KR100483299B1 - 탄성 표면파 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents

탄성 표면파 장치 및 그 제조 방법 Download PDF

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Abstract

레일리파를 전파하는 직사각형 판형상의 압전 기판(12)과, 그 압전 기판에 인터디지탈형 전극을 형성해서 마련한 빗형 전극(13) 및 반사기(14)를 구비하고 있고, 상기 압전 기판의 적어도 표면측의 단변의 단면이 상기 반사기(14)의 단부의 도전 스트립으로부터 나오는 응력파(T)의 가상의 노드(J)의 위치에서, 상기 도전 스트립에 거의 평행하게 수직인 평활면으로 함으로써, 상기 응력파를 반사하는 반사 단면(15, 16)으로 되어 있는 것으로 해결한다.

Description

탄성 표면파 장치 및 그 제조 방법{SURFACE ACOUSTIC WAVE DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD}
본 발명은, 전기 신호와 탄성 표면파의 사이를 변환하는 인터디지탈형 전극을 갖는 탄성 표면파 장치에 관한 것이고, 특히 저 주파수에 대응하는 소형의 탄성 표면파 장치에 관한 것이다.
최근, 휴대전화나 텔레비젼 수상기 등의 전자 부품이나 통신 부품에 있어서, 공진자나 대역 필터등으로서 탄성 표면파 장치(이하,「SAW(Surface Acoustic Wave) 장치」라 함)가 사용되고 있다.
도 15는, 종래의 SAW 장치의 일례를 나타내는 평면도이다.
이 SAW 장치(1)는 1포트형 SAW 공진자이며, 압전 기판(2)과 인터디지탈형 전극인 빗(comb)형 전극(IDT(Inter Digital Transducer);3) 및 반사기(4)를 구비하고 있다.
압전 기판(2)은 예컨대 수정인, 직사각형 판형상으로 형성되어 있다. IDT(3) 및 반사기(4)는 압전 기판(2)의 표면에 도체 금속을 증착 혹은 스퍼터링 등에 의해 박막형상으로 형성한 뒤에, 포토리소그래피 등에 의해 인터디지탈형이 되도록 형성되어 있다.
구체적으로는, IDT(3)는 복수의 전극 핑거(3a)가 소정의 피치로 병설되고, 길이방향의 각 단부가 교대로 단락되도록 형성되어 있다. 즉, 2개의 빗형상 전극의 각 빗날(comb-tooth) 부분이, 소정 거리 떨어져 서로 엇갈려 들어가도록 형성되어 있다. 이 IDT(3)는 전기적으로 접속되어 있는 외부 단자(5)를 통해 전기 신호와 탄성 표면파(SAW)와의 사이를 변환하는 기능을 갖는다.
반사기(4)는 복수의 도체 스트립(4a)이 소정의 피치로 병설되어 길이방향의 각 양 단부가 단락되도록 형성되어 있다. 그리고, 예컨대 동일구성의 2개의 반사기(4)가, 도체 스트립(4a)이 IDT(3)의 전극 핑거(3a)와 평행하게 되도록, 또한 IDT(3)를 탄성 표면파의 전파 방향, 즉 IDT(3)의 전극 핑거(3a)의 길이방향에 직교하는 방향으로 소정 거리 떨어져 끼워넣도록 형성되어 있다. 이 반사기(4)는 IDT(3)로부터 전파되어 오는 탄성 표면파를 반사하여, 탄성 표면파의 에너지를 내부에 가두는 기능을 갖는다.
이러한 구성에 있어서, 전기 신호가 외부 단자(5)를 거쳐서 IDT(3)에 입력되면, 압전효과에 의해 탄성 표면파로 변환된다. 이 탄성 표면파는 IDT(3)의 전극 핑거(3a)의 길이방향에 대하여 직교방향으로 전파되고, IDT(3)의 양측으로부터 반사기(4)로 방사된다. 이 때, 압전 기판(2)의 재질, 전극의 두께나 전극의 폭 등으로 결정되는 전파 속도와 IDT(3)의 전극 핑거(3a)의 전극주기(d0)와 동일한 파장을 가지는 탄성 표면파가 가장 강하게 여진된다. 이 탄성 표면파는 반사기(4)에 의해 다단 반사되어 IDT(3)로 돌아가게 되고, 공진 주파수 부근의 주파수(동작 주파수)의 전기 신호로 변환되어 IDT(3)로부터 외부 단자(5)를 거쳐서 출력된다.
그런데, 이상 설명한 종래 기술에 있어서는 이하와 같은 문제가 있다.
최근, SAW 장치가 탑재되는 각종 정보기기류 등은 대단히 소형화되어 가는 경향이 있고, 탑재기기의 목적에 따라, 고 주파수 대응의 SAW 장치나 저 주파수대응의 SAW 장치 등의 각종 SAW 장치도 소형화될 필요가 있다.
여기서, SAW 장치에 이용되는 탄성 표면파의 종류로서, 레일리파라고 불리는 것과 SH파(Share Horizontal Wave)라고 불리는 것이 있다.
이들 표면 탄성파는 예컨대 그 전파 속도가 레일리파인 경우, ST컷트수정 X 전파파에 있어서 3150m/초, SH파인 경우, 36도회전 Y 컷트수정 Y 전파파에 있어서 5000m/초이다.
SAW 장치의 주파수는 f= v/λ(v= 압전 기판의 음속, λ= 진동파의 파장)이므로, 주파수f가 낮으면 파장은 길어져서, IDT의 간격은 커져 버린다. 이 때문에, 저 주파수에 대응한 SAW 장치를 소형화하기 위해서는 속도가 느린 레일리파를 이용할 필요성이 높아진다.
또한, 이 레일리파와 SH파는, 다음과 같은 특성상의 차이를 더 가지고 있다.
도 16은, 압전 기판(2)에 있어서의 레일리파의 변위 성분을 설명하는 도면이며, 레일리파는 전파 방향(A)으로 진행하면서, 압전 기판(2)의 깊이 방향으로의 변위 성분(U3)과 이것에 직교하는 방향으로 압전 기판(2)의 표면에 있어서의 변위 성분(U1)을 갖고 있고, 전체로서, 수면에 이는 물결과 유사하다.
이에 대하여, 도 17은 압전 기판(2)에 있어서의 SH파의 변위 성분을 설명하는 도면이며, SH파는 전파 방향(A)으로 진행하면서, 이것과 직교하는 방향의 변위 성분(U2)이 대부분을 차지하고 있고, 이것을 위에서 보면 도 18과 같다.
또한, SH파와 레일리파를 전파하는 압전 기판은 예컨대, 같은 수정을 이용할 수 있지만, 도 19에 도시하는 바와 같이 후술하는 컷트각 방위와 전파 방향에 차이가 있다. 그리고, 도 19의 압전 기판의 컷트각 방위(Φ, θ,ψ)가 (0, 126, 90)인 SH파를 전파하는 수정 기판인 경우, 도 20에 나타낸 좌표에 대응하는 SH파의 U1, U2, U3의 상대 변위 성분은, 횡축에 도 20의 Z방향을 파장으로 규격화하여 나타내고, 종축에 상대 변위를 취하면 도 21과 같이 나타내어 진다.
또한, 도 22는 레일리파를 전파하는 압전 재료로서, 도 19의 압전 기판의 컷트각 방위(Φ, θ,ψ)가 (0, 123, 0)인 경우의 상대 변위(U1, U2, U3)를 각 변위 성분별로 동일하게 도시한 도면이다.
이와 같이, 레일리파인 경우에는 SH파와 비교하여 압전 재료의 깊이 방향(Z)의 변위(U3)의 변위가 점차로 작아지고 있다.
또한, SH파는 횡파이므로, 압전 기판(2)의 탄성 표면파의 진행 방향의 수직단면에서 반사할 수 있다는 것을 알고 있지만, 레일리파는 압전 기판(2)의 탄성 표면파의 진행 방향의 단면에서 벌크파로 변환되어, 되돌아오지 않는다.
이상을 고려하면, 저 주파수에 대응한 소형의 SAW 장치를 만드는 경우에는, 레일리파를 전파하는 압전 재료를 사용할 필요가 있지만, 그 탄성 표면파는 기판 단면에서 반사할 수 없기 때문에, 에너지를 가두기 위해서는 반드시 반사기를 필요로 한다.
더구나, 이 반사기로써 충분한 효율로 탄성 표면파를 반사해야 하기 때문에, 많은 개수의 도체 스트립으로 반사기를 형성할 필요가 있고, 그 만큼 충분한 면적을 가진 압전 기판을 이용해야 하므로, 소형화에 한계가 있다는 문제가 있다.
