JP7515586B2

JP7515586B2 - 弾性波装置及び通信装置

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Publication number: JP7515586B2
Application number: JP2022532494A
Authority: JP
Inventors: 幹伊藤
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 2020-06-26
Filing date: 2021-06-22
Publication date: 2024-07-12
Anticipated expiration: 2041-06-22

Description

本開示は、弾性波を利用する弾性波装置及び当該弾性波装置を含む通信装置に関する。

弾性波を利用する弾性波装置が知られている（例えば下記特許文献１）。弾性波は、例えば、ＳＡＷ（Surface Acoustic Wave）又はＢＡＷ（Bulk Acoustic Wave）である。弾性波装置は、例えば、少なくとも上面に圧電性を有する基板と、当該基板の上面に電圧を印加して弾性波を励振する励振電極とを有している。特許文献１では、上記基板として、補強基板と、補強基板上に位置する音響反射層と、音響反射層上に位置する圧電体層とを有するものを開示している。励振電極は、圧電体層上に設けられる。音響反射層は、低インピーダンス層と、高インピーダンス層とが交互に重ねられて構成されている。

国際公開第２０１６／１４７６８８号

本開示の一態様に係る弾性波装置は、複合基板と、前記複合基板の上面に位置している励振電極と、を有している。前記複合基板は、支持基板と、多層膜と、圧電膜と、を有している。前記多層膜は、前記支持基板の上面に積層されている複数の音響膜を有している。前記多層膜においては、積層方向において互いに隣り合う音響膜同士で材料が互いに異なる。前記圧電膜は、前記多層膜の上面に重なっている。前記励振電極は、前記圧電膜の上面に位置している。前記複合基板の側面は、当該側面の外側から前記側面の内側への向きに進みながら前記支持基板側から前記圧電膜側へ上る２段以上の階段状の階段部を有している。

本開示の一態様に係る通信装置は、上記弾性波装置と、前記弾性波装置と接続されているアンテナと、前記弾性波装置と接続されている集積回路素子と、を有している。

実施形態に係る弾性波装置の要部構成を模式的に示す平面図である。図１のII－II線における断面図である。図１の領域IIIａの拡大図である。図２の領域IIIｂの拡大図である。第１変形例に係る複合基板の階段部の構成を示す断面図である。第２変形例に係る複合基板の階段部の構成を示す断面図である。第３変形例に係る複合基板の構成を示す平面図である。第４変形例に係る複合基板の構成を示す平面図である。第５変形例に係る複合基板の構成を示す平面図である。第６変形例に係る複合基板の構成を示す平面図である。実施例に係る共振子のインピーダンスに係る特性を示す図である。実施例に係る共振子の共振抵抗を示す図である。実施例に係る共振子のＢｏｄｅ－Ｑに係る特性を示す図である。実施例に係る共振子の共振周波数におけるＢｏｄｅ－Ｑの値を示す図である。実施例に係る共振子において生じるスプリアスの周波数を示す図である。実施例に係る共振子において生じるスプリアスの位相を示す図である。弾性波装置の利用例としての分波器の構成を模式的に示す回路図である。弾性波装置の利用例としての通信装置の要部を示すブロック図である。

以下、本開示に係る実施形態について、図面を参照して説明する。なお、以下の説明で用いられる図は模式的なものであり、図面上の寸法比率等は現実のものとは必ずしも一致していない。また、図面同士でも寸法比率は一致していない。

本開示に係る弾性波装置は、いずれの方向が上方又は下方とされてもよいものであるが、以下では、便宜的に、Ｄ１軸、Ｄ２軸及びＤ３軸からなる直交座標系を図面に付すとともに、Ｄ３軸の正側を上方として、上面又は下面等の用語を用いることがある。また、平面視又は平面透視という場合、特に断りがない限りは、Ｄ３方向に見ることをいう。なお、Ｄ１軸は、後述する圧電膜の上面に沿って伝搬する弾性波の伝搬方向に平行になるように定義され、Ｄ２軸は、圧電膜の上面に平行かつＤ１軸に直交するように定義され、Ｄ３軸は、圧電膜の上面に直交するように定義されている。

（弾性波装置）
図１は、弾性波装置１の要部構成を模式的に示す平面図である。図２は、図１のII－II線における断面図である。

弾性波装置１は、例えば、支持基板３と、支持基板３上に位置する多層膜５と、多層膜５上に位置する圧電膜７と、圧電膜７上に位置する導体層９とを有している。多層膜５は、積層されている複数の音響膜１１（例えば第１膜１１Ａ及び第２膜１１Ｂ）を有している。各層（３、５、７、９及び１１）の厚さは、例えば、概ね、平面方向（Ｄ１－Ｄ２平面に平行な方向）の位置によらずに一定である。なお、多層膜５及び圧電膜７の組み合わせを積層部４ということがある。また、積層部４及び支持基板３の組み合わせを複合基板２ということがある。

弾性波装置１では、導体層９によって圧電膜７に電圧が印加されることによって、圧電膜７を伝搬する弾性波が励振される。弾性波装置１は、例えば、この弾性波を利用する共振子及び／又はフィルタを構成している。多層膜５は、例えば、弾性波を反射して弾性波のエネルギーを圧電膜７に閉じ込めることに寄与している。支持基板３は、例えば、多層膜５及び圧電膜７の強度を補強することに寄与している。

（複合基板）
支持基板３の材料は、特に限定されない。例えば、支持基板３の材料は、絶縁材料である。絶縁材料は、例えば、樹脂又はセラミックである。絶縁材料は、基材に樹脂を含浸させた複合材料であったり、樹脂に無機粒子を混ぜ込んだ複合材料であったりしてもよい。支持基板３は、その全体が１種類の材料によって構成されていてもよいし、互いに異なる材料からなる複数の層が積層されて構成されていてもよい。支持基板３の厚さは、適宜に設定されてよく、例えば、圧電膜７よりも厚い。

支持基板３は、例えば、多層膜５の積層数及び／又は厚さが十分に確保されることによって、弾性波（別の観点では弾性波装置１の電気的特性）に直接的に影響を及ぼさない部材とされてよい。この場合、支持基板３の材料及び寸法の自由度は高い。ただし、支持基板３は、弾性波に直接的に影響を及ぼしても構わない。

支持基板３は、圧電膜７又は積層部４（圧電膜７及び多層膜５）に比較して熱膨張係数が低い材料によって構成されてもよい。この場合、例えば、温度変化によって弾性波装置１の周波数特性が変化してしまう蓋然性を低減することができる。このような材料としては、例えば、シリコン等の半導体、サファイア等の単結晶及び酸化アルミニウム質焼結体等のセラミックを挙げることができる。

多層膜５は、既述のように、積層されている複数の音響膜１１を有している。複数の音響膜１１の材料（別の観点では音響インピーダンス）は、積層方向において互いに隣り合っている（他の音響膜１１を介さずに互いに重なっている）音響膜１１同士で互いに異なっている。互いに隣り合っている音響膜１１同士で音響インピーダンスが異なっていることにより、例えば、両者の界面においては弾性波の反射率が比較的高くなる。その結果、例えば、圧電膜７を伝搬する弾性波の漏れが低減される。

念のために記載すると、音響インピーダンスは、理論上、媒質（音響膜１１）の密度と媒質中の音速との積によって得られる値である。また、製造過程等の観点において２つの音響膜であっても、当該２つの音響膜が積層方向に互いに隣り合っているとともに材料が同一である場合は、当該２つの音響膜は１つの音響膜１１として捉えられてよい。

音響膜１１の材料の種類の数、互いに異なる材料からなる音響膜１１同士の音響インピーダンスの差、音響膜１１と他の層（圧電膜７及び支持基板３）との間の音響インピーダンスの大小関係等は適宜に設定されてよい。例えば、音響膜１１の種類は２種であってもよいし、３種以上であってもよい。また、例えば、一部又は全部の音響膜１１の音響インピーダンスは、圧電膜７及び／又は支持基板３の音響インピーダンスに対して、高くてもよいし、低くてもよい。

本実施形態では、音響膜１１の材料の種類の数が２つである態様を例にとる。すなわち、多層膜５は、音響膜１１として、互いに異なる材料からなる第１膜１１Ａ及び第２膜１１Ｂを有している。第１膜１１Ａ及び第２膜１１Ｂは、互いに音響インピーダンスが異なっており、積層方向において互いに隣り合っている。第１膜１１Ａ及び第２膜１１Ｂの具体的な材料は、両者の音響インピーダンスが異なるように適宜に設定されてよい。

説明の便宜上、第１膜１１Ａの音響インピーダンスは、第２膜１１Ｂの音響インピーダンスよりも低いものとする。このときの第１膜１１Ａ及び第２膜１１Ｂの材料の例を以下に示す。第１膜１１Ａの材料は、例えば、二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）とされてよい。第２膜１１Ｂの材料は、例えば、五酸化タンタル（Ｔａ_２Ｏ_５）、酸化ハフニウム（ＨｆＯ_２）、二酸化ジルコニウム（ＺｒＯ_２）、酸化チタン（ＴｉＯ_２）又は酸化マグネシウム（ＭｇＯ）とされてよい。

多層膜５の積層数は適宜に設定されてよい。図示の例では、第１膜１１Ａ及び第２膜１１Ｂが交互に積層されることによって、第１膜１１Ａ及び第２膜１１Ｂの合計の積層数が３層以上（より詳細には図２では６層）とされている。積層数の上限は、特に限定されないが、例えば、１２層とされてよい。纏めると、積層数は、例えば、３層以上１２層以下とされてよい。ただし、図示の例とは異なり、多層膜５は、１層の第１膜１１Ａと１層の第２膜１１Ｂとの合計２層から構成されてもよい。

圧電膜７に接する層は、第１膜１１Ａ及び第２膜１１Ｂのいずれでもよいが、例えば、第１膜１１Ａである。支持基板３に接する層も、第１膜１１Ａであってもよいし、第２膜１１Ｂであってもよい。上記に関連して、第１膜１１Ａ及び第２膜１１Ｂからなる多層膜５の合計の積層数は、偶数でもよいし、奇数でもよい。

多層膜５の厚さは適宜に設定されてよい。例えば、後述する電極指２７のピッチをｐとする。このとき、例えば、第１膜１１Ａの厚さｔ１は、０．１０ｐ以上又は０．１４ｐ以上とされてよく、また、０．２８ｐ以下又は０．２６ｐ以下とされてよく、前記の下限と上限とは適宜に組み合わされてよい。また、例えば、第２膜１１Ｂの厚さｔ２は、０．０８ｐ以上又は１．９０ｐ以上とされてよく、また、２．００ｐ以下又は０．２０ｐ以下とされてよく、前記の下限と上限とは、矛盾しない限り、適宜に組み合わされてよい。

