CN1162961C - 声表面波设备的制造方法 - Google Patents

Abstract

一种声表面波设备的制造方法，包含步骤：形成第一导电薄膜；沉淀第一抗蚀膜；和使第一抗蚀膜形成图案；去掉设置导电薄膜；在压电基片的整个表面上沉淀第二抗蚀膜，和加热第二抗蚀膜，使第二声表面波装置的电极位置上的第二抗蚀膜形成图案；形成第二导电薄膜；通过剥离法去掉第二抗蚀膜，以形成第二声表面波装置的电极，并使第一声表面波装置的电极暴露；和使第一声表面波装置中的短路的布线电极分开。

Description

声表面波设备的制造方法

技术领域

本发明涉及一种通过在同一压电基片上形成多个具有不同厚度的电极薄膜的声表面波装置而构成的声表面波设备的制造方法，例如，涉及一种将多个具有不同频带的声表面波滤波器装置设置在压电基片上的声表面波设备的制造方法。

背景技术

近年来，在诸如移动电话之类的移动通信设备中，为了实现高性能，已经开始考虑支持多频带发送的设备。另外，移动电话的发送频率更高了。

因此，能够在800MHz频带工作的移动电话以及具有1.5GHz或更高频带的移动电话需要各自对应于两个不同频带的RF带通滤波器。

为了实现诸如这种类型的移动电话之类的终端设备的小型化和降低总重量，必须实现使安装在其中的元件小型化。但是，由于对于元件能怎样小是有限制的，因此强烈地希望单个的元件执行两个RF带通滤波器的功能。

在第10-190390号日本未审查专利公告中，揭示了一种声表面波设备的制造方法，其中，将多个声表面波滤波器装置设置在同一压电基片上。

图10A到10E是说明根据上述相关技术的声表面波设备的制造方法的截面图。在此相关技术中描述的方法里，在压电基片103上形成导电薄膜104，然后沿导电薄膜104的整个表面形成抗蚀膜。

使抗蚀膜形成图案，从而形成抗蚀层105(图10A)。干蚀刻形成第一声表面波装置的电极101a(图10B)。此后，使抗蚀膜沉淀并形成图案，从而在设置第二声表面波装置的部分上形成抗蚀层106’。在这种情况下，用抗蚀层106覆盖设置第一声表面波装置的部分(图10c)。另外，如图10D和10E所示，在抗蚀层106和106’上整个地形成导电薄膜107，然后进行剥离，使导电薄膜107层叠在表面上，以形成第二声表面波装置的电极102a。

根据这种方法，在由抗蚀膜保护第一电子元件装置的电极的情况下，通过光刻或蚀刻形成第二电子元件装置的电极。相应地，当形成第一和第二电子元件装置的电极时，不需要高的精确度。由此，当将这种方法用于制造声表面波设备时，虽然电极指的宽度细得接近于1um，但是仍能增加设备的制造效率百分比。

但是在相关技术中的方法里，在最初形成第一声表面波装置的电极101a时执行的干蚀刻也在压电基片103上构成第二声表面波装置的区域上执行。即，由图10(b)中的箭头A表示的区域也受到干蚀刻。

当在电极指节距接近于1μm或更小的情况下执行干蚀刻时，由于微负荷现象，微间隙部分最后蚀刻。在干蚀刻中，当在电极上执行蚀刻之后，跟着一般是过腐蚀。

因此，当形成第一声表面波装置的电极101a时，在由箭头A表示的区域中先完成蚀刻。相应地，对于由箭头A表示的区域的压电基片的表面，需要更长的时间暴露于诸如F之类在执行包括过腐蚀在内的干蚀刻时所使用的等离子体。由于由箭头A表示的基片的表面暴露于等离子体相对更长时间，故而有一个问题，即第二声表面波装置的插入损失裂化，并且VSWR增加。

