JP6341274B2 - 弾性表面波装置 - Google Patents

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Description

本発明は弾性表面波装置に関し、さらに詳しくは、電極指間のピッチを小さくしてもIDT電極の電位が異なる電極指間でショート破壊が起こりにくく、かつIDT電極と配線電極との電気的接続が確実な弾性表面波装置に関する。
移動体通信装置などにおいて、弾性表面波装置がフィルタとして広く使用されている。
弾性表面波装置においては、弾性表面波の音速をv、周波数をf、弾性表面波の波長をλとすると、v=f×λの関係がある。したがって、圧電基板の材質を始めとする諸条件により定まる弾性表面波の音速が一定である場合には、弾性表面波の周波数と弾性表面波の波長、すなわちIDT電極の電極指のピッチとは反比例の関係になる。
近年、移動体通信で使用される周波数は高周波化しており、これに伴って、IDT電極の電極指のピッチを狭くする必要が生じている。しかしながら、IDT電極の電極指のピッチを狭くすると、電位の異なる電極指間の絶縁抵抗が小さくなるため、弾性表面波装置にサージ電圧がかかった場合などに、電位の異なる電極指間でショートによる絶縁破壊が発生してしまう恐れがある。
一般に、IDT電極の電位の異なる電極指間の絶縁破壊は、空気中の経路よりも圧電基板を介した経路の方が発生しやすい。これは、空気よりも、圧電基板の方が、絶縁抵抗が小さいからである。
そこで、例えば、特開2001−85968号公報(特許文献1)に開示された弾性表面波装置では、IDT電極の電極指のピッチを狭くしても、サージ電圧等により電位の異なる電極指間でショートによる絶縁破壊が発生しないように、IDT電極の電極指の幅を、圧電基板と接している部分で小さな線幅(WS)とし、それ以外の部分で大きな線幅(WB)とする方法を採用している。
図8に、特許文献1に開示された電位の異なる電極指間の絶縁破壊を防止する方法を、後述する特開2005−102158号公報(特許文献2)に記載された弾性表面波装置200(図7参照)に適用した場合における、図7のX−X部分の断面を示している。
IDT電極102の電極指103a、103bは、圧電基板101と接している電極指下部層103fと、その上に形成された電極指上部層103sとの2層で構成されている。そして、電極指下部層103fは小さな線幅WSで構成され、電極指上部層目103sは大きな線幅WBで構成されている。なお、電極指下部層103fと電極指上部層103sとのこのような構造は、ドライエッチング法を用いることにより容易に形成することができる。
特許文献1に開示された方法によれば、高周波化のためにIDT電極の電極指のピッチPを小さくしても、電位の異なる電極指103a、103b間の絶縁抵抗を大きく保つことができる。
すなわち、ピッチPを小さくすると、電位の異なる電極指103a、103bの電極指上部層103s間の間隔Dsが小さくなる。しかしながら、間隔Dsの間には、絶縁抵抗の大きな空気が介在しているため、サージ電圧がかかっても、この部分でのショートによる絶縁破壊は起こりにくい。
一方、ピッチPを小さくしても、電位の異なる電極指下部層103f間の間隔Dfは大きなままにしておくことができる。この部分は、空気に比べて絶縁抵抗の小さい圧電基板101に接しているが、間隔Dfが小さくならないため、サージ電圧がかかっても、圧電基板101を経由したショートによる絶縁破壊は起こりにくい。
このように、特許文献1に開示された方法を適用すれば、高周波化のためにIDT電極の電極指のピッチPを小さくしても、電位の異なる電極指103a、103b間の絶縁抵抗を大きく保つことができる。
特開2001−85968号公報 特開2005−102158号公報
しかしながら、この方法を採用した場合、IDT電極と配線電極との電気的接続が不十分になる場合があるという問題があった。これを以下に示す。
弾性表面波装置において、特許文献2に開示されているような、配線電極を設ける場合がある。図7に、従来の弾性表面波装置200を示す。
