CN105993129A - 弹性波装置 - Google Patents

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CN105993129A CN201580008512.5A CN201580008512A CN105993129A CN 105993129 A CN105993129 A CN 105993129A CN 201580008512 A CN201580008512 A CN 201580008512A CN 105993129 A CN105993129 A CN 105993129A
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Abstract

提供IDT电极的Al换算波长标准化厚度比以往更厚、且温度特性良好、制造容易的弹性波装置。在LiTaO3基板(2)的主面(2a)设置IDT电极(3)，弹性波装置(1)利用SH波为主体的基本模式即SH0模式的板波。LiTaO3基板(2)的利用由IDT电极(3)的电极指间距决定的波长进行标准化而得的LiTaO3基板(2)的波长标准化厚度、和IDT电极(3)的Al换算波长标准化厚度满足下述表1所示的任意组合。[表1]

Description

弹性波装置
技术领域
本发明涉及利用了板波的弹性波装置，更详细的是涉及利用了LiTaO3基板的弹性波装置。
背景技术
以往，能获得利用了LiTaO3的SH波元件。例如下述的专利文献1中公开了利用SH波的基本模式即SH0模式的SH波元件。专利文献1中，公开了通过将LiTaＯ3基板的厚度设为给定的厚度，能将延迟时间温度系数TCD基本设为0。再有，示出：在10MHz频带所使用的SH波元件的情况下，如果将金或铝等的电极材料膜形成为膜厚0.2μm左右，那么能使TCD基本为0。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：JP特开2004-260381号公报
发明内容
-发明所要解决的技术问题-
专利文献1所述的电极膜厚若用由SH波元件的电极指间距决定的波长进行标准化，则IDT电极的Al换算波长标准化厚度为0.000625λ，变得非常薄。即，必须形成波长的0.1％以下非常薄的电极膜。如专利文献1的实施例所示，在10MHz程度的频率下使用的情况下，电极的膜厚为0.2μm左右，并不那么薄。然而，在设成欲在500MHz那样的高频频带使用的情况下，电极膜厚为4nm，为了在1GHz频带使用，电极膜厚变为约2nm。这样若电极膜厚变薄，则电极指的电阻变得非常大。为此，存在损耗增大的问题。再加上，若电极膜厚变得过薄，则高精度地形成微细的间距的电极指也变得非常困难。
本发明的目的在于，提供一种利用在LiTaO3基板中传播的SH0模式的板波、IDT电极的Al换算波长标准化厚度比以往更厚、且温度特性良好、而且制造容易的弹性波装置。
-用于解决技术问题的手段-
本申请第1发明涉及的弹性波装置具备：LiTaO3基板；和设置在该LiTaO3基板的主面的Al或以Al为主体的IDT电极，该弹性波装置利用SH波为主体的基本模式、即SH0模式的板波。在第1发明中，所述LiTaO3基板的利用由所述IDT电极的电极指间距决定的波长进行标准化而得的所述LiTaO3基板的波长标准化厚度、和所述IDT电极的Al换算波长标准化厚度满足下述表1所示的任意组合。
[表1]
本申请第2发明涉及的弹性波装置具备：LiTaO3基板；和设置在该LiTaO3基板的主面的Al或以Al为主体的IDT电极，该弹性波装置利用SH波为主体的基本模式、即SH0模式的板波。
第2发明中，所述LiTaＯ3基板的利用由所述IDT电极的电极指间距决定的波长进行标准化而得的所述LiTaO3基板的波长标准化厚度、和所述IDT电极的占空比满足下述表2所示的任意组合。
[表2]
(a) 波长标准化厚度为0.07以上且0.21以下，且占空比为0.3以上且0.7以下
(b) 波长标准化厚度为0.03以上且0.27以下，且占空比为0.3以上且0.6以下
