WO2022080462A1

WO2022080462A1 - 弾性波装置及び弾性波装置の製造方法

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Publication number: WO2022080462A1
Application number: PCT/JP2021/038099
Authority: WO
Inventors: 和則井上
Original assignee: 株式会社村田製作所
Priority date: 2020-10-14
Filing date: 2021-10-14
Publication date: 2022-04-21
Also published as: US20230246619A1

Abstract

電極部の耐湿性の向上を図る弾性波装置を提供する。弾性波装置は、互いに反対方向を向く第１の主面及び第２の主面を有する圧電層と、圧電層の厚み方向と交差する交差方向に対向し、かつ第１の主面の上に設けられた少なくとも１対の電極と、第２の主面に設けられ、厚み方向に平面視して少なくとも１対の電極の少なくとも一部と重なり、かつ支持基板を貫通する第１空洞部を有する枠状の支持基板と、支持基板に対し圧電層の反対側に設けられ、第１空洞部を閉塞する樹脂シートと、第２空洞部を有する枠状を成し、第１の主面に設けられて圧電層及び一対の電極を囲む金属枠と、金属枠に対して圧電層と反対側に設けられ、第２空洞部を閉塞する無機材料から成る無機シートと、を備える。

Description

弾性波装置及び弾性波装置の製造方法

　本開示は、ニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムを含む圧電層を有する弾性波装置及び弾性波装置の製造方法に関する。

　特許文献１には、弾性波装置が記載されている。

特開２０１２－２５７０１９号公報

　弾性波装置では、電極部（第１の電極、第２の電極（一対の電極）、及び第１のバスバー、第２のバスバー）の表面に保護膜を付けない場合、耐湿性が劣化する可能性がある。

　本開示は、上記に鑑みてなされたものであって、電極部の耐湿性の向上を図る弾性波装置及び弾性波装置の製造方法を提供することを目的とする。

　一態様に係る弾性波装置は、互いに反対方向を向く第１の主面及び第２の主面を有する圧電層と、前記圧電層の厚み方向と交差する交差方向に対向し、かつ前記第１の主面の上に設けられた少なくとも１対の電極と、前記第２の主面に設けられ、前記厚み方向に平面視して前記少なくとも１対の電極の少なくとも一部と重なり、かつ支持基板を貫通する第１空洞部を有する枠状の前記支持基板と、前記支持基板に対し前記圧電層の反対側に設けられ、前記第１空洞部を閉塞する樹脂シートと、第２空洞部を有する枠状を成し、前記第１の主面に設けられて前記圧電層及び一対の前記電極を囲む金属枠と、前記金属枠に対して前記圧電層と反対側に設けられ、前記第２空洞部を閉塞する無機材料から成る無機シートと、を備える。

　他の態様に係る弾性波装置は、互いに反対方向を向く第１の主面及び第２の主面を有する圧電層と、前記第１の主面に対する垂線と平行な厚み方向と交差する交差方向に対向しつつ、かつ前記第１の主面の上に設けられた少なくとも１対の電極と、前記第２の主面に設けられており、前記厚み方向に平面視して前記少なくとも１対の電極の少なくとも一部と重なり、かつ支持基板を貫通する第１空洞部を有する前記支持基板と、前記支持基板に対し前記圧電層の反対側に設けられ、前記第１空洞部を閉塞する第１蓋部と、前記第１の主面に設けられ、前記少なくとも１対の電極のそれぞれに電気的に接続する配線電極と、前記少なくとも１対の電極を囲むように設けられ、第２空洞部を有する枠状の支持枠と、前記支持枠に対して前記圧電層と反対側に設けられ、前記第２空洞部を閉塞する第２蓋部と、を備える。

　他の態様に係る弾性波装置の製造方法は、第１基板準備工程と、無機シート準備工程と、接合工程と、第１空洞部形成工程と、樹脂シート形成工程と、を含む。第１基板準備工程は、第１基板を準備する。第１基板は、互いに反対方向を向く第１の主面及び第２の主面を有する圧電層と、前記圧電層の厚みと平行な厚み方向と交差する交差方向に対向し、かつ前記第１の主面の上に設けられた少なくとも１対の電極と、前記第２の主面に設けられた板状の支持基板と、前記第１の主面に設けられて前記圧電層及び前記少なくとも１対の電極を囲む枠状の第１金属枠と、を備える。無機シート準備工程は、無機シート上に、枠状の第２金属枠を設ける。接合工程は、前記第１基板準備工程と前記無機シート準備工程の後、前記無機シートが前記少なくとも１対の電極を覆うように前記第１基板と前記無機シートとを重ね合わせ、前記第１金属枠と前記第２金属枠とを接合する。第１空洞部形成工程は、前記接合工程の後、エッチングにより前記支持基板に第１空洞部を形成する。樹脂シート形成工程は、前記第１空洞部形成工程の後、前記第１空洞部を閉塞する樹脂シートを前記支持基板に設ける。

　他の態様に係る弾性波装置の製造方法は、中間体準備工程と、第１蓋部形成工程と、支持枠形成工程と、第２蓋部形成工程と、端子穴形成工程と、アンダーバンプメタル形成工程と、バンプ形成工程と、を含む。中間体準備工程は、中間体を準備する。中間体は、互いに反対方向を向く第１の主面及び第２の主面を有する圧電層と、前記第１の主面に対する垂線と平行な厚み方向と交差する交差方向に対向しつつ、かつ前記第１の主面の上に設けられた少なくとも１対の電極と、前記第１の主面の上で各前記電極のそれぞれに電気的に接続する配線電極と、前記第２の主面の上に設けられており、前記厚み方向に平面視して前記少なくとも１対の電極の少なくとも一部と重なり支持基板を貫通する第１空洞部を有する前記支持基板と、を備える。第１蓋部形成工程は、前記中間体準備工程の後、各前記第１空洞部を閉塞する第１蓋部を前記支持基板に設ける。支持枠形成工程は、前記第１蓋部形成工程の後、第２空洞部を有する支持枠を設ける。第２蓋部形成工程は、前記支持枠形成工程の後、前記第２空洞部を閉塞する第２蓋部を、前記支持枠に設ける。端子穴形成工程は、前記第２蓋部形成工程の後、前記支持枠及び前記第２蓋部を貫通、又は前記支持基板及び前記第１蓋部を貫通する複数の端子穴を形成する。アンダーバンプメタル形成工程は、前記端子穴形成工程の後、各前記端子穴にアンダーバンプメタルを設ける。バンプ形成工程は、前記アンダーバンプメタル形成工程の後、各前記アンダーバンプメタルにバンプを設ける。

　他の態様に係る弾性波装置の製造方法は、中間体準備工程と、支持枠形成工程と、蓋部形成工程と、端子穴形成工程と、アンダーバンプメタル形成工程と、バンプ形成工程と、を含む。中間体準備工程は、中間体を準備する。中間体は、互いに反対方向を向く第１の主面及び第２の主面を有する圧電層と、前記第１の主面に対する垂線と平行な厚み方向と交差する交差方向に対向しつつ、かつ前記第１の主面の上に設けられた少なくとも１対の電極と、前記第１の主面の上で各前記電極のそれぞれに電気的に接続する配線電極と、前記第２の主面の上に設けられており、前記厚み方向に平面視して前記少なくとも１対の電極の少なくとも一部と重なり支持基板を貫通する第１空洞部を有する前記支持基板と、を備える。支持枠形成工程は、前記中間体準備工程の後、第２空洞部を有する支持枠を設ける。蓋部形成工程は、前記支持枠形成工程の後、前記第１空洞部を閉塞する第１蓋部を前記支持基板に設け、かつ前記第２空洞部を閉塞する第２蓋部を前記支持枠に設ける。端子穴形成工程は、前記蓋部形成工程の後、各前記支持枠及び前記第２蓋部を貫通、又は前記支持基板及び前記第１蓋部を貫通する複数の端子穴を形成する。アンダーバンプメタル形成工程は、前記端子穴形成工程の後、各前記端子穴にアンダーバンプメタルを設ける。バンプ形成工程は、前記アンダーバンプメタル形成工程の後、各前記アンダーバンプメタルにバンプを設ける。

　他の態様に係る弾性波装置の製造方法は、複数の弾性波装置が一体化した弾性波装置集合体を準備する集合体準備工程と、前記集合体準備工程の後、前記弾性波装置集合体を個片化する個片化工程と、を含む。前記集合体準備工程は、中間体準備工程と、支持枠形成工程と、第２蓋部形成工程と、第１空洞部形成工程と、第１蓋部形成工程と、端子穴形成工程と、アンダーバンプメタル形成工程と、バンプ形成工程と、を含む。中間体準備工程は、中間体を準備する。中間体は、互い反対方向を向く第１の主面及び第２の主面を有し、前記第１の主面に対する垂と平行な厚み方向から視て区分けされた複数の個片化領域を有する圧電層と、各前記個片化領域に設けられ、かつ前記厚み方向と交差する交差方向に対向しつつ前記第１の主面の上に設けられた少なくとも１対の電極と、各前記個片化領域に設けられ、前記第１の主面の上で各前記電極のそれぞれ電気的に接続する配線電極と、前記個片化領域の境界線を跨ぐように前記第２の主面の上に設けられた支持基板と、を備える。支持枠形成工程は、前記中間体準備工程の後、第２空洞部を有する支持枠を複数設ける。第２蓋部形成工程は、前記支持枠形成工程の後、前記第２空洞部を閉塞する第２蓋部を、複数の前記支持枠に跨って設ける。第１空洞部形成工程は、前記第２蓋部形成工程の後、前記支持基板の各前記個片化領域に前記支持基板を貫通する第１空洞部を形成する。第１蓋部形成工程は、前記第１空洞部形成工程の後、各前記第１空洞部を閉塞する第１蓋部を、前記支持基板に設ける。端子穴形成工程は、前記第２蓋部形成工程の後、各前記支持枠及び前記第２蓋部を貫通、又は前記支持基板及び前記第１蓋部を貫通する複数の端子穴を形成する。アンダーバンプメタル形成工程は、前記端子穴形成工程の後、各前記端子穴にアンダーバンプメタルを設ける。バンプ形成工程は、前記アンダーバンプメタル形成工程の後、各前記アンダーバンプメタルにバンプを設ける。前記個片化工程は、前記個片化領域の境界線に沿って、前記圧電層、前記支持基板、前記第１蓋部、及び前記第２蓋部を切断する。

