JPH0786230A - テーパエッチング方法 - Google Patents
テーパエッチング方法Info
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- JPH0786230A JPH0786230A JP5195663A JP19566393A JPH0786230A JP H0786230 A JPH0786230 A JP H0786230A JP 5195663 A JP5195663 A JP 5195663A JP 19566393 A JP19566393 A JP 19566393A JP H0786230 A JPH0786230 A JP H0786230A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/02—Local etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 金属配線膜の断面形状を制御よく安定したテ
ーパに形成するとともに、配線上に発生する虫食い状欠
陥を防止し、歩留りのよい金属配線膜を提供する。 【構成】 基板１上に、断面形状がテーパ状の側壁を有
すべき第１の金属膜３を形成し、上記第１の金属膜上で
あって、その上層膜として形成されるべき第２の金属膜
４との間に、上記両金属膜に対して拡散係数の小さな第
３の金属膜７を形成し、さらに上記第３の金属膜７上に
上層膜として第２の金属膜４を形成し、その後、上記第
２の金属膜４上にレジストパターン５を形成し、上記第
２の金属膜４及び上記第３の金属膜７のパターン並びに
上記レジストパターン５をエッチングマスクとして上記
第１の金属膜３をエッチングし、第１の金属膜３の断面
形状をテーパ状に形成する。
ーパに形成するとともに、配線上に発生する虫食い状欠
陥を防止し、歩留りのよい金属配線膜を提供する。 【構成】 基板１上に、断面形状がテーパ状の側壁を有
すべき第１の金属膜３を形成し、上記第１の金属膜上で
あって、その上層膜として形成されるべき第２の金属膜
４との間に、上記両金属膜に対して拡散係数の小さな第
３の金属膜７を形成し、さらに上記第３の金属膜７上に
上層膜として第２の金属膜４を形成し、その後、上記第
２の金属膜４上にレジストパターン５を形成し、上記第
２の金属膜４及び上記第３の金属膜７のパターン並びに
上記レジストパターン５をエッチングマスクとして上記
第１の金属膜３をエッチングし、第１の金属膜３の断面
形状をテーパ状に形成する。
Description
【０００１】
【発明の利用分野】本発明は、金属配線膜パターンにエ
ッチング加工する場合に、そのパターンの断面形状をテ
ーパ状に加工するテーパエッチング方法に関し、アルミ
ニウム配線膜を使用するＴＦＴ液晶パネルや半導体製造
プロセスに応用して特に効果のあるものである。
ッチング加工する場合に、そのパターンの断面形状をテ
ーパ状に加工するテーパエッチング方法に関し、アルミ
ニウム配線膜を使用するＴＦＴ液晶パネルや半導体製造
プロセスに応用して特に効果のあるものである。
【０００２】
【従来の技術】この種の技術として、二つの薄膜のエッ
チング速度の違いを用いた特開平１−１５１２３６号公
報記載の発明が知られている。
チング速度の違いを用いた特開平１−１５１２３６号公
報記載の発明が知られている。
【０００３】図７乃至図１０は、アルミニウム膜のテー
パエッチング方法を工程順に示した断面図であり、この
図に従ってその方法を説明する。図７に示すように、ス
パッタ法又は蒸着法等の薄膜堆積法を用いて、基板１上
にアルミニウム膜３、アルミニウム膜３上にモリブデン
膜４を形成し、モリブデン膜４上にフォトレジスト５を
塗布し所定のパターンに形成する。そして、図８に示す
ように、基板１を例えばりん酸、硝酸、水から成るエッ
チング液に浸漬すると、モリブデン膜４のエッチングが
進行して下地のアルミニウム膜３が露出し、エッチング
液に接触すると、モリブデン膜４とアルミニウム膜３は
同時にエッチングされ、アルミニウム膜３は、モリブデ
ン膜４をマスクとしてエッチングされる。この時、モリ
ブデン膜４はアルミニウム膜３よりもエッチング速度が
高いため、アルミニウム膜３のパターンの断面形状は、
緩やかなテーパ形状となる。次に、図９に示すように、
フォトレジスト５を除去し、さらに、図１０に示すよう
に、モリブデン膜４を除去したい場合には、ドライエッ
チングでエッチ・オフして、テーパ状にエッチングされ
たアルミニウム膜のパターンを得ることができる。
パエッチング方法を工程順に示した断面図であり、この
図に従ってその方法を説明する。図７に示すように、ス
パッタ法又は蒸着法等の薄膜堆積法を用いて、基板１上