第１膜１１Ａ及び第２膜１１Ｂは、例えば、互いに直接に（他の層を介さずに）重なっている。ただし、第１膜１１Ａと第２膜１１Ｂとの間には、両者の密着性の向上及び／又は拡散の低減のための付加的な層が挿入されてもよい。付加的な層の厚さは、特性への影響が無視できる程度に薄くされる。例えば、付加的な層の厚さは概ね０．０１λ（λについては後述）以下である。本開示の説明においては、そのような付加的な層が設けられている場合においても、付加的な層の存在を無視した表現をすることがある。圧電膜７と多層膜５との間等についても同様である。

圧電膜７は、例えば、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ_３。以下、「ＬＴ」と略すことがある。）の単結晶又はニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ_３。以下、「ＬＮ」と略すことがある。）の単結晶によって構成されている。ＬＴ及びＬＮの結晶系はいずれも、圧電性のある点群が３ｍの三方相系である。圧電膜７のカット角は、公知のカット角も含め、種々のものとされてよい。例えば、圧電膜７は、回転ＹカットＸ伝搬のものとされてよい。すなわち、弾性波の伝搬方向（Ｄ１方向）とＸ軸とは略一致してよい（例えば両者の差は±１０°）。このときの圧電膜７の法線（Ｄ３軸）に対するＹ軸の傾斜角は適宜に設定されてよい。

なお、弾性波は、厳密には、種々の方向に伝搬する。ただし、特に断りが無い限り、本開示でいう弾性波の伝搬方向は、弾性波装置において一般にいう伝搬方向である。当該伝搬方向は、例えば、利用が意図されている弾性波に関して、伝達されるエネルギーが最も大きくなる方向であるということができる。

圧電膜７は、より詳細には、その材料がＬＴである場合においては、例えば、オイラー角（φ、θ、ψ）によって（０°±２０°，－５°以上６５°以下，０°±１０°）と表されるものとされてよい。別の観点では、圧電膜７は、回転ＹカットＸ伝搬のものとされ、Ｙ軸は、圧電膜７の法線（Ｄ３軸）に対して８５°以上１５５°以下の角度で傾斜してよい。また、上記と等価なオイラー角で表される圧電膜７が用いられてもよい。例えば、上記と等価なオイラー角としては、（１８０°±２０°，－６５°以上５°以下，０°±１０°）、及びφに１２０°を加算若しくは減算したものを挙げることができる。

また、圧電膜７は、その材料がＬＮである場合においては、例えば、オイラー角（φ、θ、ψ）によって（０°，０°±２０°，Ｘ°）と表されるものとされてよい。上記のX°は０°以上３６０°以下の値である。すなわち、X°は任意の角度をとることができる。

圧電膜７の厚さは適宜に設定されてよい。例えば、後述する電極指２７のピッチをｐとする。このとき、例えば、圧電膜７の厚さｔ０は、０．１ｐ以上又は０．２ｐ以上とされてよく、また、０．６ｐ以下又は０．５ｐ以下とされてよく、前記の下限と上限とは適宜に組み合わされてよい。

（導体層）
導体層９は、図示の例では、共振子１５を構成するように形成されている。共振子１５は、いわゆる１ポート弾性波共振子として構成されており、図１に概念的かつ模式的に示されている端子１７Ａ及び１７Ｂ（図１）の一方から所定の周波数の電気信号が入力されると共振を生じ、その共振を生じた信号を端子１７Ａ及び１７Ｂの他方から出力可能である。端子１７Ａ及び１７Ｂは、例えば、複合基板２に設けられている。より詳細には、例えば、端子１７Ａ及び１７Ｂは、導体層９によって圧電膜７上に構成されている。

共振子１５は、例えば、励振電極１９と、励振電極１９の両側に位置する１対の反射器２１とを含んでいる。共振子１５は、厳密には、弾性波の伝搬に係る圧電膜７及び多層膜５を含む。ただし、便宜上、励振電極１９及び１対の反射器２１の組み合わせを共振子１５として表現することがある。

１つの圧電膜７上には、１つの共振子１５（別の観点では励振電極１９）が設けられていてもよいし、後述するように、複数の共振子１５が設けられていてもよい。図１及び図２では、図解を容易にするために、１つの共振子１５のみが設けられている態様が例示されている。一般的には、１つの圧電膜７には複数の共振子１５が設けられる。以下の説明では、図とは異なり、複数の共振子１５が設けられている態様を前提とした説明をすることがある。

励振電極１９は、ＩＤＴ電極によって構成されており、１対の櫛歯電極２３を含んでいる。なお、図１では、視認性を良くするために、一方の櫛歯電極２３にはハッチングを付している。各櫛歯電極２３は、例えば、バスバー２５と、バスバー２５から互いに並列に延びる複数の電極指２７と、複数の電極指２７間においてバスバー２５から突出するダミー電極２９とを含んでいる。１対の櫛歯電極２３は、複数の電極指２７が互いに噛み合うように（交差するように）配置されている。

バスバー２５は、例えば、概略、一定の幅で弾性波の伝搬方向（Ｄ１方向）に直線状に延びる長尺状に形成されている。そして、一対のバスバー２５は、弾性波の伝搬方向に直交する方向（Ｄ２方向）において互いに対向している。なお、バスバー２５は、幅が変化したり、弾性波の伝搬方向に対して傾斜したりしていてもよい。

各電極指２７は、例えば、概略、一定の幅で弾性波の伝搬方向に直交する方向（Ｄ２方向）に直線状に延びる長尺状に形成されている。各櫛歯電極２３において、複数の電極指２７は、弾性波の伝搬方向に配列されている。また、一方の櫛歯電極２３の複数の電極指２７と他方の櫛歯電極２３の複数の電極指２７とは、基本的には交互に配列されている。

複数の電極指２７のピッチｐ（例えば互いに隣り合う２本の電極指２７の中心間距離）は、励振電極１９内において基本的に一定である。なお、励振電極１９は、一部にピッチｐに関して特異な部分を有していてもよい。特異な部分としては、例えば、大部分（例えば８割以上）よりもピッチｐが狭くなる狭ピッチ部、大部分よりもピッチｐが広くなる広ピッチ部、少数の電極指２７が実質的に間引かれた間引き部が挙げられる。

以下において、ピッチｐという場合、特に断りがない限りは、上記のような特異な部分を除いた部分（複数の電極指２７の大部分）のピッチをいうものとする。また、特異な部分を除いた大部分の複数の電極指２７においても、ピッチが変化しているような場合においては、大部分の複数の電極指２７のピッチの平均値をピッチｐの値として用いてよい。

電極指２７の本数は、共振子１５に要求される電気特性等に応じて適宜に設定されてよい。図１及び図２は模式図であることから、電極指２７の本数は少なく示されている。実際には、図示よりも多くの電極指２７が配列されてよい。後述する反射器２１のストリップ電極３３についても同様である。

複数の電極指２７の長さは、例えば、互いに同等である。なお、励振電極１９は、複数の電極指２７の長さ（別の観点では交差幅）が伝搬方向の位置に応じて変化する、いわゆるアポダイズが施されていてもよい。電極指２７の長さ及び幅は、要求される電気特性等に応じて適宜に設定されてよい。

ダミー電極２９は、例えば、概略、一定の幅で弾性波の伝搬方向に直交する方向に突出する形状とされている。その幅は、例えば電極指２７の幅と同等である。また、複数のダミー電極２９は、複数の電極指２７と同等のピッチで配列されており、一方の櫛歯電極２３のダミー電極２９の先端は、他方の櫛歯電極２３の電極指２７の先端とギャップを介して対向している。なお、励振電極１９は、ダミー電極２９を含まないものであってもよい。

１対の反射器２１は、弾性波の伝搬方向において複数の励振電極１９の両側に位置している。各反射器２１は、例えば、電気的に浮遊状態とされてもよいし、基準電位が付与されてもよい。各反射器２１は、例えば、格子状に形成されている。すなわち、反射器２１は、互いに対向する１対のバスバー３１と、１対のバスバー３１間において延びる複数のストリップ電極３３とを含んでいる。複数のストリップ電極３３のピッチ、及び互いに隣り合う電極指２７とストリップ電極３３とのピッチは、基本的には複数の電極指２７のピッチと同等である。

導体層９は、例えば、金属により形成されている。金属は、適宜な種類のものとされてよく、例えば、アルミニウム（Ａｌ）又はＡｌを主成分とする合金（Ａｌ合金）である。Ａｌ合金は、例えば、アルミニウム－銅（Ｃｕ）合金である。なお、導体層９は、複数の金属層から構成されていてもよい。例えば、Ａｌ又はＡｌ合金からなる層と、圧電膜７との間に、これらの接合性を強化するためのチタン（Ｔｉ）からなる比較的薄い層が設けられていてもよい。導体層９の厚さは適宜に設定されてよい。例えば、導体層９の厚さは、０．０４ｐ以上０．１７ｐ以下とされてよい。

導体層９は、基本的に、その全体が同一の材料及び厚さによって構成されている。例えば、励振電極１９、反射器２１及び配線（符号省略）は、互いに同一の材料及び厚さを有している。ただし、導体層９は、材料及び／又は厚さが他の部分と異なる部分を有していてもよい。例えば、端子１７Ａ及び１７Ｂは、励振電極１９、反射器２１及び配線と材料及び厚さが同一の層と、この層の上に重なる他の材料からなる層とによって構成されていてもよい。

特に図示しないが、圧電膜７の上面は、導体層９の上から、ＳｉＯ_２やＳｉ_３Ｎ_４等からなる保護膜によって覆われていてもよい。保護膜はこれらの材料からなる複数層の積層体としてもよい。保護膜は、単に導体層９の腐食を抑制するためのものであってもよいし、温度補償に寄与するものであってもよい。保護膜が設けられる場合等において、励振電極１９及び反射器２１の上面又は下面には、弾性波の反射係数を向上させるために、絶縁体又は金属からなる付加膜が設けられてもよい。

図１及び図２に示した構成は、適宜にパッケージされてよい。パッケージは、例えば、不図示の基板上に隙間を介して圧電膜７の上面を対向させるように図示の構成を実装し、その上からモールド樹脂によって封止を行うものであってもよいし、圧電膜７上に箱型のカバーを設けるウェハレベルパッケージ型のものであってもよい。

１対の櫛歯電極２３に電圧が印加されると、複数の電極指２７によって圧電膜７に電圧が印加され、圧電体である圧電膜７が振動する。これにより、Ｄ１方向に伝搬する弾性波が励振される。弾性波は、複数の電極指２７によって反射される。そして、複数の電極指２７のピッチｐを概ね半波長（λ／２）とする定在波が立つ。定在波によって圧電膜７に生じる電気信号は、複数の電極指２７によって取り出される。このような原理により、弾性波装置１は、ピッチｐを半波長とする弾性波の周波数を共振周波数とする共振子として機能する。なお、λは、通常、波長を示す記号であり、また、実際の弾性波の波長は２ｐからずれることもあるが、以下でλの記号を用いる場合、特に断りがない限り、λは２ｐを意味するものとする。

