JP2014067838A - 発光ユニット、発光装置、および、発光ユニットの製造方法 - Google Patents

発光ユニット、発光装置、および、発光ユニットの製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2014067838A
JP2014067838A JP2012211612A JP2012211612A JP2014067838A JP 2014067838 A JP2014067838 A JP 2014067838A JP 2012211612 A JP2012211612 A JP 2012211612A JP 2012211612 A JP2012211612 A JP 2012211612A JP 2014067838 A JP2014067838 A JP 2014067838A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lead
light emitting
main surface
molded body
resin
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2012211612A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6147976B2 (ja
Inventor
Tomoharu Horio
友春 堀尾
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Rohm Co Ltd
Original Assignee
Rohm Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rohm Co Ltd filed Critical Rohm Co Ltd
Priority to JP2012211612A priority Critical patent/JP6147976B2/ja
Priority to US14/036,584 priority patent/US20140084329A1/en
Publication of JP2014067838A publication Critical patent/JP2014067838A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6147976B2 publication Critical patent/JP6147976B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483Containers
    • H01L33/486Containers adapted for surface mounting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45139Silver (Ag) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/48463Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

【課題】 実装基板により強固に接続可能な発光ユニット、発光装置、および、そのような発光ユニットの製造方法を提供する。
【解決手段】 発光ユニット100は、発光素子3と、発光素子3が設置される第1の主面11、第1の主面11の反対を向く第1の裏面12、および、第1の主面11と第1の裏面12とを繋ぐ第1の側面131を有する第1のリード10と、第1の側面131と対向する第2の側面231を有する第2のリード20と、第1のリード10および第2のリード20を保持する第1の樹脂成形体5と、を備えている。第1の樹脂成形体5は、第1の主面11のうち発光素子3が設置される領域を露出させるように第1の主面11を覆っており、第1の側面11の少なくとも一部が第1の樹脂成形体5から露出している。
【選択図】 図3

