JP2015012324A - 弾性境界波装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】電気機械結合係数K2及び反射係数を効果的に高めることができる弾性境界波装置を提供する。【解決手段】LiNbO3層2上に、酸化ケイ素層3及び高音速媒質層4が積層されており、高音速媒質層4を伝搬する遅い横波の音速は、酸化ケイ素層3を伝搬する遅い横波の音速よりも高く、LiNbO3層2と酸化ケイ素層3との界面にIDT電極5が設けられており、IDT電極5が、Pt膜上にAl膜を積層した構造を有し、P+SV型弾性境界波を利用しており、該P+SV型弾性境界波の波長λとしたときに、酸化ケイ素層3の厚みが0.7λ〜1.0λの範囲にあり、Pt膜の膜厚が0.042λ〜0.06λの範囲にあり、Al膜の膜厚が0.08λ〜0.20λの範囲にある、弾性境界波装置1。【選択図】図1
Description
本発明は、例えば帯域フィルタや共振子として用いられる弾性境界波装置に関し、より詳細には、いわゆる三媒質構造の弾性境界波装置に関する。
従来、三媒質構造の弾性境界波装置が種々提案されている。例えば下記の特許文献1や特許文献2では、LiNbO3上に、SiO2層及び高音速媒質層がこの順序で積層されている。IDT電極は、LiNbO3とSiO2層との間の界面に設けられている。特許文献1では、高次モードを抑制するためには、SiO2層の厚みは、0.7λ以下であることが好ましい旨が記載されている。また、特許文献2では、SiO2層の膜厚を1.4λ以下とすることが好ましい旨が記載されている。
特許文献1や特許文献2に記載の弾性境界波装置では、利用する弾性境界波の電気機械結合係数K2が十分大きくなく、またIDT電極における反射係数が小さいという問題があった。
本発明の目的は、利用する弾性境界波の電気機械結合係数K2が十分に大きく、かつIDT電極の反射係数を効果的に高め得る弾性境界波装置を提供することにある。
本発明に係る弾性境界波装置は、LiNbO3と、上記LiNbO3上に積層されている酸化ケイ素層と、上記酸化ケイ素層上に積層されている高音速媒質層とを備える。高音速媒質層は、伝搬する遅い横波の音速が、酸化ケイ素層を伝搬する遅い横波よりも相対的に高い。本発明の弾性境界波装置では、上記LiNbO3と、上記酸化ケイ素層との間に配置されたIDT電極とがさらに備えられている。
本発明の弾性境界波装置は、P+SV型弾性境界波を利用している。
本発明では、IDT電極がPt膜と、Pt膜上に積層されたAl膜とを有する。Pt膜の膜厚は0.042λ〜0.06λの範囲にあり、Al膜の膜厚は0.08λ〜0.20λの範囲にある。なお、λは利用する弾性境界波であるP+SV型弾性境界波の波長である。また、上記酸化ケイ素層の厚みは、0.7λ〜1.0λの範囲とされている。
本発明に係る弾性境界波装置では、好ましくは、上記LiNbO3のオイラー角が(0°,17°〜39°,0°)の範囲にある。
本発明に係る弾性境界波装置によれば、利用するP+SV型弾性境界波の電気機械結合係数K2を高めることができ、かつIDT電極の反射係数を効果的に高めることが可能となる。さらに、IDT電極がPt膜及びAl膜を含む積層金属膜からなるため、IDT電極における電気抵抗を低めることが可能となる。
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
図1(a)及び(b)は、本発明の一実施形態に係る弾性境界波装置の正面断面図及びその電極構造を示す模式的平面図である。弾性境界波装置1は、LiNbO3層2と、LiNbO3層2上に積層されている酸化ケイ素層としてのSiO2層3と、SiO2層3上に積層されている高音速媒質層4とを有する。すなわち、弾性境界波装置1は、いわゆる三媒質構造の弾性境界波装置である。
LiNbO3層2と、SiO2層3との間に、IDT電極5及び反射器6,7を含む電極構造が形成されている。
上記高音速媒質層4は、伝搬する遅い横波の音速が、SiO2層3を伝搬する遅い横波の音速よりも高い誘電体からなる。このような誘電体としては、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、ケイ素、炭化ケイ素、窒化アルミニウム、DLC(ダイヤモンドライクカーボン)などを挙げることができる。
本実施形態では、高音速媒質層4は、SiNからなる。IDT電極5及び反射器6,7は、本実施形態では、Pt膜と、Pt膜上に積層されたAl膜とを有する。
