KR20160138268A - 탄성표면파 장치 - Google Patents

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KR20160138268A
KR20160138268A KR1020167030232A KR20167030232A KR20160138268A KR 20160138268 A KR20160138268 A KR 20160138268A KR 1020167030232 A KR1020167030232 A KR 1020167030232A KR 20167030232 A KR20167030232 A KR 20167030232A KR 20160138268 A KR20160138268 A KR 20160138268A
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유지 토요타
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가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼
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Abstract

압전 기판(1)과, 압전 기판(1) 상에 형성된 빗살 형상의 전극지(3)를 가지는 IDT 전극(2)과, IDT 전극(2)에 접속된 배선 전극(5)을 포함한 탄성표면파 장치로서, 전극지(3)는, 길이방향에 직교하는 절단면에서, 하변의 선폭 및 상변의 선폭이, 그 전극지에서의 최대 선폭보다도 작아지도록 했다.

Description

탄성표면파 장치{SURFACE ACOUSTIC WAVE DEVICE}
본 발명은 탄성표면파 장치에 관한 것이고, 더 상세하게는, 전극지 간의 피치를 작게 해도 IDT 전극의 전위가 다른 전극지 간에 쇼트 파괴(short-circuit breakage)가 일어나기 어려우면서, IDT 전극과 배선 전극의 전기적 접속이 확실한 탄성표면파 장치에 관한 것이다.
이동체 통신 장치 등에서, 탄성표면파 장치가 필터로 널리 사용되고 있다.
탄성표면파 장치에서는, 탄성표면파의 음속을 v, 주파수를 f, 탄성표면파의 파장을 λ로 하면, v=f×λ의 관계에 있다. 따라서, 압전 기판 재질을 비롯한 조건에 의해 정해지는 탄성표면파의 음속이 일정한 경우에는, 탄성표면파의 주파수와 탄성표면파의 파장, 즉 IDT 전극의 전극지의 피치와는 반비례의 관계가 된다.
최근, 이동체 통신에서 사용되는 주파수는 고주파화되어 있어, 이에 따라, IDT 전극의 전극지의 피치를 좁게 할 필요가 생기고 있다. 그러나 IDT 전극의 전극지의 피치를 좁게 하면, 전위가 다른 전극지 간의 절연 저항이 작아지기 때문에, 탄성표면파 장치에 서지 전압이 인가된 경우 등에, 전위의 다른 전극지 간에 쇼트에 의한 절연 파괴가 발생할 우려가 있다.
일반적으로, IDT 전극의 전위가 다른 전극지 간의 절연 파괴는, 공기 중의 경로보다도 압전 기판을 통한 경로 쪽이 발생하기 쉽다. 이것은, 공기보다도 압전 기판 쪽이 절연 저항이 작기 때문이다.
따라서, 예를 들면 일본 공개특허공보 2001-85968호(특허문헌 1)에 개시된 탄성표면파 장치에서는, IDT 전극의 전극지의 피치를 좁게 해도 서지 전압 등에 의해 전위가 다른 전극지 간에 쇼트에 의한 절연 파괴가 발생하지 않도록, IDT 전극의 전극지의 폭을, 압전 기판과 접하고 있는 부분에서 작은 선폭(WS)으로 하고, 그 이외의 부분에서 큰 선폭(WB)으로 하는 방법을 채용하고 있다.
도 8에, 특허문헌 1에 개시된 전위가 다른 전극지 간의 절연 파괴를 방지하는 방법을, 후술하는 일본 공개특허공보 2005-102158호(특허문헌 2)에 기재된 탄성표면파 장치(200)(도 7 참조)에 적용한 경우에서의, 도 7의 X-X 부분의 절단면을 나타내고 있다.
IDT 전극(102)의 전극지(103a, 103b)는, 압전 기판(101)과 접하고 있는 전극지 하부층(103f)과, 그 위에 형성된 전극지 상부층(103s)의 2층으로 구성되어 있다. 그리고 전극지 하부층(103f)은 작은 선폭(WS)으로 구성되어 있고, 전극지 상부층(103s)은 큰 선폭(WB)으로 구성되어 있다. 또한, 전극지 하부층(103f)과 전극지 상부층(103s)의 이와 같은 구조는, 드라이 에칭법(dry etching method)을 이용함으로써 용이하게 형성할 수 있다.
