JPWO2007125734A1 - 弾性表面波装置 - Google Patents
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Abstract
Description
(発明の効果)
2…LiNbO3基板
3…IDT電極
4,5…反射器
6…第1の酸化ケイ素膜
7…第2の酸化ケイ素膜
オイラー角(0°,20°〜50°,0°)のLiNbO3基板2において励振されるレイリー波及びスプリアスとなるSH波に関し、有限要素法により計算を行った。なお、計算モデルは、図1(b)に示すように、第2の酸化ケイ素膜の上面が平坦な構造とし、IDT電極をAuで構成し、第1,第2の酸化ケイ素膜6,7はSiO2膜により構成したものとした。なお、IDT電極のデューティは0.50とし、第2の酸化ケイ素膜7を構成しているSiO2膜の膜厚は0.3λの厚みとした。
Claims (2)
- オイラー角(0°±5°,θ±5°,0°±10°)のLiNbO3基板と、
前記LiNbO3基板上に形成されており、Auを主体とするIDT電極を含む電極と、
前記電極が形成されている領域を除いた残りの領域において、前記電極と等しい厚みとなるように形成されている第1の酸化ケイ素膜と、
前記電極及び第1の酸化ケイ素膜を被覆するように形成された第2の酸化ケイ素膜とを備え、レイリー波を利用した弾性表面波装置であって、
表面波の波長λとしたときに、前記電極の膜厚が0.062λ〜0.14λの範囲にあり、前記オイラー角(0°±5°,θ±5°,0°±10°)のθが下記の式(1)を満たす範囲とされていることを特徴とする、弾性表面波装置。
- 前記第2の酸化ケイ素膜の膜厚Hが、0.15λ〜0.50λの範囲とされている、請求項1に記載の弾性表面波装置。
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