弾性波は、適宜なモードのものが利用されてよい。例えば、本実施形態のように、多層膜５上に圧電膜７を重ねた構成においては、スラブモードの弾性波を利用することができる。スラブモードの弾性波の伝搬速度（音速）は、一般的なＳＡＷ（Surface Acoustic Wave）の伝搬速度よりも速い。例えば、一般的なＳＡＷの伝搬速度が３０００～４０００ｍ／ｓであるのに対して、スラブモードの弾性波の伝搬速度は１００００ｍ／ｓ以上である。従って、スラブモードの弾性波を利用した場合においては、比較的高い周波数領域での共振及び／又はフィルタリングを実現することが容易化される。例えば、１μｍ以上のピッチｐで５ＧＨｚ以上の共振周波数を実現することも可能である。

（複合基板の階段部）
図３Ａは図１の領域IIIａの拡大図である。図３Ｂは図２の領域IIIｂの拡大図である。

図１、図２、図３Ａ及び図３Ｂに示されているように、複合基板２の側面２ａは、階段状の階段部４１を有している。これにより、例えば、共振子１５からその外側に漏れた弾性波が複合基板２の側面２ａに到達したとき、当該弾性波が散乱されやすくなる。その結果、複合基板２の側面２ａにて反射した弾性波に起因するスプリアスが低減される。

このような階段部４１は、図１に示すように、平面視において複合基板２の全周に亘って設けられていてもよいし、図示の例とは異なり、複合基板２の周囲の一部にのみ設けられていてもよい。後者の例としては、例えば、平面視において概略矩形状の複合基板２の４辺のうち、対向する２辺（その全長又は一部の長さ）にのみ階段部４１が設けられている態様を挙げることができる。当該２辺は、例えば、弾性波の伝搬方向（Ｄ１方向）に交差する２辺である。ただし、当該２辺は、弾性波の伝搬方向に沿う２辺であっても構わない。

なお、図示のように複合基板２の４つの側面２ａに亘って階段形状が形成されている場合においては、例えば、全周に亘って１つの階段部４１が設けられていると捉えられてもよいし、各側面２ａに１つの階段部４１が設けられて合計で４つの階段部４１が設けられていると捉えられてもよい。同様に、平面視において複合基板２の周方向に階段形状が分散されている場合も、１つの階段部４１が設けられていると概念されてもよいし、複数の階段部４１が設けられていると概念されてもよい。ただし、実施形態の説明では、便宜上、いずれの態様においても、基本的に、１つの階段部４１が設けられている概念で表現する。

励振電極１９と階段部４１との位置関係は適宜に設定されてよい。例えば、平面視において、複数の電極指２７の配置領域を弾性波の伝搬方向に沿って複合基板２の外側まで延長した仮想領域Ｒ１（図１）を仮定する。このとき、階段部４１は、仮想領域Ｒ１内に位置する部分を有していてもよいし、有していなくてもよい。なお、図示の例のように、複合基板２の全周に亘って階段部４１が形成されている態様は、階段部４１が仮想領域Ｒ１内に位置する部分を有している態様の一例である。

仮想領域Ｒ１は、より詳細には、１つの励振電極１９について、＋Ｄ１方向及び－Ｄ１方向の２方向に２つ仮定することができる。また、複数の励振電極１９が設けられている場合においては、励振電極１９の数の２倍の数の仮想領域Ｒ１（ただし、仮想領域Ｒ１同士が重複することもある。）を仮定することができる。階段部４１は、２以上の仮想領域Ｒ１のいずれに位置する部分を有していてもよい。例えば、階段部４１は、複数の仮想領域Ｒ１のうちの一部の仮想領域Ｒ１についてのみ、仮想領域Ｒ１内に位置する部分を有していてもよいし、全ての仮想領域Ｒ１それぞれについて、仮想領域Ｒ１内に位置する部分を有していてもよい。また、例えば、階段部４１は、複数の仮想領域Ｒ１のうち、少なくとも、複合基板２の側面２ａとのＤ１方向における距離が最も短い励振電極１９の、その距離が短い側の仮想領域Ｒ１内に位置する部分を有していてもよい。

階段部４１は、例えば、その一部のみを特定の仮想領域Ｒ１内又は全部の仮想領域Ｒ１内に位置させてもよいし（換言すれば、階段部４１は、特定の仮想領域Ｒ１内に位置しない部分、又は全ての仮想領域Ｒ１内に位置しない部分を有していてもよいし）、特定の仮想領域Ｒ１内又は全ての仮想領域Ｒ１内に位置する部分のみから構成されてもよい。また、階段部４１は、特定の１以上の仮想領域Ｒ１又は全部の仮想領域Ｒ１に関して、仮想領域Ｒ１の幅（図１ではＤ２方向の長さ）の全体又は大部分（例えば仮想領域Ｒ１の幅の８割以上）に位置してもよいし（図示の例）、仮想領域Ｒ１の幅の一部にのみ位置してもよい。

階段部４１の形状及び寸法は、平面視における複合基板２の周方向の位置に関わらずに概略同様であってもよいし、周方向の位置によって異なっていてもよい。例えば、階段部４１のうちＤ１方向に沿う側面２ａに位置する部分の形状及び寸法と、階段部４１のうちＤ２方向に沿う側面２ａに位置する部分の形状及び寸法とは異なっていてもよい。

ただし、以下の説明では、主として、階段部４１の形状及び寸法が、平面視における複合基板２の周方向の位置に関わらずに概略同様である態様を例に取る。従って、以下の階段部４１の形状及び寸法に係る説明は、特に断りが無い限り、また、矛盾が生じない限り、複合基板２の周方向の任意の位置（例えば４つの側面２ａのうちの任意の側面２ａ）に適用されてよい。

図１、図２、図３Ａ及び図３Ｂに示すように、階段部４１は、より詳細には、複合基板２の側面２ａの外側から側面２ａの内側への向き（図３Ａ及び図３Ｂに示す範囲では－Ｄ１方向）に進みながら支持基板３側から圧電膜７側へ上る階段状である。換言すれば、実際の階段において踏まれる面に相当する面（以下、「踏み面４１ａ」という。）は、＋Ｄ３方向（圧電膜７の上面が面している方向）に面しているとともに、平面視において複合基板２の内側に位置するものほど＋Ｄ３側に位置している。

踏み面４１ａは、積層部４が含む膜（１１及び／又は７）の上面のうち、上方へ露出する領域によって構成されている。より詳細には、図示の例では、各音響膜１１は、その上面に重なる圧電膜７又は音響膜１１よりも複合基板２の側面２ａの外側（図３Ａ及び図３Ｂに示す範囲では＋Ｄ１方向）に位置する部分を有している。これにより、当該部分の上面は、踏み面４１ａを構成している。また、圧電膜７は、積層部４の最上層であるから、圧電膜７の上面は、積層部４の他の膜（音響膜１１）に覆われていない。そして、圧電膜７の外縁は、多層膜５の上面の外縁よりも複合基板２の側面２ａの内側（図３Ａ及び図３Ｂに示す範囲では－Ｄ１方向）に位置している。これにより、圧電膜７の上面は、踏み面４１ａを構成している。

なお、ここでいう上方への露出は、支持基板３、複数の音響膜１１及び圧電膜７の相対位置に関してのものである。例えば、既述のように、圧電膜７の上面は、導体層９の上から保護層によって覆われていてもよく、この場合にも圧電膜７の上面は、上方に露出して踏み面４１ａを構成していると表現することがある。また、例えば、既述のように、音響膜１１同士の間に介在する比較的薄い層が設けられてもよく、この薄い層が音響膜１１の上面を覆っていても、音響膜１１の上面が上方に露出して踏み面４１ａを構成していると表現することがある。また、例えば、支持基板３上には、積層部４を囲んで階段部４１を埋没させる絶縁体（ここでは複合基板２とは別の部材と捉える。）が設けられていてもよく、このような場合においても、音響膜１１の上面が上方に露出して踏み面４１ａを構成していると表現することがある。いずれにせよ、圧電膜７及び複数の音響膜１１の側面の位置が互いにずれることによって、弾性波の散乱の作用が得られる。

支持基板３、複数の音響膜１１及び圧電膜７の上面のうち、最も下方にて露出している上面（図示の例では支持基板３の上面）は、階段の基準となる面（以下、「基準面４１ｓ」という。）である。換言すれば、基準面４１ｓは、踏み面４１ａではない。階段の段数は、基準面からの段差の数を指すものとする。

例えば、図示の例では、６層の音響膜１１と、１層の圧電膜７とによって、合計で７段の階段形状が構成されている。換言すれば、図示の例では、階段部４１は、２段以上の階段状とされている。別の観点では、図示の例では、階段の１段は、積層部４の１つ膜（７又は１１）によって構成されている。６層の音響膜１１の上面と、１層の圧電膜７の上面とは、合計で７個の踏み面４１ａを構成している。圧電膜７の上面は、最上段の踏み面４１ａを構成している。

踏み面４１ａ及び基準面４１ｓは、例えば、Ｄ１方向に平行な平面状である。ただし、踏み面４１ａ及び基準面４１ｓは、Ｄ１方向に対して傾斜していてもよい。例えば、圧電膜７（又は音響膜１１若しくは支持基板３）の上面のうち、大部分の領域又は励振電極１９が配置されている領域に対して平行な方向をＤ１方向とする。このとき、踏み面４１ａは、複合基板２の側面２ａの外側（図３Ａ及び図３Ｂに示す範囲では＋Ｄ１側）ほど＋Ｄ３側又は－Ｄ３側に位置するように、Ｄ１方向に対して傾斜していてもよい。また、踏み面４１ａ及び基準面４１ｓは、凹凸を有していてもよい。

踏み面４１ａに立ち上がる壁面４１ｂは、積層部４の膜（７及び１１）の側面によって構成されている。壁面４１ｂの形状は、適宜な形状とされてよい。例えば、壁面４１ｂは、平面状であってもよいし（図示の例）、平面状でなくてもよい。後者の場合、例えば、図３Ｂに示すような断面視において、壁面４１ｂは、曲面状であってもよいし、角部を有する形状であってもよいし、全体として凸状であってもよいし、全体として凹状であってもよいし、凹部及び凸部の双方を有する形状であってもよい。

図示の例では、壁面４１ｂは、Ｄ３方向に平行な平面状である。換言すれば、壁面４１ｂにおいて、上縁と下縁とはＤ１－Ｄ２平面に沿う方向の位置が同一である。ただし、上縁と下縁とはＤ１－Ｄ２平面に沿う方向の位置が互いに異なっていてもよい。例えば、上縁は、下縁に対して、複合基板２の側面２ａの内側（図３Ｂでは－Ｄ１側）に位置してもよいし、複合基板２の側面２ａの外側（図３Ｂでは＋Ｄ１側）に位置してもよい。換言すれば、壁面４１ｂ（平面状に限らない）は、全体として、上方に向くようにＤ３方向に対して傾斜していてもよいし、下方に向くようにＤ３方向に対して傾斜していてもよい。

以下の説明では、主として、壁面４１ｂがＤ３方向に平行な態様を例に取る。従って、後述する踏み面４１ａの外縁４１ａａ（又は内縁４１ａｂ）の平面視における形状の説明は、壁面４１ｂの平面視における形状の説明と捉えることができる。従って、ここでは、壁面４１ｂの平面視における形状の説明は省略する。なお、後述する外縁４１ａａ（又は内縁４１ａｂ）の平面視における形状の説明は、壁面４１ｂがＤ３方向に平行でない態様における壁面４１ｂの平面視における形状（例えば概略形状）に援用されて構わない。