Description

本発明は、発光ユニット、発光ユニットを内蔵する発光装置、および、発光ユニットの製造方法に関する。
従来、表面実装型の発光ユニットが知られている(たとえば特許文献1参照)。従来の発光ユニットは、金属製の第1,2のリードと、第1のリードに搭載された発光素子と、第1,2のリードを固定する第1の樹脂成形体と、発光素子を覆う第2の樹脂成形体とを備えている。第1の樹脂成形体は、発光素子および第2の樹脂成形体を収容するための凹部を備えている。このような凹部の形成は射出成形では困難である。このため、第1の樹脂成形体は熱硬化樹脂を用いてトランスファーモールド法を行うことにより形成される。
上記の発光ユニットは、発光装置に光源として組み込まれて使用される。発光装置は、電源に接続される配線パターンが設けられた実装基板を備えており、この実装基板に発光ユニットは実装される。発光ユニットを実装基板に実装する際には、第1,2のリードと配線パターンとをハンダを介して接続させる。発光装置の信頼性を向上させるために、第1,2のリードと配線パターンとの接続強度の向上が求められている。
特許第4608294号公報
本発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、実装基板により強固に接続可能な発光ユニット、発光装置、および、そのような発光ユニットの製造方法を提供することをその課題とする。
本発明の第1の側面によって提供される発光ユニットは、発光素子と、前記発光素子が設置される第1の主面、前記第1の主面の反対を向く第1の裏面、および、前記第1の主面と前記第1の裏面とを繋ぐ第1の側面を有する第1のリードと、前記第1の側面と対向する第2の側面を有する第2のリードと、前記第1のリードおよび前記第2のリードを保持する第1の樹脂成形体と、を備えており、前記第1の樹脂成形体は、前記第1の主面のうち前記発光素子が設置される領域を露出させるように前記第1の主面を覆っており、前記第1の側面の少なくとも一部が前記第1の樹脂成形体から露出していることを特徴とする。
このような構成によれば、前記第1の側面の一部が前記第1の樹脂成形体から露出しているため、前記発光ユニットをたとえばハンダを用いて実装基板に接続する際に、前記第1のリードとハンダとの接触面積を増やすことが可能である。このことは、前記第1のリードと前記実装基板との接続を強固にするうえで望ましい。
本発明の好ましい実施の形態においては、前記第2のリードは、前記第1の主面と同じ方向を向く第2の主面と、前記第1の裏面と同じ方向を向く第2の裏面とを有しており、前記第1の樹脂成形体は、前記第2の主面の一部を露出させるように、前記第2の主面を覆っており、前記第2の側面の少なくとも一部が前記第1の樹脂成形体から露出している。
本発明の好ましい実施の形態においては、前記第1の裏面および前記第2の裏面が前記第1の樹脂成形体から露出している。
本発明の好ましい実施の形態においては、前記第1の樹脂成形体は、前記第1の側面および前記第2の側面に接する帯状部を有している。
本発明の好ましい実施の形態においては、前記第1の側面および前記第2の側面に挟まれる凹部が形成されており、前記帯状部は前記凹部に臨んでいる。
本発明の好ましい実施の形態においては、前記発光素子を覆う第2の樹脂成形体をさらに備えており、前記第1の樹脂成形体には前記第2の樹脂成形体を収容する窓部が形成されている。
本発明の好ましい実施の形態においては、前記第2の樹脂成形体は前記第1の主面および前記第2の主面に接し、前記帯状部が前記第2の樹脂成形体に接している。
本発明の第2の側面によって提供される発光装置は、本発明の第1の側面によって提供される発光ユニットと、前記第1のリードに接続される第1の配線パターンと、前記第1の配線パターンと前記第1の裏面とを接続する第1の接合部材と、を備えていることを特徴とする。
本発明の好ましい実施の形態においては、前記第1の接合部材が、前記第1の側面に接している。
本発明の好ましい実施の形態においては、前記第2のリードに接続される第2の配線パターンと、前記第2の配線パターンと前記第2の裏面とを接続する第2の接合部材と、を備えている。
本発明の好ましい実施の形態においては、前記第2の接合部材が、前記第2の側面に接している。
本発明の第3の側面によって提供される発光ユニットの製造方法は、第1の主面、前記第1の主面の反対を向く第1の裏面、および、前記第1の主面と前記第1の裏面とを繋ぐ第1の側面を有する第1のリードを形成する工程と、前記第1の側面と対向する第2の側面を有する第2のリードを形成する工程と、前記第1のリードおよび第2のリードを第1の樹脂材料で覆う工程と、を備えており、前記第1のリードおよび第2のリードを第1の樹脂材料で覆う工程では、前記第1の側面の少なくとも一部を前記第1の樹脂材料から露出させることを特徴とする。
より好ましい製造方法においては、前記第1のリードおよび前記第2のリードを前記第1の樹脂材料で覆う工程は、上下1対の金型の間に樹脂フィルムを設置する工程と、前記第1の裏面が前記樹脂フィルムに当接するように、前記上下1対の金型の間に前記第1のリードおよび前記第2のリードを設置する工程と、前記樹脂フィルム、前記第1のリード、および、前記第2のリードが設置された前記上下1対の金型の間に前記第1の樹脂材料を流し込む工程と、を有している。
より好ましい製造方法においては、前記第2のリードは、前記第1の裏面と同じ方向を向く第2の裏面を有しており、前記上下1対の金型の間に前記第1のリードおよび前記第2のリードを設置する工程では、前記第2の裏面が前記樹脂フィルムに当接する。
より好ましい製造方法においては、前記上下1対の金型の間に前記第1のリードおよび前記第2のリードを設置する工程では、前記第1の側面と前記第2の側面との間に前記樹脂フィルムの一部が入り込む。
より好ましい製造方法においては、前記上下1対の金型は、平坦な底面を有する下金型と、前記底面に向けて突き出す凸部を有する上金型と、を有しており、前記樹脂フィルムは前記底面に設置される。
より好ましい製造方法においては、前記凸部を前記第1の主面に当接させる工程を含む。
より好ましい製造方法においては、前記第2のリードは、前記第1の主面と同じ方向を向く第2の主面を有しており、前記凸部を前記第1の主面に当接させる工程では、前記凸部は前記第2の主面にも当接する。
より好ましい製造方法においては、前記第1のリードおよび前記第2のリードを前記第1の樹脂材料で覆う工程では、前記凸部に対応する窓部を有する第1の樹脂成形体が形成される。
より好ましい製造方法においては、前記窓部内に発光素子を設置する工程と、前記発光素子を第2の樹脂材料で覆う工程と、を備えており、前記発光素子を前記第2の樹脂材料で覆う工程では、前記発光素子を覆う第2の樹脂成形体が形成される。
より好ましい製造方法においては、前記第1のリードおよび前記第2のリードを前記第1の樹脂材料で覆う工程は、前記第1の側面と前記第2の側面との間にパラフィンを設置する工程を含んでおり、前記第1のリードおよび前記第2のリードを前記第1の樹脂材料で覆う工程を行った後に、前記パラフィンを加熱する工程を行う。
より好ましい製造方法においては、前記パラフィンを設置する工程は、前記第1の側面のうち、前記第1の裏面寄りの領域が前記パラフィンに覆われ、かつ、前記第1の主面寄りの領域が前記パラフィンから露出するように行われる。
より好ましい製造方法においては、前記第2のリードは、前記第1の主面と同じ方向を向く第2の主面と、前記第1の裏面と同じ方向を向く第2の裏面とを有しており、前記パラフィンを設置する工程は、前記第2の側面のうち、前記第2の裏面寄りの領域が前記パラフィンに覆われ、かつ、前記第2の主面寄りの領域が前記パラフィンから露出するように行われる。
本発明のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
