JP2023064367A - 弾性波共振器、フィルタ、およびマルチプレクサ - Google Patents

Abstract

【課題】耐電力性を向上させること。
【解決手段】弾性波共振器は、圧電基板１０と、圧電基板１０上に設けられ１０ｎｍより厚いチタン膜またはチタン合金膜である金属膜５０と、金属膜５０上に設けられアルミニウム膜またはアルミニウム合金膜である金属膜５４と、金属膜５０と金属膜５４との間に設けられチタンとアルミニウムの相互拡散を抑制するバリア膜５２と、を有する複数の電極指３４とを備える。これにより、圧電基板１０の変形に伴う応力が金属膜５４まで加わり難くなり、かつ、金属膜５０と金属膜５４との間にチタンとアルミニウムの金属間化合物または合金からなる領域が形成され難くなるため、耐電力性が向上する。
【選択図】図２

Description

本発明は、弾性波共振器、フィルタ、およびマルチプレクサに関する。

携帯電話を代表とする高周波通信用システムにおいて、通信に使用する周波数帯以外の不要な信号を除去するために高周波フィルタが用いられている。高周波フィルタには、例えば弾性表面波（ＳＡＷ：Surface Acoustic Wave）共振器が用いられている。弾性表面波共振器においては、タンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板などの圧電基板上に複数の電極指を有するＩＤＴ（Interdigital Transducer）が設けられている。電極指として、圧電基板への付着性を高めるためのチタン層と、機械的に安定な窒化チタン層と、アルミニウム層またはアルミニウム合金層と、が順次積層された構造が知られている（例えば特許文献１）。

特表２００５－５１８１２７号公報

ＩＤＴに高周波信号が入力されると、圧電基板に弾性表面波が励振されることによる変形が生じ、この変形に伴う応力が電極指に加わる。これにより、弾性波共振器の耐電力性能が劣化してしまうことがある。特許文献１では、アルミニウム層またはアルミニウム合金層と圧電基板との間に機械的に安定な窒化チタン層を設けることで、耐電力性を向上させている。しかしながら、耐電力性の向上の点で改善の余地が残されている。

本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、耐電力性を向上させることを目的とする。

本発明は、圧電基板と、前記圧電基板上に設けられ１０ｎｍより厚いチタン膜またはチタン合金膜である第１金属膜と、前記第１金属膜上に設けられアルミニウム膜またはアルミニウム合金膜である第２金属膜と、前記第１金属膜と前記第２金属膜との間に設けられチタンとアルミニウムの相互拡散を抑制するバリア膜と、を有する複数の電極指と、を備える弾性波共振器である。

上記構成において、前記バリア膜は、前記第１金属膜より薄い構成とすることができる。

上記構成において、前記第１金属膜の厚さは、前記複数の電極指の厚さの１／３以下である構成とすることができる。

上記構成において、前記バリア膜は、チタンの融点より高い融点を有する構成とすることができる。

上記構成において、前記バリア膜は、窒化チタン膜、窒化アルミニウム膜、タングステン膜、モリブデン膜、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、タンタル膜、酸化タンタル膜、またはニオブ膜の単層膜もしくは積層膜である構成とすることができる。

上記構成において、前記バリア膜は、導電性を有する構成とすることができる。

上記構成において、前記バリア膜は、酸化タングステン膜、窒化モリブデン膜、シリコン膜、ニッケル膜、ニッケル合金膜、または酸化ニオブ膜の単層膜もしくは積層膜である構成とすることができる。

上記構成において、前記圧電基板は、タンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板である構成とすることができる。

本発明は、上記に記載の弾性波共振器を含むフィルタである。

本発明は、上記に記載のフィルタを含むマルチプレクサである。

本発明によれば、耐電力性を向上させることができる。

図１（ａ）は、実施例１に係る弾性波共振器の平面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ－Ａ断面図である。 図２は、実施例１における電極指付近の断面図である。 図３（ａ）は、比較例１における電極指付近の断面図であり、図３（ｂ）は、比較例２における電極指付近の断面図である。 図４（ａ）は、サンプルＡ、Ｂ、Ｃにおける入力パワーに対する出力パワーを示す図であり、図４（ｂ）は、時間に対する出力パワーの変化量を示す図である。 図５（ａ）および図５（ｂ）は、サンプルＣの電極指の断面ＳＥＭ（Scanning Electron Microscope）像を模式的に示した断面図である。 図６（ａ）は、サンプルＤ、Ｅにおける入力パワーに対する出力パワーを示す図であり、図６（ｂ）は、時間に対する出力パワーの変化量を示す図である。 図７は、実施例２に係るフィルタの回路図である。 図８は、実施例３に係るデュプレクサのブロック図である。