특허문헌 1에 개시된 방법에 의하면, 고주파화를 위해 IDT 전극의 전극지의 피치(P)를 작게 해도, 전위가 다른 전극지(103a, 103b) 간의 절연 저항을 크게 유지할 수 있다.
즉, 피치(P)를 작게 하면, 전위가 다른 전극지(103a, 103b)의 전극지 상부층(103s) 간의 간격(Ds)이 작아진다. 그러나 간격(Ds)의 사이에는 절연 저항이 큰 공기가 개재하고 있기 때문에, 서지 전압이 인가되도 이 부분에서의 쇼트에 의한 절연 파괴는 일어나기 어렵다.
한편, 피치(P)를 작게 해도, 전위가 다른 전극지 하부층(103f) 간의 간격(Df)은 큰 채로 해 둘 수 있다. 이 부분은, 공기에 비해 절연 저항이 작은 압전 기판(101)에 접하고 있지만, 간격(Df)이 작아지지 않기 때문에 서지 전압이 인가되도 압전 기판(101)을 경유한 쇼트에 의한 절연 파괴는 일어나기 어렵다.
이와 같이, 특허문헌 1에 개시된 방법을 적용하면, 고주파화를 위해 IDT 전극의 전극지의 피치(P)를 작게 해도, 전위가 다른 전극지(103a, 103b) 간의 절연 저항을 크게 유지할 수 있다.
일본 공개특허공보 2001-85968호 일본 공개특허공보 2005-102158호
그러나 이 방법을 채용한 경우, IDT 전극과 배선 전극의 전기적 접속이 불충분해지는 경우가 있다는 문제가 있었다. 이것을 이하에 나타낸다.
탄성표면파 장치에서, 특허문헌 2에 개시되어 있는 바와 같은 배선 전극을 마련하는 경우가 있다. 도 7에 종래의 탄성표면파 장치(200)를 나타낸다.
압전 기판(101) 상에는, IDT 전극(102)이 형성되어 있다. 각 IDT 전극(102)은, 전위가 다른 한 세트의 빗살 형상의 전극지(103a, 103b)와, 버스바(busbar)(104)를 가진다. 각 버스바(104)에는, 배선 전극(105)이 접속되어 있다. 여기서, 도 7에 나타낸 특허문헌 2에 기재된 탄성표면파 장치(200)에, 특허문헌 1에 개시된 방법을 적용한 경우에, IDT 전극(102)(버스바(104))과 배선 전극(105)의 전기적 접속이 불충분해진 상태를 도 9에 나타낸다. 또한, 도 9는, 도 7의 Y-Y 부분의 절단면을 나타내고 있다.
IDT 전극(102)의 전극지(103a, 103b)를, 전극지 하부층(103f)의 선폭(WS)을 작게, 전극지 상부층(103s)의 선폭(WB)을 크게 형성한 경우(도 8 참조), 도 9에 나타내는 바와 같이, 버스바(104)도 버스바 하부층(104f)과 버스바 상부층(104s)의 2층 구조가 되고, 버스바(104)의 바깥둘레 가장자리에서, 버스바 하부층(104f)이 버스바 상부층(104s)보다도 오목한 구조가 된다.
일반적으로, 배선 전극(105)은 리프트 오프법(liftoff method)으로 형성하는 일이 많다. 즉, 원하는 패턴 형상의 레지스트를 입힌 후에, 금속막을 성막(증착)시켜 형성하는 일이 많다. 그러나 배선 전극(105)을 리프트 오프법으로 형성하는 경우, 버스바(104)의 바깥둘레 가장자리에서 버스바 하부층(104f)이 버스바 상부층(104s)보다도 오목하게 형성되어 있으면, 버스바(104)와 배선 전극(105)의 전기적 접속이 불충분해지는 경우가 있었다.
즉, 배선 전극(105)을 리프트 오프법에 의해 형성하면, 성막 개시 당초, 압전 기판(101) 상의 배선 전극(105)은, 버스바(104)의 바깥둘레 가장자리에서, 버스바 하부층(104f)과 연결되지 않은 채 성막된다. 이것은, 버스바 하부층(104f)이 오목하게 형성되어 있으면서, 버스바 상부층(104s)이 돌출부(overhanging portion)가 된 상태로 성막이 개시되기 때문이다.
