WO2017212787A1 - 弾性波装置 - Google Patents

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Definitions

  • the side surface portion of the second metal layer is located on an outer side in a plan view than the second end portion, and the second metal layer
  • the surface of the metal layer on the first metal layer side includes a non-contact portion that is not in contact with the first metal layer.
  • a dielectric film covering the IDT electrode is provided on one main surface of the piezoelectric body.
  • a piezoelectric body and an IDT electrode provided on the piezoelectric body are provided, and the IDT electrode is located on the piezoelectric body side.
  • the metal layer has a projecting portion projecting outward from the outer edge of the first metal layer, and the projecting portion extends in a direction parallel to a direction in which the main surface of the piezoelectric body extends or in a direction away from the piezoelectric body.
  • the first step portion 8B1 is in contact with the side surfaces of the first metal layers 4A to 4D from the end on the piezoelectric substrate 2 side to the end connected to the connecting portion 8B3.
  • the first and second step portions 8B1 and 8B2 are inclined in the same manner as the side portions of the resist pattern 8A shown in FIG.
  • the inclination direction of the first and second stepped portions 8B1 and 8B2 is not limited to the above. Or the 1st, 2nd level
  • the third metal layer 6 is laminated on the second metal layer 5 by a vacuum deposition method or the like.
  • the metal that is the material of the second and third metal layers 5 and 6 is also deposited on the upper surface portion 8 B 4 of the resist pattern 8 B.
  • the IDT electrode only needs to have at least one first metal layer, and the materials of the first, second, and third metal layers 4A to 4D, 5, and 6 are not limited to the above.
  • the IDT electrode may not have the first metal layers 4C and 4D.
  • the third metal layer 6 made of Pt may be provided via the second metal layer 5 on the first metal layer 4B made of Pt. Even in this case, migration in the IDT electrode can be suppressed. Thereby, it is possible to suppress the generation of voids in the first metal layer 4B. Thus, even when the 1st metal layer 4B and the 3rd metal layer 6 contain the same metal, deterioration of the electrical property of an IDT electrode can be suppressed.
  • the first metal layer 4B may be made of Al, and the third metal layer 6 may be made of Al.
  • the first metal layer 4A may be made of Al, the first metal layer 4B may be made of Mo, and the third metal layer 6 may be made of Mo.
  • the first metal layer 4A may be made of Ti, the first metal layer 4B may be made of Cu, and the third metal layer 6 may be made of Cu. Also in these cases, migration in the IDT electrode can be suppressed as described above.