本発明に基づく発光ユニットを示す要部平面図である。 図1に示す発光ユニット底面図である。 図1のIII−III線に沿う断面図である。 図3の要部拡大断面図である。 図1に示す発光ユニットを内蔵する発光装置の要部断面図である。 図5の要部拡大断面図である。 図1示す発光ユニットの製造工程において製造されるリードフレームを示す図である。 図1示す発光ユニットの製造工程において使用される上下の金型および樹脂フィルムを示す図である。 下金型にリードフレームを設置する工程を示す図である。 図9のX−X線に沿う断面図である。 上下の金型でリードフレームを挟む工程を示す図である。 上下の金型の間に樹脂材料を流し込む工程を示す図である。 図12に示す工程の後の工程を示す図である。 発光素子を設置した後の状態を示す図である。 図1に示す発光ユニットの別の製造方法を説明するための図である。 図15に示すリードフレームを金型に設置した状態を示す図である。 図16に示す金型の間に樹脂材料を流し込んだ状態を示す図である。 図17に示す樹脂材料を硬化させた後の状態を示す図である。
以下、本発明の好ましい実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。
図1〜図4は、本発明に基づく発光ユニットを示している。本実施形態の発光ユニット100は、第1のリード10、第2のリード20、発光素子3、ツェナーダイオード33、第1のワイヤ41、第2のワイヤ42、第3のワイヤ43、第1の樹脂成形体5、および第2の樹脂成形体6を備えている。なお、理解の便宜上、図1においては第2の樹脂成形体6を省略している。図1に示すように発光ユニット100は、平面視長矩形状である。以下の説明において、発光ユニット100の長手方向をx方向とし、短手方向をy方向とし、x方向およびy方向と直交する方向をz方向とする。発光ユニット100は、たとえば照明器具に組み込まれる発光装置の部品として使用される。
図1および図2に表れているように、発光ユニット100の外形を成すのは第1の樹脂成形体5である。第1の樹脂成形体5は第1のリード10および第2のリード20を保持している。第1の樹脂成形体5には、図1および図3に示すように平面視中央部に窓部51が形成されている。この窓部51は、第1のリード10の一部および第2のリード20の一部を露出させている。発光素子3、ツェナーダイオード33、第1のワイヤ41、第2のワイヤ42、第3のワイヤ43、および第2の樹脂成形体6は窓部51に収容されている。
第1のリード10は、たとえば銅または鉄製であり、x方向に長く延びる略長板状に形成されている。第1のリード10のz方向における厚さは、たとえば0.1〜0.5mmの範囲内で適宜設定可能である。本実施形態では、第1のリード10の厚さを0.25mmとする。第1のリード10は、z方向において互いに反対を向く第1の主面11と第1の裏面12とを有している。図3に示すように、第1の主面11はz方向における上方を向き、第1の裏面12は下方を向いている。さらに、第1のリード10は、第1の主面11と第1の裏面12とを繋ぐ第1の側面131を有している。第1の側面131は、図3における右方を向く面となっている。また、図3に示すように、第1のリード10は、第1の側面131の反対側に位置する側面132を有している。図2に示すように、第1のリード10は、第1の側面131および側面132と直交する側面133および側面134を有している。側面133および側面134は互いに反対を向く面となっている。
図3に示すように、第1の主面11は、第1の樹脂成形体5に覆われる被覆部11aと、第1の樹脂成形体5から露出する露出部11bとを有している。第1の裏面12および側面132は第1の樹脂成形体5から露出している。側面133および側面134は第1の樹脂成形体5に覆われている。本実施形態では、側面132は第1の樹脂成形体5のx方向における図3中左端面と面一となっており、第1の裏面12は第1の樹脂成形体5のz方向における図3中下端面と面一となっている。側面133および側面134は第1の樹脂成形体5と密接しており、側面133および側面134を介して第1のリード10は第1の樹脂成形体5に保持されている。
第1の側面131は一部のみが第1の樹脂成形体5に覆われ、残りの部分が第1の樹脂成形体5から露出している。図4は、第1の側面131の周辺を拡大して示すものである。図4に示すように、第1の側面131は、第1の樹脂成形体5に覆われる被覆部131aと、第1の樹脂成形体5から露出する露出部131bとを有している。被覆部131aはz方向において第1の主面11寄りの領域であり、露出部131bはz方向において第1の裏面12寄りの領域である。
第2のリード20は、たとえば銅または鉄製であり、y方向において第1のリード10と同じ幅寸法を有する矩形状に形成されている。第2のリード20のx方向における長さ寸法は第1のリード10よりも短くなっている。第2のリード20のz方向における厚さは第1のリード10と同じとなっている。図2に示すように、第2のリード20は、x方向において第1のリード10と離間するように配置されている。
第2のリード20は、z方向において互いに反対を向く第2の主面21と第2の裏面22とを有している。図3に示すように、第2の主面21はz方向における上方を向き、第2の裏面22は下方を向いている。さらに、第2のリード20は、第2の主面21と第2の裏面22とを繋ぐ第2の側面231を有している。第2の側面231は、図3における左方を向いており、第1の側面131と対向する面となっている。また、図3に示すように、第2のリード20は、第2の側面231の反対側に位置する側面232を有している。図2に示すように、第2のリード20は、第2の側面231および側面232と直交する側面233および側面234を有している。側面233および側面234は互いに反対を向く面となっている。
図3に示すように、第2の主面21は、第1の樹脂成形体5に覆われる被覆部21aと、第1の樹脂成形体5から露出する露出部21bとを有している。第2の裏面22および側面232は第1の樹脂成形体5から露出している。側面233および側面234は第1の樹脂成形体5に覆われている。本実施形態では、側面232は第1の樹脂成形体5のx方向における図3中右端面と面一となっており、第2の裏面22は第1の樹脂成形体5のz方向における図3中下端面と面一となっている。側面233および側面234は第1の樹脂成形体5と密接しており、側面233および側面234を介して第2のリード20は第1の樹脂成形体5に保持されている。
第2の側面231は一部のみが第1の樹脂成形体5に覆われ、残りの部分が第1の樹脂成形体5から露出している。図4には、第2の側面231の周辺も拡大して示されている。図4に示すように、第2の側面231は、第1の樹脂成形体5に覆われる被覆部231aと、第1の樹脂成形体5から露出する露出部231bとを有している。被覆部231aはz方向において第2の主面21寄りの領域であり、露出部231bはz方向において第2の裏面22寄りの領域である。
第1の側面131と第2の側面231との間隔は、第1のリード10および第2のリード20の厚さと同程度の長さであればよく、たとえば0.1〜0.5mmの範囲内で適宜調整可能である。本実施形態では、第1の側面131と第2の側面231との間隔を0.25mmとする。
図4に示すように、第1の側面131の被覆部131aと、第2の側面132の被覆部231aとの間には、第1の樹脂成形体5の一部(後述する帯状部52)が入り込んでいる。第1の側面131の露出部131bと第2の側面231の露出部231bとの間には凹部520が形成されている。なお、図3および図4では、分かり易いように凹部520を大きく示している。この凹部520のz方向における寸法は、たとえば、20〜100μm程度である。
