JPH0750538A - 端面反射型表面波共振子の製造方法 - Google Patents
端面反射型表面波共振子の製造方法Info
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- JPH0750538A JPH0750538A JP19734793A JP19734793A JPH0750538A JP H0750538 A JPH0750538 A JP H0750538A JP 19734793 A JP19734793 A JP 19734793A JP 19734793 A JP19734793 A JP 19734793A JP H0750538 A JPH0750538 A JP H0750538A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 反射面となる端面の位置、すなわちIDT電
極の両端の電極指の幅を高精度に形成することができ、
したがって性能のよい、かつ、不良品の発生率が低い端
面反射型表面波共振子の製造方法を提供すること。 【構成】 圧電母基板上に、端面反射型表面波共振子を
構成するIDT電極を複数個形成し、圧電母基板を切断
機により切断し、個々の共振子を切り出す端面反射型表
面波共振子の製造方法において、前記IDT電極の電極
指の幅をWとし、切断機のブレードの厚みをTとし、I
DT電極の両端の電極指の幅がW/2となるように切断
する隣り合う切断線の間隔をLとした時に、圧電母基板
上に個々のIDT電極を、L>Tとなるように形成し、
切断機により、前記隣り合う切断線の一方の切断線に沿
って前記圧電母基板を切断し、次に前記隣り合う切断線
のもう一方の切断線に沿って前記圧電母基板を切断し
て、個々の共振子を切り出す端面反射型表面波共振子の
製造方法。
極の両端の電極指の幅を高精度に形成することができ、
したがって性能のよい、かつ、不良品の発生率が低い端
面反射型表面波共振子の製造方法を提供すること。 【構成】 圧電母基板上に、端面反射型表面波共振子を
構成するIDT電極を複数個形成し、圧電母基板を切断
機により切断し、個々の共振子を切り出す端面反射型表
面波共振子の製造方法において、前記IDT電極の電極
指の幅をWとし、切断機のブレードの厚みをTとし、I
DT電極の両端の電極指の幅がW/2となるように切断
する隣り合う切断線の間隔をLとした時に、圧電母基板
上に個々のIDT電極を、L>Tとなるように形成し、
切断機により、前記隣り合う切断線の一方の切断線に沿
って前記圧電母基板を切断し、次に前記隣り合う切断線
のもう一方の切断線に沿って前記圧電母基板を切断し
て、個々の共振子を切り出す端面反射型表面波共振子の
製造方法。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、SHタイプの表面波を
利用した表面波共振子の製造方法に関し、特に、互いに
対向し合う一対の圧電基板端面を反射面として利用した
端面反射型表面波共振子の製造方法に関する。
利用した表面波共振子の製造方法に関し、特に、互いに
対向し合う一対の圧電基板端面を反射面として利用した
端面反射型表面波共振子の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、SHタイプの表面波を利用した端
面反射型表面波共振子は、文献等でもって知られてい
る。この共振子に利用されるSHタイプの表面波は、B
GS波やラブ波のように、変位が表面波伝播方向と垂直
な方向の変位を主体とする表面波である。上記のような
端面反射型表面波共振子の一例を、図3に示す。
面反射型表面波共振子は、文献等でもって知られてい
る。この共振子に利用されるSHタイプの表面波は、B
GS波やラブ波のように、変位が表面波伝播方向と垂直
な方向の変位を主体とする表面波である。上記のような
端面反射型表面波共振子の一例を、図3に示す。
【0003】図3において、端面反射型表面波共振子
は、矢印P方向に分極処理された矩形の圧電基板2の対
向し合っている一対の端面2a、2bを反射面として利
用している。圧電基板2の一方主面上には、一対のくし
歯電極3、4からなる一個のIDT電極が形成されてい
る。くし歯電極3は、複数本の電極指3a〜3cを有
し、くし歯電極4は、複数本の電極指4aを有する。電
極指3a〜3cと電極指4aは、図示のように互いに間
挿し合うように配置されている。電極指3c及び電極指
4aは、励振される表面波の波長をλとした時に、λ/
4の幅を有するように形成されており、他方、電極指3
a、3bは、λ/8の幅を有するように形成されてい
る。すなわち、端面2a、2bと圧電基板2の上面との
