JPH08195644A - 端面反射型表面波装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 外装樹脂の付着によりダンピングが生じ難
く、従って所望通りの伝送特性を得ることを可能とする
ＳＨタイプの表面波を利用した端面反射型表面波装置を
得る。 【構成】 圧電基板２２の上面に互いに平行に第１，第
２の溝２６，２７を形成し、第１，第２の溝２６，２７
間において上面にＩＤＴ２３を形成することにより、溝
２６，２７の内面２６ａ，２７ａが対向２端面とされた
端面反射型表面波素子部を構成してなり、第１，第２の
溝２６，２７の外側に非励振部２８，２９が形成されて
おり、表面波素子の励振部３７が空洞３５に確実に臨む
ように空洞３５が形成されており、周囲が外装樹脂層３
６で覆われている端面反射型表面波装置。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ＢＧＳ波やラブ波など
のようなＳＨタイプの表面波を利用した端面反射型の表
面波装置に関し、特に、樹脂外装が施された形式の端面
反射型表面波装置及びその製造方法に関する。

【０００２】本発明の端面反射型表面波装置は、例え
ば、各種通信機器における帯域フィルタや発振子等に用
いられる。

【０００３】

【従来の技術】ＳＨタイプの表面波とは、変位が表面波
伝搬方向と垂直な方向の成分を含む表面波を言い、ＢＧ
Ｓ波やラブ波などが知られている。この種のＳＨタイプ
の表面波は、端面において反射されたとしても、成分の
変化が生じ難い。従って、ＳＨタイプの表面波を利用し
た表面波装置とでは、対向２端面間で表面波を反射させ
て共振特性を得る、いわゆる端面反射型表面波装置が提
案されている。端面反射型表面波装置では、対向２端面
間で表面波を反射させるものであるため、表面波伝搬部
分の外側に余分な基板部分を必要としない。

【０００４】すなわち、通常のレーリー波を利用した表
面波装置では、端面反射型表面波装置を構成することが
できず、かつ表面波伝搬領域の外側に反射器やダンピン
グ材を設ける必要があったため、表面波装置のサイズが
大きくなるという問題があったのに対し、ＳＨタイプの
表面波を利用した端面反射型表面波装置では、上記のよ
うな反射器やダンピング材を設ける必要がないため、表
面波装置を小型とすることができる。

【０００５】他方、レーリー波を利用した通常の表面波
装置では、従来より、樹脂外装を施したリード付きの電
子部品として構成されたものやセラミックパッケージ内
に表面波素子チップを収納してなる部品等が種々実用化
されている。このうち、樹脂ディップにより外装を施し
た従来の表面波装置を図１及び図２を参照して説明す
る。

【０００６】図１に示す表面波共振子１は、レーリー波
を利用した表面波共振子である。表面波共振子１は、矩
形の圧電基板２上に一対のくし歯電極からなるインター
デジタルトランスデューサ（以下、ＩＤＴ）３を形成し
た構造を有する。ＩＤＴ３の表面波伝搬方向の両側に
は、反射器４，５が形成されている。

【０００７】表面波共振子１を樹脂外装が施された電子
部品として構成する場合、ＩＤＴ３をボンディングワイ
ヤーによりリード端子（図示せず）に接続し、かつ表面
波基板２の上面にパラフィンワックスを塗布する。しか
る後、リード端子の引き出されている部分を除き、残り
の部分を熱硬化性樹脂により被覆し、加熱により該熱硬
化性樹脂を硬化させるとともに、図２に示す空洞６を形
成する。

【０００８】図２は図１のII−II線に沿う部分に相当す
る断面図であり、空洞６は、熱硬化性樹脂よりなる外装
樹脂層７内に形成されており、表面波基板２の上面を露
出させている。空洞６は、表面波共振子１の表面波伝搬
部分を露出させ、それによって熱硬化性樹脂が表面波伝
搬路上に接触することによる特性の劣化を防止する機能
を果たす。