另外，由于由箭头A表示的区域也受到蚀刻，故蚀刻区域增加。相应地，当由母压电基片构成多个声表面波设备时，有一个问题，即在母压电基片中声表面波设备的特性的变化增加。

另外，当将根据上述相关技术的制造方法应用于使用具有热电性的压电基片来制造声表面波设备的方法时，产生如下的问题：

即，一般地，当抗蚀膜沉淀时，为了改善抗蚀膜图案对于等离子体的粘着和抗蚀性，常常加热抗蚀膜。但是，当使用具有电热性的压电基片时，由于抗蚀膜加热过程中温度的变化，在构成第一声表面波装置的IDT(叉指式换能器)电极的一对梳形电极之间产生电压降，从而引起放电。这种放电有时在电极中产生热电破坏。即使放电太小以致不引起热电破坏，抗蚀膜有时仍会破裂，这在用于构成声表面波装置的电极的剥离处理之后，引起第一声表面波装置的IDT电极中的短路。

发明内容

为了克服上述问题，本发明的较佳实施例提供了一种声表面波设备的制造方法，其中，即使通过在同一压电基片上形成具有不同厚度的电极而将热电基片用于构成多个声表面波装置，仍然防止了短路或其它缺点的发生，并防止在随后形成的声表面波装置的电极区域中发生压电基片的裂化，并防止了插入损失的裂化和VSWR特性的裂化。

根据本发明的第一较佳实施例，在一个单块压电基片上包含第一和第二声表面波装置的声表面波设备的制造方法(其中，所述第一和第二声表面波装置具有其厚度互不相同的叉指式换能器)包含以下步骤：设置压电基片；在所述压电基片整个表面上形成第一导电薄膜；在所述第一导电薄膜的整个表面上沉积第一抗蚀膜，并在第一抗蚀膜上执行形成图案处理和干蚀刻，以在所述压电基片上形成第一声表面波装置的IDT电极，在所述IDT电极的梳形电极之间建立电气连接的短路的布线电极，以及设置在包括构成第二声表面波装置的整个部分在内的区域中的导电薄膜；执行湿蚀刻以去掉包含构成第二声表面波装置的整个部分在内的区域中的导电薄膜；在所述压电基片整个表面上沉淀第二抗蚀膜，并加热基片；在设置有第二声表面波装置的电极的位置去掉第二抗蚀膜，形成第二导电薄膜，该导电薄膜的薄膜厚度与第二声表面波装置的电极薄膜厚度相同；剥离第二抗蚀膜，和第二抗蚀膜上沉淀的第二导电薄膜，形成第二声表面波装置的电极，同时使第一声表面波装置的电极暴露，并断开第一声表面波装置中短路的布线电极。本申请的第二较佳实施例提供了一种在单个压电基片上包括第一和第二声表面波装置的声表面波设备的制造方法(其中所述第一和第二声表面波装置具有厚度互不相同的叉指式换能器)包含以下步骤：设置压电基片；在所述压电基片的整个表面上形成第一抗蚀膜；在要形成第一声表面波装置的电极的区域，以及要形成使第一声表面波装置的IDT电极的梳形电极之间短路的布线电极的区域去掉所述第一抗蚀膜；形成其薄膜厚度与第一声表面波装置的电极薄膜厚度基本上相同的第一导电薄膜；剥离第一抗蚀膜和所述第一抗蚀膜上沉积的第一导电薄膜，从而形成第一声表面波装置的电极和布线电极；在所述压电基片的整个表面上沉淀第二抗蚀膜，并加热基片；去掉形成第二声表面波装置的电极的区域的第二抗蚀膜；沉淀第二导电薄膜，其薄膜厚度基本上与第二声表面波装置的电极薄膜厚度相同；剥离第二抗蚀膜和沉淀在所述第二抗蚀膜上的第二导电薄膜，从而形成第二声表面波装置的电极；和使第一声表面波装置中的布线电极断开。

本发明的第三较佳实施例提供了一种在单个压电基片上包含第一和第二声表面波装置的声表面波设备的制造方法(其中所述第一和第二声表面波装置具有厚度互不相同的叉指式换能器)，包含以下步骤：设置压电基片；在所述压电基片的整个表面上沉淀第一抗蚀膜；在要形成第一和第二声表面波装置的电极的区域去掉第一抗蚀膜；在所述压电基片的整个表面上形成第一导电薄膜，所述第一导电薄膜的薄膜厚度与第二声表面波装置的电极薄膜厚度基本上相同；沉淀第二抗蚀膜；去掉至少要形成第一声表面波装置的电极的区域的第二抗蚀膜，所述区域不包括设置有第二声表面波装置的部分；沉淀第二导电薄膜，其薄膜厚度与第一声表面波装置的电极薄膜厚度基本上相同；和同时剥离第一抗蚀膜，第二抗蚀膜和层叠在它们上面的导电薄膜。