側縁に沿って形成される両端の電極指3a、3bは、他
の電極指3c、4aの幅の1/2の幅を有するように形
成されている。また、電極指3a〜3c、4a間のスペ
ースの幅は、電極指3c、4aの幅と同様にλ/4とさ
れている。
は、矢印P方向に分極処理された矩形の圧電基板2の対
向し合っている一対の端面2a、2bを反射面として利
用している。圧電基板2の一方主面上には、一対のくし
歯電極3、4からなる一個のIDT電極が形成されてい
る。くし歯電極3は、複数本の電極指3a〜3cを有
し、くし歯電極4は、複数本の電極指4aを有する。電
極指3a〜3cと電極指4aは、図示のように互いに間
挿し合うように配置されている。電極指3c及び電極指
4aは、励振される表面波の波長をλとした時に、λ/
4の幅を有するように形成されており、他方、電極指3
a、3bは、λ/8の幅を有するように形成されてい
る。すなわち、端面2a、2bと圧電基板2の上面との
側縁に沿って形成される両端の電極指3a、3bは、他
の電極指3c、4aの幅の1/2の幅を有するように形
成されている。また、電極指3a〜3c、4a間のスペ
ースの幅は、電極指3c、4aの幅と同様にλ/4とさ
れている。
【0004】端面反射型表面波共振子では、くし歯電極
3、4間に交流電界を印加することにより、SHタイプ
の表面波が励振され、該表面波は電極指3a〜3c,4
aの伸びる方向と直交する方向に伝播し、そして、端面
2a、2b間で反射されるように構成されている。とこ
ろで、端面反射型表面波共振子において、安定な共振子
特性を得るには、くし歯電極3、4を高精度に形成する
こと、並びに端面2a、2bを正確な位置に形成するこ
とが必要である。すなわち、圧電基板の両端を除く部分
に形成される電極指3c、4aの幅をWとした時に、圧
電基板の両端に形成される電極指3a、3bの幅をW/
2となるように高精度に形成することが必要である。一
般的に、端面反射型表面波共振子は、以下の工程を経て
製造されている。
3、4間に交流電界を印加することにより、SHタイプ
の表面波が励振され、該表面波は電極指3a〜3c,4
aの伸びる方向と直交する方向に伝播し、そして、端面
2a、2b間で反射されるように構成されている。とこ
ろで、端面反射型表面波共振子において、安定な共振子
特性を得るには、くし歯電極3、4を高精度に形成する
こと、並びに端面2a、2bを正確な位置に形成するこ
とが必要である。すなわち、圧電基板の両端を除く部分
に形成される電極指3c、4aの幅をWとした時に、圧
電基板の両端に形成される電極指3a、3bの幅をW/
2となるように高精度に形成することが必要である。一
般的に、端面反射型表面波共振子は、以下の工程を経て
製造されている。
【0005】まず、比較的大きな圧電母基板の上面にフ
ォトリソグラフィ法等により導電膜をパターニングし、
図4に示すような一対のくし歯電極からなるIDT電極
を多数形成する。この場合、最初のパターニングにより
形成されるくし歯電極3、4は、図4にハッチングを付
して示すように、最終的に得られる図3のくし歯電極
3、4とは若干異なる形状に形成されている。すなわ
ち、くし歯電極3側では、中央部の電極指3cの幅Wと
等しい幅の電極指13a、13bを両端に形成する。ま
た、くし歯電極4側においては、バスバー4bの両端に
おいて、幅W/2の延長部4c、4dを形成している。
ォトリソグラフィ法等により導電膜をパターニングし、
図4に示すような一対のくし歯電極からなるIDT電極
を多数形成する。この場合、最初のパターニングにより
形成されるくし歯電極3、4は、図4にハッチングを付
して示すように、最終的に得られる図3のくし歯電極
3、4とは若干異なる形状に形成されている。すなわ
ち、くし歯電極3側では、中央部の電極指3cの幅Wと
等しい幅の電極指13a、13bを両端に形成する。ま
た、くし歯電極4側においては、バスバー4bの両端に
おいて、幅W/2の延長部4c、4dを形成している。
【0006】しかる後、電極指13a、13bの幅方向
に設定された切断線、すなわち、図4に示す破線A、B
に沿って、切断機、例えばダイシング・ソーで圧電母基
板1を厚み方向に切断することにより、図3に示す端面
2a、2bを切り出すとともに、幅W/2の電極指3
a、3bを完成させている。なお、図4において、ID
T電極の四隅には、切断時の切断線の目安となる導電膜
がない部分を設けてある。
に設定された切断線、すなわち、図4に示す破線A、B
に沿って、切断機、例えばダイシング・ソーで圧電母基
板1を厚み方向に切断することにより、図3に示す端面
2a、2bを切り出すとともに、幅W/2の電極指3
a、3bを完成させている。なお、図4において、ID