発光素子3は、たとえば、GaNからなるn型半導体層、活性層およびp型半導体層が積層された構造とされた発光ダイオード(LED)素子でおり、たとえば青色光を発する。発光素子3は略直方体形状であり、z方向における図3中上方側に配置された第1の電極端子31および第2の電極端子32を有している。図3に示す例では、第2の電極端子32は、第1の電極端子31と離間しており、第1の電極端子31よりもx方向において図中右方に位置している。発光素子3は、たとえば図示しない接合材を介して、第1の主面11の露出部11bに固定されている。なお、図示しない接合材としては、たとえば銀ペーストを用いたものが利用可能である。
第1の電極端子31は第1のワイヤ41を介して第1のリード10と導通しており、第2の電極端子32は第2のワイヤ42を介して第2のリード20と導通している。このような構造によれば、第1のリード10の裏面12および第2のリード20の裏面22を後述する発光装置の実装基板に実装することで第1の電極端子31および第2の電極端子32に電力を供給し発光素子3を発光させることができる。
ツェナーダイオード33は、発光素子3に過大な逆電圧が印加されるのを防止するためのものであり、図1に示すように、第1の主面10の露出部11b上に設置されている。ツェナーダイオード33は第3のワイヤ43を介して第2のリード20に接続されている。
第1のワイヤ41、第2のワイヤ42、および第3のワイヤ43はたとえば金線あるいは銀線である。第1のワイヤ41の一端は第1の電極端子31に接続され、他端は第1の主面11の露出部11bに接続されている。第2のワイヤ42の一端は第2の電極端子32に接続され、他端は第2の主面21の露出部21bに接続されている。第3のワイヤ43の一端はツェナーダイオード33に接続され、他端は第2の主面21の露出部21bに接続されている。
第1の樹脂成形体5は、たとえば白色の熱硬化樹脂からなる。具体的には、第1の樹脂成形体5を構成する白色の熱硬化樹脂は、熱硬化樹脂に酸化チタン顔料を添加したものである。熱硬化樹脂としては、たとえば、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、アクリレート樹脂、ウレタン樹脂のいずれかを用いることができる。なお、熱硬化樹脂を白色に着色するための添加物としては、酸化チタン以外にも、シリカやアルミナを用いることもできる。
図1および図3に示すように、第1の樹脂成形体5には窓部51が形成されている。窓部51は、z方向視においてx方向を長手方向とする略矩形状であり、第1の樹脂成形体5の中央に設けられている。窓部51はz方向における図2中下方ほど、z方向視における面積が小さくなるように形成されている。具体的には、窓部51は発光素子3を囲む4つの斜面により構成されている。図3には、4つの斜面のうち2つが表れている。図3に表れる両斜面はそれぞれz方向において第1のリード10に近づくほどx方向において発光素子3に近づくように形成されている。これらの斜面は、発光素子3から側方(たとえば、x,y方向)に発せられた光を第1の樹脂成形体5の外方(たとえばz方向図3中上方)に向けて反射し、発光素子3の光量向上に好ましく寄与する。
第1の樹脂成形体5は、図2に示すように、第1の側面131および第2の側面231に挟まれる帯状部52を有している。図2に示すように、帯状部52はx方向に一定の幅を有し、y方向に長く延びるように形成されている。また、第1の樹脂成形体5は、y方向において第1のリード10および第2のリード20を間に挟んで離間する1対の保持部53,54を有している。保持部53は側面133および側面233に当接する部分であり、保持部54は側面134および側面234に当接する部分ある。帯状部52の図2中上端は保持部53に連結され、図2中下端は保持部54に連結されている。
図3および図4に示すように、帯状部52は、z方向における厚みが第1のリード10および第2のリード20の厚みよりも小さくなるように形成されている。さらに、本実施形態では、帯状部52の図4中上面52aは、第1の主面11および第2の主面21と面一となっている。帯状部52の図4中下端部52bは、凹部520に臨んでいる。
第2の樹脂成形体6は、発光素子3からの光を透過させる材質からなり、発光素子3を覆うように形成されている。本実施形態では、図3に示すように第2の樹脂成形体6は窓部51の内側の空間に充填されており、第1のワイヤ41、第2のワイヤ42、第3のワイヤ43、第1の主面11の露出部11b、第2の主面21の露出部21b、および、帯状部52の上面52aをも覆っている。図4に示すように、第2の樹脂成形体6は、第1の主面11の露出部11b、第2の主面21の露出部21b、および、帯状部52の上面52aに直接接している。
具体的には、第2の樹脂成形体6は、たとえば透明なエポキシ樹脂に蛍光材料が混入された材質からなる。この蛍光材料は、たとえば発光素子3からの青色光によって励起されることにより黄色光を発する。発光素子3からの青色光と上記蛍光材料からの黄色光とが混色することにより、発光ユニット100からは白色光が発せられる。なお、上記蛍光材料に代えて、青色光によって励起されることにより赤色光を発する蛍光材料と緑色光を発する蛍光材料とを合わせて用いてもよい。
図5および図6は、発光ユニット100を内蔵する発光装置200を説明するためのものである。発光装置200は、たとえば照明器具として用いられるものである。
発光装置200は、発光ユニット100と、実装基板70と、実装基板70に設けられた第1の配線パターン71および第2の配線パターン72と、第1の接合部材81と、第2の接合部材82とを備えている。第1の配線パターン71および第2の配線パターン72は、それぞれ発光装置200の外部に設けられた電源の別々の極に接続される。
図5に示すように、第1の配線パターン71は、第1の接合部材81を介して第1のリード10に接続されている。具体的には、第1の接合部材81は、第1の配線パターン71の図5中上面と第1のリード10の裏面12とを接続している。第2の配線パターン72は、第2の接合部材82を介して第2のリード20に接続されている。具体的には、第2の接合部材82は、第2の配線パターン72の図5中上面と第2のリード20の裏面22とを接続している。第1の接合部材81および第2の接合部材82は、たとえばハンダである。
図6は、発光ユニット100に形成された凹部520の周辺を説明するための拡大断面図である。図6に示すように、発光ユニット100が発光装置200組み込まれた状態においては、凹部520には第1の接合部材81および第2の接合部材82が入り込んでいる。
図6に示すように、第1の接合部材81の凹部520に入り込んだ部分は第1の側面131の露出部131bに接している。また、第2の接合部材82の凹部520に入り込んだ部分は第2の側面231の露出部231bに接している。これらの部分は、発光ユニット100を実装基板70に実装する際に形成されるものである。具体的には、第1の裏面12と第1の配線パターン71とをハンダ付けする際に、ハンダの一部が第1の裏面12および第1の側面131の露出部131bを伝って凹部520内に回り込む。また、第2の裏面22と第2の配線パターン72とをハンダ付けする際に、ハンダの一部が第2の裏面22および第2の側面231の露出部231bを伝って凹部520内に回り込む。ハンダが露出部131bおよび露出部231bに接したまま硬化することで、図6に示すような第1の接合部材81および第2の接合部材82が形成される。
次に、図7〜図14を参照にしつつ、発光ユニット100の製造方法について説明する。
図7には、発光ユニット100を製造する際に使用するリードフレームの一例を示している。図7に示すリードフレーム1Aは、互いに離間する第1のリード10Aおよび第2のリード20Aを備えている。リードフレーム1Aは、たとえば厚さ0.25mm程度の銅板に打ち抜き加工、あるいは、切断加工を施すことにより形成される。第1のリード10Aは、z方向において互いに反対を向く主面11Aおよび裏面12Aを有している。また、第1のリード10Aは、主面11Aおよび主面12Aを繋ぎ、図7中右方を向く第1の側面131Aを有している。第2のリード20Aは、z方向において互いに反対を向く主面21Aおよび裏面22Aを有している。また、第2のリード20Aは、主面21Aおよび主面22Aを繋ぎ、図7中左方を向く第2の側面231Aを有している。第2の側面231Aは第1の側面131Aと対向する面である。第1の側面131Aと第2の側面231Aとの間隔は、たとえば0.25mmである。