踏み面４１ａにおいて、階段を下る側の縁部を外縁４１ａａというものとする。踏み面４１ａにおいて、階段を上る側の縁部を内縁４１ａｂというものとする。ただし、圧電膜７の上面によって構成されている踏み面４１ａについては内縁４１ａｂを定義しない。なお、図示の例では、既述のように、踏み面４１ａに立ち上がる壁面４１ｂが踏み面４１ａに対して垂直である。このことから、図３Ａに示す平面図においては、一の踏み面４１ａの内縁４１ａｂと、１段上の踏み面４１ａの外縁４１ａａとは重なっている。

外縁４１ａａは、当該外縁４１ａａを含む踏み面４１ａを有する膜（７又は１１）の上面の外縁によって構成されている。内縁４１ａｂは、当該内縁４１ａｂを含む踏み面４１ａを有する膜（７又は１１）に重なる他の膜の下面の外縁によって規定されている。外縁４１ａａ及び内縁４１ａｂの形状は適宜に設定されてよい。図示の例では、外縁４１ａａ及び内縁４１ａｂは、直線状とされている。また、図示の例では、複合基板２のＤ２方向に沿う側面２ａにおける外縁４１ａａ及び内縁４１ａｂは、Ｄ２方向に平行であり、複合基板２のＤ１方向に沿う側面２ａにおける外縁４１ａａ及び内縁４１ａｂは、Ｄ１方向に平行である。また、図示の例では、外縁４１ａａ及び内縁４１ａｂは互いに平行である。外縁４１ａａ及び内縁４１ａｂのその他の形状については、後に変形例に係る図面を参照して説明する。

各踏み面４１ａにおいて内縁４１ａｂから外縁４１ａａまでの長さ（踏み面４１ａの奥行）を長さｄ５とする。階段部４１のうち仮想領域Ｒ１内に位置する部分において、踏み面４１ａの弾性波の伝搬方向（Ｄ１）に平行な長さを長さｄ６とする。長さｄ６は、長さｄ５の一種である。以下の説明では、基本的に長さｄ５の符号を用いるが、長さｄ５に関する説明は、矛盾等が生じない限り、長さｄ６の説明と捉えられてよい。

図示の例では、長さｄ５は、複合基板２の周方向の位置によらずに一定である。また、複数の踏み面４１ａ同士で長さｄ５は互いに同一である。１つの踏み面４１ａにおいて、長さｄ５は、当該踏み面４１ａを有する段の高さ（Ｄ３方向）、又はピッチｐに比較して、小さくてもよいし、同等でもよいし、大きくてもよい。後述するように、長さｄ５は、複合基板２の周方向の位置によって、及び／又は踏み面４１ａによって異なることがある。階段部は、少なくとも一部の踏み面４１ａにおいて、及び／又は１つの踏み面４１ａの少なくとも一部において、長さｄ５が０．２ｐ以上、０．５ｐ以上又は１ｐ以上とされてよい。

（階段部の効果を考慮した設計）
上記のように、階段部４１が設けられることによって、共振子１５から漏れた弾性波が複合基板２の側面２ａにおいて散乱されやすくなり、ひいては、共振子１５に生じるスプリアスが低減される。このことから、例えば、スプリアスの低減に寄与している部位を縮小して小型化の効果を得てもよい。

例えば、反射器２１のストリップ電極３３の本数を従来よりも少なくしてもよい。例えば、一般に、１つの反射器２１において、ストリップ電極３３の本数は、２０本以上又は３０本以上とされている（本開示に係る技術においてもそのように設定されて構わない。）。階段部４１が設けられている場合においては、１つの反射器２１が有するストリップ電極３３の本数は、１０本以下又は５本以下とされてよい。なお、１つの反射器２１が有するストリップ電極３３の本数の下限は、例えば、２本、３本又は４本とされてよい。

また、例えば、励振電極１９と圧電膜７の外縁とのＤ１方向（弾性波の伝搬方向）における距離（最短距離）をｄ１とする（図１及び図２）。このとき、距離ｄ１は、従来よりも短くされてよい。例えば、距離ｄ１は、１０ｐ（５λ）以下、及び／又は１０μｍ以下とされてよい。なお、最も反射器２１に近い電極指２７と、最も励振電極１９から離れているストリップ電極３３との中心間距離は、概ね、ピッチｐにストリップ電極３３の本数を乗じて得られる長さである。従って、距離ｄ１が１０ｐというのは、１０本のストリップ電極３３の配置領域に概ね対応している。

（階段部の変形例）
以下、階段部の種々の変形例について説明する。以下では、基本的に、実施形態（又は先に説明された変形例。本段落において、以下、同様。）との相違部分についてのみ述べる。特に言及が無い事項については、実施形態と同様とされたり、実施形態から類推されたりしてよい。また、実施形態の構成に対応又は類似する構成については、実施形態の構成と相違点があっても、実施形態の構成の符号を用いることがある。

（第１変形例）
図４Ａは、第１変形例に係る複合基板２Ａの階段部４１Ａの構成を示す断面図であり、図３Ｂに対応している。

この図に示すように、階段部４１Ａの少なくとも１つの段は、積層部４の２つ以上の膜（７及び／又は１１）によって構成されてもよい。図示の例では、音響膜１１の上面によって構成された踏み面４１ａを有する段は、いずれも２つの音響膜１１によって構成されている。この他、特に図示しないが、圧電膜７と、圧電膜７の下に重なる音響膜１１とで１段が構成されてもよいし、３つ以上の膜によって１段が構成されてもよい。各段が含む膜の数は、段同士で同一であってもよいし、異なっていてもよい。

積層方向において互いに隣り合っている２つの膜（７及び／又は１１）同士の側面のずれ（長さｄ５参照）が比較的小さい場合、当該２つの膜は、共に１つの段を構成していると捉えられてよい。このときのずれ量は、複合基板２の寸法等によっても異なるが、例えば、０．１ｐ未満又は０．０１ｐ未満である。

また、支持基板３の上面は、音響膜１１によって覆われていてもよい。換言すれば、階段部４１Ａの基準面４１ｓは、上方に露出している音響膜１１の上面のうち、最も下方に位置している面（図示の例では下から２層目の音響膜１１の上面）によって構成されてもよい。なお、図示の例では、基準面４１ｓからの段数は、３段となっている。

別の観点では、階段部４１Ａは、複合基板２Ａの側面において、支持基板３の上面から圧電膜７の上面までの全体に亘っていなくてもよく、一部にのみ位置していてもよい。この場合、上記一部は、圧電膜７側の一部であってもよいし、支持基板３側の一部であってもよいし、圧電膜７と支持基板３との間の一部であってもよい。

例えば、図示の例では、階段部４１Ａは、圧電膜７の上面を最上段の踏み面４１ａとして含んでいるから、圧電膜７側の一部に位置しているといえる。また、例えば、図示の例とは異なり、圧電膜７は、圧電膜７の下に重なる音響膜１１よりも複合基板２Ａの側面の外側に張り出してもよい。この場合、圧電膜７は、複合基板２Ａの側面の外側から側面の内側へ進みながら支持基板３側から圧電膜７側へ上る階段部を構成しているとはいえない。このようにして、圧電膜７と支持基板３との間の一部、又は支持基板３側の一部に階段部が構成されてもよい。

なお、少なくとも１つの段が２以上の膜によって構成されるという構成と、支持基板３の上面から圧電膜７の上面までの範囲の一部にのみ階段部が設けられるという構成とは、互いに結合されている必要は無く、階段部に別々に適用されてよい。

例えば、図４Ａにおいて、支持基板３が最下層の音響膜１１よりも複合基板２Ａの側面の外側に張り出すことによって、支持基板３の上面から圧電膜７の上面までの全体に亘って、少なくとも１段が２以上の膜によって構成された階段部が構成されてもよい。また、例えば、図３Ｂにおいて、支持基板３又は支持基板３に近い音響膜１１が、その上面に重なる膜よりも複合基板２の側面の外側に張り出さないことによって、圧電膜７側の一部にのみ、各段が１つの膜によって構成された階段部が構成されてもよい。

特に図示しないが、支持基板３の上面が基準面４１ｓを構成し、全ての音響膜１１の側面が面一とされ、最上層の音響膜１１の上面が第１段の踏み面４１ａを構成し、圧電膜７の上面が第２段の踏み面４１ａを構成することによって、２段の階段部が構成されてもよい。すなわち、第１段目は、全ての音響膜１１を含んでもよい。なお、このような構成との比較において、図示した階段部４１又は４１Ａは、最上層の音響膜１１よりも下層の音響膜１１の上面によって構成された踏み面４１ａを有しているものであるといえる。

（第２変形例）
図４Ｂは、第２変形例に係る複合基板２Ｂの階段部４１Ｂの構成を示す断面図であり、図３Ｂに対応している。

この図に示すように、踏み面４１ａの奥行である長さｄ５は、踏み面４１ａ（及び基準面４１ｓ）同士で異なっていてもよい。図示の例では、実施形態と同様に、階段部４１Ｂは、支持基板３の上面から圧電膜７の上面の全体に亘っているとともに、各段は、１つの膜（７又は１１）のみを含んでいる。ただし、長さｄ５が互いに異なる態様は、少なくとも１つの段が２つの膜を含む態様（図３Ａ）に適用されてもよいし、階段部が支持基板３の上面から圧電膜７の上面までの範囲の一部にのみ位置している態様に適用されてもよい。

各踏み面４１ａの長さｄ５は、他の全ての踏み面４１ａの長さ５ｄと異なっていてもよいし、複数の踏み面４１ａのうち一部の踏み面４１ａの長さｄ５のみが他の踏み面４１ａの長さ５ｄと異なっていてもよい。長さｄ５が互いに異なる２つの踏み面４１ａは、Ｄ３方向において互いに隣り合う２つの踏み面４１ａ（その間に他の踏み面４１ａが介在しない２つの踏み面４１ａ）であってもよいし、互いに隣り合っていない２つの踏み面４１ａであってもよい。また、相対的に長い又は短い長さｄ５を有する踏み面４１ａは、Ｄ３方向において、圧電膜７側に配置されてもよいし、支持基板３側に配置されてもよいし、圧電膜７と支持基板３との中央側に配置されてもよいし、そのような傾向が現れない態様で配置されてもよい。

長さｄ５の差は適宜に設定されてよい。例えば、任意の２つの踏み面４１ａの長さｄ５を比較したとき、又は、複数の踏み面４１ａの長さｄ５のうち最長の長さｄ５と最短の長さｄ５を比較したとき、両者の差は、短い方の長さｄ５の１／２よりも短くてもよいし、同等でもよいし、長くてもよい。また、上記両者の差は、０．１ｐ以上、０．２ｐ以上又は０．５ｐ以上とされてよい。

