JP3168925B2 - 表面波装置 - Google Patents
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
- H03H9/02574—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of combined substrates, multilayered substrates, piezoelectrical layers on not-piezoelectrical substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/25—Constructional features of resonators using surface acoustic waves
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、水晶基板を用いた
表面波装置に関し、特に、水晶基板上に圧電薄膜を積層
してなり、漏洩弾性表面波の高次モードを利用した表面
波装置に関する。
表面波装置に関し、特に、水晶基板上に圧電薄膜を積層
してなり、漏洩弾性表面波の高次モードを利用した表面
波装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、例えば移動体通信機器の帯域
フィルタなどにおいて表面波装置が広く用いられてい
る。表面波装置は、圧電体と接するように少なくとも一
対のくし歯電極よりなる少なくとも１つのインターデジ
タルトランスデューサ（ＩＤＴ）を形成した構造を有す
る。このような表面波装置は、上記帯域フィルタのほ
か、共振子や遅延線などの種々の用途に用いられてい
る。
フィルタなどにおいて表面波装置が広く用いられてい
る。表面波装置は、圧電体と接するように少なくとも一
対のくし歯電極よりなる少なくとも１つのインターデジ
タルトランスデューサ（ＩＤＴ）を形成した構造を有す
る。このような表面波装置は、上記帯域フィルタのほ
か、共振子や遅延線などの種々の用途に用いられてい
る。
【０００３】また、表面波装置の基板材料としては、Ｌ
ｉＮｂＯ3 、ＬｉＴａＯ3 、水晶などの圧電単結晶から
なるものが知られており、この種の材料からなる基板上
にＩＤＴを形成してレイリー波を励振させる構造が従来
より用いられている。
ｉＮｂＯ3 、ＬｉＴａＯ3 、水晶などの圧電単結晶から
なるものが知られており、この種の材料からなる基板上
にＩＤＴを形成してレイリー波を励振させる構造が従来
より用いられている。
【０００４】なお、特開昭６１−２２２３１２号公報に
は、水晶基板上に圧電薄膜を形成し、該圧電薄膜上にく
し歯電極を形成してなる表面波装置が開示されている。
ここでは、ＳＴカットのオイラー角を略９０°に設定し
てある水晶基板を用い、表面波の伝搬方向がＳＴカット
による伝搬方向と略９０°の角度となるように電極を形
成することにより、音速が通常のレイリー波の約１．７
倍の表面波を利用することができる旨が記載されてい
る。
は、水晶基板上に圧電薄膜を形成し、該圧電薄膜上にく
し歯電極を形成してなる表面波装置が開示されている。
ここでは、ＳＴカットのオイラー角を略９０°に設定し
てある水晶基板を用い、表面波の伝搬方向がＳＴカット
による伝搬方向と略９０°の角度となるように電極を形
成することにより、音速が通常のレイリー波の約１．７
倍の表面波を利用することができる旨が記載されてい
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】水晶基板を用いた表面
波装置では、水晶基板の温度特性は良好であるものの、
水晶基板を用いて励振されている表面波である、レイリ
ー波の音速が遅いという問題があった。
波装置では、水晶基板の温度特性は良好であるものの、
水晶基板を用いて励振されている表面波である、レイリ
ー波の音速が遅いという問題があった。
【０００６】他方、水晶基板を用いた場合、上記レイリ
ー波の他に、漏洩弾性表面波が励振され、この漏洩弾性
表面波の音速が比較的大きいことも知られている。しか
しながら、漏洩弾性表面波では、伝搬に伴う減衰量が大
きく、従って、該漏洩弾性表面波は利用し難いとされて
いた。
ー波の他に、漏洩弾性表面波が励振され、この漏洩弾性
表面波の音速が比較的大きいことも知られている。しか
しながら、漏洩弾性表面波では、伝搬に伴う減衰量が大
きく、従って、該漏洩弾性表面波は利用し難いとされて
いた。
【０００７】上記のように、水晶基板は、温度特性が良
好であるという利点を有するものの、従来、レイリー波
を利用した場合には音速が小さく、漏洩弾性表面波は利
用し難いとされており、表面波装置の高周波化に適した
材料とは考えられていなかった。
好であるという利点を有するものの、従来、レイリー波
を利用した場合には音速が小さく、漏洩弾性表面波は利
用し難いとされており、表面波装置の高周波化に適した
材料とは考えられていなかった。
【０００８】また、上記特開昭６１−２２２３１２号公
報に記載の表面波装置では、上記のようにＳＴカットの
オイラー角が略９０°に設定された水晶基板を用い、表
面波伝搬方向をＳＴカットによる伝搬方向と略９０°と
するように電極を形成することにより、水晶基板を用い
ながら、音速の大きな表面波を利用し得る旨が記載され
ているが、この先行技術に記載の方法で利用し得るとさ
れている表面波は、実際には、２種類の近接した表面波
が複合したものであるため、表面波共振子等に利用する
ことが困難であることがわかった。
報に記載の表面波装置では、上記のようにＳＴカットの
オイラー角が略９０°に設定された水晶基板を用い、表
面波伝搬方向をＳＴカットによる伝搬方向と略９０°と