発光ユニット100を製造する際には、図7に示すリードフレーム1Aを製造する工程を行う。この工程は、第1のリード10Aを形成する工程と、第2のリード20Aを形成する工程を含んでいる。リードフレーム1Aを製造した後に、リードフレーム1Aを第1の樹脂材料で覆う工程を行う。リードフレーム1Aを第1の樹脂材料で覆う工程は、本発明でいう第1のリードおよび第2のリードを第1の樹脂材料で覆う工程に相当する。
図8には、リードフレーム1Aを第1の樹脂材料で覆う際に使用する上下1対の金型および樹脂フィルムを示している。上下1対の金型は、平坦な底面911を有する下金型91と、底面911に向けて突き出す凸部921を有する上金型92と、を有している。上金型92には、後述する樹脂材料を流し込むための流し込み口922が形成されている。なお、流し込み口922は、上金型92と下金型91とを合わせた際に機能するものである。樹脂フィルム93は、たとえば第1の樹脂成形体5を構成する樹脂よりも応力変形容易な樹脂を一定の厚みを有するフィルム状としたものである。具体的には、樹脂フィルム93は、ポリエチレンテレフタレート(PET)フィルムであり、0.2〜0.5mm程度の厚みを有している。なお、樹脂フィルム93としては、PETフィルムに限定されず、たとえば、ポリ塩化ビニル、ポリカーボネート、ポリプロピレン、ポリエチレンのいずれかからなるフィルムを用いてもよい。
リードフレーム1Aを第1の樹脂材料で覆う工程では、まず、上下1対の金型91,92の間に樹脂フィルムを設置する工程を行う。この工程では、下金型91の底面911に樹脂フィルム93が設置される。図8には樹脂フィルム93が設置された状態を示している。
次に、上下1対の金型91,92の間に第1のリード10および第2のリード20を設置する工程を行う。この工程は、図9および図10に示すように下金型91にリードフレーム1Aを設置する工程と、図11に示すように上金型92と下金型91とでリードフレーム1Aを挟み込む工程とを含んでいる。
図10に示すように、下金型91にリードフレーム1Aを設置する工程において、第1の裏面12Aおよび第2の裏面22Aは、下金型91の底面911に設置された樹脂フィルム93に当接する。
下金型91にリードフレーム1Aを設置した後に、上金型92を下金型91に向けて降下させる。上金型92を降下させていくと、凸部921が、第1の主面11Aおよび第2の主面21Aに当接する。本実施形態では、凸部921が第1の主面11Aおよび第2の主面21Aに接した後も、さらに上金型92を降下させる。このようにすることで、図11に示すように、樹脂フィルム93の裏面12Aあるいは裏面22Aと接する領域は圧力を受けてz方向に収縮する。一方、樹脂フィルム93のうち、側面131Aと側面231Aとの間の領域と重なる部分は圧力を受けることがないため、収縮せず、のみならず周囲の変形量に応じて隆起する。このため、側面131Aと側面231Aとの間に樹脂フィルム93の一部(以下、隆起部931とする)が入り込むことになる。
この工程では、図11に示すように、第1の主面11Aの中に、上金型92と接触しない非接触部11aAと、凸部921と密接する密接部11bAとが生じる。また、第2の主面21Aの中にも、上金型92と接触しない非接触部21aAと、凸部921と密接する密接部21bAとが生じる。
次に、樹脂フィルム93、第1のリード10A、および、第2のリード20Aが設置された上下1対の金型91,92の間に第1の樹脂材料5Aを流し込む工程を行う。図12には流し込み終えた後の状態を示している。この工程は、たとえばトランスファーモールド法により行われる。第1の樹脂材料5Aは、上述した第1の樹脂成形体5を構成する熱硬化樹脂である。第1の樹脂材料5Aは上金型92に設けられた流し込み口922から、下金型91と上金型92との間に流し込まれる。
この工程では、第1の主面11Aの非接触部11aAおよび第2の主面21Aの非接触部21aAは第1の樹脂材料5Aによって被覆されることになる。第1の樹脂材料5Aの硬化後、第1の主面11Aの非接触部11aAは第1の主面11の被覆部11aとなり、密接部11bAは露出部11bとなる。また、第1の樹脂材料5Aの硬化後、第2の主面21Aの非接触部21aAは第2の主面21の被覆部21aとなり、密接部21bAは露出部21bとなる。
図12に示すように、第1の側面131Aと第2の側面231Aとの間にも、第1の樹脂材料5Aは入り込んでいる。ただし、第1の側面131Aと第2の側面231Aとに挟まれる空間のうち、第1の裏面12A寄りの領域(図中下寄りの領域)には隆起部931が入り込んでいる。このため、第1の樹脂材料5Aが入り込むのは、第1の側面131Aと第2の側面231Aとに挟まれる空間のうち、第1の主面11A寄りの領域(図中上寄りの領域)のみである。従って、第1の側面131Aの少なくとも一部は第1の樹脂材料5Aから露出することになる。また、第2の側面231Aの少なくとも一部は第1の樹脂材料5Aから露出する。以下、第1の側面131Aと第2の側面231Aとの間に入り込んだ第1の樹脂材料5Aを帯状部52Aとする。この帯状部52Aは、後に上述した帯状部52となる部分である。
次に、第1の樹脂材料5Aを硬化させる工程を行う。第1の樹脂材料5Aが硬化した後に、上下1対の金型91,92を取り除き、不要な部分を切除する工程を行う。以上で、第1のリード10Aおよび第2のリード20Aを第1の樹脂材料5Aで覆う工程は完了する。不要な部分を除去された第1のリード10Aは第1のリード10となる。第1のリード10Aの各部も第1のリード10の各部となる。不要な部分を除去された第2のリード20Aは第2のリード20となる。第2のリード20Aの各部も第2のリード20の各部となる。硬化後に不要な部分を除去された第1の樹脂材料5Aは、凸部921に対応する窓部51を有する第1の樹脂成形体5となる。図13には、第1のリード10および第2のリード20を第1の樹脂材料5Aで覆う工程を終えた後の中間物100Aを示している。
図13に示す中間物100Aは、上述した発光ユニット100における第1のリード10、第2のリード20、および、第1の樹脂成形体5を備えたものである。この中間物100Aには、凹部520が形成されている。
中間物100Aが形成された後に、発光素子3およびツェナーダイオード33を設置する工程を行い、さらに、第1のワイヤ41、第2のワイヤ42、および第3のワイヤ43を設置する工程を行う。これらの工程を経ることで図14に示す中間物100Bを得ることができる。
中間物100Bが形成された後に、窓部51に第2の樹脂材料を設置する工程を行い、第2の樹脂材料を硬化させることで、図1〜図4に示す発光ユニット100を完成させることができる。第2の樹脂材料は、硬化後、第2の樹脂成形体6となるものである。
次に、発光ユニット100およびその製造方法の作用について説明する。
本実施形態の発光ユニット100では、第1のリード10と第2のリード20との間に凹部520が形成されている。この凹部520は、発光ユニット100を発光装置200に組み込む際に、以下のような作用を発揮する。
図5および図6に示すように、発光装置200では、凹部520内に第1の接合部材81および第2の接合部材82が入り込んでいる。このため、第1の接合部材81は第1の側面131に接し、第2の接合部材82は第2の側面231に接している。このような構成によれば、凹部520が設けられていない場合と比較して、第1の接合部材81と第1のリード10との接触面積が大きくなり、第1の接合部材81と第1のリード10との接合強度が向上する。また、同様に、第2の接合部材82と第2のリード20との接触面積が大きくなり、第2の接合部材82と第2のリード20との接合強度が向上する。従って、発光ユニット100は、発光装置200の実装基板70に設けられた第1の配線パターン71および第2の配線パターン72により強固に接続可能となっている。
