KR100443665B1 - 단면 반사형 표면파 장치 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 불필요파의 반사에 의한 특성의 열화가 생기기 어렵고, 압전기판의 치핑(chipping)이나 크랙이 생기기 어려운 단면 반사형 표면파 장치의 제조방법을 제공한다. 또한, SH타입의 표면파를 이용한 단면 반사형 표면파 장치(1)의 제조시, 압전기판(2)의 상면에 적어도 1개의 IDT(3, 4)를 형성한 후, 반사 단면으로서 기능하는 대향하는 두 단면을 형성하기 위하여, 압전기판의 상면에서 반사 단면으로서 기능하는 평활한 제 1 단의 단면부(2a1, 2b1)를 형성하는 제 1 하프커트 공정; 제 1 하프커트 공정보다도 나중에, 조면에 의해 구성되는 제 2 단면부(2a2, 2b2)를 형성하는 제 2 하프커트 공정; 제 2 단면부(2a2, 2b2)보다도 표면파 전파방향 외측에 있어서, 압전기판의 하면에 이르도록 압전기판을 절단하는 풀커트 공정;을 구비하는 것을 특징으로 하는 단면 반사형 표면파 장치(1)의 제조방법을 제공한다.

Description

단면 반사형 표면파 장치 및 그 제조방법{Edge reflection type surface acoustic wave device and manufacturing method for the same}
본 발명은 공진자나 대역 필터로서 사용되는 탄성 표면파 장치에 관한 것으로, 특히 대향하는 두 단면 SH타입의 표면파를 반사키시는 구조를 구비한 단면 반사형 표면파 장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.
종래, BGS파나 러브파(love wave) 등의 SH파를 이용하고, 대향하는 두 단면간에서의 SH파의 반사를 이용한 단면 반사형 표면파 장치가 제안되어 있다.
단면 반사형 표면파 장치에서는 대향하는 두 단면에서 SH파가 반사되지만, 이 경우, SH파 이외의 불필요파가 단면에서 반사되면 특성상 소망하지 않는 리플이 나타나거나, GDT(군지연 시간 특성)의 편차가 증대한다는 문제점이 있었다.
일본국 특허 공개공보 평4-82315호에는 단면 반사형 표면파 장치에 있어서, 불필요한 스퓨리어스의 원인이 되는 벌크파를 억압하는 구조가 나타나 있다. 여기에서는 반사 단면으로 사용되는 대향하는 두 단면에, 압전 기판 표면에서 SH파의 에너지의 80%가 집중하는 압전 기판층 이상의 두께의 층을 가린 높이 위치에, 단차가 형성되어 있다. 벌크파의 에너지는 압전 기판 두께의 전역에 걸쳐, 한편 SH파의 에너지는 압전 기판 표면에 가까운 층에 집중하고 있다. 따라서, 이 선행기술에서는 상기 SH파와 벌크파의 에너지의 편차를 이용하고, 단차보다도 압전기판의 표면측의 압전기판층에 있어서 SH파의 공진이 유효하게 이용되고, 한편 단차보다도 하측의 압전기판층에서는 벌크파 공진의 영향이 차단되어, 그에 따라 벌크파에 의한 스퓨리어스의 억압이 달성된다.
또한, 이 선행기술에서는 상기 단차보다도 하측의 단면 부분을 조면(粗面)으로 함으로써, 벌크파를 난반사하고 벌크파의 공진 에너지를 감소하는 취지도 나타나 있다.
그러나, 이 선행기술에서는 상기 단차보다도 하측의 단면 부분을 반드시 조면으로 할 필요는 없다는 취지가 나타나 있다.
또한 상기 선행기술의 도 5에서는, 압전기판의 전극이 형성되어 있는 면측에 형성된 단면부에서 하측에 2단의 단차를 사이에 두고 제 2, 제 3 단면부가 형성되어 있는 구조가 나타나 있고, 여기에서는 각 단차의 하측에 있어서, 제 2, 제 3 단면부를 적당히 조면으로 하여도 된다는 취지가 기재되어 있다.
일본국 특허 공개공보 평4-82315호에 개시되어 있는 바와 같이, 종래 단면 반사형 표면파 장치에 있어서, 단면에 있어서의 벌크파 등의 불필요파의 반사를 억제하기 위하여, 단면을 조면으로 하는 방법이 알려져 있었다. 그러나, 단면이 조면이 되는 조건으로, 압전기판의 대향하는 두 단면을 블레이드를 사용하여 절단한 경우, 단면에 크랙이 생기거나 압전기판의 단면과 이면이 이루는 단부 부분의 치핑이 생기기 쉽다는 문제점이 있었다.
즉, 불필요파의 단면에서의 반사에 의한 소망하지 않는 리플이나 스퓨리어스를 충분히 억압할 수 있고, 또한 크랙이나 치핑 등이 생기기 어려운 단면 반사형 표면파 장치를 얻는 것은 대단히 곤란하였다.
본 발명의 목적은 상술한 종래기술의 결점을 해소하여, 불필요파의 단면에서의 반사에 기인하는 특성의 열화가 생기기 어렵고, 또한 압전기판에 있어서의 크랙이나 치핑이 생기기 어려운, 단면 반사형 표면파 장치의 제조방법, 및 이러한 제조방법에 의해 제공되는 상기 단면 반사형 표면파 장치를 제공하는데 있다.
도 1(a)는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 단면 반사형 표면파 장치의 평면도이고, 도 1(b)는 도 1(a)의 A-A선을 따르는 부분 절개 정면 단면도이다.
도 2는 제 2 단면부의 표면 거칠기 Ra와 대역내 GDT 편차와의 관계를 나타내는 도면이다.
도 3은 제 1 단면부의 깊이 방향 치수 d1과 삽입손실과의 관계를 나타내는 도면이다.
도 4는 제 1 단면부의 깊이 방향 치수 d1과 대역내 GDT 편차와의 관계를 나타내는 도면이다.
도 5는 제 2 단면부의 깊이 방향 치수 d2와 대역내 GDT 편차와의 관계를 나타내는 도면이다.
도 6(a)∼(d)는 본 발명의 제조방법의 실시예로서의 제 1 제조방법을 설명하기 위한 각 부분 절개 단면도이다.
도 7(a)∼(e)는 본 발명의 제조방법의 실시예로서의 제 2 제조방법을 설명하기 위한 각 부분 절개 단면도이다.
