JP2010206246A - 弾性波デバイス、デュープレクサ、通信モジュール、通信装置、弾性波デバイスの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】圧電基板1と、圧電基板1上に配された櫛形電極2と、櫛形電極2間に配された第1の誘電体膜4と、櫛形電極2と第1の誘電体膜4を覆う第2の誘電体膜5とを備える弾性波デバイスであって、第1の誘電体膜4上に調整膜6を備え、調整膜6は第1の誘電体膜4及び第2の誘電体膜5に対して比重が大きい材料で形成されている。
【選択図】図2
Description
〔1.弾性波デバイスの構成〕
図1は、本発明の実施形態にかかる弾性波デバイスの平面図である。図2は、図1におけるZ−Z部の断面図である。図1に示す弾性波デバイスは、その一例である1ポート共振器である。また、図1において、櫛形電極の構造を明確に図示するために、櫛形電極の上部に成膜される誘電体膜などの図示は省略した。
そのため、上記のように調整膜6の厚さD1を調整して電気機械結合係数k2を変化させることによって。弾性波デバイスの周波数特性を調整することができる。なお、上記式は一例である。
携帯電話端末、PHS(Personal Handy-phone System)端末、無線LANシステムなどの移動体通信(高周波無線通信)には、デュープレクサが搭載されている。デュープレクサは、通信電波などの送信機能及び受信機能を持ち、送信信号と受信信号の周波数が異なる無線装置において用いられる。
図11は、本実施の形態にかかる弾性波デバイスを備えた通信モジュールの一例を示す。図11に示すように、デュープレクサ62は、受信フィルタ62aと送信フィルタ62bとを備えている。また、受信フィルタ62aには、例えばバランス出力に対応した受信端子63a及び63bが接続されている。また、送信フィルタ62bは、パワーアンプ64を介して送信端子65に接続している。ここで、デュープレクサ62には、本実施の形態にかかる弾性波デバイスを備えたデュープレクサで実現することができる。
図12は、本実施の形態にかかる弾性波デバイス、デュープレクサ、または前述の通信モジュールを備えた通信装置の一例として、携帯電話端末のRFブロックを示す。また、図12に示す構成は、GSM(Global System for Mobile Communications)通信方式及びW−CDMA(Wideband Code Division Multiple Access)通信方式に対応した携帯電話端末の構成を示す。また、本実施の形態におけるGSM通信方式は、850MHz帯、950MHz帯、1.8GHz帯、1.9GHz帯に対応している。また、携帯電話端末は、図12に示す構成以外にマイクロホン、スピーカー、液晶ディスプレイなどを備えているが、本実施の形態における説明では不要であるため図示を省略した。ここで、デュープレクサ73は、本実施の形態にかかる高周波デバイスを備えたデュープレクサで実現することができる。
本実施の形態によれば、第1の誘電体膜4上に調整膜6を備え、さらに調整膜6を少なくとも第1の誘電体膜4及び第2の誘電体膜5の比重よりも大きい比重を有する材料で形成したことにより、容易に電気機械結合係数k2や周波数特性などを調整することができる。例えば、デバイスが完成品に近い状態で電気機械結合係数k2や周波数特性などを調整可能となる。その結果、デバイスの製造歩留まりを向上させることができ、より低コストの弾性波デバイスを実現することができる。
2 櫛形電極
4 第1の誘電体膜
5 第2の誘電体膜
6 調整膜
Claims (8)
- 圧電基板と、
前記圧電基板上に配された櫛形電極と、
前記櫛形電極間に配された第1の誘電体膜と、
前記櫛形電極と前記第1の誘電体膜を覆う第2の誘電体膜とを備える弾性波デバイスであって、
前記第1の誘電体膜上に調整膜を備え、
前記調整膜は、前記第1の誘電体膜及び前記第2の誘電体膜に対して比重が大きい材料で形成されている、弾性波デバイス。 - 前記調整膜は、前記第1の誘電体膜及び前記第2の誘電体膜に対して音速が異なる材料で形成されている、請求項1記載の弾性波デバイス。
- 前記調整膜は、前記櫛形電極の材料よりエッチング速度が速い材料で形成されている、請求項1記載の弾性波デバイス。
- 圧電基板上に第1の誘電体膜を成膜する工程と、
前記第1の誘電体膜上に調整膜を形成する工程と、
前記調整膜上にレジストパターンを形成する工程と、
前記調整膜及び前記第1の誘電体膜における、前記レジストパターンで覆われていない部分を除去し開口部を形成する工程と、
前記開口部に電極膜を成膜する工程と、
前記レジストパターンを除去する工程と、
当該弾性波デバイスの評価を行い、評価結果に基づき前記調整膜を部分的に除去する工程と、
前記電極膜及び前記調整膜上に第2の誘電体膜を形成する工程とを含む、弾性波デバイスの製造方法。 - 弾性波デバイスの評価を行う工程は、
当該弾性波デバイスの周波数特性を測定する工程と、
前記周波数特性に基づき電気機械結合係数を算出する工程と、
前記電気機械結合係数と目標値とを比較する工程と、
前記電気機械結合係数と前記目標値との差分に基づき、エッチング条件を設定する工程と、
前記エッチング条件に基づき、調整膜をエッチング処理する工程とを含む、請求項7記載の弾性波デバイスの製造方法。 - 請求項1〜3のうちいずれか一項に記載の弾性波デバイスを備えた、デュープレクサ。
- 請求項1〜3のうちいずれか一項に記載の弾性波デバイス、または請求項6に記載のデュープレクサを備えた、通信モジュール。
- 請求項1〜3のうちいずれか一項に記載の弾性波デバイス、請求項6に記載のデュープレクサ、または請求項7に記載の通信モジュールを備えた、通信装置。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013081026A1 (ja) * | 2011-12-01 | 2013-06-06 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置 |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102011011377B4 (de) * | 2011-02-16 | 2016-05-25 | Epcos Ag | Mit akustischen Wellen arbeitendes Bauelement |