도 1은 본 발명의 SAW 장치의 제 1 실시예를 나타내는 개략사시도,
도 2는 도 1의 SAW 장치의 개략 평면도,
도 3은 도 1의 SAW 장치의 일부를 확대하여 나타낸 확대단면도,
도 4는 도 1의 SAW 장치의 반사 단면 위치를 구하기 위한 수법을 설명하는 도면,
도 5는 도 1의 SAW 장치에 대응하는 압전 기판의 단부를 확대하여 나타내는 개략 단면도,
도 6은 도 1의 SAW 장치의 반사 단면 위치를 변화시킨 경우의 CI(크리스탈 임피던스)값을 설명하기 위한 도면,
도 7은 도 1의 SAW 장치의 반사기의 전극수의 변화에 대응하여, SAW 장치의 반사 단면 위치에 관한 허용값(δ)의 범위의 변화를 계측한 그래프,
도 8은 도 1의 SAW 장치의 압전 기판의 양단변에 탄성 재료를 도포하여, SAW 장치의 CI 값을 계측한 그래프,
도 9는 도 1의 SAW 장치의 압전 기판를 형성하는 웨이퍼를, 개별 SAW 장치를 형성하는 개개의 압전 기판으로 절단하는 공정을 도시하는 도면,
도 10은 도 9의 일부를 확대하여 나타내는 정면도,
도 11은 도 10의 절단 작업에 있어서 횡축에 다이싱 블레이드 날의 두께를 E로 하고, 종축에 도체 스트립의 각 기단으로부터 형성되어야 하는 단면까지의 거리(C3)를 나타낸 그래프,
도 12는 횡축에 SAW 장치의 설계 주파수를 취하고, 종축에 각 주파수에 대응시킨 IDT 및 반사기에 필요한 도체 스트립 개수를 형성한 경우의 압전 기판의 크기 변화를 나타낸 그래프,
도 13은 본 발명의 SAW 장치의 제 2 실시예를 나타내는 개략 평면도,
도 14는 본 발명의 SAW 장치의 제 3 실시예를 나타내는 개략 평면도,
도 15는 종래의 SAW 장치를 나타내는 개략 평면도,
도 16은 압전 재료를 전파하는 레일리파를 설명하기 위한 개념도,
도 17은 압전 재료를 전파하는 SH파를 설명하기 위한 개념도,
도 18은 압전 재료를 전파하는 SH파를 설명하기 위한 개략사시도,
도 19는 레일리파를 전파하는 압전 재료와 SH파를 전파하는 압전 재료의 결정방위의 차이를 도시하는 도면,
도 20은 압전 재료를 전파하는 탄성 표면파의 전파 방향을 도시하는 도면,
도 21은 SH파의 변위 성분의 상대 변위를 나타낸 도면,
도 22는 레일리파의 변위 성분의 상대 변위를 나타낸 도면,
도 23은 도 5의 SAW 장치의 전체도이고, (1)은 평면도이고, (2)는 C-C선에 있어서의 측면 단면도,
도 24는 웨이퍼상에서 에칭에 의해 도 23에 나타낸 SAW 장치를 형성하는 방법의 설명도,
도 25는 반사기의 외측에, 에칭에 의해 홈부를 형성한 SAW 장치의 설명도이고, (1)은 평면도이며, (2)는 A-A선에 있어서의 측면 단면도,
도 26은 웨이퍼상에서 에칭에 의해 도 25에 나타낸 SAW 장치를 형성하는 방법의 설명도,
도 27은 ICP 드라이 에칭 장치의 설명도,
도 28은 도 25에 나타낸 SAW 장치의 제조 공정의 플로우 차트,
도 29는 도 25에 나타낸 SAW 장치의 제조 공정의 제 1 설명도,
도 30은 도 25에 나타낸 SAW 장치의 제조 공정의 제 2 설명도,
도 31은 도 25에 나타낸 SAW 장치의 제조 공정의 제 3 설명도,
도 32는 웨이퍼상에 패터닝하는 얼라이먼트 마크의 평면도,
도 33은 제 2 포토 마스크에 도시하는 얼라이먼트 마크의 평면도,
도 34는 도 32에 나타낸 얼라이먼트 마크와 도 33에 나타낸 얼라이먼트 마크를 중첩시킨 상태의 평면도,
도 35는 도 25에 나타낸 SAW 장치에 캡부재를 장착한 상태의 측면 단면도,
도 36은 SAW 발진기의 평면도,
도 37은 반사 단면을 에칭으로 형성한 경우의 반사 단면 위치의 편차를 계측한 결과의 그래프,
도 38은 복수의 SAW 장치에 있어서의 CI 값의 측정 결과의 그래프이며, (1)은 반사 단면을 에칭으로 형성한 SAW 장치에 있어서의 CI 값의 측정결과이며, (2)는 반사 단면을 에칭으로 형성하지 않은 SAW 장치에 있어서의 CI 값의 측정 결과이다.
본 발명의 목적은, 상기 문제를 해소하여 레일리파를 압전 기판의 단면에서 반사할 수 있도록 하여, 반사기를 형성하기 위한 도체 스트립의 개수를 줄임으로써 소형으로 형성할 수 있는 저 주파수에 대응한 탄성 표면파 장치 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다.
상기 목적은 청구항 1의 발명에 의하면, 레일리파를 전파하는 직사각형 판형상의 압전 기판과, 이 압전 기판에 인터디지탈형 전극을 형성하여 마련한 빗형 전극 및 반사기를 구비하고 있고, 상기 압전 기판의 적어도 표면측의 단변(短邊)의 단면이 상기 반사기의 단부의 도체 스트립으로부터 나오는 응력파의 가상의 노드의 위치에서 상기 도체 스트립에 거의 평행하고, 수직인 평활면으로 함으로써 상기 응력파를 반사하는 반사 단면으로 되어있는 탄성 표면파 장치에 의해 달성된다.
청구항 1의 구성에 의하면, 레일리파를 전파하는 직사각형 판형상의 압전 기판에는 빗형 전극과 반사기가 형성되어 있다. 이 경우, 압전 기판의 적어도 표면측의 단변의 단면이 소정형상의 단면으로 되어 있으므로, 압전 기판를 전파하는 탄성 표면파를 이 단면에서 반사시킬 수 있다. 그리고, 압전 기판의 단면에서 탄성 표면파를 반사시킴으로써 모든 탄성 표면파를 반사기의 기능만으로 반사시키지 않아도 되기 때문에, 그 만큼 반사기의 도체 스트립의 수를 줄일 수 있어서, 압전 기판를 소형으로 하는 것이 가능해진다.
여기서, 레일리파의 탄성 표면파가 압전 기판 단면에서 반사되기 위한 조건은 본 발명자 등의 연구에 의하면 다음과 같다.
통상, 레일리파를 전파하는 SAW 장치에 있어서, 탄성 표면파는 그 진행 방향의 단면에서 벌크파로 변환되어 되돌아오지 않는다. 그러나, 압전 기판상에 빗형 전극과 반사기가 마련되어 있는 경우에, 소정의 조건 하에서는 빗형 전극으로부터 나와서 진행하는 탄성 표면파가, 반사기에서 반사되는 반사파와 만나면, 압전 기판의 깊이 방향으로의 단순한 단진동의 파로서의 응력파가 되고, 반사기로부터 압전 기판 단면을 향해서 반사된다는 것을 발견해냈다.
이러한 현상을 실현하기 위해서는, 우선 압전 기판의 단면의 위치가, 반사기의 단부의 도체 스트립으로부터 나오는 응력파의 가상의 노드의 위치로 되어 있는 것이 있다. 이 경우에는, 압전 기판의 단면에 있어서 단면 자유의 경계 조건을 만족하고, 반사파는 압전 기판의 진동을 방해하지 않기 때문에, 진동 에너지가 산일하게 되는 착란 벌크파를 발생시키지 않는다고 생각된다. 또한, 압전 기판의 단면이 적절히 반사파를 되돌리기 위해서는, 그 단면이 빗형 전극 및 반사기의 도체 스트립에 거의 평행할 필요가 있다. 이것에 의해, 반사파는 정확한 방향으로 반사된다. 또한, 압전 기판의 단면은 수직인 평활면이 될 필요가 있다. 이것에 의해, 반사파는 난반사되는 일이 없다.
이렇게하여, 청구항 1의 SAW 장치에서는 압전 기판을 전파하는 탄성 표면파를 단면에서 반사시킬 수 있기 때문에, 모든 탄성 표면파를 반사기의 기능만으로 반사시키지 않아도 되므로, 그 만큼 반사기의 도체 스트립의 수를 줄이는 것이 가능해져, 압전 기판을 소형으로 형성할 수 있다.
청구항 2의 발명은 청구항 1의 구성에 있어서, 상기 반사 단면은 반사기의 단부의 도체 스트립의 기단부(基端部)에서 상기 반사 단면까지의 거리(B)가, B=(n×PR)±PR/2)×δ(단, n=정수, PR=λ/2, δ=허용값, λ=레일리파의 파장이라고 한다)에 의해 규정되는 것을 특징으로 한다.
청구항 2의 구성에 의하면, 반사기의 단부의 도체 스트립의 기단부로부터 상기 반사 단면까지의 거리(B)가 B=(n×PR)±PR/2)×δ(단, n=정수, PR=λ/2, δ=허용값, λ=주파수라고 한다)라는 조건을 만족하는 위치를 구함으로써, 반사 단면의 위치를 상기 응력파의 가상의 노드의 개소로 적절히 정할 수 있다.
청구항 3의 발명은 청구항 2의 구성에 있어서, 상기 허용값(δ)이, 빗형 전극의 전극 핑거 쌍의 수를 일정하게 했을 때에, 상기 반사기의 도체 스트립의 수에 대응하여 정해지는 것을 특징으로 한다.
청구항 3의 구성에 의하면, 반사 단면의 위치를 구하는 것에 맞춰서, 반사기의 도체 스트립의 수에 대응하여, 치수 정밀도를 고려하는 것이 가능해진다.