较好地，将负型抗蚀膜用作本发明的第三较佳实施例独立中的第一抗蚀膜。

在本发明的第三较佳实施例独立的另一个修改中，较好地，将正型抗蚀膜用作第一抗蚀膜，并将负型抗蚀膜用作第二抗蚀膜。在剥离处理中，用于分离第一和第二抗蚀膜的分离液是共用的。

在根据本发明的各种较佳实施例的声表面波设备的制造方法中，当在同一压电基片上形成具有不同电极薄膜厚度的第一和第二声表面波装置时，在形成第一声表面波装置的IDT电极时，在IDT电极的输入/输出端与接地端之间形成用于电气连接的短路的布线电极。在形成第二声表面波滤波器装置的IDT电极之后，短路的布线电极断开。由此，沉淀第二抗蚀膜，并由于加热使第二抗蚀膜粘着力和对热的抵抗力增加，必定防止了第一声表面波滤波器装置的IDT电极中的短路。

因此，当防止了第一声表面波滤波器装置的IDT电极的故障时，可高精确度地形成第二声表面波滤波器的电极。

在本发明的第一较佳实施例中，当在形成第一声表面波滤波器装置的IDT电极过程中进行干蚀刻时，由第一抗蚀膜保护形成有第二声表面波滤波器装置的压电基片部分。在干蚀刻之后，使用湿蚀刻法去掉设置在包括形成第二声表面波装置部分在内的区域的导电薄膜相应地，可防止压电基片的形成第二声表面波装置的区域受到用于干蚀刻中的诸如F等等离子体的影响。这确实可靠地防止了第二声表面波滤波器装置的插入损失和VSWR的裂化。

在根据本发明的第二和第三较佳实施例的制造方法中，当在压电基片上形成具有不同电极薄膜厚度的第一和第二声表面波装置时，使用剥离法形成第一声表面波滤波器装置的电极，然后由抗蚀膜保护形成第二声表面波滤波器装置的区域。由此，和使用干蚀刻方法形成第一声表面波滤波器装置的传统方法相比，可靠地防止了第二声表面波滤波器装置的插入损失和VSWR的裂化。

另外，根据本发明的第三较佳实施例，由于不需要增加在第二光刻处理中的精确度，抗蚀膜的加热温度非常低，这防止了热电破坏的发生。因此，由于不需要形成短路的布线电极和断开处理，可以简化制造工艺。

