JP4305172B2 - 電子部品およびこの電子部品を用いた電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、電子部品およびこの電子部品を用いた電子機器に関するものである。

以下、従来の電子部品について説明する。

本従来の技術では、電子部品の一例として弾性表面波デバイス（以下、「ＳＡＷデバイス」と記す。）を例にとり説明する。

近年、小型軽量なＳＡＷデバイスは、各種移動体通信端末機器等の電子機器に多く使用されている。特に、８００ＭＨｚ〜２ＧＨｚ帯における携帯電話システムの無線回路部には、タンタル酸リチウム（以下、「ＬＴ」と記す。）基板の切り出し角度が、Ｘ軸周りのＺ軸方向への回転角度が３６°であるＹ板から切り出しされた、いわゆる３６°ＹカットＸ伝播のＬＴ（以下、「３６°ＹＬＴ」と記す。）を用いて作成したＳＡＷフィルタが広く用いられてきた。しかし、携帯電話のシステムやその無線回路部におけるフィルタの使用箇所によっては、さらなる通過帯域の低挿入損失化およびフィルタのスカート特性が急峻で、かつ阻止域における抑圧度の高いフィルタ特性が要求されている。この様な要求を満たすため、ＬＴ基板の切り出し角度が、X軸周りのZ軸方向への回転角度が４２°であるＹ板から切り出しされた、いわゆる４２°ＹカットＸ伝播のＬＴ（以下、「４２°ＹＬＴ」と記す。）基板を用いることで、従来の３６°ＹＬＴ基板を用いるよりも、より低損失かつフィルタのスカート特性が急峻なＳＡＷフィルタを実現する方法が、特許文献１に示されている。
特開平９−１６７９３６号公報

しかしながら、４２°ＹＬＴ基板は、従来の３６°ＹＬＴ基板同様、弾性表面波の伝播方向の基板の熱膨張係数が大きく、また弾性定数そのものも温度により変化するため、フィルタの周波数特性も温度の変化に対して約−３５ｐｐｍ/^oＫと、大きくシフトしてしまうという、温度特性に課題を有していた。例えばアメリカのＰＣＳ用の送信フィルタを例にとって考えた場合、常温で中心周波数１．８８ＧＨｚのフィルタが、常温±５０℃で、約±３．３ＭＨｚつまり約６．６ＭＨｚも変動する。ＰＣＳの場合、送信帯域と受信帯域の間隔は２０ＭＨｚしかなく、製造上の周波数ばらつきも考慮すると、フィルタにとっての送受信間隔は実質１０ＭＨｚ程度しかない。このため、例えば送信帯域を全温度（常温±５０℃）で確保しようとすると受信側の減衰量が十分に取れなくなるという問題を有していた。

本発明は、上記従来の課題を解決するものであり、電極上に保護膜を形成することによって温度特性および電気的特性が優れた電子部品を得ることを目的とするものである。

上記目的を達成するために、本発明の第１の態様は電子部品であって、この電子部品に設けた天面に凹凸形状を有する保護膜は、保護膜の凹凸形状の１ピッチあたりのピッチ幅をＬ、前記保護膜の凹凸形状の１ピッチあたりの凹凸の凸部の幅をＬ１、凹部の幅をＬ２、前記櫛型電極の１ピッチあたりのピッチ幅をｐ、前記櫛形電極を構成する電極指１本あたりの幅をｐ１、前記電極指間の幅をｐ２としたとき、
Ｌ１≦ｐ１、かつＬ２≧ｐ２
（ただし、Ｌ≒ｐ、ｐ１+ｐ２＝ｐ、Ｌ１+Ｌ２＝Ｌの関係を満たす）であるもので、保護膜を電極を覆うように形成したことで、電極指間に物理的なＳＡＷの反射面が形成されることを防ぎ、その結果、保護膜が電極を覆うように形成されかつその表面に凸凹状態が存在する場合においても、特性の良い電子部品を得ることができるという作用を有する。

