JP2001085968A - 弾性表面波素子およびその製造方法 - Google Patents
弾性表面波素子およびその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】弾性表面波素子の耐ストレスマイグレーション
特性と挿入損失を改善する。 【解決手段】圧電基板上に形成された第１の電極膜と第
１の電極膜の上に形成された第２の電極膜を有する２層
構造のＩＤＴ電極において、第２の電極膜の線幅よりも
第１の電極膜の線幅を小さくすることにより、電極エッ
ジに加わる応力を緩和する。
特性と挿入損失を改善する。 【解決手段】圧電基板上に形成された第１の電極膜と第
１の電極膜の上に形成された第２の電極膜を有する２層
構造のＩＤＴ電極において、第２の電極膜の線幅よりも
第１の電極膜の線幅を小さくすることにより、電極エッ
ジに加わる応力を緩和する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、水晶やＬｉＴａＯ
3(タンタル酸リチウム)、ＬｉＮｂＯ3（ニオブ酸リチウ
ム）、Ｌｉ2Ｂ4Ｏ7(四ホウ酸リチウム)のような圧電単
結晶基板や、サファイヤ基板等の表面にＺｎＯ等の圧電
膜を形成した圧電基板の表面に電極を設けて構成した弾
性表面波素子に関するものである。
3(タンタル酸リチウム)、ＬｉＮｂＯ3（ニオブ酸リチウ
ム）、Ｌｉ2Ｂ4Ｏ7(四ホウ酸リチウム)のような圧電単
結晶基板や、サファイヤ基板等の表面にＺｎＯ等の圧電
膜を形成した圧電基板の表面に電極を設けて構成した弾
性表面波素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、弾性表面波(以下、「ＳＡＷ」と
称する場合がある。)を用いたフィルタや共振器、発振
素子等の弾性表面波素子が広く用いられるようになって
いる。これらの弾性表面波素子は、一般に、圧電性を有
する基板の表面上に櫛形形状のインターデジタルトラン
スデューサ(以下、「ＩＤＴ」と称する場合がある。)電
極が形成されている。この電極金属としては、Ａｌが用
いられているが、その理由は、フォトリソグラフィが容
易であることと、比重が小さくて電極負荷質量効果が少
なく、導電率が高いなどの特徴のためである。
称する場合がある。)を用いたフィルタや共振器、発振
素子等の弾性表面波素子が広く用いられるようになって
いる。これらの弾性表面波素子は、一般に、圧電性を有
する基板の表面上に櫛形形状のインターデジタルトラン
スデューサ(以下、「ＩＤＴ」と称する場合がある。)電
極が形成されている。この電極金属としては、Ａｌが用
いられているが、その理由は、フォトリソグラフィが容
易であることと、比重が小さくて電極負荷質量効果が少
なく、導電率が高いなどの特徴のためである。
【０００３】さらに、移動体通信機器の高周波化と軽薄
短小化に伴い、弾性表面波素子の動作周波数は数百ＭＨ
ｚ帯から数ＧＨｚ帯へ高周波化するとともに、弾性表面
波を用いたアンテナデュプレクサ等の高出力デバイスの
小型化が進んできた。高周波化するためにはＩＤＴ電極
のパターン幅の微細化が必要となり、中心周波数２ＧＨ
ｚ帯フィルタではＩＤＴ電極のパターン幅を約0.5μｍ
に形成する必要がある。
短小化に伴い、弾性表面波素子の動作周波数は数百ＭＨ
ｚ帯から数ＧＨｚ帯へ高周波化するとともに、弾性表面
波を用いたアンテナデュプレクサ等の高出力デバイスの
小型化が進んできた。高周波化するためにはＩＤＴ電極
のパターン幅の微細化が必要となり、中心周波数２ＧＨ
ｚ帯フィルタではＩＤＴ電極のパターン幅を約0.5μｍ
に形成する必要がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このような微細な線幅
でかつ電極膜厚が薄いＩＤＴ電極（Ａｌ電極）を有する
ＳＡＷフィルタやＳＡＷ共振器等に高電圧レベルの信号