にアルミニウム膜３、アルミニウム膜３上にモリブデン
膜４を形成し、モリブデン膜４上にフォトレジスト５を
塗布し所定のパターンに形成する。そして、図８に示す
ように、基板１を例えばりん酸、硝酸、水から成るエッ
チング液に浸漬すると、モリブデン膜４のエッチングが
進行して下地のアルミニウム膜３が露出し、エッチング
液に接触すると、モリブデン膜４とアルミニウム膜３は
同時にエッチングされ、アルミニウム膜３は、モリブデ
ン膜４をマスクとしてエッチングされる。この時、モリ
ブデン膜４はアルミニウム膜３よりもエッチング速度が
高いため、アルミニウム膜３のパターンの断面形状は、
緩やかなテーパ形状となる。次に、図９に示すように、
フォトレジスト５を除去し、さらに、図１０に示すよう
に、モリブデン膜４を除去したい場合には、ドライエッ
チングでエッチ・オフして、テーパ状にエッチングされ
たアルミニウム膜のパターンを得ることができる。
【０００４】さらに、他の従来技術として、特開昭６１
−７７３４４号公報には、半導体基板上に、テーパ状の
パターンを形成すべき第１の薄膜(AlもしくはAl-Si合金
膜)の上に第２の薄膜(W-T合金膜もしくはMoその他の高
融点金属およびその合金)を被着し、第２の薄膜の上に
レジストパターンを形成し、これをマスクとしてドライ
エッチングすると、第２の薄膜のエッジがレジストパタ
ーンのエッジよりも内側までエッチングされるが、さら
に条件を変えてドライエッチングすると、レジスト膜が
除去されても、第２の薄膜が第２のエッチングマスクと
して働くことによって第１の薄膜の側壁にテーパを形成
する技術が開示されている。
−７７３４４号公報には、半導体基板上に、テーパ状の
パターンを形成すべき第１の薄膜(AlもしくはAl-Si合金
膜)の上に第２の薄膜(W-T合金膜もしくはMoその他の高
融点金属およびその合金)を被着し、第２の薄膜の上に
レジストパターンを形成し、これをマスクとしてドライ
エッチングすると、第２の薄膜のエッジがレジストパタ
ーンのエッジよりも内側までエッチングされるが、さら
に条件を変えてドライエッチングすると、レジスト膜が
除去されても、第２の薄膜が第２のエッチングマスクと
して働くことによって第１の薄膜の側壁にテーパを形成
する技術が開示されている。
【０００５】特開平１−９５５２４号公報には、シリコ
ン基板上に、第１の薄膜であるクロム膜を形成し、その
上に第２の薄膜であるアルミニウム膜又はアルミニウム
合金膜を形成し、さらにこの上に所望のレジストパター
ンを形成し、上記第１及び第２の薄膜をりん酸によりエ
ッチングし、両層のエッチング速度の差によって、クロ
ム膜断面形状をテーパ状に形成できるようにする技術が
開示されている。
ン基板上に、第１の薄膜であるクロム膜を形成し、その
上に第２の薄膜であるアルミニウム膜又はアルミニウム
合金膜を形成し、さらにこの上に所望のレジストパター
ンを形成し、上記第１及び第２の薄膜をりん酸によりエ
ッチングし、両層のエッチング速度の差によって、クロ
ム膜断面形状をテーパ状に形成できるようにする技術が
開示されている。
【０００６】特開平３−２６３８３３号公報には、絶縁
基板上に、下層として金膜を形成し、上層として下層膜
よりもエッチング速度の速い金膜を成膜し、その上にフ
ォトレジストを形成した後、湿式エッチングにより下層
をテーパ状に形成する技術が開示されている。
基板上に、下層として金膜を形成し、上層として下層膜
よりもエッチング速度の速い金膜を成膜し、その上にフ
ォトレジストを形成した後、湿式エッチングにより下層
をテーパ状に形成する技術が開示されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術として挙
げたものは、いずれも、基板上に積層した、エッチング
速度の相違する下層膜と上層膜とをエッチングすること
により、エッチング速度の遅い方の下層膜の側壁にテー
パを形成するようにしたものである。しかしながら、成
膜温度を高かったり、成膜時間が長かったりすると、下
層膜と上層膜を構成する金属イオンの拡散距離が増大し
て金属相互の拡散が起こり易くなり、上記金属界面に合
金が生じる。
げたものは、いずれも、基板上に積層した、エッチング
速度の相違する下層膜と上層膜とをエッチングすること
により、エッチング速度の遅い方の下層膜の側壁にテー
パを形成するようにしたものである。しかしながら、成
膜温度を高かったり、成膜時間が長かったりすると、下
層膜と上層膜を構成する金属イオンの拡散距離が増大し
て金属相互の拡散が起こり易くなり、上記金属界面に合
金が生じる。
【０００８】合金は、一般に元の金属とはエッチング速
度が異なるので、エッチングしたときに、上下層の界面