另外，由于在形成第一和第二声表面波滤波器装置的电极的最后处理中同时进行剥离，故而可简化工艺。

通过使第一和第二抗蚀膜的极性不同，当在第二抗蚀膜上形成图案时，可防止第一抗蚀膜的变形。这增加了第一声表面波滤波器装置的电极精确度。

为了说明本发明，附图中示出目前较好的几种形式，但是应当知道，本发明不限于所示的精确的安排和手段。

从下面参照附图对本发明的较佳实施例的详细描述，其它特点、特征和元素以及优点是显然的。

附图说明

图1A到1F是说明根据本发明的较佳实施例的制造方法的截面图；

图2A到2D是说明根据本发明的第一较佳实施例的制造方法的每一个步骤的平面图；

图3是说明根据传统方法得到的声表面波设备的声表面波滤波器装置的插入损失-频率特性的曲线图；

图4是说明使用传统方法得到的声表面波设备的第二声表面波滤波器的VSWR的曲线图；

图5是说明根据本发明的第一较佳实施例的声表面波设备的第二声表面波滤波器装置的插入损失-频率特性的曲线图；

图6是说明根据本发明的第一较佳实施例的声表面波设备的声表面波滤波器装置的VSWR特性的曲线图；

图7A到7F是各自说明根据本发明的第二较佳实施例的制造方法的截面图；

图8是说明在第二较佳实施例中，在形成抗蚀膜的情况下，抗蚀膜的较好的形状的概略的侧视图；

图9A到9E是说明根据本发明的第三较佳实施例的制造方法的概略截面图；

图10A到10E是说明传统声表面波设备的制造方法的截面图。

下面，为了描述本发明，参照附图说明本发明的较佳实施例。

具体实施方式

图1A到1F分别是说明根据本发明的较佳实施例的声表面波设备的制造方法的截面图。

在本较佳实施例中，制造图1F中以截面图形式示出的声表面波设备。如图1F所示，在这种声表面波设备中，声表面波滤波器装置1包含电极1a，而第二声表面波装置2包含电极2a，其中，包含电极1a和2a的声表面波装置1和2设置在公共压电基片3上。图1示出的声表面波滤波器装置1和2最好如图2D所示，具有基本上平面的形状。即，将IDT电极1a和位于IDT电极1a的表面波传播方向的两端上的反射器1c和1d设置在压电基片3上，由此确定第一声表面波滤波器装置。将IDT电极2a和安排在IDT电极2a的表面波传播方向两端的反射器2c和2d设置在压电基片3上，由此确定第二声表面波滤波器装置。

每一个IDT电极的厚度最好比每一个IDT电极2a的厚度更厚。

IDT电极1a和2a包含一对具有相互交叉的电极指的梳形电极。将布线电极1b设置在声表面波滤波器装置1内。在图2D中，不连接布线电极1b。在如图2C所示的状态下，如下所述，将布线电极1b电气连接到IDT电极1a的梳形电极和反射器。

开始，如图1A所示，在压电基片3的整个表面上形成导电薄膜4，该导电薄膜4的薄膜厚度基本上与第一声表面波滤波器的每一个IDT电极1a的薄膜厚度相同。压电基片3可由压电单晶(诸如LiTaO₃、LiNbO₃、晶体、焦硼酸锂或兰加塞特(langasite))或者压电陶瓷(诸如锆钛酸铅系列陶瓷)构成。

或者，可以通过在由诸如氧化铝或其它适当材料制成的绝缘材料制成的绝缘基片上形成诸如ZnO之类的压电薄膜构成压电基片3。

可使用诸如铝等抵挡材料构成导电薄膜4。为了形成导电薄膜4，可使用诸如蒸发、溅射或电镀等适当方法。接着，在导电薄膜4的整个顶表面上形成正型第一光致抗蚀层。使用具有屏蔽部分的掩模使第一光致抗蚀层暴露，该屏蔽部分对应于第一声表面波滤波器装置的每一个IDT电极1a的形状，和第二声表面波滤波器装置2的整个区域(包括形成第二声表面波滤波器2的反射器在内所有的电极的部分)。此后，将暴露的抗蚀膜部分去掉。

结果，如图1A所示，可得到具有图案的抗蚀膜5。如从图1A显然的，执行形成图案的处理，从而抗蚀膜5的形状对应于形成声表面波滤波器装置1的IDT电极1a(见图1F)和布线电极1b的部分，并且从而抗蚀膜5在包括其上形成有声表面波滤波器装置2的电极的整个区域的区域中得以保留，如图1A的右边部分所示。

接着，可使用能够去掉导电薄膜4而不影响抗蚀膜5的蚀刻剂进行蚀刻。

此后，如图2B所示，去掉抗蚀膜5，导致形成IDT电极1a、布线电极1b和导电薄膜2b。图2A示出这种状态的平面图。

如从图1B和图2A显然的，在上述处理之后，形成第一声表面波滤波器装置1的IDT电极1a、反射器1和1d以及布线电极1b。声表面波滤波器装置2包括形成其电极的区域在内的整个区域上形成导电薄膜2。可通过使用诸如F或Cl之类的等离子体或其它适当的材料的干蚀刻进行蚀刻。

当进行蚀刻时，压电基片3上形成第二声表面波滤波器装置的电极的区域由导电薄膜2b覆盖。相应地，当进行干蚀刻时，由压电基片3由导电薄膜2b覆盖的顶表面部分不会受到损坏。接着，将正型光致抗蚀膜沉淀在压电基片3的整个表面上。在构成第二声表面波滤波器装置2的一侧上，将掩模层叠在抗蚀膜上并使其暴露，其中掩模中对应于导电薄膜2b的区域被设置为开口。去掉暴露的抗蚀膜部分，而且，通过湿蚀刻去掉导电薄膜2b。另外，去掉剩余的抗蚀膜，能够去掉导电薄膜2b，如图1C所示。由于如上所述的，使用湿蚀刻去掉导电薄膜2b，因而压电基片3的顶表面在形成有导电薄膜2b的区域中几乎不受到损害。

