JPH0482315A - 表面波装置 - Google Patents
表面波装置Info
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- JPH0482315A JPH0482315A JP19579890A JP19579890A JPH0482315A JP H0482315 A JPH0482315 A JP H0482315A JP 19579890 A JP19579890 A JP 19579890A JP 19579890 A JP19579890 A JP 19579890A JP H0482315 A JPH0482315 A JP H0482315A
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 50
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 12
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 abstract description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 abstract description 2
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- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
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Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ＢＯ３波、ラブ波等のＳＨ波を利用した端面
及財形表面波装置に関し、特に、不要スプリアスの原因
となるバルク波を抑圧した構造を有する表面波装置に関
する。
及財形表面波装置に関し、特に、不要スプリアスの原因
となるバルク波を抑圧した構造を有する表面波装置に関
する。
圧電基板を伝播する表面波のうち、変位が伝播方向と垂
直な方向の変位を主体とする表面波に、ＳＨ波がある。
直な方向の変位を主体とする表面波に、ＳＨ波がある。
このＳＨ波を利用した端面反射形の表面波装置を第２図
に示す。
に示す。
第２図の表面波袋Ｗ１では、絶縁性樹脂よりなる絶縁性
基板２上に、エポキシ樹脂３を介して圧電基板４が貼り
付けられている。この圧電基板４の表面側には、一対の
くし歯電極５，６が、互いにその電極指が間挿し合うよ
うに形成されている。
基板２上に、エポキシ樹脂３を介して圧電基板４が貼り
付けられている。この圧電基板４の表面側には、一対の
くし歯電極５，６が、互いにその電極指が間挿し合うよ
うに形成されている。
くし歯電極５．６間に交流電圧を印加することにより、
圧電基板４の表面層にＳＨ波が発生され、発生されたＳ
Ｈ波は圧電基板４の両端面４ａ、４ｂ間で反射され、共
振子として機能する。
圧電基板４の表面層にＳＨ波が発生され、発生されたＳ
Ｈ波は圧電基板４の両端面４ａ、４ｂ間で反射され、共
振子として機能する。
ところで、表面波装置ｌでは、ＳＨ波だけでなく、バル
ク波も発生され、該バルク波に基づく不要スプリアスが
、かなりの大きさで現れるという問題があった。
ク波も発生され、該バルク波に基づく不要スプリアスが
、かなりの大きさで現れるという問題があった。
上記のようなバルク波は、従来、基板底面により生しる
バルク波と考えられており、バルク波に基づく不要スプ
リアスを低減するために、第２図に示すように、圧電基
板４にエポキシ樹脂３を介して絶縁性樹脂よりなる基板
２を貼り付けたり、底面を粗らすなとすることにより、
バルク波の共振の抑制が図られていた。
バルク波と考えられており、バルク波に基づく不要スプ
リアスを低減するために、第２図に示すように、圧電基
板４にエポキシ樹脂３を介して絶縁性樹脂よりなる基板
２を貼り付けたり、底面を粗らすなとすることにより、
バルク波の共振の抑制が図られていた。
〔発明が解決しようとする課題口
しかしながら、上記のように圧電基板４の裏面側にエポ
キシ樹脂３を介して絶縁性基板２を貼り付けたり、ある
いは底面を粗らすなとしても、バルク波の抑圧を充分に
行うことはできなかった。
キシ樹脂３を介して絶縁性基板２を貼り付けたり、ある
いは底面を粗らすなとしても、バルク波の抑圧を充分に
行うことはできなかった。
すなわち、第３図２こ実＆’ＡＡ及び破線Ｂでそれぞれ
示すようシこ、インピーダンス−周波数特性上及び位相
−周波数特性上巳こおいて、反共振点よりも高周波領域
ユニおいてかなり大きなスプリアスが発生していた。
示すようシこ、インピーダンス−周波数特性上及び位相
−周波数特性上巳こおいて、反共振点よりも高周波領域
ユニおいてかなり大きなスプリアスが発生していた。
よって、本発明の目的は、バルク波に基づく不要スプリ
アスを効果的に低残し得る構造を備えたＳＨ波を利用し
た瑞面反財形の表面波装置を提供することにある。
アスを効果的に低残し得る構造を備えたＳＨ波を利用し
た瑞面反財形の表面波装置を提供することにある。
ＣＲＢを解決するための手段〕
従来バルク波は基板底面からの反射が原因と考えられて
いたが、本願発明者は側面でバルク波の反射が存在し、
それがスプリアスの主原因となっていることを見出し、
該知見に基づいて本発明をなすに至った。