以上の様に本発明によれば、基板上に形成された電極を覆うように保護膜を形成し、かつその保護膜の形状や厚さを特定の範囲に設定することによって温度特性および電気的特性が優れた電子部品を得ることができる。

以下、本発明の実施の形態における電子部品について、図面を参照しながら説明する。本実施の形態では電子部品の一例としてＳＡＷデバイスを例にして説明する。

（実施の形態１）
図１（ａ）は本発明の実施の形態１における電子部品としてのＳＡＷデバイスの上面図、図１（ｂ）は同断面図である。

同図に示すように本実施の形態１のＳＡＷデバイスは、基板１の上面に櫛型電極２を、この櫛型電極２の両側に反射器３とを備え、少なくともこれら櫛型電極２および反射器３を覆う保護膜４を備えるものである。さらに櫛型電極２には、この櫛型電極２と電気的に接続された電気信号の取出しを行うパッド５を有し、ＳＡＷデバイスを構成するものである。

基板１は、Ｘ軸周りにＺ軸方向へ数度回転させたＹ板から切り出したタンタル酸リチウムからなるもので、その回転の角度が３６°である３６°ＹＬＴ基板である。

櫛型電極２はアルミニウム（以下、「Ａｌ」と記する。）またはＡｌ合金からなるものである。

保護膜４は、好ましくは二酸化シリコン（以下、「ＳｉＯ₂」と記述する。）からなるもので、図１（ｂ）に示すように、その上面は凹凸形状を備えている。保護膜４の凸部分４ａは、基板１の上面の櫛型電極２を有する部分の上方に備わっている。また、保護膜４の凹部分４ｂは、凸部分４ａ間の櫛型電極２が基板１の上面に存在しない部分およびその近傍に備わっている。

ここで、保護膜４の凸部分４ａ、凹部分４ｂ各々１つを１ピッチとし、この１ピッチあたりのピッチ幅をＬとし、保護膜４の凸部分４ａの幅をＬ１とし、保護膜４の凹部分４ｂの幅をＬ２（Ｌ＝Ｌ１＋Ｌ２が成り立つこと）とする。また、保護膜４の１ピッチと同様に、１つの櫛型電極２の電極指２ａおよび一方が隣合う電極指２ａの存在する部分までを櫛型電極２の１ピッチ幅ｐとする。さらに、電極指２ａの１本あたりの幅をｐ１とし、隣合う電極指間の幅をｐ２（ｐ＝ｐ１＋ｐ２が成り立つこと）とする。さらに、１ピッチあたりの保護膜のピッチ幅Ｌと前記保護膜の凹凸形状の１ピッチあたりの凹凸の凸部の幅Ｌ１との比Ｌ１/Ｌをη'とし、１ピッチあたりの櫛型電極のピッチ幅ｐと前記櫛形電極を構成する電極指１本あたりの幅ｐ１との比ｐ１/ｐをηとする。

また、保護膜４と接している基板１の表面から保護膜４の凹部分４ｂまでの高さをｔとし、櫛型電極２の厚さ（基板１の表面から櫛型電極２の天面までの高さ）をｈとする。

以上のように構成されるＳＡＷデバイスについて、以下にその製造方法を図面を参照しながら説明する。

図２は本発明の実施の形態１におけるＳＡＷデバイスの製造方法を説明する図である。

まず、図２（ａ）に示すように、ＬＴ基板２１の上面にＡｌまたはＡｌ合金を蒸着またはスパッタ等の方法により櫛形電極または／および反射器となる電極膜２２を成膜する。

次に、図２（ｂ）に示すように、電極膜２２の上面にレジスト膜２３を形成する。

次に、図２（ｃ）に示すように、所望の形状となるように露光・現像技術等を用いてレジスト膜２３を加工する。

次に、図２（ｄ）に示すように、ドライエッチング技術等を用いて電極膜２２を櫛型電極や反射器等、所望の形状に加工した後、レジスト膜２３を除去する。

次に、図２（ｅ）に示すように、電極膜２２を覆うようにＳｉＯ₂を蒸着またはスパッタ等の方法により、保護膜２４を形成する。

次に、さらに図２（ｆ）に示すように、保護膜２４の表面にレジスト膜２５を形成する。

次に、図２（ｇ）に示すように、露光、現像技術等を用いてレジスト膜２５を所望の形状に加工する。

次に、図２（ｈ）に示すように、ドライエッチング技術等を用いて、電気信号取出しのためのパッド２６等、保護膜２４が不要な部分の保護膜を取り除き、その後レジスト膜２５を除去する。

