的分布中的标准偏差优选为0.015以上。由此，能够更进一步改善通带外的衰减区域中的响应水平。
需要说明的是，弹性波装置1的多个IDT电极、第一反射器4A及第二反射器4B的全部占空比的分布中的标准偏差优选为0.55以下。由此，插入损耗等滤波器特性难以发生劣化。
在弹性波装置1的多个IDT电极、第一反射器4A及第二反射器4B的全部占空比的分布中，在将占空比的平均值设为dave时，95％以上优选为dave±0.05以内的范围内的占空比。在该情况下，插入损耗等滤波器特性难以发生劣化。
如上所述，在本实施方式中，在多个IDT电极、第一反射器4A及第二反射器4B中，占空比是随机的。不过，多个IDT电极、第一反射器4A及第二反射器4B中的至少任意一个具有占空比不均匀部即可。在该情况下，也能够改善通带外的衰减区域中的响应水平。
然而，在本实施方式中，各IDT电极、第一反射器4A及第二反射器4B的电极指间距全部相同。另一方面，各IDT电极、第一反射器4A及第二反射器4B的电极指的宽度是随机的。由此，占空比成为随机。这里，将任意的电极指的宽度除以多个IDT电极、第一反射器4A及第二反射器4B的全部电极指的宽度的平均值而得到的值设为该任意的电极指的平均宽度比。更具体而言，在将平均宽度比设为wc、将电极指的宽度设为w、将电极指的宽度的平均值设为wave时，wc＝W/Wave。将在弹性波传播方向上连续的三根电极指的平均宽度比全部不同的部分设为平均宽度比不均匀部。在弹性波装置1中，多个IDT电极、第一反射器4A及第二反射器4B的全部部分是平均宽度比不均匀部。不过，多个IDT电极、第一反射器4A及第二反射器4B中的至少任意一个具有平均宽度比不均匀部即可。在该情况下，也能够改善通带外的衰减区域中的响应水平。需要说明的是，各IDT电极、第一反射器4A及第二反射器4B的电极指间距也可以未必全部相同。
与上述的占空比的分布同样地，弹性波装置1的多个IDT电极、第一反射器4A及第二反射器4B的全部电极指的平均宽度比的分布中的标准偏差优选为0.015以上。由此，能够更进一步改善通带外的衰减区域中的响应水平。弹性波装置1的多个IDT电极、第一反射器4A及第二反射器4B的全部电极指的平均宽度比的分布中的标准偏差优选为0.55以下。由此，插入损耗等滤波器特性难以发生劣化。
在弹性波装置1的多个IDT电极、第一反射器4A及第二反射器4B的全部电极指的平均宽度比的分布中，95％以上优选为1±0.05以内的范围内的平均宽度比。在该情况下，插入损耗等滤波器特性难以发生劣化。
图7是示出第一实施方式的第一变形例的弹性波装置的第一反射器及第一IDT电极附近的示意性俯视图。
在本变形例中，第一IDT电极23X具有占空比固定的部分和占空比不均匀部C。更具体而言，在第一IDT电极23X中，在占空比不均匀部C以外的全部部分，占空比是固定的。需要说明的是，第一IDT电极23X也可以具有多个占空比不均匀部C。在该情况下，占空比固定的部分与占空比不均匀部C交替地排列。占空比不均匀部C中的电极指的根数为三根以上即可。另一方面，在本变形例中，第一IDT电极23X以外的多个IDT电极以及第一反射器24A及第二反射器的占空比是固定的。
在本变形例中，占空比不均匀部C也是平均宽度比不均匀部。第一IDT电极23X具有电极指的宽度固定的部分和平均宽度比不均匀部。需要说明的是，第一IDT电极23X也可以具有多个平均宽度比不均匀部。在该情况下，电极指的宽度固定的部分与平均宽度比不均匀部交替地排列。平均宽度比不均匀部中的电极指的根数为三根以上即可。另一方面，在本变形例中，第一IDT电极23X以外的多个IDT电极以及第一反射器24A及第二反射器的电极指的宽度是固定的。在本变形例中，也能够改善通带外的衰减区域中的响应水平。
图8是示出第一实施方式的第二变形例的弹性波装置的第一反射器及第一IDT电极附近的示意性俯视图。