【０００９】上記のように、従来の表面波装置では、励
振面に外装樹脂が付着すると表面波がダンピングされる
ため、パラフィンワックスを用いて空洞６が形成されて
いた。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上述したレ
ーリー波を利用した表面波装置１と同様にして、ＳＨタ
イプの表面波を利用した端面反射型表面波共振子に樹脂
外装を施した場合には、空洞を形成したにも関わらず、
所望の共振特性が得られないことがあった。

【００１１】すなわち、端面反射型の表面波装置では、
パラフィンワックスの付与、熱硬化性樹脂ディップ、加
熱による空洞の形成及び熱硬化性樹脂の硬化といった一
連の工程を実施したとしても、空洞が形成されているに
も関わらず、共振特性が大きく劣化することがあった。

【００１２】本発明の目的は、ＳＨタイプの表面波を利
用した端面反射型の表面波装置であって、共振特性の劣
化を防止するための空洞を形成して樹脂外装を施した場
合であっても、所望通りの特性を確実に得ることを可能
とする端面反射型表面波装置及びその製造方法を提供す
ることにある。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明は、上述した課題
を達成するためになされたものであり、ＳＨタイプの表
面波を利用した表面波装置であって、内側の面同士が平
行となるように一方主面側から形成された第１，第２の
溝を有する圧電基板と、前記圧電基板の第１，第２の溝
間に挟まれた基板部分に形成された少なくとも１つのイ
ンターデジタルトランスデューサとを備え、前記第１，
第２の溝の内側の面が対向２端面を形成して該対向２端
面間に端面反射型の表面波素子が構成されており、かつ
前記圧電基板の第１，第２の溝の外側の部分が非励振部
とされており、前記表面波素子の励振部を露出させるた
めの空洞を残して、前記圧電基板の周囲を被覆している
外装樹脂層と、前記表面波素子に電気的に接続されてお
り、かつ前記外装樹脂層外に引き出された電気的接続部
材とをさらに備える、端面反射型表面波装置である。

【００１４】本願発明者らは、端面反射型表面波装置に
おいて、空洞を残して樹脂外装を施した場合に共振特性
が劣化する現象について種々検討した。すなわち、例え
ば図３に示す端面反射型表面波共振子１１を用い、樹脂
外装を施し、その共振特性を評価した。

【００１５】図３に示す端面反射型表面波共振子１１
は、ＢＧＳ波を利用したものであり、Ｐ方向に分極処理
された矩形の圧電基板１２を用いて構成されている。圧
電基板１２の上面１２ａには、一対のくし歯電極１３，
１４が形成されており、それによって１つのＩＤＴが構
成されている。すなわち、くし歯電極１３は、複数本の
電極指１３ａ〜１３ｃを有し、くし歯電極１４は複数本
の電極指１４ａ〜１４ｃを有し、電極指１３ａ〜１３ｃ
と、電極指１４ａ〜１４ｃとは互いに間挿し合ってい
る。

【００１６】また、両端の電極指１４ａ及び１３ｃを除
く残りの電極指の幅及び各電極指間の間隔は、λ／４と
されている。ただし、λは、励振されるＢＧＳ波の波長
を示す。また、電極指１４ａ，１３ｃの幅はλ／８とさ
れている。さらに、電極指１４ａ，１３ｃは、それぞ
れ、端面１２ｂ，１２ｃの上端に沿うように形成されて
いる。

【００１７】端面反射型表面波共振子１１では、くし歯
電極１３，１４から交流電圧を印加することによりＢＧ
Ｓ波が励振され、矢印Ｘ方向に伝搬し、端面１２ｂ，１
２ｃで反射され、共振する。

【００１８】ところで、樹脂ディップにより外装樹脂層
を形成するにあたり、まず、図示しないリード端子をく
し歯電極１３，１４にボンディングワイヤーにより接続
した後、上面１２ａ上にパラフィンワックスを塗布す
る。しかる後、エポキシ樹脂を用いてリード端子の引き
出されている部分を除いて被覆し、加熱によりパラフィ
ンワックスを飛散させて空洞を形成するとともに、外装
樹脂層を形成する。すなわち、図４に断面図で示すよう
に、端面反射型表面波共振子１１の上面に空洞１５を形
成し、空洞１５を残すようにして、周囲を外装樹脂層１
６により被覆することにより、樹脂外装が施された表面
波装置を得る。なお、図４において、１８，１９はリー
ド端子を示す。