いたが、本願発明者は側面でバルク波の反射が存在し、
それがスプリアスの主原因となっていることを見出し、
該知見に基づいて本発明をなすに至った。
本発明は、圧電基板と、該圧電基板の両端面間でＳＨ波
を反射させるように、圧電基板の表面に形成された少な
くとも一対の電極とを備える表面波装置において、圧電
基板表面から、ＳＨ波のエネルギの８０％が集中する圧
電基板層以上の厚みの層を隔てた高さ位置において、前
記圧電基板の両端面に段差を設けたことを特徴とする。
を反射させるように、圧電基板の表面に形成された少な
くとも一対の電極とを備える表面波装置において、圧電
基板表面から、ＳＨ波のエネルギの８０％が集中する圧
電基板層以上の厚みの層を隔てた高さ位置において、前
記圧電基板の両端面に段差を設けたことを特徴とする。
ＳＨ波の工χルギは、表面に電極があるとき圧電基板の
表面に近い層に集中している。他方、バルク波のエネル
ギは、圧電基板の厚みの全域に渡り均一に分散している
。従って、本発明では、ＳＨ波とバルク波のエネルギの
偏りに差があることに着目し、ＳＨ波のエネルギの８０
％が集中する厚み以上の厚みの層を隔てた高さ位置に段
差を設け、それによって該段差よりも圧１ｉ基板の表面
側の層におけるＳＨ波の共振に対し、該段差よりも下方
の圧電基板部分におけるバルク波共振の影響を遮断して
いる。よって、本発明の表面波装置では、ＳＨ波の共振
に対してバルク波の共振があまり重ならないため、バル
ク波共振に基づく不要スプリアスが効果的に抑圧される
。
表面に近い層に集中している。他方、バルク波のエネル
ギは、圧電基板の厚みの全域に渡り均一に分散している
。従って、本発明では、ＳＨ波とバルク波のエネルギの
偏りに差があることに着目し、ＳＨ波のエネルギの８０
％が集中する厚み以上の厚みの層を隔てた高さ位置に段
差を設け、それによって該段差よりも圧１ｉ基板の表面
側の層におけるＳＨ波の共振に対し、該段差よりも下方
の圧電基板部分におけるバルク波共振の影響を遮断して
いる。よって、本発明の表面波装置では、ＳＨ波の共振
に対してバルク波の共振があまり重ならないため、バル
ク波共振に基づく不要スプリアスが効果的に抑圧される
。
［実施例の説明］
第１図は、本発明の一実施例の表面波装置ｌＯを示す断
面図である。圧電基板１１の表面に、対のくし歯電極１
２．１３が形成されている。
面図である。圧電基板１１の表面に、対のくし歯電極１
２．１３が形成されている。
対のくし歯電極１２．１３は、それぞれの電極指が互い
に間挿し合うように形成されている。各電極指は、発生
されるＳＨ波の波長をλとした場合に、λ／４の間隔を
隔てて形成されている。また、圧電基板１１の両端面１
１ａ、１１ｂに沿って形成された電極指１２ａ、１３ａ
の幅はλ／８とされており、その他の電極指の幅はλ／
４とされている。
に間挿し合うように形成されている。各電極指は、発生
されるＳＨ波の波長をλとした場合に、λ／４の間隔を
隔てて形成されている。また、圧電基板１１の両端面１
１ａ、１１ｂに沿って形成された電極指１２ａ、１３ａ
の幅はλ／８とされており、その他の電極指の幅はλ／
４とされている。
表面波装置１０では、圧電基板１１の両端面１１ａ、ｌ
ｌｂに、段差１４．１５が形成されている。段差１４．
１５は、発生されるＳＨ波のエネルギの８０％が集中す
る圧！基板１１表面層よりも下方の高さ位置に設けられ
ている。
ｌｂに、段差１４．１５が形成されている。段差１４．
１５は、発生されるＳＨ波のエネルギの８０％が集中す
る圧！基板１１表面層よりも下方の高さ位置に設けられ
ている。
なお、圧電基板１１を構成する材料や電極形状等によっ
ても変わるが、圧電セラミックの場合、通常、表面から
１．５λ程度の厚みの層に、ＳＨ波のエネルギの８０％
程度が集中する。従って、段差１４．１５は、圧電基板
１１の表面がら１゜５λ程度以上隔てた位置に形成され
る。
ても変わるが、圧電セラミックの場合、通常、表面から
１．５λ程度の厚みの層に、ＳＨ波のエネルギの８０％
程度が集中する。従って、段差１４．１５は、圧電基板
１１の表面がら１゜５λ程度以上隔てた位置に形成され
る。
また、本実施例の圧電゛基板１１では、段差１４１５の
下方において、両端面１６．１７が粗面とされている。
下方において、両端面１６．１７が粗面とされている。
これは、段差１４．１５よりも下方におけるバルク波の
共振を、より一層効果的に抑制するためである。すなわ
ち、両端面１６１７を粗面とすることにより、バルク波
を乱反射させ、バルク波の共振エネルギが低減されるよ
うに構成されている。
共振を、より一層効果的に抑制するためである。すなわ
ち、両端面１６１７を粗面とすることにより、バルク波
を乱反射させ、バルク波の共振エネルギが低減されるよ
うに構成されている。
もっとも、本発明においては、段差１４．１５よりも下
方の両端面１６．１７を、第１図実施例のように粗面に
する必要は必ずしもない。すなわち、上記のように、段
差１４．ｊ５を、圧電基板の表面からＳＨ波のエネルギ
の８０％が集中する厚みの層よりも下方に設けることに
より、バルク波共振によるＳＨ波の共振への悪影響を抑
制することができるからである。
方の両端面１６．１７を、第１図実施例のように粗面に
する必要は必ずしもない。すなわち、上記のように、段
差１４．ｊ５を、圧電基板の表面からＳＨ波のエネルギ
の８０％が集中する厚みの層よりも下方に設けることに