　本開示によれば、電極部の耐湿性の向上を図ることができる。

図１Ａは、実施形態の弾性波装置を示す斜視図である。図１Ｂは、実施形態の電極構造を示す平面図である。図２は、図１ＡのＩＩ－ＩＩ線に沿う部分の断面図である。図３Ａは、比較例の圧電層を伝播するラム波を説明するための模式的な断面図である。図３Ｂは、各実施形態の圧電層を伝播する厚み滑り１次モードのバルク波を説明するための模式的な断面図である。図４は、各実施形態の圧電層を伝播する厚み滑り１次モードのバルク波の振幅方向を説明するための模式的な断面図である。図５は、実施形態の弾性波装置の共振特性の例を示す説明図である。図６は、各実施形態の弾性波装置において、隣り合う電極の中心間距離または中心間距離の平均距離をｐ、圧電層の平均厚みをｄとした場合、ｄ／２ｐと、共振子としての比帯域との関係を示す説明図である。図７は、実施形態の弾性波装置において、１対の電極が設けられている例を示す平面図である。図８は、実施形態の弾性波装置の共振特性の一例を示す参考図である。図９は、各実施形態に従って、多数の弾性波共振子を構成した場合の比帯域と、スプリアスの大きさとしての１８０度で規格化されたスプリアスのインピーダンスの位相回転量との関係を示す図である。図１０は、ｄ／２ｐと、メタライゼーション比ＭＲと、比帯域との関係を示す図である。図１１は、ｄ／ｐを限りなく０に近づけた場合のＬｉＮｂＯ_３のオイラー角（０°，θ，ψ）に対する比帯域のマップを示す図である。図１２は、第１実施形態の弾性波装置の構成を示す模式図である。図１３は、図１２の矢印ＸＩＩＩで指す方向から視た図である。図１４は、図１２のＸＩＶ－ＸＩＶ線矢視断面図である。図１５は、図１２のＸＶ－ＸＶ線矢視断面図である。図１６は、第１基板準備工程の準備工程を示す図である図１７は、第１基板準備工程の第１レジスト工程を示す図である。図１８は、第１基板準備工程の第１金属層成膜工程を示す図である。図１９は、第１基板準備工程の第１レジスト除去工程を示す図である。図２０は、第１基板準備工程の第２レジスト工程を示す図である。図２１は、第１基板準備工程のエッチング工程を示す図である。図２２は、第１基板準備工程の第２レジスト除去工程を示す図である。図２３は、第１基板準備工程の絶縁膜形成工程を示す図である。図２４は、第１基板準備工程の第３レジスト工程を示す図である。図２５は、第１基板準備工程の第２金属層成膜工程を示す図である。図２６は、第１基板準備工程の第３レジスト除去工程を示す図である。図２７は、第１基板準備工程の窓開け工程を示す図である。図２８は、無機シート準備工程の準備工程を示す図である。図２９は、無機シート準備工程のシード層積層工程を示す図である。図３０は、無機シート準備工程のレジスト工程を示す図である。図３１は、無機シート準備工程の金属積層工程を示す図である。図３２は、無機シート準備工程のレジスト除去工程を示す図である。図３３は、無機シート準備工程のシード層除去工程を示す図である。図３４は、接合工程を示す図である。図３５は、研削工程を示す図である。図３６は、第１空洞部形成工程のレジスト工程を示す図である。図３７は、第１空洞部形成工程のエッチング工程を示す図である。図３８は、第１空洞部形成工程のレジスト除去工程を示す図である。図３９は、第１空洞部形成工程の検査工程を示す図である。図４０は、樹脂シート形成工程を示す図である。図４１は、端子穴形成工程を示す図である。図４２は、樹脂シート形成工程のシード層形成工程を示す図である。図４３は、樹脂シート形成工程のめっきレジスト形成工程を示す図である。図４４は、樹脂シート形成工程のＵＢＭ形成工程を示す図である。図４５は、めっきレジスト除去工程を示す図である。図４６は、シード層除去工程を示す図である。図４７は、ＢＧＡ形成工程を示す図である。図４８は、個片化工程を示す図である。図４９は、第１実施形態の第１変形例に係る弾性波装置の構成を示す模式図である。図５０は、第１実施形態の第２変形例に係る弾性波装置の構成を示す模式図である。図５１は、第２実施形態の弾性波装置の構成を示す模式図である。図５２は、図５１の矢印ＬＩＩ方向から視た平面図である。図５３は、図５１のＬＩＩＩ－ＬＩＩＩ線矢視断面図である。図５４は、図５１のＬＩＶ－ＬＩＶ線矢視断面図である。図５５は、第１製造方法の中間体準備工程を示す図である。図５６は、第１製造方法の第１蓋部形成工程を示す図である。図５７は、第１製造方法の支持枠形成工程を示す図である。図５８は、第１製造方法の第２蓋部形成工程を示す図である。図５９は、第１製造方法の端子穴形成工程を示す図である。図６０は、第１製造方法の端子穴形成工程を示す図である。図６１は、第１製造方法のバンプ形成工程を示す図である。図６２は、第１製造方法個片化工程を示す図である。図６３は、第２製造方法の中間体準備工程を示す図である。図６４は、第２製造方法の支持枠形成工程を示す図である。図６５は、第２製造方法の支持枠形成工程を示す図である。図６６は、第２製造方法の端子穴形成工程を示す図である。図６７は、第２製造方法のアンダーバンプメタル形成工程を示す図である。図６８は、第２製造方法のバンプ形成工程を示す図である。図６９は、第２製造方法の個片化工程を示す図である。図７０は、第３製造方法の集合体準備工程の第２蓋部形成工程の中間体を示す構成図である。図７１は、第３製造方法の集合体準備工程の第１空洞部形成工程を示す図である。図７２は、第３製造方法の集合体準備工程の第１蓋部形成工程を示す図である。図７３は、第３製造方法の個片化工程を示す図である。図７４は、第２実施形態の第３変形例に係る弾性波装置の構成を示す模式図である。図７５は、第２実施形態の第４変形例に係る弾性波装置の構成を示す模式図であり、詳細には、図７７のＬＸＸＶ－ＬＸＸＶ線矢視断面図である。図７６は、図７５の矢印ＬＸＸＶＩ方向から視た図である。図７７は、図７５のＬＸＸＶＩＩ－ＬＸＸＶＩＩ線矢視断面図である。図７８は、図７７の弾性波装置から支持枠と内部補強部を取り除いた状態の平面図である。

　以下に、本開示の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施の形態により本開示が限定されるものではない。なお、本開示に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換または組み合わせが可能である変形例や第２実施の形態以降では第１実施形態と共通の事柄についての記述を省略し、異なる点についてのみ説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については実施形態毎には逐次言及しない。

（実施形態）
　図１Ａは、実施形態の弾性波装置を示す斜視図である。図１Ｂは、実施形態の電極構造を示す平面図である。図２は、図１ＡのＩＩ－ＩＩ線に沿う部分の断面図である。最初に、各実施形態の弾性波装置の基本的構成を説明する。各実施形態の弾性波装置は、ニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムからなる圧電層と、圧電層の厚み方向に交差する方向において対向する第１電極及び第２電極と、を備える。弾性波装置は、厚み滑り１次モードのバルク波が利用されている。また、弾性波装置は、第１電極及び第２電極は隣り合う電極同士であり、圧電層の厚みをｄ、第１電極及び第２電極の中心間距離をｐとした場合、ｄ／ｐが０．５以下とされている。それによって、弾性波装置は、小型化を進めた場合であっても、Ｑ値を高めることができる。

　詳細には、図１Ａと図１Ｂと図２に示すように、各実施形態の弾性波装置１は、ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電層２を有する。圧電層２は、ＬｉＴａＯ_３からなるものであってもよい。ＬｉＮｂＯ_３やＬｉＴａＯ_３のカット角は、各実施形態では、Ｚカットである。本開示においては、ＬｉＮｂＯ_３やＬｉＴａＯ_３のカット角は、回転ＹカットやＸカットであってもよい。好ましくは、Ｙ伝搬及びＸ伝搬±３０°の伝搬方位が好ましい。

　圧電層２の厚みは、特に限定されないが、厚み滑り１次モードを効果的に励振するには、５０ｎｍ以上、１０００ｎｍ以下が好ましい。圧電層２について、各実施形態でメンブレンと称する場合がある。

　圧電層２は、Ｚ方向に対向し合う第１の主面２ａと、第２の主面２ｂとを有する。第１の主面２ａ上に、電極３及び電極４が設けられている。ここで電極３が「第１の電極」の一例であり、電極４が「第２の電極」の一例である。図１Ａ及び図１Ｂでは、複数の電極３が、第１のバスバー５に接続されている。複数の電極４は、第２のバスバー６に接続されている。複数の電極３及び複数の電極４は、互いに間挿し合っている。以下、第１の電極（電極３）及び第２の電極（電極４）と、第１のバスバー５及び第２のバスバー６とをまとめて電極部を称する場合がある。

　電極３及び電極４は、矩形形状を有し、長さ方向を有する。この長さ方向と直交する方向において、電極３と、電極３と隣り合う電極４とが対向している。電極３、電極４の長さ方向、及び、電極３、電極４の長さ方向と直交する方向はいずれも、圧電層２の厚み方向に交差する方向である。このため、電極３と、電極３と隣り合う電極４とは、圧電層２の厚み方向に交差する方向において対向しているともいえる。以下の説明では、圧電層２の厚み方向をＺ方向（又は第１方向）とし、電極３、電極４の長さ方向と直交する方向をＸ方向（又は第２方向）とし、電極３、電極４の長さ方向をＹ方向（又は第３方向）として、説明することがある。

　また、電極３、電極４の長さ方向が図１Ａ及び図１Ｂに示す電極３、電極４の長さ方向に直交する方向と入れ替わってもよい。すなわち、図１Ａ及び図１Ｂにおいて、第１のバスバー５及び第２のバスバー６が延びている方向に電極３、電極４を延ばしてもよい。その場合、第１のバスバー５及び第２のバスバー６は、図１Ａ及び図１Ｂにおいて電極３、電極４が延びている方向に延びることとなる。そして、一方の電位に接続される電極３と、他方の電位に接続される電極４とが隣り合う１対の構造が、上記電極３、電極４の長さ方向と直交する方向に、複数対設けられている。

　ここで電極３と電極４とが隣り合うとは、電極３と電極４とが直接接触するように配置されている場合ではなく、電極３と電極４とが間隔を介して配置されている場合を指す。また、電極３と電極４とが隣り合う場合、電極３と電極４との間には、他の電極３、電極４を含む、ホット電極やグラウンド電極に接続される電極は配置されない。この対数は、整数対である必要はなく、１．５対や２．５対などであってもよい。

　電極３と電極４との間の中心間距離すなわちピッチは、１μｍ以上、１０μｍ以下の範囲が好ましい。また、電極３と電極４との間の中心間距離とは、電極３の長さ方向と直交する方向における電極３の幅寸法の中心と、電極４の長さ方向と直交する方向における電極４の幅寸法の中心とを結んだ距離となる。

　さらに、電極３、電極４の少なくとも一方が複数本ある場合（電極３、電極４を一対の電極組とした場合に、１．５対以上の電極組がある場合）、電極３、電極４の中心間距離は、１．５対以上の電極３、電極４のうち隣り合う電極３、電極４それぞれの中心間距離の平均値を指す。

　また、電極３、電極４の幅、すなわち電極３、電極４の対向方向の寸法は、１５０ｎｍ以上、１０００ｎｍ以下の範囲が好ましい。なお、電極３と電極４との間の中心間距離とは、電極３の長さ方向と直交する方向における電極３の寸法（幅寸法）の中心と、電極４の長さ方向と直交する方向における電極４の寸法（幅寸法）の中心とを結んだ距離となる。

　また、各実施形態では、Ｚカットの圧電層を用いているため、電極３、電極４の長さ方向と直交する方向は、圧電層２の分極方向に直交する方向となる。圧電層２として他のカット角の圧電体を用いた場合には、この限りでない。ここにおいて、「直交」とは、厳密に直交する場合のみに限定されず、略直交（電極３、電極４の長さ方向と直交する方向と分極方向とのなす角度が例えば９０°±１０°）でもよい。

　圧電層２の第２の主面２ｂ側には、絶縁層７を介して支持部材８が積層されている。絶縁層７及び支持部材８は、枠状の形状を有し、図２に示すように、開口部７ａ、８ａを有する。それによって、空洞部（エアギャップ）９が形成されている。

　空洞部９は、圧電層２の励振領域Ｃの振動を妨げないために設けられている。従って、上記支持部材８は、少なくとも１対の電極３、電極４が設けられている部分と重ならない位置において、第２の主面２ｂに絶縁層７を介して積層されている。なお、絶縁層７は設けられずともよい。従って、支持部材８は、圧電層２の第２の主面２ｂに直接または間接に積層され得る。なお、空洞部９について、各実施形態で第１空洞部９Ａと称する場合がある。

