JP2000252789A - 弾性表面波装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 小型の弾性表面波装置を精度高くしかも簡便
に作製できるようにする。 【解決手段】 櫛形電極１０３を有する圧電基板１０１
に補助基板１０２を設け、この補助基板１０２に、櫛形
電極１０３によって励振される弾性表面波を反射させる
反射境界面１０４を設けて弾性表面波装置を構成する。
また、弾性表面波装置の製造方法において、補助基板１
０２が配置される圧電基板１０１の表面領域、および補
助基板１０２の接合面を親水化処理したのち、圧電基板
１０１の前記表面領域に、水酸基を有する液体を介して
補助基板１０２の接合面を重ね合わせて接合する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、移動体通信機器等
に使用される弾性表面波装置およびその製造方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】無線通信の発展に伴い、機器を構成する
キーデバイスの１つとして弾性表面波共振子等の弾性表
面波装置が広く用いられている。また、移動体通信機器
の分野では、特開平５−１８３３８０号の特許公開公報
に示されるように、弾性表面波共振子を梯子型に接続す
ることにより構成した弾性表面波装置が広く用いられて
いる。

【０００３】以下に、従来の弾性表面波装置について１
ポート弾性表面波共振子を例にとって説明する。図１０
は、従来の弾性表面波共振子の構成の概略を示す斜視図
である。図１０において、２０１は圧電基板、２０２は
櫛形電極、２０３は反射器である。

【０００４】従来の弾性表面波共振子では、水晶やタン
タル酸リチウムなどの圧電単結晶からなる圧電基板２０
１上に、アルミニウム合金等からなる櫛形電極２０２お
よび反射器２０３が形成されている。櫛形電極２０２
は、弾性表面波波長をλとした場合、１／４λの線幅を
有する電極指が、同じく１／４λの間隔をもって複数互
いに平行に並列配置されている。そして、反射器２０３
は、櫛形電極２０２の両外側（弾性表面波の伝搬方向両
外側）に、櫛形電極２０２に対して所定の間隔を隔てて
配置されている。反射器２０３は、複数本の金属グレー
ティングから構成されている。

【０００５】櫛形電極２０２で励振された弾性表面波は
圧電基板２０１上を櫛形電極２０２を挟んで双方向に進
行するが、櫛形電極２０２の両外側に配置された反射器
２０３により反射され、共振特性を得ることができる。
例えば、圧電基板２０１として水晶基板を用いた場合に
は、弾性表面波共振子は、百対余りの櫛形電極２０２
と、数百本の金属グレーティングからなる一対の反射器
２０３により構成されている。このように、反射器一本
当たりの反射係数が小さい場合には、反射器２０３の配
置位置、反射器２０３の電極指ピッチ等を最適化したう
えで、多数本の反射器２０３を形成することにより、ス
プリアスの少ない良好な共振特性を得ている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の弾性表面波装置では、反射器２０３を構成する金属
グレーティング１本あたりの反射係数が小さいために、
反射器として多数本の金属グレーティングを配置する必
要があり、素子が大型化するという課題を有していた。
例えば、１００対の電極指を有する櫛形電極２０２に対
して、３００本の金属グレーティングを有する反射器２
０３を両側に配置する場合には、弾性表面波装置全体と
して、櫛形電極２０２の約４倍の素子面積を必要として
いた。

【０００７】本発明は、前記従来の課題を解決するもの
であり、多数本の金属グレーティングを必要とする反射
器を必要としない小型の弾性表面波装置を得ることを目
的としており、またその製造方法を提供することを目的
とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明の弾性表面波装置は、櫛形電極を有する圧電
基板に補助基板を設け、この補助基板に、前記櫛形電極
によって励振される弾性表面波を反射させる反射境界面
を設けたことに特徴を有している。

【０００９】

【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、櫛形電極を有する圧電基板に補助基板を設け、この
補助基板に、前記櫛形電極によって励振される弾性表面
波を反射させる反射境界面を設けたことに特徴を有して
おり、これにより次のような作用を有する。すなわち、
補助基板に設けた反射境界面は十分大きな反射係数を有
するものとなるので、比較的小さな反射係数を有する金
属グレーティングを複数本配置して構成された従前の反
射器に比べて、平面的にみて小型化が可能となる。

【００１０】本発明の請求項２に記載の発明は、請求項
１に係る弾性表面波装置であって、前記補助基板を、前
記弾性表面波の伝搬方向に沿って前記櫛形電極より外側
に配置したことに特徴を有しており、これにより次のよ
うな作用を有する。すなわち、補助基板は反射器として
機能するのに適した位置に配置されることになる。

【００１１】本発明の請求項３に記載の発明は、請求項
２に係る弾性表面波装置であって、前記反射境界面を、
前記櫛形電極の電極指と平行となるように配置したこと
に特徴を有しており、これにより次のような作用を有す
る。すなわち、反射境界面は弾性表面波を効率よく反射
するのに適した位置に配置されることになる。

【００１２】本発明の請求項４に記載の発明は、請求項
１ないし３のいずれかに係る弾性表面波装置であって、
前記圧電基板と前記補助基板とを実質的に直接接合した
ことに特徴を有しており、これにより次のような作用を
有する。すなわち、直接接合により圧電基板と補助基板
とは強固に接合されることになる。しかも、直接接合に
より接合するために、圧電基板と補助基板との間に、接
着剤等の接合中間層が存在することがない。そのため、
弾性表面波が接合中間層で吸収されることなく反射され
ることになり、吸収により共振特性が影響を受けること
もなく、反射効率の高い弾性表面波装置が得られる。

【００１３】本発明の請求項５に記載の発明は、請求項
１ないし４のいずれかに係る弾性表面波装置であって、
前記圧電基板と、前記補助基板とを実質的に同じ材料か
ら構成したことに特徴を有しており、これにより次のよ
うな作用を有する。すなわち、圧電基板と補助基板とを
実質的に同じ材料から構成することにより両者の熱膨張
係数も実質的に同一となる。そのため、直接接合により
圧電基板と補助基板とを接合する際に施される熱処理温
度を高めても、両者の熱膨張係数が実質的に同一である
ために割れ欠け等の損傷が生じにくくなる。直接接合の
工程時に行う熱処理の処理温度を高めることは、圧電基
板と補助基板との間の接着強度を高めることにつながる
ため、本発明を実施することにより、弾性表面波装置の
信頼性を高めることが可能となる。

【００１４】本発明の請求項６に記載の発明は、請求項
１ないし５のいずれかに係る弾性表面波装置であって、
前記補助基板の厚さを、弾性表面波の波長に比べて厚く
したことに特徴を有しており、これにより次のような作
用を有する。すなわち、補助基板の厚さを、弾性表面波
の波長に比べて厚くすることにより、弾性表面波の反射
効率を十分確保することが可能となる。しかも、厚さが
増すことにより補助基板の取り扱いが容易となる。