【００１９】ところが、この表面波装置１７では、図３
に示した樹脂外装を施す前の表面波共振子１１に比べ
て、共振特性の劣化が著しかった。そこで、本願発明者
らは、上記問題点を鋭意検討した結果、レーリー波を利
用した表面波装置とは異なり、ＳＨタイプの表面波を利
用した表面波装置では、圧電基板の表面だけでなくある
程度の深さ部分においても表面波が伝搬するため、圧電
基板１２の上面１２ａ上のみを空洞１５に露出させただ
けでは、共振がダンピングされることを見出した。すな
わち、図４に示す断面図において、一点鎖線Ａで示す位
置より上方の圧電基板部分が励振に寄与しているため、
言い換えれば、励振部１７Ａが一点鎖線Ａよりも上方の
部分全体となっているため、単に圧電基板１２の上面１
２ａのみを空洞１５に露出させただけでは、共振がダン
ピングされることを見出した。

【００２０】そこで、励振部１７Ａの外装樹脂によるダ
ンピングを防止するには、圧電基板１２の上面１２ａだ
けでなく、端面１２ｂ，１２ｃの上方部分、すなわち励
振部１７Ａの端面１２ｂ，１２ｃに露出している部分に
ついても、外装樹脂の付着を防止する必要があると考え
た。

【００２１】よって、本発明では、圧電基板に上記第
１，第２の溝が形成されており、上記第１，第２の溝の
各内面が対向２端面とされており、この対向２端面の少
なくとも上方部分をも空洞に露出するように、外装樹脂
層が形成されている。

【００２２】そして、本発明では、上記空洞の形成を容
易とするために、圧電基板に第１，第２の溝を形成し、
第１，第２の溝の外側に非励振部を設けておき、第１，
第２の溝の非励振部から励振部に至るようにパラフィン
ワックスを塗布することにより、励振部を空洞に確実に
露出させることが可能とされている。

【００２３】従って、本発明の端面反射型表面波装置で
は、空洞形成に際して塗布されるパラフィンワックスが
第１，第２の溝内に容易に入り込み得るため、圧電基板
のＩＤＴが形成されている部分だけでなく、対向２端面
の上方部分も確実に空洞に対して露出する。よって、樹
脂外装を施した端面反射型の表面波装置であるにも関わ
らず、外装樹脂層によるダンピングが生じ難いため、共
振特性に優れた端面反射型表面波装置を提供することが
可能とされている。

【００２４】また、上記励振部の深さは、通常、ＳＨタ
イプの表面波は、振動成分が表面波の波長の３倍程度ま
での深さ部分を進行するため、表面波の波長の３倍まで
の深さとなっている。従って、好ましくは、上記空洞に
露出される部分は、第１，第２の溝間の圧電基板部分の
ＩＤＴが形成される一方主面と、該一方主面からＳＨタ
イプの表面波の波長の３倍までの深さに至る端面部分と
され、それによって確実に励振部が空洞に露出されるこ
とになる。

【００２５】また、本発明の製造方法は、上記本発明の
端面反射型表面波装置を得るための方法であり、圧電基
板の一方主面において、励振部を構成する部分に少なく
とも１つのＩＤＴを形成する工程と、前記圧電基板の一
方主面から励振部を挟んで、かつ各内面同士が平行とな
るように第１，第２の溝を形成する工程と、前記少なく
とも１つのＩＤＴに接続される電気的接続部材を配置す
る工程と、少なくとも励振部を覆うように前記圧電基板
にワックスを付与する工程と、前記ワックス付与後に、
前記電気的接続部材が引き出されている部分を除く全体
を熱硬化性樹脂により被覆する工程と、加熱により前記
ワックスを飛散させて空洞を形成するとともに、前記熱
硬化性樹脂を硬化させ、外装樹脂層を形成する工程とを
備える。

