JPWO2015137089A1 - 弾性波装置 - Google Patents

Abstract

ＩＤＴ電極のＡｌ換算波長規格化厚みが従来よりも厚く、かつ、温度特性が良好であり、製造容易な弾性波装置を提供する。ＬｉＴａＯ３基板２の主面２ａにＩＤＴ電極３が設けられており、ＳＨ波が主体の基本モードであるＳＨ０モードの板波を利用している、弾性波装置１。ＬｉＴａＯ３基板２のＩＤＴ電極３の電極指ピッチで定まる波長により規格化したＬｉＴａＯ３基板２の波長規格化厚みと、ＩＤＴ電極３のＡｌ換算波長規格化厚みとが、下記の表１に示すいずれかの組み合わせを満たしている。【表１】

Description

本発明は、板波を利用した弾性波装置に関し、より詳細には、ＬｉＴａＯ_３基板を用いた弾性波装置に関する。

従来、ＬｉＴａＯ_３を用いたＳＨ波素子が得られている。例えば下記の特許文献１には、ＳＨ波の基本モードである、ＳＨ０モードを利用したＳＨ波素子が開示されている。特許文献１では、ＬｉＴａＯ_３基板の厚みを所定の厚みとすることにより、遅延時間温度係数ＴＣＤをほぼ０とし得ることが開示されている。また、１０ＭＨｚ帯で用いるＳＨ波素子の場合、金やアルミニウムなどの電極材料膜を膜厚０．２μｍ程度に形成すれば、ＴＣＤをほぼ０とし得ることが示されている。

特開２００４−２６０３８１号公報

特許文献１に記載の電極膜厚は、ＳＨ波素子の電極指ピッチで定まる波長で規格化すると、ＩＤＴ電極のＡｌ換算波長規格化厚みが０．０００６２５λと非常に薄くなる。すなわち、波長の０．１％以下の非常に薄い電極膜を形成しなければならない。特許文献１の実施例のように、１０ＭＨｚ程度の周波数で用いる場合には、電極の膜厚は０．２μｍ程度とさほど薄くはならない。しかしながら、５００ＭＨｚのような高周波帯で用いようとした場合には、電極膜厚は４ｎｍ、１ＧＨｚ帯で用いるには電極膜厚は約２ｎｍとなる。このように電極膜厚が薄くなると、電極指の抵抗が非常に大きくなる。そのため、損失が大きくなるという問題があった。加えて、電極膜厚が薄くなり過ぎると、微細なピッチの電極指を高精度に形成することも非常に困難となる。

本発明の目的は、ＬｉＴａＯ_３基板を伝搬するＳＨ０モードの板波を利用しており、ＩＤＴ電極のＡｌ換算波長規格化厚みが従来よりも厚く、かつ、温度特性が良好であり、しかも製造が容易な弾性波装置を提供することにある。

本願の第１の発明に係る弾性波装置は、ＬｉＴａＯ_３基板と、該ＬｉＴａＯ_３基板の主面に設けられており、ＡｌまたはＡｌを主体とするＩＤＴ電極とを備え、ＳＨ波が主体の基本モードである、ＳＨ０モードの板波を利用している。第１の発明では、前記ＬｉＴａＯ_３基板の前記ＩＤＴ電極の電極指ピッチで定まる波長により規格化した前記ＬｉＴａＯ_３基板の波長規格化厚みと、前記ＩＤＴ電極のＡｌ換算波長規格化厚みとが、下記の表１に示すいずれかの組み合わせを満たしている。

本願の第２の発明に係る弾性波装置は、ＬｉＴａＯ_３基板と、該ＬｉＴａＯ_３基板の主面に設けられており、ＡｌまたはＡｌを主体とするＩＤＴ電極とを備え、ＳＨ波が主体の基本モードである、ＳＨ０モードの板波を利用している。

第２の発明では、前記ＬｉＴａＯ_３基板の前記ＩＤＴ電極の電極指ピッチで定まる波長により規格化した前記ＬｉＴａＯ_３基板の波長規格化厚みと、前記ＩＤＴ電極のデューティとが、下記の表２に示すいずれかの組み合わせを満たしている。

