JPH04199906A - 弾性表面波共振子 - Google Patents
弾性表面波共振子Info
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- JPH04199906A JPH04199906A JP32580290A JP32580290A JPH04199906A JP H04199906 A JPH04199906 A JP H04199906A JP 32580290 A JP32580290 A JP 32580290A JP 32580290 A JP32580290 A JP 32580290A JP H04199906 A JPH04199906 A JP H04199906A
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- Japan
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- electrode
- surface acoustic
- acoustic wave
- piezoelectric substrate
- wave resonator
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Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はラブ波型弾性表面波共振子、特に、単結晶圧電
基板にＡｕ、Ａｇ又はＰｔ等の重い金属をＩ ＤＴ （
Ｉｎｔｅｒ−ｄｉｇｉｔａｌ Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ
：すたれ状変換器）電極として付着させ、弾性表面波を
励振させる弾性表面波共振子に関する。
基板にＡｕ、Ａｇ又はＰｔ等の重い金属をＩ ＤＴ （
Ｉｎｔｅｒ−ｄｉｇｉｔａｌ Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ
：すたれ状変換器）電極として付着させ、弾性表面波を
励振させる弾性表面波共振子に関する。
（従来の技術）
一般に弾性表面波共振子の性能評価にはＱと容量比γか
ある。弾性表面波共振子をＶＣＯ＜電圧制御発振器）に
用いた場合Ｑか低いとＣ／Ｎか劣化し、共振子フィルタ
を構成した場合はＱか低いと挿入損失か増加する。γの
値か小さいほどＶＣＯ２共振子フィルタのいずれの場合
でも広帯域化を図ることかできる。
ある。弾性表面波共振子をＶＣＯ＜電圧制御発振器）に
用いた場合Ｑか低いとＣ／Ｎか劣化し、共振子フィルタ
を構成した場合はＱか低いと挿入損失か増加する。γの
値か小さいほどＶＣＯ２共振子フィルタのいずれの場合
でも広帯域化を図ることかできる。
ラブ波型弾性表面波共振子は電極の膜厚を厚くするとＱ
か高くなりγか小さくなることか知られている。しかし
、同時に共振周波数か大きく低下するため電極ピッチと
の関係て膜厚をある程度以上に大きくすることか困難で
ある。また、共振周波数をわずかたけ調節することは難
しい。
か高くなりγか小さくなることか知られている。しかし
、同時に共振周波数か大きく低下するため電極ピッチと
の関係て膜厚をある程度以上に大きくすることか困難で
ある。また、共振周波数をわずかたけ調節することは難
しい。
（発明か解決しようとする課題）
本発明の目的は、上述の問題点を解決し、Ｑを向上させ
、γを小さくし、かつ、共振周波数の微調整を行うこと
のできる弾性表面波共振子を提供することにある。
、γを小さくし、かつ、共振周波数の微調整を行うこと
のできる弾性表面波共振子を提供することにある。
（課題を解決するための手段）
本発明の弾性表面波共振子は、電極を形成するエツチン
グプロセスで、イオンビームミリング装置等を用いて電
極等の導体と導体の間の圧電基板表面をエツチングした
構成を有するものである。
グプロセスで、イオンビームミリング装置等を用いて電
極等の導体と導体の間の圧電基板表面をエツチングした
構成を有するものである。
すなわち、電極形成のエツチングに引続き電極導体の間
の基板材料を所定の深さにエツチングしたことを最も主
要な特徴とする。
の基板材料を所定の深さにエツチングしたことを最も主
要な特徴とする。
以下図面により本発明の詳細な説明する。
第１図は、本発明の第１の実施例を示す弾性表面波共振
子の平面図である。ｌは圧電基板、２はＩＤＴ電極であ
る。ＩＤＴ電極２は線て示しであるか所定の幅を有する
ものである。
子の平面図である。ｌは圧電基板、２はＩＤＴ電極であ
る。ＩＤＴ電極２は線て示しであるか所定の幅を有する
ものである。
第２図は第１図の弾性表面波共振子の本発明の詳細を示
すＩ Ｄ Ｔ Ｎ極部の部分拡大断面図である。
すＩ Ｄ Ｔ Ｎ極部の部分拡大断面図である。
３はＩＤＴ電極２の間の基板表面をエツチングした部分
である。第３図は本発明の要部を比較するために示した
従来の弾性表面波共振子のＩＤＴＨ極部の部分拡大断面
図である。
である。第３図は本発明の要部を比較するために示した
従来の弾性表面波共振子のＩＤＴＨ極部の部分拡大断面
図である。
ラブ波型共振子はＩＤＴ電極２の膜厚を太き（するとＱ
か高くなりγか小さくなる。本発明ては第２図のように
電極等の間の圧電基板表面をさらにエツチングすること
によってＩＤＴ電極２の膜厚を厚（したときと同様の効
果を得ることかできる。第４図は電極間の基板材料のエ
ツチング深さとＱの関係を示す。また、第５図は電極間
の基板材料のエツチング深さとγの関係を示す。第４図
かられかるように電極間の基板材料を２ｏｏｏ、にエツ
チングするとＱか約１５ ％高くなる。
か高くなりγか小さくなる。本発明ては第２図のように
電極等の間の圧電基板表面をさらにエツチングすること
によってＩＤＴ電極２の膜厚を厚（したときと同様の効
果を得ることかできる。第４図は電極間の基板材料のエ
ツチング深さとＱの関係を示す。また、第５図は電極間
の基板材料のエツチング深さとγの関係を示す。第４図
かられかるように電極間の基板材料を２ｏｏｏ、にエツ
チングするとＱか約１５ ％高くなる。
γについては第５図に示すように電極間の基板材料を２
０００人エッチジグすると約５０力小さくできる。
０００人エッチジグすると約５０力小さくできる。
第６図は電極間の基板材料のエツチング深さと共振周波
数の関係を示す。第６図に示すように電極間の基板材料
を１００人エツチングすると共振周波数の低下は約０．
２ ＭＨｚはとである。第７図に示すように共振周波数
に及はす影響は同程度の金（Ａｕ）電極を厚くした場合
よりも１桁小さい。従って、この作用を利用すれば共振
周波数の微調整か可能になることかわかる。
数の関係を示す。第６図に示すように電極間の基板材料
を１００人エツチングすると共振周波数の低下は約０．
２ ＭＨｚはとである。第７図に示すように共振周波数
に及はす影響は同程度の金（Ａｕ）電極を厚くした場合
よりも１桁小さい。従って、この作用を利用すれば共振
周波数の微調整か可能になることかわかる。
（発明の効果）
以上詳細に説明したように、本発明を実施することによ
り、Ｑを向上し、容量比を小さ・（する効果かある。ま
た、共振周波数をわずかたけ調節することか可能である