도 8(a)∼(d)는 본 발명의 제조방법의 실시예로서의 제 3 제조방법을 설명하기 위한 각 부분 절개 단면도이다.
도 9(a)∼(d)는 본 발명의 제조방법의 실시예로서의 제 4 제조방법을 설명하기 위한 각 부분 절개 단면도이다.
도 10은 압전체 웨이퍼로부터 단면 반사형 표면파 장치를 절단하는 공정을 설명하기 위한 약도적 평면도이다.
<도면의 주요부분에 대한 간단한 설명>
1 단면 반사형 표면파 장치 2 압전기판
2a,2b 단면 2a1,2b1제 1 단면부
2a2,2b2제 2 단면부 2a3,2b3제 3 단면부
2c 상면 2d,2e 측면
3,4 IDT 5a,5b 단차
11 압전체 웨이퍼 11a,11b 제 1 홈
11c 제 2 홈 21 제 1 블레이드
22 제 2 블레이드 22A 제 2 블레이드
22B 제 2 블레이드 23 제 3 블레이드
제 1 발명은 대향하는 두 단면을 가지는 압전기판, 및 상기 압전기판 상에 형성된 적어도 1개의 IDT를 구비하고, SH타입의 표면파가 대향하는 두 단면에서 반사되는 단면 반사형 표면파 장치의 제조방법으로서, 압전기판을 준비하는 공정; 상기 압전기판의 상면에 적어도 1개의 IDT를 형성하는 공정; 반사단면으로서 기능하는 서로 대향하는 두 단면을 형성하기 위해서, 상기 압전기판의 상면에서 압전기판의 바닥면에는 이르지 않도록 제 1 블레이드를 사용하여 압전기판을 하프커트(half cut)하고, 반사단면으로서 기능하는 평활한 제 1단의 단면부를 형성하는 제 1 하프커트 공정; 상기 제 1 하프커트 공정후에 제 1 단면부보다도 표면파 전파방향 외측에 있어서, 조면에 의해 구성되는 제 2 단면부를 제 1 단면부의 하측에 형성하도록, 제 2 블레이드를 사용하여 상기 압전기판의 바닥면에는 이르지 않는 깊이까지 압전기판을 절단하고, 조면인 제 2 단면부를 형성하는 제 2 하프커트 공정; 상기 제 2 단면부보다도 표면파 전파방향 외측에 있어서, 상기 압전기판의 하면에 이르도록 제 3 블레이드를 사용하여 압전기판을 절단하는 풀커트(full cut) 공정;을 구비하는 것을 특징으로 한다.
제 1 발명의 특정한 국면에서는 상기 제 1 하프커트 공정, 제 2 하프커트 공정, 및 풀커트 공정이 머더의 압전 웨이퍼의 상태에서 행하여져, 상기 풀커트 공정에 의해 머더의 압전체 웨이퍼가 분할되어 개개의 탄성 표면파 장치가 얻어진다. 따라서, 압전 웨이퍼로부터 본 발명에 따라서 단면 반사형 표면파 장치를 효율적으로 양산할 수 있다.
제 1 발명에 있어서는 상기 제 2 하프커트 공정은 풀커트 공정 전에 행하여져도 되고, 후에 행하여져도 된다.
제 1 발명의 다른 특정한 국면에서는 제 2 하프커트 공정에서 사용되는 제 2 블레이드의 두께가 풀커트 공정에서 사용되는 제 3 블레이드의 두께보다도 두껍다. 따라서, 머더의 압전체 웨이퍼에 제 2 블레이드를 사용하여 제 2 하프커트 공정을 실시함으로써 형성된 홈 내에, 제 2 블레이드보다도 두께가 얇은 제 3 블레이드를 사용하여 풀커트함으로써, 제 2 단면부보다도 하측에 있어서, 인접하는 단면 반사형 표면파 장치 사이를 확실하게 절단할 수 있다.
제 1 발명의 또 다른 특정한 국면에서는 제 2 하프커트 공정에 있어서, 제 2 블레이드의 위치를 표면파 전파방향에서 어긋나게 하여 2도 하프커트가 행하여지고, 상기 풀커트 공정에 있어서는, 상기 홈의 중앙에서 상기 홈의 폭보다도 얇은 제 3 블레이드에 의해 풀커트가 행하여진다. 이 경우에는, 제 2 하프커트 공정에 있어서 제 2 블레이드 두께보다도 두꺼운 폭의 홈이 형성되므로, 상기 홈의 중앙에 있어서, 상기 홈의 폭보다도 얇은 제 3 블레이드를 사용하여 용이하게 풀커트할 수 있다.
제 1 발명의 또 다른 특정한 국면에서는, 제 1 하프커트 공정 후에 풀커트 공정이 행하여지고, 그런 후 제 2 하프커트 공정이 행하여진다. 이와 같이, 제 1 발명에 따른 제조방법에서 풀커트 공정은 반드시 제 2 하프커트 공정 후에 행하여질 필요는 없다. 제 2 하프커트 공정 전에 풀커트 공정을 행한 경우라도, 제 2 하프커트 공정에 있어서, 확실하게 제 2 단면부를 조면으로 하도록 제 2 하프커트를 행할 수있다. 한편, 이 경우, 제 2 하프커트에서는 제 1 단면부의 하측에 이어진 제 2 단면부를 풀커트 공정에 의해 형성된 최종단의 단면부보다도 상측에 형성하게 된다.
제 1 발명의 또 다른 특정한 국면에서는, 상기 머더의 압전체 웨이퍼로부터 개개의 탄성 표면파 장치를 절단하기 위하여, 상기 반사단면과 직교하는 방향으로 머더의 압전체 웨이퍼를 풀커트하는 제 2 풀커트 공정을 더 구비하고, 상기 제 2 풀커트 공정이 상기 제 1 하프커트 공정, 제 2 하프커트 공정, 및 풀커트 공정보다도 먼저 행하여진다. 이 경우에는, 제 2 풀커트 공정에 의해 개개의 탄성 표면파 장치가 대향하는 두 단면측에서 이어진 형상이 되도록 절단되고, 그런 후, 본 발명에 따라서 제 1 하프커트 공정, 제 2 하프커트 공정, 및 풀커트 공정이 행하여진다. 따라서, 상기 직사각형 형상의 압전체 웨이퍼 부분에 있어서 제 1, 제 2 하프커트 공정 및 풀커트 공정을 실시하는 것이 바람직하다. 이것은 다이서에 압전체 웨이퍼를 장착하거나 떼어낼 때에 가해지는 압력의 영향을 작게 할 수 있기 때문이다.
