JP2007221416A - 電子部品及びこの電子部品を用いた電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】温度特性および電気的特性が優れた電子部品を得ることである。
【解決手段】基板と、この基板の上面に設けた櫛型電極と、この櫛型電極を覆うとともに天面に凹凸形状を有する保護膜とを備え、前記基板がニオブ酸リチウム基板であり、かつ前記櫛型電極の１ピッチあたりのピッチ幅をｐ、前記櫛型電極を構成する電極指１本あたりの幅をｐ１、前記電極指間の幅をｐ２、基板表面から前記櫛型電極上部までの高さで定義される櫛型電極の厚さをｈとしたとき、
ｈ／（２×ｐ）≧４．５％（ただし、ｐ１＋ｐ２＝ｐの関係を満たす）
であり、かつ前記保護膜の凹凸形状が電極膜厚に応じて、任意の形になるように制御されていることを特徴とする。
【選択図】図２

Description

本発明は、電子部品およびこの電子部品を用いた電子機器に関するものである。

以下、従来の電子部品について説明する。

本従来の技術では、電子部品の一例として弾性表面波デバイス（以下、「ＳＡＷデバイス」と記す。）を例にとり説明する。

近年、小型軽量なＳＡＷデバイスは、各種移動体通信端末機器等の電子機器に多く使用されている。特に、８００ＭＨｚ〜２ＧＨｚ帯における携帯電話システムの無線回路部には、タンタル酸リチウム（以下、「ＬＴ」と記す。）基板を用いて作製したＳＡＷフィルタが広く用いられてきた。しかし、ＬＴ基板は弾性表面波の伝播方向の基板の熱膨張係数が大きく、また弾性定数そのものも温度により変化するため、フィルタの周波数特性も温度の変化に対して大きくシフトしてしまうという、温度特性に課題を有していた。これに対しては、圧電基板と、圧電基板上に形成されており、少なくとも１つのＩＤＴを構成している電極膜と、前記電極膜を覆うように圧電基板上にスパッタリングにより形成されており、かつ上面に凹凸を有する絶縁膜とを備え、前記電極膜の膜厚が、励振される表面波の波長の１〜３％の範囲とすることで良好な電気特性を得ることができ、さらに温度特性が良好なＳＡＷデバイスを得る方法が特許文献１に示されている。
特開２００４−２５４２９１号公報

しかしながら、特許文献１では電極膜の膜厚が、励振される表面波の波長の１〜３％の範囲としているため、電極膜の導体損失が小さいとは言い難く、電気特性が劣化してしまう。また、電極膜の膜厚が４％以上になると電極膜上に形成された絶縁膜の凹凸形状が大きくなり、挿入損失が劣化してしまう。ただし、これらの具体的な実施例としては基板に３６°ＹＬＴ基板を用いており、基板にニオブ酸リチウム基板（以下、「ＬＮ」と記す。）を用いたときの挿入損失に関する具体的な実施例は示されていない。そこで、発明者らは基板にＬＮ基板を用いて、電極膜の膜厚に関する実験を詳細に行った。その中で特許文献１には記載されていない、新たな課題を見出した。それは、電極膜の膜厚が４％以下では良好な特性を実現できるが、４．５％以上になると、共振子の周波数特性において、共振周波数よりも低い側にスプリアスが発生してしまい、良好な特性が実現できないということである。

本発明は、上記の課題を解決するものであり、基板にＬＮ基板を用い、かつ電極膜の膜厚を４．５％以上とし、かつその電極上に保護膜を形成し、その保護膜の形状を任意の形状に整えることによって温度特性および電気的特性が優れた電子部品を得ることを目的とするものである。

本発明は上記目的を達成するために、基板と、この基板の上面に設けた櫛型電極と、この櫛型電極を覆うとともに天面に凹凸形状を有する保護膜とを備え、前記基板がニオブ酸リチウム基板であり、かつ前記櫛型電極の１ピッチあたりのピッチ幅をｐ、前記櫛型電極を構成する電極指１本あたりの幅をｐ１、前記電極指間の幅をｐ２、基板表面から前記櫛型電極上部までの高さで定義される櫛型電極の厚さをｈとしたとき、
ｈ／（２×ｐ）≧４．５％（ただし、ｐ１＋ｐ２＝ｐの関係を満たす）
であり、かつ前記保護膜の凹凸形状が電極膜厚に応じて、任意の形になるように制御したことで、適切な反射特性が実現され、その結果、保護膜が電極を覆うように形成されかつその表面に凸凹状態が存在する場合においても、特性の良い電子部品を得ることができるという作用を有する。