在本变形例中，第一IDT电极23Y具有第一区域D、第二区域E及第三区域F。第一区域D是位于弹性波传播方向上的一端的区域。第二区域E是位于弹性波传播方向上的另一端的区域。第三区域F是与第一区域D相邻且与第二区域E相邻的区域。第一区域D及第二区域E分别包括多个电极指。第一区域D及第二区域E中的电极指间距比其他区域中的电极指间距窄。
在本变形例中，占空比不均匀部C及平均宽度比不均匀部包括第一IDT电极23Y的中央的电极指。占空比不均匀部C及平均宽度比不均匀部不位于第一区域D与第三区域F的边界。同样地，占空比不均匀部C及平均宽度比不均匀部也不位于第二区域E与第三区域F的边界。不过，在本变形例中，占空比不均匀部C及平均宽度比不均匀部不位于上述各边界即可。占空比不均匀部C及平均宽度比不均匀部也可以不包括第一IDT电极23Y的中央的电极指。在本变形例中，也能够改善通带外的衰减区域中的响应水平。
如图3所示，在本实施方式中，压电性基板2是仅包括压电体层的压电基板。作为压电体层的材料，例如能够使用钽酸锂、铌酸锂、氧化锌、氮化铝、石英或者PZT(锆钛酸铅)等。不过，压电性基板2也可以是包括压电体层的层叠基板。
图9是示出第一实施方式的第三变形例的第一IDT电极中的在弹性波传播方向上连续的三根电极指附近的示意性正面剖视图。
在本变形例中，压电性基板22具有支承基板25、作为高声速材料层的高声速膜26、低声速膜27、以及压电体层28。更具体而言，在支承基板25上设置有高声速膜26。在高声速膜26上设置有低声速膜27。在低声速膜27上设置有压电体层28。
低声速膜27是声速相对低的膜。更具体而言，在低声速膜27传播的体波的声速比在压电体层28传播的体波的声速低。作为低声速膜27的材料，例如能够使用以玻璃、氧化硅、氮氧化硅、氧化锂、五氧化钽、或者向氧化硅添加了氟、碳、硼而得到的化合物为主成分的材料。
高声速材料层是声速相对高的层。更具体而言，在高声速材料层传播的体波的声速比在压电体层28传播的弹性波的声速高。作为高声速材料层的材料，例如能够使用硅、氧化铝、碳化硅、氮化硅、氮氧化硅、蓝宝石、钽酸锂、铌酸锂、石英、矾土、氧化锆、堇青石、莫来石、块滑石、镁橄榄石、氧化镁、DLC(类金刚石碳)膜或者金刚石等、以上述材料为主成分的介质。
作为支承基板25的材料，例如能够使用氧化铝、钽酸锂、铌酸锂、石英等压电体、矾土、蓝宝石、氧化镁、氮化硅、氮化铝、碳化硅、氧化锆、堇青石、莫来石、块滑石、镁橄榄石等各种陶瓷、金刚石、玻璃等电介质、硅、氮化镓等半导体或树脂等。
在本变形例的压电性基板22中，层叠有高声速材料层、低声速膜27以及压电体层28。由此，能够将弹性波的能量有效地封闭在压电体层28侧。此外，与第一实施方式同样地，能够改善通带外的衰减区域中的响应水平。
需要说明的是，高声速材料层也可以是高声速支承基板。在该情况下，压电性基板也可以是高声速支承基板、低声速膜27以及压电体层28的层叠基板。这里，在第三变形例中，压电体层28隔着低声速膜27间接地设置在高声速材料层上。不过，压电体层28也可以直接地设置在高声速材料层上。压电性基板也可以是不具有低声速膜27的层叠基板。在该情况下，压电性基板也可以是高声速支承基板与压电体层28的层叠基板。或者，压电性基板也可以是支承基板25、高声速膜26以及压电体层28的层叠基板。在这些情况下，也能够将弹性波的能量有效地封闭在压电体层28侧。此外，能够改善通带外的衰减区域中的响应水平。
需要说明的是，也可以构成压电体层28与声反射膜的层叠体。声反射膜包括至少一层低声阻抗层及至少一层高声阻抗层。低声阻抗层是声阻抗相对低的层。高声阻抗层是声阻抗相对高的层。低声阻抗层及高声阻抗层被交替地层叠。在该情况下，也能够将弹性波的能量有效地封闭在压电体层28侧。此外，与第一实施方式同样地，能够改善通带外的衰减区域中的响应水平。