(c) 波长标准化厚度为0.01以上且0.30以下，且占空比为0.3以上且0.5以下
(d) 波长标准化厚度为0.01以上且0.32以下，且占空比为0.3以上且0.4以下
本申请第3发明涉及的弹性波装置具备：具有第1主面及与该第1主面相反侧的第2主面的LiTaO3基板；设置在所述LiTaO3基板的所述第1主面的Al或以Al为主体的IDT电极；以及设置在所述LiTaO3基板的所述第2主面且被设置成隔着所述LiTaO3基板而与所述IDT电极对置的导电膜，该弹性波装置利用SH波为主体的基本模式、即SH0模式的板波。所述导电膜未被短路。
第3发明中，所述LiTaO3基板的利用由所述IDT电极的电极指间距决定的波长进行标准化而得的所述LiTaO3基板的波长标准化厚度、和所述IDT电极的Al换算波长标准化厚度满足下述表3所示的任意组合。
[表3]
本申请第4发明涉及的弹性波装置具备：具有第1主面及与该第1主面相反侧的第2主面的LiTaO3基板；设置在所述LiTaO3基板的所述第1主面的Al或以Al为主体的IDT电极；以及设置在所述LiTaO3基板的所述第2主面且被设置成隔着所述LiTaO3基板而与所述IDT电极对置的导电膜，该弹性波装置利用SH波为主体的基本模式、即SH0模式的板波。所述导电膜未被短路。
本申请第4发明中，所述LiTaO3基板的利用由所述IDT电极的电极指间距决定的波长进行标准化而得的所述LiTaO3基板的波长标准化厚度、和所述IDT电极的占空比满足下述表4所示的任意组合。
[表41
(a) 波长标准化厚度为0.05以上且0.45以下，且占空比为0.3以上且0.7以下
(b) 波长标准化厚度为0.02以上且0.52以下，且占空比为0.3以上且0.6以下
(c) 波长标准化厚度为0.01以上且0.58以下，且占空比为0.3以上且0.5以下
(d) 波长标准化厚度为0.01以上且0.66以下，且占空比为0.3以上且0.4以下
本申请第5发明涉及的弹性波装置具备：具有第1主面及与该第1主面相反侧的第2主面的LiTaO3基板；设置在所述LiTaO3基板的所述第1主面的Al或以Al为主体的IDT电极；以及设置在所述LiTaO3基板的所述第2主面且被设置成隔着所述LiTaO3基板而与所述IDT电极对置的导电膜，该弹性波装置利用SH波为主体的基本模式、即SH0模式的板波。所述导电膜被短路，。
第5发明中，所述LiTaO3基板的利用由所述IDT电极的电极指间距决定的波长进行标准化而得的所述LiTaO3基板的波长标准化厚度、和所述IDT电极的Al换算波长标准化厚度满足下述表5所示的组合。
[表5]
本申请第6发明涉及的弹性波装置具备：具有第1主面及与该第1主面相反侧的第2主面的LiTaO3基板；设置在所述LiTaO3基板的所述第1主面的Al或以Al为主体的IDT电极；以及设置在所述LiTaO3基板的所述第2主面且被设置成隔着所述LiTaO3基板而与所述IDT电极对置的导电膜，该弹性波装置利用SH波为主体的基本模式、即SH0模式的板波。所述导电膜被短路。
第6发明中，所述LiTaO3基板的利用由所述IDT电极的电极指间距决定的波长进行标准化而得的所述LiTaO3基板的波长标准化厚度、和所述IDT电极的占空比满足下述表6所示的任意组合。
[表6]
(a) 波长标准化厚度为0.05以上且0.60以下，且占空比为0.3以上且0.7以下
(b) 波长标准化厚度为0.02以上且0.68以下，且占空比为0.3以上且0.6以下
(c) 波长标准化厚度为0.01以上且0.70以下，且占空比为0.3以上且0.5以下
-发明效果-
根据本发明(第1～第6发明)，能够提供利用了SH0模式的板波、而且温度特性良好、且制造容易的弹性波装置。
附图说明
图1(a)是本发明的第1实施方式涉及的弹性波装置的正面剖视图，图1(b)是表示其电极构造的示意性俯视图。
图2(a)～图2(f)用于依序对S0模式、S1模式、A0模式、A1模式、SH0模式、SH1模式进行说明的示意图。
图3是第2实施方式涉及的弹性波装置的正面剖视图。
图4是第3实施方式涉及的弹性波装置的正面剖视图。
图5是表示第1实施方式的弹性波装置中的Al膜的波长标准化厚度、LiTaO3基板的波长标准化厚度和温度特性改善度的关系的图。