圧電基板101上には、IDT電極102が形成されている。各IDT電極102は、電位の異なる1組の櫛歯状の電極指103a、103bと、バスバー104とを有する。各バスバー104には、配線電極105が接続されている。ここで、図7に示した特許文献2に記載の弾性表面波装置200に、特許文献1に開示された方法を適用した場合において、IDT電極102(バスバー104)と配線電極105との電気的接続が不十分になった状態を図9に示す。なお、図9は、図7のY−Y部分の断面を示している。
IDT電極102の電極指103a、103bを、電極指下部層103fの線幅WSを小さく、電極指上部層103sの線幅WBを大きく形成した場合(図8参照)、図9に示すように、バスバー104もバスバー下部層104fとバスバー上部層104sとの2層構造となり、バスバー104の外周縁において、バスバー下部層104fがバスバー上部層104sよりも凹んだ構造となる。
一般に、配線電極105はリフトオフ法で形成することが多い。すなわち、所望のパターン形状のレジストを被せたうえで、金属膜を成膜(蒸着)させて形成することが多い。しかしながら、配線電極105をリフトオフ法で形成する場合、バスバー104の外周縁においてバスバー下部層104fがバスバー上部層104sよりも凹んで形成されていると、バスバー104と配線電極105との電気的接続が不十分になってしまう場合があった。
すなわち、配線電極105をリフトオフ法により形成すると、成膜開始当初、圧電基板101上の配線電極105は、バスバー104の外周縁において、バスバー下部層104fと繋がらないまま成膜される。これは、バスバー下部層104fが凹んで形成されており、かつ、バスバー上部層104sが庇となった状態で成膜が開始するからである。
そして、成膜が進行すると、バスバー104上にも配線電極105が成膜されてゆくが、バスバー104上の配線電極105の端面は水平方向にも成長し、庇となって圧電基板101上の配線電極105の端面を覆ってゆく。この結果、圧電基板101上の配線電極105の端面は、成膜が進行するにしたがって、バスバー104から離れる方向に傾斜したテーパー状に形成される。
そして、圧電基板101上の配線電極105は、バスバー104と接続されないまま、またバスバー4上に成膜された配線電極105とも接続されないまま、成膜が終了する。すなわち、圧電基板101上の配線電極105と、バスバー104およびバスバー104上の配線電極105との間には、隙間Gが形成されてしまう。
この結果、IDT電極102(バスバー104)と配線電極105との電気的接続が不十分になってしまう場合があった。たとえば、IDT電極102と配線電極105とが完全に断線してしまう場合があった。また、IDT電極102と配線電極105とが完全に断線してしまわなくても、部分的に隙間Gが形成されてしまい、配線抵抗が増大してしまう場合があった。
本願発明は、上述した従来の課題を解決するためになされたものであり、その手段として本願発明に係る弾性表面波装置は、圧電基板と、圧電基板上に形成された櫛歯状の電極指を有するIDT電極と、IDT電極に接続された配線電極と、を備え、電極指は、長手方向に直交する断面において、下辺の線幅および上辺の線幅が、その電極指における最大の線幅よりも小さくなるようにした。このような構造にすれば、狭ピッチにしてもIDT電極の電位が異なる電極指間でショート破壊が起こりにくく、かつIDT電極と配線電極との電気的接続が確実になる。
電極指は、断面が、上辺から最大の線幅部分にかけて、テーパー状の辺を有する形状とすることが好ましい。この場合には、IDT電極と配線電極との電気的接続がより確実になる。
電極指は、圧電基板から最大の線幅部分までの高さを、電極指の高さの1/3以下にすることが好ましい。この場合にも、IDT電極と配線電極との電気的接続がより確実になる。
IDT電極は、少なくとも、圧電基板に接する接合層と、その接合層よりも上部に設けられた主電極層とを含む、複数の層からなるものとすることができる。
主電極層は、Al、Alを含む合金、Cu、Cuを含む合金のいずれかとすることが好ましい。この場合には、損失の小さい弾性表面波装置を得ることができる。
接合層は、Ti、Cr、Ni、NiCrのいずれかであることが好ましい。この場合には、圧電基板とIDT電極との接合強度を向上させることができる。
IDT電極は、例えば、リフトオフ法により形成することができる。