以下、図面を参照して、本発明の実施例について説明する。

図１（ａ）は、実施例１に係る弾性波共振器１００の平面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ－Ａ断面図である。図１（ａ）および図１（ｂ）に示すように、弾性波共振器１００は、圧電基板１０上にＩＤＴ３０と反射器４０とが設けられた弾性表面波共振器である。反射器４０はＩＤＴ３０の両側に設けられている。圧電基板１０は例えば支持基板２０上に接合されている。

ＩＤＴ３０は、対向する一対の櫛型電極３２を備える。櫛型電極３２は、複数の電極指３４と、複数の電極指３４が接続されたバスバー３６と、を備える。一対の櫛型電極３２は、電極指３４がほぼ互い違いとなるように、対向して設けられている。

ＩＤＴ３０が励振する弾性波は、主に電極指３４の配列方向に伝搬する。電極指３４のピッチがほぼ弾性波の波長λとなる。反射器４０は弾性波を反射する。弾性波の伝搬方向をＸ方向、伝搬方向に直交する方向をＹ方向とする。Ｘ方向およびＹ方向は、圧電基板１０の結晶方位のＸ軸方向およびＹ軸方向とは必ずしも対応しない。圧電基板１０は、例えばタンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板である。支持基板２０は、例えばサファイア基板、シリコン基板、スピネル基板、石英基板、水晶基板、アルミナ基板、または炭化シリコン基板である。なお、圧電基板１０上に、ＩＤＴ３０および反射器４０を覆うように絶縁膜からなる保護膜が設けられていてもよい。

図２は、実施例１における電極指３４付近の断面図である。図２に示すように、電極指３４は、圧電基板１０上に設けられた金属膜５０と、金属膜５０上に設けられたバリア膜５２と、バリア膜５２上に設けられた金属膜５４と、を備える。金属膜５０は、チタン膜またはチタン合金膜であり、厚さが１０ｎｍより大きい。チタン合金膜は、チタンに銅、アルミニウムなどの材料が添加されているが、その添加量が１０ｗｔ％（重量パーセント濃度）未満（例えば３ｗｔ％以下）である。金属膜５４は、アルミニウム膜またはアルミニウム合金膜である。アルミニウム合金膜は、アルミニウムに銅、シリコンなどの材料が添加されているが、その添加量が１０ｗｔ％未満（例えば３ｗｔ％以下）である。圧電基板１０とバリア膜５２との間にチタン膜またはチタン合金膜である金属膜５０が設けられていることで、圧電基板１０と電極指３４の密着性が向上する。金属膜５４は、主に電流が流れる層であることから、電気抵抗率が低いことが好ましい。金属膜５４にアルミニウム膜またはアルミニウム合金膜を用いることで、電気抵抗率が低くなる。

バリア膜５２は、金属膜５０に含まれるチタンと金属膜５４に含まれるアルミニウムとの相互拡散を抑制する膜である。バリア膜５２は、例えば窒化チタン（ＴｉＮ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、タングステン（Ｗ）、酸化タングステン（ＷＯ_３）、モリブデン（Ｍｏ）、窒化モリブデン（Ｍｏ_２Ｎ）、シリコン（Ｓｉ）、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）、窒化シリコン（ＳｉＮ）、ニッケル（Ｎｉ）、ニッケル合金（例えばニクロム）、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）、タンタル（Ｔａ）、酸化タンタル（Ｔａ_２Ｏ_５）、ニオブ（Ｎｂ）、または酸化ニオブ（Ｎｂ_２Ｏ_５）などにより形成されている。