以上の様に本発明によれば、ＬＮ基板上に形成された電極を覆うように保護膜を形成し、かつその保護膜の形状や厚さを特定の範囲に設定し、さらには電極膜厚、基板の切り出し角度を特定の範囲に設定することによって温度特性および電気的特性が優れた電子部品を得ることができる。

以下、本発明の実施の形態における電子部品について、図面を参照しながら説明する。
本実施の形態では電子部品の一例としてＳＡＷデバイスを例にして説明する。

（実施の形態１）
図１は本発明の実施の形態１における電子部品としてのＳＡＷデバイスの上面図、図２はＳＡＷデバイス図１におけるＡ部の断面図である。

図１および図２に示すように本実施の形態１のＳＡＷデバイスは、基板１の上面にアポタイズによる重み付けが施された櫛型電極２と、この櫛型電極２の両側に反射器３を備え、少なくともこれら櫛型電極２および反射器３を覆う保護膜４を備えるものである。さらに櫛型電極２には、この櫛型電極２と電気的に接続された電気信号の取出しを行うパッド５を有し、ＳＡＷデバイスを構成するものである。

基板１は、Ｘ軸周りにＺ軸方向へ数度回転させたＹ板から切り出したニオブ酸リチウムからなるもので、その回転の角度が５°である５°ＹＬＮ基板である。

櫛型電極２はアルミニウム（以下、「Ａｌ」と記す。）またはＡｌ合金からなるものである。

保護膜４は、好ましくは二酸化シリコン（以下、「ＳｉＯ₂」と記述する。）からなるもので、図１、図２に示すように、その上面は凹凸形状を備えている。保護膜４の凸部分４ａは、基板１の上面の櫛型電極２を有する部分の上方に備わっている。また、保護膜４の凹部分４ｂは、凸部分４ａ間の櫛型電極２が基板１の上面に存在しない部分およびその近傍に備わっている。

ここで、保護膜４の凸部分４ａ、凹部分４ｂ各々１つを１ピッチとし、この１ピッチあたりのピッチ幅をＬとし、保護膜４の凸部分４ａの幅をＬ１とし、保護膜４の凹部分４ｂの幅をＬ２（Ｌ＝Ｌ１＋Ｌ２が成り立つこと）とする。また、保護膜４の１ピッチと同様に、１つの櫛型電極２の電極指２ａおよび一方が隣り合う電極指２ａの存在する部分までを櫛型電極２の１ピッチ幅ｐとする。さらに、電極指２ａの１本あたりの幅をｐ１とし、隣り合う電極指間の幅をｐ２（ｐ＝ｐ１＋ｐ２が成り立つこと）とする。

また、保護膜４と接している基板１の表面から保護膜４の凹部分４ｂまでの高さをｔとし、櫛型電極２の厚さ（基板１の表面から櫛型電極２の天面までの高さ）をｈとする。

以上のように構成されるＳＡＷデバイスについて、以下にその製造方法を図面を参照しながら説明する。

図３は本発明の実施の形態１におけるＳＡＷデバイスの製造方法を説明する図である。まず、図３（ａ）に示すように、ＬＮ基板３１の上面にＡｌまたはＡｌ合金を蒸着またはスパッタ等の方法により櫛型電極および反射器となる電極膜３２を成膜する。

次に、図３（ｂ）に示すように、電極膜３２の上面にレジスト膜３３を形成する。

次に、図３（ｃ）に示すように、所望の形状となるように露光・現像技術等を用いてレジスト膜３３を加工する。

次に、図３（ｄ）に示すように、ドライエッチング技術等を用いて電極膜３２を櫛型電極や反射器等を所望の形状に加工した後、レジスト膜３３を除去する。

次に、図３（ｅ）に示すように、電極膜３２を覆うようにＳｉＯ₂を蒸着またはスパッタ等の方法により、保護膜３４を形成する。

次に、さらに図３（ｆ）に示すように、保護膜３４の表面にレジスト膜３５を形成する。

次に、図３（ｇ）に示すように、露光、現像技術等を用いてレジスト膜３５を所望の形状に加工する。

次に、図３（ｈ）に示すように、ドライエッチング技術等を用いて、電気信号取出しのためのパッド３６等の保護膜３４が不要な部分の保護膜を取り除き、その後レジスト膜３５を除去する。

