WO2023054694A1 - 弾性波装置及び弾性波装置の製造方法 - Google Patents

弾性波装置及び弾性波装置の製造方法 Download PDF

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WO2023054694A1
WO2023054694A1 PCT/JP2022/036781 JP2022036781W WO2023054694A1 WO 2023054694 A1 WO2023054694 A1 WO 2023054694A1 JP 2022036781 W JP2022036781 W JP 2022036781W WO 2023054694 A1 WO2023054694 A1 WO 2023054694A1
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piezoelectric layer
electrode
space
wave device
elastic wave
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PCT/JP2022/036781
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English (en)
French (fr)
Inventor
毅 山根
和則 井上
Original Assignee
株式会社村田製作所
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Publication date
Application filed by 株式会社村田製作所 filed Critical 株式会社村田製作所
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    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
    • H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
    • H03H3/08—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/25—Constructional features of resonators using surface acoustic waves

Definitions

  • the present disclosure relates to an elastic wave device and a method for manufacturing an elastic wave device.
  • Patent Document 1 describes an elastic wave device.
  • the elastic wave device shown in Patent Document 1 may have a space inside. In this case, there is a possibility that the piezoelectric layer will be damaged due to the pressure difference between the space and the outside.
  • the present disclosure is intended to solve the above-described problems, and aims to suppress damage to the piezoelectric layer.
  • An elastic wave device includes: a support member including a support substrate having a thickness in a first direction; a support member laminated on the support member; and a functional electrode provided on at least one of the first main surface and the second main surface of the piezoelectric layer; and the elastic wave element the support member has a first space on the side of the piezoelectric layer at a position at least partially overlapping with the functional electrode when viewed in plan in the first direction;
  • the package has a second space outside the first space, the piezoelectric layer has a through hole communicating with the first space and the second space, and the first space has a through hole. , the second space, and the outside of the package are connected by at least one path.
  • An elastic wave device includes: a supporting member including a supporting substrate having a thickness in a first direction; and a functional electrode provided on at least one of the first main surface and the second main surface of the piezoelectric layer; and the elastic wave element.
  • a package that houses an element, wherein the support member has a first space on the side of the piezoelectric layer at a position that at least partially overlaps with the functional electrode when viewed in plan in the first direction;
  • the package has a second space outside the first space, the piezoelectric layer has a through hole communicating with the first space and the second space, and the first space
  • the air pressure is the same among the second space portion, the second space portion, and the outside of the package.
  • An elastic wave device includes: a supporting member including a supporting substrate having a thickness in a first direction; a functional electrode provided on at least one of the first main surface and the second main surface of the piezoelectric layer; and a functional electrode provided in the first direction of the piezoelectric layer. and a lid portion provided in the first direction of the support frame, and the support member includes the functional electrode on the side of the piezoelectric layer when viewed in plan in the first direction.
  • the support frame has a second space, and the piezoelectric layer communicates the first space with the second space. The first space, the second space, and the outside of the lid are connected by at least one path.
  • An elastic wave device includes: a supporting member including a supporting substrate having a thickness in a first direction; a functional electrode provided on at least one of the first main surface and the second main surface of the piezoelectric layer; and a functional electrode provided in the first direction of the piezoelectric layer. and a lid portion provided in the first direction of the support frame, and the support member includes the functional electrode on the side of the piezoelectric layer when viewed in plan in the first direction.
  • the support frame has a second space, and the piezoelectric layer communicates the first space with the second space. The first space, the second space, and the outside of the lid have the same air pressure.
  • a method for manufacturing an elastic wave device includes a sacrificial layer formed on a portion of one of a pair of main surfaces of a piezoelectric layer having a pair of main surfaces facing each other in a thickness direction.
  • a method for manufacturing an acoustic wave device includes an intermediate layer forming step of forming an intermediate layer on a support substrate, a piezoelectric layer forming step of forming a piezoelectric layer on the intermediate layer, and an electrode on the piezoelectric layer. a through hole forming step of forming through holes in the piezoelectric layer and the intermediate layer; a first etching forming step of forming a space in a part of the supporting substrate; and a second etching step of etching the exposed intermediate layer.
  • FIG. 1A is a perspective view showing an elastic wave device according to a first embodiment
  • FIG. 1B is a plan view showing the electrode structure of the first embodiment.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of a portion along line II-II of FIG. 1A.
  • FIG. 3A is a schematic cross-sectional view for explaining Lamb waves propagating through the piezoelectric layer of the comparative example.
  • FIG. 3B is a schematic cross-sectional view for explaining a thickness-shear primary mode bulk wave propagating through the piezoelectric layer of the first embodiment.
  • FIG. 4 is a schematic cross-sectional view for explaining the amplitude direction of a thickness-shear primary mode bulk wave propagating in the piezoelectric layer of the first embodiment.
  • FIG. 1A is a perspective view showing an elastic wave device according to a first embodiment
  • FIG. 1B is a plan view showing the electrode structure of the first embodiment.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of a portion along line II
  • FIG. 5 is an explanatory diagram showing an example of resonance characteristics of the elastic wave device of the first embodiment.
  • FIG. 2 is an explanatory diagram showing the relationship between , and the fractional band.
  • FIG. FIG. 7 is a plan view showing an example in which a pair of electrodes are provided in the elastic wave device of the first embodiment.
  • FIG. 8 is a reference diagram showing an example of resonance characteristics of the elastic wave device of the first embodiment.
  • FIG. 9 shows the ratio bandwidth when a large number of elastic wave resonators are configured in the elastic wave device of the first embodiment, and the phase rotation amount of the spurious impedance normalized by 180 degrees as the magnitude of the spurious. is an explanatory diagram showing the relationship between.
  • FIG. 9 shows the ratio bandwidth when a large number of elastic wave resonators are configured in the elastic wave device of the first embodiment, and the phase rotation amount of the spurious impedance normalized by 180 degrees as the magnitude of the spurious.
  • FIG. 10 is an explanatory diagram showing the relationship between d/2p, metallization ratio MR, and fractional bandwidth.
  • FIG. 11 is an explanatory diagram showing a map of the fractional band with respect to the Euler angles (0°, ⁇ , ⁇ ) of LiNbO 3 when d/p is infinitely close to 0.
  • FIG. 12 is a partially cutaway perspective view for explaining the elastic wave device according to the embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 13 is a cross-sectional view showing an example of the elastic wave device according to the first embodiment.
  • FIG. 14 is a schematic cross-sectional view for explaining a sacrificial layer forming step in the method of manufacturing the elastic wave device according to the first embodiment.
  • FIG. 15 is a schematic cross-sectional view for explaining an intermediate layer forming step in the method for manufacturing the acoustic wave device according to the first embodiment.
  • FIG. 16 is a schematic cross-sectional view for explaining a bonding step in the method of manufacturing the elastic wave device according to the first embodiment.
  • 17A and 17B are schematic cross-sectional views for explaining the piezoelectric layer polishing step in the method of manufacturing the acoustic wave device according to the first embodiment.
  • FIG. 18 is a schematic cross-sectional view for explaining an electrode forming step in the method of manufacturing the elastic wave device according to the first embodiment.
  • FIG. 19 is a schematic cross-sectional view for explaining a through-hole forming step in the method of manufacturing the elastic wave device according to the first embodiment.
  • FIG. 20 is a schematic cross-sectional view for explaining a sacrificial layer removing step in the method of manufacturing the elastic wave device according to the first embodiment.
  • FIG. 21 is a plan view showing an elastic wave device according to the second embodiment.
  • FIG. 22 is a cross-sectional view along line XXII-XXII of FIG.
  • FIG. 23 is a plan view showing part of the elastic wave device according to the second embodiment.
  • FIG. 24 is an explanatory diagram showing a filler filling step in the method for manufacturing an elastic wave device according to the second embodiment.
  • 25A and 25B are explanatory diagrams showing a support frame forming step in the method of manufacturing the elastic wave device according to the second embodiment.
  • FIG. 26 is an explanatory diagram showing a filler etching step in the method for manufacturing an elastic wave device according to the second embodiment.
  • FIG. 27 is a cross-sectional view showing an elastic wave device according to the third embodiment.
  • FIG. 28 is a schematic cross-sectional view for explaining an intermediate layer forming step in the method for manufacturing an elastic wave device according to the third embodiment.
  • FIG. 29 is a schematic cross-sectional view for explaining a bonding step in the method for manufacturing an elastic wave device according to the third embodiment.
  • FIG. 30 is a schematic cross-sectional view for explaining the piezoelectric layer polishing step in the method of manufacturing the elastic wave device according to the third embodiment.
  • FIG. 31 is a schematic cross-sectional view for explaining an electrode forming step in the method of manufacturing an acoustic wave device according to the third embodiment.
  • FIG. 32 is a schematic cross-sectional view for explaining a through-hole forming step in the method for manufacturing an elastic wave device according to the third embodiment.
  • FIG. 33 is a diagram showing a through plug forming step in the method for manufacturing an elastic wave device according to the third embodiment.
  • FIG. 34 is a schematic cross-sectional view for explaining the first etching step in the method of manufacturing the elastic wave device according to the third embodiment.
  • FIG. 35 is a schematic cross-sectional view for explaining the second etching step in the method of manufacturing the elastic wave device according to the third embodiment.
  • FIG. 1A is a perspective view showing an elastic wave device according to a first embodiment
  • FIG. 1B is a plan view showing the electrode structure of the first embodiment.
  • the elastic wave device 1 of the first embodiment has a piezoelectric layer 2 made of LiNbO 3 .
  • the piezoelectric layer 2 may consist of LiTaO 3 .
  • the cut angle of LiNbO 3 and LiTaO 3 is Z-cut in the first embodiment.
  • the cut angles of LiNbO 3 and LiTaO 3 may be rotated Y-cut or X-cut.
  • the Y-propagation and X-propagation ⁇ 30° propagation orientations are preferred.
  • the thickness of the piezoelectric layer 2 is not particularly limited, it is preferably 50 nm or more and 1000 nm or less in order to effectively excite the thickness shear primary mode.
  • the piezoelectric layer 2 has a first main surface 2a and a second main surface 2b facing each other in the Z direction. Electrode fingers 3 and 4 are provided on the first main surface 2a.
  • the electrode finger 3 is an example of the "first electrode finger” and the electrode finger 4 is an example of the "second electrode finger”.
  • the multiple electrode fingers 3 are multiple “first electrode fingers” connected to the first busbar electrodes 5 .
  • the multiple electrode fingers 4 are multiple “second electrode fingers” connected to the second busbar electrodes 6 .
  • the plurality of electrode fingers 3 and the plurality of electrode fingers 4 are interdigitated with each other.
  • an IDT (Interdigital Transducer) electrode including electrode fingers 3 , electrode fingers 4 , first busbar electrodes 5 , and second busbar electrodes 6 is configured.
  • the electrode fingers 3 and 4 have a rectangular shape and a length direction.
  • the electrode finger 3 and the electrode finger 4 adjacent to the electrode finger 3 face each other in a direction perpendicular to the length direction.
  • Both the length direction of the electrode fingers 3 and 4 and the direction orthogonal to the length direction of the electrode fingers 3 and 4 are directions that intersect the thickness direction of the piezoelectric layer 2 . Therefore, it can be said that the electrode finger 3 and the electrode finger 4 adjacent to the electrode finger 3 face each other in the direction intersecting the thickness direction of the piezoelectric layer 2 .
  • the thickness direction of the piezoelectric layer 2 is defined as the Z direction (or first direction)
  • the length direction of the electrode fingers 3 and 4 is defined as the Y direction (or second direction)
  • the electrode fingers 3 and 4 4 may be described as the X direction (or the third direction).
  • the length direction of the electrode fingers 3 and 4 may be interchanged with the direction orthogonal to the length direction of the electrode fingers 3 and 4 shown in FIGS. 1A and 1B. That is, in FIGS. 1A and 1B, the electrode fingers 3 and 4 may extend in the direction in which the first busbar electrodes 5 and the second busbar electrodes 6 extend. In that case, the first busbar electrode 5 and the second busbar electrode 6 extend in the direction in which the electrode fingers 3 and 4 extend in FIGS. 1A and 1B.
  • a pair of structures in which the electrode fingers 3 connected to one potential and the electrode fingers 4 connected to the other potential are adjacent to each other are arranged in a direction perpendicular to the length direction of the electrode fingers 3 and 4. Multiple pairs are provided.
  • the electrode finger 3 and the electrode finger 4 are adjacent to each other, not when the electrode finger 3 and the electrode finger 4 are arranged so as to be in direct contact, but when the electrode finger 3 and the electrode finger 4 are arranged with a gap therebetween. It refers to the case where the When the electrode finger 3 and the electrode finger 4 are adjacent to each other, there are electrodes connected to the hot electrode and the ground electrode, including other electrode fingers 3 and 4, between the electrode finger 3 and the electrode finger 4. is not placed.
  • the logarithms need not be integer pairs, but may be 1.5 pairs, 2.5 pairs, or the like.
  • the center-to-center distance, that is, the pitch, between the electrode fingers 3 and 4 is preferably in the range of 1 ⁇ m or more and 10 ⁇ m or less. Further, the center-to-center distance between the electrode fingers 3 and 4 means the center of the width dimension of the electrode fingers 3 in the direction orthogonal to the length direction of the electrode fingers 3 and the distance orthogonal to the length direction of the electrode fingers 4 . It is the distance connecting the center of the width dimension of the electrode finger 4 in the direction of
  • the electrode fingers 3 and 4 when at least one of the electrode fingers 3 and 4 is plural (when there are 1.5 or more pairs of electrodes when the electrode fingers 3 and 4 are paired as a pair of electrode pairs), the electrode fingers 3.
  • the center-to-center distance of the electrode fingers 4 refers to the average value of the center-to-center distances of adjacent electrode fingers 3 and electrode fingers 4 among 1.5 or more pairs of electrode fingers 3 and electrode fingers 4 .
  • the width of the electrode fingers 3 and 4 that is, the dimension in the facing direction of the electrode fingers 3 and 4 is preferably in the range of 150 nm or more and 1000 nm or less.
  • the center-to-center distance between the electrode fingers 3 and 4 is the distance between the center of the dimension (width dimension) of the electrode finger 3 in the direction perpendicular to the length direction of the electrode finger 3 and the length of the electrode finger 4. It is the distance connecting the center of the dimension (width dimension) of the electrode finger 4 in the direction orthogonal to the direction.
  • the direction orthogonal to the length direction of the electrode fingers 3 and 4 is the direction orthogonal to the polarization direction of the piezoelectric layer 2 .
  • “perpendicular” is not limited to being strictly perpendicular, but substantially perpendicular (the angle formed by the direction perpendicular to the length direction of the electrode fingers 3 and electrode fingers 4 and the polarization direction is, for example, 90° ⁇ 10°).
  • a support substrate 8 is laminated on the second main surface 2b side of the piezoelectric layer 2 with an intermediate layer 7 interposed therebetween.
  • the intermediate layer 7 and the support substrate 8 have a frame shape and, as shown in FIG. 2, openings 7a and 8a.
  • a space (air gap) 9 is thereby formed.
  • the space 9 is provided so as not to disturb the vibration of the excitation region C of the piezoelectric layer 2 . Therefore, the support substrate 8 is laminated on the second main surface 2b with the intermediate layer 7 interposed therebetween at a position not overlapping the portion where at least one pair of electrode fingers 3 and 4 are provided. Note that the intermediate layer 7 may not be provided. Therefore, the support substrate 8 can be directly or indirectly laminated to the second main surface 2 b of the piezoelectric layer 2 .
  • the intermediate layer 7 is made of silicon oxide.
  • the intermediate layer 7 can be formed of an appropriate material other than silicon oxide, such as silicon nitride and alumina.
  • the support substrate 8 is made of Si.
  • the plane orientation of the surface of Si on the piezoelectric layer 2 side may be (100), (110), or (111).
  • high-resistance Si having a resistivity of 4 k ⁇ or more is desirable.
  • the support substrate 8 can also be constructed using an appropriate insulating material or semiconductor material.