最後にダイシングにより個々に分割した後、セラミックパッケージにダイボンド等によりマウントし、ワイヤーボンディング後、蓋を溶接し気密封止を行った。

本発明の実施の形態１においては、電極およびＳｉＯ₂膜の形状は
Ｌ１≦ｐ１、かつＬ２≧ｐ２
（ただし、Ｌ≒ｐ、ｐ１+ｐ２＝ｐ、Ｌ１+Ｌ２＝Ｌの関係を満たす）の関係を満たすものである。

この関係を満たす形状を得る方法として、製造方法を示した図２（ｅ）のＳｉＯ₂膜形成において基板側にバイアスを印加しながらスパッタリングで成膜を行う、いわゆるＢｉａｓスパッタリング法を用いた。その際、ＳｉＯ₂膜の形状をコントロールするには、基板に印加するバイアスとスパッタリング電力の比を変える事で行った。

本実施の形態１においては、ＳｉＯ₂膜の形状をどのようにすることで、保護膜を形成した場合においても良い特性が得られるかを示すために、以下の６種類のＳＡＷデバイス（実施例１〜３および比較例１〜３）を作成した。比較例１はＳｉＯ₂膜を設けていない通常のＳＡＷデバイス，比較例２はＳｉＯ₂膜形成において通常の（基板側にＢｉａｓを印加しない）スパッタリングを用いたＳＡＷデバイス，比較例３はＳｉＯ₂膜を形成するのにバイアススパッタを用いたが、基板に印加するバイアスとスパッタリングパワーの比を変え、Ｌ１≧ｐ１、かつＬ２≦ｐ２となるようにＳｉＯ₂膜を形成したものである。ただし、本実施の形態１においては、全ての実施例および比較例における電極の規格化膜厚ｈ／（２×ｐ）は４％とし、ＳｉＯ₂膜の規格化膜厚ｔ／（２×ｐ）は２０％とした。図３に実施例１〜３および比較例２，３の断面形状を、図４に電気的特性を示す。この際、ＳＡＷデバイスの断面形状は、ＳＡＷデバイスの表面を金属でコーティングした上で、ＦＩＢ（Ｆｏｃｕｓｅｄ Ｉｏｎ Ｂｅａｍ）によりＳＡＷの伝播方向に電極を切断し、電子顕微鏡で観察した結果からその形状を特定した。ただし、例えば図１４（ａ）に示された電極の断面形状のように、そのＳｉＯ₂の凸部の頂部１４１がほぼ点状で、かつ凸部の頂部から底部にかけて曲線状に丸みを帯びた状態になり、Ｌ１とＬ２の境が判然としない場合については、図１４（ｂ）に示すように、凸部の頂部近傍において底部から頂部への辺を曲線１４２で近似し、その曲線の凸部の頂部１４１における接線１４３と、隣あうＳｉＯ₂の底部を結ぶ直線１４４との交点１４５を用いてＬ１およびＬ２を定義した。また、表１に図４で示した各実施例および比較例の、最小挿入損失および反共振点における減衰量（最大減衰量）、急峻性の指標となる共振周波数と反共振周波数の周波数差（Δｆ）のおよび図３に示したそれぞれのＳＡＷデバイスの断面から測定した、ηとη'の比η'／ηの一覧を示す。