さらに、第1の接合部材81および第2の接合部材82が凹部520に入り込む構成は、第1の接合部材81と第2の接合部材82とが接触してしまうのを防ぐ作用を有している。第1の接合部材81および第2の接合部材82は、発光ユニット100を実装基板70に実装する際に用いられるハンダが硬化したものである。発光ユニット100を実装基板70に実装する際にハンダの量が多過ぎた場合、意図しない領域までハンダが広がることが起こり得る。凹部520が形成されていない場合、第1の裏面12および第2の裏面22と実装基板70との間に挟まれる限られた領域内をハンダが広がることになり、第1の接合部材81と第2の接合部材82とが接触した状態で形成されてしまうことが起こり得る。凹部520を形成しておくと、第1のリード10あるいは第2のリード20を伝ってハンダが凹部520内に逃げ込むことになる。このため、第1の接合部材81と第2の接合部材82とが接触することを防ぎやすくなっている。
また、本実施形態では、第1のリード10と第2のリード20との間に挟まれる帯状部52の厚みは、凹部520が設けられている分だけ、第1のリード10および第2のリード20の厚みよりも小さくなっている。第1のリード10および第2のリード20は銅製であり、第1の樹脂成形体5は樹脂製であるため、帯状部52には熱応力がかかることが想定される。帯状部52の厚みを小さくすることで、帯状部52にかかる熱応力を緩和することができる。
上述した製造方法では、下金型91に樹脂フィルム93を設置し、第1のリード10と第2のリード20との間に樹脂フィルム93の一部を入り込ませるようにしている。樹脂フィルム93が入り込んだ部分が凹部520となる。樹脂フィルム93を設置する工程は容易に行うことが可能であり、下金型91と上金型92とで第1のリード10および第2のリード20を挟み込むことも上下1対の金型91,92に元々備わっている機能により行うことができる。
上述した製造方法では、上下1対の金型91,92の間に樹脂フィルム93を挟むことで凹部520の形成を行ったが、以下に示す別の製造方法によっても凹部520を形成することが可能である。以下、図15〜図18を参照にしつつ、発光ユニット100の製造方法の別の例について説明を行う。なお、以下の説明では、上記と同一もしくは類似の構成については上記と同一の符号を付し、説明を適宜省略する。
発光ユニット100を製造する際には、図7に示すリードフレーム1Aを製造する工程を行う。その後に、図15に示すように、第1の側面131Aと第2の側面231Aとの間にパラフィン94を設置する工程を行う。図15に示すように、パラフィン94は、第1の側面131Aのうち、第1の裏面12A寄り(図15中下寄り)の領域を覆っている。第1の側面131Aのうち、第1の主面11A寄り(図15中上寄り)の領域はパラフィン94から露出している。また、パラフィン94は、第2の側面231Aのうち、第2の裏面22A寄り(図15中下寄り)の領域を覆っている。第2の側面231Aのうち、第2の主面21A寄り(図15中上寄り)の領域はパラフィン94から露出している。
第1の側面131Aと第2の側面231Aとの間にパラフィン94を設置する工程を行った後、上下1対の金型91,92の間に第1のリード10Aおよび第2のリード20Aを設置する工程を行う。この工程は、先述した製造方法における図9および図10に示した工程とほぼ同じである。図9および図10に示した工程では、下金型91に樹脂フィルム93が設置されているが、パラフィン94を用いる製造方法では、樹脂フィルム93を設置する必要ない。
次に、図16に示すように、凸部921が第1の主面11Aおよび第2の主面21Aに当接するまで、上金型92を下金型91に近づける工程を行う。その後、上金型92と下金型91との間に第1の樹脂材料5Aを流し込む工程を行う。図17には、上金型92と下金型91との間に第1の樹脂材料5Aを流し込み終えた後の状態を示している。図17に示すように、第1の側面131Aと第2の側面231Aとの間のうちパラフィン94が設置されている部分には第1の樹脂材料5Aは入り込まない。従って、第1の側面131Aの少なくとも一部は第1の樹脂材料5Aから露出することになる。また、第2の側面231Aの少なくとも一部は第1の樹脂材料5Aから露出する。一方で、図17に示すように、第1の側面131Aと第2の側面231Aとの間のうち上寄りの領域には第1の樹脂材料5Aが入り込み、帯状部52Aが形成されている。
次に、第1の樹脂材料5Aを硬化させる工程を行う。第1の樹脂材料5Aが硬化した後に、上下1対の金型91,92を取り除き、不要な部分を切除する工程を行う。以上で、第1のリード10Aおよび第2のリード20Aを第1の樹脂材料5Aで覆う工程は完了する。不要な部分を除去された第1のリード10Aは第1のリード10となる。第1のリード10Aの各部も第1のリード10の各部となる。不要な部分を除去された第2のリード20Aは第2のリード20となる。第2のリード20Aの各部も第2のリード20の各部となる。硬化後に不要な部分を除去された第1の樹脂材料5Aは、凸部921に対応する窓部51を有する第1の樹脂成形体5となる。図18には、第1のリード10および第2のリード20を第1の樹脂材料5Aで覆う工程を終えた後の中間物100A’を示している。図18に示すように、中間物100A’にはパラフィン94が残留している。
第1のリード10Aおよび第2のリード20Aを第1の樹脂材料5Aで覆う工程を行った後に、パラフィン94を加熱する工程を行う。この工程は、具体的には、中間物100A’に対して加熱処理を施すことで行われる。この加熱処理により、パラフィン94は昇華し、図13に示す中間物100Aと同様のものを得ることができる。
本発明にかかる発光ユニット、発光装置、および、発光ユニットの製造方法は、上述した実施形態に限定されるものではない。本発明にかかる発光ユニットおよび発光装置の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。また、発光ユニットの製造方法の具体的な手法も変更自在である。
上述した発光ユニット100は、いわゆる2ワイヤタイプの装置であるが、1ワイヤタイプのものや、発光素子3をフリップチップ実装するタイプのものであっても構わない。
上述した発光ユニットの製造方法では、トランスファーモールド法を用いているが、この例に限定されることはない。たとえば、第1の樹脂成形体5を射出成形してもよい。その場合でも、樹脂フィルム93あるいはパラフィン94を用いることで凹部520を容易に形成することが可能である。
100 発光ユニット
100A,100A’,100B 中間物
200 発光装置
1A リードフレーム
10,10A 第1のリード
11,11A 第1の主面
11a 被覆部
11b 露出部
11aA 非接触部
11bA 密接部
12,12A 第1の裏面
131,131A 第1の側面
131a 被覆部
131b 露出部
132,133,134 側面
20,20A 第2のリード
21,21A 第2の主面
21a 被覆部
21b 露出部
21aA 非接触部
21bA 密接部
22,22A 第2の裏面
231,231A 第2の側面
231a 被覆部
231b 露出部
232,233,234 側面
3 発光素子
31 第1の電極端子
32 第2の電極端子
33 ツェナーダイオード
41 第1のワイヤ
42 第2のワイヤ
43 第3のワイヤ
5 第1の樹脂成形体
5A 第1の樹脂材料
51 窓部
6 第2の樹脂成形体
70 実装基板
71 第1の配線パターン
72 第2の配線パターン
81 第1の接合部材
82 第2の接合部材
91 下金型
911 底面
92 上金型
921 凸部
922 流し込み口