图6是表示第1实施方式的弹性波装置中的占空比、LiTaO3基板的波长标准化厚度和温度特性改善度的关系的图。
图7是表示第2实施方式的弹性波装置中的Al膜的波长标准化厚度、LiTaO3基板的波长标准化厚度和温度特性改善度的关系的图。
图8是表示第2实施方式的弹性波装置中的占空比、LiTaO3基板的波长标准化厚度和温度特性改善度的关系的图。
图9是表示第3实施方式的弹性波装置中的Al膜的波长标准化厚度、LiTaO3基板的波长标准化厚度和温度特性改善度的关系的图。
图10是表示第3实施方式の弹性波装置中的占空比、LiTaO3基板的波长标准化厚度和温度特性改善度的关系的图。
具体实施方式
以下参照附图对本发明的具体的实施方式进行说明，由此使本发明更清楚。
(第1实施方式)
图1(a)及图1(b)是本发明的第1实施方式涉及的弹性波装置的正面剖视图及示意性表示电极构造的示意性俯视图。
弹性波装置1具有LiTaO3基板2。LiTaO3基板2的欧拉角优选处于(0°±5°，120°±10°，0°±5°)的范围内。如果在该范围内，那么能有效地激励作为板波的SH0模式。
LiTaO3基板2具有第1主面2a、及与第1主面2a相反侧的第2主面2b。
第1主面2a上形成有IDT电极3。图1(b)表示IDT电极3的电极构造。IDT电极3具有多根电极指3a和多根电极指3b。多根电极指3a与多根电极指3b相互穿插配合。
其中，虽然并未特别地图示，但也可以在第2主面2b设置IDT电极，以便隔着LiTaO3基板2而与IDT电极3对置。
IDT电极3在本实施方式中由Al构成。不过，IDT电极3也可以以Al为主体。在此，以Al为主体指的是：包含50重量％以上的Al的合金所构成的构成、或者在Al与其他金属膜的层叠构造中包含50重量％以上的Al的构成。
弹性波装置1利用SH分量为主体的SH波的墓本模式即SH0模式的板波。另外，SH波为主体的模式中除了SH0模式以外，也存在SH波为主体的SH1模式等的高次模式。表现为SH波为主体是因为被激励的板波也包含SH波以外的分量。
板波根据位移分量而被分类为拉姆波(弹性波传播方向、及压电体厚度方向的分量为主)和SH波(SH分量为主)。再者，拉姆波被分类为对称模式(S模式)与反对称模式(A模式)。在压电体厚度的一半的线处折返时，将位移重叠的模式称为对称模式、将位移为相反方向的模式称为反对称模式。数值表示厚度方向的节的个数。在此，A1模式拉姆波是1次反对称模式拉姆波。图2表示这些拉姆波的S模式与A模式、及SH波的传播模式的形态。图2の(a)～图2(d)中箭头的朝向表示弹性波的位移方向，图2(e)、图2(f)中纸面厚度方向表示弹性波的位移方向。
本申请发明人们为了利用LiTaO3基板和以Al为主体的电极来实现温度特性的改善与制造工序的简化而进行了各种各样的研讨。结果，发现如果将LiTaO3基板的厚度即波长标准化厚度、和IDT电极的厚度或者占空比设为特定的范围，那么能达成上述课题，由此得出本发明。以下对此具体地进行说明。
图5表示在第1实施方式的弹性波装置中LiTaO3基板2的波长标准化厚度、构成IDT电极3的Al膜的波长标准化厚度和温度特性改善度的关系。
上述实施方式的弹性波装置1中，LiTaO3基板2的欧拉角设成(0°，120°，0°)。再有，IDT电极3的占空比设成0.5。
其中，波长标准化厚度是将由IDT电极3的电极指间距决定的波长设为λ，并以该λ对LiTaO3基板或以Al为主体的电极的厚度进行标准化而得到的值。
温度特性改善度(TCFSH0-TCFSAW)/TCFSAW表示频率温度系数TCF的改善度。更详细的是，将以往通信所使用的声表面波装置作为基准器件来准备。作为该基准器件的声表面波装置的规格如下。
基板：欧拉角(0°，132°，0°)的LiTaO3基板。
IDT电极：由Al膜构成、波长标准化厚度h/λ＝0.1。
IDT电极的占空比＝0.5。