図４及び表１からＳｉＯ₂膜の形状が「Ｌ１≦ｐ１、かつＬ２≧ｐ２（ただし、Ｌ≒ｐ、ｐ１+ｐ２＝ｐ、Ｌ１+Ｌ２＝Ｌの関係を満たす）」の関係を満たしていない比較例２，３においてはその反共振周波数の減衰量が約−２０ｄＢと、ＳｉＯ₂を形成することで大きく劣化することが、比較例１の減衰量との比較から分かる。これに対し、ＳｉＯ₂膜の形状が上記関係を満たしている実施例１，２，３については、その反共振周波数における減衰量は約−２５ｄＢ以上と比較例１とほぼ同等である。特に実施例１，２，３を比較すると、実施例１，２，３の順で急峻かつ減衰量が大きくなり、しかも実施例２，３では減衰が−２６ｄＢ以上とＳｉＯ₂膜を形成する前とほぼ同等であることが示されている。

また図５は最大減衰量とη’／ηとの関係をグラフにしたものである。このグラフから、η’／ηが小さくなるに従って減衰量が改善されて行くことがわかる。特に０．８６以下で、ＳｉＯ₂を形成しなかった場合の９０％以上の減衰量となっており、ＳｉＯ₂膜を形成した後も、ＳｉＯ₂膜形成前とほぼ同等の性能を得ることができる。

以上のように、発明者らはＳｉＯ₂膜の形状を「Ｌ１≦ｐ１、かつＬ２≧ｐ２（ただし、Ｌ≒ｐ、ｐ１+ｐ２＝ｐ、Ｌ１+Ｌ２＝Ｌの関係を満たす）」の関係を満たすようにして作成することによって保護膜を形成した場合においても良い特性が得られることを見出した。特にη’／η≦０．８６とすることで、保護膜を形成しない場合と同等の減衰量を実現することを見出した。

本実施の形態１では保護膜としてＳｉＯ₂膜を用いたが、保護膜はこれに限られるものではなく、ＳｉＮ，ＳｉＯＮ，Ｔａ₂Ｏ₅など他の誘電体膜を用いた場合においてもその形状が上記条件を満たせば同様の効果を得ることができることは言うまでも無い。また、本実施の形態１においては、その基板として３６°ＹＬＴを用いたが、基板はこれに限られるものではなく、他の角度で切り出されたＬＴや、例えばＬｉＮｂＯ₃やＬｉＢ₂Ｏ₃、ＫＮｂＯ₃等の他の圧電基板を用いたＳＡＷデバイス、また、圧電膜上に電極を形成したＳＡＷデバイスにおいて、その表面に保護膜を形成する場合は、その形状が上記条件を満たせば同様の効果を得ることができる事は言うまでも無い。

さらに、形状の形成方法として本実施の形態１ではバイアススパッタリングを用いたが、これもこの手法に限られるものでもない。

（実施の形態２）
以下本発明の実施の形態２におけるＳＡＷデバイスについて図面を参照しながら説明する。

本実施の形態２におけるＳＡＷデバイスは、電極や反射器の本数や、ピッチｐは異なるものの、実施の形態１で用いたＳＡＷデバイスと同様のＳＡＷデバイスを用いた。したがってその構造および作成方法についてはそれぞれ図１および図２に示したものと同様であり、その説明は省略する。本実施の形態２によるＳＡＷデバイスも、「Ｌ１≦ｐ１、かつＬ２≧ｐ２（ただし、Ｌ≒ｐ、ｐ１+ｐ２＝ｐ、Ｌ１+Ｌ２＝Ｌの関係を満たす）」の関係を満たしている。但し、電極の規格化膜厚ｈ／（２×ｐ）は５％とした。

本実施の形態２においては、ＳｉＯ₂膜の膜厚と温度特性および電気特性の関係を示す為に、実施例４、５、６としてＳｉＯ₂の膜厚ｔの異なるＳＡＷデバイスを３種類と比較例４としてＳｉＯ₂を形成していないＳＡＷデバイスを作成した。それぞれのデバイスの電気特性を図６に、また、図６に示した電気特性から算出した電気機械結合係数（Ｋ２）とＳｉＯ₂膜厚との関係を図７に示す。ただし図６の電気特性の周波数依存性については、デバイス間の周波数ずれを考慮するため、また各デバイス間の特性の違いが分かりやすいように、各ＳＡＷデバイスの共振周波数で規格化した規格化周波数を用いてその依存性を示した。さらに、図８に各ＳＡＷデバイスの反共振周波数で測定した温度特性を示す。また、それぞれのデバイスのＳｉＯ₂膜の規格化膜厚ｔ／（２×ｐ）および電気機械結合係数と温度特性の一覧を表２に示した。