在第一实施方式及其变形例中，示出了本发明的弹性波装置是纵耦合谐振器型弹性波滤波器的例子。需要说明的是，本发明的弹性波装置也可以是弹性波谐振器。在以下的第二实施方式中示出该例。
图10是第二实施方式的弹性波装置的示意性俯视图。
弹性波装置31是弹性波谐振器。弹性波装置31具有一个IDT电极33、以及第一反射器4A及第二反射器4B。在IDT电极33、第一反射器4A及第二反射器4B中，占空比是随机的。在本实施方式中，IDT电极33、第一反射器4A及第二反射器4B的全部部分是占空比不均匀部。需要说明的是，在IDT电极33、第一反射器4A及第二反射器4B中，电极指的宽度是随机的。IDT电极33、第一反射器4A及第二反射器4B的全部部分是平均宽度比不均匀部。不过，IDT电极33、第一反射器4A及第二反射器4B中的至少任意一个具有占空比不均匀部或平均宽度比不均匀部即可。
在本实施方式中，IDT电极33、第一反射器4A及第二反射器4B的电极指间距全部相同。需要说明的是，各IDT电极33、第一反射器4A及第二反射器4B的电极指间距也可以未必全部相同。
图11是示出第二实施方式中的IDT电极、第一反射器及第二反射器的各电极指的平均宽度比的图。越是从第一反射器4A侧朝向第二反射器4B侧，则图11的横轴上的电极指的编号越大。编号1～11表示第一反射器4A的各电极指。编号12～92表示IDT电极33的各电极指。编号93～103表示第二反射器4B的各电极指。
如图11所示，本实施方式中的平均宽度比为0.95以上且1.05以下。弹性波装置31的IDT电极33、第一反射器4A及第二反射器4B的全部电极指的平均宽度比的分布中的标准偏差为0.024。此外，弹性波装置31的设计参数如以下所述。这里，将在从弹性波传播方向观察时IDT电极的相邻的电极指彼此重合的区域设为交叉区域。将交叉区域的沿着多个电极指延伸的方向的尺寸设为交叉宽度。将IDT电极的位于弹性波传播方向上的端部的电极指与反射器的位于最靠IDT电极侧的电极指之间的中心间距离设为I-R间隙。
IDT电极33的电极指的对数：40.5对
IDT电极33的交叉宽度：50μm
第一反射器4A及第二反射器4B的电极指的根数：11根
IDT电极33、第一反射器4A及第二反射器4B的电极指间距：4μm
I-R间隙：4μm
在本实施方式中，也与第一实施方式同样地能够改善通带外的衰减区域中的响应水平。这通过对包括本实施方式的弹性波装置31的滤波器装置和第二比较例进行比较而示出。需要说明的是，第二比较例的滤波器装置与本实施方式的不同之处在于，弹性波谐振器的IDT电极、第一反射器及第二反射器中的占空比及电极指的宽度分别是固定的。
图12是示出具有第二实施方式的弹性波装置的滤波器装置及第二比较例的衰减量频率特性的图。图12中的箭头G表示纵模纹波。
如图12所示，可知在第二实施方式中，与第二比较例相比抑制了纵模纹波。因此，在第二实施方式中，能够抑制由纵模纹波引起的响应。因此，在将第二实施方式的弹性波装置31用于滤波器装置或者多工器等的情况下，能够改善通带外的衰减区域中的响应水平。
这里，使弹性波装置31的IDT电极33、第一反射器4A及第二反射器4B的全部电极指的平均宽度比的分布中的标准偏差不同，测定了通带外的响应水平。需要说明的是，测定响应水平的频率为图12中的箭头G所示的频率。
图13是示出具有第二实施方式的弹性波装置的滤波器装置的电极指的平均宽度比的标准偏差与纵模纹波的响应水平之间的关系的图。在图13中，示出越是位于纵轴上的上方则越抑制了纵模。
如图13所示，可知在电极指的平均宽度比的标准偏差为0.015以上的情况下，与标准偏差小于0.015的情况相比，抑制了纵模纹波。因此，在该情况下，能够更进一步改善通带外的衰减区域中的响应水平。
附图标记说明
1…弹性波装置；
2…压电性基板；
3A～3G…第一IDT电极～第七IDT电极；
4A、4B…第一反射器、第二反射器；
5、6…第一信号端、第二信号端；