T電極の四隅には、切断時の切断線の目安となる導電膜
がない部分を設けてある。
【0007】上記説明したような端面反射型表面波共振
子の製造方法において、従来の端面反射型表面波共振子
のIDT電極は、図3に示すように、隣り合うIDT電
極の電極指13a及び電極指13bを切断する切断線
A、B間の幅をLとし、切断機のブレードの厚みをTと
した時に、L=Tとなるように形成されていた。そし
て、切断機のブレードを切断線A、Bの中央に設定し、
切断線A、Bに沿って圧電母基板を厚み方向に切断して
いた。すなわち、一回の切断機による切断で切断線A及
び切断線Bを同時に切断していた。
子の製造方法において、従来の端面反射型表面波共振子
のIDT電極は、図3に示すように、隣り合うIDT電
極の電極指13a及び電極指13bを切断する切断線
A、B間の幅をLとし、切断機のブレードの厚みをTと
した時に、L=Tとなるように形成されていた。そし
て、切断機のブレードを切断線A、Bの中央に設定し、
切断線A、Bに沿って圧電母基板を厚み方向に切断して
いた。すなわち、一回の切断機による切断で切断線A及
び切断線Bを同時に切断していた。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記従来例
の端面反射型表面波共振子の製造方法においては、端面
反射型表面波共振子の反射面を形成する隣り合う切断線
の間隔Lを、切断機のブレードの厚みTと同寸法で形成
しているので、切断機のブレードの厚みのバラツキ及び
摩耗による厚みの変動等により、反射面となる端面の位
置精度が安定して得られなかった。つまり、端面反射型
表面波共振子を構成するIDT電極の両端の電極指の幅
をW/2となるように、高精度に形成することが困難で
あった。
の端面反射型表面波共振子の製造方法においては、端面
反射型表面波共振子の反射面を形成する隣り合う切断線
の間隔Lを、切断機のブレードの厚みTと同寸法で形成
しているので、切断機のブレードの厚みのバラツキ及び
摩耗による厚みの変動等により、反射面となる端面の位
置精度が安定して得られなかった。つまり、端面反射型
表面波共振子を構成するIDT電極の両端の電極指の幅
をW/2となるように、高精度に形成することが困難で
あった。
【0009】このため、端面反射型表面波共振子の共振
周波数近傍でのインピーダンス特性には、図6に丸囲い
で示すようなリップルの発生率が高かった。このような
リップルは、例えば、この共振子をVIF補助トラップ
として使用した場合、VIFの信号を乱し、映像及び色
等に悪影響を与え、また、発振子として使用した場合
は、異常発振を起こす等の問題がある。
周波数近傍でのインピーダンス特性には、図6に丸囲い
で示すようなリップルの発生率が高かった。このような
リップルは、例えば、この共振子をVIF補助トラップ
として使用した場合、VIFの信号を乱し、映像及び色
等に悪影響を与え、また、発振子として使用した場合
は、異常発振を起こす等の問題がある。
【0010】そこで、本発明の目的は、以上のような従
来の端面反射型表面波共振子の製造方法が持つ問題点を
解消し、反射面となる端面の位置、すなわちIDT電極
の両端の電極指の幅を高精度に形成することができ、し
たがって性能のよい、かつ、不良品の発生率が低い端面
反射型表面波共振子の製造方法を提供することにある。
来の端面反射型表面波共振子の製造方法が持つ問題点を
解消し、反射面となる端面の位置、すなわちIDT電極
の両端の電極指の幅を高精度に形成することができ、し
たがって性能のよい、かつ、不良品の発生率が低い端面
反射型表面波共振子の製造方法を提供することにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、圧電母基板上に、端面反射型表面波共振子を構成す
るIDT電極を複数個形成し、圧電母基板を切断機によ
り切断し、個々の共振子を切り出す端面反射型表面波共
振子の製造方法において、前記IDT電極の電極指の幅
をWとし、切断機のブレードの厚みをTとし、IDT電
極の両端の電極指の幅がW/2となるように切断する隣
り合う切断線の間隔をLとした時に、圧電母基板上に個
々のIDT電極を、L>Tとなるように形成し、切断機
により、前記隣り合う切断線の一方の切断線に沿って前
記圧電母基板を切断し、次に前記隣り合う切断線のもう
一方の切断線に沿って前記圧電母基板を切断して、個々
の共振子を切り出すことを特徴とするものである。
に、圧電母基板上に、端面反射型表面波共振子を構成す
るIDT電極を複数個形成し、圧電母基板を切断機によ
り切断し、個々の共振子を切り出す端面反射型表面波共
振子の製造方法において、前記IDT電極の電極指の幅