本願発明によれば、狭ピッチにしてもIDT電極の電位が異なる電極指間でショート破壊が起こりにくく、かつIDT電極と配線電極との電気的接続が確実な弾性表面波装置を得ることができる。
図1は、本発明の実施形態に係る弾性表面波装置100を示す平面図である。 図2は、弾性表面波装置100の断面図である。図2は、図1の一点鎖線A−A部分を示している。 図3は、弾性表面波装置100の電極指3a、3bを示す断面図である。 図4(A)〜(D)は、弾性表面波装置100の製造方法の一例において適用される工程を示す断面図である。各図は、図1の一点鎖線A−A部分に対応する。 図5(E)〜(G)は、図4の続きであり、工程を示す断面図である。各図は、図1の一点鎖線A−A部分に対応する。 図6(H)〜(J)は、図5の続きであり、工程を示す断面図である。各図は、図1の一点鎖線A−A部分に対応する。 図7は、特許文献2に開示された従来の弾性表面波装置200を示す平面図である。 図8は、弾性表面波装置200に、特許文献1に開示された電位の異なる電極指間の絶縁破壊を防止する方法を適用した場合を示す断面図である。図8は、図7の一点鎖線X−X部分を示す。 図9は、弾性表面波装置200に特許文献2に開示された電位の異なる電極指間の絶縁破壊を防止する方法を適用した場合において、IDT電極102(バスバー104)と配線電極105との電気的接続が不十分になった場合を示す断面図である。図9は、図7の一点鎖線Y−Y部分を示す。
以下、図面とともに、本発明の実施形態について説明する。
図1〜図3に、本発明の実施形態に係る弾性表面波装置100を示す。ただし、図1は平面図、図2は図1の一点鎖線A−A部分を示す断面図、図3はIDT電極の電極指の断面図である。
弾性表面波装置100は、圧電基板1を備える。圧電基板1は、例えば42°YカットのLiTaO3からなる。ただし、圧電基板1の材質やカット角はこれには限定されず、例えば、LiNbO3、Li247等の他の材質であっても良く、カット角も任意である。
圧電基板1上には、IDT電極2が形成されている。各IDT電極2は、電位の異なる1組の櫛歯状の電極指3a、3bと、バスバー4とを有する。なお、図1に示される‘λ’は、弾性表面波の波長である。
IDT電極2は、図2から分かるように、電極指3a、3bおよびバスバー4がいずれも2層に形成されている。ただし、電極指3a、3bおよびバスバー4の層数は2層には限られず、1層であっても良いし、3層以上であっても良い。
すなわち、IDT電極2の電極指3a、3bは、圧電基板1と接している電極指下部層3fと、その上に形成された電極指上部層3sとの2層で構成されている。IDT電極2のバスバー4も、圧電基板1と接しているバスバー下部層4fと、その上に形成されたバスバー上部層4sとの2層で構成されている。
電極指下部層3fおよびバスバー下部層4fは、圧電基板1との接合強度を向上させる接合層としての機能を果たしている。電極指下部層3fおよびバスバー下部層4fは、例えばTiからなる。ただし、材質はこれには限定されず、例えば、Cr、Ni、NiCr等であっても良い。
電極指上部層3sおよびバスバー上部層4sは、主電極層としての機能を果たしている。電極指上部層3sおよびバスバー上部層4sは、例えばAlCuからなる。ただし、材質はこれには限定されず、例えば、Al、Alを含む他の合金、Cu、Cuを含む他の合金等であっても良い。
図3に示すように、IDT電極2の電極指3a、3bは、長手方向に直交する断面を見た場合に、圧電基板1と接する下辺に線幅WDを有し、上辺に線幅WUを有する。そして、下辺の線幅WDおよび上辺の線幅WUは、電極指3a、3bにおける最大の線幅WMAXよりも小さい。
この結果、弾性表面波装置100においては、図2に示すように、電位の異なる電極指3a、3b間のピッチPを小さくしても、圧電基板1と接している部分の間隔Dfを維持しておくことができる。圧電基板1は空気に比べて絶縁抵抗が小さいが、弾性表面波装置100は、ピッチPを小さくしても間隔Dfを維持しておくことができるため、サージ電圧がかかっても、圧電基板1を経由したショートによる絶縁破壊は起こりにくい。したがって、弾性表面波装置100は、高周波化等のために電位の異なる電極指3a、3b間のピッチPを小さくしても、電位が異なる電極指3a、3b間でのショート破壊が起こりにくい。