を印加すると、弾性表面波によってＡｌ電極に強い応力
が加わる。この応力は、圧電基板とＡｌ電極との間の電
極界面部で大きくなり、特にＡｌ電極のエッジ部分に接
する電極界面部分で最も大きくなる。この応力が電極膜
の限界応力を超えると、Ａｌ電極のエッジ部分からスト
レスマイグレーションが発生する。このストレスマイグ
レーションに起因して、電極材料であるＡｌ原子が結晶
粒界を移動し、ヒロックやボイドの発生を伴って電極を
破壊し、電極短絡、フィルタの挿入損失の増加、共振器
のＱの低下などが発生する。
でかつ電極膜厚が薄いＩＤＴ電極（Ａｌ電極）を有する
ＳＡＷフィルタやＳＡＷ共振器等に高電圧レベルの信号
を印加すると、弾性表面波によってＡｌ電極に強い応力
が加わる。この応力は、圧電基板とＡｌ電極との間の電
極界面部で大きくなり、特にＡｌ電極のエッジ部分に接
する電極界面部分で最も大きくなる。この応力が電極膜
の限界応力を超えると、Ａｌ電極のエッジ部分からスト
レスマイグレーションが発生する。このストレスマイグ
レーションに起因して、電極材料であるＡｌ原子が結晶
粒界を移動し、ヒロックやボイドの発生を伴って電極を
破壊し、電極短絡、フィルタの挿入損失の増加、共振器
のＱの低下などが発生する。
【０００５】このような問題を解決するために、例えば
特開平１０−９３３６８号に開示される方法が提案され
ている。この弾性表面波素子においては、図５に示すよ
うに圧電基板２３とＡｌ電極２１との間にＴｉまたはＣ
ｒからなる中間層２２を形成することにより、耐ストレ
スマイグレーション特性を向上させる工夫がなされてい
る。
特開平１０−９３３６８号に開示される方法が提案され
ている。この弾性表面波素子においては、図５に示すよ
うに圧電基板２３とＡｌ電極２１との間にＴｉまたはＣ
ｒからなる中間層２２を形成することにより、耐ストレ
スマイグレーション特性を向上させる工夫がなされてい
る。
【０００６】しかしながら、この構造においてＡｌ電極
に加わる応力を緩和するために、例えばＴｉからなる中
間層２２の膜厚を厚くすると、所望の周波数でのＩＤＴ
電極の質量は一定の値に保つ必要があるため、Ｔｉの質
量増加分だけＡｌの質量を減少させる必要がある。この
結果、ＴｉはＡｌに比べて抵抗率が高いためＩＤＴ電極
の抵抗が増加するので、ＩＤＴ電極の挿入損失が大きく
なる。これにより、２ＧＨｚ帯のアンテナデュプレクサ
のような低挿入損失でかつ高耐電力性が必要となる素子
においては、十分な挿入損失と耐電力性を両立させるこ
とが困難であった。
に加わる応力を緩和するために、例えばＴｉからなる中
間層２２の膜厚を厚くすると、所望の周波数でのＩＤＴ
電極の質量は一定の値に保つ必要があるため、Ｔｉの質
量増加分だけＡｌの質量を減少させる必要がある。この
結果、ＴｉはＡｌに比べて抵抗率が高いためＩＤＴ電極
の抵抗が増加するので、ＩＤＴ電極の挿入損失が大きく
なる。これにより、２ＧＨｚ帯のアンテナデュプレクサ
のような低挿入損失でかつ高耐電力性が必要となる素子
においては、十分な挿入損失と耐電力性を両立させるこ
とが困難であった。
【０００７】したがって、本発明の目的は、高周波帯に
使用する弾性表面波素子を作製する上での技術的問題点
を解消するためになされたものであって、特に、低挿入
損失でかつ高耐電力性に優れた電極を有する弾性表面波
素子を提供することを目的としている。
使用する弾性表面波素子を作製する上での技術的問題点
を解消するためになされたものであって、特に、低挿入
損失でかつ高耐電力性に優れた電極を有する弾性表面波
素子を提供することを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の請求項１記載の弾性表面波素子において
は、圧電基板上に第１の電極膜と第１の電極膜の上に形
成した第２の電極膜を有した構造の電極パターンを有す
る弾性表面波素子において、第１の電極膜の線幅が第２