図2は、弾性境界波装置の積層構造を説明するための模式的部分拡大断面図である。ここでは、IDT電極5の一本の電極指が設けられている部分が拡大して示されている。IDT電極5の電極指5aを拡大して示すように、IDT電極5は、Pt膜11上に、Al膜12を積層してなる積層金属膜からなる。なお、IDT電極5では、他の金属膜がさらに積層されていてもよい。
本実施形態の弾性境界波装置1は、P+SV型弾性境界波を利用している。この弾性境界波の波長λとしたとき、Pt膜11の膜厚は、0.042λ〜0.06λの範囲にあり、Al膜12の膜厚が0.08λ〜0.20λの範囲にあり、SiO2層3の膜厚が、0.7λ〜1.0λの範囲とされている。弾性境界波装置1では、IDT電極5及びSiO2膜3が上記のように構成されているため、P+SV型弾性境界波の電気機械結合係数K2を大きくすることができ、IDT電極5の反射係数を効果的に高めることができる。これを、図3〜図6を参照して説明する。
上記弾性境界波装置1の特性値を、有限要素法を用いてシミュレーションにより求めた。LiNbO3層2のオイラー角は(0°,30°,0°)とした。言い換えれば、120°YカットX伝搬のLiNbO3を用いた。
LiNbO3層2の厚みは、4.0λとした。また、高音速媒質層4としてのSiN膜の厚みは2.0λとした。
IDT電極におけるデューティー比は0.5とした。上記IDT電極5において、Pt膜11の膜厚を0.05λとし、Al膜12の膜厚は0.10λとした。SiO2層3の膜厚を種々変化させ、複数種の弾性境界波装置1の特性値を得た。
このようにして用意した複数種の弾性境界波装置について、電気機械結合係数K2に相当する比帯域(%)と、反射係数に相当するストップバンド幅SB(%)を計算した。結果を図3及び図4に示す。
なお、比帯域(%)は、比帯域(%)={(反共振周波数―共振周波数)/共振周波数}×100で求めた。比帯域(%)は、電気機械結合係数K2と比例関係にある。
また、ストップバンド幅SB(%)は、反射係数と相関を有している。
図3から明らかなように、SiO2層3の膜厚が変化すると、比帯域が変化する。SiO2層3の膜厚が、0.5λ〜1.0λの範囲では、比帯域は十分大きく、かつSiO2層の膜厚のばらつきによる比帯域のばらつきも小さい。すなわち、製造ばらつきによる弾性境界波装置の特性の変動を小さくすることができる。また、SiO2層3の膜厚が0.5λ未満では、比帯域の値が小さくなるだけでなく、SiO2層3の膜厚の変化により比帯域が大幅に変動することがわかる。すなわち、製造ばらつきによる弾性境界波装置の特性の変動が大きくなる。
図4から、SiO2層3の膜厚が増加すると、ストップバンド幅SB(%)が大きくなっていくことがわかる。特に、SiO2層3の膜厚が、0.7λ以上では、ストップバンド幅が8.2%以上と大きく、しかもSiO2層3の膜厚の変化によるストップバンド幅の変化が小さいことがわかる。
よって、SiO2層3の膜厚を0.7λ〜1.0λの範囲とすることにより、比帯域及びストップバンド幅を十分に大きくし得ることがわかる。
なお、前述した特許文献1では、SiO2層の厚みを厚くすると、高次モードが発生するため、SiO2層の膜厚は0.7λ以下が好ましいと記載されている。これは、オイラー角が(0°,105°,0°)のLiNbO3において、SH型弾性境界波を用いた場合に、高次モードを抑制するための条件として、記載されているものである。
本実施形態では、P+SV型弾性境界波を使用しているため、高次モードは発生し難い。
また、上記と同様にして、但し、SiO2層3の膜厚を0.80λ、Al膜12の膜厚を0.10λと固定し、Pt膜11の膜厚を変化させた場合の弾性境界波装置について、比帯域(%)及びストップバンド幅SB(%)を計算した。結果を図5及び図6に示す。
図5から明らかなように、Pt膜11の膜厚が厚くなるにつれ、比帯域が大きくなり、図6からストップバンド幅SBも大きくなることがわかる。従って、電気機械結合係数K2を高めるには、Pt膜11の膜厚は厚い方が好ましく、0.042λ以上とすることにより、比帯域を3.4%以上と十分大きくすることができる。さらに、図6より、Pt膜11の膜厚が0.06λ以上では、ストップバンド幅SBは、ほぼ一定である。従って、ストップバンド幅を高めるには、Pt膜11の膜厚が厚い方が望ましいが、0.06λ以上にする必要は必ずしもない。