그리고 성막이 진행되면, 버스바(104) 상에도 배선 전극(105)이 성막되어 가지만, 버스바(104) 상의 배선 전극(105)의 단면(端面)은 수평방향으로도 성장하여 돌출부가 되고 압전 기판(101) 상의 배선 전극(105)의 단면을 덮어 간다. 이 결과, 압전 기판(101) 상의 배선 전극(105)의 단면은, 성막이 진행됨에 따라 버스바(104)로부터 벗어나는 방향으로 경사진 테이퍼(taper) 형상으로 형성된다.
그리고 압전 기판(101) 상의 배선 전극(105)은, 버스바(104)와 접속되지 않은 채, 또한 버스바(4) 상에 성막된 배선 전극(105)과도 접속되지 않은 채, 성막이 종료된다. 즉, 압전 기판(101) 상의 배선 전극(105)과, 버스바(104) 및 버스바(104) 상의 배선 전극(105) 사이에는, 틈(G)이 형성된다.
이 결과, IDT 전극(102)(버스바(104))과 배선 전극(105)의 전기적 접속이 불충분해지는 경우가 있었다. 예를 들면, IDT 전극(102)과 배선 전극(105)이 완전히 단선되는 경우가 있었다. 또한, IDT 전극(102)과 배선 전극(105)이 완전히 단선되지 않아도, 부분적으로 틈(G)이 형성되어, 배선 저항이 증대되는 경우가 있었다.
본원 발명은, 상술한 종래의 과제를 해결하기 위해 이루어진 것이며, 그 수단으로 본원 발명에 따른 탄성표면파 장치는, 압전 기판과, 압전 기판 상에 형성된 빗살 형상의 전극지를 가지는 IDT 전극과, IDT 전극에 접속된 배선 전극을 포함하고, 전극지는, 길이방향에 직교하는 절단면에서, 하변의 선폭 및 상변의 선폭이 그 전극지에서의 최대 선폭보다도 작아지도록 했다. 이와 같은 구조로 하면, 협(狹)피치로 해도 IDT 전극의 전위가 다른 전극지 간에 쇼트 파괴가 일어나기 어려우면서, IDT 전극과 배선 전극의 전기적 접속이 확실해진다.
전극지는, 절단면이, 상변으로부터 최대 선폭 부분에 걸쳐, 테이퍼 형상의 변을 가지는 형상으로 하는 것이 바람직하다. 이 경우에는 IDT 전극과 배선 전극의 전기적 접속이 보다 확실해진다.
전극지는, 압전 기판으로부터 최대 선폭 부분까지의 높이를, 전극지의 높이의 1/3 이하로 하는 것이 바람직하다. 이 경우에도 IDT 전극과 배선 전극의 전기적 접속이 보다 확실해진다.
IDT 전극은, 적어도 압전 기판에 접하는 접합층과, 그 접합층보다도 상부에 마련된 주(主)전극층을 포함하는, 복수의 층으로 이루어지는 것으로 할 수 있다.
주전극층은, Al, Al을 포함하는 합금, Cu, Cu를 포함하는 합금 중 어느 하나로 하는 것이 바람직하다. 이 경우에는 손실이 작은 탄성표면파 장치를 얻을 수 있다.
접합층은, Ti, Cr, Ni, NiCr 중 어느 하나인 것이 바람직하다. 이 경우에는 압전 기판과 IDT 전극의 접합 강도를 향상시킬 수 있다.
IDT 전극은, 예를 들면 리프트 오프법에 의해 형성할 수 있다.
본원 발명에 의하면, 협피치로 해도 IDT 전극의 전위가 다른 전극지 간에 쇼트 파괴가 일어나기 어려우면서, IDT 전극과 배선 전극의 전기적 접속이 확실한 탄성표면파 장치를 얻을 수 있다.
도 1은, 본 발명의 실시형태에 따른 탄성표면파 장치(100)를 나타내는 평면도이다.
도 2는, 탄성표면파 장치(100)의 단면도이다. 도 2는, 도 1의 일점쇄선 A-A 부분을 나타내고 있다.
도 3은, 탄성표면파 장치(100)의 전극지(3a, 3b)를 나타내는 단면도이다.
도 4(A)~(D)는, 탄성표면파 장치(100)의 제조 방법의 일례에서 적용되는 공정을 나타내는 단면도이다. 각 도면은, 도 1의 일점쇄선 A-A 부분에 대응한다.