の電極膜の線幅より小さいことを特徴とする。
に、本発明の請求項１記載の弾性表面波素子において
は、圧電基板上に第１の電極膜と第１の電極膜の上に形
成した第２の電極膜を有した構造の電極パターンを有す
る弾性表面波素子において、第１の電極膜の線幅が第２
の電極膜の線幅より小さいことを特徴とする。
【０００９】このように、図１に示す圧電基板１３の上
面に形成された第１の電極膜１２の線幅ｎを第2の電極
膜の線幅ｍよりも小さくすることによって、第2の電極
膜１１のエッジ部分１４に加わる応力を緩和させること
により耐ストレスマイグレーション特性を向上させるこ
とができる。また、第１の電極膜１２の質量が減少した
分だけ、第２の電極膜１１の膜厚を厚くすることができ
る（上述の通り、所望の周波数でのＩＤＴ電極の質量は
一定に保つ必要があるため）。このとき、第２の電極膜
１１は第１の電極膜１２より抵抗率が小さいため、第２
の電極膜１１の膜厚が大きくすることでＩＤＴ電極の抵
抗値が小さくなる。ＩＤＴ電極の抵抗値を減少させるこ
とによって、挿入損失の劣化を抑制することができ、線
幅が小さくなる２ＧＨｚ帯においてもストレスマイグレ
ーションの発生を抑制しつつ低い挿入損失を得ることが
できる。
面に形成された第１の電極膜１２の線幅ｎを第2の電極
膜の線幅ｍよりも小さくすることによって、第2の電極
膜１１のエッジ部分１４に加わる応力を緩和させること
により耐ストレスマイグレーション特性を向上させるこ
とができる。また、第１の電極膜１２の質量が減少した
分だけ、第２の電極膜１１の膜厚を厚くすることができ
る（上述の通り、所望の周波数でのＩＤＴ電極の質量は
一定に保つ必要があるため）。このとき、第２の電極膜
１１は第１の電極膜１２より抵抗率が小さいため、第２
の電極膜１１の膜厚が大きくすることでＩＤＴ電極の抵
抗値が小さくなる。ＩＤＴ電極の抵抗値を減少させるこ
とによって、挿入損失の劣化を抑制することができ、線
幅が小さくなる２ＧＨｚ帯においてもストレスマイグレ
ーションの発生を抑制しつつ低い挿入損失を得ることが
できる。
【００１０】なお、第１の電極膜１２の電極材料に、耐
ストレスマイグレーション特性を改善する効果の高いＴ
ｉなどの金属を用い、かつ、第１の電極膜の線幅ｎを第
２の電極膜の線幅ｍよりも１０％以上小さくすることに
より、ＩＤＴ電極の耐ストレスマイグレーション特性の
向上と挿入損失の低下をより効果的に実現することがで
きる。ここで第１の電極膜の線幅ｎを第２の電極膜の線
幅ｍよりも１０％以上小さくすること望ましい理由は、
第１の電極膜の線幅ｎを第２の電極膜の線幅ｍよりも１
０％以上小さくできない場合、第２の電極膜のエッジ部
分１４が十分に開放されていないために、ストレスマイ
グレーションが最も発生しやすいエッジ部分１４に加わ
る応力を十分に分散させることができなくなり、耐スト
レスマイグレーション特性を向上させる効果が小さいた
めである。
ストレスマイグレーション特性を改善する効果の高いＴ
ｉなどの金属を用い、かつ、第１の電極膜の線幅ｎを第
２の電極膜の線幅ｍよりも１０％以上小さくすることに
より、ＩＤＴ電極の耐ストレスマイグレーション特性の
向上と挿入損失の低下をより効果的に実現することがで
きる。ここで第１の電極膜の線幅ｎを第２の電極膜の線
幅ｍよりも１０％以上小さくすること望ましい理由は、
第１の電極膜の線幅ｎを第２の電極膜の線幅ｍよりも１
０％以上小さくできない場合、第２の電極膜のエッジ部
分１４が十分に開放されていないために、ストレスマイ
グレーションが最も発生しやすいエッジ部分１４に加わ
る応力を十分に分散させることができなくなり、耐スト
レスマイグレーション特性を向上させる効果が小さいた
めである。
【００１１】なお、第１の電極膜の線幅を第２の電極膜
の線幅より小さくするためには、第２の電極膜１１は塩
素系ガスを用いて異方性エッチングを行い、次いで、第
１の電極１２はフッ素系ガスを用いて等方性エッチング