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Abstract

ＩＤＴ電極におけるマイグレーションを抑制することができる、弾性波装置を提供する。　弾性波装置１は、圧電基板２（圧電体）と、直接的または間接的に、圧電基板２上に設けられているＩＤＴ電極３とを備える。ＩＤＴ電極３は、第１の金属層４Ａ～４Ｄと、第１の金属層４Ｄ上に設けられている第２の金属層５と、第２の金属層５上に設けられている第３の金属層６とを有する。第１，第２，第３の金属層４Ｄ，５，６は、側面部４Ｄａ，５ａ，６ａを有する。側面部４Ｄａは、第２の金属層５側の端部である第１の端部４Ｄｂを含む。側面部６ａは、第２の金属層５側の端部である第２の端部６ｃを含む。ＩＤＴ電極３の少なくとも一部において、第１の端部４Ｄｂと第２の端部６ｃとを結ぶ距離よりも、第１の端部４Ｄｂから第２の金属層５の側面部５ａを経て第２の端部６ｃに至る沿面距離が長い。

Description

弾性波装置
　本発明は、弾性波装置に関する。
　従来、弾性波装置が携帯電話機のフィルタなどに広く用いられている。例えば、下記の特許文献１には、積層金属膜からなるＩＤＴ電極を有する弾性波装置が開示されている。ＩＤＴ電極は、圧電基板側から、ＮｉＣｒ層、Ｐｔ層、Ｔｉ層及びＡｌＣｕ層がこの順番で設けられた積層金属膜である。
特許第５１３１１１７号公報
　特許文献１においては、ＩＤＴ電極におけるＰｔ層とＡｌＣｕ層との間に、バリア層となるＴｉ層が設けられている。しかしながら、ＡｌＣｕ層におけるＡｌ原子が、表面拡散によりＴｉ層の側面を移動し、Ｐｔ層に至ることがあった。このようなマイグレーションにより、Ｐｔ層において、ＡｌとＰｔとの合金が形成されることがあった。そのため、弾性波装置の特性が劣化する傾向があった。
　本発明の目的は、ＩＤＴ電極におけるマイグレーションを抑制することができる、弾性波装置を提供することにある。
　本発明に係る弾性波装置のある広い局面では、圧電体と、直接的または間接的に、前記圧電体上に設けられているＩＤＴ電極とが備えられており、前記ＩＤＴ電極が、第１の金属層と、前記第１の金属層上に設けられている、第２の金属層と、前記第２の金属層上に設けられている第３の金属層とを有し、前記第１の金属層が、前記圧電体側の面と、前記第２の金属層側の面とを結ぶ側面部を有し、前記第１の金属層における前記側面部が、前記第２の金属層側の端部である第１の端部を含み、前記第２の金属層が、前記第１の金属層側の面と前記第３の金属層側の面とを結ぶ側面部を有し、前記第３の金属層が、前記第２の金属層側の面と前記第２の金属層側とは反対側の面とを結ぶ側面部を有し、前記第３の金属層における前記側面部が、前記第２の金属層側の端部である第２の端部を含み、前記ＩＤＴ電極の少なくとも一部において、前記第１の端部と前記第２の端部とを結ぶ距離よりも、前記第１の端部から第２の金属層の前記側面部を経て前記第２の端部に至る沿面距離が長い。
　本発明に係る弾性波装置のある特定の局面では、前記第３の金属層の、平面視における外周の全領域にわたり、前記第１の端部と前記第２の端部とを結ぶ距離よりも、前記第１の端部から前記第２の金属層の前記側面部を経て前記第２の端部に至る沿面距離が長い。
　本発明に係る弾性波装置の他の特定の局面では、前記第２の金属層の前記側面部が、前記第２の端部よりも、平面視において外側に位置しており、前記第２の金属層の前記第１の金属層側の面が、前記第１の金属層に接触していない非接触部を含む。
　本発明に係る弾性波装置のさらに他の特定の局面では、前記非接触部が延びる方向が、前記圧電体の主面が延びる方向と交叉している。
　本発明に係る弾性波装置の別の特定の局面では、前記非接触部が、前記第２の金属層の前記側面部に近づくほど、前記圧電体から遠ざかるように延びている。
　本発明に係る弾性波装置のさらに別の特定の局面では、前記第２の金属層が、前記第１の金属層上に設けられている第１のバリア層と、前記第１のバリア層上に設けられている第２のバリア層とを有する。
　本発明に係る弾性波装置のさらに別の特定の局面では、前記第２のバリア層が、前記第１のバリア層側の面と前記第３の金属層側の面とを結ぶ側面部を有し、前記第２のバリア層における前記側面部の前記第１のバリア層側の端部の少なくとも一部が、前記第２のバリア層が前記第１のバリア層に接触している部分よりも前記第３の金属層側に位置している。
　本発明に係る弾性波装置のさらに別の特定の局面では、前記第１のバリア層と前記第２のバリア層との間に、金属酸化物層が設けられている。
　本発明に係る弾性波装置のさらに別の特定の局面では、前記ＩＤＴ電極が、対向し合っている、第１及び第２のバスバーと、前記第１のバスバーに一端が接続されている、複数本の第１の電極指と、前記複数本の第１の電極指と間挿し合っており、かつ前記第２のバスバーに一端が接続されている、複数本の第２の電極指とを有し、前記ＩＤＴ電極において、前記第１及び第２の電極指が、弾性波伝搬方向から視たときに重なり合っている領域を交叉領域とし、前記交叉領域が、弾性波の音速が相対的に高い中央領域と、前記中央領域よりも音速が低くされており、前記中央領域の電極指の延びる方向における両端部に設けられた低音速部とを有し、前記低音速部に前記第３の金属層が設けられている。
　本発明に係る弾性波装置のさらに別の特定の局面では、前記圧電体の一方主面上に、前記ＩＤＴ電極を覆っている誘電体膜が設けられている。
　本発明に係る弾性波装置の他の広い局面では、圧電体と、前記圧電体上に設けられているＩＤＴ電極とが備えられており、前記ＩＤＴ電極が、前記圧電体側に位置する第１の金属層と、前記第１の金属層上に設けられている、第２の金属層と、前記第２の金属層上に設けられている第３の金属層とを有し、前記第２の金属層が、前記第１の金属層の外縁から外側に張り出している張り出し部を有し、前記張り出し部が前記圧電体の主面が延びる方向に平行、または前記圧電体から遠ざかる方向に延びている。
　本発明に係る弾性波装置のさらに別の特定の局面では、前記第２の金属層が、前記第１の金属層上に設けられている第１のバリア層と、前記第１のバリア層上に設けられている第２のバリア層と、を有する。
　本発明に係る弾性波装置のさらに別の特定の局面では、前記第２のバリア層が、前記第１のバリア層側の面と前記第３の金属層側の面とを結ぶ側面部を有し、前記第２のバリア層における前記側面部の前記第１のバリア層側の端部の少なくとも一部が、前記第２のバリア層が前記第１のバリア層に接触している部分よりも前記第３の金属層側に位置している。
　本発明に係る弾性波装置のさらに別の特定の局面では、前記第１のバリア層と前記第２のバリア層との間に、金属酸化物層が設けられている。