バリア膜５２は、金属膜５０および金属膜５４より薄く、例えば２ｎｍ以上２０ｎｍ以下である。例えば、バリア膜５２の厚さは、金属膜５０の厚さの１／３以下であり、１／４以下でもよい。金属膜５４は、金属膜５０より厚い。例えば、金属膜５４の厚さは、金属膜５０の厚さの１．３倍以上であり、１．５倍以上でもよい。

［製造方法］
実施例１に係る弾性波共振器１００は以下の方法により製造される。まず、表面が平坦な支持基板２０を準備する。支持基板２０の表面の算術平均粗さＲａは例えば１ｎｍ以下である。支持基板２０の上面に例えば表面活性化法を用いて圧電基板１０を接合する。その後、圧電基板１０の上面を例えばＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）法を用いて研磨し、圧電基板１０を所望の厚さまで薄くする。次いで、圧電基板１０上に、例えばスパッタリング法およびエッチング法を用いて、ＩＤＴ３０および反射器４０を形成する。ＩＤＴ３０および反射器４０は、リフトオフ法により形成してもよい。これにより、実施例１に係る弾性波共振器１００が形成される。

［比較例］
図３（ａ）は、比較例１における電極指３４付近の断面図であり、図３（ｂ）は、比較例２における電極指３４付近の断面図である。図３（ａ）に示すように、比較例１における電極指３４は、アルミニウム膜またはアルミニウム合金膜である金属膜５４のみで構成されている。図３（ｂ）に示すように、比較例２における電極指３４は、チタン膜またはチタン合金膜である金属膜５０と、アルミニウム膜またはアルミニウム合金膜である金属膜５４と、により構成されている。金属膜５０は密着膜としての機能を有する。

［実験］
比較例１および比較例２に係る弾性波共振器を用いてフィルタを作製して耐電力試験を行った。試験は、比較例１に係る弾性波共振器を用いて作製したラダー型フィルタ（サンプルＡ）、比較例２に係る弾性波共振器を用いて作製したラダー型フィルタ（サンプルＢ、Ｃ）に対して行った。
サンプルＡ
支持基板２０：サファイア基板
圧電基板１０：タンタル酸リチウム基板
金属膜５４：アルミニウム合金（アルミニウムに１．０ｗｔ％の銅を添加）膜
サンプルＢ
支持基板２０：サファイア基板
圧電基板１０：タンタル酸リチウム基板
金属膜５０：厚さが１０ｎｍのチタン膜
金属膜５４：アルミニウム合金（アルミニウムに１．０ｗｔ％の銅を添加）膜
サンプルＣ
支持基板２０：サファイア基板
圧電基板１０：タンタル酸リチウム基板
金属膜５０：厚さが６０ｎｍのチタン膜
金属膜５４：アルミニウム合金（アルミニウムに１．０ｗｔ％の銅を添加）膜

図４（ａ）は、サンプルＡ、Ｂ、Ｃにおける入力パワーに対する出力パワーを示す図であり、図４（ｂ）は、時間に対する出力パワーの変化量を示す図である。図４（ａ）は、入力パワーを徐々に上げていき、出力パワーが出力されなくなったときの入力パワーを測定するリニアリティ試験の結果である。図４（ｂ）は、入力パワーを固定した状態で放置し、出力パワーの変化量により劣化時間を測定する寿命試験の結果である。図４（ａ）および図４（ｂ）では、サンプルＡの試験結果を点線で示し、サンプルＢの試験結果を一点鎖線で示し、サンプルＣの試験結果を破線で示している。また、図４（ａ）においては、サンプルＡ、Ｂをそれぞれ２つ作製し、サンプルＣを６つ作製し、それぞれの試験結果を示している。

図４（ａ）に示すように、サンプルＡでは、入力パワーがあまり大きくない状態で電極指３４に破壊が生じて出力パワーが出力されなくなった。サンプルＢでは、サンプルＡよりも出力パワーが出力されなくなったときの入力パワーが大きかった。サンプルＣでは、本試験の入力パワーの範囲では電極指３４に破壊が生じずに出力パワーの出力が維持された。

図４（ｂ）に示すように、サンプルＡでは、試験開始からある時間経過したときに出力パワーが大きく変化したのに対し、サンプルＢ、Ｃでは、本試験の時間内では出力パワーが大きく変化することはなかった。