するように電極を形成することにより、水晶基板を用い
ながら、音速の大きな表面波を利用し得る旨が記載され
ているが、この先行技術に記載の方法で利用し得るとさ
れている表面波は、実際には、２種類の近接した表面波
が複合したものであるため、表面波共振子等に利用する
ことが困難であることがわかった。
【０００９】すなわち、上記先行技術に記載の条件に基
づいて、表面波装置を構成し、その減衰量周波数特性を
測定したところ、図１４に示す結果が得られた。図１４
に示す特性は、水晶基板として、オイラー角（０°、１
３２．７５°、９０°）のものを用い、ＺｎＯの規格化
膜厚Ｈ／λを０．２４２とし、くし歯電極の規格化膜厚
を０．０２０７とした場合の特性を示す。なお、Ｈは薄
膜の膜厚を、λは表面波の波長を示す。
づいて、表面波装置を構成し、その減衰量周波数特性を
測定したところ、図１４に示す結果が得られた。図１４
に示す特性は、水晶基板として、オイラー角（０°、１
３２．７５°、９０°）のものを用い、ＺｎＯの規格化
膜厚Ｈ／λを０．２４２とし、くし歯電極の規格化膜厚
を０．０２０７とした場合の特性を示す。なお、Ｈは薄
膜の膜厚を、λは表面波の波長を示す。
【００１０】図１４から明らかなように、通常のレイリ
ー波が矢印Ａで示す部分に表れており、矢印Ｂで示す部
分に別の表面波が励振されていることがわかる。ここ
で、矢印Ａで示す通常のレイリー波の周波数に７．４λ
を乗じたものは、矢印Ｂで示す波の周波数に７．４λを
乗じたものの約０．６２５倍となることがわかる。
ー波が矢印Ａで示す部分に表れており、矢印Ｂで示す部
分に別の表面波が励振されていることがわかる。ここ
で、矢印Ａで示す通常のレイリー波の周波数に７．４λ
を乗じたものは、矢印Ｂで示す波の周波数に７．４λを
乗じたものの約０．６２５倍となることがわかる。
【００１１】従って、特開昭６１−２２２３１２号で指
摘されている高音速の波は、図１４において矢印Ｂで示
す波に相当することがわかる。しかしながら、矢印Ｂで
示されている波は、既に、ＳＳＢＷ波及びＳＴＷ波とし
て存在し、ＳＳＢＷ波とＳＴＷ波とは近接した形で矢印
Ｂで示すように表れることが公知である。この場合、図
１４に矢印Ｂで示すように、２つの異なる波が近接して
いるため、２つの波の間に矢印Ｃで示す谷が存在するこ
とになる。
摘されている高音速の波は、図１４において矢印Ｂで示
す波に相当することがわかる。しかしながら、矢印Ｂで
示されている波は、既に、ＳＳＢＷ波及びＳＴＷ波とし
て存在し、ＳＳＢＷ波とＳＴＷ波とは近接した形で矢印
Ｂで示すように表れることが公知である。この場合、図
１４に矢印Ｂで示すように、２つの異なる波が近接して
いるため、２つの波の間に矢印Ｃで示す谷が存在するこ
とになる。
【００１２】すなわち、特開昭６１−２２２３１２号公
報には、上記のように通常のレイリー波Ａに比べて高音
速の波を用い得る旨が指摘されているが、実際には、こ
の先行技術において利用可能であるとされている音速の
大きな波は、２種類の近接した波が複合した形で表れる
ため、必ず２つの波の間に谷間が生じることになる。従
って、このような高音速の波を利用して表面波共振子を
構成したとしても、満足し得る特性を得ることはできな
い。また、この高音速の波を利用して共振子を作製した
としても、電極指の対数を多くしなければならないた
め、共振子の寸法が大きくなるという問題もあった。
報には、上記のように通常のレイリー波Ａに比べて高音
速の波を用い得る旨が指摘されているが、実際には、こ
の先行技術において利用可能であるとされている音速の
大きな波は、２種類の近接した波が複合した形で表れる
ため、必ず２つの波の間に谷間が生じることになる。従
って、このような高音速の波を利用して表面波共振子を
構成したとしても、満足し得る特性を得ることはできな
い。また、この高音速の波を利用して共振子を作製した
としても、電極指の対数を多くしなければならないた
め、共振子の寸法が大きくなるという問題もあった。
【００１３】本発明の目的は、水晶基板を用いた表面波
装置であって、音速が大きく高周波化に適しており、か
つ共振特性やフィルタ特性が良好である表面波装置を提
供することにある。
装置であって、音速が大きく高周波化に適しており、か
つ共振特性やフィルタ特性が良好である表面波装置を提
供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本願発明者は、上記課題
を達成すべく鋭意検討した結果、水晶基板上にＺｎＯな
どの圧電薄膜を形成した複合基板を用い、かつ音速の大
きな漏洩弾性表面波の高次モードを利用すれば、上記課
題を達成し得ることを見いだし、本発明をなすに至っ
た。
を達成すべく鋭意検討した結果、水晶基板上にＺｎＯな
どの圧電薄膜を形成した複合基板を用い、かつ音速の大
きな漏洩弾性表面波の高次モードを利用すれば、上記課
題を達成し得ることを見いだし、本発明をなすに至っ
た。
【００１５】すなわち、本発明の第１の広い局面によれ
ば、水晶基板と、前記水晶基板上に形成された圧電薄膜
と、前記圧電薄膜に接するように形成されたくし歯電極
とを備え、前記圧電薄膜が、漏洩弾性表面波の高次モー
ドを励振し得る厚みに形成されており、該漏洩弾性表面
波の高次モードを利用したことを特徴とする、表面波装
置が提供される。
ば、水晶基板と、前記水晶基板上に形成された圧電薄膜
と、前記圧電薄膜に接するように形成されたくし歯電極
とを備え、前記圧電薄膜が、漏洩弾性表面波の高次モー
ドを励振し得る厚みに形成されており、該漏洩弾性表面
波の高次モードを利用したことを特徴とする、表面波装
置が提供される。
【００１６】従来、漏洩弾性表面波は伝搬に伴う減衰量
が大きいため使用し難いとされていた。しかしながら、
本願発明者は、水晶基板のカット角及び伝搬方向を選択