  • Materials for the support substrate 8 include, for example, aluminum oxide, lithium tantalate, lithium niobate, piezoelectric materials such as crystal, alumina, magnesia, sapphire, silicon nitride, aluminum nitride, silicon carbide, zirconia, cordierite, mullite, and steer.
  • Various ceramics such as tight and forsterite, dielectrics such as diamond and glass, and semiconductors such as gallium nitride can be used.
  • the plurality of electrode fingers 3, electrode fingers 4, first busbar electrodes 5, and second busbar electrodes 6 are made of appropriate metals or alloys such as Al and AlCu alloys.
  • the electrode fingers 3, the electrode fingers 4, the first busbar electrodes 5, and the second busbar electrodes 6 have a structure in which an Al film is laminated on a Ti film. Note that an adhesion layer other than the Ti film may be used.
  • an AC voltage is applied between the multiple electrode fingers 3 and the multiple electrode fingers 4 . More specifically, an AC voltage is applied between the first busbar electrode 5 and the second busbar electrode 6 . As a result, it is possible to obtain resonance characteristics using a thickness-shear primary mode bulk wave excited in the piezoelectric layer 2 .
  • d/p is set to 0.5 or less.
  • the thickness-shear primary mode bulk wave is effectively excited, and good resonance characteristics can be obtained. More preferably, d/p is 0.24 or less, in which case even better resonance characteristics can be obtained.
  • the electrode fingers 3 and the electrode fingers 4 When at least one of the electrode fingers 3 and the electrode fingers 4 is plural as in the first embodiment, that is, when the electrode fingers 3 and the electrode fingers 4 form a pair of electrodes, the electrode fingers 3 and the electrode fingers When there are 1.5 pairs or more of 4, the center-to-center distance p between the adjacent electrode fingers 3 and 4 is the average distance between the center-to-center distances between the adjacent electrode fingers 3 and 4 .
  • the acoustic wave device 1 of the first embodiment has the above configuration, even if the logarithms of the electrode fingers 3 and 4 are reduced in an attempt to reduce the size, the Q value is unlikely to decrease. This is because the resonator does not require reflectors on both sides, and the propagation loss is small. The reason why the above reflector is not required is that the bulk wave of the thickness-shlip primary mode is used.
  • FIG. 3A is a schematic cross-sectional view for explaining Lamb waves propagating through the piezoelectric layer of the comparative example.
  • FIG. 3B is a schematic cross-sectional view for explaining a thickness-shear primary mode bulk wave propagating through the piezoelectric layer of the first embodiment.
  • FIG. 4 is a schematic cross-sectional view for explaining the amplitude direction of a thickness-shear primary mode bulk wave propagating in the piezoelectric layer of the first embodiment.
  • FIG. 3A shows an acoustic wave device as described in Patent Document 1, in which Lamb waves propagate through the piezoelectric layer.
  • waves propagate through the piezoelectric layer 201 as indicated by arrows.
  • the piezoelectric layer 201 has a first principal surface 201a and a second principal surface 201b, and the thickness direction connecting the first principal surface 201a and the second principal surface 201b is the Z direction.
  • the X direction is the direction in which the electrode fingers 3 and 4 of the IDT electrodes are aligned.
  • the Lamb wave the wave propagates in the X direction as shown.
  • the wave is applied to the first main surface 2a and the second main surface 2b of the piezoelectric layer 2. , that is, in the Z direction, and resonate. That is, the X-direction component of the wave is significantly smaller than the Z-direction component. Further, since resonance characteristics are obtained by propagating waves in the Z direction, no reflector is required. Therefore, no propagation loss occurs when propagating to the reflector. Therefore, even if the number of electrode pairs consisting of the electrode fingers 3 and 4 is reduced in an attempt to promote miniaturization, the Q value is unlikely to decrease.
  • the amplitude direction of the bulk wave of the primary thickness-shear mode is the first region 251 included in the excitation region C (see FIG. 1B) of the piezoelectric layer 2 and the first region 251 included in the excitation region C (see FIG. 1B). 2 area 252 is reversed.
  • FIG. 4 schematically shows bulk waves when a voltage is applied between the electrode fingers 3 so that the electrode fingers 4 have a higher potential than the electrode fingers 3 .
  • the first region 251 is a region of the excitation region C between the virtual plane VP1 that is orthogonal to the thickness direction of the piezoelectric layer 2 and bisects the piezoelectric layer 2 and the first main surface 2a.
  • the second region 252 is a region of the excitation region C between the virtual plane VP1 and the second main surface 2b.
  • At least one pair of electrodes consisting of the electrode fingers 3 and 4 is arranged. It is not always necessary to have a plurality of pairs of electrode pairs. That is, it is sufficient that at least one pair of electrodes is provided.
  • the electrode finger 3 is an electrode connected to a hot potential
  • the electrode finger 4 is an electrode connected to a ground potential.
  • the electrode finger 3 may be connected to the ground potential and the electrode finger 4 to the hot potential.
  • the at least one pair of electrodes are, as described above, electrodes connected to a hot potential or electrodes connected to a ground potential, and no floating electrodes are provided.
  • FIG. 5 is an explanatory diagram showing an example of resonance characteristics of the elastic wave device of the first embodiment.
  • the design parameters of the acoustic wave device 1 that obtained the resonance characteristics shown in FIG. 5 are as follows.
  • Piezoelectric layer 2 LiNbO3 with Euler angles (0°, 0°, 90°) Thickness of piezoelectric layer 2: 400 nm
  • Length of excitation region C (see FIG. 1B): 40 ⁇ m Number of electrode pairs consisting of electrode fingers 3 and 4: 21 pairs Center-to-center distance (pitch) between electrode fingers 3 and 4: 3 ⁇ m Width of electrode fingers 3 and 4: 500 nm d/p: 0.133
  • Middle layer 7 Silicon oxide film with a thickness of 1 ⁇ m
  • Support substrate 8 Si
  • the excitation region C (see FIG. 1B) is a region where the electrode fingers 3 and 4 overlap when viewed in the X direction perpendicular to the length direction of the electrode fingers 3 and 4. .
  • the length of the excitation region C is the dimension along the length direction of the electrode fingers 3 and 4 of the excitation region C. As shown in FIG.
  • the inter-electrode distances of the electrode pairs consisting of the electrode fingers 3 and 4 are all equal in a plurality of pairs. That is, the electrode fingers 3 and the electrode fingers 4 are arranged at equal pitches.
  • d/p is 0.5 or less, more preferably 0. .24 or less. This will be explained with reference to FIG.
  • FIG. It is an explanatory view showing the relationship with the fractional bandwidth as.
  • At least one pair of electrodes may be one pair, and the above p is the center-to-center distance between adjacent electrode fingers 3 and 4 in the case of one pair of electrodes. In the case of 1.5 pairs or more of electrodes, the average distance between the centers of adjacent electrode fingers 3 and 4 should be p.
  • the thickness d of the piezoelectric layer 2 if the piezoelectric layer 2 has variations in thickness, a value obtained by averaging the thickness may be adopted.
  • FIG. 7 is a plan view showing an example in which a pair of electrodes are provided in the elastic wave device of the first embodiment.
  • a pair of electrodes having electrode fingers 3 and 4 are provided on first main surface 2 a of piezoelectric layer 2 .
  • K in FIG. 7 is the intersection width.
  • the number of pairs of electrodes may be one. Even in this case, if the above d/p is 0.5 or less, it is possible to effectively excite the bulk wave in the primary mode of thickness shear.
  • the excitation region is an overlapping region of the plurality of electrode fingers 3 and 4 when viewed in the direction in which any adjacent electrode fingers 3 and 4 are facing each other. It is desirable that the metallization ratio MR of the adjacent electrode fingers 3 and 4 with respect to the region C satisfies MR ⁇ 1.75(d/p)+0.075. In that case, spurious can be effectively reduced. This will be described with reference to FIGS. 8 and 9. FIG.
  • FIG. 8 is a reference diagram showing an example of resonance characteristics of the elastic wave device of the first embodiment.
  • a spurious signal indicated by an arrow B appears between the resonance frequency and the anti-resonance frequency.
  • d/p 0.08 and the Euler angles of LiNbO 3 (0°, 0°, 90°).
  • the metallization ratio MR was set to 0.35.
  • the metallization ratio MR will be explained with reference to FIG. 1B.
  • the excitation region C is the portion surrounded by the dashed-dotted line.
  • the excitation region C is a region where the electrode fingers 3 and 4 overlap with the electrode fingers 4 when viewed in a direction perpendicular to the length direction of the electrode fingers 3 and 4, that is, in a facing direction. a region where the electrode fingers 3 overlap each other; and a region between the electrode fingers 3 and 4 where the electrode fingers 3 and 4 overlap each other.
  • the area of the electrode fingers 3 and 4 in the excitation region C with respect to the area of the excitation region C is the metallization ratio MR. That is, the metallization ratio MR is the ratio of the area of the metallization portion to the area of the excitation region C.
  • the ratio of the metallization portion included in the entire excitation region C to the total area of the excitation region C should be MR.
  • FIG. 9 shows the ratio bandwidth when a large number of elastic wave resonators are configured in the elastic wave device of the first embodiment, and the phase rotation amount of the spurious impedance normalized by 180 degrees as the magnitude of the spurious. is an explanatory diagram showing the relationship between. The ratio band was adjusted by changing the film thickness of the piezoelectric layer 2 and the dimensions of the electrode fingers 3 and 4 .
  • FIG. 9 shows the results when the piezoelectric layer 2 made of Z-cut LiNbO 3 is used, but the same tendency is obtained when the piezoelectric layer 2 with other cut angles is used.
  • the spurious is as large as 1.0.
  • the fractional band exceeds 0.17, that is, exceeds 17%, a large spurious with a spurious level of 1 or more changes the parameters constituting the fractional band, even if the passband appear within. That is, as in the resonance characteristics shown in FIG. 8, a large spurious component indicated by arrow B appears within the band. Therefore, the specific bandwidth is preferably 17% or less. In this case, by adjusting the film thickness of the piezoelectric layer 2 and the dimensions of the electrode fingers 3 and 4, the spurious response can be reduced.
  • FIG. 10 is an explanatory diagram showing the relationship between d/2p, metallization ratio MR, and fractional bandwidth.
  • various elastic wave devices 1 with different d/2p and MR were configured, and the fractional bandwidth was measured.
  • the hatched portion on the right side of the dashed line D in FIG. 10 is the area where the fractional bandwidth is 17% or less.
  • FIG. 11 is an explanatory diagram showing a map of the fractional band with respect to the Euler angles (0°, ⁇ , ⁇ ) of LiNbO 3 when d/p is infinitely close to 0.
  • FIG. A hatched portion in FIG. 11 is a region where a fractional bandwidth of at least 5% or more is obtained. When the range of the area is approximated, it becomes the range represented by the following formulas (1), (2) and (3).
  • Equation (1) (0° ⁇ 10°, 20° to 80°, 0° to 60° (1-( ⁇ -50) 2 /900) 1/2 ) or (0° ⁇ 10°, 20° to 80°, [180 °-60° (1-( ⁇ -50) 2 /900) 1/2 ] ⁇ 180°) Equation (2) (0° ⁇ 10°, [180°-30°(1-( ⁇ -90) 2 /8100) 1/2 ] ⁇ 180°, arbitrary ⁇ ) Equation (3)
  • the fractional band can be sufficiently widened, which is preferable.
  • FIG. 12 is a partially cutaway perspective view for explaining the elastic wave device according to the embodiment of the present disclosure.
  • the outer peripheral edge of the space 9 is indicated by a dashed line.
  • the elastic wave device of the present disclosure may utilize plate waves.
  • the elastic wave device 301 has reflectors 310 and 311 as shown in FIG. Reflectors 310 and 311 are provided on both sides of the electrode fingers 3 and 4 of the piezoelectric layer 2 in the acoustic wave propagation direction.
  • a Lamb wave as a plate wave is excited by applying an AC electric field to the electrode fingers 3 and 4 on the space 9.
  • the reflectors 310 and 311 are provided on both sides, it is possible to obtain resonance characteristics due to Lamb waves as Lamb waves.
  • the elastic wave devices 1 and 101 use bulk waves in the primary mode of thickness shear.
  • the first electrode finger 3 and the second electrode finger 4 are adjacent electrodes, the thickness of the piezoelectric layer 2 is d, and the center of the first electrode finger 3 and the second electrode finger 4 is d/p is set to 0.5 or less, where p is the distance between them.
  • the Q value can be increased even if the elastic wave device is miniaturized.
  • piezoelectric layer 2 is made of lithium niobate or lithium tantalate.
  • the first principal surface 2a or the second principal surface 2b of the piezoelectric layer 2 has a first electrode finger 3 and a second electrode finger 4 facing each other in a direction intersecting the thickness direction of the piezoelectric layer 2. and the second electrode fingers 4 are desirably covered with a protective film.
  • FIG. 13 is a cross-sectional view showing an example of the elastic wave device according to the first embodiment.
  • an elastic wave device 1A according to the first embodiment includes an elastic wave element 10 and a package 40.
  • the acoustic wave device 10 includes a support member, a piezoelectric layer 2 , functional electrodes 30 and wiring electrodes 35 .
  • the support member is a member provided with the support substrate 8 .
  • the support member comprises a support substrate 8 and an intermediate layer 7 .
  • the support member may consist of only the support substrate 8 .
  • the support member has a space portion 9 at a position at least partially overlapping with the functional electrode 30 in a plan view in the Z direction.
  • the space 9 is provided on the piezoelectric layer 2 side of the intermediate layer 7, but this is only an example. It may also be provided on the two sides.
  • the space portion 9 may be provided on the piezoelectric layer 2 side of the support substrate 8 .
  • the piezoelectric layer 2 is provided in the Z direction of the support member.
  • the piezoelectric layer 2 has a through hole 2H penetrating the piezoelectric layer 2 in the Z direction.
  • the through hole 2H is provided at a position that overlaps with the space portion 9A in plan view in the Z direction.
  • two through holes 2H are provided on both sides of the functional electrode 30 in the X direction.
  • the through hole 2H communicates with the space 9A. Thereby, the pressure difference between the space portion 9A and the outside of the space portion 9A is suppressed, and the piezoelectric layer 2 can be prevented from being damaged.
  • the functional electrode 30 is an IDT electrode. That is, the functional electrode 30 includes a first electrode finger 3 , a second electrode finger 4 , a first busbar electrode 5 and a second busbar electrode 6 . Although the functional electrode 30 is provided on the first main surface 2a of the piezoelectric layer 2 in the example of FIG. 13, it is not limited to this and may be provided on the second main surface 2b.
  • the wiring electrodes 35 are electrically connected to the functional electrodes 30 .
  • the wiring electrode 35 is made of an appropriate metal or alloy such as Al or an AlCu alloy.
  • the wiring electrodes 35 are provided on the first main surface 2a of the piezoelectric layer 2, but this is merely an example.
  • the package 40 accommodates the acoustic wave element 10 inside.
  • package 40 includes case 41 and lid 42 .
  • the case 41 is a box-shaped member having an opening on one side in the Z direction.
  • the lid portion 42 is a plate-like member that closes the opening of the case 41 .
  • the interior of the package 40 can be made liquid-tight by sealing the case 41 with the lid portion 42 after the acoustic wave element 10 is accommodated in the case 41 .
  • the package 40 has a second space 92 .
  • the second space portion 92 is a space between the first main surface 2a of the piezoelectric layer 2 and the lid portion 42 in the Z direction. That is, the second space 92 is a space inside the package 40 and outside the space 9 .
  • the package 40 is gas-permeable rather than airtight.
  • the package 40 is made of, for example, an air-permeable resin, but is not limited to this as long as the second space 92 is liquid-tight and air-permeable to the outside of the package 40 .
  • a part of the package 40 may be made of a resin that allows air to pass through, and the package 40 may be provided with a ventilation hole that allows ventilation between the second space 92 and the outside of the package 40 .
  • the space 9A, the second space 92, and the outside of the package 40 have the same atmospheric pressure, and are connected by at least one path.