【００１５】本発明の請求項７に記載の発明は、請求項
１ないし５のいずれかに係る弾性表面波装置であって、
前記補助基板の密度を、前記圧電基板の密度よりも大き
くしたことに特徴を有しており、これにより次のような
作用を有する。すなわち、補助基板の密度を、圧電基板
の密度よりも大きくことにより弾性表面波の反射効率を
十分確保することが可能となる。

【００１６】本発明の請求項８に記載の発明は、弾性表
面波励起用の櫛形電極を有する圧電基板に補助基板を設
けるともに、この補助基板に、前記弾性表面波を反射さ
せる反射境界面を設けてなる弾性表面波装置の製造方法
であって、前記圧電基板の表面のうち、前記補助基板が
配置される領域を選択的に親水化処理する工程と、前記
補助基板の接合面を親水化処理する工程と、前記圧電基
板の前記領域に、水酸基を有する液体を介して前記補助
基板の前記接合面を重ね合わせて接合する工程と、を含
むことに特徴を有しており、これにより次のような作用
を有する。すなわち、補助基板が配置される圧電基板の
表面領域を選択的に親水化処理したうえで、圧電基板の
表面上に水酸基を有する液体を存在させると、この液体
はその表面張力により補助基板配置領域に選択的に付着
することになる。そのため、水酸基を有する液体を介し
て補助基板の接合面を圧電基板の補助基板配置領域に重
ね合わせると、補助基板は、前記液体の表面張力により
その配置領域上に精度高く位置合わせされることにな
る。しかも、このような位置合わせは液体の表面張力に
より行われるので、補助基板の接合面を、圧電基板上の
補助基板配置領域上に、大まかに配置するだけで自動的
に行われることになる。

【００１７】本発明の請求項９に記載の発明は、請求項
８に係る弾性表面波装置の製造方法であって、水酸基を
有する液体を介して重ね合わせた前記圧電基板と前記補
助基板とを熱処理する工程を更に含むことに特徴を有し
ており、これにより次のような作用を有する。すなわ
ち、熱処理することで、圧電基板と補助基板とは強固に
直接接合されることになる。

【００１８】本発明の請求項１０に記載の発明は、請求
項８または９に係る弾性表面波装置の製造方法であっ
て、前記水酸基を含む液体として、水を主成分とする液
体を用いることに特徴を有しており、これにより次のよ
うな作用を有する。すなわち、水酸基を含む液体とし
て、水を含む液体という簡単に手に入り、しかも、取り
扱い上、安全性の高い液体を用いることで、製造コスト
の削減と、高い安全性を得ることができる。

【００１９】本発明の請求項１１に記載の発明は、請求
項８ないし１０のいずれかに係る弾性表面波装置の製造
方法であって、前記補助基板に、前記反射端面を形成す
る工程を、レーザ加工、プラズマ加工、もしくは化学エ
ッチング加工を用いて行うことに特徴を有しており、こ
れにより次のような作用を有する。すなわち、これらの
加工により、補助基板の切断加工を実施すれば、切断端
面が鏡面状となるので、補助基板の切断と、研磨（反射
端面形成）とを同時に行うことができ、その分、工程の
簡略化が図れてコストダウンに繋がる。

【００２０】以下、本発明の実施の形態について、図１
から図１０を用いて詳細に説明する。

【００２１】（実施の形態１）図１は、本発明の実施の
形態１における弾性表面波装置の構成を示す斜視図であ
る。図１において、１０１Ａは圧電基板、１０２Ａは補
助基板、１０３Ａは櫛形電極、１０４Ａは反射境界であ
る。本実施の形態では、圧電基板１０１Ａおよび補助基
板１０２Ａとして、タンタル酸リチウム単結晶を用い
た。また、櫛形電極１０３Ａの材料として、アルミニウ
ムを用いた。

【００２２】圧電基板１０１Ａ上には、通常のフォトリ
ソグラフィ手法を用いて、櫛形電極１０３Ａを形成す
る。なお、図１において、櫛形電極１０３Ａは模式的に
示したものであり、弾性表面波の波長に基づくものでは
ない。以下に、本実施の形態における弾性表面波装置の
構造について、そのプロセスを追って詳細に説明する。

【００２３】図２は、本実施の形態における弾性表面波
装置の製造プロセスを示す概略図である。最初に、補助
基板１０２Ａの加工方法について説明する。本実施の形
態では、圧電基板１０１Ａの大きさ５ｍｍ×３ｍｍに対
して、補助基板１０２Ａの大きさを１ｍｍ×２ｍｍに設
定した。

【００２４】まず、少なくとも一方主面が鏡面加工され
た厚さ０．２ｍｍのタンタル酸リチウム単結晶から、補
助基板１０２Ａの原板１０２Ａ’（図示省略）をダイシ
ング装置等を用いて切り出す。このとき、原板１０２
Ａ’は、後工程の研磨後に設定した大きさとなるよう、
若干大きめに切り出しておく。そして、切り出した原板
１０２Ａ’を、ワックス等により研磨基台（図示省略）
に載置固定する。この際、原板１０２Ａ’の切断面（最
終的に弾性表面波装置の反射境界面１０４Ａとなる）が
研磨面となるように、原板１０２Ａ’を研磨基台に載置
する。研磨基台に載置固定した原板１０２Ａ’の研磨面
を鏡面仕上げすることで、原板１０２Ａ’を補助基板１
０２Ａとする。鏡面仕上げした研磨面が、弾性表面波装
置の反射境界面１０４Ａを構成する補助基板１０２Ａの
端面１０６Ａとなる。鏡面研磨が終了した後、補助基板
１０２Ａを研磨基台から個々に分離して洗浄する。（図
２（ａ）参照）本実施の形態では、補助基板１０２Ａと
して厚さ０．２ｍｍのタンタル酸リチウム単結晶基板を
使用したが、音響的不連続部を形成するためには、基板
の厚さを弾性表面波波長の１波長以上とすることが好ま
しい。さらには、取り扱いの容易さを考慮すれば、０．
１ｍｍ以上の厚さとすることが好ましい。

【００２５】また、本実施の形態では、補助基板１０２
Ａの切り出しをダイシング装置を用いて行ったが、この
切り出しをレーザ加工やプラズマ加工、化学エッチング
手法を用いて行えば、特に端面の研磨工程を行う必要が
なくなり、その分、工程の簡略化が図れる。また、ダイ
シング装置を使用する場合においても、ダイシングブレ
ードや切断条件を最適に選ぶことで、研磨工程を最小限
に抑えることができる。さらに、弾性表面波波長が切断
端面の荒さに比べて十分に大きければ、研磨工程を簡略
化することができる。ただし、弾性表面波の反射を高精
度に制御したい場合や、スプリアスの抑制が必要な場合
には、端面１０６Ａの面精度が重要であるため、特に注
意して、鏡面仕上げを行う必要がある。

【００２６】次に、このように形成した補助基板１０２
Ａと圧電基板１０１Ａとの直接接合工程について説明す
る。最初に、図２（ｂ）に示すように、圧電基板１０１
Ａ上に形成された櫛形電極１０３Ａ上に保護膜１０５Ａ
を形成する。保護膜１０５Ａはフォトレジストを用い
る。なお、この段階では圧電基板１０１Ａはウエハ状態
で扱うことが好ましい。