　本発明に係る弾性波装置のさらに別の特定の局面では、前記ＩＤＴ電極が、対向し合っている、第１及び第２のバスバーと、前記第１のバスバーに一端が接続されている、複数本の第１の電極指と、前記複数本の第１の電極指と間挿し合っており、かつ前記第２のバスバーに一端が接続されている、複数本の第２の電極指とを有し、前記ＩＤＴ電極において、前記第１及び第２の電極指が、弾性波伝搬方向から視たときに重なり合っている領域を交叉領域とし、前記交叉領域が、弾性波の音速が相対的に高い中央領域と、前記中央領域よりも音速が低くされており、前記中央領域の電極指の延びる方向における両端部に設けられた低音速部とを有し、前記低音速部に前記第３の金属層が設けられている。
　本発明によれば、ＩＤＴ電極におけるマイグレーションを抑制することができる、弾性波装置を提供することができる。
図１は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の平面図である。 図２は、本発明の第１の実施形態におけるＩＤＴ電極の第１の電極指の、第２の低音速部における横断面図である。 図３は、図２の拡大図である。 図４は、比較例のＩＤＴ電極の電極指の横断面図である。 図５は、本発明の第１の実施形態の変形例におけるＩＤＴ電極の第１の電極指の横断面図である。 図６（ａ）～図６（ｃ）は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の製造方法を説明するための正面断面図である。 図７（ａ）～図７（ｄ）は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の製造方法を説明するための正面断面図である。 図８は、本発明の第２の実施形態に係る弾性波装置におけるＩＤＴ電極の第１の電極指の横断面図である。 図９は、本発明の第２の実施形態の変形例に係る弾性波装置におけるＩＤＴ電極の第１の電極指の横断面図である。 図１０は、本発明の第３の実施形態に係る弾性波装置におけるＩＤＴ電極の第１の電極指の横断面図である。 図１１は、本発明の第４の実施形態に係る弾性波装置におけるＩＤＴ電極の第１の電極指の横断面図である。 図１２は、本発明の第４の実施形態の変形例に係る弾性波装置におけるＩＤＴ電極の第１の電極指の横断面図である。 図１３（ａ）及び図１３（ｂ）は、本発明の第４の実施形態に係る弾性波装置の製造方法を説明するための正面断面図である。
　以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
　なお、本明細書に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることを指摘しておく。
　図１は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の平面図である。なお、図１においては、後述する誘電体層を省略している。
　弾性波装置１は、圧電体としての圧電基板２を有する。圧電基板２はＬｉＮｂＯ３からなる。なお、圧電基板２は、ＬｉＴａＯ３などのＬｉＮｂＯ３以外の圧電単結晶からなっていてもよく、あるいは、ＡｌＮ、ＺｎＯ、ＰＺＴやニオブ酸カリウムナトリウムなどの適宜の圧電材料からなっていてもよい。弾性波装置１の圧電体は、圧電薄膜であってもよい。
　圧電基板２は一方主面としての主面２ａを有する。主面２ａ上には、ＩＤＴ電極３が設けられている。本実施形態では、ＩＤＴ電極３は、直接的に圧電基板２上に設けられている。ＩＤＴ電極３は、第１，第２のバスバー３ａ１，３ｂ１及び複数の第１，第２の電極指３ａ２，３ｂ２を有する。第１，第２のバスバー３ａ１，３ｂ１は対向し合っている。第１のバスバー３ａ１に複数の第１の電極指３ａ２の一端が接続されている。第２のバスバー３ｂ１に複数の第２の電極指３ｂ２の一端が接続されている。複数の第１の電極指３ａ２と複数の第２の電極指３ｂ２とは間挿し合っている。
　第１の電極指３ａ２と第２の電極指３ｂ２とが弾性波伝搬方向から視たときに重なり合っている領域を交叉領域Ａとする。このとき、交叉領域Ａは、弾性波の音速が相対的に高い中央領域Ａ１を有する。交叉領域Ａは、中央領域Ａ１よりも音速が低くされており、中央領域Ａ１の第１，第２の電極指３ａ２，３ｂ２の延びる方向における両端部に設けられた第１，第２の低音速部Ａ２ａ，Ａ２ｂを有する。ＩＤＴ電極３は、中央領域Ａ１よりも音速が高くされており、交叉領域Ａの両側に位置する、第１，第２の高音速部Ｂａ，Ｂｂを有する。より具体的には、第１の高音速部Ｂａは、複数の第２の電極指３ｂ２の先端部と第１のバスバー３ａ１との間のギャップ領域である。第２の高音速部Ｂｂは、複数の第１の電極指３ａ２の先端部と第２のバスバー３ｂ１との間のギャップ領域である。
　ここで、中央領域Ａ１における音速をＶ１、第１，第２の低音速部Ａ２ａ，Ａ２ｂにおける音速をＶ２、第１，第２の高音速部Ｂａ，Ｂｂにおける音速をＶ３とする。図１においては、音速を表す実線が右側に位置するほど音速が速いことを示す。図１に示すように、Ｖ３＞Ｖ１＞Ｖ２の関係が成り立っていることがわかる。
　図２は、第１の実施形態におけるＩＤＴ電極の第１の電極指の、第２の低音速部における横断面図である。図３は、図２の拡大図である。なお、図３では、後述する誘電体膜を省略している。
　ＩＤＴ電極は、圧電基板２上に設けられている複数の第１の金属層４Ａ～４Ｄを有する。より具体的には、圧電基板２の主面２ａ上に第１の金属層４Ａが設けられており、第１の金属層４Ａ上に第１の金属層４Ｂが設けられている。さらに、第１の金属層４Ｂ上に第１の金属層４Ｃが設けられており、第１の金属層４Ｃ上に第１の金属層４Ｄが設けられている。本実施形態では、第１の金属層４ＡはＮｉＣｒからなる。第１の金属層４ＢはＰｔからなる。第１の金属層４ＣはＴｉからなる。第１の金属層４ＤはＡｌＣｕからなる。なお、第１の金属層４Ａ～４Ｄの材料は上記に限定されない。ＩＤＴ電極は、少なくとも１層の第１の金属層を有していればよい。
　ＩＤＴ電極は、第１の金属層４Ｄの圧電基板２側とは反対側に設けられている第２の金属層５と、第２の金属層５上に設けられている第３の金属層６とを有する。第２の金属層５は、第１の金属層４Ｄに第３の金属層６の金属が拡散することを抑制するバリア層である。本実施形態では、第２の金属層５はＴｉからなる。第３の金属層６はＰｔからなる。なお、第２，第３の金属層５，６の材料は上記に限定されない。
　圧電基板２の主面２ａ上には、誘電体膜７が設けられている。誘電体膜７は、ＩＤＴ電極を覆っている。誘電体膜７は、特に限定されないが、ＳｉＯ２からなる。なお、誘電体膜７は設けられていなくともよい。