図４（ａ）および図４（ｂ）のように、サンプルＢはサンプルＡよりも耐電力性が高く、サンプルＣはサンプルＢよりも耐電力性が高い結果であった。この理由は例えば以下のように考えられる。ＩＤＴ３０に大電力の高周波信号が入力されると、圧電基板１０に弾性表面波が励振される。これにより、圧電基板１０に振動による変形が生じ、この変形に伴う応力が電極指３４に加わる。アルミニウム膜またはアルミニウム合金膜である金属膜５４は、圧電基板１０の変形に伴う応力に対する耐性が強くないと考えられる。サンプルＡでは、電極指３４が金属膜５４のみからなることから、耐電力性が低くなったと考えられる。これに対し、サンプルＢは、圧電基板１０と金属膜５４との間に厚さ１０ｎｍのチタン膜である金属膜５０が設けられている。サンプルＣは、圧電基板１０と金属膜５４との間に厚さ６０ｎｍのチタン膜である金属膜５０が設けられている。チタンはアルミニウムに比べて硬い為（チタンのヤング率：１２０ＧＰａ、アルミニウムのヤング率：７０ＧＰａ）、金属膜５０は金属膜５４に比べて圧電基板１０の変形に伴う応力に対する耐性が強いと考えられる。金属膜５０が厚くなるほど、圧電基板１０の変形に伴う応力が金属膜５４まで加わり難くなると考えられるため、サンプルＢはサンプルＡよりも耐電力性が向上し、サンプルＣはサンプルＢよりも耐電力性が向上したと考えられる。図４（ａ）の結果から、耐電力性を向上させるには、金属膜５０の厚さは１０ｎｍより大きい場合が好ましいことが言える。

しかしながら、金属膜５０を１０ｎｍより厚いチタン膜またはチタン合金膜とすると、金属膜５０に含まれるチタンと金属膜５４に含まれるアルミニウムとが相互に熱拡散した拡散領域が大きく形成されてしまうことが分かった。このことについて、図を用いて説明する。図５（ａ）および図５（ｂ）は、サンプルＣの電極指３４の断面ＳＥＭ（Scanning Electron Microscope）像を模式的に示した断面図である。図５（ａ）は、耐電力試験を行う前の電極指３４を示し、図５（ｂ）は、耐電力試験後において電極指３４に破壊が生じる直前を示している。

図５（ａ）に示すように、耐電力試験前においては、電極指３４は金属膜５０と金属膜５４との界面がはっきりとした２層構造となっていた。図５（ｂ）に示すように、耐電力試験後において電極指３４に破壊が発生する直前においては、金属膜５０と金属膜５４との界面がはっきりしなくなり、金属膜５０と金属膜５４との間に領域５６が形成されていた。領域５６は、ＩＤＴ３０に大電力の高周波信号が入力されて電極指３４が発熱したことにより、金属膜５０に含まれるチタンと金属膜５４に含まれるアルミニウムとが相互に熱拡散して形成されたチタンとアルミニウムの金属間化合物または合金からなる領域であると考えられる。領域５６の厚さは、例えば１０ｎｍ～１５ｎｍ程度であった。

金属膜５０と金属膜５４との間に、チタンとアルミニウムの金属間化合物または合金からなる領域５６が形成されると、電極指３４の電気抵抗が増大する。例えば、チタンの電気抵抗率は４２０ｎΩ・ｍ、アルミニウムの電気抵抗率は２８．２ｎΩ・ｍ、チタンとアルミニウムの金属間化合物または合金の電気抵抗率は５８ｎΩ・ｍ程度である。このため、ＩＤＴ３０に大電力の高周波信号が入力された場合における電極指３４の温度上昇が大きくなり、電極指３４に変形、および／または溶断などの破壊が生じて、十分な耐電力性を確保できないことがある。近年、弾性波共振器の高周波化に伴い、電極指３４の幅が狭くなっている。このため、チタンとアルミニウムの金属間化合物または合金からなる領域５６が形成されると、電極指３４の温度上昇が更に大きくなる。このように、圧電基板１０と金属膜５４との間に１０ｎｍより厚い金属膜５０を設けただけでは、電極指３４の耐電力性を十分に確保することは難しいことが分かった。