本願の第３の発明に係る弾性波装置は、第１の主面と、該第１の主面とは反対側の第２の主面とを有するＬｉＴａＯ_３基板と、前記ＬｉＴａＯ_３基板の前記第１の主面に設けられており、ＡｌまたはＡｌを主体とするＩＤＴ電極と、前記ＬｉＴａＯ_３基板の前記第２の主面に設けられており、前記ＩＤＴ電極と前記ＬｉＴａＯ_３基板を介して対向するように設けられた導電膜とを備え、ＳＨ波が主体の基本モードである、ＳＨ０モードの板波を利用している。前記導電膜は短絡されていない。

第３の発明では、前記ＬｉＴａＯ_３基板の前記ＩＤＴ電極の電極指ピッチで定まる波長により規格化した前記ＬｉＴａＯ_３基板の波長規格化厚みと、前記ＩＤＴ電極のＡｌ換算波長規格化厚みとが、下記の表３に示すいずれかの組み合わせを満たしている。

本願の第４の発明に係る弾性波装置は、第１の主面と、該第１の主面とは反対側の第２の主面とを有するＬｉＴａＯ_３基板と、前記ＬｉＴａＯ_３基板の前記第１の主面に設けられており、ＡｌまたはＡｌを主体とするＩＤＴ電極と、前記ＬｉＴａＯ_３基板の前記第２の主面に設けられており、前記ＩＤＴ電極と前記ＬｉＴａＯ_３基板を介して対向するように設けられた導電膜とを備え、ＳＨ波が主体の基本モードである、ＳＨ０モードの板波を利用している。前記導電膜は短絡されていない。

本願の第４の発明では、前記ＬｉＴａＯ_３基板の前記ＩＤＴ電極の電極指ピッチで定まる波長により規格化した前記ＬｉＴａＯ_３基板の波長規格化厚みと、前記ＩＤＴ電極のデューティとが、下記の表４に示すいずれかの組み合わせを満たしている。

本願の第５の発明に係る弾性波装置は、第１の主面と、該第１の主面とは反対側の第２の主面とを有するＬｉＴａＯ_３基板と、前記ＬｉＴａＯ_３基板の前記第１の主面に設けられており、ＡｌまたはＡｌを主体とするＩＤＴ電極と、前記ＬｉＴａＯ_３基板の前記第２の主面に設けられており、前記ＩＤＴ電極と前記ＬｉＴａＯ_３基板を介して対向するように設けられた導電膜とを備え、ＳＨ波が主体の基本モードである、ＳＨ０モードの板波を利用している。前記導電膜は短絡されている。

第５の発明では、前記ＬｉＴａＯ_３基板の前記ＩＤＴ電極の電極指ピッチで定まる波長により規格化した前記ＬｉＴａＯ_３基板の波長規格化厚みと、前記ＩＤＴ電極のＡｌ換算波長規格化厚みとが、下記の表５に示す組み合わせを満たしている。

本願の第６の発明に係る弾性波装置は、第１の主面と、該第１の主面とは反対側の第２の主面とを有するＬｉＴａＯ_３基板と、前記ＬｉＴａＯ_３基板の前記第１の主面に設けられており、ＡｌまたはＡｌを主体とするＩＤＴ電極と、前記ＬｉＴａＯ_３基板の前記第２の主面に設けられており、前記ＩＤＴ電極と前記ＬｉＴａＯ_３基板を介して対向するように設けられた導電膜とを備え、ＳＨ波が主体の基本モードである、ＳＨ０モードの板波を利用している。前記導電膜は短絡されている。

第６の発明では、前記ＬｉＴａＯ_３基板の前記ＩＤＴ電極の電極指ピッチで定まる波長により規格化した前記ＬｉＴａＯ_３基板の波長規格化厚みと、前記ＩＤＴ電極のデューティとが、下記の表６に示すいずれかの組み合わせを満たしている。

