JP2009088323A - バリア膜の形成装置およびバリア膜の形成方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】蒸着法で緻密かつバリア性に優れたTiNx膜を形成する。
【解決手段】本発明においては、アルゴン又はアルゴン及び窒素の混合ガスのプラズマ中で、負のバイアス電位が印加された基板W上に、蒸発源3にて蒸発させたチタンの蒸発粒子を蒸着させる。蒸発源3において形成されたチタンの蒸発粒子は、アルゴン又はアルゴン及び窒素の混合ガスのプラズマによってイオン化され、負のバイアス電位が印加された基板の表面に蒸着される。これは、イオンプレーティング法に準ずる成膜手法であり、通常の蒸着法に比べて、基板上に形成される膜密度の向上が図られる。このようにして形成されたTiNx膜は、Al膜とAu膜の間の反応を防止するバリア膜として十分なバリア性能を発揮するため、低コンタクト抵抗の電極膜に好適に適用することができる。
【選択図】図1
【解決手段】本発明においては、アルゴン又はアルゴン及び窒素の混合ガスのプラズマ中で、負のバイアス電位が印加された基板W上に、蒸発源3にて蒸発させたチタンの蒸発粒子を蒸着させる。蒸発源3において形成されたチタンの蒸発粒子は、アルゴン又はアルゴン及び窒素の混合ガスのプラズマによってイオン化され、負のバイアス電位が印加された基板の表面に蒸着される。これは、イオンプレーティング法に準ずる成膜手法であり、通常の蒸着法に比べて、基板上に形成される膜密度の向上が図られる。このようにして形成されたTiNx膜は、Al膜とAu膜の間の反応を防止するバリア膜として十分なバリア性能を発揮するため、低コンタクト抵抗の電極膜に好適に適用することができる。
【選択図】図1
Description
本発明は、チタン又は窒化チタンからなるバリア膜の形成装置およびその形成方法に関する。
半導体デバイスのアルミニウム製電極パッドに接続される配線層の構成材料として、金又は金合金が用いられる場合が多い。この場合、金とアルミニウムが互いに反応して脆い金アルミニウム合金からなる高抵抗相が形成される。その合金相の発生を防止するため、従来、アルミニウム電極と金配線層の間にこれらの反応を抑制するバリア膜を介在させている(特許文献1参照)。バリア膜を構成する材料には、例えば、チタン又は窒化チタン膜が用いられている。
図4は、半導体基板(チップ)41上に形成された電極の概略構成を示している。電極膜42は、下から、Al膜43、バリア膜44およびAu膜45の3層構造を有している。バリア膜44は、チタン(Ti)又は窒化チタン(TiN)で構成されている。半導体の電極形成には一般に、スパッタカソード(ターゲット)と基板(ステージ)との間における2極放電スパッタ法が用いられる(非特許文献1参照)。しかし、化合物半導体の分野では、デバイス製造工程におけるプラズマによるデバイスへのダメージの問題を回避するために、電極形成に蒸着法が用いられている。
半導体製造プロセスによっては、電極膜42を形成した後、素子部と電極膜とのコンタクト抵抗を改善するために、400℃程度の温度でアニールを行うことがある。しかしながら、真空蒸着で形成したバリア膜44は、膜の密度が不十分であるために、バリア膜44を介してのAl膜43とAu膜45の間に拡散が生じて、必要なバリア性が得られないことが問題となっている。
また、スパッタ法では一般的に蒸着法よりも緻密な膜が得られるため、スパッタ法でバリア膜を形成すれば目的とするバリア性能を得ることができる。しかし、電極膜を蒸着装置とスパッタ装置の2つの装置を用いて形成する必要性が生じるため、製造コストが上昇するという問題がある。
本発明は上述の問題に鑑みてなされ、蒸着法で緻密な膜を得ることができるバリア膜の形成装置およびバリア膜の形成方法を提供することを課題とする。