  • the path means a path through which gas can move from the space 9A through the through hole 2H, the second space 92, and the package 40 to the outside of the package 40. say.
  • the elastic wave device 1A includes a support member including the support substrate 8 having a thickness in the first direction, and a support member laminated on the support member to form the first main surface 2a and the first main surface 2a.
  • a piezoelectric layer 2 having a surface 2a and a second main surface 2b opposite in the first direction; and a functional electrode 30 provided on at least one of the first main surface 2a and the second main surface 2b of the piezoelectric layer 2.
  • the package 40 has a second space 92 outside the space 9A, and the piezoelectric layer 2 has the first space and the second space There is a through hole 2H that communicates with the portion 92, and the first space portion, the second space portion 92, and the outside of the package 40 are connected by at least one path.
  • the elastic wave device 1A includes a support member including the support substrate 8 having a thickness in the first direction, and the support member is laminated to form the first main surface 2a, the first main surface 2a, and the second main surface 2a.
  • An elastic body comprising a piezoelectric layer 2 having a second main surface 2b opposite in one direction, and a functional electrode 30 provided on at least one of the first main surface 2a and the second main surface 2b of the piezoelectric layer 2.
  • a wave element 10 and a package 40 that houses the acoustic wave element 10 are provided, and a support member has a piezoelectric layer 2 side at a position at least partially overlapping the functional electrode 30 when viewed in plan in the first direction.
  • first space space 9
  • the package 40 has a second space 92 outside the space 9A
  • the piezoelectric layer 2 communicates with the first space and the second space 92.
  • the first space, the second space 92, and the outside of the package 40 have the same air pressure. As a result, damage to the piezoelectric layer 2 due to the pressure difference between the first space, the second space 92 and the package 40 can be suppressed.
  • the package 40 is made of breathable resin.
  • the second space 92 can be liquid-tight and ventilated with the outside of the package 40 .
  • the functional electrode 30 is an IDT electrode.
  • the acoustic wave device 1 can be miniaturized and the Q value can be increased.
  • the functional electrode 30 includes a plurality of first electrode fingers 3 extending in a second direction intersecting the first direction, a first busbar electrode 5 to which the plurality of first electrode fingers 3 are connected, and a second A plurality of second electrode fingers 4 facing any one of the plurality of first electrode fingers 3 in a third direction perpendicular to the direction and extending in the second direction, and a second bus bar to which the plurality of second electrode fingers 4 are connected.
  • the thickness of the piezoelectric layer 2 is the thickness between the adjacent first electrode fingers 3 and second electrode fingers 4 among the plurality of first electrode fingers 3 and the plurality of second electrode fingers 4. It is 2p or less when the center-to-center distance is p. Thereby, the acoustic wave device 1 can be miniaturized and the Q value can be increased.
  • the piezoelectric layer 2 contains lithium niobate or lithium tantalate. As a result, it is possible to provide an elastic wave device capable of obtaining good resonance characteristics.
  • it is configured to be able to use bulk waves in the thickness-shlip mode. As a result, it is possible to provide an elastic wave device with a high coupling coefficient and good resonance characteristics.
  • the functional electrode 30 includes a plurality of first electrode fingers 3 extending in a second direction intersecting the first direction, a first busbar electrode 5 to which the plurality of first electrode fingers 3 are connected, and a second A plurality of second electrode fingers 4 facing any one of the plurality of first electrode fingers 3 in a third direction perpendicular to the direction and extending in the second direction, and a second bus bar to which the plurality of second electrode fingers 4 are connected.
  • d is the thickness of the piezoelectric layer 2
  • p is the center-to-center distance between the adjacent first electrode fingers 3 and second electrode fingers 4
  • d/p ⁇ 0.5 is the acoustic wave device 1 can be miniaturized and the Q value can be increased.
  • d/p is 0.24 or less.
  • the functional electrode 30 includes a plurality of first electrode fingers 3 extending in a second direction intersecting the first direction, a first busbar electrode 5 to which the plurality of first electrode fingers 3 are connected, and a second A plurality of second electrode fingers 4 facing any one of the plurality of first electrode fingers 3 in a third direction perpendicular to the direction and extending in the second direction, and a second bus bar to which the plurality of second electrode fingers 4 are connected. and the first electrode finger 3 and the second electrode finger 6 with respect to the excitation region C, which is the region where the first electrode finger 3 and the second electrode finger 4 overlap when viewed in the third direction.
  • the metallization ratio MR of 4 satisfies MR ⁇ 1.75(d/p)+0.075. In this case, the fractional bandwidth can be reliably set to 17% or less.
  • the piezoelectric layer 2 is made of lithium niobate or lithium tantalate, and the Euler angles ( ⁇ , ⁇ , ⁇ ) of lithium niobate or lithium tantalate satisfy the following formula (1), formula (2) or It is in the range of formula (3). In this case, the fractional bandwidth can be widened sufficiently.
  • Equation (1) (0° ⁇ 10°, 20° to 80°, 0° to 60° (1-( ⁇ -50) 2 /900) 1/2 ) or (0° ⁇ 10°, 20° to 80°, [180 °-60° (1-( ⁇ -50)2/900) 1/2 ] ⁇ 180°) Equation (2) (0° ⁇ 10°, [180°-30°(1-( ⁇ -90) 2 /8100) 1/2 ] ⁇ 180°, arbitrary ⁇ ) Equation (3)
  • a method of manufacturing the elastic wave device 1A according to the first embodiment will be described below with reference to the drawings.
  • the manufacturing method shown below is just an example, and is not limited to this.
  • FIG. 14 is a schematic cross-sectional view for explaining the sacrificial layer forming step in the method of manufacturing the elastic wave device according to the first embodiment.
  • a sacrificial layer 9S is formed on a portion of the second main surface 2b of the piezoelectric layer 2.
  • FIG. 14 is a schematic cross-sectional view for explaining the sacrificial layer forming step in the method of manufacturing the elastic wave device according to the first embodiment.
  • FIG. 15 is a schematic cross-sectional view for explaining the intermediate layer forming step in the method of manufacturing the elastic wave device according to the first embodiment.
  • the first portion 7A of the intermediate layer 7 is formed on the second main surface 2b of the piezoelectric layer 2 and the sacrificial layer 9S.
  • the surface of the first portion 7A is flattened so that unevenness due to the influence of the sacrificial layer 7S is eliminated.
  • FIG. 16 is a schematic cross-sectional view for explaining the bonding step in the method of manufacturing the elastic wave device according to the first embodiment.
  • the piezoelectric layer 2 is bonded to the support substrate 8 with the intermediate layer 7 interposed therebetween. More specifically, the first portion 7A of the intermediate layer 7 formed on the piezoelectric layer 2 and the second portion 7B of the intermediate layer 7 formed on the support substrate 8 are joined. Thereby, the piezoelectric layer 2 (piezoelectric substrate) is supported by the support substrate 8 .
  • FIG. 17 is a schematic cross-sectional view for explaining the piezoelectric layer polishing step in the method of manufacturing the elastic wave device according to the first embodiment.
  • the surface opposite to the second main surface 2b of the piezoelectric layer 2 in the thickness direction is polished to thin the piezoelectric layer 2 and form the first main surface 2a.
  • FIG. 18 is a schematic cross-sectional view for explaining the electrode forming step in the method of manufacturing the acoustic wave device according to the first embodiment.
  • the functional electrode 30 and the wiring electrode 35 are formed on the first main surface 2a of the piezoelectric layer 2 by lift-off.
  • FIG. 19 is a schematic cross-sectional view for explaining the through-hole forming step in the method of manufacturing the elastic wave device according to the first embodiment.
  • a resist 30R is formed on the first main surface 2a of the piezoelectric layer 2, and the through-holes 2H are formed in the piezoelectric layer 2 by dry etching. After forming the through hole 2H, the resist 30R is removed.
  • FIG. 20 is a schematic cross-sectional view for explaining the sacrificial layer removing step in the method of manufacturing the elastic wave device according to the first embodiment.
  • an etchant is poured into the resist-patterned through holes 2H to remove the sacrificial layer 9S. Thereby, the space portion 9 is formed.
  • the elastic wave element 10 of the elastic wave device 1A according to the first embodiment is manufactured.
  • the frequency characteristics of the acoustic wave device 10 are inspected, and the frequency characteristics are appropriately adjusted.
  • the elastic wave device 1A according to the first embodiment is manufactured by housing the elastic wave element 10 in the case 41 and closing the opening of the case 41 with the lid portion 42 .
  • the method of manufacturing the elastic wave device 1A according to the first embodiment is to an intermediate layer forming step of forming an intermediate layer 7 on one main surface of the piezoelectric layer 2 and the sacrificial layer 9S; an electrode forming step of forming electrodes (the functional electrode 30 and the wiring electrode 35) on at least one of the pair of main surfaces of the piezoelectric layer 2; It has a through-hole forming step of forming the hole 2H and a sacrificial layer removing step of removing the sacrificial layer 9S.
  • the first space formed by removing the sacrificial layer 9S communicates with the space outside the first space, thereby suppressing damage to the piezoelectric layer 2 due to the pressure difference between the inside and outside of the space 9A. can.
  • FIG. 21 is a plan view showing an elastic wave device according to the second embodiment.
  • FIG. 22 is a cross-sectional view along line XXII-XXII of FIG.
  • An elastic wave device 1B according to the second embodiment differs from the first embodiment in that instead of the package 40, a support frame 43 and a lid body 45 are provided.
  • An elastic wave device 1B according to the second embodiment will be described below with reference to the drawings.
  • symbol is attached
  • FIG. 23 is a plan view showing part of the elastic wave device according to the second embodiment.
  • FIG. 23 is a diagram of the elastic wave device 1B with the lid 45 removed.
  • the acoustic wave device 1B includes a support member, a piezoelectric layer 2, a functional electrode 30, a wiring electrode 32, a support frame 43, an internal support portion 44, and a lid 45. Prepare.
  • the wiring electrode 32 is provided on the first main surface 2 a of the piezoelectric layer 2 .
  • the wiring electrode 32 is made of an appropriate metal or alloy such as Al or AlCu alloy. In the example of FIG. 22, the wiring electrode 32 is provided at a position that does not overlap with the space portion 9A when viewed in plan in the Z direction.
  • the wiring electrodes 32 are electrically connected to the functional electrodes 30 .
  • the support frame 43 is a support portion that allows the lid 45 to support the piezoelectric layer 2 .
  • the support frame 43 is made of photosensitive resin.
  • the support frame 43 is formed in a linear pattern so as to surround the functional electrode 30 when viewed from above in the Z direction.
  • One Z-direction surface of the support frame 43 is bonded to the wiring electrode 32 , and the other Z-direction surface of the support frame 43 is bonded to the lid 45 .
  • the support frame 43 has a second space 92A.
  • the second space portion 92A is a space inside the support frame 43 and is a space between the piezoelectric layer 2 and a lid body 45, which will be described later.
  • the internal support portion 44 is a support portion that allows the lid 45 to support the piezoelectric layer 2 .
  • the internal support portion 44 is made of photosensitive resin.
  • the internal support portion 44 is provided inside the second space portion 92A.
  • the internal support portion 44 is provided at a position that does not overlap with the space portion 9 when viewed in plan in the Z direction.
  • One surface of the internal support portion 44 in the Z direction is in contact with the first principal surface 2 a of the piezoelectric layer 2 or the wiring electrode 32 .
  • the other Z-direction surface of the internal support portion 44 is in contact with the lid 45 .
  • the lid body 45 is also supported by the internal support portion 44, so that the strength of the lid body 45 can be improved.
  • the internal support portion 44 is not an essential component.
  • the lid body 45 is a sheet provided on the support frame 43 and the internal support portion 44 .
  • the lid 45 is made of resin.
  • the lid 45 is fixed to the support frame 43 by terminal electrodes 57 .
  • liquid cannot pass through the support frame 43 and the lid body 45 .
  • At least one of the support frame 43 and the lid 45 allows gas to pass therethrough.
  • at least one of the support frame 43 and the lid 45 is made of, for example, a permeable resin, and the second space 92A is liquid-tight and ventilated to the outside of the lid 45. If there is, it is not limited to this.
  • a part of the support frame 43 or the lid 45 may be made of an air permeable resin, and the support frame 43 or the lid 45 may be used to ventilate the second space 92 ⁇ /b>A and the outside of the lid 45 . Pores may be provided.
  • the second space 92A is liquid-tight, but not air-tight.
  • the space 9A, the second space 92, and the outside of the lid 45 have the same air pressure, and are connected by at least one path.
  • the path means a path from the space 9A to the outside of the lid 45 via the through hole 2H, the second space 92A, the support frame 43 or the lid 45. means the route that can be moved.
  • the terminal electrode 57 is a laminate in which an Au layer is plated on a Cu layer and a Ni layer.
  • the terminal electrode 57 is provided so as to penetrate the support frame 43 and the lid 45 .
  • the terminal electrode 57 is a so-called bump metal and electrically connected to the wiring electrode 32 .
  • a bump 58 is provided on the terminal electrode 57 .
  • the bumps 58 are so-called bump metals and BGA (ball grid array) bumps.
  • the bumps 58 are stacked in the Z direction of the terminal electrodes 57 and electrically connected to the terminal electrodes 57 . Thereby, the bumps 58 to the functional electrodes 30 are electrically connected.
  • the elastic wave device 1B according to the second embodiment has been described above, the elastic wave device according to the second embodiment is not limited to that shown in FIG.
  • the elastic wave device 1B may have a plurality of spaces 9A and may be provided with a plurality of resonators.
  • the elastic wave device 1B includes a support member including the support substrate 8 having a thickness in the first direction, and a support member laminated on the support member to form the first main surface 2a and the first main surface 2a.
  • a piezoelectric layer 2 having a surface 2a and a second main surface 2b opposite in the first direction; and a functional electrode 30 provided on at least one of the first main surface 2a and the second main surface 2b of the piezoelectric layer 2.
  • a support frame 43 provided in the first direction of the piezoelectric layer 2;
  • a first space space 9A
  • the support frame 43 has a second space 92A
  • the piezoelectric layer 2 has a second space 92A.
  • an elastic wave device 1B includes a support member including a support substrate 8 having a thickness in the first direction, and a first main surface 2a, a first main surface 2a, and a first main surface 2a and a second main surface 2a.
  • a piezoelectric layer 2 having a second main surface 2b opposite in one direction; a functional electrode 30 provided on at least one of the first main surface 2a and the second main surface 2b of the piezoelectric layer 2; and a lid body 45 provided in the first direction of the support frame 43, and the support member has a support member provided on the side of the piezoelectric layer 2 in plan view in the first direction.
  • first space space 9A
  • second space 92A the piezoelectric layer 2 has the first space and the space 9A.
  • the second space 92A damage to the piezoelectric layer 2 due to the pressure difference between the first space, the second space 92 , and the outside of the lid 45 can be suppressed.
  • At least one of the support frame 43 and the lid 45 is at least partially made of a permeable resin.
  • the second space 92A can be liquid-tight and ventilated with the lid 45 .
  • a method for manufacturing the elastic wave device 1B according to the second embodiment will be described below.
  • the method for manufacturing the elastic wave device 1B according to the second embodiment is the same as the method for manufacturing the elastic wave device 1A according to the first embodiment, from the sacrificial layer forming step to the sacrificial layer removing step, a description will be given. is omitted.
  • the manufacturing method shown below is just an example, and is not limited to this.
  • FIG. 24 is an explanatory diagram showing the filler filling step in the method of manufacturing the elastic wave device according to the second embodiment.
  • the filler 9R is injected from the through hole 2H.
  • the filler 9R is injected so as to cover the inner wall of the space 9A, the inner wall of the through hole 2H, and the functional electrode 30.
  • FIG. This protects the piezoelectric layer 2 at a position overlapping the space portion 9A in plan view in the Z direction in a support frame forming step, which will be described later, so that damage to the piezoelectric layer 2 can be suppressed.
  • the space 9A may not be filled with the filler 9R, and the space 9 may have air bubbles 9B.