本発明（第１〜第６の発明）によれば、ＳＨ０モードの板波を利用しており、しかも温度特性が良好であり、かつ製造容易な弾性波装置を提供することが可能となる。

図１（ａ）は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の正面断面図であり、図１（ｂ）はその電極構造を示す模式的平面図である。 図２（ａ）〜図２（ｆ）は、順に、Ｓ０モード、Ｓ１モード、Ａ０モード、Ａ１モード、ＳＨ０モード、ＳＨ１モードを説明するための模式図である。 図３は、第２の実施形態に係る弾性波装置の正面断面図である。 図４は、第３の実施形態に係る弾性波装置の正面断面図である。 図５は、第１の実施形態の弾性波装置におけるＡｌ膜の波長規格化厚みと、ＬｉＴａＯ_３基板の波長規格化厚みと、温度特性改善度との関係を示す図である。 図６は、第１の実施形態の弾性波装置におけるデューティと、ＬｉＴａＯ_３基板の波長規格化厚みと、温度特性改善度との関係を示す図である。 図７は、第２の実施形態の弾性波装置におけるＡｌ膜の波長規格化厚みと、ＬｉＴａＯ_３基板の波長規格化厚みと、温度特性改善度との関係を示す図である。 図８は、第２の実施形態の弾性波装置におけるデューティと、ＬｉＴａＯ_３基板の波長規格化厚みと、温度特性改善度との関係を示す図である。 図９は、第３の実施形態の弾性波装置におけるＡｌ膜の波長規格化厚みと、ＬｉＴａＯ_３基板の波長規格化厚みと、温度特性改善度との関係を示す図である。 図１０は、第３の実施形態の弾性波装置におけるデューティと、ＬｉＴａＯ_３基板の波長規格化厚みと、温度特性改善度との関係を示す図である。

以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。

（第１の実施形態）
図１（ａ）及び図１（ｂ）は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の正面断面図及び電極構造を模式的に示す模式的平面図である。

弾性波装置１は、ＬｉＴａＯ_３基板２を有する。ＬｉＴａＯ_３基板２のオイラー角は、（０°±５°，１２０°±１０°，０°±５°）の範囲内であることが好ましい。この範囲内であれば、板波としてのＳＨ０モードを効率良く励振し得る。

ＬｉＴａＯ_３基板２は、第１の主面２ａと、第１の主面２ａとは反対側の第２の主面２ｂとを有する。

第１の主面２ａ上に、ＩＤＴ電極３が形成されている。図１（ｂ）は、ＩＤＴ電極３の電極構造を示す。ＩＤＴ電極３は、複数本の電極指３ａと、複数本の電極指３ｂとを有する。複数本の電極指３ａと複数本の電極指３ｂとが間挿し合っている。

なお、特に図示はしないが、第２の主面２ｂにも、ＩＤＴ電極３とＬｉＴａＯ_３基板２を介して対向するようにＩＤＴ電極を設けてもよい。

ＩＤＴ電極３は、本実施形態では、Ａｌからなる。もっとも、ＩＤＴ電極３は、Ａｌを主体としていてもよい。ここで、Ａｌを主体とするとは、Ａｌを５０重量％以上含む合金からなる構成、あるいはＡｌと他の金属膜との積層構造においてＡｌが５０重量％以上を含む構成をいうものとする。

弾性波装置１は、ＳＨ成分が主体であるＳＨ波の基本モードであるＳＨ０モードの板波を利用している。なお、ＳＨ波が主体とするモードには、ＳＨ０モードの他、ＳＨ波が主体であるＳＨ１モードなどの高次モードも存在する。ＳＨ波が主体であると表現しているのは、励振される板波が、ＳＨ波以外の成分をも含むためである。

板波は、変位成分に応じてラム波（弾性波伝搬方向、および圧電体厚み方向の成分が主）とＳＨ波（ＳＨ成分が主）に分類される。更に、ラム波は対称モード（Ｓモード）と反対称モード（Ａモード）に分類される。圧電体厚みの半分のラインで折り返したとき、変位が重なるものを対称モード、変位が反対方向のものを反対称モードとしている。数値は厚み方向の節の数を示している。ここで、Ａ１モードラム波とは、１次反対称モードラム波である。図２に、これらラム波のＳモードとＡモード、およびＳＨ波の伝搬モードの様子を示す。図２の（ａ）〜図２（ｄ）においては矢印の向きが、図２（ｅ）、図２（ｆ）においては紙面厚み方向が、それぞれ弾性波の変位方向を示す。

本願発明者らは、ＬｉＴａＯ_３基板と、Ａｌを主体とする電極とを用い、温度特性の改善と製造工程の簡略化を図るべく種々検討した。その結果、ＬｉＴａＯ_３基板の厚みすなわち波長規格化厚みと、ＩＤＴ電極の厚みもしくはデューティを特定の範囲とすれば、上記課題を達成し得ることを見出し、本発明をなすに至った。以下、これを具体的に説明する。