또한, 상기 제 2 풀커트 공정은 제 1 하프커트 공정과 제 2 하프커트 공정 사이에 행하여져도 좋다. 이 경우에 있어서도, 상기 직사각형 형상의 압전체 웨이퍼 부분에 있어서 제 1, 제 2 하프커트 공정 및 풀커트 공정을 실시하는 것이 바람직하다. 이것은 다이서에 압전체 웨이퍼를 장착하거나 떼어낼 때에 가해지는 압력의 영향을 작게 할 수 있기 때문이다.
제 1 발명에 따르면, 본 발명에 따라서 평활한 제 1 단면부 및 최종단의 단면부를 가지고, 제 2 단면부가 조면인 단면 반사형 표면파 장치가 얻어진다.
본원의 제 2 발명은 대향하는 두 단면을 가지는 압전기판, 상기 압전기판 상에 형성된 적어도 1개의 IDT, 상기 대향하는 두 단면이 반사단면이 되는 단면 반사형 표면파 장치로서, 상기 대향하는 두 단면으로서 기능하는 상기 압전기판의 상면에서 하면에 이르지 않는 위치에 형성된 평활한 제 1 단면부; 상기 제 1 단면부보다도 표면파 전파방향 외측에 배치되어 있고, 압전기판의 하면에서 상측으로 연장하는 평활한 최종단의 단면부; 상기 제 1 단면부와 최종단의 단면부 사이에 배치되어 있고, JIS B0601로 규정되어 있는 표면 거칠기 Ra를 표면파의 파장λ로 규격화한 값이 0.006λ이상인 제 2 단면부;를 구비하는 것을 특징으로 한다.
제 2 발명에 따른 단면 반사형 표면파 장치에서는, 대향하는 두 단면이 각각 평활한 제 1 단면부, 최종단의 단면부, 및 제 1 단면부와 최종단의 단면부 사이에 배치된 표면 거칠기 Ra가 0.006λ이상인 조면의 제 2 단면부가 구비되어 있으므로, 상기 제 2 단면부에 있어서 불필요파의 소망하지 않는 반사가 효과적으로 억제된다. 따라서, 제 1 단면부가 반사단면으로서 기능하고, SH파가 양호하게 반사되지만, 불필요파의 대향하는 두 단면에 있어서의 반사에 기인하는 특성의 열화를 확실하게 억제할 수 있다.
제 2 발명의 단면 반사형 표면파 장치의 특정한 국면에서는, 상기 제 1 단면부의 깊이 방향 치수를 d1이라고 했을 때, 1.8λ≤d1≤3.5λ이고, 이 경우에는 후술의 실시예로부터 명확한 바와 같이, 불필요파에 근거하는 반사를 효과적으로 억압할 수 있다.
또한, 제 2 발명에 따른 단면 반사형 표면파 장치의 다른 특정한 국면에서는, 상기 제 2 단면부의 깊이 방향 치수를 d2라고 했을 때, d2≥0.5λ이고, 이 경우에 있어서도 대향하는 두 단면에 있어서의 불필요파의 반사에 근거하는 특성의 열화를 보다 효과적으로 억제할 수 있다.
제 3 발명에 따른 단면 반사형 표면파 장치는 대향하는 두 단면을 가지는 압전기판, 상기 압전기판 상에 형성된 적어도 1개의 IDT, 상기 대향하는 두 단면이 반사단면이 되는 단면 반사형 탄성 표면파 장치로서, 상기 압전기판의 상면에서 하면에 이르지 않는 위치에 형성되어 있고, 상기 반사단면으로서 기능하는 평활한 제 1 단면부; 상기 제 1 단면부보다도 표면파 전파방향 외측에 배치되어 있고, 압전기판의 하면에서 상측으로 연장하는 평활한 최종단의 단면부; 상기 제 1 단면부와 최종단의 단면부 사이에 배치되어 있고, 조면으로 이루어지는 제 2 단면부;를 구비하고, 상기 제 1 단면부의 깊이 방향 치수를 d1이라고 했을 때, 1.8λ≤d1≤3.5λ의 범위인 것을 특징으로 한다.
제 4 발명에 따른 단면 반사형 표면파 장치는, 대향하는 두 단면을 가지는 압전기판, 상기 압전기판 상에 형성된 적어도 1개의 IDT, 상기 대향하는 두 단면이 반사단면이 되는 단면 반사형 탄성 표면파 장치로서, 상기 압전기판의 상면에서 하면에 이르지 않는 위치에 형성되어 있고, 상기 반사단면으로서 기능하는 평활한 제 1 단면부; 상기 제 1 단면부보다도 표면파 전파방향 외측에 배치되어 있고, 압전기판의 하면에서 상측으로 연장하는 평활한 최종단의 단면부; 상기 제 1 단면부와 최종단의 단면부 사이에 배치되어 있고, 조면으로 이루어지는 제 2 단면부;를 구비하고, 상기 제 2 단면부의 깊이 방향 치수를 d2라고 했을 때, d2≥0.5λ인 것을 특징으로 한다.
<발명의 실시형태>
이하, 도면을 참조하면서 본 발명의 구체적인 실시예를 설명하여 본 발명을 명확하게 한다.
도 1(a)는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 단면 반사형 표면파 장치의 제조방법에 의해 얻어지는 단면 반사형 표면파 장치의 평면도이고, 도 1(b)는 도 1(a)의 A-A선을 따르는 부분 확대 정면 단면도이다.
단면 반사형 표면파 장치(1)는 압전기판(2)을 가진다. 압전기판(2)은 직사각형 판 형상으로, 서로 대향하는 단면(2a, 2b)을 가진다.
압전기판(2)은 LiTaO3, LiNbO3, 수정 등의 압전 단결정, 또는 티탄산 지르콘산납 세라믹스와 같은 압전 세라믹스에 의해 구성되어 있다. 압전기판(2)의 상면에는 IDT(3, 4)가 형성되어 있다. IDT(3, 4)는 서로 빗형상으로 끼워진 복수개의 전극지를 가진다. IDT(3, 4)는 표면파 전파방향으로 거리를 두고 있어, 본 실시예에서는 IDT(3, 4)의 전극지의 연장하는 방향과 직교하는 방향으로 표면파로서의 SH파가 전파한다. 따라서, SH파는 단면(2a, 2b)에서 반사된다.