　第１の金属層４Ｄは、圧電基板２側の面と、第２の金属層５側の面とを結ぶ側面部４Ｄａを有する。同様に、第１の金属層４Ａ～４Ｃも、それぞれ側面部を有する。第２の金属層５は、第１の金属層４Ｄ側の面と、第３の金属層６側の面とを結ぶ側面部５ａを有する。第３の金属層６は、第２の金属層５側の面と、第２の金属層５側とは反対側の面とを結ぶ側面部６ａを有する。第１の金属層４Ａ～４Ｃの側面部、第１の金属層４Ｄの側面部４Ｄａ及び第２，第３の金属層５，６の側面部５ａ，６ａは、圧電基板２の主面２ａの法線方向に対して傾斜している。なお、上記各側面部は、圧電基板２の主面２ａの法線方向に対して傾斜していなくともよい。
　第１の金属層４Ｄの側面部４Ｄａは、第２の金属層５側の端部である第１の端部４Ｄｂを含む。第３の金属層６の側面部６ａは、第２の金属層５側の端部である第２の端部６ｃを含む。
　第２の金属層５の側面部５ａは、第１の端部４Ｄｂよりも、平面視において外側に位置している。第２の金属層５の第１の金属層４Ｄ側の面は、第１の金属層４Ｄに接触していない非接触部５ｄを含む。本実施形態では、非接触部５ｄが延びる方向は、圧電基板２の主面２ａが延びる方向に平行である。言い換えれば、第２の金属層５は、第１の金属層４Ｄの外側に張り出しており、かつ主面２ａが延びる方向に平行に延びる、張り出し部５ｅを有する。
　ここで、図３に示すように、第１の端部４Ｄｂと第２の端部６ｃとを結ぶ距離をＬ１とする。第１の端部４Ｄｂから、図２に示した非接触部５ｄ及び第２の金属層５の側面部５ａを経て第２の端部６ｃに至る沿面距離をＬ２とする。第１の電極指３ａ２は、距離Ｌ１よりも距離Ｌ２が長い部分を有する。第１，第２，第３の金属層４Ａ～４Ｄ，５，６は、図２及び図３に示す第１の電極指３ａ２以外の複数の第１，第２の電極指においても同様に構成されている。
　より具体的には、本実施形態では、第２，第３の金属層５，６は、図１に示す第１，第２の低音速部Ａ２ａ，Ａ２ｂに設けられており、中央領域Ａ１には設けられていない。それによって、中央領域Ａ１における音速よりも第１，第２の低音速部Ａ２ａ，Ａ２ｂの音速が遅い。
　他方、第１の高音速部Ｂａには、複数の第１の電極指３ａ２が設けられており、第２の電極指３ｂ２は設けられていない。第２の高音速部Ｂｂには、複数の第２の電極指３ｂ２が設けられており、第１の電極指３ａ２は設けられていない。図２に示した第２，第３の金属層５，６は、第１，第２の高音速部Ｂａ，Ｂｂには設けられていない。よって、第１，第２の高音速部Ｂａ，Ｂｂにおける音速は、中央領域Ａ１及び第１，第２の低音速部Ａ２ａ，Ａ２ｂの音速よりも速い。中央領域Ａ１の外側に第１，第２の低音速部Ａ２ａ，Ａ２ｂが設けられており、第１，第２の低音速部Ａ２ａ，Ａ２ｂの外側に第１，第２の高音速部Ｂａ，Ｂｂが設けられている。それによって、弾性波のエネルギーを効果的に閉じ込めることができる。
　本実施形態では、第３の金属層６の、平面視における外周の全領域にわたり、図３に示したように、距離Ｌ１よりも距離Ｌ２が長い。
　なお、第２，第３の金属層５，６が設けられている位置は、上記に限定されない。第２，第３の金属層５，６は、ＩＤＴ電極３の少なくとも一部に設けられていればよく、例えば、第１，第２の低音速部Ａ２ａ，Ａ２ｂ以外の部分に設けられていてもよい。
　また、弾性波装置１では、張り出し部５ｅは、第１の金属層４Ｄの第２の金属層５に接している面の外周縁よりも外側に張り出している。この場合、張り出し部５ｅは、上記第１の金属層４Ｄの第２の金属層５と接している面の外周縁の全体において、外周縁よりも外側に張り出している。従って、張り出し部５ｅは、第３の金属層６側から平面視した場合、枠状の形状を有することとなる。このように、張り出し部５ｅが、第１の金属層４Ｄの外周縁から外側に達しており、圧電基板２の主面から延びる方向に平行、または圧電基板２から遠ざかる方向に延びている構造を有していてもよい。その場合にも、第３の金属層６から、第１の金属層４Ｄのマイグレーションを抑制することができる。
　本実施形態の特徴は、ＩＤＴ電極３の少なくとも一部において、距離Ｌ１よりも距離Ｌ２が長いことにある。それによって、ＩＤＴ電極３において、図２に示した第３の金属層６から、金属原子が第１の金属層４Ｄに至るマイグレーションを抑制することができる。これを、本実施形態と比較例とを比較することにより説明する。
　図４は、比較例のＩＤＴ電極の電極指の横断面図である。
　比較例においては、第２の金属層１０５の第１の金属層４Ｄ側の面が、上記非接触部を有しない。第１の金属層４Ｄの第１の端部４Ｄｂと、第３の金属層１０６の第２の端部１０６ｃとを結ぶ距離Ｌ１０１と、第１の端部４Ｄｂから、第２の金属層１０５の側面部を経て第２の端部１０６ｃに至る沿面距離Ｌ１０２とは同じである。上記以外の点においては、比較例の弾性波装置は第１の実施形態の弾性波装置１と同様に構成されている。
　比較例においては、距離Ｌ１０１と距離Ｌ１０２とが同じであるため、第１の金属層４ＤのＡｌ原子は、表面拡散により第２の金属層１０５の側面部を移動して、第３の金属層１０６に容易に至り得る。この場合には、ＡｌとＰｔとの合金が形成され、ＩＤＴ電極の電気抵抗が高くなるなど、電気的特性が劣化する傾向がある。
　これに対して、第１の実施形態では、図３に示すように、距離Ｌ２は距離Ｌ１よりも長い。そのため、Ａｌ原子が第１の金属層４Ｄから第３の金属層６に至るまでの移動距離、あるいはＰｔ原子が第３の金属層６から第１の金属層４Ｄに至るまでの移動距離が長くなる。よって、マイグレーションを抑制することができる。
　ところで、図５に示す第１の実施形態の変形例のように、圧電基板２の主面２ａとは反対側の主面２ｂ上には、低音速膜４４が設けられていてもよい。低音速膜４４の圧電基板２側とは反対側には、高音速部材４５が設けられていてもよい。ここで、低音速膜４４は、伝搬するバルク波の音速が、圧電基板２を伝搬する弾性波の音速よりも遅い膜である。高音速部材４５は、伝搬するバルク波の音速が、圧電基板２を伝搬する弾性波の音速よりも速い部材である。高音速部材４５は、高音速膜であってもよく、あるいは、高音速基板であってもよい。低音速膜４４及び高音速部材４５を有することにより、弾性波のエネルギーを効果的に閉じ込めることができる。
　あるいは、圧電基板２の主面２ｂ上には、音響多層膜が設けられていてもよい。音響多層膜とは、相対的に音響インピーダンスが低い低音響インピーダンス層と、相対的に音響インピーダンスが高い高音響インピーダンス層とが、交互に積層された膜である。この場合においても、弾性波のエネルギーを効果的に閉じ込めることができる。
　他方、圧電基板２は、凹部を有する支持基板などの上に設けられていてもよい。この場合には、上記凹部及び圧電基板２により囲まれた空隙部が形成されていてもよい。平面視において、上記空隙部に重なる位置にＩＤＴ電極３が設けられていてもよい。