以上の課題を解決するに当たり、本発明のバリア膜の形成装置は、チタン又は窒化チタンからなるバリア膜を形成するためのバリア膜形成装置であって、真空槽と、前記真空槽の内部に設置されたチタンの蒸発源と、前記蒸発源と対向して設置された基板支持台と、前記真空槽の内部にアルゴン又はアルゴン及び窒素の混合ガスを導入するガス導入ラインと、前記基板支持台にバイアス電圧を印加するバイアス電源と、前記蒸発源と前記基板支持台との間に導入されたガスのプラズマを発生させるプラズマ発生源とを備えたことを特徴とする。
また、本発明のバリア膜の形成方法は、チタン又は窒化チタンからなるバリア膜の形成方法であって、アルゴン又はアルゴン及び窒素の混合ガスのプラズマ中で、負のバイアス電位が印加された基板上に、蒸発源にて蒸発させたチタンの蒸発粒子を蒸着させることを特徴とする。
蒸発源において形成されたチタンの蒸発粒子は、アルゴン又はアルゴン及び窒素の混合ガスのプラズマによってイオン化され、負のバイアス電位が印加された基板の表面に蒸着される。これは、イオンプレーティング法に準ずる成膜手法であり、通常の蒸着法(真空蒸着法、電子ビーム蒸着法)に比べて、基板上に形成される膜密度の向上が図られる。このようにして形成されたTiNx膜は、Al膜とAu膜の間の反応を防止するバリア膜として十分なバリア性能を発揮するため、低コンタクト抵抗の電極膜に好適に適用することができる。
導入ガスのプラズマを発生させるプラズマ発生源は、蒸発源と基板支持台の間に設置したコイルと、このコイルに接続された高周波電源で構成することができる。コイルは基板から遠ざけて設置されることで、基板のプラズマダメージが回避される。
基板に印加するバイアス電圧は、−0.1kV以上であることが好ましい。バイアス電圧が−0.1kV未満の場合、形成されるバリア膜に必要な膜密度が得られない。また、バイアス電圧の大きさの上限は、例えば−3.0kVとすることができる。
導入ガスにアルゴン及び窒素の混合ガスを用いることによって、基板上に窒化チタン膜(TiNx膜)が形成される。膜中の窒素濃度は、混合ガス中の窒素濃度に関係する。アルゴン分圧の下限は、RF放電が可能な圧力下限の1.0×10-2Paである。所望のバリア性能が得られる膜中の窒素濃度としては、5at%以上40at%以下である。また、基板を150℃以上300℃以下の温度に加熱した場合の膜中の窒素濃度は、0以上40at%以下の範囲で所望のバリア性能を得ることができる。なお、膜中の窒素濃度が0の場合の導入ガスは、アルゴンガス単体となる。
以上述べたように本発明によれば、蒸着法によって緻密かつバリア性に優れたTiNx膜を形成することができる。
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
図1は本発明の実施形態によるバリア膜の形成装置としての蒸着装置1の概略構成図である。蒸着装置1は、真空槽2と、真空槽2の内部に設置された蒸発源3と、蒸発源3と対向して設置された基板支持台4とを備えている。
真空槽2は排気バルブ5を介して真空ポンプ(図示略)に接続されており、当該真空ポンプによって真空槽2の内部が所定の真空度に排気および維持可能とされている。蒸発源3は、蒸発材料6を収容し当該チタンの蒸発粒子を形成する。本実施形態では、蒸発源3は電子ビーム蒸発源で構成されているが、これ以外にも、抵抗加熱源や誘導加熱源、アーク蒸着源等で構成されていてもよい。また、蒸発材料6は、チタン(Ti)、アルミニウム(Al)、金(Au)などの、半導体デバイスの電極膜を構成し得る各種金属材料が適用可能である。
基板支持台4は、複数枚の基板Wを支持しながら、基板Wの面内において回転可能に構成されている。具体的に、基板支持台4の中心部には回転軸7が設けられており、この回転軸7は回転導入機構8を介して、真空槽2の外部に設置された駆動源(図示略)に連結されている。そして、この基板支持台4の回転軸7には、真空槽2の外部に設置された直流バイアス電源14が接続されており、基板W及び基板支持台4に対して所定の負電圧が印加されるようになっている。
基板Wは、シリコン(Si)基板やガリウム砒素(GaAs)などの半導体基板あるいは化合物半導体基板が用いられるが、これ以外に、例えばガラス基板が適用可能である。