将作为上述基准器件的声表面波装置的谐振频率的频率温度特性设成TCFSAW。上述温度特性改善度中的TCFSH0表示本实施方式的利用了SH0模式的弹性波装置的频率温度系数。因此，(TCFSH0-TCFSAW)/TCFSAW表示本实施方式的弹性波装置的TCF相对于上述基准器件的TCF的改善度。如果上述弹性波装置1的温度特性TCFSH0良好，那么图5的温度特性改善度称为负的值。反之，如果以往的声表面波装置的频率温度系数TCF良好，那么图5的纵轴为正的值。
例如，上述实施方式的弹性波装置的TCFSH0为-20ppm/℃，上述声表面波装置的TCFSAW为-50ppm/℃。该情况下，上述温度特性改善度变为{-20-(-50)}/(-50)＝-0.6。即，该情况下，弹性波装置1与以往的声表面波装置相比TCF能改善60％。
根据图5可清楚地知道如果使Al的厚度和LiTaO3基板的厚度发生变化、那么温度特性改善度变化。而且，可知如果满足下述表7所示的任意组合、那么图5的温度特性改善度比0还小。因此，可知：通过选择LiTaO3基板2的波长标准化厚度、Al的波长标准化厚度，以使满足下述的表7所示的任意组合，从而能够实现温度特性的改善。而且，该情况下，Al的波长标准化厚度为0.04以上，因此即便在实现了高频化的情况下制造也会变得容易。
[表7]
图6表示使IDT电极的占空比、LiTaO3基板的厚度发生了变化的情况下的温度特性改善度的变化。其中，使占空比在0.3～0.7之间变化、将构成IDT电极3的Al的波长标准化厚度设成0.1。LiTaO3基板2的欧拉角设成(0°，120°，0°)。
根据图6可清楚地知道：通过将LiTaＯ3基板的厚度和占空比设为下述表8所示的任意组合，从而温度特性改善度比0还小。
[表8]
(a) 波长标准化厚度为0.07以上且0.21以下，且占空比为0.3以上且0.7以下
(b) 波长标准化厚度为0.03以上且0.27以下，且占空比为0.3以上且0.6以下
(c) 波长标准化厚度为0.01以上且0.30以下，且占空比为0.3以上且0.5以下
(d) 波长标准化厚度为0.01以上且0.32以下，且占空比为0.3以上且0.4以下
因此，通过采用表8所示的任意组合，从而可改善温度特性。而且，由于Al的波长标准化厚度为0.1，故可知能提供制造容易的弹性波装置。
(第2实施方式)
图3是本发明的第2实施方式的弹性波装置的正面剖视图。第2实施方式的弹性波装置11中，在LiTaO3基板2的第2主面2b上设置有导电膜4。除了设置有导电膜4以外，在构造上，弹性波装置11与弹性波装置1是同样的。第2实施方式中，导电膜4未被短路。即，呈浮游的状态。
导电膜4由Al构成。不过，导电膜4也可以是以Al为主体的构成。再有，导电膜4未限于Al或以Al为主体的膜、也可以是由其他金属构成的膜。
第2实施方式的弹性波装置11中，也通过向IDT电极3施加交流电压，从而可以激励SH0模式的板波。该情况下，如果LiTaO3基板2的欧拉角也是(0°±5°，120°±10°，0°±5°)，那么可以有效地激励SH波。
图7表示在第2实施方式的弹性波装置中LiTaO3基板2的厚度即波长标准化厚度、构成IDT电极3的Al膜的波长标准化厚度和温度特性改善度的关系。
其中，LiTaO3基板2的欧拉角设成(0°，120°，0°)。再有，IDT电极3的占空比设成0.5。导电膜4由Al构成、其厚度设成50nm。温度特性改善度的评价中的TCFSAW利用了第1实施方式的实施例所使用的基准器件的频率温度系数。
根据图7可清楚地知道如果使Al的厚度和LiTaO3基板的厚度变化、那么温度特性改善度变化。而且，可知如果满足下述表9所示的任意组合，那么图7的温度特性改善度比0还小。因此，可知：通过选择LiTaO3基板2的波长标准化厚度和Al的波长标准化厚度，以使得满足下述的表9所示的任意组合，能够实现温度特性的改善。而且，该情况下Al的波长标准化厚度为0.04以上，因此即便是在实现了高频化的情况下，制造也变得容易。
[表9]
图8表示使IDT电极的占空比和LiTaO3基板的厚度发生了变化的情况下的温度特性改善度的变化。其中，使占空比在0.3～0.7之间变化，构成IDT电极3的Al的波长标准化厚度设成0.1。
另外，LiTaO3基板2的欧拉角设成(0°，120°，0°)。导电膜4由Al膜形成、其厚度设成50nm。