　圧電基板２とＩＤＴ電極３との間に、ＳｉＯ２などからなる誘電体層が設けられていてもよい。この場合には、例えば、ラブ波を用いることができる。このように、ＩＤＴ電極３は、間接的に圧電基板２上に設けられていてもよい。
　以下において、第１の実施形態に係る弾性波装置１の製造方法の一例を説明する。
　図６（ａ）～図６（ｃ）は、第１の実施形態に係る弾性波装置の製造方法を説明するための正面断面図である。図７（ａ）～図７（ｄ）は、第１の実施形態に係る弾性波装置の製造方法を説明するための正面断面図である。なお、図６（ａ）～図６（ｃ）及び図７（ａ）～図７（ｄ）は、図１における第２の低音速部Ａ２ｂにおける断面を示す。
　図６（ａ）に示すように、圧電基板２を用意する。次に、圧電基板２の主面２ａ上に、フォトリソグラフィ法により、レジストパターン８Ａを形成する。図６（ａ）に示す断面においては、レジストパターン８Ａ間にギャップが形成されている。本実施形態では、圧電基板２に近づくほど、上記ギャップを隔てたレジストパターン８Ａ間の距離が長くなるように、レジストパターン８Ａの側面部が傾斜している。なお、レジストパターン８Ａの側面部の傾斜方向は上記に限定されない。あるいは、レジストパターン８Ａの側面部は傾斜していなくともよい。
　次に、図６（ｂ）に示すように、圧電基板２上に、第１の金属層４Ａを形成する。次に、第１の金属層４Ａ上に第１の金属層４Ｂを積層する。次に、第１の金属層４Ｂ上に第１の金属層４Ｃを積層する。次に、第１の金属層４Ｃ上に第１の金属層４Ｄを積層する。第１の金属層４Ａ～４Ｄは、例えば、真空蒸着法により形成することができる。なお、このとき、レジストパターン８Ａ上にも第１の金属層４Ａ～４Ｄの材料である金属が堆積する。
　次に、レジストパターン８Ａを、図６（ｃ）に示すように、圧電基板２から剥離する。次に、図７（ａ）に示すように、フォトリソグラフィ法により、圧電基板２の主面２ａ上にレジストパターン８Ｂを形成する。
　このとき、レジストパターン８Ｂの側面部が２段の階段状の形状になるようにパターニングする。レジストパターン８Ｂは、圧電基板２側から１段目の段差部である第１の段差部８Ｂ１と、２段目の段差部である第２の段差部８Ｂ２と、第１，第２の段差部８Ｂ１，８Ｂ２を接続している接続部８Ｂ３とを有する。レジストパターン８Ｂは、第２の段差部８Ｂ２の、図７（ａ）における上方に接続されている、上面部８Ｂ４を有する。
　第１の段差部８Ｂ１は、圧電基板２側の端部から、接続部８Ｂ３に接続している端部まで、第１の金属層４Ａ～４Ｄの側面部に接している。第１，第２の段差部８Ｂ１，８Ｂ２は、図６（ａ）に示したレジストパターン８Ａの側面部と同様に傾斜している。なお、第１，第２の段差部８Ｂ１，８Ｂ２の傾斜方向は上記に限定されない。あるいは、第１，第２の段差部８Ｂ１，８Ｂ２は傾斜していなくともよい。
　接続部８Ｂ３は、圧電基板２の主面２ａが延びる方向に平行に延びている。接続部８Ｂ３と、第１の金属層４Ｄの圧電基板２側とは反対側の面とにより、圧電基板２の主面２ａに平行な面が構成されている。
　本実施形態の弾性波装置１の製造方法においては、第１の金属層４Ｄにおける、図１に示した第１，第２の低音速部Ａ２ａ，Ａ２ｂ以外の部分は、レジストパターン８Ｂにより覆われている。
　次に、図７（ｂ）に示すように、真空蒸着法などにより、接続部８Ｂ３及び第１の金属層４Ｄの圧電基板２側とは反対側の面により構成された面上に、第２の金属層５を積層する。第２の金属層５における接続部８Ｂ３上に設けられた部分が、上記非接触部５ｄとなる。
　次に、真空蒸着法などにより、第２の金属層５上に第３の金属層６を積層する。なお、第２，第３の金属層５，６を積層する工程において、レジストパターン８Ｂの上面部８Ｂ４にも第２，３の金属層５，６の材料である金属が堆積する。
　次に、レジストパターン８Ｂを、図７（ｃ）に示すように、圧電基板２から剥離する。これにより、ＩＤＴ電極を得ることができる。次に、図７（ｄ）に示すように、圧電基板２の主面２ａ上に、ＩＤＴ電極を覆うように誘電体膜７を設ける。誘電体膜７は、例えば、真空蒸着法やスパッタリング法などにより設けることができる。
　上述したように、ＩＤＴ電極は、第１の金属層を少なくとも１層有していればよく、第１，第２，第３の金属層４Ａ～４Ｄ，５，６の材料は上記に限定されない。例えば、ＩＤＴ電極は、第１の金属層４Ｃ，４Ｄを有しなくともよい。より具体的には、Ｐｔからなる第１の金属層４Ｂ上に、Ｐｔからなる第３の金属層６が、第２の金属層５を介して設けられていてもよい。この場合においても、ＩＤＴ電極におけるマイグレーションを抑制することができる。それによって、第１の金属層４Ｂにボイドが生じることを抑制することができる。このように、第１の金属層４Ｂと第３の金属層６とが同じ金属を含む場合においても、ＩＤＴ電極の電気的特性の劣化を抑制することができる。
　ＩＤＴ電極が第１の金属層４Ｃ，４Ｄを有しない場合において、第１の金属層４ＢがＡｌからなり、かつ第３の金属層６がＡｌからなっていてもよい。あるいは、第１の金属層４ＡがＡｌからなり、第１の金属層４ＢがＭｏからなり、かつ第３の金属層６がＭｏからなっていてもよい。第１の金属層４ＡがＴｉからなり、第１の金属層４ＢがＣｕからなり、かつ第３の金属層６がＣｕからなっていてもよい。これらの場合においても、上記と同様に、ＩＤＴ電極におけるマイグレーションを抑制することができる。
　図８は、第２の実施形態に係る弾性波装置におけるＩＤＴ電極の第１の電極指の横断面図である。
　本実施形態の弾性波装置は、ＩＤＴ電極の第１の電極指１３ａ２における第２，第３の金属層１５，１６の形状が第１の実施形態と異なる。なお、図８に示す第１の電極指１３ａ２以外の複数の第１，第２の電極指も、図８に示す第１の電極指１３ａ２と同様に構成されている。上記の点以外においては、本実施形態の弾性波装置は、第１の実施形態の弾性波装置１と同様の構成を有する。
　第２の金属層１５の非接触部１５ｄが延びる方向は、圧電基板２の主面２ａが延びる方向に交叉している。より具体的には、非接触部１５ｄは、側面部１５ａに近づくほど、圧電基板２から遠ざかる方向に延びている。言い換えれば、第２の金属層１５の張り出し部１５ｅは、側面部１５ａに近づくほど、圧電基板２から遠ざかる方向に延びている。
　この場合には、非接触部１５ｄにおける、第１の金属層４Ｄ側の端部から、側面部１５ａ側の端部までの長さを長くすることができる。これにより、第１の金属層４Ｄの第１の端部４Ｄｂから第３の金属層１６の第２の端部１６ｃに至る沿面距離をより一層長くすることができる。よって、ＩＤＴ電極におけるマイグレーションをより一層抑制することができる。