图2B示出这种状态的平面图。接着，使正型第二光致抗蚀膜沉淀在压电基片3的整个表面上。在构成有第二声表面波滤波器装置2的一侧上，将一掩模层叠在光致抗蚀膜上，并暴露，其中该掩模的形成诸如IDT电极或反射器的元件是开口部分。在这种阶段，大大增加了光致抗蚀膜的粘着和对热的抵抗力。

由于布线电极1b使IDT电极的一对梳形电极短路，故在IDT电极的梳形电极之间不发生放电。相应地，防止了对IDT电极1a和抗蚀膜的损坏。

更具体地说，将布线电极1b连接到输入/输出垫片13和14以及反射器1d。输入/输出垫片13和14都电气连接到IDT电极1a相应的梳形电极。

此后，去掉暴露的抗蚀膜部分，由此，如图1D所示，可得到形成有图案的第二光致抗蚀膜6。如从图1D显然的，在第一声表面波滤波器装置1的一侧上，由具有图形的光致抗蚀膜6涂敷并保护IDT电极1a、布线电极1b和其它元件。在第二声表面波滤波器装置的一侧上，在除了形成有第二声表面波滤波器装置的IDT电极2a的部分以外的部分上形成具有图形的光致抗蚀膜6。

此后，如图1E所示，将导电薄膜7层叠在光致抗蚀膜6的整个表面上，并最好具有基本上和第二声表面波滤波器装置2的IDT电极2a相同的薄膜厚度。

接着，通过剥离，将沉淀在光致抗蚀膜6上的导电薄膜7与光致抗蚀膜6一起去掉。这一状态示于图2C的平面图中。

如上所述，在第二声表面波滤波器装置2侧上形成IDT电极2a、反射器2c和2d，以及输入/输出垫片23和24。

接着，如图2D所示，布线电极1b在箭头B所指的部分断开。由此可以得到根据本较佳实施例的声表面波滤波器设备，它以截面图案式概略地示于图1F中，并以平面图案式示于图2D中。

可使用光致抗蚀膜，通过光蚀刻法或激光或其它方法使布线电极1b断开。

如上所述，在同一压电基片3上设置第一和第二声表面波滤波器1和2，它们包含具有不同厚度的IDT电极。

另外，在根据本较佳实施例的制造方法中，当形成第一声表面波滤波器装置1的电极1a时，最好使用等离子体执行干蚀刻。在此过程中，其中形成有第二声表面波滤波器装置的区域由导电薄膜2b覆盖，以便受到保护。相应地，几乎不发生压电基片的裂化。

另外，在形成第一和第二声表面波滤波器1和2过程中，最初形成第一声表面波滤波器装置的IDT电极1a。布线电极1b使IDT电极1a的一对梳形电极和反射器相互连接，并短路。因此，即使由于加热或其它条件增加了粘着和对热的抵抗力，但由于几乎不发生放电，可靠地防止了IDT电极断开或短路或其它缺点。

如上所述，通过形成具有某一个尺寸(例如1.5mm×2.1mm×0.35mm＝1.10mm³)的声表面波滤波器装置得到声表面波设备。测量第二声表面波滤波器装置的幅值特性和反射特性。为了比较，在使用上述传统方法得到的声表面波设备中测量第二声表面波滤波器装置的振幅特性和反射特性。图3到图6示出结果。图3和图5中的虚线表示由纵轴右侧宽度扩大的特性。在图4和图6中，实线表示输入端特性，虚线表示输出端特性。

图3和图4示出使用传统方法得到的声表面波设备的第二声表面波滤波器装置的振幅特性和反射特性，这种设备用于比较。图5和图6示出上述较佳实施例中得到的声表面波设备的第二声表面波滤波器装置的振幅特性和反射特性。

如从图3、图4、图5和图6的结果的比较显然的，根据本较佳实施例的制造方法，清楚地看到，大大改善了插入损失和VSWR。

图3到图6表示的结果示于下面的表1中。

                               表1

	传统方法(平均/σ	目前较佳实施例(平均/σ)	目前的差
				最小插入损失	1.42dB/0.06	1.27dB/0.06	0.15dB
VSWR	2.30/0.11	1.87/0.05	0.43

图7A到7F是说明根据本发明的第二较佳实施例的声表面波设备的制造方法的各个截面图。与第一较佳实施例中它们的对应部分相同的元件指定为具有与对应的元件相同的标号，并且省略了对相同元件的详细描述。