最後にダイシングにより個々に分割した後、セラミックパッケージにダイボンド等によりマウントし、ワイヤーボンディング後、蓋を溶接し気密封止を行った。

本発明の実施の形態１においては、電極およびＳｉＯ₂膜の形状は
Ｌ１≦ｐ１かつＬ２≧ｐ２
（ただし、Ｌ≒ｐ、ｐ１＋ｐ２＝ｐ、Ｌ１＋Ｌ２＝Ｌの関係を満たす）の関係を満たすものである。

この関係を満たす形状を得る方法として、製造方法を示した図３（ｅ）のＳｉＯ₂膜形成において基板側にバイアスを印加しながらスパッタリングで成膜を行う、いわゆるバイアススパッタリング法を用いた。その際、ＳｉＯ₂膜の形状をコントロールするには、基板に印加するバイアスとスパッタリング電力の比を変える事で行った。

本実施の形態１においては、まずＳｉＯ₂膜の形状をどのようにすることで、保護膜を形成した場合においても良い特性が得られるかを示すために、以下の４種類のＳＡＷデバイス（実施例１および比較例１〜４）を作製した。比較例１は電極の規格化膜厚ｈ／（２×ｐ）が４％でＳｉＯ₂膜を設けていない通常のＳＡＷデバイス、比較例２は電極の規格化膜厚ｈ／（２×ｐ）が４．５％でＳｉＯ₂膜を設けていない通常のＳＡＷデバイス、比較例３は電極の規格化膜厚ｈ／（２×ｐ）が４％でＳｉＯ₂膜の形状が「Ｌ１＞ｐ１かつＬ２＜ｐ２（ただし、Ｌ≒ｐ、ｐ１＋ｐ２＝ｐ、Ｌ１＋Ｌ２＝Ｌの関係を満たす）」の関係を満たすＳＡＷデバイス、比較例４は電極の規格化膜厚ｈ／（２×ｐ）が４．５％でＳｉＯ₂膜の形状が「Ｌ１＞ｐ１かつＬ２＜ｐ２（ただし、Ｌ≒ｐ、ｐ１＋ｐ２＝ｐ、Ｌ１＋Ｌ２＝Ｌの関係を満たす）」の関係を満たすＳＡＷデバイス、実施例１は電極の規格化膜厚ｈ／（２×ｐ）が４．５％でＳｉＯ₂膜の形状が「Ｌ１≦ｐ１かつＬ２≧ｐ２（ただし、Ｌ≒ｐ、ｐ１＋ｐ２＝ｐ、Ｌ１＋Ｌ２＝Ｌの関係を満たす）」の関係を満たすＳＡＷデバイスである。ただし、本実施の形態１においては、全ての実施例および比較例におけるＳｉＯ₂膜の規格化膜厚ｔ／（２×ｐ）は２０％とした。図４は比較例３の断面形状、図５は比較例４の断面形状、図６は実施例１の断面形状、図７は各々の電気的特性を示す。この際、ＳＡＷデバイスの断面形状は、ＳＡＷデバイスの表面を金属及びカーボンでコーティングした上で、ＦＩＢ（Ｆｏｃｕｓｅｄ Ｉｏｎ Ｂｅａｍ）によりＳＡＷの伝播方向に電極を切断し、電子顕微鏡で観察した結果からその形状を特定した。

図７からＳｉＯ₂膜を設けていない比較例１及び２においてはレイリー波に起因するスプリアスの発生や反共振周波数割れを生じており、特性的にも非常に悪いことが分かる。比較例３及び４においては両方とも、ＳｉＯ₂膜の形状が「Ｌ１＞ｐ１かつＬ２＜ｐ２（ただし、Ｌ≒ｐ、ｐ１＋ｐ２＝ｐ、Ｌ１＋Ｌ２＝Ｌの関係を満たす）」の関係を満たしているが、比較例３においては共振周波数付近のスプリアスは見られないものの、比較例４においては共振周波数よりも低周波側にスプリアスが発生し、共振周波数における挿入損失が非常に悪くなっていることが分かる。また、ＳｉＯ₂膜の形状が「Ｌ１≦ｐ１かつＬ２≧ｐ２（ただし、Ｌ≒ｐ、ｐ１＋ｐ２＝ｐ、Ｌ１＋Ｌ２＝Ｌの関係を満たす）」の関係を満たす、実施例１については共振周波数付近のスプリアスは見られない。また、比較例３及び４の挿入損失を比較しても大幅に改善されていることが分かる。