　ところで、誘電体膜７を設けるに際し、誘電体膜７は圧電基板２側から堆積される。このとき、非接触部１５ｄは、側面部１５ａに近づくほど圧電基板２から遠ざかる方向に延びているため、非接触部１５ｄに誘電体膜７が接触しやすい。よって、ＩＤＴ電極と誘電体膜７との間に隙間が生じ難い。従って、ＩＤＴ電極の電気的特性の劣化がより一層生じ難い。
　なお、図９に示す第２の実施形態の変形例のように、第２の金属層６５の非接触部６５ｄは、側面部６５ａに近づくほど圧電基板２に近づく方向に延びていてもよい。
　図１０は、第３の実施形態に係る弾性波装置におけるＩＤＴ電極の第１の電極指の横断面図である。
　本実施形態の弾性波装置は、ＩＤＴ電極の第１の電極指２３ａ２における第２の金属層２５が第１，第２のバリア層２５Ａ，２５Ｂを有する点及びＩＤＴ電極が金属酸化物層２９を有する点で第１の実施形態と異なる。なお、図１０に示す第１の電極指２３ａ２以外の複数の第１，第２の電極指も、図１０に示す第１の電極指２３ａ２と同様に構成されている。上記の点以外においては、本実施形態の弾性波装置は第１の実施形態の弾性波装置１と同様の構成を有する。
　第１のバリア層２５Ａは、第１の金属層４Ｄ上に設けられている。第１のバリア層２５Ａ上に、金属酸化物層２９が設けられている。金属酸化物層２９上に、第２のバリア層２５Ｂが設けられている。第２のバリア層２５Ｂ上には、第３の金属層６が設けられている。
　本実施形態では、第１，第２のバリア層２５Ａ，２５ＢはＴｉからなり、金属酸化物層２９は酸化チタンからなる。なお、第１，第２のバリア層２５Ａ，２５Ｂは、金属間の金属原子の拡散を抑制し得る適宜の金属からなっていればよい。金属酸化物層２９は、金属間の金属原子の拡散を抑制し得る適宜の金属の酸化物からなっていてもよい。
　第１のバリア層２５Ａは、圧電基板２側の面と第３の金属層６側の面とを結ぶ側面部２５Ａａを有する。該側面部２５Ａａは、平面視において、第１の金属層４Ｄの第１の端部４Ｄｂの外側には位置していない。
　他方、第２のバリア層２５Ｂは、圧電基板２側の面と第３の金属層６側の面とを結ぶ側面部２５Ｂａを有する。該側面部２５Ｂａは、平面視において、上記第１の端部４Ｄｂの外側に位置している。これにより、上記第１の端部４Ｄｂから第３の金属層６の第２の端部６ｃに至る沿面距離をより一層長くすることができる。よって、ＩＤＴ電極におけるマイグレーションをより一層抑制することができる。
　なお、第１のバリア層２５Ａの側面部２５Ａａは、平面視において、第１の金属層４Ｄの第１の端部４Ｄｂの外側に位置していてもよい。
　本実施形態では、上述したように、第１のバリア層２５Ａと第２のバリア層２５Ｂとの間に金属酸化物層２９が設けられている。従って、第３の金属層６の金属原子が第２の金属層２５内を通り第１の金属層４Ｄに拡散することを、より一層抑制することができる。
　本実施形態の弾性波装置を得るに際しては、例えば、図６（ｂ）に示した第１の金属層４Ａ～４Ｄを形成する工程の後、レジストパターン８Ａを剥離する前に、第１の金属層４Ｄ上に第１のバリア層２５Ａを積層してもよい。第１のバリア層２５Ａは、例えば、真空蒸着法により形成することができる。
　次に、第１のバリア層２５Ａの、第１の金属層４Ｄ側とは反対側の面を酸化する工程を行う。これにより、金属酸化物層２９を得ることができる。次に、図６（ｃ）及び図７（ａ）に示した工程を行う。次に、図７（ｂ）に示した工程と同様の方法により、金属酸化物層２９上に、第２のバリア層２５Ｂを積層する。なお、上記の酸化の工程は、第２のバリア層２５Ｂを形成する前に行えばよい。しかる後、図７（ｃ）及び図７（ｄ）に示した工程と同様の方法により、本実施形態の弾性波装置を得ることができる。
　図１１は、第４の実施形態に係る弾性波装置におけるＩＤＴ電極の第１の電極指の横断面図である。
　本実施形態の弾性波装置は、ＩＤＴ電極の第１の電極指３３ａ２における第２のバリア層３５Ｂ及び第３の金属層３６の形状が、第３の実施形態と異なる。本実施形態は、ＩＤＴ電極が金属酸化物層を有しない点においても、第３の実施形態と異なる。なお、図１１に示す第１の電極指３３ａ２以外の複数の第１，第２の電極指も、図１１に示す第１の電極指３３ａ２と同様に構成されている。上記の点以外においては、本実施形態の弾性波装置は、第３の実施形態の弾性波装置と同様の構成を有する。
　より具体的には、第２のバリア層３５Ｂの側面部３５Ｂａの第１のバリア層３５Ａ側の端部は、第２のバリア層３５Ｂが第１のバリア層３５Ａに接触している部分よりも第３の金属層３６側に位置している。このように、第２のバリア層３５Ｂは、第１のバリア層３５Ａから浮き上がった浮き上がり部３５Ｂｄを有する。これにより、第１の金属層４Ｄの第１の端部４Ｄｂから第３の金属層３６の第２の端部３６ｃに至る沿面距離を長くすることができる。よって、ＩＤＴ電極におけるマイグレーションを効果的に抑制することができる。
　加えて、本実施形態においても、第２の実施形態と同様に、ＩＤＴ電極と誘電体膜７との間に隙間が生じ難い。
　第３の金属層３６は、平面視において、浮き上がり部３５Ｂｄに重なる部分が、圧電基板２から遠ざかる方向に突出している。なお、第３の金属層３６は、上記の突出した部分を有しなくともよい。
　本実施形態では、第１，２のバリア層３５Ａ，３５Ｂの側面部３５Ａａ，３５Ｂａは、平面視において、第１の金属層４Ｄの第１の端部４Ｄｂの外側には位置していない。なお、第１，第２のバリア層３５Ａ，３５Ｂの側面部３５Ａａ，３５Ｂａは、平面視において、第１の金属層４の第１の端部４Ｄｂの外側に位置していてもよい。
　平面視において、第２のバリア層３５Ｂの側面部３５Ｂａは、第１のバリア層３５Ａの側面部３５Ａａの内側に位置している。なお、第２のバリア層３５Ｂの側面部３５Ｂａは、第１のバリア層３５Ａの側面部３５Ａａの外側に位置していてもよい。
　図１２に示す、第４の実施形態の変形例のように、第１のバリア層３５Ａと第２のバリア層３５Ｂとの間には、第３の実施形態と同様に、金属酸化物層５９が設けられていてもよい。
　図１３（ａ）及び図１３（ｂ）は、第４の実施形態に係る弾性波装置の製造方法を説明するための正面断面図である。
　本実施形態の弾性波装置の製造は、第１の金属層４Ａ～４Ｄ及び第１のバリア層３５Ａを形成する工程までは、第３の実施形態の弾性波装置の製造方法と同様に行うことができる。次に、図１３（ａ）に示すように、圧電基板２上に、フォトリソグラフィ法によりレジストパターン３８Ｂを形成する。このとき、レジストパターン３８Ｂの一部が、第１のバリア層３５Ａ上における、第１のバリア層３５Ａの側面部３５Ａａ付近に位置するようにパターニングする。