図８はＳｉＯ₂膜の膜厚が厚くなるにつれて、その温度特性も改善されることを示している。特にＳｉＯ₂膜の規格化膜厚が約０．１３以上になると温度特性も−３０ｐｐｍ/°Ｋ以下となり、さらに約３０％で０温度係数となる。しかし同時に、図７は、その電気機械結合係数Ｋ２が低下することを示している。電気機械結合係数Ｋ２が小さくなるにつれて、急峻性は増すが、同時にこのＳＡＷデバイスを用いてラダー型のＳＡＷフィルタを構成する際、その帯域幅は狭くなる。現在普及している携帯電話システムにおいて必要とされるフィルタの帯域幅を確保するには、６％程度以上の結合係数が好ましい。図７から６％の結合係数が得られるのはＳｉＯ₂の規格化膜厚が約２０％以下の場合で、ＳｉＯ₂膜の膜厚が約３５％以上になると結合係数が５％以下となり、フィルタの帯域を確保することが非常に困難となる。また逆に電気機械結合係数が大きすぎると、帯域は広くなるが、急峻性が失われるため、送信帯域と受信帯域の間で十分に通過域から減衰域に遷移することができず、減衰域において十分な抑圧が得られない、もしくは通過域において損失が大きくなるといった問題が発生する。さらに温度係数を考慮すると、フィルタ特性に許される通過域から減衰域への遷移領域は（送信帯域と受信帯域の間−温度による特性のドリフト周波数幅）以下である必要がある。したがって、図７と図８を考慮すると、電気機械結合係数が約７％で温度特性が約−３０ｐｐｍ／°ＫとなるＳｉＯ₂膜の膜厚が１３％の場合よりも、ＳｉＯ₂膜の膜厚は厚い方が好ましい。したがって、以上の結果から発明者らは、保護膜としてＳｉＯ₂を用い、基板表面から前記保護膜の凹部までの高さで定義される保護膜の厚さｔが
１３％≦ｔ／（２×ｐ）≦３５％
の条件を満たしている場合に良好な温度特性および電気特性が得られることを確認した。

（実施の形態３）
以下本発明の実施の形態３におけるＳＡＷデバイスについて図面を参照しながら説明する。

本実施の形態３におけるＳＡＷデバイスは、電極や反射器の本数や、ピッチｐは異なるものの、実施の形態１で用いたＳＡＷデバイスと同様のＳＡＷデバイスを用いた。したがってその構造および作成方法についてはそれぞれ図１および図２に示したものと同様であり、その説明は省略する。本実施の形態３によるＳＡＷデバイスも、「Ｌ１≦ｐ１、かつＬ２≧ｐ２（ただし、Ｌ≒ｐ、ｐ１+ｐ２＝ｐ、Ｌ１+Ｌ２＝Ｌの関係を満たす）」の関係を満たしている。

本実施の形態３においては、基板１の切り出し角度と本実施の形態１で示した形状を有する保護膜が形成されたＳＡＷデバイスの電気的特性の関係を示す為に、切り出し角の異なる比較例５、６と実施例７，８，９の計５種類の基板を用いてＳＡＷデバイスを作成した。表３にそれぞれのＳＡＷデバイスに用いたＬＴ基板の切り出し角度の一覧を示す。

また図９にそれぞれのＳＡＷデバイスの電気特性を示す。ただし図９においては、デバイス間の周波数ずれを考慮するため、また各デバイス間の特性の違いが分かり易いように、各ＳＡＷデバイスの反共振周波数で規格化した規格化周波数を用いてその依存性を示している。