すれば、漏洩弾性表面波の減衰量が小さくなり、並びに
漏洩弾性表面波の高次モードを利用すれば、より大きな
音速が得られるのではないかと考え、漏洩弾性表面波の
高次モードを利用した表面波装置を試作し、検討した。
その結果、水晶基板上にＺｎＯなどの圧電薄膜を形成
し、該圧電薄膜に接するようにくし歯電極を形成し、圧
電薄膜の厚みを漏洩弾性表面波の高次モードを励振し得
るように制御すれば、音速が大きく、高周波化に適した
表面波装置が得られることを見いだした。
が大きいため使用し難いとされていた。しかしながら、
本願発明者は、水晶基板のカット角及び伝搬方向を選択
すれば、漏洩弾性表面波の減衰量が小さくなり、並びに
漏洩弾性表面波の高次モードを利用すれば、より大きな
音速が得られるのではないかと考え、漏洩弾性表面波の
高次モードを利用した表面波装置を試作し、検討した。
その結果、水晶基板上にＺｎＯなどの圧電薄膜を形成
し、該圧電薄膜に接するようにくし歯電極を形成し、圧
電薄膜の厚みを漏洩弾性表面波の高次モードを励振し得
るように制御すれば、音速が大きく、高周波化に適した
表面波装置が得られることを見いだした。
【００１７】すなわち、本発明は、本願発明者の上記着
想の下に実験的に確かめられた知見に基づくものである
が、このような着想は、漏洩弾性表面波は伝搬に伴う減
衰量が大きいため使用し難いという従来の技術的な常識
の延長線上にあるものではない。従って、本発明は、日
常的な実験により確かめられるものではないことを指摘
しておく。
想の下に実験的に確かめられた知見に基づくものである
が、このような着想は、漏洩弾性表面波は伝搬に伴う減
衰量が大きいため使用し難いという従来の技術的な常識
の延長線上にあるものではない。従って、本発明は、日
常的な実験により確かめられるものではないことを指摘
しておく。
【００１８】本発明の特定的な局面では、上記圧電薄膜
の膜厚をＨ、漏洩弾性表面波の高次モードの波長をλと
したときに、該波長で規格化された圧電薄膜の膜厚Ｈ／
λが０．２８〜０．６の範囲とされる。圧電薄膜の規格
化膜厚Ｈ／λを上記特定の範囲とすることにより、水晶
基板と圧電薄膜とを積層した複合基板を用いた場合、上
記漏洩弾性表面波の高次モードを確実に励振することが
できる。なお、この圧電薄膜の規格化膜厚Ｈ／λの数値
は、使用し得る圧電薄膜の種類や水晶基板のカット角等
によっても異なるが、０．２８以上とすることにより、
漏洩弾性表面波の高次モードを確実に励振し得る。
の膜厚をＨ、漏洩弾性表面波の高次モードの波長をλと
したときに、該波長で規格化された圧電薄膜の膜厚Ｈ／
λが０．２８〜０．６の範囲とされる。圧電薄膜の規格
化膜厚Ｈ／λを上記特定の範囲とすることにより、水晶
基板と圧電薄膜とを積層した複合基板を用いた場合、上
記漏洩弾性表面波の高次モードを確実に励振することが
できる。なお、この圧電薄膜の規格化膜厚Ｈ／λの数値
は、使用し得る圧電薄膜の種類や水晶基板のカット角等
によっても異なるが、０．２８以上とすることにより、
漏洩弾性表面波の高次モードを確実に励振し得る。
【００１９】また、上記圧電薄膜としては、圧電性を有
する薄膜であれば、任意の材料を用いることができる
が、通常、ＺｎＯ、ＡｌＮ、Ｔａ2 Ｏ5 、ＣｄＳなどの
薄膜が用いられる。好ましくは、請求項２に記載のよう
に、上記圧電薄膜としては、ＺｎＯ薄膜が用いられる。
する薄膜であれば、任意の材料を用いることができる
が、通常、ＺｎＯ、ＡｌＮ、Ｔａ2 Ｏ5 、ＣｄＳなどの
薄膜が用いられる。好ましくは、請求項２に記載のよう
に、上記圧電薄膜としては、ＺｎＯ薄膜が用いられる。
【００２０】また、本発明の第１の局面による表面波装
置の好ましい態様としては、圧電薄膜がＺｎＯからな
り、該ＺｎＯからなる圧電薄膜の規格化膜厚Ｈ／λが
０．２８〜０．６の範囲にある表面波装置が挙げられ
る。
置の好ましい態様としては、圧電薄膜がＺｎＯからな
り、該ＺｎＯからなる圧電薄膜の規格化膜厚Ｈ／λが
０．２８〜０．６の範囲にある表面波装置が挙げられ
る。
【００２１】また、本発明の第２の広い局面によれば、
水晶基板と、水晶基板上に形成された圧電薄膜と、圧電
薄膜に接するように形成されたくし歯電極とを備えた表
面波装置において、水晶基板、圧電薄膜及びくし歯電極
が、漏洩弾性表面波の高次モードが励振するように、か
つ漏洩弾性表面波の高次モードの伝搬に伴う減衰を妨げ
るように形成されていることを特徴とする表面波装置が
提供される。
水晶基板と、水晶基板上に形成された圧電薄膜と、圧電
薄膜に接するように形成されたくし歯電極とを備えた表
面波装置において、水晶基板、圧電薄膜及びくし歯電極
が、漏洩弾性表面波の高次モードが励振するように、か
つ漏洩弾性表面波の高次モードの伝搬に伴う減衰を妨げ
るように形成されていることを特徴とする表面波装置が
提供される。
【００２２】上記本発明の第２の広い局面による表面波
装置においても、好ましくは、圧電薄膜はＺｎＯで構成
される。また、第２の広い局面による表面波装置におい
ても、好ましくは、圧電薄膜の規格化膜厚Ｈ／λは０．
２８〜０．６の範囲とされ、それによって漏洩弾性表面
波の高次モードが確実に励振され得る。
装置においても、好ましくは、圧電薄膜はＺｎＯで構成
される。また、第２の広い局面による表面波装置におい
ても、好ましくは、圧電薄膜の規格化膜厚Ｈ／λは０．
２８〜０．６の範囲とされ、それによって漏洩弾性表面
波の高次モードが確実に励振され得る。
【００２３】また、本発明の第２の広い局面による表面
波装置においても、好ましい態様としては、圧電薄膜が
ＺｎＯで構成され、該ＺｎＯからなる圧電薄膜の規格化
膜厚Ｈ／λが０．２８〜０．６の範囲とされている表面
波装置が挙げられる。
波装置においても、好ましい態様としては、圧電薄膜が
ＺｎＯで構成され、該ＺｎＯからなる圧電薄膜の規格化
