JP2004222267A - 電子部品およびこの電子部品を用いた電子機器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板1と、基板1の上面に設けた櫛型電極2と、櫛型電極2を覆うとともに天面に凹凸形状を有する保護膜4とを備え、保護膜4と接する基板1の表面から保護膜4の凸部4aの頂部までの高さをt、保護膜4と接する基板1の表面から保護膜4の凹部4bの底部までの高さをt1、保護膜4の凸部4aの頂部から保護膜4の凹部4bの底部までの高さ(t−t1)をt2とし、保護膜4の凹凸形状の1ピッチあたりのピッチ幅をL、保護膜4の凹凸形状の1ピッチあたりの凹凸の凸部4aの幅をL1、凹部4bの幅をL2、櫛型電極2の1ピッチあたりのピッチ幅をp、櫛形電極2を構成する電極指1本あたりの幅をp1、電極指間の幅をp2、櫛型電極2の膜厚をhとしたとき、t2≦h(ただし、L≒p、p1+p2=p、L1+L2=L、L1≦p1、L2≧p2)である。
【選択図】図1
Description
t2≦h
(ただし、L≒p、p1+p2=p、L1+L2=L、L1≦p1、L2≧p2の関係を満たす)であるもので、電極上の保護膜の形状の影響を減らし、不要なSAWの反射の発生を抑えることにより、結果として、保護膜が電極を覆うように形成されかつその表面に凸凹状態が存在する場合においても、特性の良い電子部品を得ることができるという作用を有する。
h≦t2
(ただし、L≒p、p1+p2=p、L1+L2=L、L1≦p1、L2≧p2の関係を満たす)であるもので、保護膜が電極を覆うように形成された場合でも、電極部分と電極指間との間に基板にかかる質量の差を設けることで、電極端部におけるSAWの反射係数の低下を抑制、または向上させることができ、その結果、小型で特性の良い電子部品を得ることができるという作用を有する。
38°≦D°
のY板から切り出されたものであり、かつ
13%≦t/(2×p)≦35%
とすることで、温度特性の変化が少なく、かつ特性の良好な電子部品を得ることができるという作用を有する。
図1(a)は本発明の実施の形態1における電子部品としてのSAWデバイスの上面図、図1(b)は同断面図である。
t2≦h
(ただし、L≒p、p1+p2=p、L1+L2=L、L1≦p1、L2≧p2の関係を満たす)の関係を満たすものである。
以下本発明の実施の形態2におけるSAWデバイスについて図面を参照しながら説明する。
h≦t2
(ただし、L≒p、p1+p2=p、L1+L2=L、L1≦p1、L2≧p2の関係を満たす)の関係を満たすものである。
図14は本発明の実施の形態3における電子部品としてのSAWデバイスの断面図である。同上面図は、図1(a)と同一に表される。
L1≦p1、かつL2≧p2
(ただし、L≒p、p1+p2=p、L1+L2=Lの関係を満たす)の関係を満たすものである。
以下本発明の実施の形態4におけるSAWデバイスについて図面を参照しながら説明する。
以下本発明の実施の形態5におけるSAWデバイスについて図面を参照しながら説明する。
38°≦D°
であるD°YLT基板を用いた場合に良好な温度特性および電気特性が得られることを確認した。
以下本発明の実施の形態6におけるSAWデバイスについて図面を参照しながら説明する。
13%≦t/(2×p)≦35%
の条件を満たしている場合に良好な温度特性および電気特性が得られることを確認した。
以下に本発明の、実施の形態7における電子機器について図面を参照しながら説明する。
2 櫛型電極
2a 電極指
3 反射器
4 保護膜
4a 保護膜の凸部分
4b 保護膜の凹部分
5 パッド
21 基板
22 電極膜
23 レジスト膜
24 保護膜
25 レジスト膜
26 パッド
31 基板
32 SiO2膜
33s 直列腕のSAW共振子
33p 並列腕のSAW共振子
34 パッド
94a 保護膜の凸部分
94b 保護膜の凹部分
121 アンテナ
122 アンテナ共用器
122a 送信用SAWフィルタ
122b 受信用SAWフィルタ
122c 移相線路
131 送信帯域
132 受信帯域
141 保護膜の凸部の頂部
142 保護膜の凸部の頂部近辺の形状を近似する曲線
143 保護膜の凸部の頂部近辺の形状を近似する曲線の凸部の頂部における接線
144 保護膜の凹部の底面を結ぶ直線
145 保護膜の凸部の頂部近辺の形状を近似する曲線の凸部の頂部における接線と保護膜の凹部の底面を結ぶ直線の交点
Claims (12)