根据图8可清楚地知道：通过将LiTaO3基板的厚度和占空比设为下述表10所示的任意组合，从而温度特性改善度比0还小。
[表10]
(a) 波长标准化厚度为0.05以上且0.45以下，且占空比为0.3以上且0.7以下
(b) 波长标准化厚度为0.02以上且0.52以下，且占空比为0.3以上且0.6以下
(c) 波长标准化厚度为0.01以上且0.58以下，且占空比为0.3以上且0.5以下
(d) 波长标准化厚度为0.01以上且0.66以下，且占空比为0.3以上且0.4以下
因此，通过采用表10所示的任意组合，从而能改善温度特性。而且，由于Al的波长标准化厚度为0.1，故可知能提供制造容易的弹性波装置。
(第3实施方式)
图4是本发明的第3实施方式涉及的弹性波装置的正面剖视图。弹性波装置21中，在LiTaO3基板2的第2主面2b设置有导电膜4。该导电膜4被连接至接地电位而被短路。在构造上，除了设置有导电膜4以外，弹性波装置21与弹性波装置1是同样的。因此，针对相同部分赋予相同的参照标记，由此省略其说明。
导电膜4由Al构成。不过，导电膜4也可以是以Al为主体的构成。再有，导电膜4未限于Al或以Al为主体的构成，也可以是其他金属所构成的膜。
图9表示在第3实施方式的弹性波装置中LiTaO3基板2的厚度即波长标准化厚度、构成IDT电极3的Al膜的波长标准化厚度和温度特性改善度的关系。
第3实施方式中，LiTaO3基板2的欧拉角设成(0°，120°，0°)。再有，IDT电极3的占空比设成0.5。导电膜4由Al膜构成、其厚度设成50nm。
根据图9可清楚地知道：如果使Al的厚度和LiTaO3基板的厚度变化，那么温度特性改善度变化。而且，可知如果满足下述的表11所示的组合，那么图9的温度特性改善度比0还小。因此，可知：通过选择LiTaO3基板2的波长标准化厚度和Al的波长标准化厚度，以使得满足下述表11所示的组合，由此能够实现温度特性的改善。而且，该情况下Al的波长标准化厚度为0.04以上，因此即便是在实现了高频化的情况下制造也变得容易。
[表11]
图10表示使IDT电极的占空比和LiTaO3基板的厚度发生了变化的情况下的温度特性改善度的变化。其中，使占空比在0.3～0.7之间变化，构成IDT电极3的Al的波长标准化厚度设成0.1。
根据图10可清楚地知道：通过将LiTaO3基板的厚度和占空比设为下述表12所示的任意组合，从而温度特性改善度比0还小。
[表12]
(a) 波长标准化厚度为0.05以上且0.60以下，且占空比为0.3以上且0.7以下
(b) 波长标准化厚度为0.02以上且0.68以下，且占空比为0.3以上且0.6以下
(c) 波长标准化厚度为0.01以上且0.70以下，且占空比为0.3以上且0.5以下
因此，可知通过采用表12所示的任意组合，从而能改善温度特性，而且能提供制造容易的弹性波装置。
如前所述，本实施方式中的IDT电极只要以Al为主体，也可以是Al膜与其他金属膜的层叠体。该情况下，作为IDT电极的波长标准化厚度，只要利用Al换算波长标准化厚度即可。Al换算波长标准化厚度指的是在以Al为主体的情况下利用了与Al膜厚相当的换算膜厚的厚度。例如，在由Al膜与Pt膜的层叠体构成的情况下，将Al膜的波长标准化厚度设为0.05、将Pt膜的波长标准化厚度设为0.005。该情况下，IDT电极整体的Al换算波长标准化厚度变为0.05+0.005×7.926＝0.0896。在此，7.926是根据Pt的密度与Al的密度之比＝21400/2700＝7.926而求取的比。另外，想当然在仅由Al构成的情况下Al换算波长标准化厚度和Al膜的波长标准化厚度相等。
此外，在上述实施方式中，虽然以弹性波谐振器为例进行了说明，但本发明未限于弹性波谐振器，可以广泛应用于设置了多个IDT电极的弹性波滤波器等适当的电极构造的弹性波装置中。
再有，导电膜4也可以由Ti、Au，Ni，Cr等金属形成。还有，导电膜4也可以不只是金属，利用ZnO或ITO等的导电性化合物来形成。
再者，也可以形成被覆膜，以使得保护IDT电极3的上表面的整个面或一部分。作为这种膜，优选由能通过溅射容易地形成的材料来构成的膜。因此，例如优选SiO2、SiN或AlN等。