膜厚Ｈ／λが０．２８〜０．６の範囲とされている表面
波装置が挙げられる。
【００２４】また、本発明の第２の広い局面により提供
される表面波装置においても、圧電薄膜は、ＡｌＮ、Ｔ
ａ2 Ｏ5 及びＣｄＳからなる群から選択した一種により
構成することもできる。
される表面波装置においても、圧電薄膜は、ＡｌＮ、Ｔ
ａ2 Ｏ5 及びＣｄＳからなる群から選択した一種により
構成することもできる。
【００２５】なお、本発明が適用される表面波装置の具
体的な構造については特に限定されるものではない。一
例を挙げると、図１（ａ），（ｂ）に略図的に示される
トランスバーサル型帯域フィルタとしたの表面波フィル
タを例示することができる。表面波フィルタ１では、表
面波基板２上に、所定距離を隔ててＩＤＴ３，４が形成
されている。ＩＤＴ３，４は、それぞれ、互いに間挿し
合う一対のくし歯電極３ａ，３ｂ，４ａ，４ｂを有す
る。また、表面波基板２は、水晶基板２ａ上に圧電薄膜
２ｂを形成した構造を有する。この場合、ＩＤＴ３，４
は、圧電薄膜２ｂの上面及び下面のいずれに形成されて
いてもよい。また、短絡電極（図示せず。）が圧電薄膜
２ｂの下面または上面に形成されていてもよい。
体的な構造については特に限定されるものではない。一
例を挙げると、図１（ａ），（ｂ）に略図的に示される
トランスバーサル型帯域フィルタとしたの表面波フィル
タを例示することができる。表面波フィルタ１では、表
面波基板２上に、所定距離を隔ててＩＤＴ３，４が形成
されている。ＩＤＴ３，４は、それぞれ、互いに間挿し
合う一対のくし歯電極３ａ，３ｂ，４ａ，４ｂを有す
る。また、表面波基板２は、水晶基板２ａ上に圧電薄膜
２ｂを形成した構造を有する。この場合、ＩＤＴ３，４
は、圧電薄膜２ｂの上面及び下面のいずれに形成されて
いてもよい。また、短絡電極（図示せず。）が圧電薄膜
２ｂの下面または上面に形成されていてもよい。
【００２６】本発明が適用される表面波装置は、上記表
面波フィルタに限らず、表面波共振子、表面波遅延線な
どの種々の表面波装置に本発明を適用し得ることを指摘
しておく。
面波フィルタに限らず、表面波共振子、表面波遅延線な
どの種々の表面波装置に本発明を適用し得ることを指摘
しておく。
【００２７】
【実施例】以下、図面を参照しつつ本発明の実施例を説
明することにより、本発明を明らかにする。
明することにより、本発明を明らかにする。
【００２８】実施例１ 図２は、水晶基板上に圧電薄膜ＺｎＯを成膜してなる表
面波基板における表面波の音速を示す図である。用いた
水晶基板は、オイラー角が（０，１４１，０）であり、
直径７．６２ｍｍ×厚み０．５ｍｍの寸法を有する水晶
基板である。この水晶基板上に、全面に、ＺｎＯ薄膜を
種々の膜厚で形成し、表面波基板を構成した。
面波基板における表面波の音速を示す図である。用いた
水晶基板は、オイラー角が（０，１４１，０）であり、
直径７．６２ｍｍ×厚み０．５ｍｍの寸法を有する水晶
基板である。この水晶基板上に、全面に、ＺｎＯ薄膜を
種々の膜厚で形成し、表面波基板を構成した。
【００２９】上記のようにして得たＺｎＯ膜厚が異なる
種々の表面波基板の音速を測定した。なお、音速の測定
は、以下の要領で行った。音速の測定：波長７μｍから
５２μｍをもつＩＤＴを形成し、そのＳＡＷフィルタの
中心周波数から音速を求めた。
種々の表面波基板の音速を測定した。なお、音速の測定
は、以下の要領で行った。音速の測定：波長７μｍから
５２μｍをもつＩＤＴを形成し、そのＳＡＷフィルタの
中心周波数から音速を求めた。
【００３０】図２から明らかなように、ＺｎＯの規格化
膜厚Ｈ／λ＝０の場合、すなわちＺｎＯ薄膜が形成され
ていない場合には、レイリー波と、漏洩弾性表面波の基
本モード（ＬＳＡＷ１）とのみが励振されていることが
わかる。これに対して、水晶基板上にＺｎＯ薄膜を形成
してなる基板を用いた場合には、レイリー波の高次モー
ドであるセザワ波と、漏洩弾性表面波の高次モード（Ｌ
ＳＡＷ２）が励振されることがわかる。
膜厚Ｈ／λ＝０の場合、すなわちＺｎＯ薄膜が形成され
ていない場合には、レイリー波と、漏洩弾性表面波の基
本モード（ＬＳＡＷ１）とのみが励振されていることが
わかる。これに対して、水晶基板上にＺｎＯ薄膜を形成
してなる基板を用いた場合には、レイリー波の高次モー
ドであるセザワ波と、漏洩弾性表面波の高次モード（Ｌ
ＳＡＷ２）が励振されることがわかる。
【００３１】図２から明らかなように、ＺｎＯ薄膜の規
格化膜厚（Ｈ／λ）が０．２８以上で漏洩弾性表面波の
高次モード（ＬＳＡＷ２）が励振され、かつ比較的大き
な音速を示すことがわかる。例えば、ＺｎＯ薄膜の規格
化膜厚Ｈ／λ＝０．３２においては、音速は５０００ｍ
／秒であり、レイリー波の場合の音速の最大値、すなわ
ちＺｎＯ薄膜が形成されていない水晶基板におけるレイ
リー波の音速＝３１７０ｍ／秒の１．６倍の音速が得ら
れることがわかる。
格化膜厚（Ｈ／λ）が０．２８以上で漏洩弾性表面波の
高次モード（ＬＳＡＷ２）が励振され、かつ比較的大き
な音速を示すことがわかる。例えば、ＺｎＯ薄膜の規格
化膜厚Ｈ／λ＝０．３２においては、音速は５０００ｍ
／秒であり、レイリー波の場合の音速の最大値、すなわ
ちＺｎＯ薄膜が形成されていない水晶基板におけるレイ
リー波の音速＝３１７０ｍ／秒の１．６倍の音速が得ら
れることがわかる。
【００３２】従って、オイラー角（０，１４１，０）の
水晶基板上にＺｎＯ薄膜を形成してなる表面波基板を用
いた場合、ＺｎＯ薄膜の規格化膜厚Ｈ／λを０．２８以
上とすることにより、音速の大きな表面波装置を構成し
得ることがわかる。
水晶基板上にＺｎＯ薄膜を形成してなる表面波基板を用
いた場合、ＺｎＯ薄膜の規格化膜厚Ｈ／λを０．２８以
上とすることにより、音速の大きな表面波装置を構成し