【００２７】次に、図２（ｃ）に示すように、櫛形電極
１０３Ａが選択的に保護されるように、保護膜１０５Ａ
をパターニングする。このとき、保護膜１０５Ａの端縁
１０５Ａａ（弾性表面波の伝搬方向αに沿って櫛形電極
１０３Ａを挟んで対向する位置にある保護膜１０５Ａの
端縁）が、補助基板１０２Ａの端面１０６Ａの配置位置
（弾性表面波装置の反射境界面１０４Ａとなる）に正確
に沿ったものとなるように、保護膜１０５Ａを精度高く
パターニングする。このような保護膜１０５Ａの形成精
度は、フォトリソグラフィ工程により保護膜１０５Ａを
形成すれば容易に得られる。

【００２８】本実施の形態では、保護膜１０５Ａとして
フォトレジストを用いたが、保護膜１０５Ａの材料に特
に制約はない。ただし、耐薬品性、除去性に優れた材料
を選ぶことが好ましい。

【００２９】そして、保護膜１０５Ａが形成された圧電
基板１０１Ａを親水化処理する。すなわち、圧電基板１
０１Ａを親水化処理液に浸すことにより、保護膜１０５
Ａで被覆されていない親水化処理領域１０７Ａを水酸基
（−ＯＨ基）で終端して、親水性を示すようにする。補
助基板１０２Ａについても、同様にして、基板全体を親
水化処理する。このような親水化処理に用いる親水化処
理液としては、例えば、過酸化水素水と水酸化アンモニ
ウム水溶液の混合水溶液を使用する。なお、補助基板１
０２Ａは必ずしも基板全体を親水化処理する必要はな
い。補助基板１０２Ａは、少なくとも、圧電基板１０１
Ａに対する接合面を親水化処理すればよい。

【００３０】なお、過酸化水素水と水酸化アンモニウム
とからなる親水化処理液を用いる場合には、この親水化
処理液がアルカリ性を示すために、アルミニウム等から
なる櫛形電極１０３Ａでは溶解が生じてしまう。そこ
で、本実施の形態では、櫛形電極１０３Ａの溶解を防止
するために、櫛形電極１０３Ａを覆う保護膜１０５Ａと
して、耐アルカリ性に優れたフォトレジストを用いるこ
とで櫛形電極１０３Ａの溶解を確実に防止している。し
かしながら、アルカリ性の親水化処理液を用いない場合
や、紫外線照射やプラズマ処理により親水化を行う場
合、あるいは櫛形電極１０３Ａに金などの耐食性金属を
使用する場合には、必ずしも保護膜１０５Ａとして、耐
アルカリ性に優れた保護膜を用いる必要はない。

【００３１】なお、保護膜１０５Ａとして、酸化珪素を
主成分とする薄膜を形成した場合などでは、その保護膜
１０５Ａは、膜の特徴から、弾性表面波装置の特性に影
響を与えない。さらには、弾性表面波装置の出力特性の
設定具合によっては、保護膜１０５Ａ自体が弾性表面波
装置の特性に対して所定の役割を果たすことも有り得
る。そのため、このような場合には、保護膜を必ずしも
除去する必要はなく、残存させておいてもよく、そうす
れば、保護膜１０５Ａの除去工程を簡略化することがで
きる。

【００３２】次に、圧電基板１０１Ａと補助基板１０２
Ａとの基材接合工程について説明する。保護膜１０５Ａ
を形成したうえで親水化処理した圧電基板１０１Ａと、
基板全体を親水化処理した補助基板１０２Ａとを純水中
に浸漬する。すると、親水化処理された領域（補助基板
１０２Ａの全面および圧電基板１０１Ａの親水化処理領
域１０７Ａ）にのみ水分子が付着する。そして、水分子
が付着した圧電基板１０１Ａの親水化処理領域１０７Ａ
と、補助基材１０２Ａとを両者の位置が概ね合致するよ
うに重ね合わせる。そうすると、親水化処理領域１０７
Ａの界面（保護膜端縁１０５Ａａ）および補助基板１０
２Ａの界面に介在する水分子の表面張力により、補助基
板１０２Ａは自動的に親水化処理領域１０７Ａ上の正確
な位置に位置修正される。ここでいう正確な位置とは、
補助基板１０２Ａの端面１０６Ａが櫛形電極１０３Ａよ
り弾性表面波伝搬方向の外側にあって、かつ、櫛形電極
１０３Ａの電極指と補助基板１０２Ａの端縁１０６Ａと
が平行になる位置をいう。このように、精密な位置合わ
せを行うことなく、圧電基板１０１Ａ上の親水化処理領
域１０７Ａに補助基板１０２Ａを精度よく配置すること
が可能となるので、補助基板１０２Ａを載置する時間を
大幅に短縮することができる。また、高度な位置決め精
度を必要としないため、製造装置を大幅に低廉化するこ
とができる。

【００３３】このようにして補助基板１０２Ａを圧電基
板１０１Ａ上に配置することで、両基板１０２Ａ、１０
１Ａは水素結合または分子間力により初期接合されるる
ことになる。（図２（ｄ）、（ｅ）参照） 両基板１０
１Ａ、１０２Ａを初期接合したのち、保護膜１０５Ａ
（フォトレジスト）を、酸素プラズマアッシングにより
除去する。（図２（ｆ）参照）この状態でも、両基板１
０１Ａ、１０２Ａは、ある程度の強度で接合されること
になる。しかしながら、さらに、両基板１０１Ａ、１０
２Ａの接合強度を高めるためには、初期接合された両基
板１０１Ａ、１０２Ａをさらに熱処理をして、より強固
に接合することが好ましい。本実施の形態では、窒素
中、４００℃、無加圧で熱処理を行った。これにより、
圧電基板１０１Ａと補助基板１０２Ａとの接合は、共有
結合による接合が主となり、バルク強度と同等の接合強
度を確保することができる。したがって、弾性表面波装
置として、十分な信頼性を保つことができるようにな
る。

【００３４】本実施の形態では、圧電基板１０１Ａおよ
び補助基板１０２Ａとして、同種、同カット角のタンタ
ル酸リチウムを使用したため、熱応力の発生がなく熱処
理温度を十分に高くすることができる。なお、圧電基板
１０１Ａのキュリー温度を越えないことと、櫛形電極１
０３Ａの劣化を考慮すれば、熱処理温度、雰囲気に特に
制限はない。

【００３５】また、初期接合後に保護膜１０５Ａの除去
を行ったが、熱処理時に櫛形電極１０３Ａへの悪影響が
なければ、熱処理後に保護膜１０５Ａを除去しても差し
支えない。さらに、保護膜１０５Ａの除去方法について
も、特に制約はない。ただし、初期接合後に保護膜１０
５Ａを除去する場合には、接合強度が不十分であり、水
に対して接合が不安定であるため、乾式プロセスによる
除去方法が好ましい。