10…滤波器装置；
12、13…第一汇流条、第二汇流条；
14、15…第一电极指、第二电极指；
16、18A～18C…电极指；
22…压电性基板；
23X、23Y…第一IDT电极；
24A…第一反射器；
25…支承基板；
26…高声速膜；
27…低声速膜；
28…压电体层；
31…弹性波装置；
33…IDT电极；
C…占空比不均匀部；
D～F…第一区域～第三区域；
P1、P2、S1、S2…弹性波谐振器。

Claims (11)

1.一种弹性波装置，具备：
压电性基板；
IDT电极，其设置在所述压电性基板上；以及
第一反射器及第二反射器，其设置在所述压电性基板上的所述IDT电极的弹性波传播方向两侧，
所述IDT电极、所述第一反射器及所述第二反射器分别具有多个电极指，
所述IDT电极、所述第一反射器及所述第二反射器中的至少任意一个具有占空比不均匀部，该占空比不均匀部是在弹性波传播方向上连续的三根所述电极指的占空比全部不同的部分。
2.根据权利要求1所述的弹性波装置，其中，
在所述占空比不均匀部中，电极指间距全部相同。
3.根据权利要求1或2所述的弹性波装置，其中，
所述IDT电极、所述第一反射器及所述第二反射器的全部占空比的分布中的标准偏差为0.015以上。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的弹性波装置，其中，
所述IDT电极具有：
第一区域及第二区域，其分别包括所述IDT电极的弹性波传播方向上的一端及另一端的所述电极指；以及
第三区域，其与所述第一区域相邻，并且与所述第二区域相邻，
所述占空比不均匀部位于所述第一区域与所述第三区域的边界以及所述第二区域与所述第三区域的边界以外的部分。
5.一种弹性波装置，具备：
压电性基板；
IDT电极，其设置在所述压电性基板上；以及
第一反射器及第二反射器，其设置在所述压电性基板上的所述IDT电极的弹性波传播方向两侧，
所述IDT电极、所述第一反射器及所述第二反射器分别具有多个电极指，
在将任意的所述电极指的宽度除以所述IDT电极、所述第一反射器及所述第二反射器的全部所述电极指的宽度的平均值而得到的值设为所述任意的电极指的平均宽度比时，所述IDT电极、所述第一反射器及所述第二反射器中的至少任意一个具有平均宽度比不均匀部，该平均宽度比不均匀部是在弹性波传播方向上连续的三根所述电极指的所述平均宽度比全部不同的部分。
6.根据权利要求5所述的弹性波装置，其中，
在所述平均宽度比不均匀部中，电极指间距全部相同。
7.根据权利要求5或6所述的弹性波装置，其中，
所述IDT电极、所述第一反射器及所述第二反射器的全部所述电极指的宽度的分布中的标准偏差为0.015以上。
8.根据权利要求5至7中任一项所述的弹性波装置，其中，
所述IDT电极具有第一区域及第二区域，该第一区域及第二区域分别包括所述IDT电极的弹性波传播方向上的一端及另一端的所述电极指，
所述平均宽度比不均匀部位于所述第一区域与和所述第一区域相邻的区域的边界以及所述第二区域与和所述第二区域相邻的区域的边界以外的部分。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的弹性波装置，其中，
所述IDT电极、所述第一反射器及所述第二反射器分别包括占空比固定的部分。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的弹性波装置，其中，
所述弹性波装置是具备一个所述IDT电极的弹性波谐振器。
11.根据权利要求1至9中任一项所述的弹性波装置，其中，
所述弹性波装置具备多个所述IDT电极，
所述弹性波装置是所述多个IDT电极沿着弹性波传播方向排列的纵耦合谐振器型弹性波滤波器。
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