도 5(E)~(G)는, 도 4의 연속이며, 공정을 나타내는 단면도이다. 각 도면은, 도 1의 일점쇄선 A-A 부분에 대응한다.
도 6(H)~(J)는, 도 5의 연속이며, 공정을 나타내는 단면도이다. 각 도면은, 도 1의 일점쇄선 A-A 부분에 대응한다.
도 7은, 특허문헌 2에 개시된 종래의 탄성표면파 장치(200)를 나타내는 평면도이다.
도 8은, 탄성표면파 장치(200)에, 특허문헌 1에 개시된 전위가 다른 전극지 간의 절연 파괴를 방지하는 방법을 적용한 경우를 나타내는 단면도이다.
도 8은, 도 7의 일점쇄선 X-X 부분을 나타낸다.
도 9는, 탄성표면파 장치(200)에 특허문헌 2에 개시된 전위가 다른 전극지 간의 절연 파괴를 방지하는 방법을 적용한 경우에, IDT 전극(102)(버스바(104))과 배선 전극(105)의 전기적 접속이 불충분해진 경우를 나타내는 단면도이다. 도 9는, 도 7의 일점쇄선 Y-Y 부분을 나타낸다.
이하, 도면과 함께, 본 발명의 실시형태에 대해 설명한다.
도 1~도 3에, 본 발명의 실시형태에 따른 탄성표면파 장치(100)를 나타낸다. 단, 도 1은 평면도, 도 2는 도 1의 일점쇄선 A-A 부분을 나타내는 단면도, 도 3은 IDT 전극의 전극지의 단면도이다.
탄성표면파 장치(100)는, 압전 기판(1)을 포함한다. 압전 기판(1)은, 예를 들면 42°Y 커트의 LiTaO3으로 이루어진다. 단, 압전 기판(1)의 재질이나 커트 각은 이것에는 한정되지 않고, 예를 들면 LiNbO3, Li2B4O7 등의 다른 재질이어도 되고, 커트 각도 임의이다.
압전 기판(1) 상에는 IDT 전극(2)이 형성되어 있다. 각 IDT 전극(2)은, 전위가 다른 한 세트의 빗살 형상의 전극지(3a, 3b)와, 버스바(4)를 가진다. 또한, 도 1에 나타내는 'λ'은 탄성표면파의 파장이다.
IDT 전극(2)은, 도 2로부터 알 수 있는 바와 같이, 전극지(3a, 3b) 및 버스바(4)가 모두 2층으로 형성되어 있다. 단, 전극지(3a, 3b) 및 버스바(4)의 층수는 2층에는 한정되지 않고, 1층이어도 되고, 3층 이상이어도 된다.
즉, IDT 전극(2)의 전극지(3a, 3b)는, 압전 기판(1)과 접하고 있는 전극지 하부층(3f)과, 그 위에 형성된 전극지 상부층(3s)의 2층으로 구성되어 있다. IDT 전극(2)의 버스바(4)도, 압전 기판(1)과 접하고 있는 버스바 하부층(4f)과, 그 위에 형성된 버스바 상부층(4s)의 2층으로 구성되어 있다.
전극지 하부층(3f) 및 버스바 하부층(4f)은, 압전 기판(1)과의 접합 강도를 향상시키는 접합층으로서의 기능을 다하고 있다. 전극지 하부층(3f) 및 버스바 하부층(4f)은, 예를 들면 Ti로 이루어진다. 단, 재질은 이것에는 한정되지 않고, 예를 들면 Cr, Ni, NiCr 등이어도 된다.
전극지 상부층(3s) 및 버스바 상부층(4s)은, 주전극층으로서의 기능을 다하고 있다. 전극지 상부층(3s) 및 버스바 상부층(4s)은, 예를 들면 AlCu로 이루어진다. 단, 재질은 이것에는 한정되지 않고, 예를 들면 Al, Al을 포함하는 다른 합금, Cu, Cu를 포함하는 다른 합금 등이어도 된다.
도 3에 나타내는 바와 같이, IDT 전극(2)의 전극지(3a, 3b)는, 길이방향에 직교하는 절단면을 본 경우에, 압전 기판(1)과 접하는 하변에 선폭(WD)을 가지고, 상변에 선폭(WU)을 가진다. 그리고 하변의 선폭(WD) 및 상변의 선폭(WU)은, 전극지(3a, 3b)에서의 최대 선폭(WMAX)보다도 작다.