を行なうことにより容易に形成することができる。
の線幅より小さくするためには、第２の電極膜１１は塩
素系ガスを用いて異方性エッチングを行い、次いで、第
１の電極１２はフッ素系ガスを用いて等方性エッチング
を行なうことにより容易に形成することができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例の弾性表面
波素子について、図２を参照しながら説明をする。図２
に示す弾性表面波素子の図２(a)は、ＬｉＴａＯ3または
ＬｉＮｂＯ3を用いた圧電基板３の表面にスパッタリン
グ法や蒸着法などを用いて、第１の電極膜２と第２の電
極膜１を形成し、その上面にレジスト４を形成している
状態を示している。ここでは、ＬｉＴａＯ3を用いた圧
電基板３の上面に、ＤＣマグネトロンスパッタリング法
を用いて、第１の電極膜２となるＴｉ膜を0.1Ｐａ、投
入電力２００Ｗ、基板加熱無しの条件で１５ｎｍの膜厚
で形成する。次いで、第１の電極膜２の上面に第２の電
極膜１となるＡｌ−0.5wt%Ｃｕ膜を0.1Ｐａ、投入電力
４００Ｗ、基板加熱無しの条件で１００ｎｍの膜厚で形
成する。さらに、第２の電極膜１の上面にレジスト４を
塗布している。
波素子について、図２を参照しながら説明をする。図２
に示す弾性表面波素子の図２(a)は、ＬｉＴａＯ3または
ＬｉＮｂＯ3を用いた圧電基板３の表面にスパッタリン
グ法や蒸着法などを用いて、第１の電極膜２と第２の電
極膜１を形成し、その上面にレジスト４を形成している
状態を示している。ここでは、ＬｉＴａＯ3を用いた圧
電基板３の上面に、ＤＣマグネトロンスパッタリング法
を用いて、第１の電極膜２となるＴｉ膜を0.1Ｐａ、投
入電力２００Ｗ、基板加熱無しの条件で１５ｎｍの膜厚
で形成する。次いで、第１の電極膜２の上面に第２の電
極膜１となるＡｌ−0.5wt%Ｃｕ膜を0.1Ｐａ、投入電力
４００Ｗ、基板加熱無しの条件で１００ｎｍの膜厚で形
成する。さらに、第２の電極膜１の上面にレジスト４を
塗布している。
【００１３】図２(b)は、レジストパターンを形成した
状態を示している。図２(a)に所望のＩＤＴパターンを
描いたフォトマスクを取り付けて露光し、レジストパタ
ーン４ａを形成している。
状態を示している。図２(a)に所望のＩＤＴパターンを
描いたフォトマスクを取り付けて露光し、レジストパタ
ーン４ａを形成している。
【００１４】図２(c)は、第２の電極膜の電極パターン
をエッチングで形成した状態を示している。図２(b)に
おいて、レジストパターン４ａの上から、１０００Ｐ
ａ、ガス流量ＢＣｌ3５０ｓｃｃｍ＋Ｃｌ2２０ｓｃｃｍ
＋Ｎ2５０ｓｃｃｍ、投入電力３５０Ｗの条件で、異方
性プラズマエッチングを行うことにより第２の電極膜の
電極パターン１ａを形成している。
をエッチングで形成した状態を示している。図２(b)に
おいて、レジストパターン４ａの上から、１０００Ｐ
ａ、ガス流量ＢＣｌ3５０ｓｃｃｍ＋Ｃｌ2２０ｓｃｃｍ
＋Ｎ2５０ｓｃｃｍ、投入電力３５０Ｗの条件で、異方
性プラズマエッチングを行うことにより第２の電極膜の
電極パターン１ａを形成している。
【００１５】図２(d)は、第１の電極膜の電極パターン
をエッチングで形成した状態を示している。図２(c)に
おいて、５０００Ｐａ、ガス流量ＣＦ4１００ｓｃｃｍ
＋Ｏ2１０ｓｃｃｍ、投入電力３５０Ｗの条件で、等方
性エッチングを６０秒間行い、第１の電極膜の電極パタ
ーン２ａを形成している。このとき、エッチングに用い
るガスは、第２の電極膜をほとんどエッチングすること
なく、かつ、第１の電極膜に対しては等方向的にエッチ
ングが進むため、図２(d)に示したように、第１の電極
膜の線幅が第２の電極膜の線幅よりも小さくなるように
エッチングを施すことができる。具体的に示した本実施
では、電極パターン２ａの線幅は、第２の電極パターン
１ａの線幅に比較して４０％狭くなる。この後、不要に