【００２６】なお、本発明の製造方法においては、上記
ＩＤＴを形成する工程と、第１，第２の溝を圧電基板に
形成する工程は、何れが先に実施されてもよい。何れに
しても、少なくとも１つのＩＤＴが形成されており、か
つＩＤＴが形成されている励振部を挟むように第１，第
２の溝が形成された圧電基板が用意され、しかる後ＩＤ
Ｔに電気的接続部材が接続される。そして、少なくとも
励振部を覆うようにワックスが付与され、さらに電気的
接続部材の引き出されている部分を除いた残りの部分が
熱硬化性樹脂により被覆され、加熱により熱硬化性樹脂
が硬化されて外装樹脂層が形成されるとともに、上記ワ
ックスが飛散されて空洞が形成される。

【００２７】従って、従来のレーリー波を利用した表面
波装置の場合と同様に、樹脂外装が施された表面波装置
を容易に得ることができる。しかも、パラフィンワック
スが、上記励振部を露出させるように付与されているた
め、共振特性の劣化が生じ難い、本発明の端面反射型表
面波装置を提供し得る。

【００２８】また、本発明の製造方法においては、好ま
しくは、上記ワックスの塗布が、第１，第２の溝間の圧
電基板部分のＩＤＴが形成されている一方主面と、該一
方主面からＳＨタイプの表面波の波長の３倍までの深さ
に至る端面部分とに行われ、それによって励振部分が空
洞に確実に露出されることになる。

【００２９】なお、上記ワックスとしては、外装樹脂を
加熱により硬化させる際に、飛散し空洞を形成し得る限
り、適宜の材料、例えばパラフィンワックスを用いるこ
とができる。

【００３０】また、熱硬化性樹脂についても、上記ワッ
クスを飛散させて空洞を形成した後に適度な硬度を有す
るように硬化される適当な熱硬化性樹脂を用いることが
でき、特に限定されるものではない。

【００３１】さらに、上記電気的接続部材については、
樹脂外装が施された電子部品に用いられている適宜のリ
ード線やリード端子を用いることができ、特に限定され
るものではない。

【００３２】なお、上記圧電基板に第１，第２の溝を形
成する工程は、圧電基板の一方主面側から例えばダイサ
ーや切断刃を用いて溝加工することにより行ない得る
が、この場合、形成される溝の幅が、表面波のエネルギ
ーが入り込み得る以上の大きさとすることが必要であ
り、このような溝の幅は、例えば、ダイサーのブレード
の厚みを調整することにより容易にコントロールするこ
とができる。

【００３３】

【発明の作用及び効果】上記のように、本発明の端面反
射型表面波装置では、圧電基板に第１，第２の溝が形成
されており、該圧電基板の第１，第２の溝間に端面反射
型表面波素子が構成されている。そして、第１，第２の
溝の外側の部分に上記非励振部が構成されているため、
空洞を形成のためのワックスなどを励振部を確実に露出
させるように付与することができる。そのため、本発明
の端面反射型表面波装置では、空洞に、表面波共振素子
の励振部が確実に露出されている。

【００３４】よって、ＳＨタイプの表面波を利用した端
面反射型表面波装置であって、所望通りの特性を実現し
得る装置を確実に提供することが可能となる。なお、端
面反射型表面波装置では、対向２端面間で励振部を構成
されているので、表面波装置の小型化を促進し得るが、
本発明の端面反射型表面波装置では、第１，第２の溝の
外側に非励振部が設けられており、その非励振部の分だ
け表面波装置のサイズが大型化する。しかしながら、非
励振部は励振部を空洞に確実に露出させるように、すな
わちワックスの塗布領域を拡げるために設けられている
ものに過ぎず、従って、非励振部は、さほど大きくする
必要はない。よって、非励振部が設けられるにしても、
非励振部をさほど大きくする必要がないため、従来の端
面反射型ではない表面波装置に比べれば、表面波装置の
サイズを小型化し得る。