得ることがわかる。
【００３３】図３は、上記オイラー角（０，１４１，
０）の水晶基板上に圧電薄膜を形成した表面波基板を用
いて構成された表面波装置における温度特性（ＴＣＤ）
と、ＺｎＯ薄膜の規格化膜厚Ｈ／λとの関係を示す図で
ある。図３から、ＺｎＯ薄膜が形成されていない水晶基
板のＴＣＤに対し、ＺｎＯ薄膜を積層した表面波基板で
は、ＴＣＤがプラス側に移動していくことがわかる。従
って、ＴＣＤがマイナスである水晶基板を用いれば、Ｚ
ｎＯ薄膜を積層することにより、ＴＣＤの値を±０に近
づけることができ、従って、温度特性の良好な表面波装
置を構成し得ることがわかる。
０）の水晶基板上に圧電薄膜を形成した表面波基板を用
いて構成された表面波装置における温度特性（ＴＣＤ）
と、ＺｎＯ薄膜の規格化膜厚Ｈ／λとの関係を示す図で
ある。図３から、ＺｎＯ薄膜が形成されていない水晶基
板のＴＣＤに対し、ＺｎＯ薄膜を積層した表面波基板で
は、ＴＣＤがプラス側に移動していくことがわかる。従
って、ＴＣＤがマイナスである水晶基板を用いれば、Ｚ
ｎＯ薄膜を積層することにより、ＴＣＤの値を±０に近
づけることができ、従って、温度特性の良好な表面波装
置を構成し得ることがわかる。
【００３４】図４及び図５は、オイラー角（０，１４
１，０）の水晶基板上に圧電薄膜を形成した表面波基板
を用いた場合の表面波装置の電気機械結合係数とＺｎＯ
圧電薄膜の規格化膜厚Ｈ／λとの関係を示す図である。
なお、図４に示す特性は、ＩＤＴすなわちくし歯電極を
ＺｎＯ薄膜の上面に形成した場合の特性を、図５に示す
特性はＺｎＯ薄膜の上面にＩＤＴを形成し、ＺｎＯ薄膜
と水晶基板との界面に短絡電極を形成した場合の特性を
示す。
１，０）の水晶基板上に圧電薄膜を形成した表面波基板
を用いた場合の表面波装置の電気機械結合係数とＺｎＯ
圧電薄膜の規格化膜厚Ｈ／λとの関係を示す図である。
なお、図４に示す特性は、ＩＤＴすなわちくし歯電極を
ＺｎＯ薄膜の上面に形成した場合の特性を、図５に示す
特性はＺｎＯ薄膜の上面にＩＤＴを形成し、ＺｎＯ薄膜
と水晶基板との界面に短絡電極を形成した場合の特性を
示す。
【００３５】図４及び図５から明らかなように、何れの
場合においても、漏洩弾性表面波の高次モードＬＳＡＷ
２が励振され、かつ比較的大きな電気機械結合係数の得
られることがわかる。
場合においても、漏洩弾性表面波の高次モードＬＳＡＷ
２が励振され、かつ比較的大きな電気機械結合係数の得
られることがわかる。
【００３６】実施例２ オイラー角（０，１３２.７５，８９）であるＳＴカッ
ト８９°伝搬の水晶基板を用い、その他は実施例１の場
合と同様にして表面波装置を構成した。なお、用いた水
晶基板の寸法は、直径７．６２ｍｍ×厚み０．５ｍｍで
ある。
ト８９°伝搬の水晶基板を用い、その他は実施例１の場
合と同様にして表面波装置を構成した。なお、用いた水
晶基板の寸法は、直径７．６２ｍｍ×厚み０．５ｍｍで
ある。
【００３７】図６は、ＺｎＯ薄膜を種々の厚みで形成し
た場合の音速と、ＺｎＯ薄膜の規格化膜厚Ｈ／λとの関
係を示す。図６から明らかなように、このカット角の水
晶基板を用いた場合においても、漏洩弾性表面波の高次
モードＬＳＡＷ２が、ＺｎＯ薄膜の規格化膜厚＝０．２
８以上で励振されることがわかる。また、ＺｎＯ薄膜の
規格化膜厚Ｈ／λが０．６を超えると、漏洩弾性表面波
の高次モードＬＳＡＷ２ではなくセザワ波の高次モード
Ｓｅｚａｗａ２が励振されることがわかる。
た場合の音速と、ＺｎＯ薄膜の規格化膜厚Ｈ／λとの関
係を示す。図６から明らかなように、このカット角の水
晶基板を用いた場合においても、漏洩弾性表面波の高次
モードＬＳＡＷ２が、ＺｎＯ薄膜の規格化膜厚＝０．２
８以上で励振されることがわかる。また、ＺｎＯ薄膜の
規格化膜厚Ｈ／λが０．６を超えると、漏洩弾性表面波
の高次モードＬＳＡＷ２ではなくセザワ波の高次モード
Ｓｅｚａｗａ２が励振されることがわかる。
【００３８】従って、ＺｎＯ薄膜の規格化膜厚Ｈ／λを
０．２８〜０．６の範囲とすることにより、漏洩弾性表
面波の高次モードが励振されることがわかり、しかも、
レイリー波を利用した場合の最大音速値に比べて、音速
の大きい漏洩弾性表面波の高次モードを利用し得ること
がわかる。
０．２８〜０．６の範囲とすることにより、漏洩弾性表
面波の高次モードが励振されることがわかり、しかも、
レイリー波を利用した場合の最大音速値に比べて、音速
の大きい漏洩弾性表面波の高次モードを利用し得ること
がわかる。
【００３９】図７は、上記表面波装置における温度特性
ＴＣＤとＺｎＯ薄膜の規格化膜厚Ｈ／λとの関係を示す
図であり、図３に相当する図である。図７から明らかな
ように、オイラー角（０，１３２.７５，８９）の水晶
基板上にＺｎＯ薄膜を形成した表面波装置においても、
ＺｎＯ薄膜の膜厚を増加させることにより、温度特性Ｔ
ＣＤをプラスの方向に変化させ得ることがわかる。従っ
て、実施例１の場合と同様に、温度特性ＴＣＤがマイナ
スである水晶基板と組み合わせることにより、温度特性
がほぼ±０の表面波装置を構成し得ることがわかる。
ＴＣＤとＺｎＯ薄膜の規格化膜厚Ｈ／λとの関係を示す
図であり、図３に相当する図である。図７から明らかな
ように、オイラー角（０，１３２.７５，８９）の水晶
基板上にＺｎＯ薄膜を形成した表面波装置においても、
ＺｎＯ薄膜の膜厚を増加させることにより、温度特性Ｔ
ＣＤをプラスの方向に変化させ得ることがわかる。従っ
て、実施例１の場合と同様に、温度特性ＴＣＤがマイナ
スである水晶基板と組み合わせることにより、温度特性
がほぼ±０の表面波装置を構成し得ることがわかる。
【００４０】図８及び図９は、オイラー角（０，１３
２.７５，８９）の水晶基板上に圧電薄膜を形成した表
面波装置における電気機械結合係数とＺｎＯ薄膜の規格