이 결과, 탄성표면파 장치(100)에서는, 도 2에 나타내는 바와 같이, 전위가 다른 전극지(3a, 3b) 간의 피치(P)를 작게 해도, 압전 기판(1)과 접하고 있는 부분의 간격(Df)을 유지해 둘 수 있다. 압전 기판(1)은 공기에 비해 절연 저항이 작지만, 탄성표면파 장치(100)는, 피치(P)를 작게 해도 간격(Df)을 유지해 둘 수 있기 때문에, 서지 전압이 인가되도 압전 기판(1)을 경유한 쇼트에 의한 절연 파괴는 일어나기 어렵다. 따라서, 탄성표면파 장치(100)는, 고주파화 등을 위해 전위가 다른 전극지(3a, 3b) 간의 피치(P)를 작게 해도, 전위가 다른 전극지(3a, 3b) 간에서의 쇼트 파괴가 일어나기 어렵다.
탄성표면파 장치(100)의 버스바(4)에는, 배선 전극(5)이 접속되어 있다. 도 2로부터 알 수 있는 바와 같이, 본 실시형태에서는, 배선 전극(5)도, 배선 전극 하부층(5f)과, 그 위에 형성된 배선 전극 상부층(5s)의 2층으로 구성되어 있다. 단, 배선 전극(5)의 층수는 임의이며, 1층, 또는 3층 이상으로 구성해도 된다. 본 실시형태에서는, 배선 전극 하부층(5f)은, 예를 들면 Ti로 이루어진다. 단, 재질은 이것에는 한정되지 않고, 예를 들면 Cr, Ni, NiCr 등이어도 된다. 또한, 배선 전극 상부층(5s)은, 예를 들면 Al로 이루어진다. 단, 재질은 이것에는 한정되지 않고, 예를 들면 Al을 포함하는 합금, Cu, Cu를 포함하는 합금 등이어도 된다.
탄성표면파 장치(100)에서는, 버스바(4)와 배선 전극(5)의 전기적 접속이 확실하다. 이것은, 도 2에 나타내는 바와 같이, 버스바(4)의 배선 전극(5)이 접속되는 단면에 테이퍼(T)가 형성되어 있기 때문이다. 즉, 버스바(4)의 단면에 테이퍼(T)가 형성되어 있으면, 배선 전극(5)을 예를 들면 리프트 오프법으로 형성하는 경우, 금속막이 테이퍼(T) 상에도 성막되어, 압전 기판(1) 상에 성막된 금속막과, 버스바(4) 상에 성막된 금속막을 연결하는 기능을 다하기 때문이다. 탄성표면파 장치(100)에서는, 배선 전극(5)이, 압전 기판(1) 상으로부터 버스바(4) 상으로, 연속적으로 도중에 끊기지 않고 형성된다.
또한, 버스바(4)의 테이퍼(T)는, IDT 전극(2)을 리프트 오프법 등에 의해 형성한 경우에, 전극지(3a, 3b)의 하변의 선폭(WD) 및 상변의 선폭(WU)을, 전극지(3a, 3b)에서의 최대 선폭(WMAX)보다도 작게 한 것에 대응하여 형성된다. 즉, 전극지(3a, 3b)의 상변의 선폭(WU)을 최대 선폭(WMAX) 부분보다도 작게 함으로써, 전극지(3a, 3b)의 상변으로부터 최대 선폭 부분에 걸쳐 테이퍼 형상의 변이 형성되지만, IDT 전극(2)을 리프트 오프법 등에 의해 형성한 경우에는, 버스바(4)의 배선 전극(5)이 접속되는 단면에도, 동시에 테이퍼(T)가 형성된다.
또한, 전극지(3a, 3b)의 최대 선폭(WMAX) 부분의 높이(H1)는, 전극지(3a, 3b)의 상변까지의 높이(H2)의 1/3 이하로 하는 것이 바람직하다. 1/3을 초과하면, 버스바(4)의 테이퍼(T)와, 압전 기판(1) 사이의 거리가 지나치게 커져, 버스바(4)와 배선 전극(5)의 전기적 접속의 신뢰성이 저하되는 경우가 있다.