次に、電極の規格化膜厚ｈ／（２×ｐ）が３％〜９％でＳｉＯ₂膜の形状が「Ｌ１＞ｐ１かつＬ２＜ｐ２（ただし、Ｌ≒ｐ、ｐ１＋ｐ２＝ｐ、Ｌ１＋Ｌ２＝Ｌの関係を満たす）」の関係を満たすもの（比較例５）と電極の規格化膜厚ｈ／（２×ｐ）が４．５％〜９％でＳｉＯ₂膜の形状が「Ｌ１≦ｐ１かつＬ２≧ｐ２（ただし、Ｌ≒ｐ、ｐ１＋ｐ２＝ｐ、Ｌ１＋Ｌ２＝Ｌの関係を満たす）」の関係を満たす（実施例２）図１に示したＳＡＷデバイスを直並列に接続したＬ型フィルタ（図８）を作製し、そのフィルタ特性における中心周波数で測定した温度特性を図９に示した。このとき、直列椀に配置されたＳＡＷデバイスの共振周波数と並列椀に配置されたＳＡＷデバイスの反共振周波数が一致するように図２に示した電極間ピッチｐを調整している。

図９からＳｉＯ₂膜の形状が「Ｌ１＞ｐ１かつＬ２＜ｐ２（ただし、Ｌ≒ｐ、ｐ１＋ｐ２＝ｐ、Ｌ１＋Ｌ２＝Ｌの関係を満たす）」の関係を満たすものについては、電極膜厚ｈが厚くなると温度特性が悪くなっていることが分かる。しかしながら、ＳｉＯ₂膜の形状が「Ｌ１≦ｐ１かつＬ２≧ｐ２（ただし、Ｌ≒ｐ、ｐ１＋ｐ２＝ｐ、Ｌ１＋Ｌ２＝Ｌの関係を満たす）」ものについては電極膜厚ｈが厚くなっても温度特性が良いままであることが分かる。特に電極膜厚が厚いほどその効果が大きいことが分かる。

以上のように、電極規格化膜厚ｈ／（２×ｐ）≧４．５％であり、かつＳｉＯ₂膜の形状を「Ｌ１≦ｐ１かつＬ２≧ｐ２（ただし、Ｌ≒ｐ、ｐ１＋ｐ２＝ｐ、Ｌ１＋Ｌ２＝Ｌの関係を満たす）」の関係を満たすようにして作製することによって保護膜を形成した場合において、温度特性が良好で且つ、良い特性が得られることを見出した。

本実施の形態１では電極膜としてＡｌもしくはＡｌ合金を用いたが、電極膜はこれらに限られるものではなく、Ｃｕ、Ｗ、Ａｇ、ＡｕなどＡｌよりも重い金属を用いた場合においても、ＳｉＯ₂膜の形状が「Ｌ１≦ｐ１かつＬ２≧ｐ２（ただし、Ｌ≒ｐ、ｐ１＋ｐ２＝ｐ、Ｌ１＋Ｌ２＝Ｌの関係を満たす）」の関係を満たし、更には電極が重い分、電極膜にＡｌを用いた時よりも電極上に存在するＳｉＯ₂膜の量を少なくする、すなわち、電極にＡｌを用いたときよりもｐ１に対するＬ１の比を小さくすることによって同様の効果を得ることができる。

また、保護膜としてＳｉＯ₂膜を用いたが、保護膜はこれに限られるものではなく、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ、Ｔａ₂Ｏ₅、ＴｅＯ₂など他の誘電体膜を用いた場合においてもその形状が上記条件を満たせば同様の効果を得ることができることは言うまでも無い。

また、本実施の形態１では櫛型電極２にアポタイズによる重み付けを行っているが、この重み付け比（櫛型電極２における両端の交差幅の割合や櫛型電極２における中央部分の重み付けを行っていない領域）に関しては図１に限るものではない。また、櫛型電極２の対数および櫛型電極２の両脇に配置された反射器の本数についても図１に限るものではない。