化膜厚Ｈ／λとの関係を示す図であり、図４及び図５に
相当する図である。
２.７５，８９）の水晶基板上に圧電薄膜を形成した表
面波装置における電気機械結合係数とＺｎＯ薄膜の規格
化膜厚Ｈ／λとの関係を示す図であり、図４及び図５に
相当する図である。
【００４１】オイラー角（０，１３２.７５，８９）の
水晶基板を用いた場合においても、ＺｎＯ薄膜を積層す
ることにより、十分な大きさの電気機械結合係数を有す
る表面波装置を構成し得ることがわかる。
水晶基板を用いた場合においても、ＺｎＯ薄膜を積層す
ることにより、十分な大きさの電気機械結合係数を有す
る表面波装置を構成し得ることがわかる。
【００４２】なお、図８は、ＺｎＯ薄膜上にくし歯電極
を形成した場合、図９はＺｎＯ薄膜の下面にくし歯電極
を形成した場合の結果を示す。
を形成した場合、図９はＺｎＯ薄膜の下面にくし歯電極
を形成した場合の結果を示す。
【００４３】実施例３ 水晶基板として、オイラー角（０，１５０，０）の水晶
基板を用いたことを除いては、実施例１と同様にして種
々の表面波装置を作製した。このオイラー角の水晶基板
を用い、ＺｎＯ薄膜を厚みを種々異ならせて得られた種
々の表面波装置の音速とＺｎＯ薄膜の規格化膜厚Ｈ／λ
との関係を図１０に示す。
基板を用いたことを除いては、実施例１と同様にして種
々の表面波装置を作製した。このオイラー角の水晶基板
を用い、ＺｎＯ薄膜を厚みを種々異ならせて得られた種
々の表面波装置の音速とＺｎＯ薄膜の規格化膜厚Ｈ／λ
との関係を図１０に示す。
【００４４】図１０から明らかなように、オイラー角
（０，１５０，０）の水晶基板を用いた場合において
も、ＺｎＯ薄膜の規格化膜厚Ｈ／λが、０．２８以上、
０．６以下において、漏洩弾性表面波の高次モードＬＳ
ＡＷ２が励振され、しかも非常に大きな音速の得られる
ことがわかる。
（０，１５０，０）の水晶基板を用いた場合において
も、ＺｎＯ薄膜の規格化膜厚Ｈ／λが、０．２８以上、
０．６以下において、漏洩弾性表面波の高次モードＬＳ
ＡＷ２が励振され、しかも非常に大きな音速の得られる
ことがわかる。
【００４５】また、上記のようにして得られた表面波装
置の電気機械結合係数と、ＺｎＯ薄膜の規格化膜厚Ｈ／
λとの関係を図１１及び図１２に示す。図１１では、Ｚ
ｎＯ薄膜上にくし歯電極を形成し、図１２に示す特性
は、ＺｎＯ薄膜上にくし歯電極を形成し、さらにＺｎＯ
薄膜と水晶基板との界面との全面にＡｌよりなる短絡電
極を形成した場合の特性である。
置の電気機械結合係数と、ＺｎＯ薄膜の規格化膜厚Ｈ／
λとの関係を図１１及び図１２に示す。図１１では、Ｚ
ｎＯ薄膜上にくし歯電極を形成し、図１２に示す特性
は、ＺｎＯ薄膜上にくし歯電極を形成し、さらにＺｎＯ
薄膜と水晶基板との界面との全面にＡｌよりなる短絡電
極を形成した場合の特性である。
【００４６】図１１及び図１２から明らかなように、オ
イラー角（０，１５０，０）の水晶基板を用いた場合に
おいても、その上にＺｎＯ薄膜を形成して表面波基板を
構成することにより、大きな電気機械結合係数の表面波
装置の得られることがわかる。
イラー角（０，１５０，０）の水晶基板を用いた場合に
おいても、その上にＺｎＯ薄膜を形成して表面波基板を
構成することにより、大きな電気機械結合係数の表面波
装置の得られることがわかる。
【００４７】図１３は、オイラー角（０，１５０，０）
の水晶基板を用いた場合の上記表面波装置の温度特性と
ＺｎＯ薄膜の規格化膜厚Ｈ／λとの関係を示す図であ
る。図１３から明らかなように、この場合においても、
漏洩弾性表面波の高次モードＬＳＡＷ２の温度特性ＴＣ
Ｄは、ＺｎＯ薄膜を形成することによりプラス側に移動
することがわかる。従って、温度特性がマイナスの水晶
基板と組み合わせることにより、温度特性ＴＣＤが±０
に近い表面波装置を構成し得ることがわかる。
の水晶基板を用いた場合の上記表面波装置の温度特性と
ＺｎＯ薄膜の規格化膜厚Ｈ／λとの関係を示す図であ
る。図１３から明らかなように、この場合においても、
漏洩弾性表面波の高次モードＬＳＡＷ２の温度特性ＴＣ
Ｄは、ＺｎＯ薄膜を形成することによりプラス側に移動
することがわかる。従って、温度特性がマイナスの水晶
基板と組み合わせることにより、温度特性ＴＣＤが±０
に近い表面波装置を構成し得ることがわかる。
【００４８】
【発明の効果】以上のように、本発明の第１の局面によ
り提供される表面波装置では、水晶基板上に圧電薄膜を
形成し、圧電薄膜に接するようにくし歯電極を形成し、
該圧電薄膜の厚みが漏洩弾性表面波の高次モードを励振
し得るように構成されているため、従来の水晶基板を用
いて構成されたレイリー波を利用した表面波装置に比べ
て、音速が大きく、電気機械結合係数の大きい表面波を
利用した表面波装置を提供することが可能となり、表面
波装置の高周波化に容易に対応することが可能となる。
り提供される表面波装置では、水晶基板上に圧電薄膜を
形成し、圧電薄膜に接するようにくし歯電極を形成し、
該圧電薄膜の厚みが漏洩弾性表面波の高次モードを励振
し得るように構成されているため、従来の水晶基板を用
いて構成されたレイリー波を利用した表面波装置に比べ
て、音速が大きく、電気機械結合係数の大きい表面波を
利用した表面波装置を提供することが可能となり、表面
波装置の高周波化に容易に対応することが可能となる。
【００４９】特に、圧電薄膜の規格化膜厚Ｈ／λを０．
２８〜０．６の範囲とすることにより、上記漏洩弾性表
面波の高次モードを確実に励振することができる。ま
た、本発明の第２の局面により提供される表面波装置で
は、水晶基板上に圧電薄膜を形成し、圧電薄膜に接する
ようにくし歯電極を形成してなる表面波装置において、
水晶基板、圧電薄膜及びくし歯電極が、漏洩弾性表面波
の高次モードが励振するように、かつ漏洩弾性表面波の
高次モードの伝搬に伴う減衰を妨げるように形成されて