弾性表面波装置100のバスバー4には、配線電極5が接続されている。図2から分かるように、本実施形態においては、配線電極5も、配線電極下部層5fと、その上に形成された配線電極上部層5sとの2層で構成されている。ただし、配線電極5の層数は任意であり、1層、または3層以上に構成しても良い。本実施形態においては、配線電極下部層5fは、例えばTiからなる。ただし、材質はこれには限定されず、例えば、Cr、Ni、NiCr等であっても良い。また、配線電極上部層5sは、例えばAlからなる。ただし、材質はこれには限定されず、例えば、Alを含む合金、Cu、Cuを含む合金等であっても良い。
弾性表面波装置100においては、バスバー4と配線電極5との電気的接続が確実である。これは、図2に示すように、バスバー4の配線電極5が接続される端面に、テーパーTが形成されているからである。すなわち、バスバー4の端面にテーパーTが形成されていると、配線電極5を例えばリフトオフ法で形成する場合、金属膜がテーパーT上にも成膜されて、圧電基板1上に成膜された金属膜と、バスバー4上に成膜された金属膜とを繋ぐ機能を果たすからである。弾性表面波装置100においては、配線電極5が、圧電基板1上からバスバー4上に、連続的に、途切れることなく形成される。
なお、バスバー4のテーパーTは、IDT電極2をリフトオフ法等により形成した場合に、電極指3a、3bの下辺の線幅WDおよび上辺の線幅WUを、電極指3a、3bにおける最大の線幅WMAXよりも小さくしたことに対応して形成される。すなわち、電極指3a、3bの上辺の線幅WUを最大の線幅WMAX部分よりも小さくしたことにより、電極指3a、3bの上辺から最大の線幅部分にかけてテーパー状の辺が形成されるが、IDT電極2をリフトオフ法等により形成した場合には、バスバー4の配線電極5が接続される端面にも、同時にテーパーTが形成される。
なお、電極指3a、3bの最大の線幅WMAX部分の高さH1は、電極指3a、3bの上辺までの高さH2の1/3以下にすることが好ましい。1/3を超えると、バスバー4のテーパーTと、圧電基板1との間の距離が大きくなりすぎて、バスバー4と配線電極5との電気的接続の信頼性が低下してしまう場合がある。
以下に、図4(A)〜図6(J)を参照して、本実施形態に係る弾性表面波装置100の製造方法の一例について説明する。なお、図4(A)〜図6(J)は、それぞれ、その製造方法に用いた工程を示す断面図であり、図1の一点鎖線A−A部分を示している。
まず、図4(A)に示すように、圧電基板1を準備する。
次に、図4(B)に示すように、圧電基板1上にポジレジスト6を塗布する。続いて、ポジレジスト6に対してクロロベンゼン処理をおこなう。
次に、図4(C)に示すように、ポジレジスト6上に、所望の開口パターン7aを有するフォトマスク7を配置する。
次に、図4(D)に示すように、フォトマスク7を介してポジレジスト6を露光する。このとき、露光量を、適正な露光量よりも少ない、アンダー露光の条件にしておく。
次に、図5(E)に示すように、ポジレジスト6を現像する。この結果、ポジレジスト6に、所望の形状からなる開口8が形成される。開口8の上部には、庇8aが形成される。庇8aは、圧電基板1上に塗布されたポジレジスト6に対するクロロベンゼン処理により、ポジレジスト6の表面が固くなったことにより形成される。開口8の底部には、裾8bが形成される。裾8bは、ポジレジスト6の露光の際に、露光量を、適正な露光量よりも少ない、アンダー露光の条件にしたことにより形成される。
次に、図5(F)に示すように、ポジレジスト6を介して、圧電基板1上に、真空蒸着により、厚さ10nmのTi層9、厚さ150nmのAlCu層10を順に形成する。この結果、ポジレジスト6の開口8内に、IDT電極2の電極指3a、3bとバスバー4とが形成される。このとき、開口8の上部に庇8aが形成され、底部に裾8bが形成されているため、電極指3a、3bの断面は、図3に示すように、下辺の線幅WDおよび上辺の線幅WUが、いずれも電極指3a、3bにおける最大の線幅WMAXよりも小さな形状となる。また、開口8の上部に庇8aが形成されているため、バスバー4の配線電極5が接続される端面にもテーパーTが形成される。