이하에, 도 4(A)~도 6(J)를 참조하여, 본 실시형태에 따른 탄성표면파 장치(100)의 제조 방법의 일례에 대해 설명한다. 또한, 도 4(A)~도 6(J)는, 각각, 그 제조 방법에 이용한 공정을 나타내는 단면도이며, 도 1의 일점쇄선 A-A 부분을 나타내고 있다.
우선, 도 4(A)에 나타내는 바와 같이, 압전 기판(1)을 준비한다.
다음으로, 도 4(B)에 나타내는 바와 같이, 압전 기판(1) 상에 포지티브 레지스트(6)를 도포한다. 이어서, 포지티브 레지스트(6)에 대하여 클로로벤젠 처리를 실시한다.
다음으로, 도 4(C)에 나타내는 바와 같이, 포지티브 레지스트(6) 상에, 원하는 개구 패턴(7a)을 가지는 포토마스크(7)를 배치한다.
다음으로, 도 4(D)에 나타내는 바와 같이, 포토마스크(7)를 통해 포지티브 레지스트(6)를 노광한다. 이때, 노광량을, 적정한 노광량보다도 적은, 언더(under) 노광의 조건으로 해 둔다.
다음으로, 도 5(E)에 나타내는 바와 같이, 포지티브 레지스트(6)를 현상한다. 이 결과, 포지티브 레지스트(6)에, 원하는 형상으로 이루어지는 개구(8)가 형성된다. 개구(8)의 상부에는 돌출부(8a)가 형성된다. 돌출부(8a)는, 압전 기판(1) 상에 도포된 포지티브 레지스트(6)에 대한 클로로벤젠 처리에 의해, 포지티브 레지스트(6)의 표면이 굳어짐으로써 형성된다. 개구(8)의 바닥부에는 베이스부(base portion)(8b)가 형성된다. 베이스부(8b)는, 포지티브 레지스트(6)의 노광 시에, 노광량을, 적정한 노광량보다도 적은, 언더 노광의 조건으로 함으로써 형성된다.
다음으로, 도 5(F)에 나타내는 바와 같이, 포지티브 레지스트(6)를 통해, 압전 기판(1) 상에, 진공 증착에 의해 두께 10㎚의 Ti층(9), 두께 150㎚의 AlCu층(10)을 순서대로 형성한다. 이 결과, 포지티브 레지스트(6)의 개구(8) 내에, IDT 전극(2)의 전극지(3a, 3b)와 버스바(4)가 형성된다. 이때, 개구(8)의 상부에 돌출부(8a)가 형성되고, 바닥부에 베이스부(8b)가 형성되어 있기 때문에 전극지(3a, 3b)의 절단면은, 도 3에 나타내는 바와 같이, 하변의 선폭(WD) 및 상변의 선폭(WU)이, 모두 전극지(3a, 3b)에서의 최대 선폭(WMAX)보다도 작은 형상이 된다. 또한, 개구(8)의 상부에 돌출부(8a)가 형성되어 있기 때문에, 버스바(4)의 배선 전극(5)이 접속되는 단면에도 테이퍼(T)가 형성된다.
다음으로, 도 5(G)에 나타내는 바와 같이, 포지티브 레지스트(6)를 박리한다. 이 결과, 압전 기판(1)의 표면에는, IDT 전극(2)의 전극지(3a, 3b)와 버스바(4)가 남는다.
다음으로, 압전 기판(1) 상에 네거티브 레지스트를 도포한다. 이어서, 원하는 개구 패턴을 가지는 포토마스크를 통해 노광하고, 또한 현상함으로써, 도 6 (H)에 나타내는 바와 같이, 원하는 패턴으로 이루어지는 네거티브 레지스트(11)를 형성한다. 네거티브 레지스트(11)는 네거티브형이므로, 단면이 역(逆)테이퍼 형상이 된다.
다음으로, 도 6(I)에 나타내는 바와 같이, 네거티브 레지스트(11)를 통해, 압전 기판(1) 상에, 진공 증착에 의해 두께 100㎚의 Ti층(12), 두께 1000㎚의 Al층(13)을 순서대로 형성한다. 이 결과, IDT 전극(2)의 버스바(4)에 접속된 배선 전극(5)이 형성된다. 버스바(4)의 단면에 테이퍼(T)가 형성되어 있기 때문에, 버스바(4)와 배선 전극(5)의 전기적 접속은 확실하다.