　絶縁層７は、酸化ケイ素で形成されている。もっとも、絶縁層７は、酸化ケイ素の他、酸窒化ケイ素、アルミナなどの適宜の絶縁性材料で形成することができる。

　支持部材８は、支持基板ともいい、Ｓｉにより形成されている。Ｓｉの圧電層２側の面における面方位は（１００）や（１１０）であってもよく、（１１１）であってもよい。好ましくは、抵抗率４ｋΩ以上の高抵抗のＳｉが望ましい。もっとも、支持部材８についても適宜の絶縁性材料や半導体材料を用いて構成することができる。支持部材８の材料としては、例えば、酸化アルミニウム、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶などの圧電体、アルミナ、マグネシア、サファイア、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライトなどの各種セラミック、ダイヤモンド、ガラスなどの誘電体、窒化ガリウムなどの半導体などを用いることができる。

　上記複数の電極３、電極４及び第１のバスバー５、第２のバスバー６は、Ａｌ、ＡｌＣｕ合金などの適宜の金属もしくは合金からなる。各実施形態では、電極３、電極４及び第１のバスバー５、第２のバスバー６は、Ｔｉ膜上にＡｌ膜を積層した構造を有する。なお、Ｔｉ膜以外の密着層を用いてもよい。

　駆動に際しては、複数の電極３と、複数の電極４との間に交流電圧を印加する。より具体的には、第１のバスバー５と第２のバスバー６との間に交流電圧を印加する。それによって、圧電層２において励振される厚み滑り１次モードのバルク波を利用した、共振特性を得ることが可能とされている。

　また、弾性波装置１では、圧電層２の厚みをｄ、複数対の電極３、電極４のうちいずれかの隣り合う電極３、電極４の中心間距離をｐとした場合、ｄ／ｐは０．５以下とされている。そのため、上記厚み滑り１次モードのバルク波が効果的に励振され、良好な共振特性を得ることができる。より好ましくは、ｄ／ｐは０．２４以下であり、その場合には、より一層良好な共振特性を得ることができる。

　なお、各実施形態のように電極３、電極４の少なくとも一方が複数本ある場合、すなわち、電極３、電極４を１対の電極組とした場合に電極３、電極４が１．５対以上ある場合、隣り合う電極３、電極４の中心間距離ｐは、各隣り合う電極３、電極４の中心間距離の平均距離となる。

　各実施形態の弾性波装置１では、上記構成を備えるため、小型化を図ろうとして、電極３、電極４の対数を小さくしたとしても、Ｑ値の低下が生じ難い。これは、両側に反射器を必要としない共振器であり、伝搬ロスが少ないためである。また、上記反射器を必要としないのは、厚み滑り１次モードのバルク波を利用していることによる。つぎに、従来の弾性波装置で利用したラム波と、上記した厚み滑り１次モードのバルク波の相違について図面を参照しながら説明する。

　図３Ａは、比較例の圧電層を伝播するラム波を説明するための模式的な断面図である。図３Ｂは、各実施形態の圧電層を伝播する厚み滑り１次モードのバルク波を説明するための模式的な断面図である。図４は、各実施形態の圧電層を伝播する厚み滑り１次モードのバルク波の振幅方向を説明するための模式的な断面図である。

　図３Ａでは、特許文献１に記載のような弾性波装置であり、圧電層をラム波が伝搬する。図３Ａに示すように、圧電層２０１中を矢印で示すように波が伝搬する。ここで、圧電層２０１には、第１の主面２０１ａと、第２の主面２０１ｂとがあり、第１の主面２０１ａと第２の主面２０１ｂとを結ぶ厚み方向がＺ方向である。Ｘ方向は、ＩＤＴ電極の電極指が並んでいる方向である。図３Ａに示すように、ラム波では、波が図示のように、Ｘ方向に伝搬していく。板波であるため、圧電層２０１が全体として振動するものの、波はＸ方向に伝搬するため、両側に反射器を配置して、共振特性を得ている。そのため、波の伝搬ロスが生じ、小型化を図った場合、すなわち電極指の対数を少なくした場合、Ｑ値が低下する。

　これに対して、図３Ｂに示すように、各実施形態の弾性波装置では、振動変位は厚み滑り方向であるから、波は、圧電層２の第１の主面２ａと第２の主面２ｂとを結ぶ方向、すなわちＺ方向にほぼ伝搬し、共振する。すなわち、波のＸ方向成分がＺ方向成分に比べて著しく小さい。そして、このＺ方向の波の伝搬により共振特性が得られるため、反射器を必要としない。よって、反射器に伝搬する際の伝搬損失は生じない。従って、小型化を進めようとして、電極３、電極４からなる電極対の対数を減らしたとしても、Ｑ値の低下が生じ難い。

　なお、厚み滑り１次モードのバルク波の振幅方向は、図４に示すように、圧電層２の励振領域Ｃ（図１Ｂ参照）に含まれる第１領域４５１と、励振領域Ｃに含まれる第２領域４５２とで逆になる。図４では、電極３と電極４との間に、電極４が電極３よりも高電位となる電圧が印加された場合のバルク波を模式的に示してある。第１領域４５１は、励振領域Ｃのうち、圧電層２の厚み方向に直交し圧電層２を２分する仮想平面ＶＰ１と、第１の主面２ａとの間の領域である。第２領域４５２は、励振領域Ｃのうち、仮想平面ＶＰ１と、第２の主面２ｂとの間の領域である。

　弾性波装置１では、電極３と電極４とからなる少なくとも１対の電極が配置されているが、Ｘ方向に波を伝搬させるものではないため、この電極３、電極４からなる電極対の対数は複数対ある必要は必ずしもない。すなわち、少なくとも１対の電極が設けられてさえおればよい。

　例えば、上記電極３がホット電位に接続される電極であり、電極４がグラウンド電位に接続される電極である。もっとも、電極３がグラウンド電位に、電極４がホット電位に接続されてもよい。各実施形態では、少なくとも１対の電極は、上記のように、ホット電位に接続される電極またはグラウンド電位に接続される電極であり、浮き電極は設けられていない。

　図５は、実施形態の弾性波装置の共振特性の例を示す説明図である。なお、図５に示す共振特性を得た弾性波装置１の設計パラメータは以下の通りである。

　圧電層２：オイラー角（０°，０°，９０°）のＬｉＮｂＯ_３
　圧電層２の厚み：４００ｎｍ

　励振領域Ｃ（図１Ｂ参照）の長さ：４０μｍ
　電極３、電極４からなる電極の対数：２１対
　電極３と電極４との間の中心間距離（ピッチ）：３μｍ
　電極３、電極４の幅：５００ｎｍ
　ｄ／ｐ：０．１３３

　絶縁層７１μｍの厚みの酸化ケイ素膜

　支持部材８：Ｓｉ

　なお、励振領域Ｃ（図１Ｂ参照）とは、電極３と電極４の長さ方向と直交するＸ方向に視たときに、電極３と電極４とが重なっている領域である。励振領域Ｃの長さとは、励振領域Ｃの電極３、電極４の長さ方向に沿う寸法である。

　実施形態では、電極３、電極４からなる電極対の電極間距離は、複数対において全て等しくした。すなわち、電極３と電極４とを等ピッチで配置した。

　図５から明らかなように、反射器を有しないにもかかわらず、比帯域が１２．５％である良好な共振特性が得られている。

　ところで、上記圧電層２の厚みをｄ、電極３と電極４との電極の中心間距離をｐとした場合、実施形態では、ｄ／ｐは０．５以下、より好ましくは０．２４以下である。これを、図６を参照して説明する。

　図５に示した共振特性を得た弾性波装置と同様に、但しｄ／２ｐを変化させ、複数の弾性波装置を得た。図６は、各実施形態の弾性波装置において、隣り合う電極の中心間距離または中心間距離の平均距離をｐ、圧電層の平均厚みをｄとした場合、ｄ／２ｐと、共振子としての比帯域との関係を示す説明図である。

　図６に示すように、ｄ／２ｐが０．２５を超えると、すなわちｄ／ｐ＞０．５では、ｄ／ｐを調整しても、比帯域は５％未満である。これに対して、ｄ／２ｐ≦０．２５、すなわちｄ／ｐ≦０．５の場合には、その範囲内でｄ／ｐを変化させれば、比帯域を５％以上とすることができ、すなわち高い結合係数を有する共振子を構成することができる。また、ｄ／２ｐが０．１２以下の場合、すなわちｄ／ｐが０．２４以下の場合には、比帯域を７％以上と高めることができる。加えて、ｄ／ｐをこの範囲内で調整すれば、より一層比帯域の広い共振子を得ることができ、より一層高い結合係数を有する共振子を実現することができる。従って、ｄ／ｐを０．５以下とすることにより、上記厚み滑り１次モードのバルク波を利用した、高い結合係数を有する共振子を構成し得ることがわかる。

　なお、少なくとも１対の電極は、１対でもよく、上記ｐは、１対の電極の場合、隣り合う電極３、電極４の中心間距離とする。また、１．５対以上の電極の場合には、隣り合う電極３、電極４の中心間距離の平均距離をｐとすればよい。また、圧電層２の厚みｄについても、圧電層２が厚みばらつきを有する場合、その厚みを平均化した値を採用すればよい。

　図７は、実施形態の弾性波装置において、１対の電極が設けられている例を示す平面図である。弾性波装置５００では、圧電層２の第１の主面２ａ上において、電極３と電極４とを有する１対の電極が設けられている。なお、図７中のＫが交差幅となる。前述したように、本開示の弾性波装置では、電極の対数は１対であってもよい。この場合においても、上記ｄ／ｐが０．５以下であれば、厚み滑り１次モードのバルク波を効果的に励振することができる。

　弾性波装置１では、好ましくは、複数の電極３、電極４において、いずれかの隣り合う電極３、電極４が対向している方向から視たときに重なっている領域である励振領域に対する、上記隣り合う電極３、電極４のメタライゼーション比ＭＲ（以下、単に「ＭＲ」と表記する場合がある）が、ＭＲ≦１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０７５を満たすことが望ましい。その場合には、スプリアスを効果的に小さくすることができる。これを図８及び図９を参照して説明する。

　図８は、実施形態の弾性波装置の共振特性の一例を示す参考図である。矢印Ｂで示すスプリアスが、共振周波数と反共振周波数との間に現れている。図９は、各実施形態に従って、多数の弾性波共振子を構成した場合の比帯域と、スプリアスの大きさとしての１８０度で規格化されたスプリアスのインピーダンスの位相回転量との関係を示す図である。なお、ｄ／ｐ＝０．０８として、かつＬｉＮｂＯ_３のオイラー角（０°，０°，９０°）とした。また、上記メタライゼーション比ＭＲ＝０．３５とした。比帯域については、圧電層の膜厚や電極の寸法を種々変更し、調整した。また、図８は、ＺカットのＬｉＮｂＯ_３からなる圧電層を用いた場合の結果であるが、他のカット角の圧電層を用いた場合においても、同様の傾向となる。

　メタライゼーション比ＭＲについて図１Ｂを参照して説明する。図１Ｂの電極構造において、１対の電極３、電極４に着目した場合、この１対の電極３、電極４のみが設けられるとする。この場合、一点鎖線Ｃで囲まれた部分が励振領域となる。この励振領域とは、電極３と電極４とを、電極３、電極４の長さ方向と直交する方向、すなわち対向方向に視たときに電極３における電極４と重なり合っている領域、電極４における電極３と重なり合っている領域、及び、電極３と電極４との間の領域における電極３と電極４とが重なり合っている領域である。そして、この励振領域の面積に対する、励振領域Ｃ内の電極３、電極４の面積が、メタライゼーション比ＭＲとなる。すなわち、メタライゼーション比ＭＲは、メタライゼーション部分の面積の励振領域の面積に対する比である。なお、複数対の電極が設けられている場合、励振領域の面積の合計に対する全励振領域に含まれているメタライゼーション部分の割合をＭＲとすればよい。