청구항 4의 발명은, 청구항 1 내지 3의 구성에 있어서, 상기 반사 단면은 상기 응력파의 가상의 노드의 위치에서, 상기 압전 기판의 표면으로부터 일정한 거리의 깊이까지 마련되어 있고, 반사 단면의 하단에는 단부를 마련한 형상인 것을 특징으로 한다.
청구항 4의 구성에 의하면, 엄격한 위치 정밀도가 요구되는 반사 단면의 형성이, 압전 기판의 표면의 일정한 깊이까지로 한정되기 때문에, 그 이외의 개소인 단부의 절단에 의해 형성하는 경우에, 절단공정이 용이하게 된다.
청구항 5의 발명은, 청구항 1 내지 4의 구성에 있어서, 상기 반사 단면은 압전 재료를 형성하는 웨이퍼로부터 개개의 압전 기판를 형성하는 크기로 절단될 때에 형성되고, 적어도 상기 반사 단면에 대응하는 부분은, 에칭에 의해 형성되는 것을 특징으로 한다.
청구항 5의 구성에 의하면 엄격한 위치 정밀도가 요구되는 반사 단면의 형성이, 예컨대 블레이드에 의한 절단등과 비교하여, 용이하고 정밀도 좋게 실행된다. 또한, 블레이드에 의한 다이싱에 따르는 치핑의 발생을 회피할 수 있기 때문에, 반사 단면을 평활면으로 형성할 수 있다.
또한 청구항 5의 구성에 의하면, 웨이퍼상에 복수의 SAW 장치를 형성하는 경우에도, 에칭에 의해 일괄하여 반사 단면을 형성하는 것이 가능하다. 따라서, 예컨대 다이싱에 의해 순차적으로 반사 단면을 형성하는 경우와 비교하여, 제조 시간을 단축할 수 있음과 동시에, 제조 비용을 삭감할 수 있다.
청구항 6의 발명은, 청구항 1 내지 5의 구성에 있어서, 상기 반사 단면은 상기 압전 기판의 표면측에 있어서, 상기 반사기의 외측으로 상기 반사기를 따라 형성된 홈부의 내측 측면에 의해서 구성되어 있는 것을 특징으로 하고 있다.
청구항 6의 구성에 의하면, 압전 기판 표면의 외주 가장자리에 평탄 부분을 확보할 수 있다. 이것에 의해, 압전 기판 표면의 외주 가장자리부에 접합되는 캡부재와의 기밀성을 확보하는 것이 가능해진다. 따라서, SAW 전파면을 기밀하게 유지할 수 있다.
청구항 7의 발명은, 압전 기판 상의 빗형 전극으로부터 방사되어 상기 압전 기판의 표면을 진행하는 레일리파를, 반사하여 상기 빗형 전극으로 되돌리기 위한 상기 압전 기판의 반사 단면을 에칭에 의해 소정 위치에 형성하는 것을 특징으로 한다.
청구항 7의 구성에 의하면, 엄격한 위치 정밀도가 요구되는 반사 단면의 형성을, 예컨대 블레이드에 의한 다이싱 등과 비교하여, 용이하고 정밀도 좋게 실행할 수 있다. 또한, 블레이드에 의한 다이싱에 따르는 치핑의 발생을 회피할 수 있기 때문에, 반사 단면을 평활면으로 형성할 수 있다.
또한, 청구항 7의 구성에 의하면, 웨이퍼상에 복수의 SAW 장치를 형성하는 경우에도, 에칭에 의해 일괄하여 반사 단면을 형성하는 것이 가능하다. 따라서, 예컨대 다이싱에 의해 순차적으로 반사 단면을 형성하는 경우와 비교하여, 제조 시간을 단축할 수 있음과 동시에, 제조 비용을 삭감할 수 있다.
청구항 8의 발명은, 청구항 7의 구성에 있어서, 상기 압전 기판의 표면에 전극 재료 피막을 형성하는 공정과, 상기 전극 재료 피막에 제 1 패터닝을 행하여 반사 단면 형성용 마스크를 형성하는 공정과, 상기 반사 단면 형성용 마스크를 사용하여 에칭에 의해 상기 반사 단면을 형성하는 공정과, 상기 전극 재료 피막에 제 2 패터닝을 행하여 전극을 형성하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하고 있다.
청구항 8의 구성에 의하면, 전극을 형성하기 위한 전극 재료 피막을 유용(流用)하여 반사 단면 형성용 마스크를 작성하고, 압전 기판를 에칭하여 반사 단면을 형성한다. 이것에 의해, 반사 단면 형성용 마스크를 작성하기 위한 마스크재료 피막을 별도로 형성할 필요가 없고, 또한 마스크재료 피막을 제거할 필요가 없다. 따라서, 제조 시간을 단축할 수 있음과 동시에, 제조 비용을 삭감할 수 있다.
청구항 9의 발명은, 청구항 7 또는 8의 구성에 있어서, 상기 에칭은 드라이 에칭인 것을 특징으로 하고 있다.
청구항 9의 구성에 의하면, 이방성 에칭이 가능하다. 따라서, 엄격한 위치 정밀도가 요구되는 반사 단면의 형성을 정밀도 좋게 실행할 수 있다.
청구항 10의 발명은, 청구항 8의 구성에 있어서, 상기 제 1 패터닝 공정은 리소그래피 공정과, 그 리소그래피 공정으로 형성한 마스크를 사용하여 상기 전극 재료 피막을 에칭하는 공정에 의해 구성되는 것을 특징으로 하고 있다.
청구항 11의 발명은, 청구항 8의 구성에 있어서, 상기 제 2 패터닝 공정은 리소그래피 공정과, 그 리소그래피 공정으로 형성한 마스크를 사용하여 상기 전극 재료 피막을 에칭하는 공정에 의해 구성되는 것을 특징으로 하고 있다.
청구항 10 또는 11의 구성에 의하면, 엄격한 위치 정밀도가 요구되는 반사 단면의 형성을 정밀도 좋게 실행할 수 있다.
청구항 12의 발명은, 청구항 11의 구성에 있어서, 상기 제 2 패터닝 공정에 있어서의 리소그래피 공정은, 상기 제 1 패터닝 공정에 있어서 상기 전극 재료 피막에 형성한 얼라이먼트 마크를 이용하여, 레지스트 노광용 마스크를 상기 반사 단면에 대하여 상대적으로 위치 결정한 뒤에 실행하는 것을 특징으로 하고 있다.
청구항 12의 구성에 의하면, 반사기의 가장 외측의 도체 스트립에 있어서의 기단부와 반사 단면과의 상대적인 위치관계를 정확하게 실현할 수 있다.
청구항 13의 발명은 청구항 7 내지 11 중 어느 한 항에 기재된 탄성 표면파 장치의 제조 방법을 사용하여 제조한 것을 특징으로 하고 있다.
청구항 13의 구성에 의하면, 청구항 7 내지 11의 구성에 의한 효과에 따른 탄성 표면파 장치로 할 수 있다.
발명을 실시하기 위한 최선의 형태
본 발명의 바람직한 실시예를 도면에 근거하여 설명한다.
도 1은 본 발명의 SAW 장치의 제 1 실시예의 개략구성을 나타내는 사시도이다. 또한, 도 2는 도 1과 같은 SAW 장치(10)의 평면도이며, 설명할 포인트를 이해하기 쉽게 하기 위해, 빗형 전극(IDT;13) 및 반사기(14)의 도체 스트립의 수를 바꿔서 나타내고 있다.
이 SAW 장치(10)는 압전 기판(12)과 인터디지탈형 전극인 빗형 전극(13) 및 반사기(14)를 갖추고 있다.
압전 기판(12)은 압전 재료로서 예컨대, 수정, 리튬탄탈레이트(LiTaO3), 리튬니오베이트(LiNbO3)등의 단결정 기판이나 Si기판에 ZnO 성막한 기판 등의 다층막 기판 등으로 이루어지고, 도 19에서 설명한 바와 같이, 레일리파를 전파하는 결정방위가 되도록 형성되어 있다. 압전 기판(12)의 형상은, 예컨대, 도시되어 있는 바와 같이, 직사각형 판형상으로 되어 있고, 그 각 단변의 단면(15, 16)은 뒤에 자세히 설명하는 위치로 정해져 있다.
빗형 전극(IDT;13) 및 반사기(14)는 압전 기판(12)의 표면에, 알루미늄이나 티탄 등의 도체 금속을 증착 혹은 스퍼터링 등에 의해 박막형상으로 형성한 뒤에, 포토리소그래피 등에 의해, 인터디지탈형이 되도록 형성되어 있다.
구체적으로는 IDT(13)은 복수의 전극 핑거(13a)가 공간(S)에서 이루어지는 소정의 피치(PT)의 2배로 병설되어 길이방향의 각 단부가 단락되도록 형성되어 있다. 즉, 2개의 빗형 형상의 전극의 각 빗날 부분이, 소정거리 떨어져 서로 엇갈려 들어가도록 형성되어 있다. 이 IDT(31)는, 전기적으로 접속되어 있는 도 15에 나타낸 외부 단자(5)를 통해 전기 신호와 탄성 표면파(SAW)의 사이를 변환하는 기능을 갖는다.
IDT(13)의 양측에는, 각각 갭(G)을 두고 반사기(14, 14)가 마련되어 있다. 반사기(14)는 복수의 도체 스트립(14a)이 IDT(13)와 같이, 공간(S)에 이루어지는 소정의 피치로 병설되어 길이방향의 각 양 단부가 단락되도록 형성되어 있다.