（第３変形例）
図５Ａは、第３変形例に係る複合基板２Ｃの構成を示す平面図である。この図では、便宜上、反射器２１の図示は省略されている。また、励振電極１９は、図１よりも模式的に示されている。階段部４１の段数は、任意であるが、便宜上、図１よりも少なく示されている。

この図に示すように、複合基板２Ｃの側面は、Ｄ１方向（弾性波の伝搬方向）及びＤ２方向（弾性波の伝搬方向に直交する方向）に対して傾斜していてもよい。特に図示しないが、複合基板２Ｃは、矩形状以外の形状（例えば平行四辺形）とされ、４側面のうちいずれか一部はＤ１方向又はＤ２方向に平行とされてもよい。

別の観点では、階段部４１のうち励振電極１９に対して弾性波の伝搬方向（Ｄ１方向）の一方側に位置する部分（例えば仮想領域Ｒ１内に位置する部分）の外縁４１ａａは、伝搬方向に直交する方向（Ｄ２方向）に対して傾斜していてもよい。その傾斜の程度は任意である。例えば、傾斜角は、１°以上、５°以上、１０°以上又は３０°以上とされてよい。ここでは、実施形態の階段部４１を例示しているが、外縁４１ａａが弾性波の伝搬方向に対して傾斜する態様は、変形例に係る階段部（例えば４１Ａ及び４１Ｂ）に適用されても構わない。

なお、実施形態の説明で述べたように、階段部４１は、平面視において、複合基板２Ｃの全周に亘って設けられていてもよいし、周方向の一部にのみ設けられていてもよい。図示の例では、概ねＤ１方向において対向している２辺にのみ階段部４１が位置している態様を例示している。

（第４変形例）
図５Ｂは、第４変形例に係る複合基板２Ｄの構成を示す平面図であり、図５Ａと同様の図である。

第４変形例では、第３変形例と同様に、階段部４１のうち励振電極１９に対して弾性波の伝搬方向（Ｄ１方向）の一方側に位置する部分（例えば仮想領域Ｒ１内に位置する部分）の外縁４１ａａは、伝搬方向に直交する方向（Ｄ２方向）に対して傾斜している。その傾斜の程度等については、第３変形例と同様である。ただし、この変形例では、支持基板３の４つの側面は、Ｄ１方向又はＤ２方向のいずれかに対して平行である。

別の観点では、階段部４１Ｄは、平面視において、複合基板２Ｄの側面のうち仮想領域Ｒ１内に位置する部分に対して外縁４１ａａが傾斜している部分を仮想領域Ｒ１内に有している。さらに別の観点では、基準面４１ｓのＤ１方向における長さは、Ｄ２方向の位置によって異なっている。

図示の例では、全ての外縁４１ａａが複合基板２Ｄの側面（又はＤ２方向）に対して傾斜しており、また、複数の外縁４１ａａは、互いに平行である。ただし、図示の例とは異なり、一部の外縁４１ａａのみが複合基板２Ｄの側面に対して傾斜していてもよい。換言すれば、外縁４１ａａ同士は互いに傾斜していてもよい。別の観点では、各踏み面４１ａにおいて、Ｄ１方向における長さｄ６は、Ｄ２方向の位置によって異なっていてよい。

図５Ｂでは、外縁４１ａａが支持基板３の側面及び／又は他の外縁４１ａａに対して傾斜する構成が実施形態に適用された態様を例示している。ただし、この外縁４１ａａの傾斜は、変形例に適用されても構わない。例えば、外縁４１ａａの傾斜が第１及び第２変形例に適用されてよいことは明らかである。また、例えば、外縁４１ａａの傾斜が第３変形例に適用され、支持基板３の側面のうち仮想領域Ｒ１内に位置する部分、外縁４１ａａの仮想領域Ｒ１内に位置する部分、及びＤ１方向の３つが互いに傾斜していてもよい。

（第５変形例）
図６Ａは、第５変形例に係る複合基板２Ｅの階段部４１Ｅの構成を示す平面図であり、図３Ａに対応している。

この図に示されているように、平面視において、踏み面４１ａの外縁４１ａａ（又は内縁４１ａｂ）は、直線状でなくてもよい。図６Ａの例では、外縁４１ａａは、繰り返し逆側へ曲がりながら延びている（蛇行している）。換言すれば、外縁４１ａａは、波形状を呈している。波形状を呈している外縁４１ａａは、第３及び第４変形例（図５Ａ及び図５Ｂ）と同様に、平面視したときに、仮想領域Ｒ１（図１）において、Ｄ１方向及び／又は支持基板３の側面に対して傾斜している部分を有しているということができる。

波形の具体的な形状は適宜に設定されてよい。例えば、波形は、正弦波、三角波、矩形波、のこぎり波又はこれらの波を変形した波とされてよい。波形は、直線（線分）を含んで構成されてもよいし、及び／又は曲線を含んで構成されてもよい。波形の半波長分の形状は、正弦波のように極大値又は極小値を通る線に対して対称であってもよいし、のこぎり波のように極大値又は極小値を通る線に対して非対称であってもよい。複数波長分の波形は、規則的であってもよいし、規則性を見出せなくてもよい。換言すれば、振幅及び／又は周期等の適宜なパラメータの値は、一定であってもよいし、一定でなくてもよい。

複数の外縁４１ａａ同士の関係も適宜に設定されてよい。例えば、一部の外縁４１ａａ（ただし２以上の外縁４１ａａ）又は全部の外縁４１ａａは、その形状（波形）が互いに同一であってもよいし、互いに異なっていてもよい。換言すれば、一部の外縁４１ａａ又は全部の外縁４１ａａは、振幅及び／又は周期等の適宜なパラメータの値が互いに同一であってもよいし、互いに異なっていてもよい。一部の外縁４１ａａ又は全部の外縁４１ａａは、その波形の周期が同等である場合において、位相（図示の範囲ではＤ２方向の位置）が互いに一致していてもよいし、互いに異なっていてもよい。外縁４１ａａ同士の距離は、外縁４１ａａに沿う方向の位置によらずに一定であってもよいし、一定でなくてもよい。

別の観点では、踏み面４１ａの奥行である長さｄ５（図３Ａ）は、外縁４１ａａに沿う方向の位置によって異なっていてよい。なお、本変形例のように外縁４１ａａと内縁４１ａｂとが互いに平行でない態様においては、長さｄ５は、所定方向（例えば外縁４１ａａに概ね直交する方向）における踏み面４１ａの長さによって定義されたり、外縁４１ａａ上の各点から内縁４１ａｂへの最短距離によって定義されたりしてよい。

仮想領域Ｒ１（図１）内においては、既述のように、弾性波の伝搬方向における踏み面４１ａの長さｄ６が定義されてよい。そして、図示の例は、弾性波の伝搬方向に直交する方向（Ｄ２方向）の位置によって長さｄ６が異なっている態様の例となっている。この場合の長さｄ６の変動量は適宜に設定されてよい。例えば、１つの踏み面４１ａに関して、１つの仮想領域Ｒ１内における最長の長さｄ６と最短の長さｄ６との差は、最長の長さｄ６の１／１０以上、１／５以上又は１／２以上とされてよい。なお、差の上限値は、最短の長さｄ６が０の場合の差であり、最長の長さｄ６の１倍である。また、例えば、１つの踏み面４１ａに関して、１つの仮想領域Ｒ１内における最長の長さｄ６と最短の長さｄ６との差は、０．１ｐ以上、０．５ｐ以上又は１ｐ以上とされてよい。

図示の例では、平面視において、支持基板３の上面（基準面４１ｓ）の外縁は、直線状である。換言すれば、上記外縁の起伏（例えば算術平均粗さによって大きさが評価されてよい。）は、踏み面４１ａの外縁４１ａａの起伏よりも小さい。別の観点では、支持基板３の側面の表面粗さは、積層部４の膜（７及び／又は１１）の側面における表面粗さよりも小さい。例えば、１つの仮想領域Ｒ１内において、支持基板３の上面の外縁又は支持基板の側面の算術平均粗さは、０．５ｐ以下若しくは０．１ｐ以下（ただし、外縁４１ａａ又は積層部４の膜の側面の算術平均粗さよりも小さい）とされてよい。

ただし、図示の例とは異なり、支持基板３の上面の外縁の起伏の大きさは、踏み面４１ａの外縁４１ａａの起伏の大きさと同等以上とされてもよい。このような場合において、外縁４１ａａが支持基板３の上面の外縁又は支持基板３の側面に対して傾斜している部分を有しているか否かは、例えば、側面全体又は１つの仮想領域Ｒ１内において、支持基板３の上面の外縁又は支持基板３の側面の算術平均粗さが最小となるように設定された仮想直線又は仮想平面に対する傾斜の有無によって判断されてよい。

第５変形例に係る構成（外縁４１ａａが直線状でない構成等）は、実施形態だけでなく、第５変形例以外の変形例に適用されてよい。例えば、第５変形例に係る構成が第１変形例（図４Ａ）及び第３変形例（図５Ａ）に適用可能であることは明らかである。また、例えば、第２変形例（図４Ｂ）に係る踏み面４１ａ同士で長さｄ５（ｄ６）が互いに異なる構成の説明は、適宜に第５変形例における外縁４１ａａの任意の一部（外縁４１ａａ上の１点に着目してもよい）に援用されてよい。また、所定の長さ範囲（例えば仮想領域Ｒ１の幅）において第５変形例における外縁４１ａａの算術平均粗さが最小となるように設定された仮想的な外縁４１ａａを考えたときに、当該仮想的な外縁４１ａａについて、第２変形例及び／又は第４変形例（図５Ｂ）の説明が援用されてもよい。

（第６変形例）
図６Ｂは、第６変形例に係る複合基板２Ｆの階段部４１Ｆの構成を示す平面図であり、図３Ａに対応している。

第６変形例は、第５変形例と同様に、踏み面４１ａの外縁４１ａａが波形を呈する態様である。第５変形例の説明で述べたように、波形の具体的な形状は、種々の形状とされてよく、第６変形例は、波形が曲線を含む一例となっている。

より詳細には、図示の例では、外縁４１ａａは、階段を下りる側（図示の範囲では＋Ｄ１側）を凹側とする曲線を含んでいる。また、１つの外縁４１ａａ内で複数の凹状の曲線が連なることによって、凹状の曲線同士の接続点を極大値とする波形が構成されている。曲線の曲率等は適宜に設定されてよい。図示の例では、複数の外縁４１ａａの波形は、互いに形状が類似するとともに位相が近い。ひいては、踏み面４１ａの奥行である長さｄ６の外縁４１ａａに沿う方向（図示の範囲ではＤ２方向）の位置に対する変化は比較的小さい。もちろん、図示の例とは異なり、長さｄ６の変化は大きくされてもよい。

（弾性波装置の製造方法）
弾性波装置１の製造方法は、階段部４１を形成するための工程を除いては、概略、公知の方法と同様とされたり、公知の方法を応用したものとされたりしてよい。階段部４１は、種々の方法によって製造可能である。