次に、図5(G)に示すように、ポジレジスト6を剥離する。この結果、圧電基板1の表面には、IDT電極2の電極指3a、3bとバスバー4とが残る。
次に、圧電基板1上にネガレジストを塗布する。続いて、所望の開口パターンを有するフォトマスクを介して露光し、さらに現像することにより、図6(H)に示すように、所望のパターンからなるネガレジスト11を形成する。ネガレジスト11はネガ型であるので、端面が逆テーパー形状になる。
次に、図6(I)に示すように、ネガレジスト11を介して、圧電基板1上に、真空蒸着により、厚さ100nmのTi層12、厚さ1000nmのAl層13を順に形成する。この結果、IDT電極2のバスバー4に接続された配線電極5が形成される。バスバー4の端面にテーパーTが形成されているため、バスバー4と配線電極5との電気的接続は確実である。
最後に、図6(J)に示すように、ネガレジスト11を剥離することにより、本実施形態に係る弾性表面波装置100が完成する。
以上の製造方法においては、リフトオフ法により弾性表面波装置100を製造しているため、ドライエッチング法などを用いて製造した場合に比べて、各材料の選択自由度が向上している。
以上、実施形態に係る弾性表面波装置100の構造、および、その製造方法の一例について説明した。しかしながら、本願発明が上述した内容に限定されることはなく、本願発明の趣旨に沿って種々の設計変更をなすことができる。
例えば、弾性表面波装置100では、圧電基板1上に1対のIDT電極2が形成されているが、弾性表面波装置の回路配置は任意であり、IDT電極2の数も1対には限られない。
また、弾性表面波装置100では、IDT電極2や配線電極5がそれぞれ2層に構成されているが、これらの層数は2層には限られない。IDT電極2の層数と配線電極5の層数とは異なっていても良い。また、IDT電極2や配線電極5の材質も任意であり、上述したものには限られない。
さらに、弾性表面波装置100では、IDT電極2のバスバー4において、IDT電極と配線電極5との電気的接続をはかっているが、これには限定されず、例えば、IDT電極2と電気的に繋がった接続電極を形成し、その接続電極と配線電極5とを電気的に接続するようにしても良い。
以上、本発明の実施の形態および変形例について説明したが、今回開示された実施の形態および変形例はすべての点で例示であって制限的なものではない。本発明の範囲は請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。
1:圧電基板、2:IDT電極、3a、3b:電極指、3f:電極指下部層、3s:電極指上部層、4:バスバー、4f:バスバー下部層、4s:バスバー上部層、5:配線電極、5f:配線電極下部層、5s:配線電極上部層、6:ポジレジスト、7:フォトマスク、8:開口、8a:庇、8b:裾、9:Ti層、10:AlCu層、11:ネガレジスト、12:Ti層、13:Al層。

Claims (7)

  1. 圧電基板と、前記圧電基板上に形成された櫛歯状の電極指とバスバーとを有するIDT電極と、前記バスバーに接続された配線電極と、を備えた弾性表面波装置であって、
    前記配線電極は、少なくとも一部が前記バスバー上に形成されており、前記電極指は、長手方向に直交する断面において、下辺の線幅および上辺の線幅が、当該電極指における最大の線幅よりも小さく、
    前記バスバーは、長手方向に直交する断面において、下辺の線幅および上辺の線幅が、前記バスバーにおける最大の線幅よりも小さい、弾性表面波装置。
  2. 前記バスバーにおける前記配線電極側の端面にテーパーが形成されている、請求項1に記載された弾性表面波装置。
  3. 前記電極指は、該圧電基板から前記電極指における最大の線幅部分までの高さが、前記電極指の高さの1/3以下である、請求項1または2に記載された弾性表面波装置。
  4. 前記バスバーは、該圧電基板から前記バスバーにおける最大の線幅部分までの高さが、前記電極指の高さの1/3以下である、請求項1から3のいずれか1項に記載された弾性表面波装置。
  5. 前記電極指、又は/及び、前記バスバーが、少なくとも、前記圧電基板に接する接合層と、当該接合層よりも上部に設けられた主電極層とを含む、複数の層からなる、請求項1ないしのいずれか1項に記載された弾性表面波装置。