  • the filler 9R contains a non-photosensitive resin. Thereby, it is possible to prevent the filler 9R from being removed in the supporting frame forming step, which will be described later.
  • the filler 9R is not limited to this material as long as it is a material that cannot be removed with a developer in the support frame forming process and can be removed with a solvent that does not dissolve the support frame 43 in the filler etching process. , a resist.
  • FIG. 25 is an explanatory diagram showing the support frame forming step in the method of manufacturing the elastic wave device according to the second embodiment.
  • the support frame 43 and the internal support portions 44 are formed on the piezoelectric layer 2 .
  • a photosensitive resin is applied to the first main surface 2a of the piezoelectric layer 2 having the wiring electrodes 35 and the filler 9R, and portions other than the support frame 43 and the inner support portion 44 are removed by exposure and development.
  • the filler 9R is made of a material that does not react with the developer, it is possible to form the support frame 43 and the inner support portion 44 while protecting the piezoelectric layer 2.
  • FIG. 26 is an explanatory diagram showing the filler etching step in the method of manufacturing the acoustic wave device according to the second embodiment.
  • the filler 9R is etched with an etchant.
  • the etchant for the filler 9R is a solvent that does not dissolve the support frame 43 .
  • the lid 45 is provided on the support frame 43 .
  • the terminal electrode 57 is provided so as to penetrate the lid 45 in the Z direction.
  • bumps 58 are stacked on the terminal electrodes 57 .
  • the method of manufacturing the elastic wave device 1B according to the first embodiment includes a filler filling step of filling the through holes 2H with the filler 9R, and a support frame 43 formed on the piezoelectric layer 2. It further has a formation step and a filler etching step for etching the filler 9R. As a result, the piezoelectric layer 2 is protected in the support frame forming process, so damage to the piezoelectric layer 2 can be suppressed.
  • the filler 9R contains a non-photosensitive resin.
  • FIG. 27 is a cross-sectional view showing an elastic wave device according to the third embodiment.
  • An elastic wave device 1C according to the third embodiment differs from the first embodiment in that a through plug 21 is further provided.
  • An elastic wave device 1C according to the second embodiment will be described below with reference to the drawings.
  • symbol is attached
  • the support member has a space portion 9 .
  • the space portion 9 is a space penetrating the support member in the Z direction.
  • the opening 7a exposed to the space 9 is inside the opening 8a exposed to the space 9 when viewed in plan in the Z direction.
  • the through plug 21 is provided so as to penetrate the piezoelectric layer 2 .
  • the through plug 21 is provided in the through hole 2 ⁇ /b>H formed in the piezoelectric layer 2 . That is, the through hole 2H is blocked by the through plug 21.
  • the through plug 21 is made of a material that allows gas to pass through but not liquid, such as a photosensitive polyimide resin. As a result, while making the space 9 liquid-tight, the air pressures of the space 9 and the second space 92 become the same, and are connected by at least one path.
  • the path refers to a path through which gas can move from the space 9 through the through plug 21, the second space 92, and the package 40 to the outside of the package 40. say. Accordingly, it is possible to prevent damage to the piezoelectric layer 2 due to the pressure difference between the space 9 , the second space 92 , and the outside of the package 40 .
  • the elastic wave device 1C according to the third embodiment further includes the through plug 21 provided in the through hole 2H and penetrating the piezoelectric layer 2, and the through plug 21 is permeable.
  • the air pressure of the space 9 and the second space 92 can be maintained at the same level, and the space 9 can be made liquid-tight.
  • the through plug 21 contains a photosensitive polyimide resin.
  • the penetration plug 21 is impermeable to liquid but allows the passage of gas, so that the pressure difference between the space 9 and the second space 92 can be suppressed while keeping the space 9 liquid-tight. .
  • a method for manufacturing the elastic wave device according to the third embodiment will be described below.
  • the manufacturing method shown below is just an example, and is not limited to this.
  • FIG. 28 is a schematic cross-sectional view for explaining an intermediate layer forming step in the method for manufacturing an elastic wave device according to the third embodiment. As shown in FIG. 28 , in the intermediate layer forming step, the first portion 7A of the intermediate layer 7 is formed on the second main surface 2b of the piezoelectric layer 2 .
  • FIG. 29 is a schematic cross-sectional view for explaining the bonding step in the method of manufacturing the elastic wave device according to the third embodiment.
  • the piezoelectric layer 2 is bonded to the support substrate 8 with the intermediate layer 7 interposed therebetween. More specifically, the first portion 7A of the intermediate layer 7 formed on the piezoelectric layer 2 and the second portion 7B of the intermediate layer 7 formed on the support substrate 8 are joined. Thereby, the piezoelectric layer 2 (piezoelectric substrate) is supported by the support substrate 8 .
  • FIG. 30 is a schematic cross-sectional view for explaining the piezoelectric layer polishing step in the method of manufacturing the elastic wave device according to the third embodiment.
  • the surface opposite to the second main surface 2b of the piezoelectric layer 2 in the thickness direction is polished to thin the piezoelectric layer 2 and form the first main surface 2a.
  • FIG. 31 is a schematic cross-sectional view for explaining the electrode forming step in the method of manufacturing the elastic wave device according to the third embodiment.
  • the functional electrode 30 and the wiring electrode 35 are formed on the first main surface 2a of the piezoelectric layer 2 by lift-off.
  • FIG. 32 is a schematic cross-sectional view for explaining a through-hole forming step in the method for manufacturing an elastic wave device according to the third embodiment.
  • a resist 30R is formed on the first main surface 2a of the piezoelectric layer 2, and the through-holes 2H are formed in the piezoelectric layer 2 and the intermediate layer 7 by dry etching. After forming the through hole 2H, the resist 30R is removed.
  • FIG. 33 is a diagram showing a through plug forming step in the method for manufacturing an elastic wave device according to the third embodiment.
  • the through-plug 21 is formed so as to close the through hole 2H.
  • the through plug 21 is made of photosensitive resin and formed by exposure and development.
  • FIG. 34 is a schematic cross-sectional view for explaining the first etching step in the method for manufacturing an elastic wave device according to the third embodiment.
  • a space portion 9 is formed by partially etching the support substrate 8 by dry etching such as DRIE (Deep Reactive Ion Etching).
  • FIG. 35 is a schematic cross-sectional view for explaining the second etching step in the method of manufacturing the elastic wave device according to the third embodiment.
  • the intermediate layer 7 is partly etched to widen the space 9 in the thickness direction.
  • the through plug 21 is not etched, and only the intermediate layer 7 is etched.
  • the opening 7a exposed to the space 9 is inside the opening 8a exposed to the space 9 when viewed in plan in the Z direction.
  • the elastic wave element 10C of the elastic wave device 1C according to the third embodiment is manufactured.
  • the acoustic wave device 10C is inspected for frequency characteristics, and the frequency characteristics are appropriately adjusted.