그리고 예컨대, 동일구성의 2개의 반사기(14, 14)가, 도체 스트립(14a)이 IDT(13)의 전극 핑거(13a)와 평행하게 되도록, 또한 IDT(13)를 탄성 표면파의 전파 방향, 즉 IDT(13)의 전극 핑거(13a)의 길이방향으로 직교하는 방향으로 소정거리 떨어져 끼우도록 형성되어 있다. 이 반사기(14, 14)는, IDT(13)으로부터 전파되어 오는 탄성 표면파를 반사하여, 탄성 표면파의 에너지를 내부에 가두는 기능을 갖는다.
여기서, 본 실시예로서는, SAW 장치(10)는 예컨대, 106메가헤르쯔정도의 저 주파수에 대응하도록 형성되고, IDT(13)쌍의 수(쌍이 되는 전극 핑거(13a)의 쌍의 수) 60쌍, 반사기(14)의 도체 스트립의 수 105개 정도의 소 사이즈 칩을 이용하고 있다.
도 3은 SAW 장치(10)의 반사기(14)와 압전 기판 단면을 포함하는 일부를 확대하여 나타낸 단면이다.
도 3은 반사기(14)의 치수의 일부를 나타낸 것이지만, 반사기(14a)의 폭(P)은 14b와 같고 14a와 14b는 함께 공간(S)과 같은 폭이다. 또한 반사기(14a)의 폭(P)(도 2에 나타낸 전극 핑거(13a)도 거의 동일)과 공간(S)을 합친 PR은 λ/2 (λ는 표면 탄성파의 파장)으로 설정되어 있다. 따라서 공간(S)과 반사기(14a)의 폭(P)은, 각각 λ/4으로 설정되어 있다.
따라서, 피치(P)와 전극 핑거(13a)의 폭(도체 스트립(14a)도 동일)은, 각각 λ/4으로 설정되어 있다. 또한, 전극 핑거(13a)의 높이(H)는, 약 H/λ= 0.02 내지 0.04로 되어 있다.
그리고, 본 실시예로서는 압전 기판(12)의 적어도 표면측의 단변의 단면(15, 16)이, 상기 반사기의 단부의 도체 스트립(14b, 14c)으로부터 나오는 각각의 응력파의 각 가상의 노드의 위치로 정함으로써, 이 응력파를 반사하는 반사 단면으로 되어 있다.
이 반사 단면(15, 16)에 대하여, 이하에 자세히 설명한다.
본 실시예로서는, 상술한 바와 같이, 저 주파수(예컨대, 106메가헤르쯔 정도)에 대응하는 SAW 장치(10)를 소형으로 형성하는데 맞춰서, 압전 기판(12)으로서 레일리파를 전파하는 것을 채용하고 있다.
이러한 레일리파를 전파하는 SAW 장치에 있어서는, 이미 전술한 바와 같이 통상, 탄성 표면파는 그 진행 방향의 단면에서 벌크파로 변환되어, 되돌아오지 않게 되어 있었다. 그러나, 압전 기판(12)상에 IDT(13)와 반사기(14)가 마련되어 있는 경우에, 소정의 조건하에서는 빗형 전극으로부터 나와서 진행하는 탄성 표면파가 반사기에 의해 반사되는 반사파와 만나면, 압전 기판(12)의 깊이 방향으로의 단순한 단진동의 파로서의 응력파(T)가 되어, 반사기(14)로부터 압전 기판 단면(15, 16)을 향해서 출사된다는 것을 발견했다.
이러한 반사 단면을 형성하는 조건의 하나로서, 도 5에 나타낸 압전 기판(12)의 단면의 위치(15(16))가, 반사기(14)의 단부의 도체 스트립(14b, 14c)으로부터 나오는 도 4에 나타낸 응력파(T)의 가상의 노드(J)의 위치로 되어 있는 것이 필요하다.
도 4는 이러한 단면 위치를 구하기 위한 수법을 설명하는 도면이다.
도 4는 이러한 단진동의 파인 응력파(T)의 파형을 가상하여 나타낸 도이다. 도면에 있어, 이러한 응력파(T)는, 표면 탄성파와 같은 주기(λ)를 가지고, λ/2로 응력파(T)의 노드(J)와 안티 노드(V)가 교대하고 있다.
따라서, 반사 단면으로 할 수 있는 압전 기판(12)의 단면 위치는, 반사기(14)의 단부의 도체 스트립(14b, 14c)의 내부 단부를 기단(基端;base-end)이라고 하면 반파길이씩의 위치로 되풀이하여 응력파(T)의 노드(J)의 위치가 오므로,
반사 단면 위치= n× PR ·····식(1)
이 된다.
도 5는, 도 1의 SAW 장치(10)에 대응하는 압전 기판(12)의 단부를 확대하여 나타내는 개략 단면도이고, 즉 이 도면에 있어, 압전 기판(12)의 단면을 마련하는 위치는, 반사기(14)의 가장 외측의 단부에 위치하는 도체 스트립(14b 또는 14c)의 기단부에서 외측을 향하여 B의 거리만큼 떨어진 개소이다.
이 거리(B)는 상기 식(1)에 근거하여,
반사 단면 위치 B=(n×PR)±(PR/2)×δ···식 (2)
(단, n은 정수이고, δ는 후술하는 허용값)
이 된다.
또한, 도 1 및 도 2에 있어서, 거리(B)에 대응하는 B1과 B2의 크기의 차이는 상기 n의 수에 차이에 기인하는 것으로, 상기 식 (2)를 만족하는 경우에는 B1와 B2는 같아도 된다.
이러한 반사기(14)의 가장 외측의 단부에 위치하는 도체 스트립(14b 혹은 14c)의 기단부로부터 외측을 향하여 B의 거리만큼 이격된 개소에 단면(15, 16)을 마련함으로써, 압전 기판(12)의 단면에 있어서 단면 자유의 경계 조건을 만족하고, 반사파는 압전 기판(12)의 진동을 방해하지 않기 때문에, 진동에너지가 산일되는 산란 벌크파(scattering bulk wave)를 발생시키지 않게 탄성 표면파를 반사할 수 있다고 생각된다.
또한, 압전 기판(12)의 단면(15, 16)이 적절하게 반사파를 되돌리기 위해서는, 그 단면이 IDT(13) 및 반사기(14)의 각 전극 핑거(13a), 도체 스트립(14a)에 거의 평행할 필요가 있다. 이것에 의해, 반사파는 정확한 방향으로 반사된다.
또한, 압전 기판(12)의 단면(15, 16)은, 수직인 평활면이 될 필요가 있다. 이것에 의해, 반사파는 난반사되는 일이 없다.
또한, 도 5에 나타내 있는 바와 같이, 압전 기판(12)의 반사 단면(15, 16)은, 그 두께 전체에 마련할 필요는 없고, 예컨대, 단부(21)를 남기고, 이 단부(21)의 내측의 수직면으로서 마련해도 된다. 이 경우, 반사 단면(15, 16)의 깊이(t)는 탄성 표면파의 전파에 관여하는 압전 기판(12)의 압전 재료의 두께에 대응하고, 이 깊이(t)는 바람직하게는, λ/2과 동등하거나 그 이상으로 설정된다.
또한, 도 1의 SAW 장치(10)의 반사 단면을 도 5로 설명한 바와 같은 단부(12)를 남기도록 형성함으로써, 후술하는 제조방법을 채용할 수 있어서, 제조상의 이점이 있다.
도 6은 압전 기판(12)의 반사 단면(15, 16)을 상술한 (2)식에 근거하여, 그 n의 값을 변화시켜 형성한 경우의 SAW 장치(10)의 CI(크리스탈 임피던스)값을 구한 것이다.
도 6(a)는, 상기 n의 값을 몇 개의 정수(4, 5, 6)에 대하여 마련한 위치에 대하여 나타내고, 도 6(b)는, 그 각 위치에 반사 단면(15, 16)을 마련한 경우의 CI 값을 그래프에 정리한 것으로, 횡축이 반사 단면(15, 16)의 위치의 변화에 대응하고 있고, 종축은 CI값으로 되어있다.
도 6(b)에 나타나 있는 바와 같이, 상기 식(2)의 각 n의 값에 대응하여, CI 값은 주기적으로 변화하고 있다. 그리고 예컨대, 도시된 40Ω의 개소를 허용 라인 (L)으로 설정하면, 각 n의 값마다 각각 (PR/2)·δ으로 나타내는 범위에서 허용라인(L)을 만족하는 허용값이 있다는 것을 알 수 있다.
도 7은 이 허용값 (PR/2)·δ의 범위를 시뮬레이션한 결과이며, 횡축에 플러스 마이너스(PR/2) ·δ에 상당하는 상대 공차(相對公差;relative tolerance)를 취하고, 종축에 CI값을 취한 도면이다. 즉, 횡축의 상대 공차가 0인 경우가 (PR/2)의 위치이며, 그 위치보다 어긋난 좌우의 위치가 플러스 마이너스 (PR/2)·δ에 상당한다.
이 경우, IDT(13)의 전극 핑거(13a)의 수를 80쌍(M= 80)으로 고정하여, 반사기(14)의 도체 스트립(14a)의 개수(N)를 80개로 한 경우가 나타나 있다. CI 값의 허용라인(L)을 40Ω으로 설정한 경우의 절단위치 공차는 약 0.6정도가 된다.