　図９に示す楕円Ｊで囲まれている領域では、スプリアスが１．０と大きくなっている。図８から明らかなように、比帯域が０．１７を超えると、すなわち１７％を超えると、スプリアスレベルが１以上の大きなスプリアスが、比帯域を構成するパラメータを変化させたとしても、通過帯域内に現れる。すなわち、図８に示す共振特性のように、矢印Ｂで示す大きなスプリアスが帯域内に現れる。よって、比帯域は１７％以下であることが好ましい。この場合には、圧電層２の膜厚や電極３，４の寸法などを調整することにより、スプリアスを小さくすることができる。

　図１０は、ｄ／２ｐと、メタライゼーション比ＭＲと、比帯域との関係を示す図である。弾性波装置において、ｄ／２ｐと、メタライゼーション比ＭＲが異なる様々な弾性波装置を構成し、比帯域を測定した。図１０の破線Ｄの右側のハッチングを付して示した部分が、比帯域が１７％以下の領域である。このハッチングを付した領域と、ハッチングを付していない領域との境界は、メタライゼーション比ＭＲ＝３．５（ｄ／２ｐ）＋０．０７５で表される。すなわち、メタライゼーション比ＭＲ＝１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０７５である。従って、好ましくは、メタライゼーション比ＭＲ≦１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０７５である。その場合には、比帯域を１７％以下としやすい。より好ましくは、図１０の一点鎖線Ｄ１で示すメタライゼーション比ＭＲ＝３．５（ｄ／２ｐ）＋０．０５の右側の領域である。すなわち、ＭＲ≦１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０５であれば、比帯域を確実に１７％以下にすることができる。

　図１１は、ｄ／ｐを限りなく０に近づけた場合のＬｉＮｂＯ_３のオイラー角（０°，θ，ψ）に対する比帯域のマップを示す図である。図１１のハッチングを付して示した部分が、少なくとも５％以上の比帯域が得られる領域である。この領域の範囲を近似すると、下記の式（１）、式（２）及び式（３）で表される範囲となる。

　（０°±１０°，０°～２０°，任意のψ）　　・・・式（１）

　（０°±１０°，２０°～８０°，０°～６０°（１－（θ－５０）^２／９００）^１／２）　または　（０°±１０°，２０°～８０°，［１８０°－６０°（１－（θ－５０）^２／９００）^１／２］～１８０°）　　・・・式（２）

　（０°±１０°，［１８０°－３０°（１－（ψ－９０）^２／８１００）^１／２］～１８０°，任意のψ）　・・・式（３）

　従って、上記式（１）、式（２）または式（３）のオイラー角範囲の場合、比帯域を十分に広くすることができ、好ましい。次に上記した基本的構成を備えた弾性波装置の各実施形態について説明する。

（第１実施形態）
　図１２は、第１実施形態の弾性波装置の構成を示す模式図である。図１３は、図１２の矢印ＸＩＩＩで指す方向から視た図である。図１４は、図１２のＸＩＶ－ＸＩＶ線矢視断面図である。図１５は、図１２のＸＶ－ＸＶ線矢視断面図である。

　図１２に示すように、第１実施形態の弾性波装置１Ａは、支持基板１０と、支持基板１０の第１面１０ａに設けられた圧電層２と、圧電層２に設けられた電極部とを備える。電極部は、少なくとも１対の電極（第１の電極（電極３）及び第２の電極（電極４））と、第１のバスバー５及び第２のバスバー６と、を備える。

　支持基板１０は、支持部材８（図１Ａ等を参照）を切削し、板状にしたものである。支持基板１０の中央部には、開口部８ａが設けられている。第１実施形態では、支持基板１０と圧電層２との間に、絶縁層７が設けられている。絶縁層７は、例えばＳｉＯ_２により製造されている。ただし、本開示は、絶縁層７を備えていない弾性波装置であってもよい。

　圧電層２と支持基板１０との間には、第１空洞部９Ａ（空洞部９）が設けられている。支持基板１０の第２面１０ｂには、樹脂シート１１が設けられている。樹脂シート１１は、第１空洞部９Ａを覆っている。これにより、第１空洞部９Ａに液体が侵入しない液密構造となっている。

　弾性波装置１Ａは、電極部に電気的に接続する配線電極１２を備える。配線電極１２は、支持基板１０の第１面１０ａに設けられた第１層配線１３と、第１層配線１３と第１のバスバー５及び第２のバスバー６とを接続する第２層配線１４と、を備える。

　図１４に示すように、支持基板１０の第１面１０ａの中央部には、圧電層２が配置されている。第１層配線１３は、支持基板１０の第１面１０ａに４つ設けられている。４つの第１層配線１３は、Ｚ方向から視て円形状を成す円形部分を有しており、圧電層２から四隅の方に位置ずれして配置されている。なお、第１層配線１３の円形部分には補強部用Ｎｉ層２０ｂが積層されている。このため、図１４において、補強部用Ｎｉ層２０ｂが図示され、第１層配線１３の円形部分が図示されていない。４つの第１層配線１３のうち対角線上に配置された２つの第１層配線１３は、円形部分から、第１のバスバー５及び第２のバスバー６と平行なＸ方向に延在する直線部分が設けられている。

　第２層配線１４は、２つ設けられている。第２層配線１４は、第１層配線１３の直線部分と、第１のバスバー５又は第２のバスバー６とを接続している。第１層配線１３と圧電層２との接触を回避するため、第１層配線１３と圧電層２との間には、層間絶縁膜１５が設けられている。

　図１２に示すように、弾性波装置１Ａは、アンダーバンプメタル（Ｕｎｄｅｒ　Ｂｕｍｐ　Ｍｅｔａｌ。以下、ＵＢＭ１６を略する場合がある）と、ＵＢＭ１６に設けられたバンプ（ｂａｌｌ　ｇｒｉｄ　ａｒｒａｙ。以下、ＢＧＡ１７と略する場合がある）と、を備える。ＵＢＭ１６は、樹脂シート１１と支持基板１０を貫通して配線電極１２（第１層配線１３）と接続している。図１３に示すように、ＵＢＭ１６及びＢＧＡ１７は、４つずつ設けられている。

　弾性波装置１Ａは、金属枠１８と、無機シート１９と、内部補強部２０と、を備える。

　図１４と図１５に示すように、金属枠１８は、第１の電極（電極３）と第２の電極（電極４）と配線電極１２を囲う枠状のものである。金属枠１８は、支持基板１０の第１面１０ａの縁部に沿って四角枠状を成している。図１２に示すように、金属枠１８は、支持基板１０の第１面１０ａの方から順に、第１金属枠１８ａ、金属枠用Ａｕ層１８ｂ、金属枠用Ｎｉ層１８ｃ、第２金属枠１８ｄが設けられている。

　第１金属枠１８ａは、第１層配線１３を支持基板１０の第１面１０ａに形成する際に合わせて形成された層である。よって、第１金属枠１８ａは、第１層配線１３と同一材料で製造されている。第２金属枠１８ｄは、無機シート１９に形成された金属枠である。第１金属枠１８ａと第２金属枠１８ｄは、金属枠用Ａｕ層１８ｂの溶着により固着している。これにより、気体が金属枠１８を通過しないようになっている。

　無機シート１９は、第１の電極（電極３）と第２の電極（電極４）と圧電層２とを覆うように金属枠１８に支持されている。無機シート１９は、無機物からなり気体が通過しない例えばＳｉからなる。これにより、無機シート１９と、第１の電極（電極３）及び第２の電極（電極４）と、の間には、第２空洞部２１が設けられる。第２空洞部２１は、気体が通過しない金属枠１８と無機シート１９に囲まれている。このため、第１の電極（電極３）及び第２の電極（電極４）側の第２空洞部２１は、気密構造となっている。以上から、第１実施形態の弾性波装置１Ａは、耐湿性を確保すべき一対の電極側が気密構造となっており、弾性波装置としての信頼性が向上している。

　内部補強部２０は、無機シート１９を支持する支持強度を向上させる柱状のものである。図１４及び図１５に示すように、内部補強部２０は、第１層配線１３と重なるように４つ設けられている。図１２に示すように、内部補強部２０は、第１層配線１３の方から順に、補強部用Ａｕ層２０ａ、補強部用Ｎｉ層２０ｂ、補強部本体２０ｃが設けられている。補強部本体２０ｃは、第２金属枠１８ｄを無機シート１９に形成する際に合わせて形成された層である。また、補強部用Ａｕ層２０ａ及び補強部用Ｎｉ層２０ｂは、金属枠用Ａｕ層１８ｂ及び金属枠用Ｎｉ層１８ｃと合わせて形成された層である。よって、内部補強部２０は、金属枠１８の金属枠用Ａｕ層１８ｂと金属枠用Ｎｉ層１８ｃと第２金属枠１８ｄと、同一材料で製造されている。また、補強部用Ａｕ層２０ａが第１層配線１３に溶着している。

　次に、第１実施形態の弾性波装置１Ａの製造方法について説明する。弾性波装置１Ａの製造方法は、第１基板準備工程Ｓ１と、無機シート準備工程Ｓ２０と、接合工程Ｓ３０と、第１空洞部形成工程Ｓ４０と、樹脂シート形成工程Ｓ５０と、を備える。

　第１基板準備工程Ｓ１は、第１基板１１０を準備するための工程である。第１基板１１０は、図２７に示すように、互いに反対方向を向く第１の主面２ａ及び第２の主面２ｂを有する圧電層２と、圧電層２の厚みと平行な厚み方向（Ｚ方向）と交差する交差方向に対向し、かつ第１の主面２ａの上に設けられた少なくとも１対の電極（電極３、電極４）と、第２の主面２ｂに設けられた板状の支持基板１０と、第１の主面２ａに設けられて圧電層２及び少なくとも１対の電極を囲む枠状の第１金属枠１８ａと、を備える。

　第１基板準備工程Ｓ１は、準備工程Ｓ２と、第１レジスト工程Ｓ３と、第１金属層成膜工程Ｓ４と、第１レジスト除去工程Ｓ５と、第２レジスト工程Ｓ６と、エッチング工程Ｓ７と、第２レジスト除去工程Ｓ８と、絶縁膜形成工程Ｓ９と、第３レジスト工程Ｓ１０と、第２金属層成膜工程Ｓ１１と、第３レジスト除去工程Ｓ１２と、窓開け工程Ｓ１３と、を含む。

　図１６は、第１基板準備工程の準備工程を示す図である。図１６に示すように、準備工程Ｓ２は、圧電層２と、絶縁層７と、支持基板１０と、を順に積層された基板１００を準備する工程である。

　図１７は、第１基板準備工程の第１レジスト工程を示す図である。図１７に示すように、第１レジスト工程Ｓ３は、圧電層２の第１の主面２ａに、レジスト１０１をパターニングする工程である。レジスト１０１には、電極部を形成するための開口部１０１ａが設けられている。

　図１８は、第１基板準備工程の第１金属層成膜工程を示す図である。図１８に示すように、第１金属層成膜工程Ｓ４は、レジスト１０１の全面に金属層１０２を成膜する工程である。金属層１０２は、電極部の材料であるＡｌ、ＡｌＣｕ合金などの適宜の金属もしくは合金である。これによれば、圧電層２の第１の主面２ａ上であってレジスト１０１の開口部１０１ａから解放している部分に、金属層１０２が積層される。