  • the acoustic wave device 1C according to the third embodiment is manufactured by housing the acoustic wave element 10C in the case 41 and closing the opening of the case 41 with the lid portion 42 .
  • the method of manufacturing the acoustic wave device 1C according to the third embodiment includes the intermediate layer forming step of forming the intermediate layer 7 on the support substrate 8, and the piezoelectric layer forming step of forming the piezoelectric layer 2 on the intermediate layer 7. a layer forming step, an electrode forming step of forming electrodes (the functional electrode 30 and the wiring electrode 35) on the piezoelectric layer 2, a through hole forming step of forming the through holes 2H in the piezoelectric layer 2 and the intermediate layer 7, and a support substrate. 8 and a second etching step of etching the intermediate layer 7 exposed in the space 9 .
  • the space 9 formed by removing the sacrificial layer 9 ⁇ /b>S communicates with the space outside the space 9 , so damage to the piezoelectric layer 2 due to the pressure difference between the inside and outside of the space 9 can be suppressed.
  • the method for manufacturing the elastic wave device 1C according to the third embodiment further includes a through-plug forming step of forming the through-plug 21 in the through-hole 2H. This suppresses the pressure difference between the space portion 9 and the second space portion 92 while suppressing the breakage of the piezoelectric layer 2 caused by the through hole 2H, so that the breakage of the piezoelectric layer 2 can be suppressed.

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Abstract

圧電層の破損を抑制する。弾性波装置は、第１方向に厚みを有する支持基板を備える支持部材と、支持部材に積層され、第１主面と、第１主面と第１方向の反対側の第２主面とを有する圧電層と、圧電層の第１主面及び第２主面のうち少なくとも１つに設けられる機能電極と、を備える弾性波素子と、弾性波素子を収容するパッケージと、を備える。支持部材には、圧電層側に、第１方向に平面視して、機能電極と少なくとも一部が重なる位置に第１空間部があり、パッケージには、第１空間部の外部に、第２空間部があり、圧電層には、第１空間部及び第２空間部と連通する貫通孔があり、第１空間部と、第２空間部と、パッケージの外部とは、少なくとも１つの経路で繋がっている。

Description

弾性波装置及び弾性波装置の製造方法
　本開示は、弾性波装置及び弾性波装置の製造方法に関する。
　特許文献１には、弾性波装置が記載されている。
特開２０１２－２５７０１９号公報
　特許文献１に示す弾性波装置は、内部に空間部が設けられることがある。この場合、空間部とその外部との気圧差により、圧電層が破損する可能性があった。
　本開示は、上述した課題を解決するものであり、圧電層の破損を抑制することを目的とする。
　一態様に係る弾性波装置は、第１方向に厚みを有する支持基板を備える支持部材と、前記支持部材に積層され、第１主面と、前記第１主面と前記第１方向の反対側の第２主面とを有する圧電層と、前記圧電層の前記第１主面及び前記第２主面のうち少なくとも１つに設けられる機能電極と、を備える弾性波素子と、前記弾性波素子を収容するパッケージと、を備え、前記支持部材には、前記圧電層側に、前記第１方向に平面視して、前記機能電極と少なくとも一部が重なる位置に第１空間部があり、前記パッケージには、前記第１空間部の外部に、第２空間部があり、前記圧電層には、前記第１空間部及び前記第２空間部と連通する貫通孔があり、前記第１空間部と、前記第２空間部と、前記パッケージの外部とは、少なくとも１つの経路で繋がっている。
　他の態様に係る弾性波装置は、第１方向に厚みを有する支持基板を備える支持部材と、前記支持部材に積層され、第１主面と、前記第１主面と前記第１方向の反対側の第２主面とを有する圧電層と、前記圧電層の前記第１主面及び前記第２主面のうち少なくとも１つに設けられる機能電極と、を備える弾性波素子と、前記弾性波素子を収容するパッケージと、を備え、前記支持部材には、前記圧電層側に、前記第１方向に平面視して、前記機能電極と少なくとも一部が重なる位置に第１空間部があり、前記パッケージには、前記第１空間部の外部に、第２空間部があり、前記圧電層には、前記第１空間部及び前記第２空間部と連通する貫通孔があり、前記第１空間部と、前記第２空間部と、前記パッケージの外部とは、気圧が同じである。
　他の態様に係る弾性波装置は、第１方向に厚みを有する支持基板を備える支持部材と、前記支持部材に積層され、第１主面と、前記第１主面と前記第１方向の反対側の第２主面とを有する圧電層と、前記圧電層の前記第１主面及び前記第２主面のうち少なくとも１つに設けられる機能電極と、前記圧電層の前記第１方向に設けられた支持枠と、前記支持枠の前記第１方向に設けられた蓋部と、を備え、前記支持部材には、前記圧電層側に、前記第１方向に平面視して、前記機能電極と少なくとも一部が重なる位置に第１空間部があり、前記支持枠には、第２空間部があり、前記圧電層には、前記第１空間部と、前記第２空間部と、を連通する貫通孔があり、前記第１空間部と、前記第２空間部と、蓋体の外側とは、少なくとも１つの経路で繋がっている。
　他の態様に係る弾性波装置は、第１方向に厚みを有する支持基板を備える支持部材と、前記支持部材に積層され、第１主面と、前記第１主面と前記第１方向の反対側の第２主面とを有する圧電層と、前記圧電層の前記第１主面及び前記第２主面のうち少なくとも１つに設けられる機能電極と、前記圧電層の前記第１方向に設けられた支持枠と、前記支持枠の前記第１方向に設けられた蓋部と、を備え、前記支持部材には、前記圧電層側に、前記第１方向に平面視して、前記機能電極と少なくとも一部が重なる位置に第１空間部があり、前記支持枠には、第２空間部があり、前記圧電層には、前記第１空間部と、前記第２空間部と、を連通する貫通孔があり、前記第１空間部と、前記第２空間部と、蓋体の外側とは、気圧が同じである。
　一態様に係る弾性波装置の製造方法は、厚み方向に対向する１対の主面を有する圧電層の前記１対の主面のうち一方の主面の一部に犠牲層を形成する犠牲層形成工程と、前記圧電層の前記一方の主面及び前記犠牲層に中間層を形成する中間層形成工程と、前記圧電層を、前記中間層を介して支持基板に接合する接合工程と、前記圧電層の前記１対の主面のうち少なくとも一方の主面に電極を形成する電極形成工程と、前記圧電層に貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、前記犠牲層を除去する犠牲層除去工程と、を有する。
　他の態様に係る弾性波装置の製造方法は、支持基板上に中間層を形成する中間層形成工程と、前記中間層上に圧電層を形成する圧電層形成工程と、前記圧電層上に電極を形成する電極形成工程と、前記圧電層と前記中間層に貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、前記支持基板の一部に空間部を形成する第１エッチング形成工程と、前記空間部に露出する前記中間層をエッチングする第２エッチング工程と、を有する。
　本開示によれば、圧電層の破損を抑制することができる。
図１Ａは、第１実施形態の弾性波装置を示す斜視図である。 図１Ｂは、第１実施形態の電極構造を示す平面図である。 図２は、図１ＡのＩＩ－ＩＩ線に沿う部分の断面図である。 図３Ａは、比較例の圧電層を伝播するラム波を説明するための模式的な断面図である。 図３Ｂは、第１実施形態の圧電層を伝播する厚み滑り１次モードのバルク波を説明するための模式的な断面図である。 図４は、第１実施形態の圧電層を伝播する厚み滑り１次モードのバルク波の振幅方向を説明するための模式的な断面図である。 図５は、第１実施形態の弾性波装置の共振特性の例を示す説明図である。 図６は、第１実施形態の弾性波装置において、隣り合う電極の中心間距離または中心間距離の平均距離をｐ、圧電層の平均厚みをｄとした場合、ｄ／２ｐと、共振子としての比帯域との関係を示す説明図である。 図７は、第１実施形態の弾性波装置において、１対の電極が設けられている例を示す平面図である。 図８は、第１実施形態の弾性波装置の共振特性の一例を示す参考図である。 図９は、第１実施形態の弾性波装置の、多数の弾性波共振子を構成した場合の比帯域と、スプリアスの大きさとしての１８０度で規格化されたスプリアスのインピーダンスの位相回転量との関係を示す説明図である。 図１０は、ｄ／２ｐと、メタライゼーション比ＭＲと、比帯域との関係を示す説明図である。 図１１は、ｄ／ｐを限りなく０に近づけた場合のＬｉＮｂＯ３のオイラー角（０°、θ、ψ）に対する比帯域のマップを示す説明図である。 図１２は、本開示の実施形態に係る弾性波装置を説明するための部分切り欠き斜視図である。 図１３は、第１実施形態に係る弾性波装置の一例を示す断面図である。 図１４は、第１実施形態に係る弾性波装置の製造方法における犠牲層形成工程を説明するための模式的な断面図である。 図１５は、第１実施形態に係る弾性波装置の製造方法における中間層形成工程を説明するための模式的な断面図である。 図１６は、第１実施形態に係る弾性波装置の製造方法における接合工程を説明するための模式的な断面図である。 図１７は、第１実施形態に係る弾性波装置の製造方法における圧電層研磨工程を説明するための模式的な断面図である。 図１８は、第１実施形態に係る弾性波装置の製造方法における電極形成工程を説明するための模式的な断面図である。 図１９は、第１実施形態に係る弾性波装置の製造方法における貫通孔形成工程を説明するための模式的な断面図である。 図２０は、第１実施形態に係る弾性波装置の製造方法における犠牲層除去工程を説明するための模式的な断面図である。 図２１は、第２実施形態に係る弾性波装置を示す平面図である。 図２２は、図２１の線ＸＸＩＩ－ＸＸＩＩに沿った断面図である。 図２３は、第２実施形態に係る弾性波装置の一部を示す平面図である。 図２４は、第２実施形態に係る弾性波装置の製造方法における充填剤充填工程を示す説明図である。 図２５は、第２実施形態に係る弾性波装置の製造方法における支持枠形成工程を示す説明図である。 図２６は、第２実施形態に係る弾性波装置の製造方法における充填剤エッチング工程を示す説明図である。 図２７は、第３実施形態に係る弾性波装置を示す断面図である。 図２８は、第３実施形態に係る弾性波装置の製造方法における中間層形成工程を説明するための模式的な断面図である。 図２９は、第３実施形態に係る弾性波装置の製造方法における接合工程を説明するための模式的な断面図である。 図３０は、第３実施形態に係る弾性波装置の製造方法における圧電層研磨工程を説明するための模式的な断面図である。 図３１は、第３実施形態に係る弾性波装置の製造方法における電極形成工程を説明するための模式的な断面図である。 図３２は、第３実施形態に係る弾性波装置の製造方法における貫通孔形成工程を説明するための模式的な断面図である。 図３３は、第３実施形態に係る弾性波装置の製造方法における貫通栓形成工程を示す図である。 図３４は、第３実施形態に係る弾性波装置の製造方法における第１エッチング工程を説明するための模式的な断面図である。 図３５は、第３実施形態に係る弾性波装置の製造方法における第２エッチング工程を説明するための模式的な断面図である。
　以下に、本開示の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施の形態により本開示が限定されるものではない。なお、本開示に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換または組み合わせが可能である変形例や第２実施の形態以降では第１の実施形態と共通の事柄についての記述を省略し、異なる点についてのみ説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については実施形態毎には逐次言及しない。
　（第１実施形態）
　図１Ａは、第１実施形態の弾性波装置を示す斜視図である。図１Ｂは、第１実施形態の電極構造を示す平面図である。
　第１実施形態の弾性波装置１は、ＬｉＮｂＯ３からなる圧電層２を有する。圧電層２は、ＬｉＴａＯ３からなるものであってもよい。ＬｉＮｂＯ３やＬｉＴａＯ３のカット角は、第１実施形態では、Ｚカットである。ＬｉＮｂＯ３やＬｉＴａＯ３のカット角は、回転ＹカットやＸカットであってもよい。好ましくは、Ｙ伝搬及びＸ伝搬±３０°の伝搬方位が好ましい。
　圧電層２の厚みは、特に限定されないが、厚み滑り１次モードを効果的に励振するには、５０ｎｍ以上、１０００ｎｍ以下が好ましい。
　圧電層２は、Ｚ方向に対向し合う第１主面２ａと、第２主面２ｂとを有する。第１主面２ａ上に、電極指３及び電極指４が設けられている。
　ここで電極指３が「第１電極指」の一例であり、電極指４が「第２電極指」の一例である。図１Ａ及び図１Ｂでは、複数の電極指３は、第１のバスバー電極５に接続されている複数の「第１電極指」である。複数の電極指４は、第２のバスバー電極６に接続されている複数の「第２電極指」である。複数の電極指３及び複数の電極指４は、互いに間挿し合っている。これにより、電極指３と、電極指４と、第１のバスバー電極５と、第２のバスバー電極６と、を備えるＩＤＴ（Ｉｎｔｅｒｄｉｇｉｔａｌ　Ｔｒａｎｓｕｄｕｃｅｒ）電極が構成される。
　電極指３及び電極指４は、矩形形状を有し、長さ方向を有する。この長さ方向と直交する方向において、電極指３と、電極指３と隣接する電極指４とが対向している。電極指３、電極指４の長さ方向、及び、電極指３、電極指４の長さ方向と直交する方向はいずれも、圧電層２の厚み方向に交差する方向である。このため、電極指３と、電極指３と隣接する電極指４とは、圧電層２の厚み方向に交差する方向において対向しているともいえる。以下の説明では、圧電層２の厚み方向をＺ方向（または第１方向）とし、電極指３、電極指４の長さ方向をＹ方向（または第２方向）とし、電極指３、電極指４の直交する方向をＸ方向（または第３方向）として、説明することがある。
　また、電極指３、電極指４の長さ方向が図１Ａ及び図１Ｂに示す電極指３、電極指４の長さ方向に直交する方向と入れ替わってもよい。すなわち、図１Ａ及び図１Ｂにおいて、第１のバスバー電極５及び第２のバスバー電極６が延びている方向に電極指３、電極指４を延ばしてもよい。その場合、第１のバスバー電極５及び第２のバスバー電極６は、図１Ａ及び図１Ｂにおいて電極指３、電極指４が延びている方向に延びることとなる。そして、一方電位に接続される電極指３と、他方電位に接続される電極指４とが隣り合う１対の構造が、上記電極指３、電極指４の長さ方向と直交する方向に、複数対設けられている。
　ここで電極指３と電極指４とが隣り合うとは、電極指３と電極指４とが直接接触するように配置されている場合ではなく、電極指３と電極指４とが間隔を介して配置されている場合を指す。また、電極指３と電極指４とが隣り合う場合、電極指３と電極指４との間には、他の電極指３、電極指４を含む、ホット電極やグラウンド電極に接続される電極は配置されない。この対数は、整数対である必要はなく、１．５対や２．５対などであってもよい。
　電極指３と電極指４との間の中心間距離すなわちピッチは、１μｍ以上、１０μｍ以下の範囲が好ましい。また、電極指３と電極指４との間の中心間距離とは、電極指３の長さ方向と直交する方向における電極指３の幅寸法の中心と、電極指４の長さ方向と直交する方向における電極指４の幅寸法の中心とを結んだ距離となる。
　さらに、電極指３、電極指４の少なくとも一方が複数本ある場合（電極指３、電極指４を一対の電極組とした場合に、１．５対以上の電極組がある場合）、電極指３、電極指４の中心間距離は、１．５対以上の電極指３、電極指４のうち隣り合う電極指３、電極指４それぞれの中心間距離の平均値を指す。
　また、電極指３、電極指４の幅、すなわち電極指３、電極指４の対向方向の寸法は、１５０ｎｍ以上、１０００ｎｍ以下の範囲が好ましい。なお、電極指３と電極指４との間の中心間距離とは、電極指３の長さ方向と直交する方向における電極指３の寸法（幅寸法）の中心と、電極指４の長さ方向と直交する方向における電極指４の寸法（幅寸法）の中心とを結んだ距離となる。
　また、第１実施形態では、Ｚカットの圧電層を用いているため、電極指３、電極指４の長さ方向と直交する方向は、圧電層２の分極方向に直交する方向となる。圧電層２として他のカット角の圧電体を用いた場合には、この限りでない。ここにおいて、「直交」とは、厳密に直交する場合のみに限定されず、略直交（電極指３、電極指４の長さ方向と直交する方向と分極方向とのなす角度が例えば９０°±１０°）でもよい。