例えば、積層部４が含む複数の膜（１１及び７）は、下方のものから順に成膜及びパターニングがなされて形成されてよい。このとき、マスクによって規定される各膜の外縁を上方のものほど内側に位置させることによって、階段部４１が形成されてよい。各膜の外縁を規定するマスクのパターンによって、階段部４１の外縁４１ａａに任意の形状を付与することができる。

また、例えば、弾性波装置１は、複数の弾性波装置１を含むウェハが分割されることによって（弾性波装置１を個片化することによって）作製されてよい。弾性波装置１の個片化は、ダイシングブレードによってウェハを切削することによって行われてよい。このとき、弾性波装置１の上方から切削し、かつブレードがウェハに付与する圧力等を適宜に設定すると、上方の層ほどブレードの近くの部位（縁部）が割れやすくなる。この現象を利用して、上方の層ほど外縁を内側に位置させて階段部４１を形成してもよい。このときの階段部４１の外縁４１ａａの形状は、例えば、第５及び第６変形例（図６Ａ及び図６Ｂ）のように波形状を呈しやすい。

また、ブレードによるウェハの分割に代えて、レーザによってウェハを分割してもよい。このとき、レーザ光の強度等を適宜に設定することによって、上方の層ほど外縁が内側に位置するようにウェハの捨て代を除去する。このような方法によって、階段部４１を実現してもよい。

以上のとおり、本実施形態及びその変形例においては、弾性波装置１は、複合基板２（及び２Ａ～２Ｆ。以下、実施形態に係る符号のみを代表して示すことがある。）と、複合基板２の上面に位置している励振電極１９と、を有している。複合基板２は、支持基板３と、多層膜５と、圧電膜７とを有している。多層膜５は、支持基板３の上面に積層されている複数の音響膜１１を有しており、積層方向において互いに隣り合う音響膜１１同士で材料が互いに異なる。圧電膜７は、多層膜５の上面に重なっている。励振電極１９は、圧電膜７の上面に位置している。複合基板２の側面２ａは、側面２ａの外側から側面２ａの内側への向きに進みながら支持基板３側から圧電膜７側へ上る２段以上の階段状の階段部４１を有している。

従って、例えば、既述のように、複合基板２の側面２ａにおいて不要な弾性波が散乱され、側面２ａにおいて反射した不要な弾性波によって生じるスプリアスを低減できる。また、階段部４１は、側面２ａの外側から側面２ａの内側への向きに進みながら支持基板３側から圧電膜７側へ上る２段以上の階段状であることから、全体として、支持基板３側ほど外側へ位置する傾斜面を構成していることになる。従って、階段部４１に到達した弾性波は、圧電膜７とは反対側（－Ｄ３側）へ反射されやすい。その結果、側面２ａに単に凹凸を形成した態様に比較して、不要な弾性波に起因するスプリアスを低減しやすい。

階段部４１は、多層膜５内において最上層となる音響膜１１よりも下層の音響膜１１の上面によって構成されている踏み面４１ａを含んでよい。換言すれば、多層膜５の側面は、階段部４１を構成している、少なくとも１つの踏み面４１ａを有してよい。

この場合、例えば、多層膜５の側面において上述した効果と同様の効果が奏される。すなわち、不要な弾性波は、散乱されつつ、かつ下方へ反射される。従って、圧電膜７から多層膜５に漏れた不要な弾性波が圧電膜７に戻る蓋然性を低減しやすい。

階段部４１は、圧電膜７の上面を最上段の踏み面４１ａとしてよい。最上段を含む少なくとも２段の各段は、複数の音響膜１１及び圧電膜７のうちの２層以下の膜によって構成されてよい。

この場合、階段部４１は、１段の高さ（Ｄ３方向の長さ。いわゆる蹴上げ）が比較的小さい部分を積層部４（多層膜５及び圧電膜７）の上部に有していると言える。一方、漏れた弾性波のエネルギーが大きいのは、積層部４の上部である。従って、例えば、不要な弾性波を散乱させたり、下方へ反射したりする上述の効果が向上する。

階段部４１は、支持基板３の上面から圧電膜７の上面に亘ってよい。その各段は、複数の音響膜１１及び圧電膜７の２層以下の膜によって構成されてよい。

この場合、階段部４１は、積層部４の側面の全体に亘って、１段の高さが比較的小さい部分を有していると言える。従って、例えば、不要な弾性波を散乱させる効果が向上する。

階段部４１の連続する少なくとも２段の各段が複数の音響膜１１及び圧電膜７の１層のみによって構成されてよい（第２変形例（図４Ａ）を除く種々の各例を参照。）。

この場合、例えば、階段部４１の１段の高さが小さいことから、不要な弾性波を散乱させ効果が向上する。

励振電極１９は、圧電膜７の平面視において、弾性波の伝搬方向（Ｄ１方向）に沿って配列されている複数の電極指２７を有してよい。階段部４１は、圧電膜７の平面視において複数の電極指２７の配置領域をＤ１方向に沿って複合基板２の外側まで延長した仮想領域Ｒ１内に位置してよい。

この場合、例えば、弾性波が最も漏れやすい方向に階段部４１が位置することになる。その結果、不要な弾性波を散乱させたり、反射したりする効果が向上する。

階段部４１の少なくとも１段は、圧電膜７の平面視において、踏み面４１ａの下りる側の縁部（外縁４１ａａ）が、弾性波の伝搬方向に直交する方向（Ｄ２方向）に対して傾斜している部分を仮想領域Ｒ１内に有してよい（図５Ａ～図６Ｂ）。

この場合、例えば、平面視において、励振電極１９からＤ１方向に漏れて階段部４１に到達した弾性波は、Ｄ１方向に対して傾斜した方向に反射されやすくなる。その結果、反射された弾性波が励振電極１９に戻ってスプリアスを生じる蓋然性が低減される。

階段部４１の少なくとも１段は、圧電膜７の平面視において、踏み面４１ａの下りる側の縁部（外縁４１ａａ）が、繰り返し逆側へ曲がりながら延びている部分（換言すれば波形を呈している部分）を仮想領域Ｒ１内に有してよい（図６Ａ及び図６Ｂ）。

この場合、例えば、弾性波は、断面視において階段部４１によって散乱されるだけでなく、平面視においても外縁４１ａａ（別の観点では壁面４１ｂ）の波形によって散乱されることになる。その結果、複合基板２の側面２ａにおいて反射した弾性波に起因するスプリアスを低減する効果が向上する。

階段部４１の少なくとも１段は、複数の音響膜１１のいずれかの上面によって踏み面４１ａが構成されており、かつ圧電膜７の平面視において、踏み面４１ａの弾性波の伝搬方向（Ｄ１方向）に平行な方向の長さｄ６がＤ１方向に直交する方向（Ｄ２方向）の位置によって異なっている部分を仮想領域Ｒ１内に有してよい（図６Ａ及び図６Ｂ）。

この場合、例えば、踏み面４１ａの外縁４１ａａ（別の観点では踏み面４１ａを上面とする層の壁面４１ｂ）で反射する弾性波と、踏み面４１ａの内縁４１ａｂ（別の観点では踏み面４１ａを含む上面に重なる層の壁面４１ｂ）で反射する弾性波との重畳の態様が、Ｄ２方向の位置によって異なることになる。その結果、例えば、反射した弾性波のエネルギーが分散されやすくなる。ひいては、スプリアスが低減される。

階段部４１のうち少なくとも２段は、複数の音響膜１１のいずれかの上面によって踏み面が構成されてよい。当該２段の踏み面は、仮想領域Ｒ１内における弾性波の伝搬方向（Ｄ１方向）の長さｄ６が互いに異なってよい（図４Ｂ、図６Ａ及び図６Ｂ）。

この場合、例えば、踏み面４１ａの外縁４１ａａで反射する弾性波と、踏み面４１ａの内縁４１ａｂで反射する弾性波との重畳の態様が、階段部４１の段同士で異なることになる。その結果、例えば、反射した弾性波のエネルギーが分散されやすくなる。ひいては、スプリアスが低減される。

階段部４１の少なくとも１段は、圧電膜７の平面視において、支持基板３の側面のうち仮想領域Ｒ１内に位置する部分に対して踏み面４１ａの下りる側の縁部（外縁４１ａａ）が傾斜している部分を仮想領域Ｒ１内に有してよい（図５Ｂ、図６Ａ及び図６Ｂ）。

この場合、例えば、階段部４１の外縁４１ａａの形状は、支持基板３の側面に沿う形状に限定されないから、複合基板２全体の設計の自由度が高い。その結果、例えば、弾性波の散乱及び／又は反射に関して効果的な向きで外縁４１ａａの向きを設定することが容易化される。

弾性波装置１は、励振電極１９に対して弾性波の伝搬方向（Ｄ１方向）の両側に位置する２つの反射器２１を更に有してよい。各反射器２１は、Ｄ１方向に配列されている複数のストリップ電極３３を有してよい。各反射器２１において、複数のストリップ電極３３は１０本以下とされてよい。

この場合、例えば、既述のように、階段部４１によってスプリアスが低減されていることから、ストリップ電極３３の本数を１０本以下にしても、大きなスプリアスが生じる蓋然性が低減される。そして、ストリップ電極３３の本数を１０本以下にすることによって、弾性波装置１を小型化することが容易化される。

圧電膜７の外縁のうち仮想領域Ｒ１に位置する部分と励振電極１９との距離ｄ１は、複数の電極指２７のピッチの１０倍以下とされてよい。

この場合、例えば、既述のように、階段部４１によってスプリアスが低減されていることから、距離ｄ１を短くしても、圧電膜７の外縁（別の観点では圧電膜７の側面）にて反射した弾性波によって大きなスプリアスが生じる蓋然性が低減される。そして、距離ｄ１を短くすることによって、弾性波装置１を小型化することが容易化される。

（実施例）
実施形態又は変形例に係る弾性波装置１に対して具体的なパラメータの値を設定し、その電気的特性をシミュレーション計算によって求めた。そして、階段部４１によって種々の効果（上述した効果、及びまだ述べていない効果）が得られることを確認した。具体的には、以下のとおりである。

図７Ａは、実施例に係る共振子１５のインピーダンスに係る特性を示す図である。

この図において、横軸は周波数ｆ（ＭＨｚ）を示している。左側の縦軸は、インピーダンスの絶対値｜Ｚ｜（Ω）を示している。右側の縦軸は、インピーダンスの位相θ（°）を示している。線Ｌ１は、共振子１５の｜Ｚ｜の値を示している。線Ｌ２は、共振子１５のθの値を示している。

公知のように、共振子１５は、｜Ｚ｜の値が極小値（矢印にて示す）となる共振周波数（図示の例では約５８００ＭＨｚ）と、｜Ｚ｜の値が極大値となる反共振周波数（図示の例では約６０００ＭＨｚ）とを有している。また、θの値は、共振周波数と反共振周波数との間において大きくなる。一般に、特性が良いとされる共振子１５では、共振周波数における｜Ｚ｜が小さく、反共振周波数における｜Ｚ｜が大きく、共振周波数と反共振周波数との間の範囲におけるθの値が９０°に近く、また、上記範囲の外側におけるθの値が－９０°に近い。