마지막으로, 도 6(J)에 나타내는 바와 같이, 네거티브 레지스트(11)를 박리함으로써, 본 실시형태에 따른 탄성표면파 장치(100)가 완성된다.
이상의 제조 방법에서는, 리프트 오프법에 의해 탄성표면파 장치(100)를 제조하고 있기 때문에, 드라이 에칭법 등을 이용하여 제조한 경우에 비해, 각 재료의 선택 자유도가 향상되어 있다.
이상, 실시형태에 따른 탄성표면파 장치(100)의 구조, 및 그 제조 방법의 일례에 대해 설명했다. 그러나 본원 발명이 상술한 내용에 한정되지 않고, 본원 발명의 취지를 따라 다양한 설계 변경을 할 수 있다.
예를 들면, 탄성표면파 장치(100)에서는, 압전 기판(1) 상에 1쌍의 IDT 전극(2)이 형성되어 있지만, 탄성표면파 장치의 회로 배치는 임의이며, IDT 전극(2)의 수도 1쌍에는 한정되지 않는다.
또한, 탄성표면파 장치(100)에서는, IDT 전극(2)이나 배선 전극(5)이 각각 2층으로 구성되어 있지만, 이들 층수는 2층에는 한정되지 않는다. IDT 전극(2)의 층수와 배선 전극(5)의 층수는 달라도 된다. 또한, IDT 전극(2)이나 배선 전극(5)의 재질도 임의이며, 상술한 것에는 한정되지 않는다.
또한, 탄성표면파 장치(100)에서는, IDT 전극(2)의 버스바(4)에서, IDT 전극과 배선 전극(5)의 전기적 접속을 도모하고 있지만, 이것에는 한정되지 않고, 예를 들면 IDT 전극(2)과 전기적으로 연결된 접속 전극을 형성하여, 그 접속 전극과 배선 전극(5)을 전기적으로 접속하도록 해도 된다.
이상, 본 발명의 실시형태 및 변형예에 대해 설명했지만, 이번에 개시된 실시형태 및 변형예는 모든 점에서 예시이며 제한적인 것이 아니다. 본 발명의 범위는 청구범위에 의해 나타내고, 청구범위와 균등한 의미 및 범위 내에서의 모든 변경이 포함된다.
1: 압전 기판 2: IDT 전극
3a, 3b: 전극지 3f: 전극지 하부층
3s: 전극지 상부층 4: 버스바
4f: 버스바 하부층 4s: 버스바 상부층
5: 배선 전극 5f: 배선 전극 하부층
5s: 배선 전극 상부층 6: 포지티브 레지스트
7: 포토마스크 8: 개구
8a: 돌출부 8b: 베이스부
9: Ti층 10: AlCu층
11: 네거티브 레지스트 12: Ti층
13: Al층

Claims (7)

  1. 압전 기판과, 상기 압전 기판 상에 형성된 빗살 형상의 전극지를 가지는 IDT 전극과, 상기 IDT 전극에 접속된 배선 전극을 포함한 탄성표면파 장치로서,
    상기 전극지는, 길이방향에 직교하는 절단면에서, 하변의 선폭 및 상변의 선폭이, 상기 전극지에서의 최대 선폭보다도 작은 것을 특징으로 하는 탄성표면파 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 전극지는, 상기 절단면이, 상기 상변으로부터 상기 최대 선폭 부분에 걸쳐, 테이퍼(taper) 형상의 변을 가지는 것을 특징으로 하는 탄성표면파 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 전극지는, 상기 압전 기판으로부터 상기 최대 선폭 부분까지의 높이가, 상기 전극지의 높이의 1/3 이하인 것을 특징으로 하는 탄성표면파 장치.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 IDT 전극이, 적어도, 상기 압전 기판에 접하는 접합층과, 상기 접합층보다도 상부에 마련된 주(主)전극층을 포함하는, 복수의 층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 탄성표면파 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 주전극층이, Al, Al을 포함하는 합금, Cu, Cu를 포함하는 합금 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 탄성표면파 장치.
  6. 제4항 또는 제5항에 있어서,
    상기 접합층이, Ti, Cr, Ni, NiCr 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 탄성표면파 장치.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 IDT 전극이, 리프트 오프법(liftoff method)에 의해 형성된 것인 것을 특징으로 하는 탄성표면파 장치.
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