　圧電層２の第２主面２ｂ側には、中間層７を介して支持基板８が積層されている。中間層７及び支持基板８は、枠状の形状を有し、図２に示すように、開口部７ａ、８ａを有する。それによって、空間部（エアギャップ）９が形成されている。
　空間部９は、圧電層２の励振領域Ｃの振動を妨げないために設けられている。従って、上記支持基板８は、少なくとも１対の電極指３、電極指４が設けられている部分と重ならない位置において、第２主面２ｂに中間層７を介して積層されている。なお、中間層７は設けられずともよい。従って、支持基板８は、圧電層２の第２主面２ｂに直接または間接に積層され得る。
　中間層７は、酸化ケイ素で形成されている。もっとも、中間層７は、酸化ケイ素の他、窒化ケイ素、アルミナなどの適宜の材料で形成することができる。
　支持基板８は、Ｓｉにより形成されている。Ｓｉの圧電層２側の面における面方位は（１００）や（１１０）であってもよく、（１１１）であってもよい。好ましくは、抵抗率４ｋΩ以上の高抵抗のＳｉが望ましい。もっとも、支持基板８についても適宜の絶縁性材料や半導体材料を用いて構成することができる。支持基板８の材料としては、例えば、酸化アルミニウム、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶などの圧電体、アルミナ、マグネシア、サファイア、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライトなどの各種セラミック、ダイヤモンド、ガラスなどの誘電体、窒化ガリウムなどの半導体などを用いることができる。
　上記複数の電極指３、電極指４及び第１のバスバー電極５、第２のバスバー電極６は、Ａｌ、ＡｌＣｕ合金などの適宜の金属または合金からなる。第１実施形態では、電極指３、電極指４及び第１のバスバー電極５、第２のバスバー電極６は、Ｔｉ膜上にＡｌ膜を積層した構造を有する。なお、Ｔｉ膜以外の密着層を用いてもよい。
　駆動に際しては、複数の電極指３と、複数の電極指４との間に交流電圧を印加する。より具体的には、第１のバスバー電極５と第２のバスバー電極６との間に交流電圧を印加する。それによって、圧電層２において励振される厚み滑り１次モードのバルク波を利用した、共振特性を得ることが可能とされている。
　また、弾性波装置１では、圧電層２の厚みをｄ、複数対の電極指３、電極指４のうちいずれかの隣り合う電極指３、電極指４の中心間距離をｐとした場合、ｄ／ｐは０．５以下とされている。そのため、上記厚み滑り１次モードのバルク波が効果的に励振され、良好な共振特性を得ることができる。より好ましくは、ｄ／ｐは０．２４以下であり、その場合には、より一層良好な共振特性を得ることができる。
　なお、第１実施形態のように電極指３、電極指４の少なくとも一方が複数本ある場合、すなわち、電極指３、電極指４を１対の電極組とした場合に電極指３、電極指４が１．５対以上ある場合、隣り合う電極指３、電極指４の中心間距離ｐは、各隣り合う電極指３、電極指４の中心間距離の平均距離となる。
　第１実施形態の弾性波装置１では、上記構成を備えるため、小型化を図ろうとして、電極指３、電極指４の対数を小さくしたとしても、Ｑ値の低下が生じ難い。これは、両側に反射器を必要としない共振器であり、伝搬ロスが少ないためである。また、上記反射器を必要としないのは、厚み滑り１次モードのバルク波を利用していることによる。
　図３Ａは、比較例の圧電層を伝播するラム波を説明するための模式的な断面図である。図３Ｂは、第１実施形態の圧電層を伝播する厚み滑り１次モードのバルク波を説明するための模式的な断面図である。図４は、第１実施形態の圧電層を伝播する厚み滑り１次モードのバルク波の振幅方向を説明するための模式的な断面図である。
　図３Ａでは、特許文献１に記載のような弾性波装置であり、圧電層をラム波が伝搬する。図３Ａに示すように、圧電層２０１中を矢印で示すように波が伝搬する。ここで、圧電層２０１には、第１主面２０１ａと、第２主面２０１ｂとがあり、第１主面２０１ａと第２主面２０１ｂとを結ぶ厚み方向がＺ方向である。Ｘ方向は、ＩＤＴ電極の電極指３、４が並んでいる方向である。図３Ａに示すように、ラム波では、波が図示のように、Ｘ方向に伝搬していく。板波であるため、圧電層２０１が全体として振動するものの、波はＸ方向に伝搬するため、両側に反射器を配置して、共振特性を得ている。そのため、波の伝搬ロスが生じ、小型化を図った場合、すなわち電極指３、４の対数を少なくした場合、Ｑ値が低下する。
　これに対して、図３Ｂに示すように、第１実施形態の弾性波装置では、振動変位は厚み滑り方向であるから、波は、圧電層２の第１主面２ａと第２主面２ｂとを結ぶ方向、すなわちＺ方向にほぼ伝搬し、共振する。すなわち、波のＸ方向成分がＺ方向成分に比べて著しく小さい。そして、このＺ方向の波の伝搬により共振特性が得られるため、反射器を必要としない。よって、反射器に伝搬する際の伝搬損失は生じない。従って、小型化を進めようとして、電極指３、電極指４からなる電極対の対数を減らしたとしても、Ｑ値の低下が生じ難い。
　なお、厚み滑り１次モードのバルク波の振幅方向は、図４に示すように、圧電層２の励振領域Ｃ（図１Ｂ参照）に含まれる第１領域２５１と、励振領域Ｃに含まれる第２領域２５２とで逆になる。図４では、電極指３と電極指４との間に、電極指４が電極指３よりも高電位となる電圧が印加された場合のバルク波を模式的に示してある。第１領域２５１は、励振領域Ｃのうち、圧電層２の厚み方向に直交し圧電層２を２分する仮想平面ＶＰ１と、第１主面２ａとの間の領域である。第２領域２５２は、励振領域Ｃのうち、仮想平面ＶＰ１と、第２主面２ｂとの間の領域である。
　弾性波装置１では、電極指３と電極指４とからなる少なくとも１対の電極が配置されているが、Ｘ方向に波を伝搬させるものではないため、この電極指３、電極指４からなる電極対の対数は複数対ある必要は必ずしもない。すなわち、少なくとも１対の電極が設けられてさえおればよい。
　例えば、上記電極指３がホット電位に接続される電極であり、電極指４がグラウンド電位に接続される電極である。もっとも、電極指３がグラウンド電位に、電極指４がホット電位に接続されてもよい。第１実施形態では、少なくとも１対の電極は、上記のように、ホット電位に接続される電極またはグラウンド電位に接続される電極であり、浮き電極は設けられていない。
　図５は、第１実施形態の弾性波装置の共振特性の例を示す説明図である。なお、図５に示す共振特性を得た弾性波装置１の設計パラメータは以下の通りである。
　圧電層２：オイラー角（０°、０°、９０°）のＬｉＮｂＯ３
　圧電層２の厚み：４００ｎｍ
　励振領域Ｃ（図１Ｂ参照）の長さ：４０μｍ
　電極指３、電極指４からなる電極の対数：２１対
　電極指３と電極指４との間の中心間距離（ピッチ）：３μｍ
　電極指３、電極指４の幅：５００ｎｍ
　ｄ／ｐ：０．１３３
　中間層７：１μｍの厚みの酸化ケイ素膜
　支持基板８：Ｓｉ
　なお、励振領域Ｃ（図１Ｂ参照）とは、電極指３と電極指４の長さ方向と直交するＸ方向に視たときに、電極指３と電極指４とが重なっている領域である。励振領域Ｃの長さとは、励振領域Ｃの電極指３、電極指４の長さ方向に沿う寸法である。
　第１実施形態では、電極指３、電極指４からなる電極対の電極間距離は、複数対において全て等しくした。すなわち、電極指３と電極指４とを等ピッチで配置した。
　図５から明らかなように、反射器を有しないにもかかわらず、比帯域が１２．５％である良好な共振特性が得られている。
　ところで、上記圧電層２の厚みをｄ、電極指３と電極指４との電極の中心間距離をｐとした場合、第１実施形態では、ｄ／ｐは０．５以下、より好ましくは０．２４以下である。これを、図６を参照して説明する。
　図５に示した共振特性を得た弾性波装置と同様に、但しｄ／２ｐを変化させ、複数の弾性波装置を得た。図６は、第１実施形態の弾性波装置において、隣り合う電極の中心間距離または中心間距離の平均距離をｐ、圧電層２の平均厚みをｄとした場合、ｄ／２ｐと、共振子としての比帯域との関係を示す説明図である。
　図６に示すように、ｄ／２ｐが０．２５を超えると、すなわちｄ／ｐ＞０．５では、ｄ／ｐを調整しても、比帯域は５％未満である。これに対して、ｄ／２ｐ≦０．２５、すなわちｄ／ｐ≦０．５の場合には、その範囲内でｄ／ｐを変化させれば、比帯域を５％以上とすることができ、すなわち高い結合係数を有する共振子を構成することができる。また、ｄ／２ｐが０．１２以下の場合、すなわちｄ／ｐが０．２４以下の場合には、比帯域を７％以上と高めることができる。加えて、ｄ／ｐをこの範囲内で調整すれば、より一層比帯域の広い共振子を得ることができ、より一層高い結合係数を有する共振子を実現することができる。従って、ｄ／ｐを０．５以下とすることにより、上記厚み滑り１次モードのバルク波を利用した、高い結合係数を有する共振子を構成し得ることがわかる。
　なお、少なくとも１対の電極は、１対でもよく、上記ｐは、１対の電極の場合、隣り合う電極指３、電極指４の中心間距離とする。また、１．５対以上の電極の場合には、隣り合う電極指３、電極指４の中心間距離の平均距離をｐとすればよい。
　また、圧電層２の厚みｄについても、圧電層２が厚みばらつきを有する場合、その厚みを平均化した値を採用すればよい。
　図７は、第１実施形態の弾性波装置において、１対の電極が設けられている例を示す平面図である。弾性波装置１０１では、圧電層２の第１主面２ａ上において、電極指３と電極指４とを有する１対の電極が設けられている。なお、図７中のＫが交差幅となる。前述したように、本開示の弾性波装置では、電極の対数は１対であってもよい。この場合でも、上記ｄ／ｐが０．５以下であれば、厚み滑り１次モードのバルク波を効果的に励振することができる。
　弾性波装置１では、好ましくは、複数の電極指３、電極指４において、いずれかの隣り合う電極指３、電極指４が対向している方向に視たときに重なっている領域である励振領域Ｃに対する、上記隣り合う電極指３、電極指４のメタライゼーション比ＭＲが、ＭＲ≦１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０７５を満たすことが望ましい。その場合には、スプリアスを効果的に小さくすることができる。これを、図８及び図９を参照して説明する。
　図８は、第１実施形態の弾性波装置の共振特性の一例を示す参考図である。矢印Ｂで示すスプリアスが、共振周波数と反共振周波数との間に現れている。なお、ｄ／ｐ＝０．０８として、かつＬｉＮｂＯ３のオイラー角（０°、０°、９０°）とした。また、上記メタライゼーション比ＭＲ＝０．３５とした。
　メタライゼーション比ＭＲを、図１Ｂを参照して説明する。図１Ｂの電極構造において、１対の電極指３、電極指４に着目した場合、この１対の電極指３、電極指４のみが設けられるとする。この場合、一点鎖線で囲まれた部分が励振領域Ｃとなる。この励振領域Ｃとは、電極指３と電極指４とを、電極指３、電極指４の長さ方向と直交する方向すなわち対向方向に視たときに電極指３における電極指４と重なり合っている領域、電極指４における電極指３と重なり合っている領域、及び、電極指３と電極指４との間の領域における電極指３と電極指４とが重なり合っている領域である。そして、この励振領域Ｃの面積に対する、励振領域Ｃ内の電極指３、電極指４の面積が、メタライゼーション比ＭＲとなる。すなわち、メタライゼーション比ＭＲは、メタライゼーション部分の面積の励振領域Ｃの面積に対する比である。
　なお、複数対の電極指３、電極指４が設けられている場合、励振領域Ｃの面積の合計に対する全励振領域Ｃに含まれているメタライゼーション部分の割合をＭＲとすればよい。
　図９は、第１実施形態の弾性波装置の、多数の弾性波共振子を構成した場合の比帯域と、スプリアスの大きさとしての１８０度で規格化されたスプリアスのインピーダンスの位相回転量との関係を示す説明図である。なお、比帯域については、圧電層２の膜厚や電極指３、電極指４の寸法を種々変更し、調整した。また、図９は、ＺカットのＬｉＮｂＯ３からなる圧電層２を用いた場合の結果であるが、他のカット角の圧電層２を用いた場合においても、同様の傾向となる。
　図９中の楕円Ｊで囲まれている領域では、スプリアスが１．０と大きくなっている。図９から明らかなように、比帯域が０．１７を超えると、すなわち１７％を超えると、スプリアスレベルが１以上の大きなスプリアスが、比帯域を構成するパラメータを変化させたとしても、通過帯域内に現れる。すなわち、図８に示す共振特性のように、矢印Ｂで示す大きなスプリアスが帯域内に現れる。よって、比帯域は１７％以下であることが好ましい。この場合には、圧電層２の膜厚や電極指３、電極指４の寸法などを調整することにより、スプリアスを小さくすることができる。
　図１０は、ｄ／２ｐと、メタライゼーション比ＭＲと、比帯域との関係を示す説明図である。第１実施形態の弾性波装置１において、ｄ／２ｐと、ＭＲが異なる様々な弾性波装置１を構成し、比帯域を測定した。図１０の破線Ｄの右側のハッチングを付して示した部分が、比帯域が１７％以下の領域である。このハッチングを付した領域と、付していない領域との境界は、ＭＲ＝３．５（ｄ／２ｐ）＋０．０７５で表される。すなわち、ＭＲ＝１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０７５である。従って、好ましくは、ＭＲ≦１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０７５である。その場合には、比帯域を１７％以下としやすい。より好ましくは、図１０中の一点鎖線Ｄ１で示すＭＲ＝３．５（ｄ／２ｐ）＋０．０５の右側の領域である。すなわち、ＭＲ≦１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０５であれば、比帯域を確実に１７％以下にすることができる。
　図１１は、ｄ／ｐを限りなく０に近づけた場合のＬｉＮｂＯ３のオイラー角（０°、θ、ψ）に対する比帯域のマップを示す説明図である。図１１のハッチングを付して示した部分が、少なくとも５％以上の比帯域が得られる領域である。領域の範囲を近似すると、下記の式（１）、式（２）及び式（３）で表される範囲となる。
　（０°±１０°、０°～２０°、任意のψ）　　…式（１）
　（０°±１０°、２０°～８０°、０°～６０°（１－（θ－５０）２／９００）１／２）または（０°±１０°、２０°～８０°、［１８０°－６０°（１－（θ－５０）２／９００）１／２］～１８０°）　　…式（２）
　（０°±１０°、［１８０°－３０°（１－（ψ－９０）２／８１００）１／２］～１８０°、任意のψ）　　…式（３）
　従って、上記式（１）、式（２）または式（３）のオイラー角範囲の場合、比帯域を十分に広くすることができ、好ましい。
　図１２は、本開示の実施形態に係る弾性波装置を説明するための部分切り欠き斜視図である。図１２において、空間部９の外周縁を破線で示す。本開示の弾性波装置は、板波を利用するものであってもよい。この場合、図１２に示すように、弾性波装置３０１は、反射器３１０、３１１を有する。反射器３１０、３１１は、圧電層２の電極指３、４の弾性波伝搬方向両側に設けられる。弾性波装置３０１では、空間部９上の電極指３、４に、交流電界を印加することにより、板波としてのラム波が励振される。このとき、反射器３１０、３１１が両側に設けられているため、板波としてのラム波による共振特性を得ることができる。
　以上説明したように、弾性波装置１、１０１では、厚み滑り１次モードのバルク波が利用されている。また、弾性波装置１、１０１では、第１電極指３及び第２電極指４は隣り合う電極同士であり、圧電層２の厚みをｄ、第１電極指３及び第２電極指４の中心間距離をｐとした場合、ｄ／ｐが０．５以下とされている。これにより、弾性波装置が小型化しても、Ｑ値を高めることができる。
　弾性波装置１、１０１では、圧電層２がニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムで形成されている。圧電層２の第１主面２ａまたは第２主面２ｂには、圧電層２の厚み方向に交差する方向において対向する第１電極指３及び第２電極指４があり、第１電極指３及び第２電極指４の上を保護膜で覆うことが望ましい。
　図１３は、第１実施形態に係る弾性波装置の一例を示す断面図である。図１３に示すように、第１実施形態に係る弾性波装置１Ａは、弾性波素子１０と、パッケージ４０とを備える。弾性波素子１０は、支持部材と、圧電層２と、機能電極３０と、配線電極３５とを備える。
　支持部材は、支持基板８を備える部材である。第１実施形態では、支持部材は、支持基板８と中間層７を備える。なお、支持部材は、支持基板８のみからなるものであってもよい。支持部材には、Ｚ方向に平面視して、機能電極３０と少なくとも一部が重なる位置に空間部９がある。図１５の例では、空間部９は、中間層７の圧電層２側に設けられるが、あくまで一例であり、空間部９は、中間層７をＺ方向に貫通し、支持基板８の圧電層２側にも設けられるものであってもよい。また、支持部材が支持基板８のみからなる場合、空間部９は、支持基板８の圧電層２側に設けられるものであってもよい。
　圧電層２は、支持部材のＺ方向に設けられる。第１実施形態において、圧電層２には、圧電層２をＺ方向に貫通する貫通孔２Ｈがある。第１実施形態において、貫通孔２Ｈは、Ｚ方向に平面視して、空間部９Ａと重なる位置に設けられる。図１３の例では、貫通孔２Ｈは、機能電極３０のＸ方向の両側に２つ設けられる。貫通孔２Ｈは、空間部９Ａと連通している。これにより、空間部９Ａと、空間部９Ａの外との圧力差が抑制され、圧電層２が破損することを防ぐことができる。
　機能電極３０は、ＩＤＴ電極である。すなわち、機能電極３０は、第１電極指３と、第２電極指４と、第１のバスバー電極５と、第２のバスバー電極６とを備える。なお、図１３の例では、機能電極３０は、圧電層２の第１主面２ａに設けられるが、これに限られず、第２主面２ｂに設けられてもよい。
　配線電極３５は、機能電極３０と電気的に接続される。配線電極３５は、Ａｌ、ＡｌＣｕ合金などの適宜の金属または合金からなる。図１３の例では、配線電極３５は、圧電層２の第１主面２ａに設けられるが、単なる一例である。