【００３５】また、本発明の表面波装置の製造方法で
は、上記のように、第１，第２の溝間の圧電基板部分に
少なくとも１つのＩＤＴが形成した構造を得た後に、少
なくとも励振部を覆うようにワックスが付与される。こ
の場合、第１，第２の溝の外側に非励振部が設けられて
いるため、ワックス付与に際し、確実に励振部を覆うよ
うにワックスを付与することができる。よって、励振部
が露出されている空洞を確実に外装樹脂層内に形成する
ことができる。従って、従って、従来のレーリー波を利
用した表面波装置の場合と同様に、樹脂外装が施された
表面波装置を容易に得ることができる。しかも、パラフ
ィンワックスが、上記励振部を露出させるように付与さ
れているため、上述した本発明の端面反射型表面波装置
と同様に、共振特性の劣化が生じ難い、樹脂外装が施さ
れた端面反射型表面波装置を提供し得る。

【００３６】

【実施例の説明】以下、ＢＧＳ波を利用した端面反射型
表面波共振子に応用した表面波装置についての実施例に
つき説明する。

【００３７】まず、図５に示されている圧電基板２２を
用意する。圧電基板２２としては、チタン酸ジルコン酸
鉛などの圧電セラミックス、ＬｉＴａＯ₃ もしくはＬｉ
ＮｂＯ₃ 、水晶などの圧電単結晶からなるものを用いる
ことができる。

【００３８】次に、上記圧電基板２２の上面に、Ａｌな
どの金属材料をスパッタリングすることにより、Ａｌ膜
を形成する。しかる後、フォトリソグラフィーによりＡ
ｌ膜をパターニングし、ＩＤＴ２３を形成する。ＩＤＴ
２３は、一対のくし歯電極２４，２５を有する。くし歯
電極２４，２５は、それぞれ、複数本の電極指２４ａ〜
２４ｃ，２５ａ〜２５ｃを有する。複数本の電極指２４
ａ〜２４ｃと、複数本の電極指２５ａ〜２５ｃとは互い
に間挿しあうように配置されている。

【００３９】次に、圧電基板２２の上面からダイシング
マシーンにより所定の幅の第１，第２の溝２６，２７を
形成する。上記溝２６，２７の形成と、ＩＤＴ２３の形
成は逆に行ってもよい。すなわち、まず溝２６，２７を
形成した後に、ＩＤＴ２３を形成してもよい。

【００４０】もっとも、ＩＤＴ２３を構成しているくし
歯電極２４，２５の電極指２４ａ〜２４ｃ，２５ａ〜２
５ｃのうち、両端の電極指２４ｃ，２５ａの幅は、他の
電極指の半分の幅、すなわちλ／８とされている。ま
た、残りの電極指２４ａ，２４ｂ，２５ｂ，２５ｃの幅
は、λ／４の幅とされている。従って、全てがλ／４の
幅の複数本の電極指を有する一対のくし歯電極を形成し
た後に、上記溝２６，２７を形成するに際し、両端の電
極指の幅を１／２に分割するように溝２６，２７を形成
することにより、上記ＩＤＴ２３を正確に形成すること
ができる。すなわち、両端の電極指２４ｃ，２５ａの外
側端縁が溝２６，２７の内面２６ａ，２７ａに正確に臨
むように確実にＩＤＴ２３を形成することができるの
で、先にＩＤＴ２３を形成した後に、溝２６，２７を形
成することが望ましい。

【００４１】溝２６，２７の内面２６ａ，２７ａは、互
いに平行とされており、従って端面反射型表面波素子に
おける対向２端面を構成している。上記のように溝２
６，２７を形成することにより、溝２６，２７間に端面
反射型表面波素子部分が構成されるとともに、溝２６，
２７の外側には、非励振部２８，２９が構成されること
になる。

【００４２】次に、図５に示した表面波素子チップ２１
を、図６に示すように、第１の金属端子３１上に接着剤
を用いて接着する。他方、第１の金属端子３１と一方の
くし歯電極２４とをボンディングワイヤー３２により接
続する。さらに、Ｉ字状の第２の金属端子３３を金属端
子３１の側方に配置し、金属端子３３と、他方のくし歯
電極２５とをボンディングワイヤー３４により接続す
る。