図５は、第１の実施形態の弾性波装置において、ＬｉＴａＯ_３基板２の波長規格化厚みと、ＩＤＴ電極３を構成しているＡｌ膜の波長規格化厚みと、温度特性改善度との関係を示す。

上記実施形態の弾性波装置１においては、ＬｉＴａＯ_３基板２のオイラー角は（０°，１２０°，０°）とした。また、ＩＤＴ電極３のデューティは０．５とした。

なお、波長規格化厚みとは、ＩＤＴ電極３の電極指ピッチで定まる波長をλとし、このλでＬｉＴａＯ_３基板やＡｌを主体とする電極の厚みを規格化した値である。

温度特性改善度（ＴＣＦ_ＳＨ０−ＴＣＦ_ＳＡＷ）／ＴＣＦ_ＳＡＷとは、周波数温度係数ＴＣＦの改善度を示す。より詳細には、従来通信用に用いられている弾性表面波装置を基準デバイスとして用意した。この基準デバイスとしての弾性表面波装置の仕様は以下の通りである。

基板：オイラー角（０°，１３２°，０°）のＬｉＴａＯ_３基板。
ＩＤＴ電極：Ａｌ膜からなり、波長規格化厚みｈ／λ＝０．１。
ＩＤＴ電極のデューティ＝０．５。

上記基準デバイスとしての弾性表面波装置の共振周波数の周波数温度特性をＴＣＦ_ＳＡＷとした。上記温度特性改善度におけるＴＣＦ_ＳＨ０は、本実施形態のＳＨ０モードを利用した弾性波装置の周波数温度係数を示す。従って、（ＴＣＦ_ＳＨ０−ＴＣＦ_ＳＡＷ）／ＴＣＦ_ＳＡＷは、上記基準デバイスのＴＣＦに対する本実施形態の弾性波装置のＴＣＦ改善度を示すこととなる。上記弾性波装置１の温度特性ＴＣＦ_ＳＨ０の方が良好であれば、図５の温度特性改善度は負の値となる。逆に、従来の弾性表面波装置の周波数温度係数ＴＣＦの方が良好であれば、図５の縦軸は正の値となる。

例えば、上記実施形態の弾性波装置のＴＣＦ_ＳＨ０が−２０ｐｐｍ／℃であり、上記弾性表面波装置のＴＣＦ_ＳＡＷが−５０ｐｐｍ／℃とする。この場合、上記温度特性改善度は｛−２０−（−５０）｝／（−５０）＝−０．６となる。すなわち、この場合には、弾性波装置１は、従来の弾性表面波装置に比べて、ＴＣＦが６０％分改善されていることになる。

図５から明らかなように、Ａｌの厚みと、ＬｉＴａＯ_３基板の厚みを変化させれば、温度特性改善度が変化することがわかる。そして、下記の表７に示すいずれかの組み合わせを満たせば、図５の温度特性改善度が０よりも小さいことがわかる。従って、下記の表７に示すいずれかの組み合わせを満たすように、ＬｉＴａＯ_３基板２の波長規格化厚みと、Ａｌの波長規格化厚みを選択することにより、温度特性の改善を図り得ることがわかる。しかも、この場合、Ａｌの波長規格化厚みは、０．０４以上であり、従って、高周波化を図った場合においても、製造が容易となる。

図６は、ＩＤＴ電極のデューティと、ＬｉＴａＯ_３基板の厚みを変化させた場合の温度特性改善度の変化を示す。なお、デューティは０．３〜０．７の間で変化させ、ＩＤＴ電極３を構成しているＡｌの波長規格化厚みは０．１とした。ＬｉＴａＯ_３基板２のオイラー角は（０°，１２０°，０°）とした。

図６から明らかなように、ＬｉＴａＯ_３基板の厚みと、デューティを下記の表８に示すいずれかの組み合わせとすることにより、温度特性改善度が０よりも小さいことがわかる。

従って、表８に示すいずれかの組み合わせを採用することにより、温度特性を改善できる。しかも、Ａｌの波長規格化厚みは０．１であるため、製造容易な弾性波装置を提供し得ることもわかる。

（第２の実施形態）
図３は、本発明の第２の実施形態の弾性波装置の正面断面図である。第２の実施形態の弾性波装置１１では、ＬｉＴａＯ_３基板２の第２の主面２ｂ上に導電膜４が設けられている。導電膜４が設けられていることを除いては、構造的には、弾性波装置１１は弾性波装置１と同様である。第２の実施形態では、導電膜４は短絡されていない。すなわち浮いた状態とされている。