　図１９は、第１基板準備工程の第１レジスト除去工程を示す図である。図１９に示すように、第１レジスト除去工程Ｓ５は、レジスト１０１を除去する工程である。これにより、金属層１０２のうち圧電層２の第１の主面２ａ上に積層された部分が残る。そして、残った部分が電極部（第１の電極（電極３）、第２の電極（電極４）、第１のバスバー５、及び第２のバスバー６）となる。

　図２０は、第１基板準備工程の第２レジスト工程を示す図である。図２０に示すように、第２レジスト工程Ｓ６は、圧電層２の第１の主面２ａ上にレジスト１０３を形成する工程である。レジスト１０３は、圧電層２の第１の主面２ａの中央部に配置される。よって、レジスト１０３は、電極部と電極部の周囲を覆っている。一方で、圧電層２の第１の主面２ａの外周側は、レジスト１０３により覆われていない。

　図２１は、第１基板準備工程のエッチング工程を示す図である。図２１に示すように、エッチング工程Ｓ７は、レジスト１０３に覆われていない圧電層２の外周側を除去する。その後、次に絶縁層７の外周側を除去する工程である。これによれば、支持基板１０の第１面１０ａの外周側が露出する。

　図２２は、第１基板準備工程の第２レジスト除去工程を示す図である。図２２に示すように、第２レジスト除去工程Ｓ８は、レジスト１０３を除去する工程である。これにより、電極部（第１の電極（電極３）及び第２の電極（電極４）と、第１のバスバー５及び第２のバスバー６）が露出する。

　図２３は、第１基板準備工程の絶縁膜形成工程を示す図である。図２３に示すように、絶縁膜形成工程Ｓ９は、層間絶縁膜１５を形成する工程である。

　図２４は、第１基板準備工程の第３レジスト工程を示す図である。図２４に示すように、第３レジスト工程Ｓ１０は、外周レジスト１０４、内周レジスト１０５、及び中央レジスト１０６を形成する工程である。外周レジスト１０４は、支持基板１０の第１面１０ａの縁部に沿って形成された四角枠状のレジストである。内周レジスト１０５は、外周レジスト１０４のよりも内側に設けられた四角枠状のレジストである。中央レジスト１０６は、電極部と重なるように設けられたレジストである。ただし、中央レジスト１０６は、電極部のうち第１のバスバー５及び第２のバスバー６の一部と重なっていない。言い換えると、第１のバスバー５及び第２のバスバー６の一部は、と中央レジスト１０６から露出している。

　図２５は、第１基板準備工程の第２金属層成膜工程を示す図である。図２５に示すように、第２金属層成膜工程Ｓ１１は、配線電極１２の材料である金属層を成膜する工程である。また、第２金属層成膜工程Ｓ１１は、２回に分けて金属膜を成膜する。これによれば、支持基板１０の第１面１０ａに成膜された第１金属層１０７の上にさらに金属層が積層され、層間絶縁膜１５に積層された金属層１０８と接合する。また、本工程によれば、外周レジスト１０４と内周レジスト１０５との間にも、金属層１０９が成膜される。なお、金属層１０９には、第２金属枠１８ｄとの接合用のＡｕ層を設けてもよい。

　図２６は、第１基板準備工程の第３レジスト除去工程を示す図である。図２６に示すように、第３レジスト除去工程Ｓ１２は、外周レジスト１０４、内周レジスト１０５、及び中央レジスト１０６を除去する工程である。これにより、配線電極１２（第１層配線１３と第２層配線１４）と、第１金属枠１８ａが形成される。

　図２７は、第１基板準備工程の窓開け工程を示す図である。図２７に示すように、窓開け工程Ｓ１３は、電極部や配線電極１２に保護膜１１０ａを設ける工程である。また、窓開け工程Ｓ１３において、レジストにて窓開け用のパターニングをし、ドライエッチングなどで保護膜１１０ａを除去し、その後、レジストを除去する窓開けを行い、第１基板１１０を所定の形状にする。以上により、第１基板１１０が完成し、第１基板準備工程が完了する。

　無機シート準備工程Ｓ２０は、無機シート１９上に、枠状の第２金属枠１８ｄを設ける工程である。無機シート準備工程Ｓ２０は、準備工程Ｓ２１と、シード層積層工程Ｓ２２と、レジスト工程Ｓ２３と、金属積層工程Ｓ２４と、レジスト除去工程Ｓ２５と、シード層除去工程Ｓ２６とを含む。

　図２８は、無機シート準備工程の準備工程を示す図である。図２８に示すように、準備工程Ｓ２１は、無機シート１９を準備する工程である。無機シート１９は、例えばＳｉから成る基板である。

　図２９は、無機シート準備工程のシード層積層工程を示す図である。図２９に示すように、シード層積層工程Ｓ２２は、無機シート１９にシード層１１１を成膜する工程である。シード層１１１は、無機物（無機シート１９）と、金属材料（第２金属枠１８ｄと補強部本体２０ｃ）の密着性を高めるための層であり、スパッタにより成膜する。

　図３０は、無機シート準備工程のレジスト工程を示す図である。図３０に示すように、レジスト工程Ｓ２３は、シード層１１１の上に、レジスト１１２を設ける工程である。レジスト１１２には、第２金属枠１８ｄを形成するための開口部１１２ａと、内部補強部２０を形成するための開口部１１２ｂと、が設けられている。

　図３１は、無機シート準備工程の金属積層工程を示す図である。図３１に示すように、金属積層工程Ｓ２４は、レジスト１１２上に、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｕの順で金属材料を積層する工程である。これによれば、レジスト１１２の開口部１１２ａに、第２金属枠１８ｄ、金属枠用Ｎｉ層１８ｃ、金属枠用Ａｕ層１８ｂが積層される。レジスト１１２の開口部１１２ｂに、補強部本体２０ｃ、補強部用Ｎｉ層２０ｂ、補強部用Ａｕ層２０ａが積層され、内部補強部２０が完成する。

　図３２は、無機シート準備工程のレジスト除去工程を示す図である。図３２に示すように、レジスト除去工程Ｓ２５は、無機シート１９からレジスト１１２を除去する工程である。

　図３３は、無機シート準備工程のシード層除去工程を示す図である。図３３に示すように、シード層除去工程Ｓ２６は、余分なシード層１１１を除去する工程である。これにより、無機シート準備工程Ｓ２０が完了する。

　図３４は、接合工程を示す図である。接合工程Ｓ３０は、第１基板準備工程Ｓ１と無機シート準備工程Ｓ２０の後、第１金属枠１８ａと第２金属枠１８ｄとを接合する工程である。

　詳細には、接合工程Ｓ３０は、最初に、第１基板１１０と無機シート１９とを重ね合わせる。また、無機シート１９の金属枠用Ａｕ層１８ｂと、第１基板１１０の第１金属枠１８ａとが当接する（重なる）ように配置する。また、無機シート１９の内部補強部２０の補強部用Ａｕ層２０ａと、第１基板１１０の第１層配線１３とが当接する（重なる）ように配置する。

　次に、接合工程Ｓ３０は、重ね合わせた第１基板１１０と無機シート１９を加熱し、金属枠用Ａｕ層１８ｂと補強部用Ａｕ層２０ａを接合させる。次に、接合工程Ｓ３０は、冷却して金属枠用Ａｕ層１８ｂと補強部用Ａｕ層２０ａを、第１金属枠１８ａと第１層配線１３とに固着させる。これにより、第１基板１１０と無機シート１９とが一体化する。無機シート１９は、少なくとも１対の電極（電極３、電極４）を覆う。また、金属枠１８が完成する。

　なお、本実施形態では、第１基板１１０の第１金属枠１８ａと第１層配線１３にＡｕ層を予め設けている場合は、本工程でＡｕ－Ａｕ接合となる。

　図３５は、研削工程を示す図である。接合工程Ｓ３０後において、支持基板１０と無機シート１９が所定の厚みよりも厚い場合、図３５に示すように、研削工程Ｓ３１を行ってもよい。この研削工程Ｓ３１によれば、支持基板１０と無機シート１９が研削し、支持基板１０と無機シート１９は所定の厚みとなる。

　第１空洞部形成工程Ｓ４０は、研削工程Ｓ３１の後（接合工程Ｓ３０の後）、エッチングにより支持基板１０に第１空洞部９Ａを形成する工程である。第１空洞部形成工程Ｓ４０は、レジスト工程Ｓ４１と、エッチング工程Ｓ４２と、レジスト除去工程Ｓ４３と、検査工程Ｓ４４と、を含む。

　図３６は、第１空洞部形成工程のレジスト工程を示す図である。図３６に示すように、レジスト工程Ｓ４１は、支持基板１０の第２面１０ｂにレジスト１２０を設ける工程である。また、レジスト１２０には、電極３、電極４と重なる範囲に設けられた開口部１２０ａと、第１層配線１３及び内部補強部２０と重なる範囲に設けられた開口部１２０ｂと、が設けられている。

　図３７は、第１空洞部形成工程のエッチング工程を示す図である。図３７に示すように、エッチング工程Ｓ４２は、支持基板１０をエッチングする。これにより、支持基板１０のうちレジスト１２０の開口部１２０ａから解放している部分が除去され、開口部８ａが形成される。また、支持基板１０のうちレジスト１２０の開口部１２０ｂから解放している部分が除去され、端子穴１０ｃが形成される。次に、絶縁層７をエッチングする。これにより、支持基板１０のうちレジスト１２０の開口部１２０ａから露出する部分が除去され、開口部７ａが形成される。これにより、第１空洞部９Ａが形成される。

　図３８は、第１空洞部形成工程のレジスト除去工程を示す図である。図３８に示すように、レジスト除去工程Ｓ４３において、支持基板１０の第２面１０ｂに設けたレジスト１２０を除去する。

　図３９は、第１空洞部形成工程の検査工程を示す図である。図３９に示すように、検査工程Ｓ４４は、端子穴１０ｃにプローブ１２１を挿入する。そして、プローブ１２１の先端を第１層配線１３に接触させ、電極部の正常に起動するかを検査する。ここで、第１層配線１３は、接触するプローブ１２１から荷重を受ける。ただし、本実施形態においては、第１層配線１３は、反対側から内部補強部２０に支持されている。よって、本工程において第１層配線１３が破損しないようになっている。これにより、第１空洞部形成工程Ｓ４０が完了する。また、本工程時の検査時に、弾性波装置の周波数特性がずれていた場合は、ドライエッチングで圧電体を削ったり、ＳｉＯ２などを成膜して周波数調整を実施してもよい。

　図４０は、樹脂シート形成工程を示す図である。樹脂シート形成工程Ｓ５０は、第１空洞部形成工程Ｓ４０後、第１空洞部９Ａを閉塞する樹脂シート１１を支持基板１０に設ける工程である。図４０に示すように、樹脂シート形成工程Ｓ５０は、支持基板１０の第２面１０ｂに樹脂シート１１を接着する。これにより、第１空洞部９Ａは、樹脂シート１１に覆われて液密となる。

　また、樹脂シート形成工程Ｓ５０の終了後、本実施形態では、端子穴形成工程Ｓ５１と、シード層形成工程Ｓ５２と、めっきレジスト形成工程Ｓ５３と、ＵＢＭ形成工程Ｓ５４と、めっきレジスト除去工程Ｓ５５と、シード層除去工程Ｓ５６と、ＢＧＡ工程Ｓ５７と、個片化工程Ｓ５８と、を行う。