そこで、実施例１では、金属膜５０と金属膜５４との間に、チタンとアルミニウムの相互拡散を抑制するバリア膜５２を設けている。

［実験］
実施例１および比較例２に係る弾性波共振器を用いてフィルタを作製して耐電力試験を行った。試験は、実施例１に係る弾性波共振器を用いて作製したラダー型フィルタ（サンプルＤ）、比較例２に係る弾性波共振器を用いて作製したラダー型フィルタ（サンプルＥ）に対して行った。
サンプルＤ
支持基板２０：サファイア基板
圧電基板１０：タンタル酸リチウム基板
金属膜５０：厚さが５０ｎｍのチタン膜
バリア膜５２：厚さが１０ｎｍの窒化チタン膜
金属膜５４：アルミニウム合金（アルミニウムに１．０ｗｔ％の銅を添加）膜
サンプルＥ
支持基板２０：サファイア基板
圧電基板１０：タンタル酸リチウム基板
金属膜５０：厚さが６０ｎｍのチタン膜
金属膜５４：アルミニウム合金（アルミニウムに１．０ｗｔ％の銅を添加）膜

図６（ａ）は、サンプルＤ、Ｅにおける入力パワーに対する出力パワーを示す図であり、図６（ｂ）は、時間に対する出力パワーの変化量を示す図である。図６（ａ）は、入力パワーを徐々に上げていき、出力パワーが出力されなくなったときの入力パワーを測定するリニアリティ試験の結果である。図６（ｂ）は、入力パワーを固定した状態で放置し、出力パワーの変化量により劣化時間を測定する寿命試験の結果である。図６（ａ）および図６（ｂ）では、サンプルＤの試験結果を実線で示し、サンプルＥの試験結果を破線で示している。また、図６（ａ）においては、サンプルＤ、Ｅをそれぞれ２つ作製し、それぞれの試験結果を示している。なお、図６（ａ）および図６（ｂ）は、図４（ａ）および図４（ｂ）と比べて、横軸および縦軸のスケールが異なっている。

図６（ａ）に示すように、サンプルＤは、サンプルＥに比べて、出力パワーが出力されなくなったときの入力パワーが大きかった。図６（ｂ）に示すように、サンプルＤは、サンプルＥに比べて、出力パワーが大きく変化するまでの時間が長かった。

図６（ａ）および図６（ｂ）の試験結果から、サンプルＤはサンプルＥよりも耐電力性が高いことが分かる。サンプルＤの耐電力性が向上した理由は例えば以下のように考えられる。サンプルＤでは、金属膜５０と金属膜５４との間にバリア膜５２が設けられている。このため、金属膜５０に含まれるチタンと金属膜５４に含まれるアルミニウムとの相互熱拡散が抑制され、金属膜５０と金属膜５４との間にチタンとアルミニウムの金属間化合物または合金からなる領域の形成が抑制されると考えられる。これにより、電極指３４の電気抵抗の増大が抑制され、ＩＤＴ３０に大電力の高周波信号が入力された場合でも電極指３４の温度上昇が抑制されるため、耐電力性が向上したと考えられる。

以上のように、実施例１によれば、電極指３４は、アルミニウム膜またはアルミニウム合金膜である金属膜５４（第２金属膜）と圧電基板１０との間に、１０ｎｍより厚いチタン膜またはチタン合金膜である金属膜５０（第１金属膜）を備える。これにより、圧電基板１０の変形に伴う応力が金属膜５４まで加わり難くなるため、耐電力性を向上させることができる。また、電極指３４は、金属膜５０と金属膜５４との間に、チタンとアルミニウムの相互拡散を抑制するバリア膜５２を備える。これにより、金属膜５０と金属膜５４との間にチタンとアルミニウムの金属間化合物または合金からなる領域の形成が抑制されるため、電極指３４の電気抵抗の増大に伴う破壊が抑制される。よって、耐電力性を向上させることができる。

圧電基板１０の変形に伴う応力が金属膜５４まで加わり難くなるよう、金属膜５０の厚さは、２０ｎｍ以上の場合が好ましく、３０ｎｍ以上の場合がより好ましく、４０ｎｍ以上の場合が更に好ましい。