真空槽2には、アルゴン(Ar)導入ライン9Aおよび窒素(N2)導入ライン9Bからなるガス導入ライン9が接続されている。このガス導入ライン9からは、アルゴンガス単体又はアルゴンガス及び窒素ガスの混合ガスが真空槽2の内部に導入されるようになっている。
蒸発源3と基板支持台4の間には、プラズマ発生源としての高周波コイル(アンテナ)10が設置されている。高周波コイル10には、真空槽2の外部に設置された高周波電源11が接続されており、真空槽2の内部に導入されたガス(Ar又はAr及びN2の混合ガス)のプラズマを発生させる。高周波コイル10に印加する高周波電力は50W以上あればよく、真空槽2の大きさに応じて、例えば50W以上300W以下とされる。
高周波コイル10は、蒸発源3と基板支持台4の間の中間位置よりも蒸発源3側に設置されており、上記中間位置には、蒸発源3と基板支持台4の間の開閉するシャッタ12が設置されている。シャッタ12は、図示するように蒸発源3と基板支持台4の間を遮蔽する位置と、成膜時に蒸発源3と基板支持台4の間を開放する退避位置(図示略)の間を移動自在に構成されている。
真空槽2の内部には、更に、基板支持台4に支持されている基板Wを所定温度に加熱する加熱源13が設置されている。本実施形態において加熱源13は、赤外線ランプで構成されている。基板Wは、成膜時、加熱源13によって例えば150℃以上300℃以下の温度に加熱可能とされている。
以上のように構成される本実施形態の蒸着装置11においては、蒸発材料6にアルミニウム、チタンおよび金を用いた電子ビーム蒸着を順に行うことによって、基板W上に図4に示した電極膜42を構成する積層膜が形成される。
図4において、Al膜43およびAu膜45の形成に際しては、真空槽2の内部を所定の真空度(例えば5.0×10-4Pa以下)に排気した後、蒸発材料6(アルミニウム、金)を蒸発させて基板Wへ蒸着させる通常の電子ビーム蒸着法が適用される。このときの成膜温度(基板温度)は室温であり、成膜時、基板Wは基板支持台4の上で回転軸7の周りに回転される。また、基板支持台4にバイアス電源14からの電圧供給はなく、Al膜43およびAu膜45は無バイアス状態で成膜される。
次に、バリア膜44の形成方法について説明する。
バリア膜44の形成に際しては、ガス導入ライン9よりアルゴン、又はアルゴン及び窒素の混合ガスが真空槽2の内部に導入される。導入ガスの種類は、形成するバリア膜の種類によって使い分けられ、バリア膜44がTi膜の場合、導入ガスはアルゴンガス単体とされ、バリア膜44がTiN膜の場合、導入ガスはアルゴン及び窒素の混合ガスとされる。
高周波コイル10は、高周波電源11から所定の高周波電力が印加されることによって、蒸発源3の上方において導入されたガスのプラズマを発生させる。これにより、蒸発源3にて蒸発したチタン粒子は、プラズマ中でイオン化される。なお、導入ガスに上記混合ガスが用いられる場合、チタン粒子は窒素と反応し、TiNx粒子を生成する。
一方、基板支持台4には、直流バイアス電源14によって所定のマイナス電圧が印加される。これにより、プラズマ中で生成されたTiイオンは、回転運動する基板支持台4側へ加速され、この基板支持台4に支持されている基板Wの表面に付着する。成膜時、基板Wは加熱源13によって所定温度に加熱される。
以上のように、イオンプレーティング法に準ずる成膜手法によって、基板Wの表面にTi又はTiNxからなる蒸着膜(バリア膜44)が形成される。本実施形態では、アルゴン又はアルゴン及び窒素の混合ガスのプラズマ中で、負のバイアス電位が印加された基板上に、蒸発源にて蒸発させたチタンの蒸発粒子を蒸着させるようにしている。これにより、基板上に形成されるTi膜又はTiNx膜の膜密度を高めることができる。Al膜43及びAu膜45間の拡散防止を十分に図ることができるバリア性を備えたバリア膜44を得ることができる。