도 8은 도 1에서 설명한 SAW 장치(10)와 동일한 구성으로 그 단면(15, 16)을 상기와 같이 반사 단면을 구성하는 위치에 마련하여, 시험삼아 압전 기판(12)의 양단변(반사 단면(15, 16)의 영역)에 탄성 재료, 예컨대 실리콘을 도포하여, SAW 장치(10)의 CI값을 계측한 것이다. 또한 도 8에는, 같은 조건으로 복수회 실험한 결과를 나타내고 있다.
도시되어 있는 바와 같이, 도포전에 있어서 작았던 CI값은, 실리콘을 도포하자 증대하고 있다. 즉, 반사 단면(15, 16)에 도달한 탄성 표면파는 탄성 재료에 의해 흡수되어 버려서, 반사되지 않고 IDT(13)에 되돌려지지 않은 결과, 에너지의 가둠 작용이 발휘되지 않아서, CI 값이 증대하고 있다고 생각된다.
이리하여, 본 실시예의 SAW 장치(10)에 있어서는, 압전 기판(12)을 전파하는 레일리파에 근거하는 탄성 표면파를 반사 단면(15, 16)에서 반사시킬 수 있기 때문에, 모든 탄성 표면파를 반사기(14)의 기능만으로 반사시키지 않아도 되기 때문에, 그 만큼 반사기(14)의 도체 스트립(14a)의 수를 줄이는 것이 가능해져서, 저 주파수에 대응한 SAW 장치(10)를 구성하는 압전 기판(12)을 소형으로 형성할 수 있다.
도 9 및 도 10은 본 실시예의 SAW 장치(10)의 제조 공정의 일부를 도시하는 도면이다.
본 실시예의 SAW 장치(10)는, 압전 재료로서의 예컨대 수정 등으로 이루어진 웨이퍼(20)를, 상술한 레일리파를 전파시키기 위해서 필요한 결정방위를 갖는 구성으로 형성하고, 이 웨이퍼(20)에 대하여, 매트릭스형상으로 복수의 IDT(13)와 반사기(14, 14)의 복수의 전극 핑거 및 도체 스트립을 형성함으로써 마련하는 공정까지는 종래와 같다.
그리고, 이 복수의 IDT(13)와 반사기(14, 14)를 매트릭스형상으로 형성한 웨이퍼(20)의 저면을, 예컨대, 유리판상에 핫 멜트 왁스(hot-melt wax)등을 이용하여 붙인다. 이어서, 절단공정을 실행한다.
도 9에는, 웨이퍼(20)를 개별 SAW 장치(10)를 형성하는 개개의 압전 기판(12)으로 절단하는 공정이 나타나 있다. 즉, 웨이퍼(20)는 각 SAW 장치(10)의 긴변 방향에 평행한 복수의 절단선(C1)과, 이와 직교하는 방향에 따른 복수의 절단선(C2)에 의해 절단된다.
여기서, 절단선(C1)을 따른 절단공정은 상술한 압전 기판(12)의 반사 단면(15, 16)과 관계없기 때문에, 그 기능과 관련되는 정도로 엄격한 정밀도는 불필요하기 때문에, 종래의 공정과 같이 예컨대, 소정의 블레이드 등에 의해 적절히 절단할 수 있다.
이에 대하여, 절단선(C2)에 따른 절단공정은, 각 압전 기판(12)의 절단선(C2)을 따른 절단에 의해 형성되는 단면이 반사 단면(15, 16)으로서 기능하도록 절단해야할 필요가 있어서, 보다 정밀한 가공이 필요해 진다.
도 10은 이 절단선(C2)에 의한 절단개소를 도 9에서의 앞쪽에서 본 확대도이다.
도 10의 웨이퍼(20)에 있어서, 길이방향에 인접하는 압전 기판(12, 12)의 위에 형성되어 있는 반사기(14, 14)의 각 단부의 도체 스트립(14b, 14c)의 각 기단사이의 거리를 D로 하고, 각 단부의 도체 스트립(14b, 14c)의 각 기단으로부터 형성될 단면까지의 거리를 C로 하고, 절단에 사용되는 다이싱 블레이드(23)의 날의 두께를 E로 하고, 실제 절단폭을 F로 하여 나타내고 있다.
그리고, 상기 거리(D)의 중심에 절단 중심(C4)을 위치시킨다고 가정하면, 각 단부의 도체 스트립(14b, 14c)의 각 기단으로부터, 형성될 단면까지의 거리(C3)는 상술한 식(1) 및 도 10의 관계에 의해
C3=n×PR=(D-E)/2 ··· 식(3)
이 된다.
따라서, 다이싱 블레이드(23)의 날의 두께(E)를 절단폭(F)과 거의 같게 하면, 각 단부의 도체 스트립(14b, 14c)의 각 기단사이의 거리(D)와, 절단에 사용되는 다이싱 블레이드(23)의 날의 두께(E)와의 관계로, 도체 스트립(14b, 14c)의 각 기단으로부터, 형성될 단면까지의 거리(C3)가, n·PR를 만족하도록 고안할 필요가 있다.
그래서, 주파수가 106.25메가헤르쯔인 SAW 장치(10)를 만드는데 있어서, 상기와 같은 방법을 실행하기 위해서 예컨대, 도 10의 각 단부의 도체 스트립(14b, 14c)의 각 기단사이의 거리(D)를, 예컨대 312㎛로 하여, 다이싱 블레이드(23)의 날의 두께(E)가 150㎛인 것을 이용하여 절단하여 보았다.
그러나, 이 경우의 각 수치를 상기 식(3)에 적용하면,
C3=(D-E)/2
=(312.6-150)/2
=81.3(㎛)
각 단부의 도체 스트립(14b, 14c)의 각 기단으로부터, 형성될 단면까지의 거리(C3)는 81.3(㎛)이라는 결과가 된다.
이 C3가 81.3(㎛)이라는 결과에 대하여, 응력파와의 관계로부터 반사 단면으로서 기능하는지 어떤지를 검토하면, 제조할 SAW 장치(10)의 주파수가 106.25메가헤르쯔이므로, 파장(λ)은 29.65㎛이 된다. PR=λ/2이므로 PR=29.65/2이고, PR은 14.82(㎛)이 된다.
이것에 의해, 도 11을 작성하여 보면, 도 11은 횡축에 다이싱 블레이드(23)의 날의 두께(E)를 취하고, 종축에 도체 스트립(14b, 14c)의 각 기단으로부터, 형성될 단면까지의 거리(C3)를 취한 그래프이다. 도 11에 있어서, 종축 81.3(㎛)은 n=5와 n= 6의 거의 중간이 되어 응력파(T)의 안티 노드(V)에 있어서, CI값이 높아져 버리는 것을 알 수 있다.
따라서, 거리(C3)를 응력파(T)의 안티 노드(J)에 맞추기 위해서는, 그래프에 의해 다이싱 블레이드(23)의 날의 두께(E)는 예컨대, 보다 얇은 138㎛(C3= 87.3㎛, n= 6)이나, 보다 두꺼운 167㎛(C3= 72.8㎛, n= 5)로 할 필요가 있다.
이렇게 하여, 도 10에 나타낸 절단을 다이싱 블레이드(23)를 이용하는 경우에도, 그 날의 두께(E)와 절단폭(F)과의 관계를 정확하게 구함으로써 본 실시예의 반사 단면(15, 16)을 형성할 수 있다.
그리고, 도 5를 참조하여 이해하는 바와 같이, 이러한 정확한 다이싱은 압전 기판(12)의 표면으로부터, 깊이(t)까지 실행하면 되고, 깊이(t)까지 도 10에 나타낸 U자 형상의 홈(25)을 형성해 버리면, 나머지의 부분을, 보다 날의 두께가 얇은 다이싱 블레이드에 의해, 절단 중심(C4)의 대강의 위치를 신속히 잘라 떼어내면, 도 5에서 설명한 단면 형상의 SAW 장치(10)를 얻을 수 있다.
또한, 상술한 바와 같이, 최초 다이싱 블레이드(23)를 이용하지 않고, 예컨대 소정의 웨이트 에칭 또는 드라이 에칭에 의해, 상술한 U자 형상의 홈(25)을 형성하면, 보다 정확한 단면 위치를 마련할 수 있다. 그리고, 이 경우도 U자 형상의 홈(25)을 형성해 버리면, 나머지의 부분을 날의 두께가 얇은 다이싱 블레이드에 의해, 절단 중심(C4)의 대강의 위치를 신속히 잘라 떼어내면 도 5로 설명한 단면 형상의 SAW 장치(10)를 얻을 수 있다.
도 23은 도 5의 SAW 장치(10)의 전체도이다. 동도(1)는 평면도이며, 동도(2)는 C-C선에 있어서의 측면 단면도이다. 한편, 도 24는 웨이퍼상에서 복수의 SAW 장치(10)를 에칭에 의해 형성하는 방법의 설명도이다. 도 24에 있어서 해칭으로 나타낸 바와 같이, 절단선(C2)을 중심선으로 해서, 상기한 절단폭(F) 또는 다이싱 블레이드의 날 두께(E)와 같은 폭으로 웨이퍼의 에칭을 실행하면 된다.