본 실시예에서는 대향하는 두 단면(2a, 2b) 사이에서 SH파가 반사되는 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터가 구성된다.
본 실시예의 단면 반사형 표면파 장치의 특징은 단면(2a, 2b)의 구조에 있다. 도 1(b)에 나타낸 바와 같이, 단면(2a)에서는 압전기판(2)의 상면(2c)에서 하측으로 연장하는 평활한 제 1 단면부(2a1), 제 1 단면부(2a1)의 하측에서 단차(5a)를사이에 두고 하측으로 연장하도록 배치된 제 2 단면부(2a2), 및 제 2 단면부(2a2)의 하측에서 단차(5b)를 사이에 두고 형성된 제 3 단면부(2a3)를 가진다. 제 3 단면부(2a3)는 평활한 단면부가 되어 있고, 제 2 단면부(2a2)는 조면이 되어 있다. 보다 구체적으로는, 제 2 단면부(2a2)는 JIS B0601에 규정되어 있는 표면 거칠기 Ra가 0.006λ이상이라고 되어 있고, 그에 따라, 후술의 실시예로부터 명확한 바와 같이 불필요파의 반사에 기인하는 특성의 영향을 효과적으로 억제할 수 있다.
이와 같이, 중간에 위치하는 제 2 단면부(2a2)를 상기 특정 범위의 표면 거칠기의 조면으로 함으로써, 불필요파의 반사에 기인하는 특성의 열화를 억제할 수 있다는 것을 구체적인 실험예에 근거해서 설명한다.
상기 실시예의 단면 반사형 표면파 장치(1)로서, 1.5×2.5×두께 0.4(㎜)의 압전기판 상에 IDT(3, 4)를 형성하고, 제 1 단면부(2a1)의 깊이 방향 치수 d1을 3λ, 제 2 단면부(2a2)의 깊이 방향 치수를 3λ라고 하여, 제 2 단면부(2a2)의 표면 거칠기 Ra를 여러가지로 변화시킨 경우의 특성의 변화를 조사하였다. 결과를 도 2에 나타낸다. 한편, 다른 쪽의 단면(2b)에 있어서도 단면(2a) 측과 동일하게 제 1, 제 2 단면부(2b1, 2b2) 및 제 3 단면부(2b3)를 구성하였다.
도 2의 횡축은 제 2 단면부(2a2, 2b2)의 표면 거칠기를 나타내고, 종축은 얻어진 표면파 장치에 있어서의 대역내 GDT의 편차를 나타낸다.
도 2로부터 명확한 바와 같이, 제 2 단면부의 표면 거칠기 Ra가 0.006λ 이상이 되면, 대역내에 있어서의 GDT의 편차가 매우 작아진다는 것을 알 수 있다.
따라서, 제 2 단면부(2a2, 2b2)의 표면 거칠기 Ra를 0.006λ이상으로 함으로써, 양호한 특성을 가지는 단면 반사형 표면파 장치(1)를 얻을 수 있다는 것을 알 수 있다.
다음으로, 상기 실험예와 동일한 압전기판을 사용하고, 단 제 1 단면부(2a1, 2b1)의 깊이 방향 치수 d1을 여러가지 변화시키고, 제 2 단면부(2a2, 2b2)의 깊이 방향 치수를 3λ이라고 한 여러가지 단면 반사형 표면파 장치를 제작하여, 삽입손실 및 대역내 GDT 편차를 측정하였다. 결과를 도 3 및 도 4에 나타낸다. 도 3 및 도 4로부터 명확한 바와 같이, 제 1 단면부의 깊이 방향 치수 d1이 1.8λ미만인 경우에는 삽입손실이 커진다는 것을 알 수 있다. 따라서, 삽입손실의 감소을 꾀하기 위해서는 d1이 1.8λ이상인 것이 바람직하다.
또한, 도 4로부터 명확한 바와 같이, d1이 1.8λ∼3.5λ의 범위에서는 대역내 GDT 편차가 200n초 이하인 것을 알 수 있다. 따라서, 바람직하게는 1.8λ≤d1≤3.5λ로 하면, 저손실이며, 또한 GDT 편차가 적은 양호한 필터 특성을 얻을 수 있다는 것을 알 수 있다.
다음으로, 제 1 단면부(2a1, 2b1)의 치수를 3λ로 하고, 제 2 단면부(2a2, 2b2)의 깊이 방향 치수 d2를 변화시킨 경우의 대역내 GDT 특성의 편차를 조사하였다. 결과를 도 5에 나타낸다.
도 5로부터 명확한 바와 같이, 제 2 단면부(2a2, 2b2)의 깊이 방향 치수 d2가 0.5λ미만에서는 대역내 GDT 편차가 커진다는 것을 알 수 있다. 따라서, d2를 0.5λ 이상으로 함으로써, 대역내 GDT 편차를 작게 할 수 있다는 것을 알 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 단면 반사형표면파 장치에서는 우선, 도 2의 결과로부터 명확한 바와 같이, 제 2 단면부(2a2, 2b2)의 표면 거칠기 Ra를 0.006λ이상으로 함으로써, 대역내 GDT 편차를 작게 할 수 있다.
또한, 제 2 단면부(2a2)가 조면인 경우, 제 1 단면부(2a1, 2b1)의 깊이 d1을 1.8λ∼3.5λ의 범위로 함으로써, 저손실화 및 GDT 편차의 감소를 달성할 수 있다는 것을 알 수 있다. 이 경우, 제 2 단면부(2a2, 2b2)의 표면 거칠기 Ra는 반드시 0.006λ이상이 아니어도 된다는 것이 본원 발명자에 의해 실험적으로 확인되어 있다.
또한, 단면 반사형 표면파 장치(1)에서는 바람직하게는, 제 2 단면부(2a2, 2b2)의 깊이 방향 치수 d2는 도 5로부터 명확한 바와 같이 0.5λ이상이 되고, 그에 따라 대역내 GDT 편차의 감소가 달성된다. 이 경우, 본원 발명자에 의해 제 2 단면부(2a2, 2b2)의 표면 거칠기 Ra는 반드시 0.006λ이상이 아니어도 대역내 GDT 편차를 감소할 수 있다는 것이 확인되어 있다.
다음으로, 단면 반사형 표면파 장치(1)의 제조방법을 도 6∼도 10을 참조하여설명한다.