いるので、従来の水晶基板を用いて構成されたレイリー
波を利用した表面波装置に比べて、音速が大きく、電気
機械結合係数の大きい表面波を利用した表面波装置を提
供することが可能となり、表面波装置の高周波化に容易
に対応することが可能となる。
２８〜０．６の範囲とすることにより、上記漏洩弾性表
面波の高次モードを確実に励振することができる。ま
た、本発明の第２の局面により提供される表面波装置で
は、水晶基板上に圧電薄膜を形成し、圧電薄膜に接する
ようにくし歯電極を形成してなる表面波装置において、
水晶基板、圧電薄膜及びくし歯電極が、漏洩弾性表面波
の高次モードが励振するように、かつ漏洩弾性表面波の
高次モードの伝搬に伴う減衰を妨げるように形成されて
いるので、従来の水晶基板を用いて構成されたレイリー
波を利用した表面波装置に比べて、音速が大きく、電気
機械結合係数の大きい表面波を利用した表面波装置を提
供することが可能となり、表面波装置の高周波化に容易
に対応することが可能となる。
【００５０】本発明の第２の広い局面により提供される
表面波装置においても、圧電薄膜の規格化膜厚Ｈ／λを
０．２８〜０．６の範囲とすることにより、上記漏洩弾
性表面波の高次モードを確実に励振することができる。
表面波装置においても、圧電薄膜の規格化膜厚Ｈ／λを
０．２８〜０．６の範囲とすることにより、上記漏洩弾
性表面波の高次モードを確実に励振することができる。
【００５１】また、特開昭６１−２２２３１２号公報に
開示されている表面波装置では、水晶基板を用いた表面
波装置において、通常のレイリー波よりも高音速の表面
波を利用し得るとされていたが、この先行技術に記載の
方法では利用する表面波が、実際にはＳＳＢＷ波及びＳ
ＴＷ波の複合したものであるため周波数特性においてピ
ーク間に谷間が生じ、表面波共振子や表面波フィルタと
して用いた場合に良好な特性を得ることができず、かつ
共振子を構成する場合に電極指の対数を大きくしなけれ
ばならないため共振子が大型になるという問題があっ
た。これに対して、本発明の上記第１，第２の局面によ
り提供される表面波装置では、このような漏洩弾性表面
波の高次モードを利用するものであるため、すなわち、
２つの波が複合した波を利用するものとは異なるため、
上記のような谷間が生じない。よって、本発明の第１，
第２の局面にかかる表面波装置を用いて表面波共振子や
表面波フィルタを構成した場合、共振特性やフィルタ特
性を良好なものとすることができ、かつ電極指の対数を
増大させずとも十分な共振特性を得ることができるため
表面波装置の小型化も果たし得る。
開示されている表面波装置では、水晶基板を用いた表面
波装置において、通常のレイリー波よりも高音速の表面
波を利用し得るとされていたが、この先行技術に記載の
方法では利用する表面波が、実際にはＳＳＢＷ波及びＳ
ＴＷ波の複合したものであるため周波数特性においてピ
ーク間に谷間が生じ、表面波共振子や表面波フィルタと
して用いた場合に良好な特性を得ることができず、かつ
共振子を構成する場合に電極指の対数を大きくしなけれ
ばならないため共振子が大型になるという問題があっ
た。これに対して、本発明の上記第１，第２の局面によ
り提供される表面波装置では、このような漏洩弾性表面
波の高次モードを利用するものであるため、すなわち、
２つの波が複合した波を利用するものとは異なるため、
上記のような谷間が生じない。よって、本発明の第１，
第２の局面にかかる表面波装置を用いて表面波共振子や
表面波フィルタを構成した場合、共振特性やフィルタ特
性を良好なものとすることができ、かつ電極指の対数を
増大させずとも十分な共振特性を得ることができるため
表面波装置の小型化も果たし得る。
【００５２】従って、本発明によれば、高周波化に適し
た表面波装置を容易に提供することが可能となり、しか
も、温度特性が良好な水晶基板を用いて構成されている
ため、温度特性の良好な、すなわち周囲の温度変化に係
わらず、安定な特性を発揮し得る表面波装置を容易に提
供し得ることが可能となる。
た表面波装置を容易に提供することが可能となり、しか
も、温度特性が良好な水晶基板を用いて構成されている
ため、温度特性の良好な、すなわち周囲の温度変化に係
わらず、安定な特性を発揮し得る表面波装置を容易に提
供し得ることが可能となる。
【図１】（ａ）及び（ｂ）は、本発明が適用される表面
波装置の一例としての表面波±の略図的平面図及び要部
断面図である。
波装置の一例としての表面波±の略図的平面図及び要部
断面図である。
【図２】オイラー角（０，１４１，０）の水晶基板を用
いた場合の水晶基板／ＺｎＯ圧電薄膜複合基板の音速と
ＺｎＯの規格化膜厚Ｈ／λとの関係を示す図。
いた場合の水晶基板／ＺｎＯ圧電薄膜複合基板の音速と
ＺｎＯの規格化膜厚Ｈ／λとの関係を示す図。
【図３】実施例１で用意した表面波装置におけるＺｎＯ
薄膜の規格化膜厚Ｈ／λと温度特性ＴＣＤとの関係を示
す図。
薄膜の規格化膜厚Ｈ／λと温度特性ＴＣＤとの関係を示
す図。
【図４】実施例１で用意した表面波装置におけるＺｎＯ
薄膜の規格化膜厚Ｈ／λと、電気機械結合係数との関係
を示す図。
薄膜の規格化膜厚Ｈ／λと、電気機械結合係数との関係
を示す図。
【図５】実施例１で用意した表面波装置におけるＺｎＯ
薄膜の規格化膜厚Ｈ／λと、電気機械結合係数との関係
を示す図。
薄膜の規格化膜厚Ｈ／λと、電気機械結合係数との関係
を示す図。
【図６】オイラー角（０，１３２.７５，８９）の水晶
基板を用いた場合の水晶基板／ＺｎＯ圧電薄膜複合基板
の音速とＺｎＯの規格化膜厚Ｈ／λとの関係を示す図。
基板を用いた場合の水晶基板／ＺｎＯ圧電薄膜複合基板
の音速とＺｎＯの規格化膜厚Ｈ／λとの関係を示す図。
【図７】実施例２で用意した表面波装置におけるＺｎＯ