図７Ｂは、共振子１５の共振抵抗ｒ０を示す図である。

この図において、横軸は、踏み面４１ａの長さｄ６（μｍ）を示している。縦軸は、共振抵抗ｒ０（Ω）を示している。共振抵抗ｒ０は、共振周波数におけるインピーダンスの絶対値｜Ｚ｜である。図中の折れ線は、共振子１５のｒ０の値を示している。

ここでは、複合基板２として、実施形態及び第１変形例（図４Ａ）と類似のものが想定された。すなわち、踏み面４１ａの外縁４１ａａは、実施形態と同様に、弾性波の伝搬方向（Ｄ１方向）に直交している。長さｄ６は、複数の踏み面４１ａ同士で同一である。階段部４１Ａの各段は、積層部４の複数の膜（７及び１１）の２つの膜によって構成さえている。また、共振子１５において、複数の電極指２７の本数は５０本とされた。各反射器２１におけるストリップ電極３３の本数は１０本とされた。ピッチｐは１μｍとされた。

この図において、長さｄ６が０の態様は、複合基板２の側面が階段部４１を有していない態様（すなわち比較例）に対応している。そして、階段部４１を設けることによって、また、長さｄ６を大きくすることによって、共振抵抗ｒ０は小さくなっている。すなわち、共振子１５の特性が向上している。特に、長さｄ６が１μｍ（１ｐに相当）以上になると、共振抵抗ｒ０の低減の効果が顕著となる。ただし、長さｄ６が４μｍ（４ｐに相当）を超えると、共振抵抗ｒ０の低減の効果は若干鈍化する。また、長さｄ６が０．５ｐ未満においては、共振抵抗ｒ０の低減の効果は得られなかった。上記より、共振抵抗ｒ０の観点からは、長さｄ６は、０．５ｐ以上又は１ｐ以上とされてよく、また、５ｐ以下又は４ｐ以下とされてよく、上記の下限と上限とは適宜に組み合わされてよい。

図８Ａは、実施例に係る共振子１５のＢｏｄｅ－Ｑに係る特性を示す図である。

この図において、横軸は周波数ｆ（ＭＨｚ）を示している。縦軸は、Ｂｏｄｅ－Ｑ（無次元量）を示している。図中の線は、共振子１５のＢｏｄｅ－Ｑの値を示している。Ｂｏｄｅ－Ｑは、Ｂｏｄｅ氏の理論に基づくＱ値であり、その値が大きいほど、共振子１５の特性が良いことを示す。図中、矢印は、共振周波数（図示の例では約５８００ＭＨｚ）付近のＢｏｄｅ－Ｑの値を指している。Ｂｏｄｅ－Ｑの値は、共振周波数付近において大きくなっている。

図８Ｂは、共振子１５の共振周波数におけるＢｏｄｅ－Ｑの値を示す図である。

この図において、横軸は、踏み面４１ａの長さｄ６（μｍ）を示している。縦軸は、Ｂｏｄｅ－Ｑ（無次元量）を示している。図中の折れ線は、共振子１５のＢｏｄｅ－Ｑの値を示している。複合基板２及び共振子１５の条件は、図７Ｂと同様である。

この図において、長さｄ６が０の態様は、複合基板２の側面が階段部４１を有していない態様（すなわち比較例）に対応している。そして、階段部４１を設けることによって、また、長さｄ６を大きくすることによって、Ｂｏｄｅ－Ｑの値は大きくなっている。すなわち、共振子１５の特性が向上している。具体的には、長さｄ６が０μｍを若干超えただけで、Ｂｏｄｅ－Ｑの値が大きくなる。ただし、長さｄ６が２μｍ（２ｐに相当）を超えると、Ｂｏｄｅ－Ｑの値を大きくする効果は鈍化し、長さｄ６が４μｍ（４ｐに相当）に到達すると、Ｂｏｄｅ－Ｑの値を大きくする効果は頭打ちとなる。ただし、効果が頭打ちになるといっても、比較例に比較すれば、Ｂｏｄｅ－Ｑの値を大きくする効果は得られている。上記より、Ｂｏｄｅ－Ｑの効果の観点からは、長さｄ６は、０ｐ超５ｐ以下（又は４ｐ以下若しくは２ｐ以下）とされてよい。

図９Ａは、実施例に係る共振子１５のインピーダンスに係る特性を示す図である。

この図は、図７Ａよりもより広い周波数範囲において共振子１５のインピーダンスの特性を示した図となっている。図９Ａの横軸及び縦軸は、横軸の具体的な値の範囲を除いて、図７Ａの横軸及び縦軸と同様である。図中に矢印で示すように、共振子１５においては、共振周波数及び反共振周波数から比較的離れた周波数（例えば図示の例では約２０００ＭＨｚ）にスプリアスが生じることがある。

図９Ｂは、図９Ａにおいて示したスプリアス（約２０００ＨＭｚ）におけるインピーダンスの位相θを示す図である。

この図において、横軸は、踏み面４１ａの長さｄ６（μｍ）を示している。縦軸は、スプリアス（約２０００ＨＭｚ）におけるインピーダンスの位相θ（°）を示している。図中の折れ線は、共振子１５のθの値を示している。

ここでは、複合基板２として、実施形態と類似のものが想定された。すなわち、踏み面４１ａの外縁４１ａａは、実施形態と同様に、弾性波の伝搬方向（Ｄ１方向）に直交している。長さｄ６は、複数の踏み面４１ａ同士で同一である。階段部４１Ａの各段は、積層部４の複数の膜（７及び１１）の１つの膜によって構成されている。また、共振子１５において、複数の電極指２７の本数は５０本とされた。各反射器２１におけるストリップ電極３３の本数は５本とされた。ピッチｐは１μｍとされた。

この図において、長さｄ６が０の態様は、複合基板２の側面が階段部４１を有していない態様（すなわち比較例）に対応している。そして、階段部４１を設けることによって、スプリアス（より詳細にはθ）は小さくなっている。具体的には、長さｄ６が０μｍを若干超えただけで、スプリアスが低減される。ただし、長さｄ６が０．１μｍ（０．１ｐに相当）を超えると、スプリアスの低減の効果は概ね一定となる（若干低下する）。上記より、スプリアス低減の効果の観点からは、長さｄ６は０ｐ超の範囲で適宜に設定されてよい。

（分波器）
図１０は、弾性波装置１の利用例としての分波器１０１の構成を模式的に示す回路図である。この図の紙面左上に示された符号から理解されるように、この図では、櫛歯電極２３が二叉のフォーク形状によって模式的に示され、反射器２１は両端が屈曲した１本の線で表わされている。

図示の分波器１０１は、より詳細には、デュプレクサとして構成されている。分波器１０１は、例えば、送信端子１０５からの送信信号をフィルタリングしてアンテナ端子１０３へ出力する送信フィルタ１０９と、アンテナ端子１０３からの受信信号をフィルタリングして１対の受信端子１０７に出力する受信フィルタ１１１とを有している。

送信フィルタ１０９は、例えば、複数の共振子１５（１５Ｓ及び１５Ｐ）がラダー型に接続されて構成された、ラダー型フィルタによって構成されている。すなわち、送信フィルタ１０９は、送信端子１０５とアンテナ端子１０３との間で直列に接続された複数（１つでも可）の直列共振子１５Ｓと、その直列のライン（直列腕）と基準電位部（符号省略）とを接続する複数（１つでも可）の並列共振子１５Ｐ（並列腕）とを有している。

受信フィルタ１１１は、例えば、共振子１５と、多重モード型フィルタ（ダブルモード型フィルタを含むものとする。）１１３とを含んで構成されている。多重モード型フィルタ１１３は、弾性波の伝搬方向に配列された複数（図示の例では３つ）の励振電極１９と、その両側に配置された１対の反射器２１とを有している。

上記の構成において、複数の共振子１５（１５Ｓ、１５Ｐ及び受信フィルタ１１１の共振子１５）及び多重モード型フィルタ１１３のそれぞれは、これまでに説明した共振子１５と同様に、複合基板２の上面に導体層９が設けられることによって構成されている。すなわち、分波器１０１の少なくとも一部は、これまでに説明した弾性波装置１によって構成されている。アンテナ端子１０３、送信端子１０５、受信端子１０７及び基準電位部は、例えば、図１において模式的に示した端子１７Ａ又は１７Ｂに相当し、導体層９によって構成されてよい。

分波器１０１の複数の励振電極１９（及び反射器２１）は、１つの複合基板２に設けられてもよいし、２以上の複合基板２に分散して設けられてもよい。例えば、送信フィルタ１０９を構成する複数の共振子１５は、例えば、同一の複合基板２に設けられてよい。同様に、受信フィルタ１１１を構成する共振子１５及び多重モード型フィルタ１１３は、例えば、同一の複合基板２に設けられてよい。送信フィルタ１０９及び受信フィルタ１１１は、例えば、同一の複合基板２に設けられてもよいし、互いに異なる複合基板２に設けられてもよい。上記の他、例えば、複数の直列共振子１５Ｓを同一の複合基板２に設けるとともに、複数の並列共振子１５Ｐを他の同一の複合基板２に設けてもよい。

別の観点では、１つの複合基板２を有する弾性波装置１は、分波器１０１の全部を構成していてもよいし、分波器１０１の一部のみを構成していてもよい。また、弾性波装置１は、フィルタ（例えば送信フィルタ１０９又は受信フィルタ１１１）の全部を構成していてもよいし、フィルタの一部のみを構成していてもよい。図１に示した模式図のように、弾性波装置１は、単に共振子１５を構成しても構わない。

なお、上記の説明からも理解されるように、弾性波装置１は、１ポート弾性波共振子（共振子１５）を有さないものであってもよい。例えば、弾性波装置１は、共振子１５を有さず、多重モード型フィルタ１１３を有するものであってもよい。また、図１０に示すデュプレクサの構成は、あくまで一例であり、例えば、受信フィルタ１１１が送信フィルタ１０９と同様にラダー型フィルタによって構成されたり、逆に、送信フィルタ１０９が多重モード型フィルタ１１３を有していたりしてもよい。

（通信装置）
図１１は、弾性波装置１（別の観点では分波器１０１）の利用例としての通信装置１５１の要部を示すブロック図である。通信装置１５１は、電波を利用した無線通信を行うものであり、例えば、上記の分波器１０１を含んでいる。

通信装置１５１において、送信すべき情報を含む送信情報信号ＴＩＳは、ＲＦ－ＩＣ（Radio Frequency Integrated Circuit）１５３によって変調及び周波数の引き上げ（搬送波周波数を有する高周波信号への変換）がなされて送信信号ＴＳとされる。送信信号ＴＳは、バンドパスフィルタ１５５によって送信用の通過帯以外の不要成分が除去され、増幅器１５７によって増幅されて分波器１０１（送信端子１０５）に入力される。そして、分波器１０１（送信フィルタ１０９）は、入力された送信信号ＴＳから送信用の通過帯以外の不要成分を除去し、その除去後の送信信号ＴＳをアンテナ端子１０３からアンテナ１５９に出力する。アンテナ１５９は、入力された電気信号（送信信号ＴＳ）を無線信号（電波）に変換して送信する。