在第二较佳实施例中，制造与第一较佳实施例具有相同构造的声表面波设备。

开始，将第一光致抗蚀膜沉淀在压电基片的整个顶表面上。将一掩模层叠在该抗蚀层上，并使其暴露，其中该掩模中屏蔽部分是形成第一声表面波滤波器装置1的电极1a的部分。接着，如图7A所示，通过去掉暴露的抗蚀膜，得到具有图案的抗蚀膜5。如此形成图案，从而在设置有短路布线电极1b的部分中没有抗蚀膜5。在包括形成有第二声表面波滤波器装置的电极的整个区域在内的部分保留抗蚀膜5。

接着，在压电基片3的整个表面上形成导电薄膜，其薄膜厚度基本上与第一声表面波滤波器装置的IDT电极的薄膜厚度相同。

此后，通过剥离，将抗蚀膜5上层叠的导电薄膜4与抗蚀膜5一起去掉。形成IDT电极1a与布线电极1b(图7C)。在这种情况下，虽然图7中没有示出，但是以相同的方式形成如图2D所示的反射器1c和1d。在构成第二声表面波滤波器装置2的区域中形成电极薄膜。

如上所述，由于使用剥离法形成第一声表面波滤波器装置1的IDT电极1a和布线电极，故而压电基片3上形成有第二声表面波滤波器装置的电极的区域不受到干蚀刻，这排除了对压电基片3的破坏。

此后，最好将正型第二光致抗蚀膜沉淀在压电基片3的整个顶表面上。接着，在形成有第二声表面波滤波器装置2的一侧，在抗蚀膜上层叠一掩模，并使其暴露，其中该掩模中的诸如某一个IDT电极2a或反射器2c或2d等图案部分用作开口。在这种阶段，对抗蚀膜6的加热处理大大增加了其粘着性和对热的抵抗力。

在抗蚀膜6的加热中，由于第二声表面波滤波器装置1侧上的电极(诸如IDT电极1a和布线电极1b)由抗蚀膜6涂敷，故而在第一声表面波滤波器装置1侧上，压电基片3的顶表面几乎不受破坏。

与第一较佳实施例中相同，由于布线电极1b引起输入/输出垫片13和14，以及反射器1c和1d短路，在加热的过程中防止了放电。相应地，防止了对IDT电极1a和对抗蚀膜6的破坏。

此后，通过去掉暴露的抗蚀膜，如图7D所示，可得到具有图案的抗蚀膜6。

接着，整个地沉淀导电薄膜7，该导电薄膜7最好具有与第二声表面波滤波器装置的某一个IDT电极2a的厚度相同的薄膜厚度。在这种情况下，由于导电薄膜7的沉淀，在没有抗蚀膜6的区域内形成包括导电薄膜7的IDT电极2a，和没有在图7中示出的反射器2c和2d，以及电极垫片23和24。由此，形成第二声表面波滤波器装置2的一侧上的电极结构。此后，通过剥离抗蚀膜6和抗蚀膜6上的导电薄膜7，并使布线电极1b以第一较佳实施例中相同的方式断开，可得到声表面波设备。

在第二较佳实施例中，可使用剥离法形成第一声表面波滤波器装置的电极。因此，在第一声表面波滤波器装置侧形成电极的过程中，由于干蚀刻或其它适当处理，在构成第二声表面波滤波器装置的一侧上的压电基片不会有裂化的危险。

相应地，与传统方法相比，可以防止第二声表面波滤波器装置侧上插入损失或VSWR的降低。

在根据本发明的第二较佳实施例中，较好地，通过消除IDT电极边缘部分的毛边以改进提升的容易性，最好如此构成抗蚀膜5，以便具有反向渐缩截面部分，如图8A所示。即，由于抗蚀膜5朝接近于压电基片3侧移动，抗蚀膜5最好如此形成，从而某一个电极指都扩展。