導電膜４は、Ａｌからなる。もっとも、導電膜４はＡｌを主体とするものであってもよい。さらに導電膜４は、ＡｌまたはＡｌを主体とするものに限らず、他の金属からなるものであってもよい。

第２の実施形態の弾性波装置１１においても、ＩＤＴ電極３に交流電圧を印加することにより、ＳＨ０モードの板波を励振することができる。この場合においても、ＬｉＴａＯ_３基板２のオイラー角が（０°±５°，１２０°±１０°，０°±５°）であれば、ＳＨ波を効率よく励振することができる。

図７は、第２の実施形態の弾性波装置において、ＬｉＴａＯ_３基板２の厚みすなわち波長規格化厚みと、ＩＤＴ電極３を構成しているＡｌ膜の波長規格化厚みと、温度特性改善度との関係を示す。

なお、ＬｉＴａＯ_３基板２のオイラー角は（０°，１２０°，０°）とした。また、ＩＤＴ電極３のデューティは０．５とした。導電膜４はＡｌからなり、その厚みは５０ｎｍとした。温度特性改善度の評価におけるＴＣＦ_ＳＡＷは、第１の実施形態の実験例で用いた基準デバイスの周波数温度係数を用いた。

図７から明らかなように、Ａｌの厚みと、ＬｉＴａＯ_３基板の厚みを変化させれば、温度特性改善度が変化することがわかる。そして、下記の表９に示すいずれかの組み合わせを満たせば、図７の温度特性改善度が０よりも小さいことがわかる。従って、下記の表９に示すいずれかの組み合わせを満たすように、ＬｉＴａＯ_３基板２の波長規格化厚みと、Ａｌの波長規格化厚みを選択することにより、温度特性の改善を図り得ることがわかる。しかも、この場合、Ａｌの波長規格化厚みは、０．０４以上であり、従って、高周波化を図った場合においても、製造が容易となる。

図８は、ＩＤＴ電極のデューティと、ＬｉＴａＯ_３基板の厚みを変化させた場合の温度特性改善度の変化を示す。なお、デューティは０．３〜０．７の間で変化させ、ＩＤＴ電極３を構成しているＡｌの波長規格化厚みは０．１とした。

なお、ＬｉＴａＯ_３基板２のオイラー角は（０°，１２０°，０°）とした。導電膜４は、Ａｌ膜により形成し、その厚みは５０ｎｍとした。

図８から明らかなように、ＬｉＴａＯ_３基板の厚みと、デューティを下記の表１０に示すいずれかの組み合わせとすることにより、温度特性改善度が０よりも小さいことがわかる。

従って、表１０に示すいずれかの組み合わせを採用することにより、温度特性を改善できる。しかも、Ａｌの波長規格化厚みが０．１であるため、製造容易な弾性波装置を提供し得ることがわかる。

（第３の実施形態）
図４は、本発明の第３の実施形態に係る弾性波装置の正面断面図である。弾性波装置２１では、ＬｉＴａＯ_３基板２の第２の主面２ｂに導電膜４が設けられている。この導電膜４は、グラウンド電位に接続され、短絡されている。構造的には、導電膜４が設けられていることを除いては、弾性波装置２１は弾性波装置１と同様である。従って同一部分については同一の参照番号を付することにより、その説明を省略する。

導電膜４は、Ａｌからなる。もっとも、導電膜４はＡｌを主体とするものであってもよい。さらに導電膜４は、ＡｌまたはＡｌを主体とするものに限らず、他の金属からなるものであってもよい。

図９は、第３の実施形態の弾性波装置において、ＬｉＴａＯ_３基板２の厚みすなわち波長規格化厚みと、ＩＤＴ電極３を構成しているＡｌ膜の波長規格化厚みと、温度特性改善度との関係を示す。

第３の実施形態では、ＬｉＴａＯ_３基板２のオイラー角は（０°，１２０°，０°）とした。また、ＩＤＴ電極３のデューティは０．５とした。導電膜４はＡｌ膜からなり、その厚みは５０ｎｍとした。