に生じた合金部分の方が速くエッチングされたり、逆
に、エッチングが遅くなったり、場合によってはエッチ
ングがあまり行なわれなかったりと、いずれかの現象が
起こる。しかし、上下二層と合金のエッチング速度が異
なると、本発明の目的であるテーパエッチングを行うこ
とができない。
度が異なるので、エッチングしたときに、上下層の界面
に生じた合金部分の方が速くエッチングされたり、逆
に、エッチングが遅くなったり、場合によってはエッチ
ングがあまり行なわれなかったりと、いずれかの現象が
起こる。しかし、上下二層と合金のエッチング速度が異
なると、本発明の目的であるテーパエッチングを行うこ
とができない。
【０００９】仮に、エッチング速度の遅い合金膜が、界
面に粒状に形成された場合、その粒界にエッチャントが
染み込む。すると、染み込んだ部分の金属が部分的に取
り除かれるため、図１１に示すように、配線上に虫食い
状欠陥８が生じる。この虫食い状欠陥は、断線による短
絡のおそれを増大させる。また、合金は、温度等の外界
の要因により、その大きさ、形状が異なるため、基板の
保存状態によって、二層金属膜間の界面状態が変化し、
テーパ形成を不安定にさせるという問題がある。
面に粒状に形成された場合、その粒界にエッチャントが
染み込む。すると、染み込んだ部分の金属が部分的に取
り除かれるため、図１１に示すように、配線上に虫食い
状欠陥８が生じる。この虫食い状欠陥は、断線による短
絡のおそれを増大させる。また、合金は、温度等の外界
の要因により、その大きさ、形状が異なるため、基板の
保存状態によって、二層金属膜間の界面状態が変化し、
テーパ形成を不安定にさせるという問題がある。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、前記
した従来技術の問題に着目してなされたものであり、配
線上に発生する虫食い状欠陥を防止し、歩留りのよい金
属配線膜を提供することにある。
した従来技術の問題に着目してなされたものであり、配
線上に発生する虫食い状欠陥を防止し、歩留りのよい金
属配線膜を提供することにある。
【００１１】本発明の他の目的は、金属配線膜の断面形
状を制御よく安定したテーパ状に形成することにある。
状を制御よく安定したテーパ状に形成することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、基板上に、断面形状がテーパ状の側壁を有すべき第
１の金属膜を形成し、上記第１の金属膜上であって、そ
の上層膜として形成されるべき第２の金属膜との間に、
上記両金属膜に対して拡散係数の小さな第３の金属膜を
形成し、さらに、上記第３の金属膜上に上層膜として第
２の金属膜を形成し、その後、上記第２の金属膜上にレ
ジストパターンを形成し、上記第２の金属膜及び上記第
３の金属膜のパターン並びに上記レジストパターンをエ
ッチングマスクとして上記第１の金属膜をエッチング
し、第１の金属膜の断面形状をテーパ状に形成してい
る。
に、基板上に、断面形状がテーパ状の側壁を有すべき第
１の金属膜を形成し、上記第１の金属膜上であって、そ
の上層膜として形成されるべき第２の金属膜との間に、
上記両金属膜に対して拡散係数の小さな第３の金属膜を
形成し、さらに、上記第３の金属膜上に上層膜として第
２の金属膜を形成し、その後、上記第２の金属膜上にレ
ジストパターンを形成し、上記第２の金属膜及び上記第
３の金属膜のパターン並びに上記レジストパターンをエ
ッチングマスクとして上記第１の金属膜をエッチング
し、第１の金属膜の断面形状をテーパ状に形成してい
る。
【００１３】上記した手段によれば、下層膜である第１
の金属膜と上層膜である第２の金属膜との界面におい
て、両金属の合金が形成されるのを阻止することができ
る。さらに、均等なエッチング速度によって第１の金属
膜のエッチング処理を行うことができる。
の金属膜と上層膜である第２の金属膜との界面におい
て、両金属の合金が形成されるのを阻止することができ
る。さらに、均等なエッチング速度によって第１の金属
膜のエッチング処理を行うことができる。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の実施例を図１乃至図６に従っ
て説明する。当該図１乃至図６は、本発明によるテーパ
エッチング方法を工程順に説明するための断面図であ
る。なお、従来技術における説明した構成要素と同一で
ある場合には、それと同一の符合をしようする。
て説明する。当該図１乃至図６は、本発明によるテーパ
エッチング方法を工程順に説明するための断面図であ
る。なお、従来技術における説明した構成要素と同一で
ある場合には、それと同一の符合をしようする。