在根据第二较佳实施例的制造方法中不需要干蚀刻。仅仅必须执行二级剥离法。相应地，和第一较佳实施例相比能够简化处理。

图9A到9E都是说明根据本发明的第三较佳实施例的声表面波设备的制造方法的截面图。

与第一较佳实施例中对应部分相同的元件由这些对应元件所用的标号表示，并省略了对它们的详细描述。

在本较佳实施例中，如图9E中概略的截面图所示，在压电基片3上构成第一和第二声表面波滤波器装置。第一声表面波滤波器装置1的IDT电极1a具有层叠多个电极薄膜的结构，因此较好地，第一声表面波滤波器装置1的每一个IDT电极1a的电极薄膜比第二声表面波滤波器装置2的IDT电极2a的每一个电极薄膜更厚。

开始，在压电基片3的整个顶表面上沉淀负型第一抗蚀膜。在第一抗蚀膜上层叠一掩模，并使其暴露，其中该掩模中的屏蔽部分是形成第一声表面波滤波器装置1的IDT电极1a、第二声表面波滤波器装置的IDT电极2a和这些声表面波滤波器装置的反射器的部分。此后，通过去掉暴露的第一抗蚀膜部分，得到具有如图9A所示的图案的第一抗蚀层5。

接着，在压电基片3整个表面上形成厚度与第二声表面波滤波器装置2的各个IDT电极2a的厚度大致相同的导电薄膜(图9B)。

此后，在压电基片3的整个表面上沉淀正型第二抗蚀膜。此后，层叠掩模并使其暴露，该掩模中的开口部分不包括设置第二声表面波滤波器装置的电极的区域，而包括形成有至少第一声表面波滤波器装置的区域。通过去掉暴露的抗蚀膜部分，可得到具有图案的第二抗蚀层6(图9C)。

由于第二抗蚀层6的图案不是用于形成IDT电极的部分的图案，可不需要高精确度。

如图9C所示，由第二声表面波滤波器装置2侧上的第二抗蚀膜6保护IDT电极2a。接着，将第二导电薄膜7层叠在导电薄膜4的整个表面上。较好地，如此选择第二导电薄膜7的厚度，从而第二导电薄膜7与导电薄膜4的总厚度基本上等于第一声表面波滤波器装置的IDT电极1a的厚度，或者反射器1c或1d的厚度(图9D)。

层叠的导电薄膜的数量没有特别的限定。其它导电薄膜也可以形成在导电薄膜7上。

或者，为了增加导电薄膜4和导电薄膜7的粘着力，可以在它们之间设置包括Ti，NiCr或其它适当材料的中间层。

在上述情况之一下，层叠的导电薄膜(可能包括中间层)的总厚度最好大致上等于第一声表面波滤波器装置的IDT电极1a的厚度。

此后，通过剥离，将沉淀在第一和第二抗蚀膜5和6上的导电薄膜4和7与第一和第二抗蚀膜5和6一起去掉。在这种方式中，如图9E所示，形成第一声表面波滤波器装置的IDT电极1a。在这种情况下，当执行剥离时，为了简化处理，希望使用有正型抗蚀膜和负型抗蚀膜作用的分离液。

虽然第一抗蚀膜是负型的，而第二抗蚀膜是正型的，但是选择性地，第一抗蚀膜可以是正型抗蚀膜，而第二抗蚀膜可以是负型抗蚀膜。在这种情况下，当在第二抗蚀膜上执行图案的形成时，由掩模屏蔽形成有第一声表面波滤波器装置1的电极的区域，故而防止了第一抗蚀膜的暴露，这防止了第一抗蚀膜5的恶化。

在根据本较佳实施例独立的制造方法中，由于使用剥离法来形成第一声表面波滤波器装置的电极，当形成第一声表面波滤波器装置的电极时，由抗蚀膜保护形成第二声表面波滤波器装置的压电基片的区域。相应地，与使用干蚀刻方法形成第一声表面波滤波器装置的传统方法相比，防止了第二声表面波滤波器装置插入损失和VSWR的降低。

另外，由于在第二光刻处理过程中，只形成图案以保护第二声表面波滤波器装置侧，在第二光刻处理过程中不需要增加精确度。相应地，可相对降低抗蚀膜6的加热温度，以防止IDT电极的热电损坏。因此，虽然较好地在第一和第二较佳实施例独立中形成布线电极并使其断开，但是并不是需要形成这样的短路的布线电极，因此，并需要执行断开处理。