　図４１は、端子穴形成工程を示す図である。図４１に示すように、端子穴形成工程Ｓ５１は、樹脂シート１１に端子穴１１ａを形成する工程である。端子穴１１ａは厚み方向に貫通している。端子穴１１ａは、支持基板１０の端子穴１０ｃと重なっている。樹脂シート１１が感光性接着剤から成る樹脂シートの場合、露光装置により樹脂シート１１に光を照射し、現像液で光を照射した範囲を除去することで、端子穴１１ａを設けてもよい。これによれば、端子穴１１ａが微細とあり、弾性波装置１の小型化を図れる。また、樹脂シート１１が非感光性接着剤のシートを備える場合、レーザによって端子穴１１ａを形成してもよい。

　図４２は、樹脂シート形成工程のシード層形成工程を示す図である。シード層形成工程Ｓ５２は、スパッタにより樹脂シート１１や端子穴１０ｃ、１１ａのシード層１３０を成膜する工程である。

　図４３は、樹脂シート形成工程のめっきレジスト形成工程を示す図である。図４３に示すように、めっきレジスト形成工程Ｓ５３は、樹脂シート１１にめっきレジスト１３１を形成する工程である。めっきレジスト１３１には、端子穴１１ａを開放する開口部１３１ａが設けられている。

　図４４は、樹脂シート形成工程のＵＢＭ形成工程を示す図である。図４４に示すように、ＵＢＭ形成工程Ｓ５４は、めっきレジスト１３１の上から、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｕの順でめっきを行う工程である。これによれば、開口部１３１ａを介して、端子穴１０ｃ及び端子穴１１ａに、ＵＢＭ１６が生成される。

　図４５は、めっきレジスト除去工程を示す図である。図４５に示すように、めっきレジスト除去工程Ｓ５５は、めっきレジスト１３１を除去する工程である。

　図４６は、シード層除去工程を示す図である。図４６に示すように、シード層除去工程Ｓ５６は、余分なシード層１３０を除去する工程である。

　図４７は、ＢＧＡ形成工程を示す図である。図４７に示すように、ＢＧＡ工程Ｓ５７は、ＵＢＭ１６上にはんだを印刷し、その後、フローしてＵＢＭ１６上にＢＧＡ１７を形成する工程である。

　図４８は、個片化工程を示す図である。図４８に示すように、個片化工程Ｓ５８は、ダイシングにより厚み方向に切削し、個片化する工程である。これにより、複数の弾性波装置１が製造され、弾性波装置１Ａの製造方法が完了する。次に第１実施形態の弾性波装置１Ａの変形例を説明する。

（第１変形例）
　図４９は、第１実施形態の第１変形例に係る弾性波装置の構成を示す模式図である。図４９に示すように、第１変形例の弾性波装置１Ｂは、内部補強部２０を備えていない点で、第１実施形態の弾性波装置１Ａと異なる。このような変形例であっても、第２空洞部２１は、気体が通過しない金属枠１８と無機シート１９に囲まれている。よって、第１の電極（電極３）及び第２の電極（電極４）側の第２空洞部２１は、気密構造となっている。弾性波装置１Ｂは、耐湿性が確保されている。

（第２変形例）
　図５０は、第１実施形態の第２変形例に係る弾性波装置の構成を示す模式図である。図５０に示すように、第２変形例の弾性波装置１Ｃは、ＵＢＭ１６及びＢＧＡ１７が樹脂シート１１側でなく、無機シート１９側に設けられている点で第１実施形態の弾性波装置１Ａと異なる。このような弾性波装置１Ｃにおいては、ＵＢＭ１６が無機シート１９を貫通し、内部補強部２０と接続している。なお、図５０に示すように、ＵＢＭ１６は、第３層配線電極２２を介して、内部補強部２０と接続してもよい。この第２変形例によれば、内部補強部２０は、補強部としての役割を発揮するほかに、ＵＢＭ１６と第１層配線１３と、を接続する端子の役割も果たしている。つぎに、第２実施形態の弾性波装置１Ｄについて説明する。

（第２実施形態）
　図５１は、第２実施形態の弾性波装置の構成を示す模式図である。図５２は、図５１の矢印ＬＩＩ方向から視た平面図である。図５３は、図５１のＬＩＩＩ－ＬＩＩＩ線矢視断面図である。図５４は、図５１のＬＩＶ－ＬＩＶ線矢視断面図である。

　図５１から図５４に示すように、第２実施形態の弾性波装置１Ｄは、支持基板１０と、支持基板１０上に設けられた圧電層２と、圧電層２に設けられた電極部（一対の電極である第１の電極（電極３）と第２電極（電極４）、及び第１のバスバー５と第２のバスバー６）と、圧電層２上に設けられ、電極部と電気的に接続する配線電極１２Ａと、ＵＢＭ１６と、ＢＧＡ１７と、を備える。なお、第１実施形態の配線電極１２は、第１層配線１３と第２層配線１４とを備え、２層となっているが、第２実施形態の配線電極１２Ａは、１層である。

　支持基板１０に開口部８ａが設けられ、支持基板１０の一部に第１空洞部９Ａが設けられている。圧電層２は、支持基板１０の第１面１０ａに設けられ、第１空洞部９Ａを閉塞している。支持基板１０の第２面１０ｂには、第１空洞部９Ａを覆う第１蓋部３１が設けられている。

　圧電層２の第１の主面２ａ上には、支持枠３３が設けられている。支持枠３３は、四角枠状を成している（図５３を参照）。支持枠３３は、平面視で一対の電極を囲んでいる。支持枠３３の少なくとも一部は、配線電極１２Ａと重なっている（図５１、図５３参照）。支持枠３３上には、支持枠３３及び電極部を覆う第２蓋部３２が設けられている。第２蓋部３２と一対の電極（電極３及び電極４）との間には、第２空洞部２１Ａが設けられている。

　ＵＢＭ１６は、支持枠３３及び第２蓋部３２を貫通し、配線電極１２Ａと接続する。ＢＧＡ１７は、ＵＢＭ１６と接続している。なお、本開示は、ＵＢＭ１６が第１蓋部３１と支持基板１０を貫通して配線電極１２Ａに接続してもよい。

　第１蓋部３１と第２蓋部３２は、特に限定されないが、例えば無機材料からなるシート材と接着層を有する無機シートや、非感光性接着剤から形成されたシート材と接着層とを有する樹脂シートや、感光性樹脂シートが挙げられる。図５３に示すように、支持枠３３の内部には、第２蓋部３２を支持する内部補強支持部３４が設けられている。なお、本開示の弾性波装置は、内部補強支持部３４を有していなくてもよい。

　以上、第２実施形態の弾性波装置１Ｄによれば、第１蓋部３１及び第２蓋部３２を備えているため、第１蓋部３１及び第２蓋部３２を備えていない弾性波装置よりも、第１空洞部９Ａの周囲の機械的強度が向上する。よって、ダイシングによる個片化が可能となり、モジュール基板への実装が容易となる。

　次に第２実施形態の弾性波装置１Ｄの製造方法について説明する。弾性波装置１Ｄの製造方法（第１製造方法Ｓ６０、第２製造方法Ｓ７０、及び第３製造方法）は３つある。以下、それぞれの製造方法について説明する。

（第１製造方法）
　弾性波装置１Ｄの第１製造方法Ｓ６０は、中間体準備工程Ｓ６１と、第１蓋部形成工程Ｓ６２と、支持枠形成工程Ｓ６３と、第２蓋部形成工程Ｓ６４と、端子穴形成工程Ｓ６５と、アンダーバンプメタル形成工程Ｓ６６と、バンプ形成工程Ｓ６７と、個片化工程Ｓ６８と、を含む。

　図５５は、第１製造方法の中間体準備工程を示す図である。図５５に示すように、第１製造方法Ｓ６０の中間体準備工程Ｓ６１は、中間体４０を準備する工程である。中間体４０は、第１の主面２ａ及び第２の主面２ｂを有する圧電層２と、第１の主面２ａの厚み方向と交差する交差方向に対向しつつ第１の主面２ａの上に設けられた少なくとも１対の電極（電極３、電極４）と、第１の主面２ａの上で各電極（電極３、電極４）のそれぞれに電気的に接続する配線電極１２Ａと、第２の主面２ｂの上に設けられた支持基板１０と、を備えている。支持基板１０には、支持基板１０を貫通する第１空洞部９Ａが設けられている。第１空洞部９Ａは、厚み方向から視て少なくとも１対の電極（電極３、電極４）の少なくとも一部と重なる。

　図５６は、第１製造方法の第１蓋部形成工程を示す図である。図５６に示すように、第１蓋部形成工程Ｓ６２は、中間体準備工程Ｓ６１の後、第１空洞部９Ａを閉塞する第１蓋部３１を支持基板１０に設ける工程である。第１蓋部３１が接着層を有する無機シートや樹脂シートである場合、キュア処理（加熱処理）によって支持基板１０に張り付けてもよい。

　図５７は、第１製造方法の支持枠形成工程を示す図である。図５７に示すように、支持枠形成工程Ｓ６３は、第１蓋部形成工程Ｓ６２の後、第２空洞部２１を有する支持枠３３を設ける工程である。具体的には、感光性樹脂を圧電層２と配線電極１２Ａに塗布する。次に、露光装置で感光性樹脂に光を照射して硬化させる。次に、現像により未硬化の感光性樹脂を除去する。次に、キュア処理により感光性樹脂と圧電層２及び配線電極１２Ａの接着性を向上させ、支持枠３３が完成する。なお、内部補強支持部３４を形成する場合は、本工程で、支持枠３３と同じ工程により製造する。

　図５８は、第１製造方法の第２蓋部形成工程を示す図である。図５８に示すように、第２蓋部形成工程Ｓ６４は、支持枠形成工程Ｓ６３の後、第２空洞部２１を閉塞する第２蓋部３２を支持枠３３に設ける工程である。第１蓋部形成工程Ｓ６２と同様に、第２蓋部３２が接着層を有する無機シートや樹脂シートである場合、キュア処理（加熱処理）によって支持枠３３に張り付けてもよい。

　図５９は、第１製造方法の端子穴形成工程を示す図である。図５９に示すように、端子穴形成工程Ｓ６５は、第２蓋部形成工程Ｓ６４の後、支持枠３３及び第２蓋部３２を貫通する複数の端子穴３６を形成する工程である。端子穴３６の形成方法としては、レーザ照射が挙げられる。第２蓋部３２が感光性樹脂から成る接着シートの場合、露光・現像で端子穴３６を形成すると、レーザで端子穴３６を形成した場合よりも微細な端子穴３６となり、弾性波装置１Ｄの小型化を図れる。

　なお、本実施形態の弾性波装置１Ｄは、ＵＢＭ１６が支持枠３３及び第２蓋部３２を貫通するため、端子穴３６が支持枠３３及び第２蓋部３２を貫通するように形成しているが、本開示は、ＵＢＭ１６が第１蓋部３１と支持基板１０と圧電層２とを貫通してもよい。よって、ＵＢＭ１６が第１蓋部３１と支持基板１０と圧電層２とを貫通する場合、本工程では、第１蓋部３１と支持基板１０と圧電層２を貫通する端子穴３６を形成する。

　図６０は、第１製造方法の端子穴形成工程を示す図である。図６０に示すように、アンダーバンプメタル形成工程Ｓ６６は、例えば電解めっきにより各端子穴３６にＵＢＭ１６を設ける工程である。

　図６１は、第１製造方法のバンプ形成工程を示す図である。図６１に示すように、バンプ形成工程Ｓ６７は、アンダーバンプメタル形成工程Ｓ６６の後、各ＵＢＭ１６にＢＧＡ１７を設ける工程である。ＢＧＡ１７は、ＵＢＭ１６の上面にはんだを印刷し、リフロー炉で加熱して形成する。