【００１５】図１において、１は基板で、例えばガラス
基板、２は基板１上に形成されたシリコン酸化膜２、３
はシリコン酸化膜２上に形成したアルミニウム膜で、例
えば、スパッタ法により厚さ２０００オングストローム
となるように形成する。図２において、７は上記アルミ
ニウミ膜３の上に形成された酸化アルミニウム膜であ
り、アルミニウム膜３を形成後、２００゜ｃで加熱し、
その後酸素雰囲気中あるいは大気中に１０分間晒すこと
によって、厚さ１０オングストロームに形成する。
基板、２は基板１上に形成されたシリコン酸化膜２、３
はシリコン酸化膜２上に形成したアルミニウム膜で、例
えば、スパッタ法により厚さ２０００オングストローム
となるように形成する。図２において、７は上記アルミ
ニウミ膜３の上に形成された酸化アルミニウム膜であ
り、アルミニウム膜３を形成後、２００゜ｃで加熱し、
その後酸素雰囲気中あるいは大気中に１０分間晒すこと
によって、厚さ１０オングストロームに形成する。
【００１６】次に、酸化アルミニウム膜７の上に、例え
ば、スパッタ法により、モリブデン膜４を厚さ５００オ
ングストロームとなるように形成する。このように、ア
ルミニウム膜３とモリブデン膜４との間に酸化アルミニ
ウム膜７を介在させたことにより、モリブデンのアルミ
ニウム中への拡散が防止される。ただし、上記のように
二つの金属層間の拡散による合金化を防止するために、
下層金属膜であるアルミニウム層と上層金属膜であるモ
リブデン層との間に、酸化アルミニウム層を介在させた
が、下層金属膜と上層金属膜に対して拡散係数の小さな
金属であれば、上記酸化アルミニウムに限定されるもの
ではなく、他の金属膜として、例えば、チタン等のバリ
アメタルを用いても良い。また、酸化アルミニウム膜７
がアルミニウム膜３とモリブデン膜４との間にあって
も、酸化アルミニウム膜７の厚さが１０オングストロー
ムと薄いため、アルミニウム膜３とモリブデン膜４との
間の抵抗値は小さく問題とならない。
ば、スパッタ法により、モリブデン膜４を厚さ５００オ
ングストロームとなるように形成する。このように、ア
ルミニウム膜３とモリブデン膜４との間に酸化アルミニ
ウム膜７を介在させたことにより、モリブデンのアルミ
ニウム中への拡散が防止される。ただし、上記のように
二つの金属層間の拡散による合金化を防止するために、
下層金属膜であるアルミニウム層と上層金属膜であるモ
リブデン層との間に、酸化アルミニウム層を介在させた
が、下層金属膜と上層金属膜に対して拡散係数の小さな
金属であれば、上記酸化アルミニウムに限定されるもの
ではなく、他の金属膜として、例えば、チタン等のバリ
アメタルを用いても良い。また、酸化アルミニウム膜７
がアルミニウム膜３とモリブデン膜４との間にあって
も、酸化アルミニウム膜７の厚さが１０オングストロー
ムと薄いため、アルミニウム膜３とモリブデン膜４との
間の抵抗値は小さく問題とならない。
【００１７】次に、図３に示すように、モリブデン膜上
に、レジストパターン５を形成する。当該レジストパタ
ーン５のエッジがテーパ状になっているのは、スピンコ
ータで作っているためである。
に、レジストパターン５を形成する。当該レジストパタ
ーン５のエッジがテーパ状になっているのは、スピンコ
ータで作っているためである。
【００１８】次に、上記基板１を、例えば、燐酸・硝酸
・酢酸・水から成る混合液に浸漬してエッチングを行
う。このときの断面形状は図４に示す通りである。即
ち、レジストパターン５に覆われていない部分のモリブ
デン膜４が、まずエッチングされ、次いで酸化アルミニ
ウムマク７がエッチングされる。このとき、モリブデン
膜４及び酸化アルミニウム膜７のエッジは、レジストパ
ターン５のエッジよりも内側に向かってもサイドエッチ
ングにより進行し、下層のアルミニウム膜３も、モリブ
デン膜４及び酸化アルミニウム膜７がマスクとなって同
時にエッチングが進行する。なお、当該アルミニウム膜
３は、モリブデン膜４及び酸化アルミニウム膜７より
も、エッチング速度が遅いので、アルミニウム膜３の断
面は、テーパ角２０度になるように再現性良く形成され
る。
・酢酸・水から成る混合液に浸漬してエッチングを行
う。このときの断面形状は図４に示す通りである。即
ち、レジストパターン５に覆われていない部分のモリブ
デン膜４が、まずエッチングされ、次いで酸化アルミニ
ウムマク７がエッチングされる。このとき、モリブデン
膜４及び酸化アルミニウム膜７のエッジは、レジストパ
ターン５のエッジよりも内側に向かってもサイドエッチ
ングにより進行し、下層のアルミニウム膜３も、モリブ
デン膜４及び酸化アルミニウム膜７がマスクとなって同
時にエッチングが進行する。なお、当該アルミニウム膜
３は、モリブデン膜４及び酸化アルミニウム膜７より