【００４３】なお、金属端子３１，３３は、本発明の電
気的接続部材を構成するものであるが、電気的接続材
は、図６に示した金属端子３１，３３に限らず、金属線
などにより構成してもよい。もっとも、金属端子３１の
ように、表面波素子２１を載置し得る大きさを有する素
子載置部３１ａが形成された平板状の金属端子を用いる
ことが望ましい。

【００４４】次に、図５に一点鎖線３０で示す領域にパ
ラフィンワックスを付与し、しかる後、エポキシ樹脂な
どの熱硬化性樹脂で周囲を被覆する。この場合、熱硬化
性樹脂を溶融状態に保っておき、溶融状態の熱硬化性樹
脂にワックスが塗布された表面波素子２１を浸漬し、さ
らに引き上げることにより、上記熱硬化性樹脂よりなる
被覆を形成することができる。

【００４５】しかる後、熱硬化性樹脂が硬化する温度ま
で加熱することにより、例えば１５０℃程度の温度で熱
処理を加えることにより、熱硬化性樹脂からなる外装樹
脂層を硬化させる。この場合、加熱により、塗布されて
いたパラフィンワックスが飛散し、内部には空洞が形成
される。

【００４６】すなわち、図７に断面図で示すように、表
面波素子チップ２１の上方に空洞３５が形成され、かつ
全体が外装樹脂層３６で被覆されたリード付き電子部品
が得られる。

【００４７】ところで、本実施例では、空洞３５は、第
１，第２の溝２６，２７間で挟まれた表面波素子部分の
励振部３７を確実に露出するように形成されている。す
なわち、図５から明らかなように、パラフィンワックス
は、非励振部２８，２９の上面にまで至るように付与さ
れる。従って、第１，第２の溝２６，２７間の圧電基板
部分２２ａの上面だけでなく、対向２端面を構成してい
る第１，第２の溝２６，２７の内面２６ａ，２７ａも空
洞３５に確実に露出されることになる。よって、図７に
示した本実施例の端面反射型表面波装置３８では、図７
の一点鎖線Ａで示す部分よりも上方に配置されている励
振部３７が、確実に空洞３５に露出されることになる。

【００４８】従って、外装樹脂３６を設けたリード付き
の電子部品として構成した場合であっても、共振特性の
劣化が生じ難い端面反射型の表面波装置を提供すること
ができる。

【００４９】次に、具体的な実験例に基づき、本発明の
効果を明らかにする。上記圧電基板として、ＰＺＴから
なり、厚み５００μｍの圧電基板を用意した。次に、厚
み１μｍのＡｌ電極をスパッタリングにより上面の全面
に形成した。しかる後、フォトリソグラフィーによりＡ
ｌ電極をパターニングし、上記ＩＤＴ２３を形成した。
なお、励振されるＢＧＳ波の波長が８２μｍとなるよう
に、かつ電極指交差幅が２２８μｍ、電極指の対数が２
０となるように上記ＩＤＴ２３を形成した。

【００５０】しかる後、ダイシングマシーンを用い、３
００μｍの深さを有し、かつ１００μｍの幅の第１，第
２の溝２６，２７を形成した。第１，第２の溝２６，２
７の外側には、幅方向、すなわち、表面波伝搬方向に沿
う方向の寸法が約２００μｍの非励振部２８，２９を残
すように、圧電基板を切断し、図５に示した表面波素子
チップ２１を得た。

【００５１】次に、図５に示した一点鎖線３０で示した
領域にパラフィンワックスを該圧電基板の１／２の厚み
に付与し、しかる後全体を熱硬化性樹脂で被覆し、加熱
により樹脂外装の形成及び空洞の形成を行った。

【００５２】比較のために、上述した表面波素子チップ
２１の内面２６ａ，２７ａ部分で切断し、非励振部２
８，２９が設けられていない端面反射型の表面波素子チ
ップを得、上記実施例と同様にして金属端子の接合及び
樹脂外装の形成を行った。もっとも、この比較例では、
パラフィンワックスは、ＩＤＴ２３が形成されている圧
電基板部分の上面にのみに塗布した。