- 基板と、この基板の上面に設けた櫛型電極と、この櫛型電極を覆うとともに天面に凹凸形状を有する保護膜とを備え、この保護膜と接する前記基板の表面からこの保護膜の凸部の頂部までの高さをt、この保護膜と接する前記基板の表面からこの保護膜の凹部の底部までの高さをt1、この保護膜の凸部の頂部からこの保護膜の凹部の底部までの高さ(t−t1)をt2とし、この保護膜の凹凸形状の1ピッチあたりのピッチ幅をL、前記保護膜の凹凸形状の1ピッチあたりの凹凸の凸部の幅をL1、凹部の幅をL2、前記櫛型電極の1ピッチあたりのピッチ幅をp、前記櫛形電極を構成する電極指1本あたりの幅をp1、前記電極指間の幅をp2、前記櫛型電極の膜厚をhとしたとき、
t2≦h
(ただし、L≒p、p1+p2=p、L1+L2=L、L1≦p1、L2≧p2の関係を満たす)である電子部品。 - 基板上に設けられた櫛型電極において、前記櫛型電極の膜厚hと前記櫛型電極の1ピッチあたりのピッチ幅pとの関係が、
0.05≦h/(2×p)
である、請求項1記載の電子部品。 - 基板と、この基板の上面に設けた櫛型電極と、この櫛型電極を覆うとともに天面に凹凸形状を有する保護膜とを備え、この保護膜と接する前記基板の表面からこの保護膜の凸部の頂部までの高さをt、この保護膜と接する前記基板の表面からこの保護膜の凹部の底部までの高さをt1、この保護膜の凸部の頂部からこの保護膜の凹部の底部までの高さ(t−t1)をt2とし、この保護膜の凹凸形状の1ピッチあたりのピッチ幅をL、前記保護膜の凹凸形状の1ピッチあたりの凹凸の凸部の幅をL1、凹部の幅をL2、前記櫛型電極の1ピッチあたりのピッチ幅をp、前記櫛形電極を構成する電極指1本あたりの幅をp1、前記電極指間の幅をp2、前記櫛型電極の膜厚をhとしたとき、
h≦t2
(ただし、L≒p、p1+p2=p、L1+L2=L、L1≦p1、L2≧p2の関係を満たす)である電子部品。 - 基板上に設けられた櫛型電極において、前記櫛型電極の膜厚hと前記櫛型電極の1ピッチあたりのピッチ幅pとの関係が、
h/(2×p)≦0.05
である、請求項3記載の電子部品。 - 1ピッチあたりの保護膜のピッチ幅Lと、前記保護膜の凹凸形状の1ピッチあたりの凹凸の凸部の幅L1との比L1/Lをη'とし、1ピッチあたりの櫛型電極のピッチ幅pと、前記櫛形電極を構成する電極指1本あたりの幅p1との比p1/pをηとしたとき、ηとη'との関係が、
η'/ η ≦ 0.86
(ただし、L≒p、p1+p2=p、L1+L2=Lの関係を満たす)である請求項1または3のいずれかに記載の電子部品。 - 1ピッチあたりの保護膜の凹凸の凸部の幅L1の中心をLcとし、前記1ピッチあたりの保護膜の凸部の下に位置する櫛型電極の電極指の幅p1の中心をpcとしたとき、Lcとpcが平面視ほぼ同一直線上に存在している請求項1または3のいずれかに記載の電子部品。
- 基板は、タンタル酸リチウム基板であって、かつこのタンタル酸リチウム基板の切り出し角度が、X軸周りにZ軸方向への回転角度をD°とした場合、
38°≦D°
のY板から切り出されたものである請求項1または3のいずれかに記載の電子部品。 - 基板の上面に設けた櫛型電極と、この櫛型電極を覆うとともに天面に凹凸形状を有する保護膜は、この保護膜と接する前記基板の表面からこの保護膜の凹部の底部までの高さt1と、櫛型電極の1ピッチあたりのピッチ幅pの関係が、
13%≦t1/(2×p)≦35%
である請求項1または3のいずれかに記載の電子部品。 - 保護膜は二酸化シリコンである請求項1または3のいずれかに記載の電子部品。
- 基板と、この基板の上面に設けた櫛型電極と、この櫛型電極を覆うように設けた保護膜とを備え、この保護膜の天面はほぼ平坦であって、この保護膜と接する前記基板の表面からこの保護膜の上面までの高さをt、前記櫛型電極の1ピッチあたりのピッチ幅をpとしたとき、前記基板は、タンタル酸リチウム基板であって、かつこのタンタル酸リチウム基板の切り出し角度が、X軸周りのZ軸方向への回転角度をD°とした場合、
38°≦D°
のY板から切り出されたものであり、かつ
13%≦t/(2×p)≦35%
である電子部品。 - 基板上に設けられた櫛型電極において、前記櫛型電極の膜厚hと前記櫛型電極の1ピッチあたりのピッチ幅pとの関係が、
0.05≦h/(2×p)
である、請求項10記載の電子部品。 - 少なくとも1つのアンテナと、このアンテナに電気的に接続する電気回路とを有する電子機器であって、前記電気回路は複数の電子部品を備え、この複数の電子部品の少なくとも一つは、請求項1ないし11の何れかに記載の電子部品である電子機器。
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