なったレジストパターン４ａをウエットエッチングで剥
離し、所望のＩＤＴ電極を形成することができる。
をエッチングで形成した状態を示している。図２(c)に
おいて、５０００Ｐａ、ガス流量ＣＦ4１００ｓｃｃｍ
＋Ｏ2１０ｓｃｃｍ、投入電力３５０Ｗの条件で、等方
性エッチングを６０秒間行い、第１の電極膜の電極パタ
ーン２ａを形成している。このとき、エッチングに用い
るガスは、第２の電極膜をほとんどエッチングすること
なく、かつ、第１の電極膜に対しては等方向的にエッチ
ングが進むため、図２(d)に示したように、第１の電極
膜の線幅が第２の電極膜の線幅よりも小さくなるように
エッチングを施すことができる。具体的に示した本実施
では、電極パターン２ａの線幅は、第２の電極パターン
１ａの線幅に比較して４０％狭くなる。この後、不要に
なったレジストパターン４ａをウエットエッチングで剥
離し、所望のＩＤＴ電極を形成することができる。
【００１６】ここで、第２の電極膜の電極エッジ部分が
十分に開放されているため、高電圧レベルの信号が印加
された際に、電極エッジ部分に加わる応力を十分に分散
させることができるため、耐ストレスマイグレーション
特性を向上させることができる。
十分に開放されているため、高電圧レベルの信号が印加
された際に、電極エッジ部分に加わる応力を十分に分散
させることができるため、耐ストレスマイグレーション
特性を向上させることができる。
【００１７】また、Ａｌは抵抗率2.69μΩ・ｃｍ、比重
2.7g/cm3であり、Ｔｉは抵抗率55μΩ・ｃｍ、比重4.5g
/cm3である。両者の抵抗率を比較すると、Ｔｉと比べＡ
ｌの抵抗率が１／２０以下であり、ＩＤＴ電極において
電流はほとんどＡｌ電極側に集中することになる。ま
た、ＩＤＴ電極の全膜厚におけるＴｉとＡｌの膜厚の比
率についても圧倒的にＡｌの膜厚が厚いため、高周波で
の表皮効果の観点からもＡｌ電極側にほとんどの電流が
集中することになる。
2.7g/cm3であり、Ｔｉは抵抗率55μΩ・ｃｍ、比重4.5g
/cm3である。両者の抵抗率を比較すると、Ｔｉと比べＡ
ｌの抵抗率が１／２０以下であり、ＩＤＴ電極において
電流はほとんどＡｌ電極側に集中することになる。ま
た、ＩＤＴ電極の全膜厚におけるＴｉとＡｌの膜厚の比
率についても圧倒的にＡｌの膜厚が厚いため、高周波で
の表皮効果の観点からもＡｌ電極側にほとんどの電流が
集中することになる。
【００１８】これらの観点から、ＩＤＴ電極の抵抗を小
さくするためには、Ａｌ電極の断面積を大きくすること
が効果的であると言える。ところで、Ａｌ電極の線幅は
動作周波数によって一義的に決定されてしまうので、断
面積を大きくするためにはＡｌ電極を膜厚方向に厚く形
成する必要がある。
さくするためには、Ａｌ電極の断面積を大きくすること
が効果的であると言える。ところで、Ａｌ電極の線幅は
動作周波数によって一義的に決定されてしまうので、断
面積を大きくするためにはＡｌ電極を膜厚方向に厚く形
成する必要がある。
【００１９】いま、Ｔｉを用いた第１の電極膜の線幅
は、Ａｌを用いた第２の電極膜の線幅に比べ４０％小さ
く形成されている。従って、ＩＤＴ電極の質量を一定に
保つために、第１の電極膜の線幅が小さくなった分の質
量分だけＡｌ電極の膜厚を厚く形成することができる
(図３参照；１ａ’は第２の電極膜の膜厚を厚くした部
分)。従来、低挿入損失の実現と高耐電力性とはトレー
ドオフあったが、本発明の弾性表面波素子においてＡｌ
電極の膜厚を厚く形成することにより、耐ストレスマイ
グレーション特性を維持しつつ、挿入損失を１０％低減
することができた。
は、Ａｌを用いた第２の電極膜の線幅に比べ４０％小さ
く形成されている。従って、ＩＤＴ電極の質量を一定に
保つために、第１の電極膜の線幅が小さくなった分の質
量分だけＡｌ電極の膜厚を厚く形成することができる
(図３参照；１ａ’は第２の電極膜の膜厚を厚くした部