　図６２は、第１製造方法の個片化工程を示す図である。図６２に示すように、個片化工程Ｓ６８は、ダイシングにより圧電層２の厚み方向に切削し、個片化する工程である。本工程により複数の弾性波装置１Ｄが製造される。また、本工程において、切断対象は、第１蓋部３１、支持基板１０、圧電層２、および第２蓋部３２を切断する。また、本実施形態の弾性波装置１Ｄによれば、第１蓋部３１及び第２蓋部３２を備え、機械的強度が向上している。よって、個片化工程Ｓ６８で圧電層２（メンブレン）が破損し難い。

　以上、第２実施形態の弾性波装置１Ｄの第１製造方法を説明したが、本開示はこれに限定されない。例えば、複数の弾性波装置を製造する方法ではなく、単一の弾性波層を製造する場合、個片化工程Ｓ６８を省略してもよい。

（第２製造方法）
　第２実施形態の弾性波装置１Ｄに係る第２製造方法Ｓ７０は、中間体準備工程Ｓ７１と、支持枠形成工程Ｓ７２と、蓋部形成工程Ｓ７３と、端子穴形成工程Ｓ７４と、アンダーバンプメタル形成工程Ｓ７５と、バンプ形成工程Ｓ７６と、個片化工程Ｓ７７と、を含む。

　図６３は、第２製造方法の中間体準備工程を示す図である。図６３に示すように、中間体準備工程Ｓ７１は、中間体４０を準備する工程であり、第１製造方法Ｓ６０の中間体準備工程Ｓ６１と同じ工程である。

　図６４は、第２製造方法の支持枠形成工程を示す図である。図６４に示すように、支持枠形成工程Ｓ７２は、中間体準備工程Ｓ７１の後、第２空洞部２１を有する支持枠３３を設ける工程であり、第１製造方法Ｓ６０の支持枠形成工程Ｓ６３と同じ工程である。

　図６５は、第２製造方法の蓋部形成工程を示す図である。図６５に示すように、蓋部形成工程Ｓ７３は、支持枠形成工程Ｓ７２の後、第１空洞部９Ａを閉塞する第１蓋部３１を支持基板１０に設け、かつ第２空洞部２１を閉塞する第２蓋部３２を支持枠３３に設ける工程である。つまり、第２製造方法Ｓ７０においては、第１蓋部３１と第２蓋部３２を同じ工程で中間体４０に張り付ける点において、第１製造方法Ｓ６０と異なる。なお、第１蓋部３１と第２蓋部３２は、第１製造方法Ｓ６０の第１蓋部形成工程Ｓ６２と第２蓋部形成工程Ｓ６４と同じ方法により、中間体４０に張り付けられる。

　図６６は、第２製造方法の端子穴形成工程を示す図である。図６６に示すように、端子穴形成工程Ｓ７４は、蓋部形成工程Ｓ７３の後、各支持枠３３及び第２蓋部３２を貫通する端子穴３６を形成する工程である。なお、端子穴３６の形成方法は、端子穴形成工程Ｓ６５と同じ方法により形成する。なお、第２実施形態の弾性波装置１Ｄは、ＵＢＭ１６が支持枠３３及び第２蓋部３２を貫通するように形成されているが、本開示は、ＵＢＭ１６が第１蓋部３１と支持基板１０と圧電層２を貫通するような弾性波装置であってもよい。よって、ＵＢＭ１６が第１蓋部３１と支持基板１０と圧電層２を貫通する場合においては、本工程で、第１蓋部３１と支持基板１０と圧電層２を貫通する端子穴３６を形成し、次工程で第１蓋部３１と支持基板１０と圧電層２を貫通するＵＢＭ１６を形成することとなる。

　図６７は、第２製造方法のアンダーバンプメタル形成工程を示す図である。図６７に示すように、アンダーバンプメタル形成工程Ｓ７５は、端子穴形成工程Ｓ７４の後、各端子穴３６にＵＢＭ１６を設ける工程であり、第１製造方法Ｓ６０のアンダーバンプメタル形成工程Ｓ６６と同じ工程である。

　図６８は、第２製造方法のバンプ形成工程を示す図である。図６８に示すように、バンプ形成工程Ｓ７６は、アンダーバンプメタル形成工程Ｓ７５の後、各ＵＢＭ１６にＢＧＡ１７を設ける工程であり、第１製造方法Ｓ６０のバンプ形成工程Ｓ６７と同じ工程である。

　図６９は、第２製造方法の個片化工程を示す図である。図６９に示すように、個片化工程Ｓ７７は、ダイシングにより圧電層２の厚み方向に切削し、個片化する工程であり、第２実施形態の個片化工程Ｓ６８と同じ工程である。以上、第２製造方法Ｓ７０によれば、個片化工程Ｓ７７において、切断対象は、第１蓋部３１、支持基板１０、圧電層２および第２蓋部３２を切断するところ、第１蓋部３１、第２蓋部３２で機械的強度が向上しているため、圧電層２（メンブレン）が破損し難い。

（第３製造方法）
　図７０は、第３製造方法の集合体準備工程の第２蓋部形成工程の中間体を示す構成図である。図７１は、第３製造方法の集合体準備工程の第１空洞部形成工程を示す図である。図７２は、第３製造方法の集合体準備工程の第１蓋部形成工程を示す図である。図７３は、第３製造方法の個片化工程を示す図である。

　第２実施形態の弾性波装置１Ｄに係る第３製造方法Ｓ８０は、集合体準備工程と、個片化工程Ｓ８４と、を含む。

　集合体準備工程は、複数の弾性波装置が一体化した弾性波装置集合体４０Ａを準備する工程である。なお、図７２において、弾性波装置集合体４０Ａのうち一部のみを図示している。図７２に示すように、弾性波装置集合体４０Ａは、第１の主面２ａ及び第２の主面２ｂを有し、第１の主面２ａに対する垂線と平行方向から視て区分けされた複数の個片化領域を有する圧電層２と、各個片化領域に設けられ、かつ平行方向と交差する交差方向に対向しつつ第１の主面２ａの上に設けられた少なくとも１対の電極（電極３、電極４）と、各個片化領域に設けられ、第１の主面２ａの上で各電極のそれぞれ電気的に接続する配線電極１２Ａと、個片化領域の境界線を跨ぐように第２の主面２ｂの上に設けられた支持基板１０と、を備える。以下、集合体準備工程の詳細を説明する。

　集合体準備工程は、中間体４０を準備する中間体準備工程と、中間体準備工程の後、第２空洞部２１を有する支持枠３３を複数設ける支持枠形成工程と、支持枠形成工程の後、第２空洞部２１を閉塞する第２蓋部３２を複数の支持枠３３に跨って設ける第２蓋部形成工程Ｓ８１と、を有している。これによれば、図７０に示すように、第２蓋部３２を備えた中間体４０が製造される。

　また、集合体準備工程は、第２蓋部形成工程の後、端子穴形成工程と、アンダーバンプメタル形成工程と、バンプ形成工程と、を含む。これにより、中間体４０は、ＵＢＭ１６とＢＧＡ１７を備える。

　また、集合体準備工程は、第１空洞部形成工程Ｓ８２と、第１蓋部形成工程Ｓ８３と、を含む。図７１に示すように、第１空洞部形成工程Ｓ８２は、第２蓋部形成工程の後、支持基板１０の各個片化領域に支持基板１０を貫通する第１空洞部９Ａを形成する工程である。第１空洞部９Ａの形成方法は、反応性イオンエッチング（Ｄｅｅｐ　Ｒｅａｃｔｉｖｅ　Ｉｏｎ　Ｅｔｃｈｉｎｇ）又はウェットエッチングなどの方法が挙げられる。第１空洞部形成工程Ｓ８２は、第２蓋部３２が設けられた中間体４０に対して形成されるため、圧電層２（メンブレン）の機械的な強度が高く、破損し難い。

　図７２に示すように、第１蓋部形成工程Ｓ８３は、第１空洞部形成工程Ｓ８２の後、各第１空洞部９Ａを閉塞する第１蓋部３１を支持基板１０に設ける工程である。第１蓋部３１は、第２実施形態の第１蓋部形成工程Ｓ６２と同じ方法により張り付けられる。これにより、複数の弾性波装置１Ｄが集合した弾性波装置集合体４０Ａの準備が完了する。

　なお、第３製造方法Ｓ８０においては、ＵＢＭ１６とＢＧＡ１７が設けられた中間体４０に第１空洞部形成工程Ｓ８２及び第１蓋部形成工程Ｓ８３を適用しているが、ＵＢＭ１６とＢＧＡ１７が設けられる前の中間体４０に第１空洞部形成工程Ｓ８２及び第１蓋部形成工程Ｓ８３を適用してもよい。

　図７３に示すように、個片化工程Ｓ８４は、集合体準備工程の後、弾性波装置集合体４０Ａを個片化する工程である。個片化工程Ｓ８４は、ダイシングにより圧電層２の厚み方向に切削し、個片化する工程であり、個片化工程Ｓ６８、Ｓ７７と同じ工程である。以上、第３実施形態の製造方法によれば、個片化工程Ｓ８４において、切断対象は、第１蓋部３１、支持基板１０、圧電層２および第２蓋部３２を切断するところ、第１蓋部３１、第２蓋部３２で機械的強度が向上しており、圧電層２（メンブレン）が破損し難い。次に、第２実施形態の弾性波装置１Ｄの変形例について説明する。

（第３変形例）
　図７４は、第２実施形態の第３変形例に係る弾性波装置の構成を示す模式図である。図７４に示すように、第３変形例の弾性波装置１Ｅは、ＵＢＭ１６の代わりに側面配線３７を備えている点で、第２実施形態の弾性波装置１Ｄと相違する。側面配線３７は、支持枠３３の側面と第２蓋部３２の側面と第２蓋部３２の表面に沿って延在し、配線電極１２Ａと接続している。このような弾性波装置１Ｅによれば、第１蓋部３１、第２蓋部３２で機械的強度が向上し、圧電層２（メンブレン）が破損し難い。

（第４変形例）
　図７５は、第２実施形態の第４変形例に係る弾性波装置の構成を示す模式図であり、詳細には、図７７のＬＸＸＶ－ＬＸＸＶ線矢視断面図である。図７６は、図７５の矢印ＬＸＸＶＩ方向から視た図である。図７７は、図７５のＬＸＸＶＩＩ－ＬＸＸＶＩＩ線矢視断面図である。図７８は、図７７の弾性波装置から支持枠と内部補強部を取り除いた状態の平面図である。

　図７５から図７８に示すように、第４変形例の弾性波装置１Ｆは、電極部（一対の電極である第１の電極（電極３）と第２の電極（電極４）、及び第１のバスバー５と第２のバスバー６）と第１空洞部９Ａが複数となっている点で、第２実施形態の弾性波装置１Ｄと相違する。

　支持基板１０には、複数の第１空洞部９Ａが設けられている。第１蓋部３１は、複数の第１空洞部９Ａを閉塞している。また、圧電層２の第１の主面２ａには、複数の電極部（一対の電極である第１の電極（電極３）と第２電極（電極４）、及び第１のバスバー５と第２のバスバー６）が設けられている。支持枠３３に設けられた第２蓋部３２は、１つの第２空洞部２１を閉塞している。このような弾性波装置１Ｆでも、第１蓋部３１、第２蓋部３２で機械的強度が向上し、圧電層２（メンブレン）が破損し難い。