をWとし、切断機のブレードの厚みをTとし、IDT電
極の両端の電極指の幅がW/2となるように切断する隣
り合う切断線の間隔をLとした時に、圧電母基板上に個
々のIDT電極を、L>Tとなるように形成し、切断機
により、前記隣り合う切断線の一方の切断線に沿って前
記圧電母基板を切断し、次に前記隣り合う切断線のもう
一方の切断線に沿って前記圧電母基板を切断して、個々
の共振子を切り出すことを特徴とするものである。
【0012】
【作用】本発明の端面反射型表面波共振子の製造方法で
は、反射面となる端面を切断機により切断する時に、隣
り合う切断線の間隔Lが切断機のブレードの幅Tより大
きいため、切断機のブレードを隣り合う切断線の一方に
精度よく位置合わせして切断することができる。
は、反射面となる端面を切断機により切断する時に、隣
り合う切断線の間隔Lが切断機のブレードの幅Tより大
きいため、切断機のブレードを隣り合う切断線の一方に
精度よく位置合わせして切断することができる。
【0013】
【実施例】以下、本発明の実施例に係る端面反射型表面
波共振子の製造方法を図面を用いてを説明する。なお、
以下、図3及び図4については、従来例において説明し
たので、その詳細な説明は省略する。また、図におい
て、同一部分については同一符号を付す。
波共振子の製造方法を図面を用いてを説明する。なお、
以下、図3及び図4については、従来例において説明し
たので、その詳細な説明は省略する。また、図におい
て、同一部分については同一符号を付す。
【0014】まず、図1及び図2に示すように、圧電母
基板1を用意する。圧電母基板1としては、適宜の圧電
セラミック材料あるいは他の圧電材料からなるものが用
いられ、最終的に得られる図3に示した圧電基板2と同
様に圧電母基板1の主面と平行な方向に分極処理されて
いる。次に圧電母基板1上に、従来例で説明した図4に
示すような一対のくし歯電極からなるIDT電極を多数
形成する。
基板1を用意する。圧電母基板1としては、適宜の圧電
セラミック材料あるいは他の圧電材料からなるものが用
いられ、最終的に得られる図3に示した圧電基板2と同
様に圧電母基板1の主面と平行な方向に分極処理されて
いる。次に圧電母基板1上に、従来例で説明した図4に
示すような一対のくし歯電極からなるIDT電極を多数
形成する。
【0015】この場合、本発明においては、IDT電極
を、図1及び図2に示すように、隣り合うIDT電極の
電極指13a及び電極指13bを切断する切断線A,B
間の幅をLとし、ダイシングブレードの厚みをTとした
時に、L>Tとなるように形成する。次にダイシング・
ソーにより、前記圧電母基板1を、まず、切断線Aに沿
って、次に切断線Bに沿って、圧電母基板1を順次切断
していく。このように反射面となる端面を切断後、反射
面と直交する端面を順次切断していくことにより、複数
個の図3に示す端面反射型表面波共振子が得られる。
を、図1及び図2に示すように、隣り合うIDT電極の
電極指13a及び電極指13bを切断する切断線A,B
間の幅をLとし、ダイシングブレードの厚みをTとした
時に、L>Tとなるように形成する。次にダイシング・
ソーにより、前記圧電母基板1を、まず、切断線Aに沿
って、次に切断線Bに沿って、圧電母基板1を順次切断
していく。このように反射面となる端面を切断後、反射
面と直交する端面を順次切断していくことにより、複数
個の図3に示す端面反射型表面波共振子が得られる。
【0016】具体的には、図1及び図2に平面図及び断
面図でに示すように、まず、ダイシング・ソーにより、
圧電母基板1を図示の切断線Aにダイシングブレードの
片側面を位置合わせして、ダイシングブレードの厚みT
の切断幅で切断する。次に、同様に、切断線Bにダイシ
ングブレードの片側面を位置合わせして、ダイシングブ
レードの厚みTの切断幅で切断する。このように、2回
のダイシング・ソーによる切断にて、図3に示す端面2
a、2bを切り出すとともに、幅W/2の電極指3a、
3bを得ている。図1は、IDT電極の隣り合う切断線
A,Bの間隔Lが、L>2Tの場合を示し、図2は、T
<L≦2Tの場合を示す。
面図でに示すように、まず、ダイシング・ソーにより、
圧電母基板1を図示の切断線Aにダイシングブレードの
片側面を位置合わせして、ダイシングブレードの厚みT
の切断幅で切断する。次に、同様に、切断線Bにダイシ
ングブレードの片側面を位置合わせして、ダイシングブ
レードの厚みTの切断幅で切断する。このように、2回
のダイシング・ソーによる切断にて、図3に示す端面2
a、2bを切り出すとともに、幅W/2の電極指3a、
3bを得ている。図1は、IDT電極の隣り合う切断線
A,Bの間隔Lが、L>2Tの場合を示し、図2は、T