さらに、形状の形成方法として本実施の形態１ではバイアススパッタリングを用いたが、これもこの手法に限られるものでもない。

（実施の形態２）
以下本発明の実施の形態２におけるＳＡＷデバイスについて図面を参照しながら説明する。

本実施の形態２におけるＳＡＷデバイスは実施の形態１で用いたＳＡＷデバイスと同様のＳＡＷデバイスを用い、図８に示すフィルタを作製した。したがってその構造および作成方法についてはそれぞれ図１、図２および図３に示したものと同様であり、その説明は省略する。

本実施の形態２においては、ＳｉＯ₂膜厚と温度特性の関係を示す為に、ＳｉＯ₂膜厚ｔの異なる４種類のＳＡＷデバイスを作製しＳｉＯ₂膜厚に対する温度特性を図１０に示した。ただし、本実施の形態２によるＳＡＷデバイスは、「Ｌ１≦ｐ１かつＬ２≧ｐ２（ただし、Ｌ≒ｐ、ｐ１＋ｐ２＝ｐ、Ｌ１＋Ｌ２＝Ｌの関係を満たす）」の関係を満たし、また、電極の規格化膜厚ｈ／（２×ｐ）は４．５％とした。

図１０からＳｉＯ₂の規格化膜厚が厚くなると温度特性は良くなることが分かる。また、ＳｉＯ₂の規格化膜厚が３０％にもなるとほぼ零温度係数を実現できていることが分かる。従って、発明者らはＳｉＯ₂膜厚をｔ／（２×ｐ）≦３０％の関係を満たすようにして作製することによって温度特性が良好でかつ良い特性が得られることを見出した。

（実施の形態３）
以下本発明の実施の形態３におけるＳＡＷデバイスについて図面を参照しながら説明する。

本実施の形態３におけるＳＡＷデバイスは実施の形態１で用いたＳＡＷデバイスと同様のＳＡＷデバイスを用いた。したがってその構造および作成方法についてはそれぞれ図１、図２および図３に示したものと同様であり、その説明は省略する。本実施の形態３によるＳＡＷデバイスも、「Ｌ１≦ｐ１かつＬ２≧ｐ２（ただし、Ｌ≒ｐ、ｐ１＋ｐ２＝ｐ、Ｌ１＋Ｌ２＝Ｌの関係を満たす）」の関係を満たしている。ただし、本実施の形態３においては、全ての実施例および比較例における電極の規格化膜厚ｈ／（２×ｐ）は４．５％とした。

本実施の形態３においては、基板１の切り出し角度Ｄ°と本実施の形態１で示した形状を有する保護膜が形成されたＳＡＷデバイスの電気機械結合係数の関係を示す為に、切り出し角度の異なる計６種類の基板を用いてＳＡＷデバイスを作製し、図１１に切り出し角度と電気機械結合係数の関係を示す。実施例３はＤ°＝５°、実施例４はＤ°＝１５°、比較例６はＤ°＝４１°、比較例７はＤ°＝６４°である。また、比較例８はＳｉＯ₂膜を設けていないＤ°＝６４°のＳＡＷデバイスである。図１１より切り出し角度が４１°の時の結合係数が約１１％、切り出し角度が６４°の時の結合係数が約５．５％であるのに対して、実施例３や実施例４では結合係数が非常に大きな電気機械結合係数を実現している。また、比較例８としてＳｉＯ₂膜を設けていないＤ°＝６４°の電気機械結合係数を図中に示しているが、この値以上にするためには少なくともＤ≦２５°であれば実現できる。従って、発明者らはニオブ酸リチウム基板の切り出し角度が、Ｘ軸周りにＺ軸方向への回転角度をＤ°とした場合、０°≦Ｄ°≦２５°の関係を満たすようにして作製することによって温度特性が良好でかつ大きな電気機械結合係数が得られることを見出した。

（実施の形態４）
以下本発明の実施の形態４におけるＳＡＷデバイスについて図面を参照しながら説明する。

実施の形態１で用いたＳＡＷデバイスの基板１は、Ｘ軸周りにＺ軸方向へ数度回転させたＹ板から切り出したニオブ酸リチウムからなるもので、その回転の角度が５°である５°ＹＬＮ基板であるが、本実施の形態４におけるＳＡＷデバイスは基板１としてＸ軸周りにＺ軸方向へ数度回転させたＹ板から切り出し、その回転の角度が５°である５°ＹＬＮ基板とシリコン基板の接合基板を用いている。この基板１以外は同様のものを用いている。ＬＮ基板とシリコン基板の接合方法に関しては直接接合技術や接着剤を用いるなどによって可能である。