【００５３】上記実施例及び比較例の表面波装置を５０
個ずつ抜き取り、インピーダンス特性及び位相特性を測
定した。実施例及び比較例の表面波装置のインピーダン
ス特性及び位相特性を図８に示す。

【００５４】上記５０個の実施例の表面波装置では、そ
の全てが、図８の実線Ｂ，Ｃで示すインピーダンス特性
及び位相特性を示した。これに対し、比較例の表面波装
置では、実線Ｂ，Ｃで示すインピーダンス特性及び位相
特性を示したものが５〜６個であり、ほとんどの表面波
装置において、破線Ｄ，Ｅで示すインピーダンス特性及
び位相特性を示すことが認められた。すなわち、比較例
の表面波装置に比べて実施例の表面波装置では、山谷比
（すなわち、反共振点におけるインピーダンス値の共振
点におけるインピーダンス値に対する比）が大きく、か
つ位相回転角の大きいことがわかる。

【００５５】上記実施例及び比較例の山谷比及び最大位
相回転角を、機械的品質係数Ｑｍとともに下記の表１に
示す。

【００５６】

【表１】

【００５７】なお、表１に示した値は、実施例及び比較
例の表面波装置５０個の平均値を示す。表１から明らか
なように、実施例の表面波装置では、比較例の表面波装
置に比べて山谷比で約１０ｄＢ、位相回転角で約１０
°、機械的品質係数Ｑｍで２倍以上、高められることが
わかる。

【００５８】また、図８の実線Ｂ，Ｃで示す特性を示す
実施例の表面波装置を抜き取り、表面波伝搬方向に沿っ
て切断し、内部を観察したところ、空洞が励振部を確実
に露出するように構成されていたことが認められた。こ
れに対して、破線Ｄ，Ｅで示す特性の比較例の表面波装
置では、空洞の形成が十分ではなく、くし歯電極の両端
近傍及び対向２端面の上方部分に熱硬化性樹脂が接触し
ていることが確かめられた。

【００５９】また、実線Ｂ，Ｃで示す特性を示した実施
例の表面波装置を３０ＭＨｚの発信周波数の発振子とし
て、発信回路に組み込んで評価した。その結果、発信停
止は皆無であった。これに対し、破線Ｄ，Ｅの特性を示
した比較例の表面波装置を同様に発信回路に組み込んだ
ところ、半数以上の表面波装置において発信停止が起こ
った。

【００６０】図９は、本発明の第２の実施例にかかる端
面反射型表面波装置を説明するための斜視図である。第
１の実施例では、１個のＩＤＴが構成された端面反射型
表面波共振子に適用した実施例を説明したが、本発明
は、２以上のＩＤＴが形成されている端面反射型表面波
装置にも適用することができる。

【００６１】図９に示す第２の実施例は、２個のＩＤＴ
４２，４３を有する端面反射型のトランスバーサル型表
面波フィルタである。表面波素子チップ４１では、ＩＤ
Ｔ４２，４３が表面波伝搬方向に沿って所定距離を隔て
て形成されている。圧電基板４４では、上面から第１，
第２の溝４５，４６が形成されており、該第１，第２の
溝４５，４６間において、上記ＩＤＴ４２，４３が形成
されている。すなわち、第１，第２の溝４５，４６間
に、トランスバーサル型の表面波フィルタ素子が構成さ
れている。なお、第１，第２の溝４５，４６の内面４５
ａ，４６ａは、互いに平行とされており、従って対向２
端面を構成している。

【００６２】なお、圧電基板４４は、図示の矢印Ｐ方
向、すなわち電極指の延びる方向と平行に分極処理され
ている。その他の点については、第１の実施例と同様で
ある。

【００６３】また、上記トランスバーサル型表面波フィ
ルタに応用した表面波素子チップ４１を用いて、第１の
実施例と同様に空洞が形成された外装樹脂層を有する表
面波装置を構成し、特性を測定した。さらに、比較のた
めに、溝４５，４６の内面４５ａ，４６ａの部分で切断
した素子チップを用いた、同様にしてリード付きの表面
波装置を構成し、特性を測定した。その結果、比較例の
表面波装置では、伝搬ロスが１０ｄＢであったに対し、
第２の実施例の表面波装置では伝搬ロスは５ｄＢと、か
なり低減されることが確かめられた。