【００３６】以上で、本発明による弾性表面波装置は作
製される。鏡面加工された補助基板１０２Ａの端面１０
６Ａは、圧電基板１０１Ａとの接合界面で反射境界面１
０４Ａを構成し、櫛形電極１０３Ａで励振された弾性表
面波をこの反射境界面１０４Ａで効率的に反射すること
ができるようになる。これは、補助基板１０２Ａの接合
による質量付加効果による、音響的不連続部が構成され
たためであり、このような構成とすることで、従来の反
射器を配置することなく共振特性を得ることができる。
これにより、従来多数本の反射器を必要としていた弾性
表面波装置を大幅に小型化することができる。特に、共
振周波数の低い場合や水晶基板を用いた場合といった反
射係数の小さい圧電基板１０１Ａを用いた場合には有効
である。本実施の形態の場合には、従来のおよそ１／２
の素子面積に縮小することができる。

【００３７】また、本発明によれば、圧電基板１０１Ａ
と補助基板１０２Ａとを実質的に直接接合しているた
め、弾性表面波が接着剤等の接合中間層等で吸収される
ことなく反射されることになり、共振特性への影響を防
ぐことができる。また、補助基板１０２Ａの配置位置を
制御することで、スプリアスを抑制することが可能とな
る。

【００３８】また、精密な位置合わせを行うことなく、
圧電基板１０１Ａ上の親水化処理領域１０７Ａに補助基
板１０２Ａを精度よく配置することが可能となるので、
補助基板１０２Ａを載置する時間を大幅に短縮すること
ができる。また、高度な位置決め精度を必要としなくな
って製造装置を大幅に低廉化することができる。

【００３９】また、補助基板１０２Ａの厚さをより厚く
して反射境界面１０４Ａにおける反射係数を大きくする
ことで、変換効率を高めることが可能となる。

【００４０】なお、本実施の形態では、圧電基板１０１
Ａおよび補助基板１０２Ａとしてタンタル酸リチウムを
用いたが、基板材料に特に制約はなく、ニオブ酸リチウ
ムや水晶などの他の単結晶、ＺｎＯ膜等を圧電基板１０
１Ａとして用いても、ＰＺＴ等の圧電セラミック基板等
を圧電基板１０１Ａとして用いても同様の効果を得るこ
とができるのはいうまでもない。

【００４１】以上のように、本実施の形態では、従来の
反射器を不要とし、弾性表面波装置の大幅な小型化を実
現することができる。

【００４２】また、圧電基板１０１Ａと、補助基板１０
２Ａとを同じ材料から構成することで、直接接合工程の
熱処理温度を十分高く設定することができ、信頼性の高
い弾性表面波装置を得ることができる。

【００４３】また、補助基板１０１Ａの厚さを、弾性表
面波波長に比べて厚くすることで、製造工程における補
助基板１０１Ａの取り扱いを容易にすることができると
ともに、弾性表面波の反射効率を十分に確保することが
できる。

【００４４】また、補助基板１０１Ａに少なくとも一つ
以上の反射境界面１０４Ａ（補助基板端面１０６Ａ）を
形成する工程において、レーザ加工またはプラズマ加
工、化学エッチング加工等を用いれば、反射境界面１０
４Ａを形成するための研磨工程を省略ないし簡略化する
ことができる。

【００４５】（実施の形態２）図３は、本発明の実施の
形態２における弾性表面波装置の構成を示す斜視図であ
る。図３において、１０１Ｂは圧電基板、１０２Ｂは補
助基板、１０３Ｂは櫛形電極、１０４Ｂは反射境界面で
あり、１０６Ｂは、反射境界面１０４Ｂを構成する補助
基板１０４の端面である。なお、図３においても、櫛形
電極１０３Ｂは模式化されものであって、本来の大き
さ、弾性表面波波長を示すものではないのはいうまでも
ない。以降の図においても同様である。

【００４６】本実施の形態では、圧電基板１０１Ｂとし
てＳＴカット水晶（実施の形態１と異なる）を、補助基
板１０２Ｂとしてタンタル酸リチウム単結晶（実施の形
態１と同様）を用いた。また、櫛形電極１０３Ｂの材料
としてアルミニウム合金（実施の形態１と同様）を用い
た。

【００４７】本実施の形態では、基本的には、実施の形
態１と同様の方法で弾性表面波装置を作製しているが、
次の点で異なっている。すなわち、初期接合された圧電
基板１０１Ｂと補助基板１０２Ｂとを熱処理することに
より、より強固な接合体を得ることができる。なお、本
実施の形態では窒素中、２５０℃、無加圧で熱処理を行
った。これにより、圧電基板１０１Ｂと補助基板１０２
Ｂとの接合は、共有結合による接合が主となり、バルク
強度と同等の接合強度を確保することができる。したが
って、弾性表面波装置として、十分な信頼性を保つこと
ができる。

【００４８】本実施の形態では、圧電基板１０１Ｂとし
て水晶基板を、補助基板１０２Ｂとしてタンタル酸リチ
ウムを使用したため、両基板１０１Ｂ、１０２Ｂの熱膨
張係数差に起因する熱応力のため、熱処理温度を高くす
ると両基板１０１Ｂ、１０２Ｂに割れが発生する可能性
がある。したがって、使用する基板材料の熱膨張係数
差、直接接合面の形状、両基板１０１Ｂ、１０２Ｂの熱
処理時の大きさ等を考慮する必要があるが、特に熱処理
温度に制約はない。また、熱処理温度を十分に高く設定
できない場合には、加圧下で熱処理を行うことにより、
接合強度を強化することができる。なお、熱処理雰囲気
については、特に制約はない。

【００４９】この実施の形態でも前述した実施の形態１
と同様の効果が得られるうえに、さらには次のような効
果が得られる。すなわち、本実施の形態のように、圧電
基板１０１Ｂと、補助基板１０２Ｂとを互いに異なる材
料から構成することで、反射境界面１０４Ｂにおける音
響不連続量（例えば、音響インピーダンスの変化）を大
きくすることができ、弾性表面波の反射係数を大きくす
ることができ、Ｑ値の高い弾性表面波装置を得ることが
できる。

【００５０】さらに、補助基板１０２Ｂの密度を、圧電
基板１０１Ｂの密度よりも大きくすることでも、反射係
数を大きくすることができ、弾性表面波を櫛形電極１０
３Ｂに十分に閉じこめることができ、高性能の弾性表面
波装置を得ることができる。また、本実施の形態では、
図３に示すように、圧電基板１０１Ｂの幅（弾性表面波
伝搬方向αと直交する方向に沿った幅）方向の寸法ｈと
補助基板１０２Ｂの同幅寸法ｈとが同一となっている。
このような場合には、次のようにして弾性表面波装置を
作製することも可能である。すなわち、複数の圧電基板
１０１Ｂをその幅方向に沿って並列配置したうえで、こ
れら複数の圧電基板１０１Ｂ、…の幅方向寸法ｈの合計
と同じ長さを有する補助基板１０２Ｂ’を用意する。そ
して、用意した原板１０２Ｂ’を、並列配置した圧電基
板１０１Ｂ、…の上の所定位置に配置して直接接合によ
り両基板１０１Ｂ、１０２Ｂを接合する。そして、最後
に個々の弾性表面波装置に分割する。このような方法に
よれば、複数の補助基板１０２Ｂを一度に圧電基板１０
１Ｂに直接接合することが可能となり、工程の簡略化が
促進できる。