도 1의 SAW 장치(10)를 이와 같이 제조하면, 그 반사 단면을 도 5로 설명한 바와 같은 단차부를 남기도록 형상으로 할 수 있다. 이 경우, 상술한 바와 같이 압전 기판(12)의 표면으로부터 깊이(t)까지 정밀가공하면, 후에는 비교적 정밀도가 필요하지 않은 방법으로 절단할 수 있기 때문에, 제조가 용이해진다.
도 25는 반사기의 외측에 에칭에 의해 홈부를 형성한 SAW 장치의 설명도이다. 동도(l)는 평면도이고, 동도(2)는 A-A선에 있어서의 측면 단면도이다.
도 25의 SAW 장치(50)에는, 반사기(14)의 외측에 반사기(14)를 따라 홈부(52)가 형성되고, 그 홈부(52)의 내측 측면에 의해서 반사 단면(15, 16)이 형성되어 있다. 반사 단면(15, 16)의 형성 위치(B)는 도 5와 같은 위치로 한다.
또한, 홈부(52)의 길이(s)는, 빗형 전극(13) 및 반사기(14)의 폭(w) 이상의 길이로 형성한다. 빗형 전극(13)에서는 그 폭 전체로부터 레일리파를 방사하기 때문에, 홈부(52)의 길이(s)를 빗형 전극(13)의 폭(w)이상으로 형성함으로써, 반사 단면(15, 16)에 있어서 레일리파를 모두 반사할 수 있다.
또한, 홈부(52)의 깊이(t)는, 도 5와 같이 λ/2 이상으로 형성한다. 레일리파는 압전 기판(12)의 표면으로부터 깊이(λ/2)의 범위내에서 전파되기 때문에, 홈부(52)의 깊이(t)를 λ/2이상으로 함으로써, 반사 단면(15, 16)에 있어서 레일리파를 모두 반사할 수 있다.
또한, 홈부(52)의 폭(r)은 n×PR가 되는 폭으로 형성한다. 이것에 의해, 가령 홈부(52)의 내측 측면에 의해 구성되는 반사 단면(15, 16)을 레일리파가 통과했다고해도, 그 통과한 레일리파는 홈부(52)의 외측 측면으로 반사되게 된다. 따라서, 레일리파를 확실히 반사할 수 있다.
도 26은 웨이퍼상에서 복수의 SAW 장치(50)를 에칭에 의해 형성하는 방법의 설명도이다. 도 26에 있어서 해칭으로 나타낸 웨이퍼상의 각 SAW 장치(50)의 각 홈부(52)는, 에칭에 의해 모두 동시에 형성한다.
홈부(52)의 에칭은 드라이 에칭에 의해 실행한다. 드라이에칭에는 C4F8등의 CF계 가스나 SF6등의 SF계 가스 등의 불소를 포함하는 가스를 에칭가스로서 사용한다. 이 에칭 가스를 플라즈마화하여 불소라디컬을 생성하고, 이 불소라디컬로 압전 기판를 처리함으로써 에칭을 실행한다. .
또한, 에칭 가스에 산소 가스를 첨가하면, 불소 라디컬의 생성량이 증가하여 플라즈마농도가 높아져서, 에칭레이트를 올릴 수 있다. 또한, He나 Ar 등 분자량의 작은 희가스를 첨가하면, 저에너지로 플라즈마를 발생시킬 수 있음과 동시에, 발생한 플라즈마를 유지할 수 있다.
압전 기판의 드라이 에칭에는, 이하에 설명하는 ICP드라이 에칭 장치를 사용할 수 있다. 도 27에 ICP 드라이 에칭 장치의 설명도를 나타낸다. ICP(유도 결합형 플라즈마)드라이 에칭 장치(100)로서, 우선 챔버(102)를 마련한다. 또한, 챔버(102)내에는 웨이퍼(20)를 탑재하는 테이블(104)을 마련한다. 또한, 챔버(102)내를 진공화하는 진공 펌프(106)를 마련한다.
또한, 챔버(102)내에 에칭 가스를 공급하는 에칭 가스 공급 수단(112), 불활성 가스를 공급하는 불활성 가스 공급 수단(114), 및 산소 가스를 공급하는 산소 가스 공급 수단(116)을 마련한다. 한편, 챔버(102)내의 사용 완료 가스를 배출하는 배기배관(118)을 마련한다. 또, 배기배관(118)은 도시하지 않는 배기 펌프에 접속하고, 또한 도시하지 않은 제해(除害)장치에 접속하여, 상기 사용 완료 가스를 외부에 배출 가능하게 한다.
챔버(102)의 상부외측에는 챔버(102)를 둘러싸도록 유도 코일(122)을 마련한다. 또, 유도 코일(122)은 제 1 고주파 전원(124)에 접속한다. 한편, 스테이지(104)는 제 2 고주파 전원(126)에 접속한다.
그리고, 유도 코일(122)이 챔버(102)내에 발생시키는 자계에 의해, 에칭 가스가 플라즈마화되어 불소라디컬을 생성한다. 또한, 제 2 고주파 전원(126)이 챔버(100)내에 발생시키는 바이어스 전계에 의해 불소라디컬이 수직상방으로부터 웨이퍼(20)에 작용하여, 이방성 에칭이 실시된다. 또, 상기한 ICP 드라이에칭 장치(100)를 사용하면, 예컨대 1~2㎛/min의 에칭레이트를 얻을 수 있고, 15~30분정도로 홈부의 에칭이 완료된다.
도 28은 도 25에 나타낸 SAW 장치(50)의 제조 공정의 흐름도이다. 또한, 도 29, 도 30 및 도 31은 SAW 장치(50)의 제조 공정의 설명도이다. 또 이하의 각 공정은 동일한 웨이퍼에 형성하는 복수의 SAW 장치(50)에 대하여, 동시에 실행한다.
우선, 도 29 (1)에 도시하는 바와 같이, 압전 기판(12)의 표면에, 전극 재료가 되는 A1 등의 피막(54)을 형성한다(단계 70). 전극 재료 피막(54)의 형성은 증착법이나 스퍼터법 등에 의해서 실행한다.
다음에, 전극 재료 피막(54)에 제 1 패터닝을 행하여, 반사 단면 형성용 마스크를 형성한다(단계 72). 제 1 패터닝 공정은 리소그래피 공정(단계 74)과, 전극 재료 피막의 에칭 공정(단계 80)으로 구성한다. 리소그래피 공정에는 빛에 의해서 레지스트를 노광하는 포토리소그래프를 채용할 수 있다. 우선, 도 29 (2)에 도시하는 바와 같이, 전극 재료피막(54)의 표면에 레지스트(56)를 도포한다(단계76). 다음으로, 도시하지 않는 제 1 포토 마스크를 거쳐서 레지스트(56)를 노광하여, 현상한다(단계 78). 또한, 제 1 포토 마스크에는 압전 기판(12)을 에칭하는 부분의 형상이 그려져 있다. 이상으로 부터, 도 29 (3)에 도시하는 바와 같이, 전극 재료 피막(54)을 에칭하는 부분의 레지스트가 제거된다.
다음에, 도 30 (1)에 도시하는 바와 같이, 이 레지스트(56)를 마스크로서, 전극 재료 피막(54)을 에칭한다(단계 80). 전극 재료 피막(54)의 에칭에도, 도 27에 나타낸 ICP드라이 에칭 장치(100)를 사용할 수 있다. 또한, 전극 재료 피막(54)이 Al막인 경우에는, 에칭 가스로서 4염화탄소(CCl4)나 3염화붕소(BCl3) 등의 염소를 포함하는 가스를 사용한다. 이들을 플라즈마화하여 생성한 염소라디컬을 A1막과 반응시킴으로써, AlCl4가 되어 A1막이 제거된다. 이상에 의해, 전극 재료 피막(54)이 패터닝되어, 반사 단면 형성용 마스크(55)가 형성된다.
다음으로, 도 30 (2)에 도시하는 바와 같이, 레지스트(56)를 제거한다(단계 82). 레지스트의 제거는 오존수로 처리하는 방법 등에 의해서 실행한다. 또, 후술하는 반사 단면 형성공정에서, 압전 기판(12)의 에칭을 비교적 장시간 행함으로써,동시에 레지스트(56)를 제거할 수도 있다.
다음으로, 도 30 (3)에 도시하는 바와 같이, 반사 단면 형성용 마스크(55)를 사용하여, 압전 기판(12)을 에칭한다(단계 84). 압전 기판(12)의 에칭에는 도 27에 나타낸 ICP 드라이 에칭 장치(100)를 사용할 수 있다. 구체적인 에칭의 순서는 이하와 같다.
우선, 챔버(102)내의 스테이지(104)상에, 단계(82)까지의 처리를 마친 압전 기판(12;웨이퍼(20))을 탑재한다. 다음으로, 진공 펌프(106)를 운전하고, 챔버(102)내를 0.02Torr(2.67 Pa)정도까지 감압한다. 다음으로, 챔버(102)내에 각 가스를 공급한다. 즉, 에칭 가스 공급 수단(112)으로부터 C4F8가스를 유량 30sccm로서 공급하고, 희가스 공급 수단(114)으로부터 Ar가스를 유량 10sccm으로 공급하고, 산소 가스 공급 수단(116)으로부터 산소 가스를 유량 2sccm으로 공급한다.