図９は基板１の切り出し角度が３４°から高角度側になるにつれ、その減衰量と急峻性が大きく改善される事を示している。特に、この実施の形態３で用いたＳＡＷデバイスにおいて減衰量が、ＳｉＯ₂膜を形成しなかった場合の減衰量の約８０％である−２０ｄＢ以上となるには、基板の切り出し角度が約３８°以上あればよい。したがって、以上の結果から発明者らは、基板１を、Ｘ軸周りにＺ軸方向へＤ°回転させたＹ板から切り出したＬＴとして、その回転の角度Ｄ°が
３８°≦Ｄ°
であるＤ°ＹＬＴ基板を用いた場合に良好な温度特性および電気特性が得られることを確認した。

（実施の形態４）
以下本発明の実施の形態４におけるＳＡＷデバイスについて図面を参照しながら説明する。

本実施の形態４におけるＳＡＷデバイスは、電極や反射器の本数や、ピッチｐは異なるものの、実施の形態１で用いたＳＡＷデバイスと同様のＳＡＷデバイスを用いた。したがってその構造および作成方法についてはそれぞれ図１および図２に示したものと同様であり、その説明は省略する。本実施の形態４によるＳＡＷデバイスも、「Ｌ１≦ｐ１、かつＬ２≧ｐ２（ただし、Ｌ≒ｐ、ｐ１+ｐ２＝ｐ、Ｌ１+Ｌ２＝Ｌの関係を満たす）」の関係を満たしている。

本実施の形態４においては、保護膜の凹凸の凸部中心Ｌｃと、櫛型電極の電極指の中心ｐｃとの位置関係と、本実施の形態１で示した形状を有する保護膜が形成されたＳＡＷデバイスの電気的特性との関係を示す為に、実施例１０として、保護膜の凹凸の凸部中心Ｌｃと、櫛型電極の電極指の中心ｐｃとがほぼ一直線上にあるＳＡＷデバイスと、比較例７として保護膜の凹凸の凸部中心Ｌｃと、櫛型電極の電極指の中心ｐｃとがずれているＳＡＷデバイスを作成した。図１０（ａ）に実施例１０の、また図１１（ａ）に比較例７のデバイスの断面形状を、図１０（ｂ）に実施例１０の、また図１１（ｂ）に比較例７のデバイスの電気特性を示す。ただし図１０（ｂ）および図１１（ｂ）においては、デバイス間の周波数ずれを考慮するため、また各デバイス間の特性の違いが分かりやすいように、各ＳＡＷデバイスの反共振周波数で規格化した規格化周波数を用いてその依存性を示している。

保護膜の凹凸の凸部中心Ｌｃと、櫛型電極の電極指の中心ｐｃとがずれることによって、挿入損失および減衰量が劣化することが分かる。さらに規格化周波数１．０２付近に発生しているリップルが図１１（ｂ）では大きく発生しておりまた反共振点とこのリップルとの周波数差が狭くなっていることが分かる。このＳＡＷデバイスを用いてラダー型のＳＡＷフィルタを構成する際、このリップルが大きく出ているとフィルタ特性を悪化させてしまい、またこのリップルが反共振点の近くに存在した場合、フィルタの帯域の大きなリップルとして現れてしまう。

したがって、以上の結果から発明者らは、ＳｉＯ₂膜の形状を「Ｌ１≦ｐ１、かつＬ２≧ｐ２（ただし、Ｌ≒ｐ、ｐ１+ｐ２＝ｐ、Ｌ１+Ｌ２＝Ｌの関係を満たす）」の関係を満たすようにして作成されたデバイスにおいて良好な電気特性を得るには、保護膜４の凸部分４ａの幅Ｌ１の中心をＬｃ、この保護膜４の凸部分４ａの下方およびその近辺に存在する電極指２の１本あたりの幅ｐ１の中心をｐｃとした場合、Ｌｃとｐｃとが、基板１の上面から見てほぼ同一直線上、すなわち平面視ほぼ同一直線上に存在していることが好ましいことを見出した。