Claims (23)

  1. 発光素子と、
    前記発光素子が設置される第1の主面、前記第1の主面の反対を向く第1の裏面、および、前記第1の主面と前記第1の裏面とを繋ぐ第1の側面を有する第1のリードと、
    前記第1の側面と対向する第2の側面を有する第2のリードと、
    前記第1のリードおよび前記第2のリードを保持する第1の樹脂成形体と、
    を備えており、
    前記第1の樹脂成形体は、前記第1の主面のうち前記発光素子が設置される領域を露出させるように前記第1の主面を覆っており、
    前記第1の側面の少なくとも一部が前記第1の樹脂成形体から露出していることを特徴とする、発光ユニット。
  2. 前記第2のリードは、前記第1の主面と同じ方向を向く第2の主面と、前記第1の裏面と同じ方向を向く第2の裏面とを有しており、
    前記第1の樹脂成形体は、前記第2の主面の一部を露出させるように、前記第2の主面を覆っており、
    前記第2の側面の少なくとも一部が前記第1の樹脂成形体から露出している、請求項1に記載の発光ユニット。
  3. 前記第1の裏面および前記第2の裏面が前記第1の樹脂成形体から露出している、請求項2に記載の発光ユニット。
  4. 前記第1の樹脂成形体は、前記第1の側面および前記第2の側面に接する帯状部を有している、請求項3に記載の発光ユニット。
  5. 前記第1の側面および前記第2の側面に挟まれる凹部が形成されており、
    前記帯状部は前記凹部に臨んでいる、請求項4に記載の発光ユニット。
  6. 前記発光素子を覆う第2の樹脂成形体をさらに備えており、
    前記第1の樹脂成形体には前記第2の樹脂成形体を収容する窓部が形成されている、請求項5に記載の発光ユニット。
  7. 前記第2の樹脂成形体は前記第1の主面および前記第2の主面に接し、
    前記帯状部が前記第2の樹脂成形体に接している、請求項6に記載の発光ユニット。
  8. 請求項1ないし請求項7のいずれかに記載の発光ユニットと、
    前記第1のリードに接続される第1の配線パターンと、
    前記第1の配線パターンと前記第1の裏面とを接続する第1の接合部材と、
    を備えていることを特徴とする、発光装置。
  9. 前記第1の接合部材が、前記第1の側面に接している、請求項8に記載の発光装置。
  10. 前記第2のリードに接続される第2の配線パターンと、
    前記第2の配線パターンと前記第2の裏面とを接続する第2の接合部材と、
    を備えている、請求項8または請求項9に記載の発光装置。
  11. 前記第2の接合部材が、前記第2の側面に接している、請求項10に記載の発光装置。
  12. 第1の主面、前記第1の主面の反対を向く第1の裏面、および、前記第1の主面と前記第1の裏面とを繋ぐ第1の側面を有する第1のリードを形成する工程と、
    前記第1の側面と対向する第2の側面を有する第2のリードを形成する工程と、
    前記第1のリードおよび第2のリードを第1の樹脂材料で覆う工程と、を備えており、
    前記第1のリードおよび第2のリードを第1の樹脂材料で覆う工程では、前記第1の側面の少なくとも一部を前記第1の樹脂材料から露出させることを特徴とする、発光ユニットの製造方法。
  13. 前記第1のリードおよび前記第2のリードを前記第1の樹脂材料で覆う工程は、
    上下1対の金型の間に樹脂フィルムを設置する工程と、
    前記第1の裏面が前記樹脂フィルムに当接するように、前記上下1対の金型の間に前記第1のリードおよび前記第2のリードを設置する工程と、
    前記樹脂フィルム、前記第1のリード、および、前記第2のリードが設置された前記上下1対の金型の間に前記第1の樹脂材料を流し込む工程と、を有している、請求項12に記載の発光ユニットの製造方法。
  14. 前記第2のリードは、前記第1の裏面と同じ方向を向く第2の裏面を有しており、
    前記上下1対の金型の間に前記第1のリードおよび前記第2のリードを設置する工程では、前記第2の裏面が前記樹脂フィルムに当接する、請求項13に記載の発光ユニットの製造方法。
  15. 前記上下1対の金型の間に前記第1のリードおよび前記第2のリードを設置する工程では、前記第1の側面と前記第2の側面との間に前記樹脂フィルムの一部が入り込む、請求項13または請求項14に記載の発光ユニットの製造方法。
  16. 前記上下1対の金型は、平坦な底面を有する下金型と、前記底面に向けて突き出す凸部を有する上金型と、を有しており、
    前記樹脂フィルムは前記底面に設置される、請求項13ないし請求項15のいずれかに記載の発光ユニットの製造方法。
  17. 前記凸部を前記第1の主面に当接させる工程を含む、請求項16に記載の発光ユニットの製造方法。
  18. 前記第2のリードは、前記第1の主面と同じ方向を向く第2の主面を有しており、
    前記凸部を前記第1の主面に当接させる工程では、前記凸部は前記第2の主面にも当接する、請求項17に記載の発光ユニットの製造方法。
  19. 前記第1のリードおよび前記第2のリードを前記第1の樹脂材料で覆う工程では、前記凸部に対応する窓部を有する第1の樹脂成形体が形成される、請求項17または18に記載の発光ユニットの製造方法。
  20. 前記窓部内に発光素子を設置する工程と、
    前記発光素子を第2の樹脂材料で覆う工程と、を備えており、
    前記発光素子を前記第2の樹脂材料で覆う工程では、前記発光素子を覆う第2の樹脂成形体が形成される、請求項19に記載の発光ユニットの製造方法。
  21. 前記第1のリードおよび前記第2のリードを前記第1の樹脂材料で覆う工程は、
    前記第1の側面と前記第2の側面との間にパラフィンを設置する工程を含んでおり、
    前記第1のリードおよび前記第2のリードを前記第1の樹脂材料で覆う工程を行った後に、前記パラフィンを加熱する工程を行う、請求項12に記載の発光ユニットの製造方法。
  22. 前記パラフィンを設置する工程は、前記第1の側面のうち、前記第1の裏面寄りの領域が前記パラフィンに覆われ、かつ、前記第1の主面寄りの領域が前記パラフィンから露出するように行われる、請求項21に記載の発光ユニットの製造方法。
  23. 前記第2のリードは、前記第1の主面と同じ方向を向く第2の主面と、前記第1の裏面と同じ方向を向く第2の裏面とを有しており、
    前記パラフィンを設置する工程は、前記第2の側面のうち、前記第2の裏面寄りの領域が前記パラフィンに覆われ、かつ、前記第2の主面寄りの領域が前記パラフィンから露出するように行われる、請求項22に記載の発光ユニットの製造方法。
JP2012211612A 2012-09-26 2012-09-26 発光装置、および、発光ユニットの製造方法 Active JP6147976B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012211612A JP6147976B2 (ja) 2012-09-26 2012-09-26 発光装置、および、発光ユニットの製造方法
US14/036,584 US20140084329A1 (en) 2012-09-26 2013-09-25 Light emitting unit, light emitting device, and method of manufacturing light emitting unit