【図面の簡単な説明】

【図１】レーリー波を利用した従来の表面波共振子を説
明するための平面図。

【図２】図１に示した表面波共振子を用いた樹脂外装が
施された表面波装置の断面図。

【図３】従来の端面反射型表面波共振子を示す斜視図。

【図４】図３に示した端面反射型表面波共振子を用いて
構成された樹脂外装が施された表面波装置の横断面図。

【図５】第１の実施例で用意される表面波素子チップを
示す斜視図。

【図６】第１の実施例において、表面波素子チップを金
属端子上に載置した状態を示す斜視図。

【図７】第１の実施例の表面波装置の横断面図。

【図８】実施例及び比較例のインピーダンス特性及び位
相特性を説明するための図。

【図９】第２の実施例の表面波装置に用いられる端面反
射型の表面波素子チップを示す斜視図。

【符号の説明】

２１…表面波素子チップ ２２…圧電基板 ２３…ＩＤＴ ２４，２５…くし歯電極 ２６，２７…第１，第２の溝 ２８，２９…非励振部 ３０…パラフィンワックスが塗布される領域 ３１，３３…電気的接続部材としての金属端子 ３５…空洞 ３６…外装樹脂層 ３７…励振部 ４１…表面波素子チップ ４２，４３…ＩＤＴ ４４…圧電基板 ４５，４６…第１，第２の溝

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 門田 道雄 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ＳＨタイプの表面波を利用した表面波装
   置であって、 内側の面同士が平行となるように一方主面側から形成さ
   れた第１，第２の溝を有する圧電基板と、 前記圧電基板の第１，第２の溝間に挟まれた基板部分に
   形成された少なくとも１つのインターデジタルトランス
   デューサとを備え、 前記第１，第２の溝の内側の面が対向２端面を形成して
   該対向２端面間に端面反射型の表面波素子が構成されて
   おり、かつ前記圧電基板の第１，第２の溝の外側の部分
   が非励振部とされており、 前記表面波素子の励振部を露出させるための空洞を残し
   て、前記圧電基板の周囲を被覆している外装樹脂層と、 前記表面波素子に電気的に接続されており、かつ前記外
   装樹脂層外に引き出された電気的接続部材とをさらに備
   える、端面反射型表面波装置。
2. 【請求項２】 前記空洞に露出される部分が、第１，第
   ２の溝間の圧電基板部分の前記インターデジタルトラン
   スデューサが形成されている側の一方主面と、該一方主
   面からＳＨタイプの表面波の波長の３倍までの深さに至
   る端面部分とである、請求項１に記載の端面反射型表面
   波装置。
3. 【請求項３】 圧電基板の一方主面において、励振部を
   構成する部分に少なくとも１つのインターデジタルトラ
   ンスデューサを形成する工程と、 前記圧電基板の一方主面から励振部を挟んで、かつ各内
   面同士が平行となるように第１，第２の溝を形成する工
   程と、 前記少なくとも１つのインターデジタルトランスデュー
   サに接続される電気的接続部材を配置する工程と、 少なくとも励振部を覆うように前記圧電基板にワックス
   を付与する工程と、 前記ワックス付与後に、前記電気的接続部材が引き出さ
   れている部分を除く全体を熱硬化性樹脂により被覆する
   工程と、 加熱により前記ワックスを飛散させて空洞を形成すると
   ともに、前記熱硬化性樹脂を硬化させ、外装樹脂層を形
   成する工程とを備える、請求項１に記載の端面反射型表
   面波装置の製造方法。
4. 【請求項４】 前記ワックスを付与する部分が、第１，
   第２の溝間の圧電基板部分の前記インターデジタルトラ
   ンスデューサが形成されている一方主面と、前記一方主
   面から励振されるＳＨタイプの表面波の波長の３倍まで
   の深さに至る端面部分とである、請求項３に記載の端面
   反射型表面波装置の製造方法。