アルミニウム膜またはアルミニウム合金膜である金属膜５４は、チタン膜またはチタン合金膜である金属膜５０より厚い。金属膜５４は、主に電流が流れる層であることから、金属膜５４が厚いことで、電極指３４の電気抵抗の増大を抑制することができる。金属膜５４は、電極指３４の電気抵抗の増大を抑制する観点から、金属膜５０の１．５倍以上の厚さである場合が好ましく、２．０倍以上の厚さである場合がより好ましく、２．５倍以上の厚さである場合が更に好ましい。

バリア膜５２は、金属膜５０より薄い。これによっても、金属膜５４を厚くできるため、電極指３４の電気抵抗の増大を抑制することができる。また、バリア膜５２が金属膜５０より薄いことで、反対に金属膜５０がバリア膜５２より薄い場合に比べて、電極指３４の抵抗を小さくする効果が得られる。バリア膜５２は、電極指３４の電気抵抗の増大を抑制する観点から、金属膜５０の１／３以下の厚さである場合が好ましく、１／４以下の厚さである場合がより好ましく、１／５以下の厚さである場合が更に好ましい。バリア膜５２は、チタンとアルミニウムの相互拡散を抑制する観点から、２ｎｍ以上の厚さである場合が好ましく、５ｎｍ以上の厚さである場合がより好ましく、１０ｎｍ以上の厚さである場合が更に好ましい。

チタン膜またはチタン合金膜である金属膜５０を厚くするほど、アルミニウム膜またはアルミニウム合金膜である金属膜５４は、圧電基板１０の変形に伴う応力の影響を受け難くなる。しかしながら、金属膜５０が厚くなるほど、相対的に金属膜５４は薄くなるため、電極指３４の電気抵抗が増大して特性が劣化してしまう。したがって、金属膜５０の厚さは、電極指３４の厚さの１／３以下が好ましく、１／４以下がより好ましく、１／５以下が更に好ましい。例えば、金属膜５０の厚さは、８０ｎｍ以下が好ましく、７０ｎｍ以下がより好ましく、６０ｎｍ以下が更に好ましい。

バリア膜５２は、チタンの融点（１６６８℃）より高い融点を有する場合が好ましい。融点の高い材料は、原子同士の結合エネルギーが高く熱力学的に安定になり、相互拡散のバリア性が高くなると考えられる。よって、バリア膜５２がチタンの融点より高い融点を有することで、金属膜５０のチタンと金属膜５４のアルミニウムとの相互拡散を効果的に抑制することができる。チタンの融点よりも高い融点を有し、バリア膜５２として用いることができる材料として、窒化チタン（融点：２９３０℃）、窒化アルミニウム（融点：２２００℃）、タングステン（融点：３４２２℃）、モリブデン（融点：２６２３℃）、酸化シリコン（融点：１７１０℃）、窒化シリコン（融点：１９００℃）、酸化アルミニウム（融点：２０７２℃）、タンタル（融点：３０１７℃）、酸化タンタル（融点：１８７２℃）、およびニオブ（融点：２４７７℃）が挙げられる。したがって、バリア膜５２は、これらの単層膜または積層膜の場合でもよい。これらの膜は、数ｗｔ％程度の不純物が含まれていてもよい。なお、アルミニウムの融点は６６０．３℃である。

また、バリア膜５２は、絶縁性を有する場合でもよいが、導電性を有する場合が好ましい。これにより、電極指３４の電気抵抗の増大を抑制することができ、特性の劣化を抑制できる。導電性を有し、バリア膜５２として用いることができる材料として、上記の窒化チタン、タングステン、モリブデン、タンタル、ニオブの他に、ニッケル（融点：１４５５℃）が挙げられる。したがって、バリア膜５２は、これらの単層膜または積層膜の場合でもよい。これらの膜は、数ｗｔ％程度の不純物が含まれていてもよい。

バリア膜５２は、チタンとアルミニウムの相互拡散を抑制する性質を有すればよいことから、上記の他に、例えば、酸化タングステン膜、窒化モリブデン膜、シリコン膜、酸化ニオブ膜、またはニクロムなどのニッケル合金膜を用いてもよい。これらの膜は、数ｗｔ％程度の不純物が含まれていてもよい。