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012211612A JP6147976B2 (ja) 2012-09-26 2012-09-26 発光装置、および、発光ユニットの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2014067838A true JP2014067838A (ja) 2014-04-17
JP6147976B2 JP6147976B2 (ja) 2017-06-14

Family

ID=50338007

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012211612A Active JP6147976B2 (ja) 2012-09-26 2012-09-26 発光装置、および、発光ユニットの製造方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20140084329A1 (ja)
JP (1) JP6147976B2 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7100980B2 (ja) * 2018-01-22 2022-07-14 ローム株式会社 Ledパッケージ

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05183366A (ja) * 1991-12-27 1993-07-23 Kyocera Corp 圧電部品の製造方法
JPH08195644A (ja) * 1995-01-13 1996-07-30 Murata Mfg Co Ltd 端面反射型表面波装置及びその製造方法
US20090057704A1 (en) * 2007-09-04 2009-03-05 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting diode package having heat dissipating slugs
JP2011134961A (ja) * 2009-12-25 2011-07-07 Hitachi Chem Co Ltd 半導体装置、半導体素子搭載接続用配線基材、半導体装置搭載配線板及びそれらの製造法
JP2012084724A (ja) * 2010-10-13 2012-04-26 Nichia Chem Ind Ltd 樹脂パッケージ及びその製造方法、樹脂パッケージを用いた発光装置

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6274890B1 (en) * 1997-01-15 2001-08-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device and its manufacturing method
US6365922B1 (en) * 2000-11-16 2002-04-02 Harvatek Corp. Focusing cup for surface mount optoelectronic diode package
JP3910144B2 (ja) * 2003-01-06 2007-04-25 シャープ株式会社 半導体発光装置およびその製造方法
JP5753446B2 (ja) * 2011-06-17 2015-07-22 株式会社東芝 半導体発光装置の製造方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05183366A (ja) * 1991-12-27 1993-07-23 Kyocera Corp 圧電部品の製造方法
JPH08195644A (ja) * 1995-01-13 1996-07-30 Murata Mfg Co Ltd 端面反射型表面波装置及びその製造方法
US20090057704A1 (en) * 2007-09-04 2009-03-05 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting diode package having heat dissipating slugs
JP2009065152A (ja) * 2007-09-04 2009-03-26 Seoul Semiconductor Co Ltd 熱放出スラグを有する発光ダイオードパッケージ
JP2011134961A (ja) * 2009-12-25 2011-07-07 Hitachi Chem Co Ltd 半導体装置、半導体素子搭載接続用配線基材、半導体装置搭載配線板及びそれらの製造法
JP2012084724A (ja) * 2010-10-13 2012-04-26 Nichia Chem Ind Ltd 樹脂パッケージ及びその製造方法、樹脂パッケージを用いた発光装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20140084329A1 (en) 2014-03-27
JP6147976B2 (ja) 2017-06-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10468557B2 (en) Light-emitting apparatus
US11043623B2 (en) Package including lead component having recess
US8921874B2 (en) Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same
TWI505519B (zh) 發光二極體燈條及其製造方法
US9385288B2 (en) Light-emitting device
JP2008147203A (ja) 半導体発光装置
US8896015B2 (en) LED package and method of making the same
TW201709569A (zh) 導線架、封裝及發光裝置、與該等之製造方法
JP2017076640A (ja) 光半導体装置の製造方法および光半導体装置
US20180019383A1 (en) Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the same
JP2015015404A (ja) Ledモジュール及びそれを備える照明装置
US9741909B2 (en) Package, light emitting device, and methods of manufacturing the package and the light emitting device
JP6557968B2 (ja) パッケージ、発光装置及びそれらの製造方法
KR101760574B1 (ko) 패키지의 제조 방법 및 발광 장치의 제조 방법 및 패키지 및 발광 장치
JP6147976B2 (ja) 発光装置、および、発光ユニットの製造方法
US7508008B2 (en) Light-emitting device
TWI509834B (zh) 發光二極體封裝結構及其製造方法
JP2005116937A (ja) 半導体発光装置およびその製造方法
WO2009139453A1 (ja) Ledパッケージ、リードフレーム及びその製造法
JP6651699B2 (ja) 側面発光型発光装置の製造方法
JP5880331B2 (ja) 半導体装置
US20180240948A1 (en) Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same
US10847700B2 (en) Package, light emitting device, method of manufacturing package, and method of manufacturing light emitting device
JP5511881B2 (ja) Ledパッケージ用基板、ledパッケージ用基板の製造方法、ledパッケージ用基板のモールド金型、ledパッケージ、及び、ledパッケージの製造方法
JP2019062214A (ja) 発光装置及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20150909

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20160427

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20160510

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20160708

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20161213

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170111

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20170509

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20170518

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6147976

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250