다음으로, 제 1 고주파 전원(124)의 출력을 1200W 정도로 설정하고, 유도 코일(122)에 통전하여, 챔버(102)내에 자계를 발생시킨다. 그러면, 우선 챔버안의 Ar분자가 활성화되고, 또한 활성화된 Ar분자가 C4F8분자와 충돌하여, C4F 8분자가 활성화된다. 그리고, 활성화된 C4F8분자로부터 불소라디컬이 생성된다. 또, 활성화된 C4F8분자가 산소분자와 반응함으로써, 더 많은 불소라디컬이 생성된다.
다음에, 제 2 고주파 전원(126)의 출력을 300W 정도에 설정하여, 스테이지(104)를 거쳐서, 챔버(102)내에 바이어스 전계를 발생시킨다. 이것에 의해, 생성된 불소라디컬이 힘을 받아, 수직상방으로부터 압전 기판(12)에 작용한다. 그리고, 압전 기판(12)이 수정재료인 경우에는, SiF4이 되어 수정재료가 제거된다. 이상으로부터, 압전 기판(12)의 수직 방향으로 이방성 에칭이 실시된다. 또한, 반사 단면 형성용 마스크(55)를 사용하고 있기 때문에, 반사 단면(15, 16)을 형성하는 부분에만 에칭이 실시된다.
다음에, 전극 재료 피막(54)에 제 2 패터닝을 행하여, 빗형 전극 및 반사기 등을 형성한다(단계 86). 제 2 패터닝 공정도, 제 1 패터닝 공정과 같이 리소그래피 공정(단계 88)과 전극 재료 피막의 에칭 공정(단계 96)으로 구성된다. 리소그래피 공정에는 빛에 의해서 레지스트를 노광하는 포토리소그래피를 채용할 수 있다. 우선, 도 31 (1)에 도시하는 바와 같이 전극 재료 피막(54)의 표면에 레지스트(57)를 도포한다(단계 90).
다음에, 압전 기판(12)에 대한 제 2 포토 마스크의 위치를 결정한다(단계 92). 그 전제로서, 제 1 패터닝 공정에 있어서, 웨이퍼 표면의 어느 한 위치에 얼라이먼트 마크를 패터닝해 둔다. 또, 웨이퍼에 대한 제 2 포토 마스크의 회전 방향의 위치 결정을 가능하게 하기 위해서, 2개 이상의 얼라이먼트 마크를 패터닝해 두는 것이 바람직하다. 얼라이먼트 마크로서, 예컨대 도 32에 나타내는 마크(58)를 형성해 둔다. 즉, 농색의 전극 재료 피막(54)을 에칭함으로써, 담색의 웨이퍼(20)의 표면을 십자형으로 노출시킨다. 또, 십자형은 4개의 정방형을 등간격으로 배치함으로써 구성되지만, 각각의 정방형이 배치되는 간격을 예컨대 50㎛으로 한다.
한편, 웨이퍼의 마크(58)에 대응하여, 제 2 포토 마스크에도 얼라이먼트 마크를 그려 둔다. 얼라이먼트 마크로서, 예컨대 도 33에 나타내는 마크(59)를 형성해 둔다. 즉, 제 2 포토 마스크의 투광부분에, 마크(58)의 십자형과 동형상인 십자형(59)을 농색에 의해 그린다. 십자형(59)은 2개의 직사각형을 중앙에서 중첩시켜 구성되지만, 십자형(59)을 구성하는 2개의 직사각형의 네 구석에는 각각의 직사각형에 있어서의 긴 변에서 소정폭으로 절결부(59a)를 마련한다. 그 소정폭은 도 5에 나타내는 반사 단면의 형성 위치의 허용값인 (PR/2)·δ에 일치시킨다. 예컨대, 주파수가 106.25 MHz인 SAW 장치에 있어서, 빗형 전극의 전극 핑거의 수 및 반사기의 도체 스트립의 수를 각각 80개로 한 뒤에, CI값을 40Ω이하로 하는 경우의 반사 단면 형성 위치의 허용값은 약 5㎛이 된다.
그리고, 도 34에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼에 있어서의 마크(58)의 십자형에 대하여, 제 2 포토 마스크에 있어서의 마크(59)의 십자형을 중첩시킨다. 여기서, 마크(59)의 모든 절결부(59a)를 통해서, 웨이퍼(20)의 담색을 시인(視認)할 수 있는 위치에, 제 2 포토 마스크를 고정한다. 이와 같이 고정한 제 2 포토 마스크를 사용하여, 제 2 패터닝 공정을 행함으로써, 제 1 패터닝 공정으로 형성한 반사 단면의 위치는 제 2 패터닝 공정으로 형성하는 전극의 위치에 대하여, 허용값 내의 위치가 된다.
다음에, 도시하지 않는 제 2 포토 마스크를 거쳐서 레지스트(57)를 노광하여 현상한다(단계 94). 또한, 제 2 포토 마스크에는, 상술한 마크(59)와 함께 형성하는 전극 패턴의 형상이 그려져 있다. 이상으로 부터, 도 31 (2)에 도시하는 바와 같이, 전극 재료 피막(54)을 에칭하는 부분의 레지스트가 제거된다.
다음에, 도 31 (3)에 도시하는 바와 같이, 이 레지스트(57)를 마스크로 해서 전극 재료 피막(54)을 에칭한다(단계 96). 그 구체적인 방법은 제 1 패터닝 공정에 있어서의 단계(80)와 마찬가지다. 이상으로 부터, 전극 재료 피막(54)이 패터닝되어 빗형 전극 및 반사기 등이 형성된다.
마지막으로, 도 31 (4)에 도시하는 바와 같이 레지스트(57)를 제거한다(단계 98). 이상으로 부터 SAW 장치(50)가 완성된다.
이상으로는, 전극을 형성하기 위한 전극 재료 피막을 유용하여 반사 단면 형성용 마스크를 작성하여, 압전 기판을 에칭하는 방법에 대하여 설명했다. 그러나, 반사 단면 형성용 마스크를 작성하는 방법은 이에 한정되는 것이 아니라, 전극 재료 피막 이외의 마스크 재료피막을 형성하여 반사 단면 형성용 마스크를 작성하여도 된다. 마스크재료에는, Cr, Ag, 텅스텐 등을 사용할 수 있다.
이 경우, 단계(70)에서 마스크 재료피막을 형성하고, 단계(72)의 제 1 패터닝 공정을 행하여, 반사 단면 형성용 마스크를 작성한다. 그리고, 단계(84)에서 압전 기판의 에칭이 종료된 후, 마스크 재료피막으로 형성한 반사 단면 형성용 마스크를 제거한다. 다음에, 전극 재료 피막을 형성하고, 단계(86)의 제 2 패터닝 공정을 행하여 전극을 작성한다. 이 방법에 의해서도, 상기와 같이 SAW 장치(50)를 형성할 수 있다.
도 35는, 캡부재를 장착한 SAW 장치(50)의 측면 단면도이다. 상기와 같이 형성한 SAW 장치(50)는 빗형 전극(13) 등의 산화에 의한 주파수변화를 방지하기 위해서, SAW 전파면을 기밀하게 유지하는 캡부재(60)를 장착하여 사용한다. 캡부재(60)는 유리 기판 등에 의해 형성한다. 캡부재(60)의 중앙부에는 캐비티(62)를 마련하여, 빗형 전극(13) 등을 질소분위기로 유지한다. 또한, 압전 기판(12) 표면의 주위 가장자리부에는 전극형성재료에 의해 밀봉전극(64)을 형성한다. 그리고, 이 밀봉전극(64)과 캡부재(60)를 양극접합함으로써, 압전 기판(12)의 SAW 전파면을 기밀하게 유지한다.
한편, 외부에서 빗형 전극(13)에 통전하기 위해서, 캡부재(60)의 표면에는 외부 전극(66)을 마련한다. 또한, 빗형 전극의 전극 패드(68)의 윗쪽에 캡부재(60)를 관통하는 스루홀(67)을 형성한다. 그리고, 이 스루홀(67)에 도전성재료를 봉입함으로써, 빗형 전극의 전극 패드(68)와 상기 외부 전극(66)을 도통시켜서, 외부로부터 빗형 전극(13)으로의 통전을 가능하게 한다.
도 36은 SAW 장치(50)를 사용하여 형성한 SAW 발진기의 평면도이다. SAW 발진기(200)는 세라믹 등의 패키지(202)의 표면에 배선 패턴(204)을 형성하고, 상기와 같이 형성한 SAW 장치(50) 및 집적 회로 소자(IC;206)를 실장하여 발진 회로를 형성한 것이다. SAW 장치(50) 및 집적 회로 소자(206)와 배선 패턴(204)의 사이는 와이어 본딩 등에 의해 접속한다. 한편, SAW 장치(50)의 빗형 전극 등의 산화를 방지하기 위해서, 또한 이물의 혼입을 방지하기 위해서, 패키지(202)의 표면에는 상기와 같이 캡부재를 장착한다.
도 37은 반사 단면을 에칭으로 형성한 경우의 반사 단면 위치의 편차를 계측한 결과의 그래프이다. 상기 방법에 의해 반사 단면을 에칭으로 형성하여, 반사기의 가장 외측의 도체 스트립에 있어서의 기단부로부터 반사 단면까지의 거리(B)를 계측했다. 또, 1장의 웨이퍼에 있어서 100개 이상의 SAW 장치가 동시에 형성되기 때문에, 그 중에서 랜덤으로 30개를 추출하여 반사 단면 위치를 계측했다. 도 37의 그래프의 종축은 거리(B)의 계측값이며, 평균치를 O으로 나타냄과 동시에, 평균치± 3σ(σ는 표준편차)의 값을 에러바로 나타내고 있다. 또, 7.36㎛이 설계값이다. 또한, 5장의 웨이퍼에 있어서 SAW 장치를 작성하여, 마찬가지로 계측했다. 도 37의 그래프의 횡축은 SAW 장치를 형성한 웨이퍼 번호이다.