所望のバリア性能が得られる膜中の窒素濃度としては、5at%以上40at%以下である。また、加熱源13を用いて基板Wを150℃以上300℃以下の温度に加熱した場合には、膜中の窒素濃度が0以上40at%以下の範囲で所望のバリア性能を得ることができる。膜中の窒素濃度が0の場合の導入ガスは、アルゴンガス単体となる。アルゴン分圧の下限は、RF放電が可能な圧力下限の1.0×10-2Paである。
基板Wに印加するバイアス電圧は、−0.1kV以上であることが好ましい。バイアス電圧が−0.1kV未満の場合、形成されるバリア膜に必要な膜密度が得られにくいからである。また、バイアス電圧の大きさの上限は、例えば、−3.0kVとすることができる。
本発明者は、Al/TiNx/Auの積層膜からなる電極膜を作製し、そのバリア性評価を行った。TiNx膜は、RF放電によりプラズマを発生させないで成膜したものと、RF放電によりプラズマを発生させて成膜したものをそれぞれ作製した。
図2は、プラズマを発生させないでTiNx膜を成膜した装置の概略構成図である。図2において図1と対応する部分については同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。図2に示した蒸着装置21は、導入ガスのプラズマを発生させる高周波コイル10を有していない点で、図1の蒸着装置1と異なっている。
また、本実験で作製したAl/TiNx/Au積層膜の成膜条件を表1に示す。
[RF放電無しで成膜した場合]
RF放電によりプラズマを発生させないでTiNxの成膜を行う条件では、成膜時の基板加熱温度が室温および300℃、基板バイアスが0Vおよび−3.0kVのとき、TiNx膜中の窒素濃度がそれぞれ0,5,10,25,40,50at%であるサンプルのバリア性評価を行った。
RF放電によりプラズマを発生させないでTiNxの成膜を行う条件では、成膜時の基板加熱温度が室温および300℃、基板バイアスが0Vおよび−3.0kVのとき、TiNx膜中の窒素濃度がそれぞれ0,5,10,25,40,50at%であるサンプルのバリア性評価を行った。
バリア性の評価は、Al/TiNx/Auの成膜試料を真空中で430℃、20分加熱保持して拡散処理を行い、光学顕微鏡で膜表面(観察範囲0.5mm角)を100倍の倍率でAl/Au拡散痕の有無(個数)を調べた。図3A,Bに、バリア性の良好な膜の例(図3A)とバリア性が悪い膜の例(図3B)の一例をそれぞれ示す。図3Bにおいて、黒い斑点が、Al/Au拡散痕であり、Al膜とAu膜が反応し、脆く高抵抗の合金相が形成されている様子を表している。
表2にバリア性評価の結果を示す。表2において「×」は、拡散痕が認められことを示している。かっこ内の数字は確認された拡散痕の個数である。表2から明らかなように、RF放電によってプラズマを発生させない場合は、基板の温度、基板バイアスの大きさ、TiNx膜中の窒素濃度のすべての条件で多数の拡散痕が認められた。これは、電極膜として良好なバリア性が得られなかったことを示す。
[RF放電有りで成膜した場合]
高周波コイル10でRFプラズマを発生させてTiNxの成膜を行う条件では、成膜時の基板加熱温度が室温および300℃、基板バイアスが0V、−0.1kVおよび−3.0kVのとき、TiNx膜中の窒素濃度がそれぞれ0,5,10,25,40,50at%であるサンプルのバリア性評価を行った。バリア性の評価は、Al/TiNx/Auの成膜試料を真空中で430℃、20分加熱保持して拡散処理を行い、光学顕微鏡で膜表面(観察範囲0.5mm角)を100倍の倍率でAl/Au拡散痕の有無(個数)を調べた。
高周波コイル10でRFプラズマを発生させてTiNxの成膜を行う条件では、成膜時の基板加熱温度が室温および300℃、基板バイアスが0V、−0.1kVおよび−3.0kVのとき、TiNx膜中の窒素濃度がそれぞれ0,5,10,25,40,50at%であるサンプルのバリア性評価を行った。バリア性の評価は、Al/TiNx/Auの成膜試料を真空中で430℃、20分加熱保持して拡散処理を行い、光学顕微鏡で膜表面(観察範囲0.5mm角)を100倍の倍率でAl/Au拡散痕の有無(個数)を調べた。