【００５１】ところで、実施の形態１，２を例にして説
明した本発明の構成は、弾性表面波装置の大きさに拘わ
らず、実施することができる。特に、圧電基板１０１
Ａ、１０１Ｂの大きさが小さい場合には、図４に示すよ
うに、複数個の圧電基板１０１Ａ（ないし１０１Ｂ）が
整列状態で実装された母基板１１０上に、複数の補助基
板１０２Ａ（ないし１０２Ｂ）を連結してなる母基板１
１１を直接接合により接合配置する（位置合わせおよび
直接接合については実施の形態１参照）。そして、母基
板１１１と一緒に母基板１１０を、各弾性表面波装置の
外周上に設けられた切断線１１２に沿って分割すること
で各弾性表面波装置を形成する。これにより、弾性表面
波装置の小型化が可能とになり、補助基板１０２Ａ、１
０２Ｂが小さくなってその取り扱いは煩雑になることを
回避できる。

【００５２】（実施の形態３）図５は、本発明の実施の
形態３における弾性表面波装置の構成を示す分解斜視図
である。図５において、１０１Ｃは圧電基板、１０２Ｃ
は補助基板、１０３Ｃは櫛形電極、１０４Ｃは反射境界
面、１０６Ｃは補助基板１０２Ｃの端面である。本実施
の形態では、前述した第２の実施の形態と同様に、圧電
基板１０１ＣとしてＳＴカット水晶を、補助基板１０２
Ｃとしてタンタル酸リチウム単結晶を用いている。ま
た、櫛形電極１０３Ｃの材料としてアルミニウム合金を
用いており、基本的には、実施の形態２と同様の構成を
備えているが、次の点で異なっている。すなわち、圧電
基板１０１Ｃの大きさを３ｍｍ×２ｍｍに、また、補助
基板１０２Ｃの大きさを３ｍｍ×１．５ｍｍに設定して
おり、実施の形態２より若干サイズが小さくなってい
る。

【００５３】また、櫛形電極１０３Ｃをその弾性表面波
伝搬方向αに沿って対向配置される補助基板１０２Ｃ、
１０２Ｃを、連結部１０２Ｃａにより連結して一体化し
ている。そして、連結部１０２Ｃａの底部にその幅ｉ
（弾性表面波伝搬方向αと直交する方向に沿う幅）の端
から端まで連続してその両端が外部に開放された凹部１
０２Ｃｂを形成している。そして、この凹部１０２Ｃｂ
により連結部１０２Ｃａを櫛形電極１０３Ｃから離間さ
せる。さらには、凹部１０２Ｃｂの端縁を各補助基板１
０２Ｃの端面１０６Ｃとし、この端面１０６Ｃによって
反射境界面１０４Ｃを構成する。

【００５４】本実施の形態では、弾性表面波素子の素子
サイズ、言い換えれば圧電基板１０１Ｃのサイズが小さ
くなっており、実施の形態１あるいは実施の形態２と同
様の補助基板１０２Ａ、１０２Ｂとした場合には、製造
工程、特に接合工程における補助基板１０２Ａ、１０２
Ｂの取り扱いが非常に困難になる恐れがある。しかしな
がら、本実施の形態では、一対の補助基板１０２Ｃ、１
０２Ｃを連結部１０２Ｃａにより連結することで、補助
基板１０２Ｃ、１０２Ｃの取り扱いが容易になってい
る。さらには、連結部１０２Ｃａにより櫛形電極１０３
Ｃの保護が可能となり、外部から導電性異物等が櫛形電
極１０３Ｃに飛来し、歩留まりが低下することを防ぐこ
とができる。

【００５５】本実施の形態では、その幅ｉに連続した凹
部１０２Ｃｂを有する連結部１０２Ｃｂで両補助基板１
０２Ｃ、１０２Ｃを連結した、断面視コの字状の補助基
板１０２Ｃ、１０２Ｃを用いたが、補助基板は形状に特
に制約はなく、弾性表面波の伝搬（共振）を阻害しない
ようにして、少なくとも一つ以上の端面が形成されてい
ればよい。

【００５６】例えば、図６に示すように、圧電基板１０
１Ｄの櫛形電極形成面１０１Ｄａの全面を覆う大きさを
有する補助基板用平板１１３を用意し、さらに、この補
助基板用平板１１３の平面中央部に櫛形電極１０３Ｄを
覆う凹部１０２Ｄａを形成する。これにより、凹部１０
２Ｄａの両端にある補助基板用平板１１３の端部（弾性
表面波伝搬方向αに沿った両端部）を補助基板１０２
Ｄ、１０２Ｄとして構成してもよい。このような構成の
補助基板１０２Ｄ、１０２Ｄ（補助基板用平板１１３）
では、凹部１０２Ｄの端縁全周が開放されることがない
ので櫛形電極１０３Ｄを気密保持することが可能とな
る。

【００５７】なお、補助基板用平板１１３に凹部１０２
Ｄａを形成するには、レーザ加工法を採用するので適当
であるが、ウェットエッチングや、ドライエッチングな
どの手法を用いてもよい。また、補助基板用平板１１３
が例えばシリコン等の基板からなる場合には、異方性エ
ッチングを利用することができ、この方法では、凹部１
０２Ｄａの端縁（補助基板１０２Ｄの端面１０６Ｄであ
って、反射境界面１０４Ｄを構成する）を高精度に形成
することが可能となる。

【００５８】なお、圧電基板１０１Ｃ（１０１Ｄ）と補
助基板１０２Ｃ（１０２Ｄ）との直接接合工程は、実施
の形態１、２と同様であるので、説明は省略する。

【００５９】また、本実施の形態では、圧電基板１０１
Ｃ（１０１Ｄ）として水晶基板を、補助基板１０１Ｃ
（１０１Ｄ）としてタンタル酸リチウムを使用したた
め、両基板１０１Ｃ（１０１Ｄ）、１０２Ｃ（１０２
Ｄ）の熱膨張係数差に起因する熱応力のため、熱処理温
度を高くすると基板１０１Ｃ（１０１Ｄ）、１０２Ｃ
（１０２Ｄ）に割れが発生する恐れがある。そのため、
使用する基板材料の熱膨張係数差、直接接合面の形状、
両基板１０１Ｃ（１０１Ｄ）、１０２Ｃ（１０２Ｄ）の
熱処理時の大きさ等を考慮する必要があるものの、特に
熱処理温度に制約はない。また、熱処理温度を十分に高
く設定できない場合には、加圧下で熱処理を行うことに
より、接合強度を強化することができる。なお、熱処理
雰囲気については、特に制約はない。