반사 단면 위치를 계측한 SAW 장치의 주파수는 106.25MHz이다. 따라서, 도 5에 도시하는 바와 같이 거리(B)의 허용값은 이하의 식으로 표시된다.
B=설계값±(PR/2)·δ
=설계값±(14.82/2)·0.68
= 설계값± 5.04 (㎛)
도 37에서는, 각 웨이퍼에 있어서, 대개의 SAW 장치가 이 허용값의 범위 내에 형성되어 있는 것을 안다. 에칭으로 반사 단면을 형성함으로써, 상기 한 바와 같이 치수정밀도를 확보할 수 있는 것이 확인되었다.
도 38은 복수의 SAW 장치에 있어서의 CI값의 측정 결과의 그래프이다. 동도(1)는 반사 단면을 에칭으로 형성한 SAW 장치에 있어서의 CI값의 측정 결과이며, 동도(2)는 반사 단면을 상기에 따라서 형성하지 않은 SAW 장치에 있어서의 CI 값의 측정 결과이다.
동도(2)에서는 CI값이 높은 SAW 장치도 존재하는 것에 대하여, 동도(1)에서는 CI값이 20~25Ω가 낮은 값에 집중하고 있다. 에칭으로 반사 단면을 형성함으로써 치수정밀도를 확보할 수 있기 때문에, 상기 한 바와 같이 CI값을 낮게 억제할 수 있다. 그리고, CI값을 저감한 SAW 장치를 사용함으로써, SAW 발진기 등에 있어서, 집적 회로 소자(IC)의 발진 여유도를 확보할 수 있다.
도 12는, 종래의 SAW 장치(1)에 관해서, 횡축에 설계 주파수를 취하고, 종축에 필요한 도체 스트립개수를 형성한 경우의 전극(반사기/IDT/반사기)의 크기의 변화를 각 주파수에 대응시켜, 곡선(P)에 의해 나타낸 것이다.
곡선 P상에서 예컨대, 종래의 설계파라미터로서는 주파수 106mega-hertz인 SAW 장치를 만드는 경우에는, IDT쌍의 수가 120쌍, 반사기의 도체 스트립 개수가 120개이며, 압전 기판의 크기, 즉 칩의 크기(길이)는 약 7.1mm가 된다.
그러나, 본 실시예의 SAW 장치(10)로서는, 점(I)으로 도시하는 바와 같이, 그 IDT쌍의 수가 60쌍, 반사기의 도체 스트립개수가 105개가 되고, 압전 기판의 크기, 즉 칩의 크기 (길이)는 약 4.9mm가 되어, 현저히 소형화할 수 있다.
도 13은 본 발명의 제 2 실시예에 관한 SAW 장치(30)를 나타내는 개략 평면도이다.
도 13에 있어서 도 1 및 도 2와 동일한 부호를 부여한 개소는 공통의 구성이므로 중복하는 설명은 생략한다.
이 SAW 장치(30)는 두개의 IDT(13, 13)를 한 줄로 늘어놓고, 양외측에 반사기(14, 14)를 각각 배치하고, IDT(13, 13)의 사이에도 반사기(14)를 마련한 것으로 입 출력 단자가 2개씩 마련된 2 포트식이다.
이 SAW 장치(30)에 있어서도, 상술한 SAW 장치(10)와 같이하여 반사 단면(15, 16)을 형성할 수 있고, 같은 작용 효과를 발휘한다.
도 14는 본 발명의 제 3 실시예에 관한 SAW 장치(40)를 나타내는 개략 평면도이다.
도 14에 있어서, 도 1 및 도 2와 동일한 부호를 부여한 개소는 공통의 구성이므로 중복하는 설명은 생략한다.
이 SAW 장치(40)는, 필터기능을 수행하기 때문에, 2개의 IDT(13, 13)를 병렬로 늘어놓고, 각각 양외측에 반사기(14, 14)를 배치한 것으로, 입 출력 단자가 2개씩 마련된 2중 모드식이다.
이 SAW 장치(40)에 있어서도, 상술한 SAW 장치(10)와 같이하여, 반사 단면(15, 16)을 형성할 수 있고, 같은 작용 효과를 발휘한다.
본 발명은 상술한 실시예에 한정되는 것이 아니라, 청구항에 기재된 발명의 취지를 일탈하지 않는 범위로 모든 형태의 SAW 장치에 적용된다.
특히, 상술한 각 실시예의 개개의 구성은 필요에 의해 생략하거나, 이들과 차이가 있는 다른 구성과, 혹은 개개의 구성끼리 임의로 조합할 수 있다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 레일리파를 압전 기판의 단면에서 반사할 수 있도록 하여, 반사기의 도체 스트립의 개수를 줄임으로써, 반사기를 소형으로 형성할 수 있는, 저 주파수에 대응한 탄성 표면파 장치를 제공할 수 있다.

Claims (13)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 레일리파를 전파하는 직사각형 판형상의 압전 기판과,
    이 압전 기판에 인터디지탈형 전극을 형성하여 마련된 빗(comb)형 전극 및 반사기
    를 구비하고 있고,
    상기 압전 기판의 적어도 표면측의 단변(短邊)의 단면이, 상기 반사기의 단부의 도체 스트립으로부터 나오는 응력파의 가상 노드의 위치에서, 상기 도체 스트립에 거의 평행하고, 수직인 평활면으로 함으로써 상기 응력파를 반사하는 반사 단면으로 되어 있고,
    상기 반사 단면은 반사기의 단부의 도체 스트립의 기단부(基端部)로부터 상기 반사 단면까지의 거리(B)가, B=(n×PR)±(PR/2)×δ(단, n = 정수, PR = λ/2, δ= 허용값, λ= 레일리파의 파장으로 한다)에 의해 규정되며,
    상기 허용값(δ)이, 빗형 전극의 전극 핑거쌍의 수를 일정하게 했을 때에, 상기 반사기의 도체 스트립의 수에 대응하여 정해지는
    것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 반사 단면은 상기 응력파의 가상 노드의 위치에서, 상기 압전 기판의 표면으로부터 일정한 거리의 깊이에까지 마련되어 있고, 반사 단면의 하단에는 단차부(段部)를 마련한 형상인 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 반사 단면은 압전 재료를 형성하는 웨이퍼로부터 개개의 압전 기판을 형성하는 크기로 절단될 때에 형성되고, 적어도 상기 반사 단면에 대응하는 부분은 에칭에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
  6. 제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,
    상기 반사 단면은 상기 압전 기판의 표면측에 있어서, 상기 반사기의 외측에 상기 반사기를 따라 형성된 홈부의 내측 측면에 의해서 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
  7. 압전 기판상의 빗형 전극으로부터 방사되어 상기 압전 기판의 표면을 진행하는 레일리파를 반사하여 상기 빗형 전극으로 되돌리기 위한 상기 압전 기판의 반사 단면을, 에칭에 의해 소정 위치에 형성하되,
    상기 반사 단면은 반사기의 단부의 도체 스트립의 기단부(基端部)로부터 상기 반사 단면까지의 거리(B)가 B=(n×PR)±(PR/2)×δ(단, n = 정수, PR = λ/2, δ= 허용값, λ= 레일리파의 파장으로 한다)에 의해 규정되며,
    상기 허용값(δ)이, 빗형 전극의 전극 핑거쌍의 수를 일정하게 했을 때에, 상기 반사기의 도체 스트립의 수에 대응하여 정해지는
    는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치의 제조방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 압전 기판의 표면에 전극 재료 피막을 형성하는 공정과,
    상기 전극 재료 피막에 제 1 패터닝을 행하여 반사 단면 형성용 마스크를 형성하는 공정과,
    상기 반사 단면 형성용 마스크를 사용하여 에칭에 의해 상기 반사 단면을 형성하는 공정과,
    상기 전극 재료 피막에 제 2 패터닝을 행하여 전극을 형성하는 공정
    을 갖는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치의 제조방법.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 에칭은 드라이 에칭인 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치의 제조방법.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 제 1 패터닝 공정은
    리소그래피 공정과,
    그 리소그래피 공정에서 형성한 마스크를 사용하여 상기 전극 재료 피막을 에칭하는 공정으로 구성되는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치의 제조방법.
  11. 제 8 항에 있어서,
    상기 제 2 패터닝 공정은
    리소그래피 공정과,
    그 리소그래피 공정에서 형성한 마스크를 사용하여 상기 전극 재료 피막을 에칭하는 공정으로 구성되는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치의 제조방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 제 2 패터닝 공정에 있어서의 리소그래피 공정은, 상기 제 1 패터닝 공정에 있어서 상기 전극 재료 피막에 형성한 얼라이먼트 마크를 이용하여, 레지스트 노광용 마스크를 상기 반사 단면에 대하여 상대적으로 위치 결정한 뒤에 실행하는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치의 제조방법.
  13. 제 7 항 내지 제 11 항중 어느 한 항에 기재된 탄성 표면파 장치의 제조방법을 사용하여 제조한 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
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