本実施の形態４によるＳＡＷデバイスも、「Ｌ１≦ｐ１かつＬ２≧ｐ２（ただし、Ｌ≒ｐ、ｐ１＋ｐ２＝ｐ、Ｌ１＋Ｌ２＝Ｌの関係を満たす）」の関係を満たしている。本実施の形態４においては、シリコン基板の張り合わせの有無による温度特性の関係を示す為に、２種類のＳＡＷデバイスを作製し、図１２および図１３に−３５℃、２５℃、＋８５℃のそれぞれの温度で測定した電気特性を示す。図１２には比較例９として基板１が５°ＹＬＮ基板を用いた時の特性を示している。また、図１３には実施例５として基板１が５°ＹＬＮ基板とシリコン基板の接合基板を用いた時の特性を示している。図１２および図１３から、基板１に５°ＹＬＮ基板を用いた時の温度に対する周波数変動に対して、基板１が５°ＹＬＮ基板とシリコン基板の接合基板を用いた時の温度に対する周波数変動は小さいことが分かる。それぞれの特性における反共振周波数より算出した温度特性は基板１が５°ＹＬＮ基板の場合は約−３３ｐｐｍ／Ｋであるのに対して、基板１が５°ＹＬＮ基板とシリコン基板の接合基板の場合は−１０ｐｐｍ／Ｋと大幅に改善していることが分かる。従って、発明者らは基板にＬＮ基板とシリコン基板の接合基板を用いることによって、良好な温度特性及び電気特性が得られることを見出した。

なお、本実施の形態においてはＬＮ基板の厚みについては触れていないが、ＬＮ基板を研磨して薄くして、シリコン基板と張り合わせることによって更なる温度特性改善の効果が可能であることは言うまでもない。

（実施の形態５）
本実施の形態では、電子機器の一例として携帯電話を例に取り説明する。

図１４は本発明の実施の形態５における携帯電話の概観図、図１５は図１４内部の要部の電気回路図である。図１５に示すように本実施の形態５の携帯電話は、アンテナ１５１およびこのアンテナ１５１に接続されたアンテナ共用器１５２を有している。このアンテナ共用器１５２は、送信用ＳＡＷフィルタ１５３、受信用ＳＡＷフィルタ１５４、および移相回路１５５により構成する。

本実施の形態５における送信用ＳＡＷフィルタ１５３および受信用ＳＡＷフィルタ１５４は、実施の形態１で説明したＳＡＷデバイスを直並列に複数段接続することによって得た。図１６に上記送信用ＳＡＷフィルタ１５３および受信用ＳＡＷフィルタ１５４を用いたＷＣＤＭＡ用アンテナ共用器の電気特性を示す。帯域内（送信側：１９２０ＭＨｚ〜１９８０ＭＨｚ及び、受信側：２１１０ＭＨｚ〜２１７０ＭＨｚ）において約−１．５ｄＢと良好な挿入損失を実現しており、更には阻止域（送信側：２１１０ＭＨｚ〜２１７０ＭＨｚ、受信側：１９２０ＭＨｚ〜１９８０ＭＨｚ）でも約−６０ｄＢと良好な減衰量を実現していることが分かる。このように実施の形態１で説明したＳＡＷデバイスを用いることによって、温度特性及び電気特性が優れたアンテナ共用器を容易に得ることが可能となる。

以上の様に本発明によれば、基板上に形成された電極を覆うように保護膜を形成し、かつその保護膜の形状や厚さを特定の範囲に設定することによって温度特性および電気的特性が優れた電子部品を得ることができる。

本発明の実施の形態１における電子部品の構成を示す上面図 本発明の実施の形態１における電子部品の図１のＡ部分の断面図 本発明の実施の形態１における電子部品の製造方法を説明する図 本発明の実施の形態１における電子部品の断面図 本発明の実施の形態１における電子部品の断面図 本発明の実施の形態１における電子部品の断面図 本発明の実施の形態１における電子部品の電気特性を示す図 本発明の実施の形態１における電子部品の構成を示す図 本発明の実施の形態１における電子部品の構造と温度特性の関係を示す図 本発明の実施の形態２における電子部品の構造と温度特性の関係を示す図 本発明の実施の形態３における電子部品の電気特性を示す図 本発明の実施の形態４における電子部品の電気特性を示す図 本発明の実施の形態４における電子部品の電気特性を示す図 本発明の実施の形態５における電子機器の概観図 本発明の実施の形態５における電子機器の内部の要部の電気回路図 本発明の実施の形態５における電子部品の電気特性を示す図