他方、Pt膜11の膜厚が厚過ぎると、電極指の幅の変化に対する周波数の変化量が大きくなる。そのため、製造ばらつきが大きくなる。従って、Pt膜11の膜厚は、特性が確保し得る限り、薄いことが望ましい。従って、本発明では、Pt膜11の膜厚は、0.042λ〜0.06λの範囲とされる。
他方、Al膜12の膜厚を厚くすると、電極指の電気抵抗が小さくなる。従って、弾性境界波装置1を低損失化するには、Al膜12は厚い方が望ましい。1〜2GHzの周波数帯で用いられているLiTaO3基板を有する弾性表面波装置では、Al電極の膜厚は、通常、0.08λ〜0.10λとされている。本発明の弾性境界波装置を、LiTaO3基板を用いた上記弾性表面波装置と同じ用途で用いる場合には、電気抵抗を含め同等以上の電気的特性を得るには、Al膜12の膜厚は0.08λ以上とする必要がある。
LiTaO3を用いた弾性表面波装置では、Al膜の厚みが0.10λを超えると、電気抵抗による損失が小さくなるが、伝搬損失が大きくなるという問題があった。そのため、損失が逆に増加しがちであった。
これに対して、本発明の弾性境界波装置では、電極を厚くしたとしても、伝搬損失はさほど大きくならない。従って、Al膜12の厚みを厚くすることで電気抵抗による損失を低減し、それによってデバイス全体の損失を低減することができる。
もっとも、電極の厚みが厚くなり過ぎると、IDT電極上に形成される酸化ケイ素層に不連続な部分が形成されたり、酸化ケイ素層と高音速媒質層との境界に凹凸が生じることによる不具合が生じるおそれがある。そのため、Al膜12の厚みは、0.20λ以下とすることが必要である。
よって、本発明では、Pt膜の膜厚が上記のように0.042λ〜0.06λの範囲とされており、Al膜の膜厚が0.08λ〜0.20λの範囲とされる。
なお、Pt膜は、Ptのみからなる膜の他、Ptを主体とする膜であってもよい。Al膜も、Alを主体とする膜であってもよい。
また、上記実施形態では、LiNbO3層2のオイラー角は(0°,30°,0°)としたが、これに限るものではない。図7に有限要素法により求めたLiNbO3層2のオイラー角(0°,θ,0°)のθとSH型境界波およびP+SV型境界波の比帯域の関係を示す。SiO2層の膜厚は0.80λ、Pt膜の膜厚は0.05λ、Al膜の膜厚は0.10λとした。これから明らかなように、LiNbO3層のオイラー角が(0°,17°〜39°,0°)の場合、SH型境界波の比帯域は0.3%以下となり、スプリアスモードとなるSH型境界波を十分に抑制することができる。また、LiNbO3層のオイラー角が(0°,27°〜36°,0°)の場合、SH型境界波の比帯域は0.1%以下となり、スプリアスモードとなるSH型境界波をさらに抑制することができる。特に、オイラー角(0°,30°,0°)付近においては、P+SV型境界波の比帯域が約3.5%と比較的大きくなるのに対して、SH型境界波の比帯域はほぼゼロとなり、SH型境界波によるスプリアスは発生しない。
なお、図1(b)では、1ポート型弾性境界波共振子の電極構造を示したが、本発明におけるIDT電極を含む電極構造は、これに限定されるものではない。すなわち、弾性境界波装置の機能及び用途によって、電極構造はIDT電極を含む限り、適宜変形することができる。
1…弾性境界波装置
2…LiNbO3層
3…SiO2層(酸化ケイ素層)
4…高音速媒質層
5…IDT電極
5a…電極指
6,7…反射器
11…Pt膜
12…Al膜
2…LiNbO3層
3…SiO2層(酸化ケイ素層)
4…高音速媒質層
5…IDT電極
5a…電極指
6,7…反射器
11…Pt膜
12…Al膜
Claims (2)
- LiNbO3と、
前記LiNbO3上に積層されている酸化ケイ素層と、
前記酸化ケイ素層上に積層されており、酸化ケイ素層を伝搬する遅い横波よりも、遅い横波の音速が相対的に高い高音速媒質層と、
前記LiNbO3と、前記酸化ケイ素層との間に配置されたIDT電極とを備え、
P+SV型弾性境界波を利用しており、
弾性境界波の波長λとしたときに、前記IDT電極が、Pt膜と、Pt膜上に積層されたAl膜とを有し、Pt膜の膜厚が0.042λ〜0.06λの範囲にあり、Al膜の膜厚が0.08λ〜0.20λの範囲にあり、
前記酸化ケイ素層の厚みが、0.7λ〜1.0λの範囲とされている、弾性境界波装置。 - 前記LiNbO3のオイラー角が(0°,17°〜39°,0°)の範囲にある、請求項1に記載の弾性境界波装置。
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