なお、実施例１では、圧電基板１０が支持基板２０に接合されている場合を示したが、支持基板２０に接合されてなく、圧電基板１０単体の場合でもよい。また、圧電基板１０と支持基板２０との間に酸化シリコン、酸化アルミニウム、および／または窒化アルミニウムなどの絶縁層が設けられていてもよい。

図７は、実施例２に係るフィルタ２００の回路図である。図７に示すように、フィルタ２００は、入力端子Ｔｉｎと出力端子Ｔｏｕｔとの間に、１または複数の直列共振器Ｓ１からＳ４が直列に接続され、１または複数の並列共振器Ｐ１からＰ３が並列に接続されている。１または複数の直列共振器Ｓ１からＳ４、および、１または複数の並列共振器Ｐ１からＰ３の少なくとも１つの共振器に実施例１に係る弾性波共振器１００を用いることができる。ラダー型フィルタの共振器の個数などは適宜設定できる。

図８は、実施例３に係るデュプレクサ３００のブロック図である。図８に示すように、デュプレクサ３００は、共通端子Ａｎｔと送信端子Ｔｘとの間に送信フィルタ６０が接続されている。共通端子Ａｎｔと受信端子Ｒｘとの間に受信フィルタ６２が接続されている。送信フィルタ６０は、送信端子Ｔｘから入力された信号のうち送信帯域の信号を送信信号として共通端子Ａｎｔに通過させ、他の周波数の信号を抑圧する。受信フィルタ６２は、共通端子Ａｎｔから入力された信号のうち受信帯域の信号を受信信号として受信端子Ｒｘに通過させ、他の周波数の信号を抑圧する。送信フィルタ６０および受信フィルタ６２の少なくとも一方を実施例２に係るフィルタ２００とすることができる。

実施例３では、マルチプレクサとしてデュプレクサを例に示したが、トリプレクサまたはクワッドプレクサの場合でもよい。

以上、本願発明の実施形態について詳述したが、本願発明はかかる特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本願発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。

１０ 圧電基板
２０ 支持基板
３０ ＩＤＴ
３２ 櫛型電極
３４ 電極指
３６ バスバー
４０ 反射器
５０ 金属膜
５２ バリア膜
５４ 金属膜
５６ 領域
６０ 送信フィルタ
６２ 受信フィルタ
１００ 弾性波共振器
２００ フィルタ
３００ デュプレクサ

Claims (10)

1. 圧電基板と、
   前記圧電基板上に設けられ１０ｎｍより厚いチタン膜またはチタン合金膜である第１金属膜と、前記第１金属膜上に設けられアルミニウム膜またはアルミニウム合金膜である第２金属膜と、前記第１金属膜と前記第２金属膜との間に設けられチタンとアルミニウムの相互拡散を抑制するバリア膜と、を有する複数の電極指と、を備える弾性波共振器。
2. 前記バリア膜は、前記第１金属膜より薄い、請求項１に記載の弾性波共振器。
3. 前記第１金属膜の厚さは、前記複数の電極指の厚さの１／３以下である、請求項１または２に記載の弾性波共振器。
4. 前記バリア膜は、チタンの融点より高い融点を有する、請求項１から３のいずれか一項に記載の弾性波共振器。
5. 前記バリア膜は、窒化チタン膜、窒化アルミニウム膜、タングステン膜、モリブデン膜、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、タンタル膜、酸化タンタル膜、またはニオブ膜の単層膜もしくは積層膜である、請求項１から４のいずれか一項に記載の弾性波共振器。
6. 前記バリア膜は、導電性を有する、請求項１から４のいずれか一項に記載の弾性波共振器。
7. 前記バリア膜は、酸化タングステン膜、窒化モリブデン膜、シリコン膜、ニッケル膜、ニッケル合金膜、または酸化ニオブ膜の単層膜もしくは積層膜である、請求項１から３のいずれか一項に記載の弾性波共振器。
8. 前記圧電基板は、タンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板である、請求項１から７のいずれか一項に記載の弾性波共振器。
9. 請求項１から８のいずれか一項に記載の弾性波共振器を含むフィルタ。
10. 請求項９に記載のフィルタを含むマルチプレクサ。
    

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