도 6(a)∼(d)는 본 발명의 제조방법의 제 1 예를 나타내는 각 부분 절개 단면도이다.
제 1 방법에서는 머더의 압전체 웨이퍼(11) 상에 복수의 단면 반사형 표면파 장치(1)를 구성하기 위한 IDT(3, 4)를 매트릭스 형상으로 형성한다. 도 6(a)에서는 인접하는 단면 반사형 표면파 장치(1, 1)의 상기 인접하는 부분이 모식적으로 나타나 있다. 일점쇄선 Z는 인접하는 단면 반사형 표면파 장치(1, 1) 사이의 경계를 나타낸다.
상기 압전체 웨이퍼(11)의 상면에 있어서, 우선 제 1 블레이드(21, 21)(상상선으로 나타낸다)를 사용하고, 압전체 웨이퍼(11)를 하프커트한다(도 6(a)). 이 제 1 하프커트 공정에 있어서는, 인접하는 단면 반사형 표면파 장치(1, 1)의 반사단면을 형성하기 위하여, 즉 제 1 단면부를 형성하기 위하여, 상기 하프커트가 행하여진다. 그 결과, 도 6(b)에 나타낸 바와 같이 제 1 홈(11a, 11b)이 형성된다. 이 제 1 홈(11a, 11b)의 한쪽 측면이 전술한 제 1 단면부(2a1, 2b1)를 구성하게 된다. 따라서, 제 1 블레이드(21)를 사용한 제 1 하프커트 공정에서는 홈(11a, 11b)의 측면이 평활해지는 조건에서 하프커트가 행하여진다.
또한, 당연한 것이지만, 제 1 하프커트 공정에 있어서는 블레이드(21)에 의한 절단은 압전체 웨이퍼(11)의 하면에는 이르지 않도록 행하여진다.
다음으로, 도 6(b)에 상상선으로 나타낸 제 2 블레이드(22)를 사용하여, 제2 하프커트 공정이 행하여진다. 이 제 2 하프커트 공정에서는, 블레이드(22)에 의해, 제 2 홈(11c)이 형성된다. 제 2 홈(11c)은 조면인 제 2 단면부(2a2, 2b2)를 형성하기 위하여 행하여진다. 따라서, 제 2 블레이드(22)에 의한 제 2 하프커트 공정은 홈(11c)의 바닥면 및 측면이 조면이 되는 조건에서 행하여진다. 또한, 제 2 단면부(2a2, 2b2)를 형성하기 위하여, 제 2 블레이드(22)의 두께는 전술한 제 1 홈(11a, 11b) 사이의 압전체 웨이퍼 부분(11d)보다도 두껍게 되어 있다.
상기와 같이 하여, 제 2 홈(11c)이 형성되고 제 2 단면부(2a2, 2b2)가 형성된다.
그런 후, 제 2 홈(11c)의 폭 방향 치수보다도 두께가 얇은 제 3 블레이드(23)를 사용하여 풀커트 공정이 행하여진다. 이 풀커트 공정에서는 제 2 홈(11c)내에서, 인접하는 단면 반사형 표면파 장치(1, 1)가 분단되도록 절단이 행하여진다. 그리고, 이 절단에 의해 평활한 제 3 단면부(2a3, 2b3)가 형성된다.
이 제조방법에서는, 제 1 홈(11a, 11b)을 형성하는 제 1 하프커트 공정 및 최후의 풀커트 공정에서는, 절단된 면이 평활한 면이 되도록 하프커트 및 절단이 행하여진다. 이러한 평활한 면은 예를 들어, 제 1, 제 3 블레이드(21, 23)로서 표면이 고운 블레이드를 사용함으로써 용이하게 형성될 수 있다. 또한, 제 2 단면부(2a2, 2b2)를 형성하기 위한 제 2 블레이드(22)로서는 조면을 형성하기 위해서 표면이 거친 블레이드를 사용하면 좋다.
하프커트 가공에서는 풀커트에 비하여 동일한 블레이드 및 동일 가공 속도를 채용하였다고 하여도, 압전체 웨이퍼에 있어서의 크랙이나 치핑이 생기기 어렵다. 따라서, 크랙이나 웨이퍼의 깨어짐이 일어나지 않는 범위에서, 확실하게 조면인 제 2 단면부(2a2, 2b2)를 형성할 수 있다. 그리고, 이러한 조면인 제 2 단면부(2a2, 2b2)를 형성한 후에, 개개의 탄성 표면파 장치(1, 1) 사이를 분리하는 풀커트 공정이 행하여진다. 이 풀커트 공정에서는 절단된 면을 조면으로 할 필요가 없기 때문에, 치핑이나 웨이퍼의 파편이 생기기 어렵다. 따라서, 상술한 바와 같이 특성이 양호한 단면 반사형 표면파 장치(1)를 압전체 웨이퍼(1)로 제조할 때, 치핑이나 웨이퍼의 깨어짐을 확실하게 억제할 수 있다.
도 7(a)∼(e)는 본 발명의 제조방법의 실시예로서의 제 2 방법을 설명하기 위한 각 부분 절개 단면도이다.
제 2 방법에서는 우선 압전체 웨이퍼(11)에 있어서, 제 1 방법과 동일하게 제 1 블레이드(21)을 사용하여 제 1 홈(11a, 11b)이 형성된다(도 7(a), (b)참조).
다음으로, 도 7(b)에 나타낸 바와 같이 제 2 블레이드(22A)를 사용하여, 제 2 하프커트 공정이 행하여진다. 이 방법에서는 도 7(b), (c)에 나타낸 바와 같이, 동일한 제 2 블레이드(22A)를 사용하고, 단 하프커트 위치를 어긋나게 하여 2도 하프커트가 행하여진다. 이 경우, 2도의 하프커트에 의해 도 7(d)에 나타낸 제 2 홈(11c)이 형성되도록, 제 2 블레이드(22A)의 위치가 어긋나서 2도의 하프커트가 행하여진다. 도 7(d)에서는 제 2 홈(11c)으로서, 블레이드(22A)의 두께보다도 폭 방향치수가 큰 1개의 홈(11c)이 형성되어 있지만, 제 2 블레이드(22A)의 두께와 동등한 폭의 제 2 홈이 독립적으로 형성되어 있어도 좋다.