図９から明らかなように、Ａｌの厚みと、ＬｉＴａＯ_３基板の厚みを変化させれば、温度特性改善度が変化することがわかる。そして、下記の表１１に示す組み合わせを満たせば、図９の温度特性改善度が０よりも小さいことがわかる。従って、下記の表１１に示す組み合わせを満たすように、ＬｉＴａＯ_３基板２の波長規格化厚みと、Ａｌの波長規格化厚みを選択することにより、温度特性の改善を図り得ることがわかる。しかも、この場合、Ａｌの波長規格化厚みは、０．０４以上であり、従って、高周波化を図った場合においても、製造が容易となる。

図１０は、ＩＤＴ電極のデューティと、ＬｉＴａＯ_３基板の厚みを変化させた場合の温度特性改善度の変化を示す。なお、デューティは０．３〜０．７の間で変化させ、ＩＤＴ電極３を構成しているＡｌの波長規格化厚みは０．１とした。

図１０から明らかなように、ＬｉＴａＯ_３基板の厚みと、デューティを下記の表１２に示すいずれかの組み合わせとすることにより、温度特性改善度が０よりも小さいことがわかる。

従って、表１２に示すいずれかの組み合わせを採用することにより、温度特性を改善でき、しかも製造容易な弾性波装置を提供し得ることがわかる。

前述したように、本実施形態におけるＩＤＴ電極はＡｌを主体とする限り、Ａｌ膜と他の金属膜との積層体であってもよい。その場合には、ＩＤＴ電極の波長規格化厚みとして、Ａｌ換算波長規格化厚みを用いればよい。Ａｌ換算波長規格化厚みとは、Ａｌを主体とする場合Ａｌ膜厚相当の換算膜厚を用いた厚みを意味する。例えば、Ａｌ膜とＰｔ膜との積層体からなる場合、Ａｌ膜の波長規格化厚みを０．０５、Ｐｔ膜の波長規格化厚みを０．００５とする。この場合、ＩＤＴ電極全体のＡｌ換算波長規格化厚みは、０．０５＋０．００５×７．９２６＝０．０８９６となる。ここで、７．９２６は、Ｐｔの密度とＡｌの密度との比＝２１４００／２７００＝７．９２６で求められる比である。なお、当然のことながら、Ａｌのみからなる場合、Ａｌ換算波長規格化厚みはＡｌ膜の波長規格化厚みと等しい。

なお、上記実施形態では、弾性波共振子を例にとり説明したが、本発明は、弾性波共振子に限らず、複数のＩＤＴ電極が設けられた弾性波フィルタなどの適宜の電極構造の弾性波装置に広く適用することができる。

また、導電膜４は、ＴｉＡｕ，Ｎｉ，Ｃｒなどの他の金属で形成されていてもよい。また、導電膜４は、金属だけでなく、ＺｎＯやＩＴＯなどの導電性化合物を用いて形成されていてもよい。

さらに、ＩＤＴ電極３の上面の全面または一部を保護するように被覆膜が形成されていてもよい。このような膜としては、スパッタリングにより容易に形成し得る材料からなるものが好ましい。従って、例えば、ＳｉＯ_２、ＳｉＮまたはＡｌＮなどが好ましい。

また、オイラー角（φ，θ，ψ）は、下記の式（Ａ）によって板波特性が実質上等価となるオイラー角であってもよい。

式（Ａ）
Ｆ（φ，θ，ψ）＝Ｆ（６０°＋φ，−θ，ψ）
＝Ｆ（６０°−φ，−θ，１８０°−ψ）
＝Ｆ（φ，１８０°＋θ，１８０°−ψ）
＝Ｆ（φ，θ，１８０°＋ψ）

１…弾性波装置
２…ＬｉＴａＯ_３基板
２ａ，２ｂ…第１，第２の主面
３…ＩＤＴ電極
３ａ，３ｂ…電極指
４…導電膜
１１，２１…弾性波装置

Claims (6)

1. ＬｉＴａＯ_３基板と、該ＬｉＴａＯ_３基板の主面に設けられており、ＡｌまたはＡｌを主体とするＩＤＴ電極とを備え、ＳＨ波が主体の基本モードである、ＳＨ０モードの板波を利用しており、
   前記ＬｉＴａＯ_３基板の前記ＩＤＴ電極の電極指ピッチで定まる波長により規格化した前記ＬｉＴａＯ_３基板の波長規格化厚みと、前記ＩＤＴ電極のＡｌ換算波長規格化厚みとが、下記の表１に示すいずれかの組み合わせを満たしている、弾性波装置。
   