また、通信装置１５１において、アンテナ１５９によって受信された無線信号（電波）は、アンテナ１５９によって電気信号（受信信号ＲＳ）に変換されて分波器１０１（アンテナ端子１０３）に入力される。分波器１０１（受信フィルタ１１１）は、入力された受信信号ＲＳから受信用の通過帯以外の不要成分を除去して受信端子１０７から増幅器１６１へ出力する。出力された受信信号ＲＳは、増幅器１６１によって増幅され、バンドパスフィルタ１６３によって受信用の通過帯以外の不要成分が除去される。そして、受信信号ＲＳは、ＲＦ－ＩＣ１５３によって周波数の引き下げ及び復調がなされて受信情報信号ＲＩＳとされる。

なお、送信情報信号ＴＩＳ及び受信情報信号ＲＩＳは、適宜な情報を含む低周波信号（ベースバンド信号）でよく、例えば、アナログの音声信号もしくはデジタル化された信号である。無線信号の通過帯は、適宜に設定されてよく、比較的高周波の通過帯（例えば５ＧＨｚ以上）とされても構わない。変調方式は、位相変調、振幅変調、周波数変調もしくはこれらのいずれか２つ以上の組み合わせのいずれであってもよい。回路方式は、図１１では、ダイレクトコンバージョン方式を例示したが、それ以外の適宜なものとされてよく、例えば、ダブルスーパーヘテロダイン方式であってもよい。また、図１１は、要部のみを模式的に示すものであり、適宜な位置にローパスフィルタやアイソレータ等が追加されてもよいし、また、増幅器等の位置が変更されてもよい。

本開示に係る技術は、以上の実施形態及び変形例に限定されず、種々の態様で実施されてよい。

利用が意図されている弾性波は、スラブモードの弾性波に限定されず、一般的なＳＡＷであってもよいし、弾性境界波（ただし、広義のＳＡＷの一種である）であってもよいし、ＢＡＷであってもよい。これらの弾性波は、例えば、実施形態と同様に、１対の櫛歯電極を含むＩＤＴ電極によって構成された励振電極によって励振されてよい。

励振電極は、ＩＤＴ電極に限定されない。例えば、弾性波装置は、圧電膜をその厚み方向に挟んで対向する２つの励振電極を有するＳＭＲ（solid mounted resonator）型のＢＡＷ共振器とされてよい。換言すれば、弾性波装置は、圧電膜の上面に位置する励振電極と、圧電膜の下面に位置する励振電極とを有してよい。このとき、励振電極は、平板状とされてよい。

実施形態では、階段部の１段の高さは、最小のもので、積層部内の１つの膜の厚さとされた。ただし、１つの膜の側面に段差が形成されることによって、１段の高さは、１つの膜の厚さ未満とされても構わない。

１…弾性波装置、２…複合基板、３…支持基板、５…多層膜、７…圧電膜、１１（１１Ａ、１１Ｂ）…音響膜、１９…励振電極、４１…階段部。

Claims

複合基板と、
前記複合基板の上面に位置している励振電極と、
を有しており、
前記複合基板は、
支持基板と、
前記支持基板の上面に積層されている複数の音響膜を有しており、積層方向において互いに隣り合う音響膜同士で材料が互いに異なる多層膜と、
前記多層膜の上面に重なっている圧電膜と、を有しており、
前記励振電極は、前記圧電膜の上面に位置しており、
前記複合基板の側面は、当該側面の外側から前記側面の内側への向きに進みながら前記支持基板側から前記圧電膜側へ上る２段以上の階段状の階段部を有しており、
前記階段部は、前記多層膜内において最上層となる音響膜よりも下層の音響膜の上面によって構成されている踏み面を含んでいる
弾性波装置。
前記階段部は、前記圧電膜の上面を最上段の踏み面としており、最上段を含む少なくとも２段の各段が、前記複数の音響膜及び前記圧電膜のうちの２層以下の膜によって構成されている
請求項１に記載の弾性波装置。
複合基板と、
前記複合基板の上面に位置している励振電極と、
を有しており、
前記複合基板は、
支持基板と、
前記支持基板の上面に積層されている複数の音響膜を有しており、積層方向において互いに隣り合う音響膜同士で材料が互いに異なる多層膜と、
前記多層膜の上面に重なっている圧電膜と、を有しており、
前記励振電極は、前記圧電膜の上面に位置しており、
前記複合基板の側面は、当該側面の外側から前記側面の内側への向きに進みながら前記支持基板側から前記圧電膜側へ上る２段以上の階段状の階段部を有しており、
前記階段部は、前記圧電膜の上面を最上段の踏み面としており、最上段を含む少なくとも２段の各段が、前記複数の音響膜及び前記圧電膜のうちの２層以下の膜によって構成されており、
前記階段部は、前記支持基板の上面から前記圧電膜の上面に亘っており、その各段が前記複数の音響膜及び前記圧電膜の２層以下の膜によって構成されている
弾性波装置。
前記階段部の連続する少なくとも２段の各段が前記複数の音響膜及び前記圧電膜の１層のみによって構成されている
請求項１～３のいずれか１項に記載の弾性波装置。
前記励振電極は、前記圧電膜の平面視において、弾性波の伝搬方向に沿って配列されている複数の電極指を有しており、
前記階段部は、前記圧電膜の平面視において前記複数の電極指の配置領域を前記伝搬方向に沿って前記複合基板の外側まで延長した仮想領域内に位置している
請求項１～４のいずれか１項に記載の弾性波装置。
複合基板と、
前記複合基板の上面に位置している励振電極と、
を有しており、
前記複合基板は、
支持基板と、
前記支持基板の上面に積層されている複数の音響膜を有しており、積層方向において互いに隣り合う音響膜同士で材料が互いに異なる多層膜と、
前記多層膜の上面に重なっている圧電膜と、を有しており、
前記励振電極は、前記圧電膜の上面に位置しており、
前記複合基板の側面は、当該側面の外側から前記側面の内側への向きに進みながら前記支持基板側から前記圧電膜側へ上る２段以上の階段状の階段部を有しており、
前記励振電極は、前記圧電膜の平面視において、弾性波の伝搬方向に沿って配列されている複数の電極指を有しており、
前記階段部は、前記圧電膜の平面視において前記複数の電極指の配置領域を前記伝搬方向に沿って前記複合基板の外側まで延長した仮想領域内に位置しており、
前記階段部の少なくとも１段は、前記圧電膜の平面視において、踏み面の下りる側の縁部が、前記伝搬方向に直交する方向に対して傾斜している部分を前記仮想領域内に有している
弾性波装置。
前記階段部の少なくとも１段は、前記圧電膜の平面視において、踏み面の下りる側の縁部が、繰り返し逆側へ曲がりながら延びている部分を前記仮想領域内に有している
請求項６に記載の弾性波装置。
複合基板と、
前記複合基板の上面に位置している励振電極と、
を有しており、
前記複合基板は、
支持基板と、
前記支持基板の上面に積層されている複数の音響膜を有しており、積層方向において互いに隣り合う音響膜同士で材料が互いに異なる多層膜と、
前記多層膜の上面に重なっている圧電膜と、を有しており、
前記励振電極は、前記圧電膜の上面に位置しており、
前記複合基板の側面は、当該側面の外側から前記側面の内側への向きに進みながら前記支持基板側から前記圧電膜側へ上る２段以上の階段状の階段部を有しており、
前記励振電極は、前記圧電膜の平面視において、弾性波の伝搬方向に沿って配列されている複数の電極指を有しており、
前記階段部は、前記圧電膜の平面視において前記複数の電極指の配置領域を前記伝搬方向に沿って前記複合基板の外側まで延長した仮想領域内に位置しており、
前記階段部のうち少なくとも１段は、前記複数の音響膜のいずれかの上面によって踏み面が構成されており、かつ前記圧電膜の平面視において、前記踏み面の前記伝搬方向に平行な方向の長さが前記伝搬方向に直交する方向の位置によって異なっている部分を前記仮想領域内に有している
弾性波装置。
複合基板と、
前記複合基板の上面に位置している励振電極と、
を有しており、
前記複合基板は、
支持基板と、
前記支持基板の上面に積層されている複数の音響膜を有しており、積層方向において互いに隣り合う音響膜同士で材料が互いに異なる多層膜と、
前記多層膜の上面に重なっている圧電膜と、を有しており、
前記励振電極は、前記圧電膜の上面に位置しており、
前記複合基板の側面は、当該側面の外側から前記側面の内側への向きに進みながら前記支持基板側から前記圧電膜側へ上る２段以上の階段状の階段部を有しており、
前記励振電極は、前記圧電膜の平面視において、弾性波の伝搬方向に沿って配列されている複数の電極指を有しており、
前記階段部は、前記圧電膜の平面視において前記複数の電極指の配置領域を前記伝搬方向に沿って前記複合基板の外側まで延長した仮想領域内に位置しており、
前記階段部のうち少なくとも２段は、前記複数の音響膜のいずれかの上面によって踏み面が構成されており、かつ前記仮想領域内における前記伝搬方向の長さが互いに異なっている
弾性波装置。
複合基板と、
前記複合基板の上面に位置している励振電極と、
を有しており、
前記複合基板は、
支持基板と、
前記支持基板の上面に積層されている複数の音響膜を有しており、積層方向において互いに隣り合う音響膜同士で材料が互いに異なる多層膜と、
前記多層膜の上面に重なっている圧電膜と、を有しており、
前記励振電極は、前記圧電膜の上面に位置しており、
前記複合基板の側面は、当該側面の外側から前記側面の内側への向きに進みながら前記支持基板側から前記圧電膜側へ上る２段以上の階段状の階段部を有しており、
前記励振電極は、前記圧電膜の平面視において、弾性波の伝搬方向に沿って配列されている複数の電極指を有しており、
前記階段部は、前記圧電膜の平面視において前記複数の電極指の配置領域を前記伝搬方向に沿って前記複合基板の外側まで延長した仮想領域内に位置しており、
前記階段部の少なくとも１段は、前記圧電膜の平面視において、前記支持基板の側面のうち前記仮想領域内に位置する部分に対して踏み面の下りる側の縁部が傾斜している部分を前記仮想領域内に有している
弾性波装置。
前記励振電極に対して前記伝搬方向の両側に位置する２つの反射器を更に有しており、各反射器は、前記伝搬方向に配列されている複数のストリップ電極を有しており、
各反射器において、前記複数のストリップ電極が１０本以下である
請求項５～１０のいずれか１項に記載の弾性波装置。
前記圧電膜の外縁のうち前記仮想領域に位置する部分と前記励振電極との距離が前記複数の電極指のピッチの１０倍以下である
請求項５～１１のいずれか１項に記載の弾性波装置。
請求項１～１２のいずれか１項に記載の弾性波装置と、
前記弾性波装置と接続されているアンテナと、
前記弾性波装置と接続されている集積回路素子と、
を有している通信装置。