　パッケージ４０は、内部に弾性波素子１０を収容する。第１実施形態において、パッケージ４０は、ケース４１と蓋部４２とを含む。ケース４１は、Ｚ方向の一方の面が開口となっている、ます状の部材である。蓋部４２は、ケース４１の開口を閉じている板状の部材である。ケース４１に弾性波素子１０を収容した後に蓋部４２で封をすることにより、パッケージ４０内を液密とすることができる。第１実施形態では、パッケージ４０には、第２空間部９２がある。第２空間部９２は、圧電層２の第１主面２ａと蓋部４２とのＺ方向の間の空間である。すなわち、第２空間部９２は、パッケージ４０内であって、空間部９の外にある空間である。第１実施形態では、パッケージ４０は、気密ではなく、気体が通過可能となっている。具体的には、パッケージ４０は、例えば通気可能な樹脂からなるが、第２空間部９２が液密となり、かつパッケージ４０の外部と通気可能であれば、これに限られない。例えば、パッケージ４０の一部が、通気可能な樹脂からなっていてもよく、パッケージ４０に、第２空間部９２とパッケージ４０の外部とを通気させる通気孔が設けられてもよい。これにより、空間部９Ａと、第２空間部９２と、パッケージ４０の外部とは、気圧が同じとなり、少なくとも１つの経路で繋がることとなる。第１実施形態において、経路とは、空間部９Ａから、貫通孔２Ｈと、第２空間部９２と、パッケージ４０とを経由して、パッケージ４０の外部までを結ぶ、気体が移動可能な経路をいう。これにより、空間部９Ａと、第２空間部９２と、パッケージ４０の外部との気圧差による圧電層２の破損を抑制できる。
　以上説明したように、第１実施形態に係る弾性波装置１Ａは、第１方向に厚みを有する支持基板８を備える支持部材と、支持部材に積層され、第１主面２ａと、第１主面２ａと第１方向の反対側の第２主面２ｂとを有する圧電層２と、圧電層２の第１主面２ａ及び第２主面２ｂのうち少なくとも１つに設けられる機能電極３０と、を備える弾性波素子１０と、弾性波素子１０を収容するパッケージ４０と、を備え、支持部材には、圧電層２側に、第１方向に平面視して、機能電極３０と少なくとも一部が重なる位置に第１空間部（空間部９）があり、パッケージ４０には、空間部９Ａの外部に、第２空間部９２があり、圧電層２には、第１空間部及び第２空間部９２と連通する貫通孔２Ｈがあり、第１空間部と、第２空間部９２と、パッケージ４０の外部とは、少なくとも１つの経路で繋がっている。これにより、第１空間部と、第２空間部９２と、パッケージ４０との気圧差による、圧電層２の破損を抑制できる。
　また、第１実施形態に係る弾性波装置１Ａは、第１方向に厚みを有する支持基板８を備える支持部材と、支持部材に積層され、第１主面２ａと、第１主面２ａと第１方向の反対側の第２主面２ｂとを有する圧電層２と、圧電層２の第１主面２ａ及び第２主面２ｂのうち少なくとも１つに設けられる機能電極３０と、を備える弾性波素子１０と、弾性波素子１０を収容するパッケージ４０と、を備え、支持部材には、圧電層２側に、第１方向に平面視して、機能電極３０と少なくとも一部が重なる位置に第１空間部（空間部９）があり、パッケージ４０には、空間部９Ａの外部に、第２空間部９２があり、圧電層２には、第１空間部及び第２空間部９２と連通する貫通孔２Ｈがあり、第１空間部と、第２空間部９２と、パッケージ４０の外部とは、気圧が同じである。これにより、第１空間部と、第２空間部９２と、パッケージ４０との気圧差による、圧電層２の破損を抑制できる。
　望ましい態様として、パッケージ４０は、少なくとも一部が通気可能な樹脂からなる。これにより、第２空間部９２を液密としつつ、パッケージ４０の外部と通気可能とすることができる。
　望ましい態様として、機能電極３０は、ＩＤＴ電極である。これにより、弾性波装置１を小型化でき、かつＱ値を高めることができる。
　望ましい態様として、機能電極３０は、第１方向に交差する第２方向に延びる複数の第１電極指３と、複数の第１電極指３が接続された第１のバスバー電極５と、第２方向に直交する第３方向に複数の第１電極指３のいずれかと対向し、第２方向に延びる複数の第２電極指４と、複数の第２電極指４が接続された第２のバスバー電極６と、を有し、圧電層２の厚みは、複数の第１電極指３と複数の第２電極指４のうち、隣り合う第１電極指３と第２電極指４との間の中心間距離をｐとした場合に２ｐ以下である。これにより、弾性波装置１を小型化でき、かつＱ値を高めることができる。
　望ましい態様として、圧電層２が、ニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムを含む。これにより、良好な共振特性が得られる弾性波装置を提供することができる。
　望ましい態様として、板波を利用可能に構成されている。これにより、結合係数が高まり、良好な共振特性が得られる弾性波装置を提供することができる。
　望ましい態様として、厚み滑りモードのバルク波を利用可能に構成されている。これにより、結合係数が高まり、良好な共振特性が得られる弾性波装置を提供することができる。
　望ましい態様として、機能電極３０は、第１方向に交差する第２方向に延びる複数の第１電極指３と、複数の第１電極指３が接続された第１のバスバー電極５と、第２方向に直交する第３方向に複数の第１電極指３のいずれかと対向し、第２方向に延びる複数の第２電極指４と、複数の第２電極指４が接続された第２のバスバー電極６と、を有し、圧電層２の厚みをｄ、隣り合う第１電極指３と第２電極指４との中心間距離をｐとした場合、ｄ／ｐ≦０．５である。これにより、弾性波装置１を小型化でき、かつＱ値を高めることができる。
　より望ましい態様として、ｄ／ｐが０．２４以下である。これにより、弾性波装置１を小型化でき、かつＱ値を高めることができる。
　望ましい態様として、機能電極３０は、第１方向に交差する第２方向に延びる複数の第１電極指３と、複数の第１電極指３が接続された第１のバスバー電極５と、第２方向に直交する第３方向に複数の第１電極指３のいずれかと対向し、第２方向に延びる複数の第２電極指４と、複数の第２電極指４が接続された第２のバスバー電極６と、を有し、第３方向に見たときに第１電極指３と第２電極指４とが重なっている領域である励振領域Ｃに対する、第１電極指３及び第２電極指４のメタライゼーション比ＭＲが、ＭＲ≦１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０７５を満たす。この場合、比帯域を確実に１７％以下にすることができる。
　望ましい態様として、圧電層２は、ニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムであり、ニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムのオイラー角（φ，θ，ψ）が、以下の式（１）、式（２）または式（３）の範囲にある。この場合、比帯域を十分に広くすることができる。
　（０°±１０°，０°～２０°，任意のψ）　　…式（１）
　（０°±１０°，２０°～８０°，０°～６０°（１－（θ－５０）２／９００）１／２）　または　（０°±１０°，２０°～８０°，［１８０°－６０°（１－（θ－５０）２／９００）１／２］～１８０°）　　…式（２）
　（０°±１０°，［１８０°－３０°（１－（ψ－９０）２／８１００）１／２］～１８０°，任意のψ）　　…式（３）
　以下に、第１実施形態に係る弾性波装置１Ａの製造方法を、図面を用いて説明する。なお、以下に示す製法は、あくまで一例であり、これに限定されない。
　図１４は、第１実施形態に係る弾性波装置の製造方法における犠牲層形成工程を説明するための模式的な断面図である。図１４に示すように、犠牲層形成工程では、圧電層２の第２主面２ｂの一部に犠牲層９Ｓを形成する。
　図１５は、第１実施形態に係る弾性波装置の製造方法における中間層形成工程を説明するための模式的な断面図である。図１５に示すように、中間層形成工程では、圧電層２の第２主面２ｂ及び犠牲層９Ｓに中間層７の第１部分７Ａを形成する。第１部分７Ａは、犠牲層７Ｓの影響による凹凸がなくなるように、表面が平坦化されている。
　図１６は、第１実施形態に係る弾性波装置の製造方法における接合工程を説明するための模式的な断面図である。図１６に示すように、接合工程では、圧電層２を、中間層７を介して支持基板８に接合する。より詳しくは、圧電層２に製膜された中間層７の第１部分７Ａと、支持基板８に製膜された中間層７の第２部分７Ｂとを接合する。これにより、圧電層２（圧電基板）が支持基板８に支持される。
　図１７は、第１実施形態に係る弾性波装置の製造方法における圧電層研磨工程を説明するための模式的な断面図である。図１７に示すように、圧電層研磨工程では、圧電層２の第２主面２ｂと厚み方向で反対側の面を研磨し、圧電層２を薄化し、第１主面２ａを形成する。
　図１８は、第１実施形態に係る弾性波装置の製造方法における電極形成工程を説明するための模式的な断面図である。図１８に示すように、電極形成工程では、リフトオフにより、圧電層２の第１主面２ａに機能電極３０及び配線電極３５を形成する。
　図１９は、第１実施形態に係る弾性波装置の製造方法における貫通孔形成工程を説明するための模式的な断面図である。図１９に示すように、貫通孔形成工程では、圧電層２の第１主面２ａにレジスト３０Ｒを製膜し、ドライエッチングにより圧電層２に貫通孔２Ｈを形成する。貫通孔２Ｈの形成後、レジスト３０Ｒは除去される。
　図２０は、第１実施形態に係る弾性波装置の製造方法における犠牲層除去工程を説明するための模式的な断面図である。図２０に示すように、犠牲層除去工程では、レジストパターニングがされた貫通孔２Ｈにエッチング液を流し込み、犠牲層９Ｓを除去する。これにより、空間部９が形成される。
　以上の工程により、第１実施形態に係る弾性波装置１Ａの弾性波素子１０が製造される。弾性波素子１０は、周波数特性の検査が行われ、適宜、周波数特性の調整がされる。その後、弾性波素子１０をケース４１に収容し、蓋部４２でケース４１の開口部を閉じることで、第１実施形態に係る弾性波装置１Ａが製造される。
　以上説明したように、第１実施形態に係る弾性波装置１Ａの製造方法は、厚み方向に対向する１対の主面を有する圧電層２の１対の主面のうち一方の主面の一部に犠牲層９Ｓを形成する犠牲層形成工程と、圧電層２の一方の主面及び犠牲層９Ｓに中間層７を形成する中間層形成工程と、圧電層２を、中間層７を介して支持基板８に接合する接合工程と、圧電層２の１対の主面のうち少なくとも一方の主面に電極（機能電極３０及び配線電極３５）を形成する電極形成工程と、圧電層２に貫通孔２Ｈを形成する貫通孔形成工程と、犠牲層９Ｓを除去する犠牲層除去工程と、を有する。これにより、犠牲層９Ｓを除去することで形成される第１空間部と、第１空間部の外側の空間とが連通するので、空間部９Ａの内外の気圧差による圧電層２の破損を抑制できる。
（第２実施形態）
　図２１は、第２実施形態に係る弾性波装置を示す平面図である。図２２は、図２１の線ＸＸＩＩ－ＸＸＩＩに沿った断面図である。第２実施形態に係る弾性波装置１Ｂは、パッケージ４０に代えて、支持枠４３と、蓋体４５とを備える点で、第１実施形態と異なる。以下、図面を用いて第２実施形態に係る弾性波装置１Ｂについて説明する。なお、第１実施形態に係る弾性波装置１Ａと同様の構成については、同じ符号を付して説明を省略する。
　図２３は、第２実施形態に係る弾性波装置の一部を示す平面図である。図２３は、弾性波装置１Ｂから蓋体４５を除いた図である。図２１から図２３に示すように、弾性波装置１Ｂは、支持部材と、圧電層２と、機能電極３０と、配線電極３２と、支持枠４３と、内部支持部４４と、蓋体４５とを備える。
　配線電極３２は、圧電層２の第１主面２ａに設けられる。配線電極３２は、Ａｌ、ＡｌＣｕ合金などの適宜の金属または合金からなる。図２２の例では、配線電極３２は、Ｚ方向に平面視して空間部９Ａと重ならない位置に設けられる。配線電極３２は、機能電極３０と電気的に接続されている。
　支持枠４３は、圧電層２を蓋体４５に支持させる支持部である。支持枠４３は、感光性樹脂からなる。支持枠４３は、図２３に示す例では、支持枠４３は、Ｚ方向に平面視して、機能電極３０の周りを囲むように線状のパターンで形成されている。支持枠４３のＺ方向の一方の面は、配線電極３２と接着され、支持枠４３のＺ方向の他方の面は、蓋体４５と接着される。支持枠４３には、第２空間部９２Ａがある。第２空間部９２Ａは、支持枠４３の内側にある空間であって、圧電層２と、後述する蓋体４５との間にある空間である。
　内部支持部４４は、圧電層２を蓋体４５に支持させる支持部である。内部支持部４４は、感光性樹脂からなる。図２３に示す例では、内部支持部４４は、第２空間部９２Ａ内に設けられる。内部支持部４４は、Ｚ方向に平面視して、空間部９と重ならない位置に設けられる。内部支持部４４のＺ方向の一方の面は、圧電層２の第１主面２ａまたは配線電極３２に接している。内部支持部４４のＺ方向の他方の面は、蓋体４５と接している。これにより、蓋体４５は、内部支持部４４によっても支持されるので、蓋体４５の強度を向上できる。なお、内部支持部４４は、必須の構成ではない。
　蓋体４５は、支持枠４３及び内部支持部４４に設けられるシートである。蓋体４５は、樹脂からなる。蓋体４５は、端子電極５７によって支持枠４３に固定される。
　第２実施形態では、支持枠４３及び蓋体４５は、液体が通過できない。また、支持枠４３と、蓋体４５とのうち、少なくとも一方は、気体が通過できる。具体的には、支持枠４３と、蓋体４５とのうち、少なくとも一方は、例えば通気可能な樹脂からなるが、第２空間部９２Ａが液密となり、かつ蓋体４５の外部と通気可能であれば、これに限られない。例えば、支持枠４３または蓋体４５の一部が、通気可能な樹脂からなっていてもよく、支持枠４３または蓋体４５に、第２空間部９２Ａと蓋体４５の外側とを通気させる通気孔が設けられてもよい。これにより、第２空間部９２Ａが液密となる一方で、気密とならない。これにより、空間部９Ａと、第２空間部９２と、蓋体４５の外側との気圧が同じとなり、少なくとも１つの経路で繋がることとなる。第２実施形態において、経路とは、空間部９Ａから、貫通孔２Ｈと、第２空間部９２Ａと、支持枠４３または蓋体４５とを経由して、蓋体４５の外側までを結ぶ、気体が移動可能な経路をいう。これにより、空間部９Ａと、第２空間部９２と、蓋体４５の外側との気圧差による圧電層２の破損を抑制できる。
　端子電極５７は、Ｃｕ層、Ｎｉ層の上にＡｕ層をめっきした積層体である。端子電極５７は、支持枠４３及び蓋体４５を貫通するように設けられる。端子電極５７は、いわゆる、バンプメタルであり、配線電極３２と電気的に接続される。
　端子電極５７には、バンプ５８が設けられる。バンプ５８は、いわゆる、バンプメタルであり、ＢＧＡ（ｂａｌｌ　ｇｒｉｄ　ａｒｒａｙ）バンプである。バンプ５８は、端子電極５７のＺ方向に積層され、端子電極５７と電気的に接続される。これにより、バンプ５８から機能電極３０までが電気的に接続される。
　以上、第２実施形態に係る弾性波装置１Ｂについて説明したが、第２実施形態に係る弾性波装置は、図２２で示すものに限られない。例えば、弾性波装置１Ｂは、複数の空間部９Ａを有していてもよく、複数の共振子が設けられていてもよい。
　以上説明したように、第２実施形態に係る弾性波装置１Ｂは、第１方向に厚みを有する支持基板８を備える支持部材と、支持部材に積層され、第１主面２ａと、第１主面２ａと第１方向の反対側の第２主面２ｂとを有する圧電層２と、圧電層２の第１主面２ａ及び第２主面２ｂのうち少なくとも１つに設けられる機能電極３０と、圧電層２の第１方向に設けられた支持枠４３と、支持枠４３の第１方向に設けられた蓋体４５と、を備え、支持部材には、圧電層２側に、第１方向に平面視して、機能電極３０と少なくとも一部が重なる位置に第１空間部（空間部９Ａ）があり、支持枠４３には、第２空間部９２Ａがあり、圧電層２には、第１空間部と、第２空間部９２Ａと、を連通する貫通孔２Ｈがあり、第１空間部と、第２空間部９２Ａと、蓋体４５の外側とは、少なくとも１つの経路で繋がっている。これにより、第１空間部と、第２空間部９２と、蓋体４５の外側との気圧差による、圧電層２の破損を抑制できる。
　また、第２実施形態に係る弾性波装置１Ｂは、第１方向に厚みを有する支持基板８を備える支持部材と、支持部材に積層され、第１主面２ａと、第１主面２ａと第１方向の反対側の第２主面２ｂとを有する圧電層２と、圧電層２の第１主面２ａ及び第２主面２ｂのうち少なくとも１つに設けられる機能電極３０と、圧電層２の第１方向に設けられた支持枠４３と、支持枠４３の第１方向に設けられた蓋体４５と、を備え、支持部材には、圧電層２側に、第１方向に平面視して、機能電極３０と少なくとも一部が重なる位置に第１空間部（空間部９Ａ）があり、支持枠４３には、第２空間部９２Ａがあり、圧電層２には、第１空間部と、第２空間部９２Ａと、を連通する貫通孔２Ｈがあり、第１空間部と、第２空間部９２Ａと、蓋体４５の外側とは、気圧が同じである。これにより、第１空間部と、第２空間部９２と、蓋体４５の外側との気圧差による、圧電層２の破損を抑制できる。
　望ましい態様として、支持枠４３と、蓋体４５のうち、少なくとも一方は、少なくとも一部が通気可能な樹脂からなる。これにより、第２空間部９２Ａを液密としつつ、蓋体４５と通気可能とすることができる。
　以下、第２実施形態に係る弾性波装置１Ｂの製造方法について説明する。ここで、第２実施形態に係る弾性波装置１Ｂの製造方法は、犠牲層形成工程から犠牲層除去工程まで、第１実施形態に係る弾性波装置１Ａの製造方法と同じ工程であるので、説明を省略する。なお、以下に示す製法は、あくまで一例であり、これに限定されない。
　図２４は、第２実施形態に係る弾性波装置の製造方法における充填剤充填工程を示す説明図である。充填剤充填工程では、貫通孔２Ｈから充填剤９Ｒを注入する。このとき、図２４に示すように、充填剤９Ｒは、空間部９Ａの内壁と、貫通孔２Ｈの内壁と、機能電極３０を覆うように、注入される。これにより、後述する支持枠形成工程において、Ｚ方向に平面視して、空間部９Ａと重なる位置にある圧電層２が保護されるので、圧電層２の破損を抑制できる。なお、充填剤充填工程において、空間部９Ａは、充填剤９Ｒで満たされなくてもよく、空間部９に気泡９Ｂが生じてもよい。
　ここで、充填剤９Ｒは、非感光性樹脂を含む。これにより、後述する支持枠形成工程において、充填剤９Ｒが除去されることを防ぐことができる。なお、充填剤９Ｒは、支持枠形成工程において、現像液で除去されない材料であって、充填剤エッチング工程において、支持枠４３を溶かさない溶剤で除去できる材料であれば、これに限られず、例えば、レジストであってもよい。
　図２５は、第２実施形態に係る弾性波装置の製造方法における支持枠形成工程を示す説明図である。図２５に示すように、支持枠形成工程では、圧電層２上に支持枠４３及び内部支持部４４が形成される。より詳しくは、感光性樹脂を、配線電極３５及び充填剤９Ｒのある圧電層２の第１主面２ａに塗布し、露光と現像により支持枠４３及び内部支持部４４以外の部分を除去する。ここで、充填剤９Ｒは、現像液と反応しない物質からなるので、圧電層２を保護しつつ、支持枠４３及び内部支持部４４を形成することができる。