（実施の形態５）
以下に本発明の、実施の形態５における電子機器について図面を参照しながら説明する。

本実施の形態では、電子機器の一例として携帯電話を例に取り説明する。

図１２（ａ）は本発明の実施の形態５における、携帯電話の概観図、図１２（ｂ）は同内部の要部の電気回路図である。

同図に示すように本実施の形態５の携帯電話は、アンテナ１２１およびこのアンテナ１２１に接続されたアンテナ共用器１２２を有している。このアンテナ共用器１２２は、送信用ＳＡＷフィルタ１２２ａ、受信用ＳＡＷフィルタ１２２ｂ、および移相回路１２２ｃにより構成する。

本実施の形態５における送信用ＳＡＷフィルタ１２２ａおよび受信用ＳＡＷフィルタ１２２ｂは、実施の形態１で説明したＳＡＷデバイスを用いるものである。

図１３（ａ）に送信用ＳＡＷフィルタ１２２ａの、−３５℃，２５℃，＋８５℃のそれぞれの温度で測定した電気特性を示す。

また、比較のため送信用ＳＡＷフィルタ１２２ａと同一周波数帯のＳｉＯ₂膜を形成していないＳＡＷフィルタを−３５℃，２５℃，＋８５℃のそれぞれの温度で測定した電気特性を図１３（ｂ）に示す。また、図１３においては、本実施の形態５の一例として取り上げた携帯電話システムにおける送信帯域１３１および受信帯域１３２をハッチングによって示している。この携帯電話システムでは、−３５℃〜＋８５℃の温度範囲において、送信フィルタの場合、送信帯域において挿入損失−３．５ｄＢ以下、受信帯域において−４２ｄＢ以上の抑圧が要求される。

図１３の（ａ）、（ｂ）を比較すると、実施の形態１で説明したＳＡＷデバイスを用いた図１３（ａ）の特性を持つフィルタは、急峻なフィルタ特性をもち、かつ温度変化による周波数ドリフトが少ないため、この携帯電話システムの要求性能である−３０℃〜＋８５℃の温度範囲において、送信帯域において挿入損失−３．５ｄＢ以下、受信帯域において−４２ｄＢ以上の抑圧が実現しているのに対し、図１３（ａ）の特性を持つＳｉＯ₂膜を形成していないフィルタは急峻な特性が実現できず、常温においても要求性を満たしておらず、しかも温度による周波数ドリフトが大きく、−３０℃〜＋８５℃の範囲で特性を満たすことができない。

送信用ＳＡＷフィルタ１２２ａおよび受信用ＳＡＷフィルタ１２２ｂに、実施の形態１で説明したＳＡＷデバイスを用いた携帯電話に対して、発明者らは、−３０℃から＋８５℃の環境下でその感度も同様に測定したところ、温度変化に対して、感度の変化が少ないことを確認した。

以上の様に本発明によれば、基板上に形成された電極を覆うように保護膜を形成し、かつその保護膜の形状や厚さを特定の範囲に設定することによって温度特性および電気的特性が優れた電子部品を得ることができる。

（ａ）本発明の実施の形態１における電子部品の構成を示す上面図、（ｂ）本発明の実施の形態１における電子部品の断面図 本発明の実施の形態１における電子部品の製造方法を説明する図 本発明の実施の形態１における電子部品の断面図 本発明の実施の形態１における電子部品の電気特性を示す図 本発明の実施の形態１における電子部品の構造と電気特性の関係を示す図 本発明の実施の形態２における電子部品の電気特性を示す図 本発明の実施の形態２における電子部品の構造と電気特性の関係を示す図 本発明の実施の形態２における電子部品の構造と温度特性の関係を示す図 本発明の実施の形態３における電子部品の電気特性を示す図 （ａ）本発明の実施の形態４における電子部品の断面図、（ｂ）本発明の実施の形態４における電子部品の電気特性を示す図 （ａ）本発明の実施の形態４における電子部品の断面図、（ｂ）本発明の実施の形態４における電子部品の電気特性を示す図 （ａ）本発明の実施の形態５における電子機器の概観図、（ｂ）本発明の実施の形態５における電子機器の内部の要部の電気回路図 （ａ）本発明の実施の形態５における電子部品の電気特性を示す図、（ｂ）本発明の実施の形態５における電子部品の電気特性を示す図 （ａ）本発明の実施の形態における電子部品の断面図の例を示す図、（ｂ）本発明の実施の形態における電子部品の断面の構造の定義を示す図