　より具体的には、レジストパターン３８Ｂは、第３の実施形態の弾性波装置の製造方法と同様に、第１，第２の段差部３８Ｂ１，３８Ｂ２及び上面部３８Ｂ４を有する。レジストパターン３８Ｂは、第１，第２の段差部３８Ｂ１，３８Ｂ２を接続しており、かつ第１のバリア層３５Ａ上における、上記側面部３５Ａａ付近に配置されている接続部３８Ｂ３を有する。
　次に、図１３（ｂ）に示すように、真空蒸着法などにより、接続部３８Ｂ３上及び第１のバリア層３５Ａ上に、第２のバリア層３５Ｂを積層する。第２のバリア層３５Ｂにおける接続部３８Ｂ３上に設けられた部分が、上記浮き上がり部３５Ｂｄとなる。
　次に、真空蒸着法などにより、第２のバリア層３５Ｂ上に第３の金属層３６を積層する。しかる後、図７（ｃ）及び図７（ｄ）に示した工程と同様の方法により、本実施形態の弾性波装置を得ることができる。
１…弾性波装置
２…圧電基板
２ａ，２ｂ…主面
３…ＩＤＴ電極
３ａ１，３ｂ１…第１，第２のバスバー
３ａ２，３ｂ２…第１，第２の電極指
４Ａ～４Ｄ…第１の金属層
４Ｄａ…側面部
４Ｄｂ…第１の端部
５…第２の金属層
５ａ…側面部
５ｄ…非接触部
５ｅ…張り出し部
６…第３の金属層
６ａ…側面部
６ｃ…第２の端部
７…誘電体膜
８Ａ，８Ｂ…レジストパターン
８Ｂ１，８Ｂ２…第１，第２の段差部
８Ｂ３…接続部
８Ｂ４…上面部
１３ａ２…第１の電極指
１５…第２の金属層
１５ａ…側面部
１５ｄ…非接触部
１５ｅ…張り出し部
１６…第３の金属層
１６ｃ…第２の端部
２３ａ２…第１の電極指
２５…第２の金属層
２５Ａ，２５Ｂ…第１，第２のバリア層
２５Ａａ，２５Ｂａ…側面部
２９…金属酸化物層
３３ａ２…第１の電極指
３５Ａ，３５Ｂ…第１，第２のバリア層
３５Ａａ，３５Ｂａ…側面部
３５Ｂｄ…浮き上がり部
３６…第３の金属層
３６ｃ…第２の端部
３８Ｂ…レジストパターン
３８Ｂ１，３８Ｂ２…第１，第２の段差部
３８Ｂ３…接続部
３８Ｂ４…上面部
４４…低音速膜
４５…高音速部材
５９…金属酸化物層
６５…第２の金属層
６５ａ…側面部
６５ｄ…非接触部
１０５，１０６…第２，第３の金属層
１０６ｃ…第２の端部

Claims (15)

  1. 　圧電体と、
    　直接的または間接的に、前記圧電体上に設けられているＩＤＴ電極と、
    を備え、
    　前記ＩＤＴ電極が、第１の金属層と、前記第１の金属層上に設けられている第２の金属層と、前記第２の金属層上に設けられている第３の金属層と、を有し、
    　前記第１の金属層が、前記圧電体側の面と前記第２の金属層側の面とを結ぶ側面部を有し、
    　前記第１の金属層における前記側面部が、前記第２の金属層側の端部である第１の端部を含み、
    　前記第２の金属層が、前記第１の金属層側の面と前記第３の金属層側の面とを結ぶ側面部を有し、
    　前記第３の金属層が、前記第２の金属層側の面と前記第２の金属層側とは反対側の面とを結ぶ側面部を有し、
    　前記第３の金属層における前記側面部が、前記第２の金属層側の端部である第２の端部を含み、
    　前記ＩＤＴ電極の少なくとも一部において、前記第１の端部と前記第２の端部とを結ぶ距離よりも、前記第１の端部から前記第２の金属層の前記側面部を経て前記第２の端部に至る沿面距離が長い、弾性波装置。
  2. 　前記第３の金属層の、平面視における外周の全領域にわたり、前記第１の端部と前記第２の端部とを結ぶ距離よりも、前記第１の端部から前記第２の金属層の前記側面部を経て前記第２の端部に至る沿面距離が長い、請求項１に記載の弾性波装置。
  3. 　前記第２の金属層の前記側面部が、前記第２の端部よりも、平面視において外側に位置しており、前記第２の金属層の前記第１の金属層側の面が、前記第１の金属層に接触していない非接触部を含む、請求項１または２に記載の弾性波装置。
  4. 　前記非接触部が延びる方向が、前記圧電体の主面が延びる方向と交叉している、請求項３に記載の弾性波装置。
  5. 　前記非接触部が、前記第２の金属層の前記側面部に近づくほど、前記圧電体から遠ざかるように延びている、請求項４に記載の弾性波装置。
  6. 　前記第２の金属層が、前記第１の金属層上に設けられている第１のバリア層と、前記第１のバリア層上に設けられている第２のバリア層と、を有する、請求項１～５のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  7. 　前記第２のバリア層が、前記第１のバリア層側の面と前記第３の金属層側の面とを結ぶ側面部を有し、
    　前記第２のバリア層における前記側面部の前記第１のバリア層側の端部の少なくとも一部が、前記第２のバリア層が前記第１のバリア層に接触している部分よりも前記第３の金属層側に位置している、請求項６に記載の弾性波装置。
  8. 　前記第１のバリア層と前記第２のバリア層との間に、金属酸化物層が設けられている、請求項６または７に記載の弾性波装置。
  9. 　前記ＩＤＴ電極が、対向し合っている、第１及び第２のバスバーと、前記第１のバスバーに一端が接続されている、複数本の第１の電極指と、前記複数本の第１の電極指と間挿し合っており、かつ前記第２のバスバーに一端が接続されている、複数本の第２の電極指とを有し、
    　前記ＩＤＴ電極において、前記第１及び第２の電極指が、弾性波伝搬方向から視たときに重なり合っている領域を交叉領域とし、
    　前記交叉領域が、弾性波の音速が相対的に高い中央領域と、前記中央領域よりも音速が低くされており、前記中央領域の電極指の延びる方向における両端部に設けられた低音速部とを有し、
    　前記低音速部に前記第３の金属層が設けられている、請求項１～８のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  10. 　前記圧電体の一方主面上に、前記ＩＤＴ電極を覆っている誘電体膜が設けられている、請求項１～９のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  11. 　圧電体と、
    　前記圧電体上に設けられているＩＤＴ電極と、
    を備え、
    　前記ＩＤＴ電極が、前記圧電体側に位置する第１の金属層と、前記第１の金属層上に設けられている第２の金属層と、前記第２の金属層上に設けられている第３の金属層と、を有し、
    　前記第２の金属層が、前記第１の金属層の外縁から外側に張り出している張り出し部を有し、
    　前記張り出し部が前記圧電体の主面が延びる方向に平行、または前記圧電体から遠ざかる方向に延びている、弾性波装置。