符号の説明

１ 基板
２ 櫛型電極
２ａ 電極指
３ 反射器
４ 保護膜
４ａ 保護膜の凸部分
４ｂ 保護膜の凹部分
５ パッド
３１ 基板
３２ 電極膜
３３ レジスト膜
３４ 保護膜
３５ レジスト膜
３６ パッド
８１ 基板
８２ 保護膜
８３ 直列に接続された実施例１のＳＡＷデバイス
８４ 並列に接続された実施例１のＳＡＷデバイス
８５ 入力端子
８６ 出力端子
８７ グランド端子
８８ 線路
１４１ アンテナ
１５１ アンテナ
１５２ アンテナ共用器
１５３ 送信フィルタ
１５４ 受信フィルタ
１５５ 位相回路

Claims (9)

1. 基板と、この基板の上面に設けた櫛型電極と、この櫛型電極を覆うとともに天面に凹凸形状を有する保護膜とを備え、前記基板がニオブ酸リチウム基板であり、かつ前記櫛型電極の１ピッチあたりのピッチ幅をｐ、前記櫛型電極を構成する電極指１本あたりの幅をｐ１、前記電極指間の幅をｐ２、基板表面から前記櫛型電極上部までの高さで定義される櫛型電極の厚さをｈとしたとき、
   ｈ／（２×ｐ）≧４．５％（ただし、ｐ１＋ｐ２＝ｐの関係を満たす）
   であり、かつ前記保護膜の凹凸形状が電極膜厚に応じて、任意の形になるように制御されていることを特徴とした電子部品。
2. 櫛型電極がアルミニウムもしくはアルミニウムを主成分とする合金からなる請求項１に記載の電子部品。
3. 保護膜の凹凸形状の１ピッチあたりのピッチ幅をＬ、前記保護膜の凹凸形状の１ピッチあたりの凸部の幅をＬ１、凹部の幅をＬ２、前記櫛型電極の１ピッチあたりのピッチ幅をｐ、前記櫛型電極を構成する電極指１本あたりの幅をｐ１、前記電極指間の幅をｐ２としたとき、
   Ｌ１≦ｐ１かつＬ２≧ｐ２
   （ただし、ｐ１＋ｐ２＝ｐ、Ｌ１＋Ｌ２＝Ｌの関係を満たす）である請求項１に記載の電子部品。
4. 基板は、ニオブ酸リチウム基板であって、かつこのニオブ酸リチウム基板の切り出し角度が、Ｘ軸周りにＺ軸方向への回転角度をＤ°とした場合、
   ０°≦Ｄ°≦２５°
   のＹ板から切り出されたものである請求項１に記載の電子部品。
5. 基板は、ニオブ酸リチウム基板とシリコン基板との接合基板である請求項１に記載の電子部品。
6. 基板表面から前記保護膜の凹部までの高さで定義される保護膜の厚さをｔとしたとき、
   ｔ／（２×ｐ）≦３０％
   である請求項１に記載の電子部品。
7. 保護膜は二酸化シリコンである請求項１に記載の電子部品。
8. 保護膜の凹凸形状の１ピッチあたりのピッチ幅をＬ、前記保護膜の凹凸形状の１ピッチあたりの凸部の幅をＬ１、凹部の幅をＬ２、前記櫛型電極の１ピッチあたりのピッチ幅をｐ、前記櫛型電極を構成する電極指１本あたりの幅をｐ１、前記電極指間の幅をｐ２としたとき、
   Ｌ１≦ｐ１かつＬ２≧ｐ２
   （ただし、ｐ１＋ｐ２＝ｐ、Ｌ１＋Ｌ２＝Ｌの関係を満たす）の関係を満たす形状を得る方法として、バイアススパッタリング法を用いたことを特徴とする請求項１に記載の電子部品の製造方法。
9. 少なくとも１つのアンテナと、このアンテナに電気的に接続する電気回路とを有する電子機器であって、前記電気回路は複数の電子部品を備え、この複数の電子部品の少なくとも一つは、請求項１に記載の電子部品である電子機器。

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