<L≦2Tの場合を示す。
【0017】上記反射面となる端面の切断において、図
2に示すように、T<L≦2Tの場合、つまり、隣り合
う切断線A,Bの間隔Lがダイシングブレードの厚みT
の2倍より小さい場合は、図2(b)の断面図に破線で
示すように、最初の切断時の切断の深さは、2回目の切
断時の切断の深さよりも小さく設定している。これは、
2回目の切断時に、ダイシングブレードのしなりによる
切断位置精度の低下を防止するためである。この場合、
最終的に得られる端面反射型表面波共振子の反射面とな
る端面の一方には、厚み方向に段差が形成されるが、こ
の段差の深さは2波長分以上あれば特性上なんら問題と
ならない。
2に示すように、T<L≦2Tの場合、つまり、隣り合
う切断線A,Bの間隔Lがダイシングブレードの厚みT
の2倍より小さい場合は、図2(b)の断面図に破線で
示すように、最初の切断時の切断の深さは、2回目の切
断時の切断の深さよりも小さく設定している。これは、
2回目の切断時に、ダイシングブレードのしなりによる
切断位置精度の低下を防止するためである。この場合、
最終的に得られる端面反射型表面波共振子の反射面とな
る端面の一方には、厚み方向に段差が形成されるが、こ
の段差の深さは2波長分以上あれば特性上なんら問題と
ならない。
【0018】上記のような切断方法により得られた端面
反射型表面波共振子のインピーダンス特性を測定したと
ころ、図6に丸囲いして示すようなリップルの発生率
は、大幅に低下した。
反射型表面波共振子のインピーダンス特性を測定したと
ころ、図6に丸囲いして示すようなリップルの発生率
は、大幅に低下した。
【0019】なお、上記実施例では、圧電母基板上に形
成するIDT電極の両端の電極指の幅を、他の電極指の
幅と同等に形成したが、両端の電極指の幅は、他の電極
指の幅の1/2以上であればよい。また、切断機として
はダイシング・ソーを使用したが、これに限るものでは
なく、ワイヤー・ソーまたはスクライバーを使用しても
よい。
成するIDT電極の両端の電極指の幅を、他の電極指の
幅と同等に形成したが、両端の電極指の幅は、他の電極
指の幅の1/2以上であればよい。また、切断機として
はダイシング・ソーを使用したが、これに限るものでは
なく、ワイヤー・ソーまたはスクライバーを使用しても
よい。
【0020】さらに、上記実施例では、一対のくし歯電
極からなる端面反射型表面波共振子について説明した
が、これに限ることはなく、圧電基板上に複数組のくし
歯電極が形成された端面反射型表面波デバイスの製造方
法にも本発明を適用することができる。
極からなる端面反射型表面波共振子について説明した
が、これに限ることはなく、圧電基板上に複数組のくし
歯電極が形成された端面反射型表面波デバイスの製造方
法にも本発明を適用することができる。
【0021】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る端面
反射型表面波共振子の製造方法にによれば、反射面を形
成する隣り合う切断線の間隔Lが切断機のブレードの厚
みTよりも大きいので、所望の切断位置に切断機のブレ
ードを位置合わせして切断することができる。このた
め、切断機のブレードの厚みのバラツキ及び摩耗による
厚みの変動に影響されることなく、反射面となる端面の
位置を高精度に設定し、切断することができる。すなわ
ち、端面反射型表面波共振子を構成するIDT電極の両
端の電極指の幅を、高精度に形成することができる。こ
の結果、反射面となる端面の位置のバラツキによるイン
ピーダンス特性のリップルの発生率が大幅に低下し、こ
の共振子を使用したVIF補助トラップや発振子の不良
率を大幅に低減することができる。
反射型表面波共振子の製造方法にによれば、反射面を形
成する隣り合う切断線の間隔Lが切断機のブレードの厚
みTよりも大きいので、所望の切断位置に切断機のブレ
ードを位置合わせして切断することができる。このた
め、切断機のブレードの厚みのバラツキ及び摩耗による
厚みの変動に影響されることなく、反射面となる端面の
位置を高精度に設定し、切断することができる。すなわ
ち、端面反射型表面波共振子を構成するIDT電極の両
端の電極指の幅を、高精度に形成することができる。こ
の結果、反射面となる端面の位置のバラツキによるイン
ピーダンス特性のリップルの発生率が大幅に低下し、こ
の共振子を使用したVIF補助トラップや発振子の不良
率を大幅に低減することができる。
【図1】(a)は、本発明の第一実施例の製造方法を説
明するための平面図、(b)は、(a)の断面図であ
る。
明するための平面図、(b)は、(a)の断面図であ
る。
【図2】(a)は、本発明の第二実施例の製造方法を説