も、エッチング速度が遅いので、アルミニウム膜３の断
面は、テーパ角２０度になるように再現性良く形成され
る。
【００１９】次に、図５に示すように、レジストパター
ン５を除去し、さらに図６に示すように、モリブデン膜
４上に、例えば、スパッタ法によりシリコン酸化膜を被
着する。なお、上記実施例では、基板１として、ガラス
基板を使用したが、シリコン基板など他の材質のもので
も良い。
ン５を除去し、さらに図６に示すように、モリブデン膜
４上に、例えば、スパッタ法によりシリコン酸化膜を被
着する。なお、上記実施例では、基板１として、ガラス
基板を使用したが、シリコン基板など他の材質のもので
も良い。
【００２０】また、上記実施例で示したアルミニウム／
酸化アルミニウム／モリブデンから成る三層構造の他の
実施例として、下からアルミニウム／酸化アルミニウム
／チタンから成る三層構造、クロム／酸化クロム／アル
ミニウムから成る三層構造にも適用でき、さらに、下か
らモリブデン／アルミニウム／酸化アルミニウム／モリ
ブデンを積層した四層構造についても適用できる。
酸化アルミニウム／モリブデンから成る三層構造の他の
実施例として、下からアルミニウム／酸化アルミニウム
／チタンから成る三層構造、クロム／酸化クロム／アル
ミニウムから成る三層構造にも適用でき、さらに、下か
らモリブデン／アルミニウム／酸化アルミニウム／モリ
ブデンを積層した四層構造についても適用できる。
【００２１】
【発明の効果】本発明によれば、テーパが形成されるべ
き下層と上層との間に、合金の形成が妨げられるため、
虫食い状欠陥の発生を防止することができ、さらに、エ
ッチング速度も均等化されるので、テーパ状のパターン
形成を安定化させることができる。
き下層と上層との間に、合金の形成が妨げられるため、
虫食い状欠陥の発生を防止することができ、さらに、エ
ッチング速度も均等化されるので、テーパ状のパターン
形成を安定化させることができる。
【００２２】
【図１】 本発明にかかるの実施例におけるテーパエッ
チング方法の工程(１)の断面図
チング方法の工程(１)の断面図
【図２】 本発明にかかるの実施例におけるテーパエッ
チング方法の工程(２)の断面図
チング方法の工程(２)の断面図
【図３】 本発明にかかるの実施例におけるテーパエッ
チング方法の工程(３)の断面図
チング方法の工程(３)の断面図
【図４】 本発明にかかるの実施例におけるテーパエッ
チング方法の工程(４)の断面図
チング方法の工程(４)の断面図
【図５】 本発明にかかるの実施例におけるテーパエッ
チング方法の工程(５)の断面図
チング方法の工程(５)の断面図
【図６】 本発明にかかるの実施例におけるテーパエッ
チング方法の工程(６)の断面図
チング方法の工程(６)の断面図
【図７】 従来のテーパエッチング方法の工程(１)の断
面図
面図
【図８】 従来のテーパエッチング方法の工程(２)の断
面図
面図
【図９】 従来のテーパエッチング方法の工程(３)の断
面図
面図
【図１０】従来のテーパエッチング方法の工程(４)の断
面図
面図
【図１１】虫食い状欠陥の発生した状態を示す金属配線
の平面図
の平面図
１ 基板 ２ シリコン酸化膜 ３ アルミニウム膜 ４ モリブデン膜 ５ レジストパターン ６ シリコン酸化膜 ７ 酸化アルミニウム膜 ８ 虫食い状欠陥
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 北原 洋明 神奈川県大和市下鶴間1623番地14 日本ア イ・ビー・エム株式会社 大和事業所内
Claims (12)
- 【請求項１】基板上に、エッチング速度の異なる下層金
属膜と上層金属膜とを積層し、下層金属膜にテーパ形状
のパターンを形成するテーパエッチング方法において、
上記下層金属膜と上記上層金属膜との間に、上記両金属
膜に対して拡散係数の小さな金属膜を形成して上記両金
属膜間に合金が形成されるのを防御した後、上記下層金
属膜をテーパ状にエッチングすることを特徴とするテー
パエッチング方法。 - 【請求項２】上記上層金属膜及び上記拡散係数の小さな
金属膜のエッチング速度が上記下層金属膜のエッチング
速度よりも速いことを特徴とする請求項１記載のテーパ
エッチング方法。 - 【請求項３】上記下層金属膜がアルミニウムであり、上
記上層金属膜がモリブデンであり、上記拡散係数の小さ
な金属膜が酸化アルミニウムであることを特徴とする請
求項１記載のテーパエッチング方法。 - 【請求項４】上記酸化アルミニウムの厚さが１０オング
ストロームであることを特徴とする請求項３記載のテー
パエッチング方法。 - 【請求項５】上記下層金属膜がクロムであり、上記上層
金属膜がアルミニウムであり、上記拡散係数の小さな金