　図２６は、第２実施形態に係る弾性波装置の製造方法における充填剤エッチング工程を示す説明図である。図２６に示すように、充填剤エッチング工程では、充填剤９Ｒをエッチング液によりエッチングする。充填剤９Ｒのエッチング液は、支持枠４３を溶かさない溶剤である。これにより、空間部９Ａ内の残渣を完全に除去でき、周波数特性が劣化することを抑制できる。
　充填剤エッチング後、蓋体４５を支持枠４３に設ける。そして、端子電極５７を、蓋体４５をＺ方向に貫通するように設ける。そして、端子電極５７に、バンプ５８を積層する。以上の工程により、弾性波装置１Ｂが製造できる。
　以上説明したように、第１実施形態に係る弾性波装置１Ｂの製造方法は、貫通孔２Ｈに充填剤９Ｒを充填する充填剤充填工程と、圧電層２上に支持枠４３を形成する支持枠形成工程と、充填剤９Ｒをエッチングする充填剤エッチング工程と、をさらに有する。これにより、支持枠形成工程で圧電層２が保護されるので、圧電層２の破損を抑制できる。
　望ましい態様として、充填剤９Ｒは、非感光性の樹脂を含む。これにより、支持枠４３を感光性材料で形成する場合、支持枠形成工程における露光や現像の影響を受けることを防ぐことができる。
（第３実施形態）
　図２７は、第３実施形態に係る弾性波装置を示す断面図である。第３実施形態に係る弾性波装置１Ｃは、貫通栓２１をさらに備える点で、第１実施形態と異なる。以下、図面を用いて第２実施形態に係る弾性波装置１Ｃについて説明する。なお、第１実施形態に係る弾性波装置１Ａと同様の構成については、符号を付して説明を省略する。
　図２７に示すように、第３実施形態において、支持部材には、空間部９がある。空間部９は、支持部材をＺ方向に貫通する空間である。図２７の例では、空間部９に露出する開口部７ａは、Ｚ方向に平面視して、空間部９に露出する開口部８ａの内側にある。
　図２７に示すように、貫通栓２１は、圧電層２を貫通するように設けられる。ここで、貫通栓２１は、圧電層２に形成された貫通孔２Ｈに設けられている。すなわち、貫通孔２Ｈは、貫通栓２１で塞がれている。貫通栓２１は、液体は通過できない一方で、気体が通過できる材料からなり、例えば、感光性ポリイミド樹脂からなる。これにより、空間部９を液密としつつ、空間部９と第２空間部９２との気圧が同じとなり、少なくとも１つの経路で繋がることとなる。第３実施形態において、経路とは、空間部９から、貫通栓２１と、第２空間部９２と、パッケージ４０とを経由して、パッケージ４０の外部までを結ぶ、気体が移動可能な経路をいう。これにより、空間部９と、第２空間部９２と、パッケージ４０の外部との気圧差により、圧電層２が破損することを防ぐことができる。
　以上説明したように、第３実施形態に係る弾性波装置１Ｃは、貫通孔２Ｈに設けられ、圧電層２を貫通する貫通栓２１をさらに備え、貫通栓２１は、通気可能である。これにより、空間部９と第２空間部９２との気圧を同じに保ちつつ、空間部９を液密とできる。
　望ましい態様として、貫通栓２１は、感光性ポリイミド樹脂を含む。この場合、弾性波装置１Ｃの製造が容易である。これにより、貫通栓２１は、液体が通過不可である一方で、気体が通過可能となるので、空間部９を液密としつつ、空間部９と第２空間部９２との圧力差を抑制できる。
　以下、第３実施形態に係る弾性波装置の製造方法について説明する。なお、以下に示す製法は、あくまで一例であり、これに限定されない。
　図２８は、第３実施形態に係る弾性波装置の製造方法における中間層形成工程を説明するための模式的な断面図である。図２８に示すように、中間層形成工程では、圧電層２の第２主面２ｂに中間層７の第１部分７Ａを形成する。
　図２９は、第３実施形態に係る弾性波装置の製造方法における接合工程を説明するための模式的な断面図である。図２９に示すように、接合工程では、圧電層２を、中間層７を介して支持基板８に接合する。より詳しくは、圧電層２に製膜された中間層７の第１部分７Ａと、支持基板８に製膜された中間層７の第２部分７Ｂとを接合する。これにより、圧電層２（圧電基板）が支持基板８に支持される。
　図３０は、第３実施形態に係る弾性波装置の製造方法における圧電層研磨工程を説明するための模式的な断面図である。図３０に示すように、圧電層研磨工程では、圧電層２の第２主面２ｂと厚み方向で反対側の面を研磨し、圧電層２を薄化し、第１主面２ａを形成する。
　図３１は、第３実施形態に係る弾性波装置の製造方法における電極形成工程を説明するための模式的な断面図である。図３１に示すように、電極形成工程では、リフトオフにより、圧電層２の第１主面２ａに機能電極３０及び配線電極３５を形成する。
　図３２は、第３実施形態に係る弾性波装置の製造方法における貫通孔形成工程を説明するための模式的な断面図である。図３２に示すように、貫通孔形成工程では、圧電層２の第１主面２ａにレジスト３０Ｒを製膜し、ドライエッチングにより圧電層２及び中間層７に貫通孔２Ｈを形成する。貫通孔２Ｈの形成後、レジスト３０Ｒは除去される。
　図３３は、第３実施形態に係る弾性波装置の製造方法における貫通栓形成工程を示す図である。図３３に示すように、貫通栓形成工程では、貫通孔２Ｈを塞ぐように貫通栓２１を形成する。具体的には、貫通栓２１は、感光性の樹脂からなり、露出と現像により形成される。
　図３４は、第３実施形態に係る弾性波装置の製造方法における第１エッチング工程を説明するための模式的な断面図である。図３４に示すように、第１エッチング工程では、ＤＲＩＥ（Ｄｅｅｐ　Ｒｅａｃｔｉｖｅ　Ｉｏｎ　Ｅｔｃｈｉｎｇ）などのドライエッチングにより、支持基板８の一部をエッチングすることで、空間部９を形成する。
　図３５は、第３実施形態に係る弾性波装置の製造方法における第２エッチング工程を説明するための模式的な断面図である。図３５に示すように、第２エッチング工程では、中間層７の一部をエッチングすることで、空間部９を厚さ方向に広くする。これにより、貫通栓２１はエッチングされず、中間層７のみがエッチングされる。なお、このとき、空間部９に露出する開口部７ａが、Ｚ方向に平面視して、空間部９に露出する開口部８ａの内側となる。
　以上の工程により、第３実施形態に係る弾性波装置１Ｃの弾性波素子１０Ｃが製造される。弾性波素子１０Ｃは、周波数特性の検査が行われ、適宜、周波数特性の調整がされる。その後、弾性波素子１０Ｃを、ケース４１に収容し、蓋部４２でケース４１の開口部を閉じることで、第３実施形態に係る弾性波装置１Ｃが製造される。
　以上説明したように、第３実施形態に係る弾性波装置１Ｃの製造方法は、支持基板８上に中間層７を形成する中間層形成工程と、中間層７上に圧電層２を形成する圧電層形成工程と、圧電層２上に電極（機能電極３０及び配線電極３５）を形成する電極形成工程と、圧電層２と中間層７に貫通孔２Ｈを形成する貫通孔形成工程と、支持基板８の一部に空間部９を形成する第１エッチング形成工程と、空間部９に露出する中間層７をエッチングする第２エッチング工程と、を有する。これにより、犠牲層９Ｓを除去することで形成される空間部９と空間部９の外側の空間とが連通するので、空間部９の内外の気圧差による圧電層２の破損を抑制できる。
　また、第３実施形態に係る弾性波装置１Ｃの製造方法は、貫通孔２Ｈに貫通栓２１を形成する貫通栓形成工程をさらに有する。これにより、貫通孔２Ｈに起因する圧電層２の破壊を抑制しつつ、空間部９と第２空間部９２との圧力差が抑制され、圧電層２の破損を抑制できる。
　なお、上記した実施の形態は、本開示の理解を容易にするためのものであり、本開示を限定して解釈するためのものではない。本開示は、その趣旨を逸脱することなく、変更／改良され得るとともに、本開示にはその等価物も含まれる。
１、１Ａ～１Ｃ、１０１、３０１　弾性波装置
２　圧電層
２Ｈ　貫通孔
２ａ　第１主面
２ｂ　第２主面
３　電極指（第１電極指）
４　電極指（第２電極指）
５　バスバー電極（第１のバスバー電極）
６　バスバー電極（第２のバスバー電極）
７　中間層
７ａ　開口部
７Ａ　第１部分
７Ｂ　第２部分
７Ｓ　犠牲層
８　支持基板（第１基板）
８ａ　開口部
９、９Ａ　空間部（第１空間部）
９Ｂ　気泡
９Ｓ　犠牲層
９Ｒ　充填剤
１０、１０Ｃ　弾性波素子
２１　貫通栓
３０　機能電極
３０Ｒ　レジスト
３２、３５　配線電極
４０　パッケージ
４１　ケース
４２　蓋部
４３　支持枠
４４　内部支持部
４５　蓋体
５７　端子電極
５８　バンプ
９２、９２Ａ　第２空間部
２０１　圧電層
２０１ａ　第１主面
２０１ｂ　第２主面
２５１　第１領域
２５２　第２領域
３１０、３１１　反射器
Ｃ　励振領域
ＶＰ１　仮想平面

Claims (22)

  1. 　第１方向に厚みを有する支持基板を備える支持部材と、前記支持部材に積層され、第１主面と、
    前記第１主面と前記第１方向の反対側の第２主面とを有する圧電層と、前記圧電層の前記第１主面及び前記第２主面のうち少なくとも１つに設けられる機能電極と、を備える弾性波素子と、
    　前記弾性波素子を収容するパッケージと、を備え、
    　前記支持部材には、前記圧電層側に、前記第１方向に平面視して、前記機能電極と少なくとも一部が重なる位置に第１空間部があり、
    　前記パッケージには、前記第１空間部の外部に、第２空間部があり、
    　前記圧電層には、前記第１空間部及び前記第２空間部と連通する貫通孔があり、
    　前記第１空間部と、前記第２空間部と、前記パッケージの外部とは、少なくとも１つの経路で繋がっている、弾性波装置。
  2. 　第１方向に厚みを有する支持基板を備える支持部材と、前記支持部材に積層され、第１主面と、前記第１主面と前記第１方向の反対側の第２主面とを有する圧電層と、前記圧電層の前記第１主面及び前記第２主面のうち少なくとも１つに設けられる機能電極と、を備える弾性波素子と、
    　前記弾性波素子を収容するパッケージと、を備え、
    　前記支持部材には、前記圧電層側に、前記第１方向に平面視して、前記機能電極と少なくとも一部が重なる位置に第１空間部があり、
    　前記パッケージには、前記第１空間部の外部に、第２空間部があり、
    　前記圧電層には、前記第１空間部及び前記第２空間部と連通する貫通孔があり、
    　前記第１空間部と、前記第２空間部と、前記パッケージの外部とは、気圧が同じである、弾性波装置。
  3. 　前記パッケージは、少なくとも一部が通気可能な樹脂からなる、請求項１または２に記載の弾性波装置。
  4. 　第１方向に厚みを有する支持基板を備える支持部材と、
    　前記支持部材に積層され、第１主面と、前記第１主面と前記第１方向の反対側の第２主面とを有する圧電層と、
    　前記圧電層の前記第１主面及び前記第２主面のうち少なくとも１つに設けられる機能電極と、
    　前記圧電層の前記第１方向に設けられた支持枠と、
    　前記支持枠の前記第１方向に設けられた蓋部と、
    　を備え、
    　前記支持部材には、前記圧電層側に、前記第１方向に平面視して、前記機能電極と少なくとも一部が重なる位置に第１空間部があり、
    　前記支持枠には、第２空間部があり、
    　前記圧電層には、前記第１空間部と、前記第２空間部と、を連通する貫通孔があり、
    　前記第１空間部と、前記第２空間部と、蓋体の外側とは、少なくとも１つの経路で繋がっている、弾性波装置。
  5. 　第１方向に厚みを有する支持基板を備える支持部材と、
    　前記支持部材に積層され、第１主面と、前記第１主面と前記第１方向の反対側の第２主面とを有する圧電層と、
    　前記圧電層の前記第１主面及び前記第２主面のうち少なくとも１つに設けられる機能電極と、
    　前記圧電層の前記第１方向に設けられた支持枠と、
    　前記支持枠の前記第１方向に設けられた蓋部と、
    　を備え、
    　前記支持部材には、前記圧電層側に、前記第１方向に平面視して、前記機能電極と少なくとも一部が重なる位置に第１空間部があり、
    　前記支持枠には、第２空間部があり、
    　前記圧電層には、前記第１空間部と、前記第２空間部と、を連通する貫通孔があり、
    　前記第１空間部と、前記第２空間部と、蓋体の外側とは、気圧が同じである、弾性波装置。
  6. 　前記支持枠と、前記蓋体のうち、少なくとも一方は、少なくとも一部が通気可能な樹脂からなる、請求項４または５に記載の弾性波装置。
  7. 　前記貫通孔に設けられ、前記圧電層を貫通する貫通栓をさらに備え、
    　前記貫通栓は、通気可能である、請求項１から６のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  8. 　前記貫通栓は、感光性ポリイミド樹脂を含む、請求項７に記載の弾性波装置。
  9. 　前記機能電極は、ＩＤＴ電極である、請求項１から８のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  10. 　前記機能電極は、前記第１方向に交差する第２方向に延びる複数の第１電極指と、前記複数の第１電極指が接続された第１のバスバー電極と、前記第２方向に直交する第３方向に前記複数の第１電極指のいずれかと対向し、前記第２方向に延びる複数の第２電極指と、前記複数の第２電極指が接続された第２のバスバー電極と、を有し、
    　前記圧電層の厚みは、前記複数の第１電極指と前記複数の第２電極指のうち、隣り合う第１電極指と第２電極指との間の中心間距離をｐとした場合に２ｐ以下である、請求項１から９のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  11. 　前記圧電層が、ニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムを含む、請求項１から１０のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  12. 　板波を利用可能に構成されている、請求項１から１１のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  13. 　厚み滑りモードのバルク波を利用可能に構成されている、請求項１から１１のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  14. 　前記機能電極は、前記第１方向に交差する第２方向に延びる複数の第１電極指と、前記複数の第１電極指が接続された第１のバスバー電極と、前記第２方向に直交する第３方向に前記複数の第１電極指のいずれかと対向し、前記第２方向に延びる複数の第２電極指と、前記複数の第２電極指が接続された第２のバスバー電極と、を有し、
    　前記圧電層の厚みをｄ、隣り合う前記第１電極指と前記第２電極指との中心間距離をｐとした場合、ｄ／ｐ≦０．５である、請求項１から１１のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  15. 　ｄ／ｐが０．２４以下である、請求項１４に記載の弾性波装置。
  16. 　前記機能電極は、前記第１方向に交差する第２方向に延びる複数の第１電極指と、前記複数の第１電極指が接続された第１のバスバー電極と、前記第２方向に直交する第３方向に前記複数の第１電極指のいずれかと対向し、前記第２方向に延びる複数の第２電極指と、前記複数の第２電極指が接続された第２のバスバー電極と、を有し、
    　前記第１電極指及び前記第２電極指が対向している方向に視たときに、前記第１電極指及び前記第２電極指が重なり合っている領域である励振領域に対する、前記励振領域内の前記第１電極指及び前記第２電極指の面積の割合であるメタライゼーション比ＭＲが、ＭＲ≦１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０７５を満たす、請求項１から１１のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  17. 　前記圧電層は、ニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムからなり、前記圧電層を構成しているニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムのオイラー角（φ，θ，ψ）が、以下の式（１）、式（２）または式（３）の範囲にある、請求項１から１１のいずれか１項に記載の弾性波装置。
    　（０°±１０°，０°～２０°，任意のψ）　　…式（１）
    　（０°±１０°，２０°～８０°，０°～６０°（１－（θ－５０）２／９００）１／２）　または　（０°±１０°，２０°～８０°，［１８０°－６０°（１－（θ－５０）２／９００）１／２］～１８０°）　　…式（２）
    　（０°±１０°，［１８０°－３０°（１－（ψ－９０）２／８１００）１／２］～１８０°，任意のψ）　　…式（３）
  18. 　厚み方向に対向する１対の主面を有する圧電層の前記１対の主面のうち一方の主面の一部に犠牲層を形成する犠牲層形成工程と、
    　前記圧電層の前記一方の主面及び前記犠牲層に中間層を形成する中間層形成工程と、
    　前記圧電層を、前記中間層を介して支持基板に接合する接合工程と、
    　前記圧電層の前記１対の主面のうち少なくとも一方の主面に電極を形成する電極形成工程と、
    　前記圧電層に貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、
    　前記犠牲層を除去する犠牲層除去工程と、を有する、弾性波装置の製造方法。
  19. 　支持基板上に中間層を形成する中間層形成工程と、
    　前記中間層上に圧電層を形成する圧電層形成工程と、
    　前記圧電層上に電極を形成する電極形成工程と、
    　前記圧電層と前記中間層に貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、
    　前記支持基板の一部に空間部を形成する第１エッチング形成工程と、
    　前記空間部に露出する前記中間層をエッチングする第２エッチング工程と、を有する、弾性波装置の製造方法。
  20. 　前記貫通孔に充填剤を充填する充填剤充填工程と、
    　前記圧電層上に支持枠を形成する支持枠形成工程と、
    　前記充填剤をエッチングする充填剤エッチング工程と、をさらに有する、請求項１８または１９に記載の弾性波装置の製造方法。
  21. 　前記充填剤は、非感光性の樹脂を含む、請求項２０に記載の弾性波装置の製造方法。
  22. 　前記貫通孔に貫通栓を形成する貫通栓形成工程をさらに有する、請求項１８から２１のいずれか１項に記載の弾性波装置の製造方法。
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