分)。従来、低挿入損失の実現と高耐電力性とはトレー
ドオフあったが、本発明の弾性表面波素子においてＡｌ
電極の膜厚を厚く形成することにより、耐ストレスマイ
グレーション特性を維持しつつ、挿入損失を１０％低減
することができた。
【００２０】一方、第１の電極膜の線幅が小さくなった
分の質量分だけ、第１の電極膜の膜厚を厚く形成するこ
とにより、従来の挿入損失を維持しつつさらに高い耐マ
イグレーションを実現することも可能である。すなわ
ち、第１の電極膜の膜厚を厚くするすることにより、圧
電振動の発生する圧電基板とＡｌを用いた第2の電極膜
との距離をより離間させることができるので、耐マイグ
レーション特性を向上ささせることができる(図４参
照；２ａ’は第１の電極膜の膜厚を厚くした部分)。こ
のとき、第2の電極膜の膜厚を薄くする必要がないの
で、挿入損失を低下させる恐れはない。
分の質量分だけ、第１の電極膜の膜厚を厚く形成するこ
とにより、従来の挿入損失を維持しつつさらに高い耐マ
イグレーションを実現することも可能である。すなわ
ち、第１の電極膜の膜厚を厚くするすることにより、圧
電振動の発生する圧電基板とＡｌを用いた第2の電極膜
との距離をより離間させることができるので、耐マイグ
レーション特性を向上ささせることができる(図４参
照；２ａ’は第１の電極膜の膜厚を厚くした部分)。こ
のとき、第2の電極膜の膜厚を薄くする必要がないの
で、挿入損失を低下させる恐れはない。
【００２１】なお、第１の電極膜の材料としてＴａ，Ｍ
ｏ，Ｗなどのフッ素ガスによりエッチング可能な材料を
使用してもよい。また、第２の電極膜の材料としてＡｌ
にＣｕ，Ｔｉ，Ｃｏ，Ｗ，Ｃｒ，Ｔａ，Ｎｉ，Ｍｏなど
を微量添加した塩素ガスでエッチング可能な材料を用い
ても良い。
ｏ，Ｗなどのフッ素ガスによりエッチング可能な材料を
使用してもよい。また、第２の電極膜の材料としてＡｌ
にＣｕ，Ｔｉ，Ｃｏ，Ｗ，Ｃｒ，Ｔａ，Ｎｉ，Ｍｏなど
を微量添加した塩素ガスでエッチング可能な材料を用い
ても良い。
【００２２】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、圧電基板
上にＴｉやＴａなどを用いて第1の電極膜を形成し、こ
の第１の電極膜の上面にＡｌまたはＡｌ中にＣｕ，Ｔ
ｉ，Ｃｏ，Ｗ，Ｃｒ，Ｔａ，Ｎｉ，Ｍｏのいずれかを添
加した材料を用いて第２の電極膜を形成した２層構造の
ＩＤＴ電極を有する弾性表面波素子において、第１の電
極膜の線幅が第２の電極膜の線幅より小さくすることに
より、耐ストレスマイグレーション特性を向上させるこ
とができ、かつ、低挿入損失の弾性表面波素子を作製す
ることができる。これにより、２ＧＨｚ帯のアンテナデ
ュプレクサのような低挿入損失でかつ高耐電力性が必要
となる弾性表面波素子において、良好な特性と高い耐電
力性を得ることができる。
上にＴｉやＴａなどを用いて第1の電極膜を形成し、こ
の第１の電極膜の上面にＡｌまたはＡｌ中にＣｕ，Ｔ
ｉ，Ｃｏ，Ｗ，Ｃｒ，Ｔａ，Ｎｉ，Ｍｏのいずれかを添
加した材料を用いて第２の電極膜を形成した２層構造の
ＩＤＴ電極を有する弾性表面波素子において、第１の電
極膜の線幅が第２の電極膜の線幅より小さくすることに
より、耐ストレスマイグレーション特性を向上させるこ
とができ、かつ、低挿入損失の弾性表面波素子を作製す
ることができる。これにより、２ＧＨｚ帯のアンテナデ
ュプレクサのような低挿入損失でかつ高耐電力性が必要
となる弾性表面波素子において、良好な特性と高い耐電
力性を得ることができる。
【００２３】また、第１の電極膜の線幅を小さくした分
だけ質量を、第１の電極膜を厚くすることにより、さら
に耐ストレスマイグレーション特性を向上させた弾性表
面波素子を作製することができる。
だけ質量を、第１の電極膜を厚くすることにより、さら
に耐ストレスマイグレーション特性を向上させた弾性表
面波素子を作製することができる。