より、バルク波共振によるＳＨ波の共振への悪影響を抑
制することができるからである。
両端面１６．１７を粗面とするには、マザーの圧電基板
を個々の圧電基板１１に切断するに際し、段差１４．１
５が設けられている位置までダイサー等により切断し、
しかる後隣接する圧電基板１１間を折って分離すれば、
両端面１６．１７を簡単に粗面とすることができる。
を個々の圧電基板１１に切断するに際し、段差１４．１
５が設けられている位置までダイサー等により切断し、
しかる後隣接する圧電基板１１間を折って分離すれば、
両端面１６．１７を簡単に粗面とすることができる。
第１図に示した表面波装置のインピーダンス周波数特性
及び位相−周波数特性を第４図に示す。
及び位相−周波数特性を第４図に示す。
第３図及び第４図に示した特性を比較すれば明らかなよ
うに、第１図実施例の表面波装置では、反共振点よりも
高周波域においてバルク波共振に基づく不要スプリアス
が効果的に抑制されていることがわかる。
うに、第１図実施例の表面波装置では、反共振点よりも
高周波域においてバルク波共振に基づく不要スプリアス
が効果的に抑制されていることがわかる。
変長班
第５図は、第１回実施例の表面波装置の変形例を示す断
面図である。第５図の構造では、圧電基板１１の両端面
において、複数の高さ位置に、段差１４．１５．１４’
、１５’が設けられている。
面図である。第５図の構造では、圧電基板１１の両端面
において、複数の高さ位置に、段差１４．１５．１４’
、１５’が設けられている。
このように、圧電基板１１の両端面において複数の高さ
位置に段差を設け、それによってバルク波の共振をより
一層効果的に抑制することも可能である。
位置に段差を設け、それによってバルク波の共振をより
一層効果的に抑制することも可能である。
第６関は、さらに他の変形例を示す断面図である。第６
図の圧″ｉｔ基板１１は、段差１４．１５が、両端面１
１ａ、１１ｂから圧電基板の内側方向に延びるように形
成されている。このように、段差１４ １５は、圧電基
板１１の、両端面から内側に延びるように形成されてい
てもよい。
図の圧″ｉｔ基板１１は、段差１４．１５が、両端面１
１ａ、１１ｂから圧電基板の内側方向に延びるように形
成されている。このように、段差１４ １５は、圧電基
板１１の、両端面から内側に延びるように形成されてい
てもよい。
また、段差１４．１５．１４’、１５’は、圧電基板の
表面と平行な方向に延びるように設ける必要も必ずしも
ない。すなわち、第１図、第５図及び第６図において各
段差１４．１５．１４’１５’ は、水平方向から傾い
た向きに形成されていてもよい。
表面と平行な方向に延びるように設ける必要も必ずしも
ない。すなわち、第１図、第５図及び第６図において各
段差１４．１５．１４’１５’ は、水平方向から傾い
た向きに形成されていてもよい。
さらに、第５図及び第６回に示した変形例において、各
段差１４，１５．１４’、１５’の下方においで、両端
面１６．１７．１６’、１７’を適宜粗面としてもよく
、それによってバルク波の共振をより効果的に抑制する
ことができる。
段差１４，１５．１４’、１５’の下方においで、両端
面１６．１７．１６’、１７’を適宜粗面としてもよく
、それによってバルク波の共振をより効果的に抑制する
ことができる。
以上のように、本発明によれば、圧電基板の表面側から
、ＳＨ波のエネルギの８０％が集中する厚み以上の厚み
の層を隔てた高さ位置において、圧電基板の両端面に段
差が設けられているため、バルク波共振による不要スプ
リアスを効果的に低減することができる。よって、スプ
リアスの少ない、ＳＨ波を利用した端面及財形表面波装
置を提供することが可能となる。
、ＳＨ波のエネルギの８０％が集中する厚み以上の厚み
の層を隔てた高さ位置において、圧電基板の両端面に段
差が設けられているため、バルク波共振による不要スプ
リアスを効果的に低減することができる。よって、スプ
リアスの少ない、ＳＨ波を利用した端面及財形表面波装
置を提供することが可能となる。
本発明のＳＨ波を利用した端面反射形の表面波装置は、
映像中間周波段の補助トラップとして使用することがで
きるが、反共振点よりも高周波域におけるスプリアスが
効果的に低減されるため、ｆ ａｓ用だけでなく、ｆ□
用トラップとしても使用することができる。
映像中間周波段の補助トラップとして使用することがで
きるが、反共振点よりも高周波域におけるスプリアスが
効果的に低減されるため、ｆ ａｓ用だけでなく、ｆ□
用トラップとしても使用することができる。
第１図は本発明の一実施例にかかる表面波装置を説明す
るための断面図、第２図は従来の表面波装置を説明する
ための断面図、第３図は従来の表面波装置のインピーダ
ンス−周波数特性及び位相−周波数特性を示す図、第４
図は第１図実施例のインピーダンス−周波数特性及び位
相−周波数特性を示す図、第５図及び第６図は、それぞ
れ、第１図実施例の変形例を説明するための各断面図で
ある。 図において、１０は表面波装置、１１は圧電基板、１２
．１３は電極、ｌｌａ、ｌｌｂは端面、１４．１５．１
４’、１５’ は段差を示す。
るための断面図、第２図は従来の表面波装置を説明する
ための断面図、第３図は従来の表面波装置のインピーダ
ンス−周波数特性及び位相−周波数特性を示す図、第４
図は第１図実施例のインピーダンス−周波数特性及び位
相−周波数特性を示す図、第５図及び第６図は、それぞ
れ、第１図実施例の変形例を説明するための各断面図で