　１、１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄ、１Ｅ、１Ｆ、５００　　弾性波装置
　２　　圧電層
　２ａ　　第１の主面
　２ｂ　　第２の主面
　３　　電極（第１の電極）
　４　　電極（第２の電極）
　５　　第１のバスバー
　６　　第２のバスバー
　７　　絶縁層
　７ａ　　開口部
　８　　支持部材
　８ａ　　開口部
　９　　空洞部
　９Ａ　　第１空洞部
　１０　　支持基板
　１０ａ　　第１面
　１０ｂ　　第２面
　１１　　樹脂シート
　１２、１２Ａ　　配線電極
　１３　　第１層配線
　１４　　第２層配線
　１５　　層間絶縁膜
　１６　　ＵＢＭ
　１７　　ＢＧＡ
　１８　　金属枠
　１９　　無機シート
　２０　　内部補強部
　２１　　第２空洞部
　３１　　第１蓋部
　３２　　第２蓋部
　３３　　支持枠
　３４　　内部補強支持部
　４０　　中間体
　４０Ａ　　弾性波装置集合体

Claims

　互いに反対方向を向く第１の主面及び第２の主面を有する圧電層と、
　前記圧電層の厚み方向と交差する交差方向に対向し、かつ前記第１の主面の上に設けられた少なくとも１対の電極と、
　前記第２の主面に設けられ、前記厚み方向に平面視して前記少なくとも１対の電極の少なくとも一部と重なり、かつ支持基板を貫通する第１空洞部を有する枠状の前記支持基板と、
　前記支持基板に対し前記圧電層の反対側に設けられ、前記第１空洞部を閉塞する樹脂シートと、
　第２空洞部を有する枠状を成し、前記第１の主面に設けられて前記圧電層及び一対の前記電極を囲む金属枠と、
　前記金属枠に対して前記圧電層と反対側に設けられ、前記第２空洞部を閉塞する無機材料から成る無機シートと、
　を備える
　弾性波装置。
　前記樹脂シートは、感光性接着剤を含む樹脂シートである
　ことを特徴とする請求項１に記載の弾性波装置。
　互いに反対方向を向く第１の主面及び第２の主面を有する圧電層と、
　前記第１の主面に対する垂線と平行な厚み方向と交差する交差方向に対向しつつ、かつ前記第１の主面の上に設けられた少なくとも１対の電極と、
　前記第２の主面に設けられており、前記厚み方向に平面視して前記少なくとも１対の電極の少なくとも一部と重なり、かつ支持基板を貫通する第１空洞部を有する前記支持基板と、
　前記支持基板に対し前記圧電層の反対側に設けられ、前記第１空洞部を閉塞する第１蓋部と、
　前記第１の主面に設けられ、前記少なくとも１対の電極のそれぞれに電気的に接続する配線電極と、
　前記少なくとも１対の電極を囲むように設けられ、第２空洞部を有する枠状の支持枠と、
　前記支持枠に対して前記圧電層と反対側に設けられ、前記第２空洞部を閉塞する第２蓋部と、
　を備える
　弾性波装置。
　前記第１蓋部又は前記第２蓋部は、感光性樹脂を含む樹脂シートである
　ことを特徴とする請求項３に記載の弾性波装置。
　前記第１蓋部又は前記第２蓋部は、非感光性樹脂を含むシート材と、前記シート材の一面に設けられた接着層と、を有する樹脂シートである
　ことを特徴とする請求項３に記載の弾性波装置。
　前記第１蓋部又は前記第２蓋部は、無機材料から成るシート材と、前記シート材の一面に設けられた接着層と、を有する無機シートである
　ことを特徴とする請求項３に記載の弾性波装置。
　請求項３から請求項６のいずれか１項に記載の弾性波装置であって、
　前記支持枠及び前記第２蓋部を貫通、又は前記支持基板及び前記第１蓋部を貫通し、前記配線電極と電気的に接続するアンダーバンプメタルと、
　前記アンダーバンプメタルに積層されたバンプと、を備える
　弾性波装置。
　請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の弾性波装置であって、
　前記少なくとも１対の電極は、複数の第１電極と、前記複数の第１電極が接続された第１のバスバー電極と、複数の第２電極と、前記複数の第２電極が接続された第２のバスバー電極と、を有する
　弾性波装置。
　請求項８に記載の弾性波装置であって、
　前記圧電層の厚みは、前記複数の第１電極と前記複数の第２電極のうち、隣り合う第１電極と第２電極との間の中心間距離をｐとした場合に２ｐ以下である
　弾性波装置。
　請求項１から請求項９のいずれか１項に記載の弾性波装置であって、
　前記圧電層が、ニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムからなる
　弾性波装置。
　請求項１０に記載の弾性波装置であって、
　厚み滑りモードのバルク波を利用可能に構成されている
　弾性波装置。
　請求項１０に記載の弾性波装置であって、
　前記圧電層の厚みをｄ、前記少なくとも１対の電極のうち隣り合う電極の中心間距離をｐとした場合、ｄ／ｐ≦０．５である
　弾性波装置。
　前記ｄ／ｐが０．２４以下である
　請求項１２に記載の弾性波装置。
　前記１対の電極が対向している方向から視たときに、前記１対の電極が重なり合っている領域である励振領域に対する、前記励振領域内の前記１対の電極の面積の割合であるメタライゼーション比ＭＲが、ＭＲ≦１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０７５を満たす
　請求項１２または請求項１３に記載の弾性波装置。
　ニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムのオイラー角（φ，θ，ψ）が、以下の式（１）、式（２）または式（３）の範囲にある
　請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の弾性波装置。
　（０°±１０°，０°～２０°，任意のψ）　　・・・式（１）
　（０°±１０°，２０°～８０°，０°～６０°（１－（θ－５０）^２／９００）^１／２）　または　（０°±１０°，２０°～８０°，［１８０°－６０°（１－（θ－５０）^２／９００）^１／２］～１８０°）　　・・・式（２）
　（０°±１０°，［１８０°－３０°（１－（ψ－９０）^２／８１００）^１／２］～１８０°，任意のψ）　・・・式（３）
　互いに反対方向を向く第１の主面及び第２の主面を有する圧電層と、前記圧電層の厚み方向と交差する交差方向に対向し、かつ前記第１の主面の上に設けられた少なくとも１対の電極と、前記第２の主面に設けられた板状の支持基板と、前記第１の主面に設けられて前記圧電層及び前記少なくとも１対の電極を囲む枠状の第１金属枠と、を備える第１基板を準備する第１基板準備工程と、
　無機シート上に、枠状の第２金属枠を設ける無機シート準備工程と、
　前記第１基板準備工程と前記無機シート準備工程の後、前記無機シートが前記少なくとも１対の電極を覆うように前記第１基板と前記無機シートとを重ね合わせ、前記第１金属枠と前記第２金属枠とを接合する接合工程と、
　前記接合工程の後、エッチングにより前記支持基板に第１空洞部を形成する第１空洞部形成工程と、
　前記第１空洞部形成工程の後、前記第１空洞部を閉塞する樹脂シートを前記支持基板に設ける樹脂シート形成工程と、
　を含む
　弾性波装置の製造方法。
　互いに反対方向を向く第１の主面及び第２の主面を有する圧電層と、
　前記第１の主面に対する垂線と平行な厚み方向と交差する交差方向に対向しつつ、かつ前記第１の主面の上に設けられた少なくとも１対の電極と、
　前記第１の主面の上で各前記電極のそれぞれに電気的に接続する配線電極と、
　前記第２の主面の上に設けられており、前記厚み方向に平面視して前記少なくとも１対の電極の少なくとも一部と重なり支持基板を貫通する第１空洞部を有する前記支持基板と、
　を備える中間体を準備する中間体準備工程と、
　前記中間体準備工程の後、各前記第１空洞部を閉塞する第１蓋部を前記支持基板に設ける第１蓋部形成工程と、
　前記第１蓋部形成工程の後、第２空洞部を有する支持枠を設ける支持枠形成工程と、
　前記支持枠形成工程の後、前記第２空洞部を閉塞する第２蓋部を、前記支持枠に設ける第２蓋部形成工程と、
　前記第２蓋部形成工程の後、前記支持枠及び前記第２蓋部を貫通、又は前記支持基板及び前記第１蓋部を貫通する複数の端子穴を形成する端子穴形成工程と、
　前記端子穴形成工程の後、各前記端子穴にアンダーバンプメタルを設けるアンダーバンプメタル形成工程と、
　前記アンダーバンプメタル形成工程の後、各前記アンダーバンプメタルにバンプを設けるバンプ形成工程と、
　を含む
　弾性波装置の製造方法。
　互いに反対方向を向く第１の主面及び第２の主面を有する圧電層と、
　前記第１の主面に対する垂線と平行な厚み方向と交差する交差方向に対向しつつ、かつ前記第１の主面の上に設けられた少なくとも１対の電極と、
　前記第１の主面の上で各前記電極のそれぞれに電気的に接続する配線電極と、
　前記第２の主面の上に設けられており、前記厚み方向に平面視して前記少なくとも１対の電極の少なくとも一部と重なり支持基板を貫通する第１空洞部を有する前記支持基板と、
　を備える中間体を準備する中間体準備工程と、
　前記中間体準備工程の後、第２空洞部を有する支持枠を設ける支持枠形成工程と、
　前記支持枠形成工程の後、前記第１空洞部を閉塞する第１蓋部を前記支持基板に設け、かつ前記第２空洞部を閉塞する第２蓋部を前記支持枠に設ける蓋部形成工程と、
　前記蓋部形成工程の後、各前記支持枠及び前記第２蓋部を貫通、又は前記支持基板及び前記第１蓋部を貫通する複数の端子穴を形成する端子穴形成工程と、
　前記端子穴形成工程の後、各前記端子穴にアンダーバンプメタルを設けるアンダーバンプメタル形成工程と、
　前記アンダーバンプメタル形成工程の後、各前記アンダーバンプメタルにバンプを設けるバンプ形成工程と、
　を含む
　弾性波装置の製造方法。
　複数の弾性波装置が一体化した弾性波装置集合体を準備する集合体準備工程と、
　前記集合体準備工程の後、前記弾性波装置集合体を個片化する個片化工程と、
　を含み、
　前記集合体準備工程は、
　互い反対方向を向く第１の主面及び第２の主面を有し、前記第１の主面に対する垂線と平行な厚み方向から視て区分けされた複数の個片化領域を有する圧電層と、
　各前記個片化領域に設けられ、かつ前記厚み方向と交差する交差方向に対向しつつ前記第１の主面の上に設けられた少なくとも１対の電極と、
　各前記個片化領域に設けられ、前記第１の主面の上で各前記電極のそれぞれ電気的に接続する配線電極と、
　前記個片化領域の境界線を跨ぐように前記第２の主面の上に設けられた支持基板と、
　を備える中間体を準備する中間体準備工程と、
　前記中間体準備工程の後、第２空洞部を有する支持枠を複数設ける支持枠形成工程と、
　前記支持枠形成工程の後、前記第２空洞部を閉塞する第２蓋部を、複数の前記支持枠に跨って設ける第２蓋部形成工程と、
　前記第２蓋部形成工程の後、前記支持基板の各前記個片化領域に前記支持基板を貫通する第１空洞部を形成する第１空洞部形成工程と、
　前記第１空洞部形成工程の後、各前記第１空洞部を閉塞する第１蓋部を、前記支持基板に設ける第１蓋部形成工程と、
　前記第２蓋部形成工程の後、各前記支持枠及び前記第２蓋部を貫通、又は前記支持基板及び前記第１蓋部を貫通する複数の端子穴を形成する端子穴形成工程と、
　前記端子穴形成工程の後、各前記端子穴にアンダーバンプメタルを設けるアンダーバンプメタル形成工程と、
　前記アンダーバンプメタル形成工程の後、各前記アンダーバンプメタルにバンプを設けるバンプ形成工程と、
　を含み、
　前記個片化工程は、前記個片化領域の境界線に沿って、前記圧電層、前記支持基板、前記第１蓋部、及び前記第２蓋部を切断する
　弾性波装置の製造方法。