【００６０】本実施の形態の弾性表面波装置では、実施
の形態１、２同様の作用効果が得られるほか、さらに次
のような効果が得られる。すなわち、対向配置される一
対の補助基板１０２Ｃ、１０２Ｃ（１０２Ｄ、１０２
Ｄ）を一体化することにより、圧電基板１０１Ｃ（１０
１Ｄ）の大きさが小さい場合でも、補助基板１０２Ｃ
（１０２Ｄ）の大きさを十分に確保することができ、製
造工程において補助基板１０２Ｃ（１０２Ｄ）の取り扱
いを容易にすることができる。

【００６１】（実施の形態４）図７は、本発明の実施の
形態４における弾性表面波装置の製造方法を示す図であ
る。図７において、１０１Ｅは圧電基板、１０２Ｅは補
助基板、１０３Ｅは櫛形電極、１０４Ｅは反射境界面、
１０５Ｅは保護膜、１０６Ｅは反射境界面１０４Ｅを構
成する補助基板１０２Ｅの端面、１０７Ｅは親水化処理
領域である。本実施の形態では、前述した実施の形態２
と同様に、圧電基板１０１ＥとしてＳＴカット水晶を、
補助基板１０２Ｅとしてタンタル酸リチウム単結晶を用
いている。また、櫛形電極１０３Ｅの材料としてアルミ
ニウム合金を用いている。また、圧電基板１０１上に
は、まえもって、通常のフォトリソグラフィ手法を用い
て、櫛形電極１０３を形成している。

【００６２】本実施の形態の製造方法は、基本的には、
実施の形態１と同様の方法であるが、形成する親水化処
理領域１０７Ｅの形状に、実施の形態１とは異なる特徴
がある。以下、本実施の形態における弾性表面波装置の
製造方法について、図７を参照して詳細に説明する。

【００６３】最初に、補助基板１０２Ｅの加工方法につ
いて説明する。本発明の第２の実施の形態と同様、圧電
基板１０１Ｅの大きさ５ｍｍ×３ｍｍに対して、補助基
板１０２Ｅの大きさを１ｍｍ×２ｍｍに設定した。

【００６４】まず、少なくとも一方主面が鏡面加工され
た厚さ０．２ｍｍのタンタル酸リチウム単結晶から、補
助基板１０２Ｅの原板１０２Ｅ’（図示省略）をダイシ
ング装置等を用いて切り出す。このとき、原板１０２
Ｅ’は、後工程の研磨後に設定した大きさとなるよう、
若干大きめに切り出しておく。そして、切り出した原板
１０２Ｅ’を、ワックス等により研磨基台（図示省略）
に載置固定する。この際、原板１０２Ｅ’の切断面（最
終的に弾性表面波装置の反射境界面１０４Ｅとなる）が
研磨面となるように、原板１０２Ｅ’を研磨基台に載置
する。研磨基台に載置固定した原板１０２Ｅ’の研磨面
を鏡面仕上げすることで、原板１０２Ｅ’を補助基板１
０２Ｅとする。鏡面仕上げした研磨面が、弾性表面波装
置の反射境界面１０４Ｅを構成する補助基板１０２Ｅの
端面１０６Ｅとなる。鏡面研磨が終了した後、補助基板
１０２Ｅを研磨基台から個々に分離して洗浄する。（図
７（ａ）参照） 次に、このように形成した補助基板１０２Ｅと圧電基板
１０１Ｅとの直接接合工程について説明する。最初に、
図７（ｂ）に示すように、圧電基板１０１Ｅ上に形成さ
れた櫛形電極１０３Ｅ上に保護膜１０５Ｅを形成する。
保護膜１０５Ｅはフォトレジストを用いる。なお、この
段階では圧電基板１０１Ｅはウエハ状態で扱うことが好
ましい。

【００６５】次に、図２（ｃ）に示すように、後述する
親水化処理領域１０７Ｅを除く領域が選択的に保護され
るように、保護膜１０５Ｅをパターニングする。このと
き、親水化処理領域１０７Ｅの周縁となる保護膜１０５
Ｅの端縁１０５Ｅａが、補助基板１０２Ｅの配置位置
（弾性表面波装置の反射境界面１０４Ｅとなる）に正確
に合致して、保護膜非形成領域（＝親水化処理領域１０
７Ｅ）が補助基板１０２Ｅの配置領域に正確に合致する
ように、保護膜１０５Ｅを精度高くパターニングする。
これにより親水化処理領域１０７Ｅを形成精度高く形成
する。このような保護膜１０５Ｅの形成精度は、フォト
リソグラフィ工程により保護膜１０５Ｅをエッチングす
れば容易に得られる。

【００６６】本実施の形態では、保護膜１０５Ｅとして
フォトレジストを用いたが、保護膜１０５Ｅの材料に特
に制約はない。ただし、耐薬品性、除去性に優れた材料
を選ぶことが好ましい。

【００６７】そして、親水化処理領域１０７Ｅを除いて
保護膜１０５Ｅが形成された圧電基板１０１Ｅを親水化
処理する。すなわち、圧電基板１０１Ｅを親水化処理液
に浸すことにより、保護膜１０５Ｅで被覆されていない
親水化処理領域１０７Ｅを水酸基（−ＯＨ基）で終端し
て、親水性を示すようにする。補助基板１０２Ｅについ
ても、同様にして、基板全体を親水化処理する。このよ
うな親水化処理に用いる親水化処理液としては、例え
ば、過酸化水素水と水酸化アンモニウム水溶液の混合水
溶液を使用する。なお、補助基板１０２Ｅは必ずしも基
板全体を親水化処理する必要はない。補助基板１０２Ａ
Ｅの表面のうち、少なくとも、圧電基板１０１Ａに対す
る接合面を親水化処理すればよい。

【００６８】次に、圧電基板１０１Ｅと補助基板１０２
Ｅとの基材接合工程について説明する。保護膜１０５Ｅ
を形成したうえで親水化処理した圧電基板１０１Ｅと、
基板全体を親水化処理した補助基板１０２Ｅとを純水中
に浸漬する。すると、親水化処理された領域（補助基板
１０２Ｅの全面および圧電基板１０１Ｅの親水化処理領
域１０７Ｅ）にのみ水分子が付着する。そして、水分子
が付着した圧電基板１０１Ｅの親水化処理領域１０７Ｅ
と、補助基材１０２Ｅとを両者の位置が概ね合致するよ
うに重ね合わせる。すると、親水化処理領域１０７Ｅの
界面（保護膜端縁１０５Ｅａ）および補助基板１０２Ｅ
の界面に介在する水分子の表面張力により、補助基板１
０２Ｅは自動的に親水化処理領域１０７Ｅ上の正確な位
置に位置修正される。ここでいう正確な位置とは、補助
基板１０２Ｅの端面１０６Ｅが櫛形電極１０３Ｅから所
定の距離を保ち、かつ、櫛形電極１０３Ｅの電極指と補
助基板１０２Ｅの端縁１０６Ｅとが平行になる位置をい
う。このように、精密な位置合わせを行うことなく、圧
電基板１０１Ｅ上の親水化処理領域１０７Ｅに補助基板
１０２Ｅを精度よく配置することが可能となるので、補
助基板１０２Ｅを載置する時間を大幅に短縮することが
できる。また、高度な位置決め精度を必要としないた
め、製造装置を大幅に低廉化することができる。