다음으로, 제 2 홈(11c)의 중앙에 있어서, 제 2 홈(11c)의 폭 방향 치수보다도 좁은 폭의 제 3 블레이드(23)를 사용하여 풀커트 공정이 행하여진다. 이 경우에 있어서도, 제 2 홈(11c)을 형성하기 위한 제 2 하프커트 공정에 있어서, 절단되는 면이 조면이 되는 조건을 채용함으로써, 도 6을 참조하여 설명한 제 1 제조방법의 경우와 동일하게, 치핑이나 깨어짐을 생기게 하지 않고, 제 2 단면부(2a2, 2b2)를 형성할 수 있다.
게다가, 전술한 바와 같이 제 2 홈(11c)을 제 2 하프커트 공정에 있어서 2개 형성한 경우에는, 제 3 블레이드(23)로서, 2개의 제 2 홈간의 간격보다도 두껍게 단, 제 1 홈(11a, 11b)의 제 1 단면부(2a1, 2b1)를 구성하고 있는 측면간의 거리보다도 얇은 블레이드를 사용하면 좋다.
제 2 제조방법에서는 제 2, 제 3 블레이드(22A, 23)로서, 동일한 블레이드를 사용할 수 있다. 즉, 조면을 형성하기 위한 제 2 블레이드(22A)에 의한 하프커트시, 가공 속도를 빠르게 하고, 블레이드의 회전수를 작게 하면 된다. 또한, 풀커트 공정에 있어서는 평활한 면을 얻기 위하여, 가공속도를 느리게 하고, 블레이드의 회전수를 크게 하면 된다. 따라서, 제 2 제조방법에서는 제 2, 제 3 블레이드로 동일한 블레이드를 사용함으로써 블레이드의 교환 작업을 경감할 수 있다.
도 8(a)∼(d)은 본 발명의 제조방법의 실시예로서의 제 3 제조방법을 설명하기 위한 각 부분 절개 단면도이다.
제 3 제조방법에서는 도 8(a)에 나타낸 바와 같이, 제 1 제조방법과 동일하게 우선 제 1 하프커트 공정이 행하여져, 도 8(b)에 나타낸 제 1 홈(11a, 11b)이 형성된다. 그런 후, 도 8(b)에서 상상선으로 나타낸 제 3 블레이드(23)를 사용하여, 풀커트 공정이 행하여진다. 즉, 압전체 웨이퍼(11)의 하면에 이르도록, 제 3 블레이드(23)를 사용한 절단이 행하여진다. 이 절단에서는 절단된 면은 평활면이 되기 때문에, 조면을 형성하는 경우에 비하여 치핑이나 웨이퍼의 파편은 생기기 어렵다.
상기와 같이 하여 풀커트 공정을 행한 후에, 도 8(c)에 나타낸 바와 같이, 제 2 블레이드(22)를 사용하여 제 2 하프커트 공정이 행하여진다. 또한, 도 8(c)에서는, 인접하는 단면 반사형 표면파 장치(1, 1)가 분단되어 있지만, 도 8(a)∼(d)에서 나타낸 일련의 공정에서는 압전체 웨이퍼(11)는 절단 스테이지(도시하지 않음) 상에 점착 테이프 등에 의해 가고정되어 있다. 따라서, 도 8(c)에 있어서 인접하는 단면 반사형 표면파 장치(1, 1)는 분리되어 있지만, 양자 간격이 어긋나는 일은 없다. 따라서, 다음에 행하여지는 제 2 하프커트 공정을 안정되고 확실하게 행할 수 있다.
도 8(c)에 상상선으로 나타낸 제 2 블레이드(22)를 사용하여, 제 2 하프커트 공정이 행하여진다. 이 경우, 제 2 블레이드(22)의 두께는 상기 풀커트 공정에 의해 형성된 간극(間隙)(11e)의 폭방향 치수보다도 크고, 제 1, 제 2 단면부(2a1, 2b1)사이의 거리보다도 작은 두께의 블레이드가 사용된다. 이와 같이 하여, 제 2 하프커트공정이 행하여져서 제 2 단면부(2a2, 2b2)가 형성되며, 또한 전술한 풀커트 공정에 의해 절단된 면 중, 제 2 단면부(2a2, 2b2)보다도 하측 부분이 제 3 단면부(2a3, 2b3)를 구성한다.
제 3 제조방법에 있어서도 제 2 하프커트 공정에 있어서, 절단된 면이 조면이 되는 조건에서 제 2 하프커트 공정을 행함으로써, 제 1, 제 2 제조방법과 동일하게, 조면인 제 2 단면부(2a2, 2b2)를 용이하게 형성할 수 있다. 또한, 풀커트시에 조면을 형성하는 것이 아니기 때문에, 제 2 하프커트 공정에 있어서, 치핑이나 웨이퍼의 파편도 생기기 어렵다.
또한, 제 3 제조방법에서는, 제 2 단면부(2a2, 2b2)의 형성 전에 풀커트 공정이 행하여지므로, 제 1, 제 2 제조방법에 비하여 제 2 하프커트 공정중이나 하프커트 후에 웨이퍼를 떼어낼 때 하프커트 홈을 따르는 깨어짐을 억제할 수 있다.
또한, 상술한 제 1∼제 3 제조방법에서는 인접하는 단면 반사형 표면파 장치(1, 1) 사이에 있어서, 각 단면 반사형 표면파 장치(1)의 반사단면측을 분단하는 공정에 대하여 설명하였지만, 압전체 웨이퍼에서는, 전술한 바와 같이 개개의 탄성 표면파 장치용의 IDT(3, 4)가 매트릭스 형상으로 형성되어 있다. 즉, 도 10에 나타낸 바와 같이, 압전체 웨이퍼(11)는 최종적으로, 파선 X, Y로 절단되어, 개개의 단면 반사형 표면파 장치(1)가 얻어진다. 상술한 제 1∼제 3 제조방법은 이 파선 X에 상당하는 부분에서의 절단방법이다. 이것에 대하여, 대향하는 두 단면과는 직교하는 방향의 측면(2d, 2e)측의 절단은, 상기 파선 Y를 따라 행하여진다. 즉, 도 10의 파선 Y를 따라 압전체 웨이퍼(11)가 풀커트된다. 이 풀커트 공정을 제 2 풀커트 공정으로 한다.
제 2 풀커트 공정은 제 1, 제 2 하프커트 공정 및 풀커트 공정을 종료한 후에 행하여져도 좋다.