属膜が酸化クロムであることを特徴とする請求項１記載
のテーパエッチング方法。 - 【請求項６】上記下層金属膜がアルミニウムであり、上
記上層金属膜がチタンであり、上記拡散係数の小さな金
属膜が酸化アルミニウムであることを特徴とする請求項
１記載のテーパエッチング方法。 - 【請求項７】上記下層金属膜がアルミニウムであり、上
記上層金属膜がモリブデンであり、上記拡散係数の小さ
な金属膜がバリアメタルであることを特徴とする請求項
１記載のテーパエッチング方法。 - 【請求項８】上記バリアメタルがチタンであることを特
徴とする請求項７記載のテーパエッチング方法。 - 【請求項９】基板上にテーパ状の側壁を有すべき第１の
金属膜と第２の金属膜を形成する工程と、上記第１の金
属膜上であって上記第２の金属膜との間に、上記第１の
金属膜と上記第２の金属膜との界面において合金が形成
されるのを阻止する第３の金属膜を形成する工程と、上
記第２の金属膜上にレジストパターンを形成する工程
と、上記第２の金属膜及び上記第３の金属膜のパターン
並びに上記レジストパターンをエッチングマスクとして
上記第１の金属膜をテーパ状にエッチングする工程を含
むテーパエッチング方法。 - 【請求項１０】上記第２の金属膜及び上記第３の金属膜
のエッチング速度が上記第１の金属膜のエッチング速度
よりも速いことを特徴とする請求項９記載のテーパエッ
チング方法。 - 【請求項１１】ガラス基板上にアルミニウム膜を形成す
る工程と、上記アルミニウム膜形成後、上記基板を加熱
又は大気中に晒すことによって上記アルミニウム膜上に
酸化アルミニウム膜を形成する工程と、上記酸化アルミ
ニウム膜の上にモリブデン膜を形成する工程と、上記モ
リブデン膜の上にレジストパターンを形成する工程と、
上記レジストパターンをマスクとして、湿式エッチング
により上記モリブデン膜及び酸化アルミニウム膜を除去
する工程と、上記モリブデン膜及び酸化アルミニウム膜
をマスクとして、湿式エッチングにより上記アルミニウ
ム膜の断面形状をテーパ状に形成する工程とを含むテー
パエッチング方法。 - 【請求項１２】上記酸化アルミニウムの厚さが１０オン
グストロームであることを特徴とする請求項１１記載の
テーパエッチング方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5195663A JP2614403B2 (ja) | 1993-08-06 | 1993-08-06 | テーパエッチング方法 |
| US08/286,604 US5464500A (en) | 1993-08-06 | 1994-08-05 | Method for taper etching metal |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5195663A JP2614403B2 (ja) | 1993-08-06 | 1993-08-06 | テーパエッチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0786230A true JPH0786230A (ja) | 1995-03-31 |
| JP2614403B2 JP2614403B2 (ja) | 1997-05-28 |
Family
ID=16344928
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5195663A Expired - Lifetime JP2614403B2 (ja) | 1993-08-06 | 1993-08-06 | テーパエッチング方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5464500A (ja) |
| JP (1) | JP2614403B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002009056A (ja) * | 2000-06-22 | 2002-01-11 | Mitsubishi Electric Corp | 微細パターン形成方法およびその方法により製造した装置 |
| US6586335B1 (en) | 1997-05-30 | 2003-07-01 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Thin film transistor and method of manufacturing the same |
| KR100643960B1 (ko) * | 1997-06-12 | 2007-03-02 | 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 | 액정표시장치와 그 제조방법 |