明するための平面図、(b)は、(a)の断面図であ
る。
明するための平面図、(b)は、(a)の断面図であ
る。
【図3】端面反射型表面波共振子を説明するための斜視
図である。
図である。
【図4】圧電母基板上に形成された端面反射型表面波共
振子を構成するIDT電極を説明するための平面図であ
る。
振子を構成するIDT電極を説明するための平面図であ
る。
【図5】(a)は、従来の端面反射型表面波共振子の製
造方法を説明するための平面図、(b)は、(a)の断
面図である。
造方法を説明するための平面図、(b)は、(a)の断
面図である。
【図6】従来の製造方法により得られた端面反射型表面
波共振子のインピーダンス特性を示す図である。
波共振子のインピーダンス特性を示す図である。
1 圧電母基板 2 圧電基板 2a、2b 端面 3、4 くし歯電極 3a〜3c、4a、13a、13b 電極指
Claims (1)
- 【請求項1】 圧電母基板上に、端面反射型表面波共振
子を構成するIDT電極を複数個形成し、圧電母基板を
切断機により切断し、個々の共振子を切り出す端面反射
型表面波共振子の製造方法において、 前記IDT電極の電極指の幅をWとし、切断機のブレー
ドの厚みをTとし、IDT電極の両端の電極指の幅がW
/2となるように切断する隣り合う切断線の間隔をLと
した時に、圧電母基板上に個々のIDT電極を、L>T
となるように形成し、 切断機により、前記隣り合う切断線の一方の切断線に沿
って前記圧電母基板を切断し、次に前記隣り合う切断線
のもう一方の切断線に沿って前記圧電母基板を切断し
て、 個々の共振子を切り出すことを特徴とする端面反射型表
面波共振子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19734793A JPH0750538A (ja) | 1993-08-09 | 1993-08-09 | 端面反射型表面波共振子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19734793A JPH0750538A (ja) | 1993-08-09 | 1993-08-09 | 端面反射型表面波共振子の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0750538A true JPH0750538A (ja) | 1995-02-21 |
Family
ID=16372974
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP19734793A Pending JPH0750538A (ja) | 1993-08-09 | 1993-08-09 | 端面反射型表面波共振子の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0750538A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6637087B1 (en) | 1999-03-18 | 2003-10-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method of producing edge reflection type surface acoustic wave device |
KR100443665B1 (ko) * | 2001-09-14 | 2004-08-11 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 단면 반사형 표면파 장치 및 그 제조방법 |
-
1993
- 1993-08-09 JP JP19734793A patent/JPH0750538A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6637087B1 (en) | 1999-03-18 | 2003-10-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method of producing edge reflection type surface acoustic wave device |
KR100443665B1 (ko) * | 2001-09-14 | 2004-08-11 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 단면 반사형 표면파 장치 및 그 제조방법 |
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