CN103296992B (zh) * | 2013-06-28 | 2016-02-10 | 中国电子科技集团公司第二十六研究所 | 薄膜体声波谐振器结构及其制造方法 |
CN107196623B (zh) * | 2016-03-15 | 2021-03-12 | 络达科技股份有限公司 | 具主动校准机制的声波装置 |
CN109756203B (zh) * | 2018-11-28 | 2020-12-15 | 广州市艾佛光通科技有限公司 | 一种fbar谐振频率和振荡薄膜各层厚度对应关系建立方法 |
US11177791B2 (en) * | 2019-02-01 | 2021-11-16 | Qorvo Us, Inc. | High quality factor transducers for surface acoustic wave devices |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004112748A (ja) * | 2002-07-24 | 2004-04-08 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波装置及びその製造方法 |
JP2007235711A (ja) * | 2006-03-02 | 2007-09-13 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波装置 |
JP2007251710A (ja) * | 2006-03-17 | 2007-09-27 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波装置 |
WO2007138844A1 (ja) * | 2006-05-30 | 2007-12-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 弾性波装置 |
WO2008087836A1 (ja) * | 2007-01-19 | 2008-07-24 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 弾性境界波装置の製造方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1998052279A1 (fr) | 1997-05-12 | 1998-11-19 | Hitachi, Ltd. | Dispositif a onde elastique |
JP3317273B2 (ja) | 1998-08-25 | 2002-08-26 | 株式会社村田製作所 | 表面波共振子、フィルタ、共用器、通信機装置 |
DE10302633B4 (de) | 2003-01-23 | 2013-08-22 | Epcos Ag | SAW-Bauelement mit verbessertem Temperaturgang |
JP3894917B2 (ja) | 2003-11-12 | 2007-03-22 | 富士通メディアデバイス株式会社 | 弾性境界波デバイス及びその製造方法 |
CN100563100C (zh) * | 2004-03-02 | 2009-11-25 | 株式会社村田制作所 | 表面声波装置 |
KR100804407B1 (ko) * | 2004-03-29 | 2008-02-15 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 탄성 경계파 장치의 제조방법 |
JP4943787B2 (ja) * | 2006-09-13 | 2012-05-30 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイス、共振器およびフィルタ |
JP4917396B2 (ja) | 2006-09-25 | 2012-04-18 | 太陽誘電株式会社 | フィルタおよび分波器 |
JP4836748B2 (ja) | 2006-10-27 | 2011-12-14 | 京セラ株式会社 | バルク音響波共振子及びフィルタ装置並びに通信装置 |
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004112748A (ja) * | 2002-07-24 | 2004-04-08 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波装置及びその製造方法 |
JP2007235711A (ja) * | 2006-03-02 | 2007-09-13 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波装置 |
JP2007251710A (ja) * | 2006-03-17 | 2007-09-27 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波装置 |
WO2007138844A1 (ja) * | 2006-05-30 | 2007-12-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 弾性波装置 |
WO2008087836A1 (ja) * | 2007-01-19 | 2008-07-24 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 弾性境界波装置の製造方法 |
Cited By (2)
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