。
り、Ｑを向上し、容量比を小さ・（する効果かある。ま
た、共振周波数をわずかたけ調節することか可能である
。
第１図は本発明の一実施例を示す平面図、第２図は本発
明の詳細を示す部分拡大断面図、第３図は従来の弾性表
面波共振子の部分拡大断面図、第４図は本発明の基板の
エツチング深さとＱの関係を示す特性図、第５図は本発
明の基板のエツチング深さとγの関係を示す特性図、第
６図は本発明の基板のエツチング深さと共振周波数の関
係を示す特性図、第７図は従来の弾性表面波共振子のＡ
ｕ膜厚と共振周波数の関係を示す特性図である。 １・・・圧電基板、 ２・・・すたれ状変換器（ＩＤＴ
）電極、 ３・・・基板のエツチング部分。
明の詳細を示す部分拡大断面図、第３図は従来の弾性表
面波共振子の部分拡大断面図、第４図は本発明の基板の
エツチング深さとＱの関係を示す特性図、第５図は本発
明の基板のエツチング深さとγの関係を示す特性図、第
６図は本発明の基板のエツチング深さと共振周波数の関
係を示す特性図、第７図は従来の弾性表面波共振子のＡ
ｕ膜厚と共振周波数の関係を示す特性図である。 １・・・圧電基板、 ２・・・すたれ状変換器（ＩＤＴ
）電極、 ３・・・基板のエツチング部分。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 圧電基板表面上に重い金属のすだれ状変換器電極が設け
られた電気機械結合係数の大きいラブ波型弾性表面波共
振子において、 前記圧電基板の前記すだれ状変換器電極を除く他の表面
がさらに所望の深さにエッチングされていることを特徴
とする弾性表面波共振子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32580290A JPH04199906A (ja) | 1990-11-29 | 1990-11-29 | 弾性表面波共振子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32580290A JPH04199906A (ja) | 1990-11-29 | 1990-11-29 | 弾性表面波共振子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04199906A true JPH04199906A (ja) | 1992-07-21 |
Family
ID=18180760
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32580290A Pending JPH04199906A (ja) | 1990-11-29 | 1990-11-29 | 弾性表面波共振子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04199906A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1049252A2 (en) * | 1999-04-28 | 2000-11-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method of manufacturing a surface acoutic wave element |
| JP2008536395A (ja) * | 2005-04-06 | 2008-09-04 | バイオスケール・インコーポレーテッド | 電気的応答デバイス |
| WO2009125536A1 (ja) * | 2008-04-10 | 2009-10-15 | 株式会社村田製作所 | 弾性境界波装置及びその製造方法 |
| US20110191995A1 (en) * | 2006-07-20 | 2011-08-11 | Nihon Dempa Kogyo Co., Ltd. | Method for manufacturing piezoeletric resonator |
| WO2013081026A1 (ja) * | 2011-12-01 | 2013-06-06 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置 |
| US8793849B1 (en) * | 2005-07-28 | 2014-08-05 | University Of South Florida | Method of manufacturing high frequency thickness shear mode gas and organic vapor sensors |
-
1990
- 1990-11-29 JP JP32580290A patent/JPH04199906A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1049252A2 (en) * | 1999-04-28 | 2000-11-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method of manufacturing a surface acoutic wave element |
| JP2008536395A (ja) * | 2005-04-06 | 2008-09-04 | バイオスケール・インコーポレーテッド | 電気的応答デバイス |
| US8793849B1 (en) * | 2005-07-28 | 2014-08-05 | University Of South Florida | Method of manufacturing high frequency thickness shear mode gas and organic vapor sensors |
| US20110191995A1 (en) * | 2006-07-20 | 2011-08-11 | Nihon Dempa Kogyo Co., Ltd. | Method for manufacturing piezoeletric resonator |
| US8776336B2 (en) * | 2006-07-20 | 2014-07-15 | Nihon Dempa Kogyo Co., Ltd. | Method for manufacturing piezoeletric resonator |
| WO2009125536A1 (ja) * | 2008-04-10 | 2009-10-15 | 株式会社村田製作所 | 弾性境界波装置及びその製造方法 |
| WO2013081026A1 (ja) * | 2011-12-01 | 2013-06-06 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置 |
| JPWO2013081026A1 (ja) * | 2011-12-01 | 2015-04-27 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置 |
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