【図１】本発明のＩＤＴ電極に使用される２層構造電極
の断面図である。
の断面図である。
【図２】本発明の実施例１の弾性表面波素子に使用され
る2層構造電極の作製方法を示した図である。
る2層構造電極の作製方法を示した図である。
【図３】本発明のＩＤＴ電極において、第１の電極膜の
線幅を小さくした分の質量分だけ第２の電極膜の膜厚を
厚くした２層構造電極の断面図である。
線幅を小さくした分の質量分だけ第２の電極膜の膜厚を
厚くした２層構造電極の断面図である。
【図４】本発明のＩＤＴ電極において、第１の電極膜の
線幅を小さくした分の質量分だけ第１の電極膜の膜厚を
厚くした２層構造電極の断面図である。
線幅を小さくした分の質量分だけ第１の電極膜の膜厚を
厚くした２層構造電極の断面図である。
【図５】従来のＩＤＴ電極に使用される２層構造電極の
断面図である。
断面図である。
１，１１，２１，１ａ ---- 第２の電極膜 ２，１２，２２，２ａ ---- 第１の電極膜 ３，１３，２３ ---- 圧電基板 ４，４ａ ---- レジスト １ａ’ ---- 第２の電極膜の膜厚を厚くした部分 ２ａ’ ---- 第１の電極膜の膜厚を厚くした部分
Claims (8)
- 【請求項１】圧電基板上に第１の電極膜と第１の電極膜
の上に形成した第２の電極膜を有した構造の電極パター
ンを有する弾性表面波素子において、第１の電極膜の線
幅が第２の電極膜の線幅より小さいことを特徴とする弾
性表面波素子。 - 【請求項２】前記第１の電極膜の線幅が第２の電極膜の
線幅より１０％以上小さいことを特徴とする請求項１に
記載の弾性表面波素子。 - 【請求項３】前記第１の電極膜の線幅が第２の電極膜の
線幅より小さくした部分の質量分だけ、第2の電極膜の
膜厚を厚くしたことを特徴とする請求項１または請求項
2に記載の弾性表面波素子。 - 【請求項４】前記第１の電極膜の線幅が第２の電極膜の
線幅より小さくした部分の質量分だけ、第１の電極膜の
膜厚を厚くしたことを特徴とする請求項１ないし請求項
２に記載の弾性表面波素子。 - 【請求項５】前記第１の電極膜がＴｉ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｗ
のいずれかの材料より形成されることを特徴とする請求
項１ないし請求項４に記載の弾性表面波素子。 - 【請求項６】前記第２の電極膜がＡｌまたはＡｌ中にＣ
ｕ，Ｔｉ，Ｃｏ，Ｗ，Ｃｒ，Ｔａ，Ｎｉ，Ｍｏのいずれ
かを添加した材料より形成されることを特徴とする請求
項１ないし請求項５に記載の弾性表面波素子。 - 【請求項７】圧電基板上に第１の電極膜を形成する工程
と、第２の電極膜を形成する工程と、第2の電極膜をパ
ターン形成する工程と、第1の電極膜を、第2の電極膜を
エッチングしにくいエッチャントを用いた等方性エッチ
ングによって除去することによって、第２の電極膜の線
幅よりも小さく形成する工程と、を有することを特徴と
する弾性表面波素子の製造方法。 - 【請求項８】前記第２の電極膜が塩素ガスを用いた異方
性エッチングによってパターン形成され、第１の電極膜
はフッ素系ガスを用いた等方性エッチングによって除去
されることを特徴とする請求項７に記載の弾性表面波素
子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26210299A JP2001085968A (ja) | 1999-09-16 | 1999-09-16 | 弾性表面波素子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26210299A JP2001085968A (ja) | 1999-09-16 | 1999-09-16 | 弾性表面波素子およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001085968A true JP2001085968A (ja) | 2001-03-30 |
Family
ID=17371075
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26210299A Pending JP2001085968A (ja) | 1999-09-16 | 1999-09-16 | 弾性表面波素子およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001085968A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003058813A1 (fr) * | 2001-12-28 | 2003-07-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dispositif de traitement des ondes acoustiques de surface, composant electronique utilisant ce dispositif et module composite |
| JP2007267117A (ja) * | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波装置及びその製造方法 |
| KR20160138268A (ko) | 2014-05-07 | 2016-12-02 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 탄성표면파 장치 |
-
1999
- 1999-09-16 JP JP26210299A patent/JP2001085968A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003058813A1 (fr) * | 2001-12-28 | 2003-07-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dispositif de traitement des ondes acoustiques de surface, composant electronique utilisant ce dispositif et module composite |
| US6937114B2 (en) | 2001-12-28 | 2005-08-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Surface acoustic wave device, electronic component using the device, and composite module |
| EP2161836A1 (en) | 2001-12-28 | 2010-03-10 | Panasonic Corporation | Surface acoustic wave device, electronic component using the device, and composite module |
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| KR20160138268A (ko) | 2014-05-07 | 2016-12-02 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 탄성표면파 장치 |
| US10644671B2 (en) | 2014-05-07 | 2020-05-05 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave device |
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