ある。 図において、１０は表面波装置、１１は圧電基板、１２
．１３は電極、ｌｌａ、ｌｌｂは端面、１４．１５．１
４’、１５’ は段差を示す。
Claims (1)
- （１）圧電基板と、 前記圧電基板の両端面間でＳＨ波を反射させるように、
該圧電基板の表面に形成された少なくとも一対の電極と
を備える表面波装置において、前記圧電基板表面から、
ＳＨ波のエネルギの８０％が集中する圧電基板層以上の
厚みの層を隔てた高さ位置において、前記圧電基板の両
端面に段差を設けたことを特徴とする、表面波装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2195798A JPH0821830B2 (ja) | 1990-07-24 | 1990-07-24 | 表面波装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2195798A JPH0821830B2 (ja) | 1990-07-24 | 1990-07-24 | 表面波装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0482315A true JPH0482315A (ja) | 1992-03-16 |
| JPH0821830B2 JPH0821830B2 (ja) | 1996-03-04 |
Family
ID=16347155
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2195798A Expired - Lifetime JPH0821830B2 (ja) | 1990-07-24 | 1990-07-24 | 表面波装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0821830B2 (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1100194A2 (en) * | 1999-11-09 | 2001-05-16 | Nec Corporation | Surface acoustic wave filter |
| US6426583B1 (en) * | 1999-06-14 | 2002-07-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Surface acoustic wave element, method for producing the same and surface acoustic wave device using the same |
| US6600391B2 (en) * | 2000-11-02 | 2003-07-29 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | End surface reflection type surface acoustic wave apparatus utilizing waves with a longitudinal wave or shear vertical wave main component |
| US6731044B1 (en) | 1999-10-20 | 2004-05-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave device having an interdigital transducer provided on a main region of a piezoelectric substrate |
| KR100443665B1 (ko) * | 2001-09-14 | 2004-08-11 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 단면 반사형 표면파 장치 및 그 제조방법 |
| EP1734654A1 (en) * | 2004-04-08 | 2006-12-20 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave filter and manufacturing method thereof |
| US7830067B2 (en) | 2006-03-07 | 2010-11-09 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Elastic boundary wave device |
| JP2012138430A (ja) * | 2010-12-25 | 2012-07-19 | Kyocera Corp | 電子装置 |
| JP2019091992A (ja) * | 2017-11-13 | 2019-06-13 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイスおよびその製造方法、フィルタ並びにマルチプレクサ |
| WO2021261485A1 (ja) * | 2020-06-26 | 2021-12-30 | 京セラ株式会社 | 弾性波装置及び通信装置 |
-
1990