   
2. ＬｉＴａＯ_３基板と、該ＬｉＴａＯ_３基板の主面に設けられており、ＡｌまたはＡｌを主体とするＩＤＴ電極とを備え、ＳＨ波が主体の基本モードである、ＳＨ０モードの板波を利用しており、
   前記ＬｉＴａＯ_３基板の前記ＩＤＴ電極の電極指ピッチで定まる波長により規格化した前記ＬｉＴａＯ_３基板の波長規格化厚みと、前記ＩＤＴ電極のデューティとが、下記の表２に示すいずれかの組み合わせを満たしている、弾性波装置。
   

   
3. 第１の主面と、該第１の主面とは反対側の第２の主面とを有するＬｉＴａＯ_３基板と、
   前記ＬｉＴａＯ_３基板の前記第１の主面に設けられており、ＡｌまたはＡｌを主体とするＩＤＴ電極と、
   前記ＬｉＴａＯ_３基板の前記第２の主面に設けられており、前記ＩＤＴ電極と前記ＬｉＴａＯ_３基板を介して対向するように設けられた導電膜とを備え、ＳＨ波が主体の基本モードである、ＳＨ０モードの板波を利用しており、前記導電膜が短絡されておらず、
   前記ＬｉＴａＯ_３基板の前記ＩＤＴ電極の電極指ピッチで定まる波長により規格化した前記ＬｉＴａＯ_３基板の波長規格化厚みと、前記ＩＤＴ電極のＡｌ換算波長規格化厚みとが、下記の表３に示すいずれかの組み合わせを満たしている、弾性波装置。
   

   
4. 第１の主面と、該第１の主面とは反対側の第２の主面とを有するＬｉＴａＯ_３基板と、
   前記ＬｉＴａＯ_３基板の前記第１の主面に設けられており、ＡｌまたはＡｌを主体とするＩＤＴ電極と、
   前記ＬｉＴａＯ_３基板の前記第２の主面に設けられており、前記ＩＤＴ電極と前記ＬｉＴａＯ_３基板を介して対向するように設けられた導電膜とを備え、ＳＨ波が主体の基本モードである、ＳＨ０モードの板波を利用しており、前記導電膜が短絡されておらず、
   前記ＬｉＴａＯ_３基板の前記ＩＤＴ電極の電極指ピッチで定まる波長により規格化した前記ＬｉＴａＯ_３基板の波長規格化厚みと、前記ＩＤＴ電極のデューティとが、下記の表４に示すいずれかの組み合わせを満たしている、弾性波装置。
   

   
5. 第１の主面と、該第１の主面とは反対側の第２の主面とを有するＬｉＴａＯ_３基板と、
   前記ＬｉＴａＯ_３基板の前記第１の主面に設けられており、ＡｌまたはＡｌを主体とするＩＤＴ電極と、
   前記ＬｉＴａＯ_３基板の前記第２の主面に設けられており、前記ＩＤＴ電極と前記ＬｉＴａＯ_３基板を介して対向するように設けられた導電膜とを備え、ＳＨ波が主体の基本モードである、ＳＨ０モードの板波を利用しており、前記導電膜が短絡されており、
   前記ＬｉＴａＯ_３基板の前記ＩＤＴ電極の電極指ピッチで定まる波長により規格化した前記ＬｉＴａＯ_３基板の波長規格化厚みと、前記ＩＤＴ電極のＡｌ換算波長規格化厚みとが、下記の表５に示す組み合わせを満たしている、弾性波装置。
   

   
6. 第１の主面と、該第１の主面とは反対側の第２の主面とを有するＬｉＴａＯ_３基板と、
   前記ＬｉＴａＯ_３基板の前記第１の主面に設けられており、ＡｌまたはＡｌを主体とするＩＤＴ電極と、
   前記ＬｉＴａＯ_３基板の前記第２の主面に設けられており、前記ＩＤＴ電極と前記ＬｉＴａＯ_３基板を介して対向するように設けられた導電膜とを備え、ＳＨ波が主体の基本モードである、ＳＨ０モードの板波を利用しており、前記導電膜が短絡されており、
   前記ＬｉＴａＯ_３基板の前記ＩＤＴ電極の電極指ピッチで定まる波長により規格化した前記ＬｉＴａＯ_３基板の波長規格化厚みと、前記ＩＤＴ電極のデューティとが、下記の表６に示すいずれかの組み合わせを満たしている、弾性波装置。
   

   

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