表3にバリア性評価の結果を示す。表3において「◎」は、拡散痕が認められなかったことを示し、「×」は、拡散痕が認められたことを示している。なお、かっこ内の数字は確認された拡散痕の個数である。
表3に示すように、基板にバイアス電圧を印加しない場合は、基板加熱の有無にかかわらず、良好なバリア性は得られなかった。また、TiNx膜中の窒素濃度を50at%にした場合もすべての条件で良好なバリア性が得られなかった。一方、基板にバイアス電圧を印加した場合は、基板温度が室温では膜中の窒素濃度が5at%〜40at%の範囲内で良好な結果が得られた。基板温度300℃では、膜中の窒素濃度が0〜40at%の範囲内で良好な結果が得られた。
以上述べたように本実施形態によれば、成膜時にRF放電によりプラズマを発生させ、かつ基板バイアスを印加した状態でTiNxを成膜することにより、RF放電を発生させない場合に比べて、バリア性の良好なTiNx膜を得ることができる。
また、基板を加熱しながら成膜を行うことにより、TiNx膜中の窒素濃度が0〜40at%の範囲内で良好なバリア性を得ることができる。基板の加熱温度は300℃に限られず、150℃、250℃の温度でも同様な効果が認められることが確認されている。
更に本実施形態によれば、プラズマ発生源としての高周波コイル10が、基板Wから離間した位置に設置されているので、高周波コイル10によって発生されるプラズマによる基板のダメージを回避できる。これにより、化合物半導体等の電極形成に本発明を効果的に適用することができる。
以上、本発明の実施形態について説明したが、勿論、本発明はこれに限定されることはなく、本発明の技術的思想に基づいて種々の変形が可能である。
例えば以上の実施形態では、プラズマ発生源として高周波コイル10を用いたが、これ以外のプラズマ発生源、例えば有磁場プラズマ発生源やマイクロ波プラズマ発生源などを用いてもよい。
また、以上の実施形態では、基板Wの加熱源13に赤外線ランプを用いたが、これに代えて、基板支持台4に内蔵したヒーターを上記加熱源として構成してもよい。
1 蒸着装置
2 真空槽
3 蒸発源
4 基板支持台
6 蒸発源
9 ガス導入ライン
10 高周波コイル
13 加熱源
14 バイアス電源
42 電極膜
43 Al膜
44 TiNx膜(バリア膜)
45 Au膜
2 真空槽
3 蒸発源
4 基板支持台
6 蒸発源
9 ガス導入ライン
10 高周波コイル
13 加熱源
14 バイアス電源
42 電極膜
43 Al膜
44 TiNx膜(バリア膜)
45 Au膜
Claims (7)
- チタン又は窒化チタンからなるバリア膜の形成装置であって、
真空槽と、
前記真空槽の内部に設置されたチタンの蒸発源と、
前記蒸発源と対向して設置された基板支持台と、
前記真空槽の内部にアルゴン又はアルゴン及び窒素の混合ガスを導入するガス導入ラインと、
前記基板支持台にバイアス電圧を印加するバイアス電源と、
前記蒸発源と前記基板支持台との間に導入されたガスのプラズマを発生させるプラズマ発生源とを備えた
ことを特徴とするバリア膜の形成装置。 - 前記プラズマ発生源は、前記蒸発源と前記基板支持台の間に設置されたコイルと、このコイルに接続された高周波電源である
ことを特徴とする請求項1に記載のバリア膜の形成装置。 - 前記基板支持台に支持されている基板を加熱する加熱源を備えた
ことを特徴とする請求項2に記載のバリア膜の形成装置。 - チタン又は窒化チタンからなるバリア膜の形成方法であって、
アルゴン又はアルゴン及び窒素の混合ガスのプラズマ中で、負のバイアス電位が印加された基板上に、蒸発源にて蒸発させたチタンの蒸発粒子を蒸着させる
ことを特徴とするバリア膜の形成方法。 - 前記基板に印加するバイアス電位を−0.1kV以上とする
ことを特徴とする請求項4に記載のバリア膜の形成方法。 - 成膜時、前記基板を150℃以上、300℃以下の温度に加熱する
ことを特徴とする請求項5に記載のバリア膜の形成方法。 - 前記バリア膜中の窒素の組成比が0以上40at%以下である
ことを特徴とする請求項4に記載のバリア膜の形成方法。