还有，欧拉角(φ，θ，ψ)也可以是根据下述的式(A)使板波特性实质上等效的欧拉角。
式(A)
F(φ，θ，ψ)＝F(60°+φ，-θ，ψ)
＝F(60°-φ，-θ，180°-ψ)
＝F(φ，180°+θ，180°-ψ)
＝F(φ，θ，180°+ψ)
-符号说明-
1…弹性波装置
2…LiTaO3基板
2a、2b…第1，第2主面
3…IDT电极
3a，3b…电极指
4…导电膜
11、21…弹性波装置

Claims (6)

1.一种弹性波装置，具备：
LiTaO3基板；和
设置在该LiTaO3基板的主面的Al或以Al为主体的IDT电极，
该弹性波装置利用SH波为主体的基本模式、即SH0模式的板波，
所述LiTaO3基板的利用由所述IDT电极的电极指间距决定的波长进行标准化而得的所述LiTaO3基板的波长标准化厚度、和所述IDT电极的Al换算波长标准化厚度满足下述表1所示的任意组合，
[表1]
2.一种弹性波装置，具备：
LiTaO3基板；和
设置在该LiTaO3基板的主面的Al或以Al为主体的IDT电极，
该弹性波装置利用SH波为主体的基本模式、即SH0模式的板波，
所述LiTaO3基板的利用由所述IDT电极的电极指间距决定的波长进行标准化而得的所述LiTaO3基板的波长标准化厚度、和所述IDT电极的占空比满足下述表2所示的任意组合，
[表2]
3.一种弹性波装置，具备：
具有第1主面及与该第1主面相反侧的第2主面的LiTaO3基板；
设置在所述LiTaO3基板的所述第1主面的Al或以Al为主体的IDT电极；以及
设置在所述LiTaO3基板的所述第2主面且被设置成隔着所述LiTaO3基板而与所述IDT电极对置的导电膜，
该弹性波装置利用SH波为主体的基本模式、即SH0模式的板波，
所述导电膜未被短路，
所述LiTaO3基板的利用由所述IDT电极的电极指间距决定的波长进行标准化而得的所述LiTaO3基板的波长标准化厚度、和所述IDT电极的Al换算波长标准化厚度满足下述表3所示的任意组合，
[表3]
4.一种弹性波装置，具备：
具有第1主面及与该第1主面相反侧的第2主面的LiTaO3基板；
设置在所述LiTaO3基板的所述第1主面的Al或以Al为主体的IDT电极；以及
设置在所述LiTaO3基板的所述第2主面且被设置成隔着所述LiTaO3基板而与所述IDT电极对置的导电膜，
该弹性波装置利用SH波为主体的基本模式、即SH0模式的板波，
所述导电膜未被短路，
所述LiTaO3基板的利用由所述IDT电极的电极指间距决定的波长进行标准化而得的所述LiTaO3基板的波长标准化厚度、和所述IDT电极的占空比满足下述表4所示的任意组合，
[表4]
5.一种弹性波装置，具备：
具有第1主面及与该第1主面相反侧的第2主面的LiTaO3基板；
设置在所述LiTaO3基板的所述第1主面的Al或以Al为主体的IDT电极；以及
设置在所述LiTaO3基板的所述第2主面且被设置成隔着所述LiTaO3基板而与所述IDT电极对置的导电膜，
该弹性波装置利用SH波为主体的基本模式、即SHO模式的板波，
所述导电膜被短路，
所述LiTaO3基板的利用由所述IDT电极的电极指间距决定的波长进行标准化而得的所述LiTaO3基板的波长标准化厚度、和所述IDT电极的Al换算波长标准化厚度满足下述表5所示的组合，
[表5]
6.一种弹性波装置，具备：
具有第1主面及与该第1主面相反侧的第2主面的LiTaO3基板；
设置在所述LiTaO3基板的所述第1主面的Al或以Al为主体的IDT电极；以及
设置在所述LiTaO3基板的所述第2主面且被设置成隔着所述LiTaO3基板而与所述IDT电极对置的导电膜，
该弹性波装置利用SH波为主体的基本模式、即SH0模式的板波，
所述导电膜被短路，
所述LiTaO3基板的利用由所述IDT电极的电极指间距决定的波长进行标准化而得的所述LiTaO3基板的波长标准化厚度、和所述IDT电极的占空比满足下述表6所示的任意组合，
[表6]
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