【００６９】このようにして補助基板１０２Ｅを圧電基
板１０１Ｅ上に配置することで、両基板１０２Ｅ、１０
１Ｅは水素結合または分子間力により初期接合されるる
ことになる。（図７（ｄ）、（ｅ）参照） 両基板１０
１Ｅ、１０２Ｅを初期接合したのち、保護膜１０５Ｅ
（フォトレジスト）を、酸素プラズマアッシングにより
除去する。（図２（ｆ）参照） この状態でも、両基板１０１Ｅ、１０２Ｅは、ある程度
の強度で接合されることになる。しかしながら、さら
に、両基板１０１Ｅ、１０２Ｅの接合強度を高めるため
には、初期接合された両基板１０１Ｅ、１０２Ｅをさら
に熱処理して、より強固に接合することが好ましい。本
実施の形態では、窒素中、２５０℃、無加圧で熱処理を
行った。これにより、圧電基板１０１Ｅと補助基板１０
２Ｅとの接合は、共有結合による接合が主となり、バル
ク強度と同等の接合強度を確保することができる。した
がって、弾性表面波装置として、十分な信頼性を保つこ
とができるようになる。

【００７０】以上で、本発明による弾性表面波装置は作
製される。この実施の形態の弾性表面波装置は、実施の
形態１〜３と同様の作用効果を奏することができるが、
さらには、次のような作用効果を奏することができる。
すなわち、圧電基板１０１Ｅと補助基板Ｅとを位置合わ
せする工程において、補助基板１０２Ｅが配置される圧
電基板１０１Ｅ上の領域に正確に合致する親水化処理領
域１０７Ｅを予め形成することにより、圧電基板１０１
Ｅと補助基板１０２Ｅとの接合に際し、精密な位置合わ
せを必要とすることなく、補助基板１０２Ｅを所定の位
置に正確に配置することを、より精度高く行うことが可
能となった。これにより、製造設備を大幅に低廉化する
ことができ、弾性表面波装置の製造コストを抑制するこ
とができるとともに、製造時間の短縮を図ることができ
る。

【００７１】以上説明した実施の形態では、圧電基板１
０１Ａ〜１０１Ｅ上に単一の櫛形電極１０３Ａ〜１０３
Ｅを設けた弾性表面波装置において、本発明を実施して
いたが、本発明は、このようなものに限定されるもので
はなく、図８、図９に示すように、圧電基板１０１Ｆ、
１０１Ｇ上に複数の櫛形電極１０３Ｆ、１０３Ｇを設け
た弾性表面波装置においても、本発明を実施できるのは
いうまでもない。すなわち、図８に示す弾性表面波装置
では、圧電基板１０１Ｆ上に複数の櫛形電極部１０３
Ｆ、１０３Ｆ、…が形成されている。さらに、それぞれ
の櫛形電極１０３Ｆ、１０３Ｆ、…は、圧電基板１０１
Ｆ上で互いに電気的に接続されている。そして、各櫛形
電極１０３Ｆ、１０３Ｆの、弾性表面波の伝搬方向αに
沿って櫛形電極１０３Ｆ、１００３Ｆより外側に補助電
極１０２Ｆ、１０２Ｆ、…が配設されている。また、弾
性表面波の伝搬方向αと直交する方向に沿って隣接する
補助電極１０２Ｆ、１０２Ｆ、…どうしは、一体化され
て連結している。

【００７２】また、図９に示す弾性表面波装置では、圧
電基板１０１Ｇ上には複数の櫛形電極部１０３Ｇ、１０
３Ｇ、…が形成されている。さらに、それぞれの櫛形電
極１０３Ｇ、１０３Ｇ、…は、圧電基板１０１Ｇ上で互
いに電気的に接続されている。そして、このような特徴
を備えた弾性表面波装置において、各櫛形電極１０３
Ｆ、１０３Ｆの、弾性表面波の伝搬方向αに沿って櫛形
電極１０３Ｇ、１００３Ｇより外側に補助電極１０２
Ｇ、１０２Ｇ、…が配設されている。また、弾性表面波
の伝搬方向αと直交する方向に沿って隣接する補助電極
１０２Ｆ、１０２Ｆ、…どうしは、一体化されて連結し
ている。

【００７３】以上説明した図９の弾性表面波装置の構成
は、基本的には、図８に示す弾性表面波装置と同様であ
る。この弾性表面波装置は、次の構成に特徴がある。す
なわち、櫛形電極１０３Ｇを挟んでその弾性表面波伝搬
方向αに沿って対向配置される補助基板１０２Ｇ、１０
２Ｇを、連結部１０２Ｇａにより連結して一体化してい
る。そして、連結部１０２Ｇａの底部にその幅ｊ（弾性
表面波の伝搬方向と直交する方向に沿った幅）の端から
端まで連続してその両端が外部に開放された凹部１０２
Ｇｂを形成する。そして、この凹部１０２Ｇｂにより連
結部１０２Ｇａを櫛形電極１０３Ｇから離間させる。さ
らには、凹部１０２Ｇｂの弾性表面波の伝搬方向αに沿
った端縁を各補助基板１０２Ｇの端面１０６Ｇとし、こ
の端面１０６Ｇによって反射境界面１０４Ｇを構成して
いる。

【００７４】なお、図８、図９に示した本発明の変形例
における補助基板１０２Ｆ、１０２Ｇの搭載方法（直接
接合を用いた位置合わせおよび接合）は、実施の形態１
〜４と同様であるのでは、その説明は省略する。

【００７５】以上説明した図８、図９に示す弾性表面波
装置において、本発明を実施すれば、圧電基板１０１
Ｆ、１０１Ｇ上に複数配設された櫛形電極１０３Ｆ、１
０３Ｇに対して、単一もしくはごく少数の補助基板１０
１Ｆ、１０１Ｇ（図８、図９では単一）を設ければよい
ので、その分、補助基板１０１Ｆ、１０１Ｇの取り付け
作業の簡略化を図ることができるという利点がある。

【００７６】また、図８、図９に示す弾性表面波装置で
は、複数の櫛形電極１０３Ｆ、１０３Ｇは、梯子型に接
続されており、装置全体としてフィルタ機能を持たせて
いる。この例から明らかなように、弾性表面波共振子単
体だけではなく、弾性表面波共振子を複数個接続してな
る弾性表面波装置においても、本発明を実施することが
でき、その場合でも同様の効果を得ることができる。例
えば、櫛形電極を隣り合わせに配置し、その両側に補助
基板を配置することにより２ポートの弾性表面波共振子
を得ることができる。また、櫛形電極を隣り合わせに３
つ配置した縦モードフィルタや、多数この櫛形電極を配
置した多電極型フィルタ、櫛形電極を伝搬方向と垂直方
向に配置した横モードフィルタなどにも適用できること
は明らかである。