  12. 　前記第２の金属層が、前記第１の金属層上に設けられている第１のバリア層と、前記第１のバリア層上に設けられている第２のバリア層と、を有する、請求項１１に記載の弾性波装置。
  13. 　前記第２のバリア層が、前記第１のバリア層側の面と前記第３の金属層側の面とを結ぶ側面部を有し、
    　前記第２のバリア層における前記側面部の前記第１のバリア層側の端部の少なくとも一部が、前記第２のバリア層が前記第１のバリア層に接触している部分よりも前記第３の金属層側に位置している、請求項１２に記載の弾性波装置。
  14. 　前記第１のバリア層と前記第２のバリア層との間に、金属酸化物層が設けられている、請求項１２または１３に記載の弾性波装置。
  15. 　前記ＩＤＴ電極が、対向し合っている、第１及び第２のバスバーと、前記第１のバスバーに一端が接続されている、複数本の第１の電極指と、前記複数本の第１の電極指と間挿し合っており、かつ前記第２のバスバーに一端が接続されている、複数本の第２の電極指とを有し、
    　前記ＩＤＴ電極において、前記第１及び第２の電極指が、弾性波伝搬方向から視たときに重なり合っている領域を交叉領域とし、
    　前記交叉領域が、弾性波の音速が相対的に高い中央領域と、前記中央領域よりも音速が低くされており、前記中央領域の電極指の延びる方向における両端部に設けられた低音速部とを有し、
    　前記低音速部に前記第３の金属層が設けられている、請求項１１～１４のいずれか１項に記載の弾性波装置。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115485971A (zh) * 2020-04-29 2022-12-16 株式会社村田制作所 最小化横向激发的薄膜体声波谐振器中的应力的电极几何形状
CN113114159B (zh) * 2021-05-27 2021-12-10 北京超材信息科技有限公司 声表面波装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005197595A (ja) * 2004-01-09 2005-07-21 Murata Mfg Co Ltd 電子部品素子、電子部品、及び通信機
JP2007282294A (ja) * 2005-09-20 2007-10-25 Kyocera Corp 弾性表面波素子及び弾性表面波装置
JP2011135469A (ja) * 2009-12-25 2011-07-07 Murata Mfg Co Ltd 弾性波装置
JP2013544041A (ja) * 2011-03-25 2013-12-09 パナソニック株式会社 高次横モード波を抑制した弾性波デバイス
WO2014185331A1 (ja) * 2013-05-14 2014-11-20 株式会社村田製作所 弾性波装置およびその製造方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5131117B2 (ja) 1973-05-11 1976-09-04
AU2002361093A1 (en) * 2001-12-28 2003-07-24 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Surface acoustic wave device, electronic component using the device, and composite module
JP3841053B2 (ja) * 2002-07-24 2006-11-01 株式会社村田製作所 弾性表面波装置及びその製造方法
JP4775978B2 (ja) * 2007-10-30 2011-09-21 太陽誘電株式会社 弾性波素子、デュープレクサ、通信モジュール、および通信装置
JP5131117B2 (ja) 2008-09-24 2013-01-30 株式会社村田製作所 弾性波装置及びその製造方法
US8294331B2 (en) 2009-09-22 2012-10-23 Triquint Semiconductor, Inc. Acoustic wave guide device and method for minimizing trimming effects and piston mode instabilities
WO2012036178A1 (ja) * 2010-09-17 2012-03-22 株式会社村田製作所 弾性波装置
JP5936393B2 (ja) * 2011-03-07 2016-06-22 トライクイント・セミコンダクター・インコーポレイテッドＴｒｉＱｕｉｎｔ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ，Ｉｎｃ． トリミング効果とピストンモードでの不安定性を最小化する音響波導波装置および方法
JPWO2012169452A1 (ja) * 2011-06-09 2015-02-23 株式会社村田製作所 弾性波装置及びその製造方法
JP2014158138A (ja) * 2013-02-15 2014-08-28 Panasonic Corp 弾性波装置とそれを用いたアンテナ共用器
CN106688180B (zh) * 2014-09-19 2019-07-30 日本电波工业株式会社 压电元件及其制造方法
KR101944722B1 (ko) * 2014-11-28 2019-02-01 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 탄성파 장치

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005197595A (ja) * 2004-01-09 2005-07-21 Murata Mfg Co Ltd 電子部品素子、電子部品、及び通信機
JP2007282294A (ja) * 2005-09-20 2007-10-25 Kyocera Corp 弾性表面波素子及び弾性表面波装置
JP2011135469A (ja) * 2009-12-25 2011-07-07 Murata Mfg Co Ltd 弾性波装置
JP2013544041A (ja) * 2011-03-25 2013-12-09 パナソニック株式会社 高次横モード波を抑制した弾性波デバイス
WO2014185331A1 (ja) * 2013-05-14 2014-11-20 株式会社村田製作所 弾性波装置およびその製造方法

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