게다가, 제 2 풀커트 공정은 반드시 반사단면측의 3단의 계단 형상 구조를 형성한 후에 행할 필요는 없다. 즉, 특히 제 2 하프커트 공정후에는 제 1, 제 2 홈가 형성되어 압전체 웨이퍼가 깨지기 쉬워진다. 따라서, 제 2 풀커트 공정은 제 1 하프커트 공정과 제 2 하프커트 공정 사이에 행하여지는 것이 바람직하고, 그 경우에는 제 2 풀커트 공정에 의한 압전체 웨이퍼의 깨어짐이나 파편을 확실하게 억제할 수 있다.
그러나, 제 1, 제 2 하프커트 공정 후, 특히 제 2 하프커트 공정후의 압전체 웨이퍼는 복수의 홈을 가지기 때문에 대단히 깨어지기 쉽다. 따라서, 가장 바람직하게는, 제 2 풀커트 공정을 먼저 실시한 후, 본 발명에 따라서 제 1, 제 2 하프커트 공정 및 풀커트 공정을 행하는 것이 바람직하다. 즉, 제 2 풀커트 공정에 의해, 반사단면과 직교하는 방향으로 복수의 단면 반사형 표면파 장치가 연결된 직사각형 형상의 압전체 웨이퍼 부분을 얻고, 상기 직사각형 형상의 압전체 웨이퍼 부분에 있어서 제 1, 제 2 하프커트 공정 및 풀커트 공정을 실시하는 것이 바람직하다. 이것은 다이서에 압전체 웨이퍼를 장착하거나 떼어낼 때 가해지는 압력의 영향을 작게 할 수 있기 때문이다.
또한, 본 발명에서는 제 1 단면부 및 제 2 단면부와 최종단의 단면부가 형성되어 있으면 되고, 제 1 단면부와 최종단의 단면부 사이에, 복수단의 제 2 단면부가 형성되어 있어도 된다. 이 경우, 복수단의 제 2 단면부를 형성하기 위해서, 제 2 하프커트 공정을 복수회 실시하면 좋다.
또한, 본 발명은 상술한 종결합 공진자형의 단면 반사형 표면파 장치에 한하지 않고, 단면 반사형 표면파 공진자나 다른 구조의 단면 반사형 표면파 필터 등, 단면 반사형 표면파 장치 일반에 적응할 수 있는 것이다.
또한, 도 6∼도 8에 나타낸 제조방법에서는, 제 2 단면부(2a2, 2b2)는 압전체 웨이퍼의 상면과 직교하는 방향으로 연장되어 있지만, 제 2 단면부(2a2, 2b2)는 경사면으로 되어 있어도 된다. 다시 말해, 도 9(a)∼(d)에 나타낸 바와 같이, 제 1 제조방법과 동일하게, 제 1 하프커트 공정을 행한 후에, 선단으로 갈수록 두께가 얇아지는 블레이드(22B)를 사용하여 제 2 하프커트 공정을 행하고, 제 2 단면부(2a2, 2b2)를 경사면으로 하여 형성해도 된다. 이와 같이, 본 발명에 따른 단면 반사형 표면파 장치에 있어서의 조면으로 이루어지는 제 2 단면부(2a2, 2b2)는 압전기판의 상면과 직교하는 방향 이외에 다른 방향으로 연장하는 경사면이어도 된다.
제 1 발명에 따른 단면 반사형 표면파 장치의 제조방법에서는 제 1 하프커트 공정에 의해, 평활한 반사단면으로서 기능하는 제 1 단면부가 형성된다. 제 1 하프커트 공정보다도 나중에, 제 2 하프커트 공정이 행하여져서 조면인 제 2 단면부가형성되지만, 하프커트에 의해 조면을 형성하기 위해서, 풀커트시 조면을 형성하는 경우에 비하여, 압전기판의 치핑이나 크랙의 발생을 확실하게 억제할 수 있다.
따라서, 제 1 발명에 따르면 제 2 단면부가 조면이 되어 있기 때문에, 불필요파의 반사에 의한 특성의 열화가 억제되어, 양호한 특성을 가지는 단면 반사형 표면파 장치를, 압전기판의 치핑이나 크랙을 생기게 하지 않고 확실하게 제공하는 것이 가능해진다.
제 2 발명에 따르면, 제 1 단면부와 최종단의 단면부 사이에, 표면 거칠기 Ra가 0.006λ이상인 제 2 단면부가 형성되므로, 군지연 시간 특성의 편차가 적은, 양호한 특성을 가지는 단면 반사형 표면파 장치를 제공할 수 있다.
제 3 발명에 따른 단면 반사형 표면파 장치에서는 제 1 단면부, 조면인 제 2 단면부, 및 최종단의 단면부를 가지고, 제 1 단면부의 깊이 방향 치수 d1가 1.8λ∼3.8λ의 범위이기 때문에, 군지연 시간 특성의 편차가 적고 양호한 특성을 가지는 단면 반사형 표면파 장치를 제공할 수 있다.
제 4 발명에서는 제 1 단면부와 최종단의 단면부 사이에 배치되어 있는 조면인 제 2 단면부의 깊이 방향 치수 d2가 0.5λ이상이기 때문에, 군지연 시간 특성의 편차가 적은, 양호한 특성을 가지는 단면 반사형 표면파 장치를 제공할 수 있다.

Claims (15)

  1. 대향하는 두 단면을 가지는 압전기판, 및 상기 압전기판 상에 형성된 적어도 1개의 IDT를 구비하고, SH타입의 표면파가 대향하는 두 단면에서 반사되는 단면 반사형 표면파 장치의 제조방법으로서,
    압전기판을 준비하는 공정;
    상기 압전기판의 상면에 적어도 1개의 IDT를 형성하는 공정;
    반사단면으로서 기능하는 서로 대향하는 두 단면을 형성하기 위해서, 상기 압전기판의 상면에서 압전기판의 바닥면에는 이르지 않도록 제 1 블레이드를 사용하여 압전기판을 하프커트하고, 반사단면으로서 기능하는 평활한 제 1단의 단면부를 형성하는 제 1 하프커트 공정;
    상기 제 1 하프커트 공정후에 제 1 단면부보다도 표면파 전파방향 외측에 있어서, 조면에 의해 구성되는 제 2 단면부를 제 1 단면부의 하측에 형성하도록, 제 2 블레이드를 사용하여 상기 압전기판의 바닥면에는 이르지 않는 깊이까지 압전기판을 절단하고, 조면인 제 2 단면부를 형성하는 제 2 하프커트 공정;
    상기 제 2 단면부보다도 표면파 전파방향 외측에 있어서, 상기 압전기판의 하면에 이르도록 제 3 블레이드를 사용하여 압전기판을 절단하는 풀커트 공정;을 구비하는 것을 특징으로 하는 단면 반사형 표면파 장치의 제조방법.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 제 1 하프커트 공정, 제 2 하프커트 공정, 및 풀커트공정이 머더의 압전 웨이퍼의 상태에서 행하여져,
    상기 풀커트 공정에 의해 머더의 압전체 웨이퍼가 분할되어 개개의 탄성 표면파 장치가 얻어지는 것을 특징으로 하는 단면 반사형 표면파 장치의 제조방법.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 제 2 하프커트 공정 후에 상기 풀커트 공정이 행하여지는 것을 특징으로 하는 단면 반사형 표면파 장치의 제조방법.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 제 2 하프커트 공정 전에 상기 풀커트 공정이 행하여지는 것을 특징으로 하는 단면 반사형 표면파 장치의 제조방법.