薄膜の規格化膜厚Ｈ／λと温度特性ＴＣＤとの関係を示
す図。
薄膜の規格化膜厚Ｈ／λと温度特性ＴＣＤとの関係を示
す図。
【図８】実施例２で用意した表面波装置におけるＺｎＯ
薄膜の規格化膜厚Ｈ／λと、電気機械結合係数との関係
を示す図。
薄膜の規格化膜厚Ｈ／λと、電気機械結合係数との関係
を示す図。
【図９】実施例２で用意した表面波装置におけるＺｎＯ
薄膜の規格化膜厚Ｈ／λと、電気機械結合係数との関係
を示す図。
薄膜の規格化膜厚Ｈ／λと、電気機械結合係数との関係
を示す図。
【図１０】オイラー角（０，１５０，０）の水晶基板を
用いた場合の水晶基板／ＺｎＯ圧電薄膜複合基板の音速
とＺｎＯの規格化膜厚Ｈ／λとの関係を示す図。
用いた場合の水晶基板／ＺｎＯ圧電薄膜複合基板の音速
とＺｎＯの規格化膜厚Ｈ／λとの関係を示す図。
【図１１】実施例３で用意した表面波装置におけるＺｎ
Ｏ薄膜の規格化膜厚Ｈ／λと、電気機械結合係数との関
係を示す図。
Ｏ薄膜の規格化膜厚Ｈ／λと、電気機械結合係数との関
係を示す図。
【図１２】実施例３で用意した表面波装置におけるＺｎ
Ｏ薄膜の規格化膜厚Ｈ／λと、電気機械結合係数との関
係を示す図。
Ｏ薄膜の規格化膜厚Ｈ／λと、電気機械結合係数との関
係を示す図。
【図１３】実施例３で用意した表面波装置におけるＺｎ
Ｏ薄膜の規格化膜厚Ｈ／λと温度特性ＴＣＤとの関係を
示す図。
Ｏ薄膜の規格化膜厚Ｈ／λと温度特性ＴＣＤとの関係を
示す図。
【図１４】先行技術に開示されている表面波装置で利用
される高音速の表面波を説明するための減衰量周波数特
性を示す図。
される高音速の表面波を説明するための減衰量周波数特
性を示す図。
１…表面波フィルタ ２…表面波基板 ２ａ…水晶基板 ２ｂ…ＺｎＯ薄膜 ３，４…ＩＤＴ ３ａ，３ｂ，４ａ，４ｂ…くし歯電極
Claims (10)
- 【請求項１】 水晶基板と、 前記水晶基板上に形成された圧電薄膜と、 前記圧電薄膜に接するように形成されたくし歯電極とを
備え、 前記圧電薄膜が、漏洩弾性表面波の高次モードを励振し
得る厚みに形成されており、該漏洩弾性表面波の高次モ
ードを利用したことを特徴とする、表面波装置。 - 【請求項２】 前記圧電薄膜がＺｎＯであることを特徴
とする、請求項１に記載の表面波装置。 - 【請求項３】 前記圧電薄膜の膜厚をＨ、表面波の波長
λとしたときに、圧電薄膜の規格化膜厚Ｈ／λが０．２
８〜０．６の範囲とされている、請求項１に記載の表面
波装置。 - 【請求項４】 前記圧電薄膜がＺｎＯであって、 前記圧電薄膜の膜厚をＨ、表面波の波長をλとしたとき
に、圧電薄膜の規格化膜厚Ｈ／λが０．２８〜０．６の
範囲であることを特徴とする請求項１に記載の表面波装
置。 - 【請求項５】 前記圧電薄膜が、ＡｌＮ、Ｔａ2 Ｏ5 及
びＣｄＳからなる群から選択した一種よりなる圧電薄膜
である、請求項１または３に記載の表面波装置。 - 【請求項６】 水晶基板と、 前記水晶基板上に形成された圧電薄膜と、 前記薄膜に接するように形成されたくし歯電極とを備え
た表面波装置において、 前記水晶基板、前記圧電薄膜及び前記くし歯電極は、漏
洩弾性表面波の高次モードが励振するように形成され、
かつ該漏洩弾性表面波の高次モードの伝搬に伴う減衰を
妨げるように形成されていることを特徴とする、表面波
装置。 - 【請求項７】 前記圧電薄膜がＺｎＯであることを特徴
とする、請求項６に記載の表面波装置。 - 【請求項８】 前記圧電薄膜の膜厚をＨ、表面波の波長
をλとしたときに、圧電薄膜の規格化膜厚Ｈ／λが０．
２８〜０．６の範囲であることを特徴とする、請求項６
に記載の表面波装置。 - 【請求項９】 前記圧電薄膜がＺｎＯであって、 前記圧電薄膜の膜厚をＨ、表面波の波長をλとしたとき
に、圧電薄膜の規格化膜厚Ｈ／λが０．２８〜０．６の
範囲であることを特徴とする、請求項６に記載の表面波
装置。 - 【請求項１０】 前記圧電薄膜が、ＡｌＮ、Ｔａ2 Ｏ5
及びＣｄＳからなる群から選択した一種よりなる圧電薄
膜である、請求項６に記載の表面波装置。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30209596A JP3168925B2 (ja) | 1995-11-21 | 1996-11-13 | 表面波装置 |
| KR1019960055986A KR100239992B1 (ko) | 1995-11-21 | 1996-11-21 | 표면파 장치(surface wave device) |
| CNB961217650A CN1167193C (zh) | 1995-11-21 | 1996-11-21 | 表面波器件 |
| SG1996011353A SG74573A1 (en) | 1995-11-21 | 1996-11-21 | Surface wave device |
| DE19648307A DE19648307B4 (de) | 1995-11-21 | 1996-11-21 | Oberflächenwellenbauelement |
| US08/755,094 US5965969A (en) | 1995-11-21 | 1996-11-22 | Surface acoustic wave device using higher order mode of leakage elastic surface acoustic wave |
| TW085114689A TW335573B (en) | 1996-11-13 | 1996-11-28 | Surface wave device |
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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