符号の説明

１ 基板
２ 櫛型電極
２ａ 電極指
３ 反射器
４ 保護膜
４ａ 保護膜の凸部分
４ｂ 保護膜の凹部分
５ パッド
２１ 基板
２２ 電極膜
２３ レジスト膜
２４ 保護膜
２５ レジスト膜
２６ パッド
１２１ アンテナ
１２２ アンテナ共用器
１２２ａ 送信用ＳＡＷフィルタ
１２２ｂ 受信用ＳＡＷフィルタ
１２２ｃ 移相線路
１３１ 送信帯域
１３２ 受信帯域
１４１ 保護膜の凸部の頂部
１４２ 保護膜の凸部の頂部近辺の形状を近似する曲線
１４３ 保護膜の凸部の頂部近辺の形状を近似する曲線の凸部の頂部における接線
１４４ 保護膜の凹部の底面を結ぶ直線
１４５ 保護膜の凸部の頂部近辺の形状を近似する曲線の凸部の頂部における接線と保護膜の凹部の底面を結ぶ直線の交点

Claims (7)

1. 基板と、この基板の上面に設けた櫛型電極と、この櫛型電極を覆うとともに天面に凹凸形状を有する保護膜とを備え、この保護膜の凹凸形状の１ピッチあたりのピッチ幅をＬ、前記保護膜の凹凸形状の１ピッチあたりの凹凸の凸部の幅をＬ１、凹部の幅をＬ２、前記櫛型電極の１ピッチあたりのピッチ幅をｐ、前記櫛形電極を構成する電極指１本あたりの幅をｐ１、前記電極指間の幅をｐ２としたとき、
   Ｌ１≦ｐ１、かつＬ２≧ｐ２
   （ただし、Ｌ≒ｐ、ｐ１+ｐ２＝ｐ、Ｌ１+Ｌ２＝Ｌの関係を満たす）である電子部品。
2. １ピッチあたりの保護膜のピッチ幅Ｌと前記保護膜の凹凸形状の１ピッチあたりの凹凸の凸部の幅Ｌ１との比Ｌ１/Ｌをη'とし、１ピッチあたりの櫛型電極のピッチ幅ｐと前記櫛形電極を構成する電極指１本あたりの幅ｐ１との比ｐ１/ｐをηとしたとき、ηとη'との関係が、
   η'／η≦ ０．８６
   （ただし、Ｌ≒ｐ、ｐ１+ｐ２＝ｐ、Ｌ１+Ｌ２＝Ｌの関係を満たす）である請求項１に記載の電子部品。
3. １ピッチあたりの保護膜の凹凸の凸部の幅Ｌ１の中心をＬｃとし、前記１ピッチあたりの保護膜の凸部の下方に位置する櫛型電極の電極指の幅ｐ１の中心をｐｃとしたとき、Ｌｃとｐｃが、平面視ほぼ同一直線上に存在している請求項１に記載の電子部品。
4. 基板は、タンタル酸リチウム基板であって、かつこのタンタル酸リチウム基板の切り出し角度が、Ｘ軸周りにＺ軸方向への回転角度をＤ°とした場合、
   ３８°≦Ｄ°
   のＹ板から切出されたものである請求項１に記載の電子部品。
5. 保護膜は、基板表面から前記保護膜の凹部までの高さで定義される保護膜の厚さをｔとしたとき、
   １３％≦ｔ／（２×ｐ）≦３５％
   である請求項１に記載の電子部品。
6. 保護膜は二酸化シリコンである請求項１に記載の電子部品。
7. 少なくとも１つのアンテナと、このアンテナに電気的に接続する電気回路とを有する電子機器であって、前記電気回路は複数の電子部品を備え、この複数の電子部品の少なくとも一つは、請求項１ないし６の何れかに記載の電子部品である電子機器。

Images