但是，在第三较佳实施例中，在与第一和第二较佳实施例相同的方法中，可以执行形成短路的布线电极，最好使它分开的处理。

另外，在根据第三较佳实施例的制造方法中，由于通过剥离同时去掉第一和第二声表面波滤波器装置的电极结构上的抗蚀膜和其上面的导电薄膜，可以使工艺简化。

当第一抗蚀膜5是正型抗蚀膜时，通过使第二抗蚀膜为负型，可靠地防止了在形成图案过程中第一抗蚀膜的变形。

虽然已经揭示了本发明的较佳实施例，但是实施这里揭示的原理的各种模式也在下面的权利要求书的范围内。因此应该知道，本发明的范围仅仅由权利要求书限定。

Claims (8)

1.一种在一个单块压电基片上包含第一和第二声表面波装置的声表面波设备的制造方法，其中，所述第一和第二声表面波装置具有其厚度互不相同的叉指式换能器，所述方法包含以下步骤：

设置压电基片；

在所述压电基片整个表面上形成第一导电薄膜；

在所述第一导电薄膜的整个表面上沉积第一抗蚀膜，并使所述第一抗蚀膜形成图案；

使用形成图案的第一抗蚀膜干蚀刻第一导电薄膜，以在所述压电基片上形成第一声表面波装置的IDT电极，在所述IDT电极的梳形电极之间建立电气连接的短路的布线电极，以及设置在包括构成第二声表面波装置的整个部分在内的区域中的导电薄膜；

去掉包含构成第二声表面波装置的整个部分在内的区域中的导电薄膜；

在所述压电基片整个表面上沉淀第二抗蚀膜，并加热所述第二抗蚀膜；

使形成所述第二声表面波装置的电极的部分处的第二抗蚀膜形成图案；

在所述压电基片的整个表面上形成第二导电薄膜，所述第二导电薄膜的厚度不同于所述第一导电薄膜厚度，并且其薄膜厚度与所述第二声表面波装置的电极薄膜厚度相同；

通过剥离法去掉第二抗蚀膜，以形成第二声表面波装置的电极，并使第一声表面波装置的电极暴露；使第一声表面波装置中的短路的布线电极断开；和

通过湿蚀刻法执行去掉包括构成第二声表面波装置的整个部分在内的区域中的导电薄膜的步骤。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于使用可去掉导电薄膜而不影响第二抗蚀膜的蚀刻剂执行干蚀刻。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于压电基片是由压电单晶、压电陶瓷和其上设置有压电薄膜的绝缘基片中的一种形成的。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于通过蒸发、溅射和电镀执行在压电基片的整个表面上形成第一导电薄膜的步骤。

5.一种在单个压电基片上包括第一和第二声表面波装置的声表面波设备的制造方法，其中所述第一和第二声表面波装置具有厚度互不相同的叉指式换能器，所述方法包含以下步骤：

设置压电基片；

在所述压电基片的整个表面上形成第一抗蚀膜；

在要形成第一声表面波装置的电极的区域，以及要形成使第一声表面波装置的IDT电极的梳形电极之间短路的布线电极的区域去掉所述第一抗蚀膜；

在压电基片的整个表面上形成其薄膜厚度与第一声表面波装置的电极薄膜厚度基本上相同的第一导电薄膜；

剥离第一抗蚀膜和所述第一抗蚀膜上沉淀的第一导电薄膜，从而形成第一声表面波装置的电极和布线电极；

在所述压电基片的整个表面上沉淀第二抗蚀膜，并加热压电基片；

去掉形成第二声表面波装置的电极的区域的第二抗蚀膜；

在压电表面的整个表面上沉淀第二导电薄膜，其薄膜厚度与第二声表面波装置的电极薄膜厚度相同；

剥离第二抗蚀膜和沉淀在所述第二抗蚀膜上的第二导电薄膜，从而形成第二声表面波装置的电极；和

使第一声表面波装置中的布线电极断开。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，压电基片由压电单晶、压电陶瓷和其上设置有压电薄膜的绝缘基片中的一种制成。

7.如权利要求5所述的方法，其特征在于在去掉要形成第一声表面波装置的电极区域，和要形成使第一声表面波装置的IDT电极的梳形电极之间短路的布线电极的区域的第一抗蚀膜的步骤之后，在包括要形成第二声表面波滤波器装置的电极的整个区域在内的部分保留第一抗蚀膜。

8.如权利要求5所述的方法，其特征在于第一抗蚀膜具有反向渐缩截面。

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