- 1990-07-24 JP JP2195798A patent/JPH0821830B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6426583B1 (en) * | 1999-06-14 | 2002-07-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Surface acoustic wave element, method for producing the same and surface acoustic wave device using the same |
| US6996882B2 (en) | 1999-06-14 | 2006-02-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for producing a surface acoustic wave element |
| EP1094602A3 (en) * | 1999-10-20 | 2005-05-25 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave device |
| US6731044B1 (en) | 1999-10-20 | 2004-05-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave device having an interdigital transducer provided on a main region of a piezoelectric substrate |
| EP1100194A2 (en) * | 1999-11-09 | 2001-05-16 | Nec Corporation | Surface acoustic wave filter |
| EP1100194A3 (en) * | 1999-11-09 | 2005-06-22 | NRS Technologies Inc. | Surface acoustic wave filter |
| US6600391B2 (en) * | 2000-11-02 | 2003-07-29 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | End surface reflection type surface acoustic wave apparatus utilizing waves with a longitudinal wave or shear vertical wave main component |
| KR100443665B1 (ko) * | 2001-09-14 | 2004-08-11 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 단면 반사형 표면파 장치 및 그 제조방법 |
| US6848155B2 (en) | 2001-09-14 | 2005-02-01 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method of manufacturing an edge reflection type surface acoustic wave device |
| US6791238B2 (en) | 2001-09-14 | 2004-09-14 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Edge reflection type surface acoustic wave device and manufacturing method for the same |
| DE10241981B4 (de) * | 2001-09-14 | 2008-06-26 | Murata Manufacturing Co., Ltd., Nagaokakyo | Oberflächenwellenbauelement vom Kantenreflexionstyp und Verfahren zum Herstellen desselben |
| EP1734654A1 (en) * | 2004-04-08 | 2006-12-20 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave filter and manufacturing method thereof |
| EP1734654A4 (en) * | 2004-04-08 | 2009-12-23 | Murata Manufacturing Co | SURFACE WAVE FILTER AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR |
| US7830067B2 (en) | 2006-03-07 | 2010-11-09 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Elastic boundary wave device |
| JP2012138430A (ja) * | 2010-12-25 | 2012-07-19 | Kyocera Corp | 電子装置 |
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