| US7863615B2 (en) | 2007-10-19 | 2011-01-04 | Sony Corporation | Display unit and method of manufacturing the same |
| JP5664655B2 (ja) * | 2010-09-17 | 2015-02-04 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
| US9704742B2 (en) | 2011-09-06 | 2017-07-11 | Mitsubishi Electric Corporation | Wiring film and active matrix substrate using the same, and method for manufacturing wiring film |
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|---|---|---|---|---|
| JPH07321328A (ja) * | 1994-05-27 | 1995-12-08 | Hitachi Ltd | 薄膜トランジスタ駆動液晶表示装置およびその製法 |
| JPH0964366A (ja) * | 1995-08-23 | 1997-03-07 | Toshiba Corp | 薄膜トランジスタ |
| US5670062A (en) * | 1996-06-07 | 1997-09-23 | Lucent Technologies Inc. | Method for producing tapered lines |
| KR100278561B1 (ko) * | 1996-10-15 | 2001-02-01 | 포만 제프리 엘 | 테이퍼를구비하며에칭성이감소된다층의금속샌드위치구조및그형성방법 |
| KR100248123B1 (ko) | 1997-03-04 | 2000-03-15 | 구본준 | 박막트랜지스터및그의제조방법 |
| KR100303347B1 (ko) * | 1998-06-23 | 2001-11-22 | 박종섭 | 박막트랜지스터의제조방법 |
| KR100318369B1 (ko) * | 1998-12-17 | 2002-08-28 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 전극형성방법 |
| US6365057B1 (en) | 1999-11-01 | 2002-04-02 | Bmc Industries, Inc. | Circuit manufacturing using etched tri-metal media |
| US6468439B1 (en) | 1999-11-01 | 2002-10-22 | Bmc Industries, Inc. | Etching of metallic composite articles |
| US6409930B1 (en) | 1999-11-01 | 2002-06-25 | Bmc Industries, Inc. | Lamination of circuit sub-elements while assuring registration |
| EP1096041A3 (en) * | 1999-11-01 | 2001-05-09 | BMC Industries, Inc. | Etching of multi-layer metallic composite articles |
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1993
- 1993-08-06 JP JP5195663A patent/JP2614403B2/ja not_active Expired - Lifetime
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1994
- 1994-08-05 US US08/286,604 patent/US5464500A/en not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5464500A (en) | 1995-11-07 |
| JP2614403B2 (ja) | 1997-05-28 |
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