【００７７】なお、上述した各実施の形態では、選択的
に親水化処理領域１０７Ａ、１０７Ｅを形成したうえ
で、水を介する直接接合により補助基板１０２Ａ〜１０
２Ｇを圧電基板１０１Ａ〜１０１Ｇに接合することで、
補助基板１０２Ａ〜１０２Ｇの高精度の位置決め操作の
簡便化を実現していたが、このような高精度の位置決め
操作の簡便化を望まないのであれば、補助基板１０２Ａ
〜１０２Ｇの水を介さない直接接合により補助基板を接
合してもよいのはいうまでもない。

【００７８】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
櫛形電極で励振された弾性表面波を、反射境界面で効率
的に反射させることができ、従来必要であった多数本か
らなる反射器をなくすことが可能となり、弾性表面波装
置を大幅に小型化することが可能となった。

【００７９】また、圧電基板と、補助基板とを同じ材料
から構成することにより、直接接合時の熱処理温度を十
分に高くすることができ、無加圧接合においても十分な
接合強度を得ることができる。これにより、信頼性に優
れた弾性表面波装置を得ることができた。

【００８０】また、補助基板の厚さが、弾性表面波波長
に比べて厚くすることで、弾性表面波の反射効率を向上
させることができ、Ｑ値の高い高性能の弾性表面波装置
を得ることができた。

【００８１】また、圧電基板と、補助基板とを、異なる
材料で構成することにより、反射境界面における音響不
連続量を大きくすることができ、反射係数を向上させる
ことができた。これにより、共振特性に優れた弾性表面
波装置を得ることが可能となる。

【００８２】また、補助基板の密度を、圧電基板の密度
よりも大きい構成とすることで、反射境界面における音
響不連続量を大きくすることができ、反射係数を向上さ
せることができた。これにより、共振特性に優れた弾性
表面波装置を得ることが可能となる。

【００８３】また、圧電基板と補助基板とを位置合わせ
する工程において、補助基板が配置される圧電基板上の
領域にあらかじめ親水化処理領域を形成することによ
り、圧電基板と補助基板との機械的な位置合わせを精密
に行わずとも、所定の位置に正確に補助基板を配置する
ことができるようになった。これにより、特性ばらつき
が小さい弾性表面波装置を得るとともに、製造コストを
低減することが可能となる。

【００８４】また、補助基板に少なくとも一つ以上の反
射端面を形成する工程において、レーザ加工またはプラ
ズマ加工を用いることにより、反射端面の加工精度を向
上させることができ、端面研磨の工程を割愛、または簡
略化することができ、製造コストを低減することができ
た。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態１における弾性表面波装置
の構成を示す斜視図である。

【図２】実施の形態１における弾性表面波装置の製造方
法を示す概略図である。

【図３】本発明の実施の形態２における弾性表面波装置
の構成を示す斜視図である。

【図４】実施の形態１、２の変形例である弾性表面波装
置の構成を示す斜視図である。

【図５】本発明の実施の形態３における弾性表面波装置
の構成を示す分解斜視図である。

【図６】実施の形態３の変形例である弾性表面波装置の
構成を示す分解斜視図である。

【図７】本発明の実施の形態４における弾性表面波装置
の構成を示す分解図である。

【図８】実施の形態４の第１の変形例である弾性表面波
装置の構成を示す斜視図である。

【図９】実施の形態４第２の変形例である弾性表面波装
置の構成を示す分解斜視図である。

【図１０】従来の弾性表面波装置の構成を示す斜視図で
ある。

【符号の説明】

１０１Ａ〜１０１Ｇ 圧電基板 １０２Ａ〜１０２Ｇ 補助基板 １０３Ａ〜１０３Ｇ 櫛形電極 １０４Ａ〜１０４Ｇ 反射境界面 １０５Ａ、１０５Ｅ 保護膜 １０７Ａ、１０７Ｅ 親水化処理領域

フロントページの続き (72)発明者 冨田 佳宏 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 5J097 AA24 AA28 AA29 AA32 EE02 EE08 FF04 HA03 HA07 HA08 HA09

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 櫛形電極を有する圧電基板に補助基板を
   設け、この補助基板に、前記櫛形電極によって励振され
   る弾性表面波を反射させる反射境界面を設けたことを特
   徴とする弾性表面波装置。
2. 【請求項２】 請求項１記載の弾性表面波装置であっ
   て、 前記補助基板を、前記弾性表面波の伝搬方向に沿って前
   記櫛形電極より外側に配置したことを特徴とする弾性表
   面波装置。
3. 【請求項３】 請求項２記載の弾性表面波装置であっ
   て、 前記反射境界面を、前記櫛形電極の電極指と平行となる
   ように配置したことを特徴とする弾性表面波装置。
4. 【請求項４】 請求項１ないし３のいずれか記載の弾性
   表面波装置であって、 前記圧電基板と前記補助基板とを、実質的に直接接合し
   たことを特徴とする弾性表面波装置。
5. 【請求項５】 請求項１ないし４のいずれか記載の弾性
   表面波装置であって、 前記圧電基板と、前記補助基板とを実質的に同じ材料か
   ら構成したことを特徴とする弾性表面波装置。
6. 【請求項６】 請求項１ないし５のいずれか記載の弾性
   表面波装置であって、 前記補助基板の厚さを、弾性表面波の波長に比べて厚く
   したことを特徴とする弾性表面波装置。
7. 【請求項７】 請求項１ないし５のいずれか記載の弾性
   表面波装置であって、 前記補助基板の密度を、前記圧電基板の密度よりも大き
   くしたことを特徴とす弾性表面波装置。
8. 【請求項８】 弾性表面波励起用の櫛形電極を有する圧
   電基板に、補助基板を設けるともに、この補助基板に、
   前記弾性表面波を反射させる反射境界面を設けてなる弾
   性表面波装置の製造方法であって、 前記圧電基板の表面のうち、前記補助基板が配置される
   領域を選択的に親水化処理する工程と、 前記補助基板の接合面を親水化処理する工程と、 前記圧電基板の前記領域に、水酸基を有する液体を介し
   て前記補助基板の前記接合面を重ね合わせて接合する工
   程と、 を含むことを特徴とする弾性表面波装置の製造方法。
9. 【請求項９】 請求項８記載の弾性表面波装置の製造方
   法であって、 水酸基を有する液体を介して重ね合わせた前記圧電基板
   と前記補助基板とを熱処理する工程を更に含むことを特
   徴とする弾性表面波装置の製造方法。
10. 【請求項１０】 請求項８または９記載の弾性表面波装
    置の製造方法であって、 前記水酸基を含む液体として、水を主成分とする液体を
    用いることを特徴とする弾性表面波装置の製造方法。
11. 【請求項１１】 請求項８ないし１０のいずれか記載の
    弾性表面波装置の製造方法であって、 前記補助基板に、前記反射端面を形成する工程を、レー
    ザ加工プラズマ加工、もしくは化学エッチング加工を用
    いて行うことを特徴とす弾性表面波装置の製造方法。