  6. 前記主電極層が、Al、Alを含む合金、Cu、Cuを含む合金のいずれかである、請求項に記載された弾性表面波装置。
  7. 前記接合層が、Ti、Cr、Ni、NiCrのいずれかである、請求項またはに記載された弾性表面波装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018014715A (ja) * 2016-07-06 2018-01-25 京セラ株式会社 弾性波素子、フィルタ素子および通信装置
JOP20200074A1 (ar) 2017-10-16 2020-04-30 Eisai R&D Man Co Ltd أجسام مضادة ضد tau واستخداماتها
CN115699573A (zh) * 2020-06-03 2023-02-03 株式会社村田制作所 弹性波装置

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04369912A (ja) 1991-06-18 1992-12-22 Nikko Kyodo Co Ltd 弾性表面波素子
JP2001085968A (ja) 1999-09-16 2001-03-30 Murata Mfg Co Ltd 弾性表面波素子およびその製造方法
AU2002361093A1 (en) * 2001-12-28 2003-07-24 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Surface acoustic wave device, electronic component using the device, and composite module
JP4419732B2 (ja) 2003-09-02 2010-02-24 株式会社村田製作所 弾性表面波装置およびその製造方法
EP1947764B1 (en) * 2005-09-20 2011-04-06 Kyocera Corporation Acoustic surface wave element and acoustic surface wave device
JP4906536B2 (ja) * 2007-02-27 2012-03-28 京セラ株式会社 弾性表面波素子及び弾性表面波装置
JP4638530B2 (ja) 2008-08-19 2011-02-23 日本電波工業株式会社 圧電部品及びその製造方法
JP4944145B2 (ja) 2009-03-19 2012-05-30 太陽誘電株式会社 圧電薄膜共振子、フィルタ、通信モジュール、通信装置
WO2011058930A1 (ja) 2009-11-13 2011-05-19 株式会社村田製作所 弾性波素子及びその製造方法
JP5413160B2 (ja) 2009-12-02 2014-02-12 株式会社村田製作所 弾性波装置
JP2011124745A (ja) * 2009-12-10 2011-06-23 Taiyo Yuden Co Ltd 弾性波デバイスおよびその製造方法
CN102893521B (zh) 2010-05-19 2015-08-12 株式会社村田制作所 声表面波装置
WO2012036178A1 (ja) * 2010-09-17 2012-03-22 株式会社村田製作所 弾性波装置
JPWO2012102131A1 (ja) * 2011-01-27 2014-06-30 京セラ株式会社 弾性波素子およびそれを用いた弾性波装置
US9350320B2 (en) * 2011-03-28 2016-05-24 Kyocera Corporation Acoustic wave element and acoustic wave device using same
KR101664858B1 (ko) 2012-02-06 2016-10-11 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 필터 장치

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