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101432514B1 (ko) | 2013-01-29 | 2014-08-21 | 한국기초과학지원연구원 | 플라즈마 보조 물리 기상 증착원 |
JP5664655B2 (ja) * | 2010-09-17 | 2015-02-04 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
WO2015182977A1 (ko) * | 2014-05-27 | 2015-12-03 | 한국기초과학지원연구원 | 플라즈마 보조 물리 기상 증착원 및 이를 이용한 증착 장치 |
JP2020107427A (ja) * | 2018-12-26 | 2020-07-09 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | オペランド測定用二次電池電極 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04223333A (ja) * | 1990-12-25 | 1992-08-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜トランジスタの製造方法 |
JPH05304229A (ja) * | 1992-02-21 | 1993-11-16 | Furukawa Electric Co Ltd:The | Icソケットの端子 |
JPH08288273A (ja) * | 1995-04-19 | 1996-11-01 | Nippon Steel Corp | TiNバリア膜の製造方法およびその装置 |
-
2007
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04223333A (ja) * | 1990-12-25 | 1992-08-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜トランジスタの製造方法 |
JPH05304229A (ja) * | 1992-02-21 | 1993-11-16 | Furukawa Electric Co Ltd:The | Icソケットの端子 |
JPH08288273A (ja) * | 1995-04-19 | 1996-11-01 | Nippon Steel Corp | TiNバリア膜の製造方法およびその装置 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5664655B2 (ja) * | 2010-09-17 | 2015-02-04 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
KR101432514B1 (ko) | 2013-01-29 | 2014-08-21 | 한국기초과학지원연구원 | 플라즈마 보조 물리 기상 증착원 |
WO2015182977A1 (ko) * | 2014-05-27 | 2015-12-03 | 한국기초과학지원연구원 | 플라즈마 보조 물리 기상 증착원 및 이를 이용한 증착 장치 |
JP2020107427A (ja) * | 2018-12-26 | 2020-07-09 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | オペランド測定用二次電池電極 |
JP7264342B2 (ja) | 2018-12-26 | 2023-04-25 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | オペランド測定用二次電池電極 |
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