  5. 제 1항에 있어서, 상기 제 2 하프커트 공정에서 사용되는 제 2 블레이드의 두께가 풀커트 공정에서 사용되는 제 3 블레이드의 두께보다도 두꺼운 것을 특징으로 하는 단면 반사형 표면파 장치의 제조방법.
  6. 제 1항에 있어서, 상기 제 2 하프커트 공정에 있어서, 제 2 블레이드의 위치를 표면파 전파방향에서 어긋나게 하여 2도 컷트가 행하여지는 것을 특징으로 하는 단면 반사형 표면파 장치의 제조방법.
  7. 제 1항에 있어서, 제 2 하프커트 공정이 복수회 행하여지고, 그에 따라 표면파 전파방향에 있어서 복수단의 제 2 단면부가 형성되는 것을 특징으로 하는 단면반사형 표면파 장치의 제조방법.
  8. 제 1항에 있어서, 상기 머더의 압전체 웨이퍼로부터 개개의 탄성 표면파 장치를 절단하기 위하여, 상기 반사단면과 직교하는 방향으로 머더의 압전체 웨이퍼를 풀커트하는 제 2 풀커트 공정을 더 구비하고,
    상기 제 2 풀커트 공정이 상기 제 1 하프커트 공정, 제 2 하프커트 공정, 및 풀커트 공정보다도 먼저 행하여지는 것을 특징으로 하는 단면 반사형 표면파 장치의 제조방법.
  9. 제 1항에 있어서, 상기 탄성 표면파 장치를 상기 머더의 압전체 웨이퍼로부터 절단하기 위하여, 상기 대향하는 두 단면과 직교하는 방향으로 머더의 압전체 웨이퍼를 풀커트하는 제 2 풀커트 공정을 더 구비하고,
    상기 제 2 풀커트 공정이 상기 제 1 하프커트 공정과 제 2 하프커트 공정 사이에 행하여지는 것을 특징으로 하는 단면 반사형 표면파 장치의 제조방법.
  10. 제 1항에 기재된 단면 반사형 표면파 장치의 제조방법에 의해 얻어진 것을 특징으로 하는 단면 반사형 표면파 장치.
  11. 대향하는 두 단면을 가지는 압전기판,
    상기 압전기판 상에 형성된 적어도 1개의 IDT,
    상기 대향하는 두 단면이 반사단면이 되는 단면 반사형 표면파 장치로서,
    상기 대향하는 두 단면으로서 기능하는 상기 압전기판의 상면에서 하면에 이르지 않는 위치에 형성된 평활한 제 1 단면부;
    상기 제 1 단면부보다도 표면파 전파방향 외측에 배치되어 있고, 압전기판의 하면에서 상측으로 연장하는 평활한 최종단의 단면부;
    상기 제 1 단면부와 최종단의 단면부 사이에 배치되어 있고, 표면 거칠기 Ra가 0.006λ이상인 제 2 단면부;를 구비하는 것을 특징으로 하는 단면 반사형 표면파 장치.
  12. 제 11항에 있어서, 상기 제 1 단면부의 깊이 방향 치수를 d1이라고 했을 때, 1.8λ≤d1≤3.5λ인 것을 특징으로 하는 단면 반사형 표면파 장치.
  13. 제 11항에 있어서, 상기 제 2 단면부의 깊이 방향 치수를 d2라고 했을 때, d2≥0.5λ인 것을 특징으로 하는 단면 반사형 표면파 장치.
  14. 대향하는 두 단면을 가지는 압전기판,
    상기 압전기판 상에 형성된 적어도 1개의 IDT,
    상기 대향하는 두 단면이 반사단면이 되는 단면 반사형 표면파 장치로서,
    상기 압전기판의 상면에서 하면에 이르지 않는 위치에 형성되어 있고, 상기 반사단면으로서 기능하는 평활한 제 1 단면부;
    상기 제 1 단면부보다도 표면파 전파방향 외측에 배치되어 있고, 압전기판의 하면에서 상측으로 연장하는 평활한 최종단의 단면부;
    상기 제 1 단면부와 최종단의 단면부 사이에 배치되어 있고, 조면으로 이루어지는 제 2 단면부;를 구비하고,
    상기 제 1 단면부의 깊이 방향 치수를 d1이라고 했을 때, 1.8λ≤d1≤3.5λ의 범위인 것을 특징으로 하는 단면 반사형 표면파 장치.
  15. 대향하는 두 단면을 가지는 압전기판,
    상기 압전기판 상에 형성된 적어도 1개의 IDT,
    상기 대향하는 두 단면이 반사단면이 되는 단면 반사형 표면파 장치로서,
    상기 압전기판의 상면에서 하면에 이르지 않는 위치에 형성되어 있고, 상기 반사단면으로서 기능하는 평활한 제 1 단면부;
    상기 제 1 단면부보다도 표면파 전파방향 외측에 배치되어 있고, 압전기판의 하면에서 상측으로 연장하는 평활한 최종단의 단면부;
    상기 제 1 단면부와 최종단의 단면부 사이에 배치되어 있고, 조면으로 이루어지는 제 2 단면부;를 구비하고,
    상기 제 2 단면부의 깊이 방향 치수를 d2라고 했을 때, d2≥0.5λ인 것을 특징으로 하는 단면 반사형 표면파 장치.
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