JP2010220204A - ラム波装置 - Google Patents
ラム波装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010220204A JP2010220204A JP2010028752A JP2010028752A JP2010220204A JP 2010220204 A JP2010220204 A JP 2010220204A JP 2010028752 A JP2010028752 A JP 2010028752A JP 2010028752 A JP2010028752 A JP 2010028752A JP 2010220204 A JP2010220204 A JP 2010220204A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- piezoelectric thin
- lamb wave
- wave device
- piezoelectric
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
【解決手段】ラム波装置102は、圧電体薄膜106と、圧電体薄膜106の主面に設けられたIDT電極108と、IDT電極108及び圧電体薄膜106の積層体104を支持し、積層体104を離隔させるキャビティ180が形成された支持構造体122とを備える。圧電体薄膜106の膜厚h及びIDT電極108のフィンガー110のピッチpは、音速が5000m/s以上となる高次モードのラム波が目的の周波数において励振されるように選択される。圧電体薄膜106の結晶方位は、圧電体薄膜106の支持構造体122の側にある下面1062のフッ酸に対するエッチングレートが、十分に遅くなるように選択する。
【選択図】図1
Description
<1−1 ラム波装置102の構成>
図1及び図2は、第1実施形態のラム波装置102の模式図である。図1は、ラム波装置102の分解斜視図、図2は、ラム波装置102の断面図となっている。
圧電体薄膜106の膜厚h及びIDT電極108のフィンガー110のピッチpは、音速が5000m/s以上となるラム波が目的の周波数(設計周波数;共振子の場合は設計共振周波数)において励振されるように選択されることが望ましい。これにより、厚み方向縦波を励振する場合よりも圧電体薄膜106の膜厚hが厚くなる。
水銀ランプを光源とする一般的なステッパのうち最も分解能が高いのは、波長が365nmのi線を用い最小線幅が0.365μmとなるi線ステッパである。このi線ステッパによりIDT電極108をパターニングした場合、IDT電極108により励振されるラム波の最短の波長λは0.365×4=1.46μmとなる。したがって、音速が5000m/s以上であれば、一般的なi線ステッパによりIDT電極108をパターニングした場合でも周波数は約3.4GHz以上となり、多くの高周波用途に利用可能なラム波装置が実現される。ただし、線幅を限界値である0.365μmまで狭くすると、IDT電極108の耐電力性の劣化やオーミック損によるQ値の低下が発生することもあるので、音速を8000m/s以上とすることがさらに望ましい。
圧電体薄膜106を構成する圧電材料は、特に制限されないが、水晶(SiO2)・ニオブ酸リチウム(LiNbO3)・タンタル酸リチウム(LiTaO3)・四ホウ酸リチウム(Li2B4O7)・酸化亜鉛(ZnO)・ニオブ酸カリウム(KNbO3)・ランガサイト(La3Ga3SiO14)・窒化アルミニウム(AlN)・窒化ガリウム(GaN)等の単結晶から選択することが望ましい。圧電材料を単結晶から選択すれば、圧電体薄膜106の電気機械結合係数や機械的品質係数を向上することができるからである。
IDT電極108を構成する導電材料は、特に制限されないが、アルミニウム(Al)・モリブデン(Mo)・タングステン(W)・金(Au)・白金(Pt)・銀(Ag)・銅(Cu)・チタン(Ti)・クロム(Cr)・ルテニウム(Ru)・バナジウム(V)・ニオブ(Nb)・タンタル(Ta)・ロジウム(Rh)・イリジウム(Ir)・ジルコニウム(Zr)・ハフニウム(Hf)・パラジウム(Pd)又はこれらを主成分とする合金から選択することが望ましく、アルミニウム又はアルミニウムを主成分とする合金から選択することが特に望ましい。
支持基板124を構成する絶縁材料は、特に制限されないが、シリコン(Si)・ゲルマニウム(Ge)等のIV元素の単体、サファイア(Al2O3)・酸化マグネシウム(MgO)・酸化亜鉛(ZnO)・二酸化シリコン(SiO2)等の単純酸化物、ホウ化ジルコニウム(ZrB2)等のホウ化物、タンタル酸リチウム(LiTaO3)・ニオブ酸リチウム(LiNbO3)・アルミン酸リチウム(LiAlO2)、ガリウム酸リチウム(LiGaO2)・スピネル(MgAl2O4)・アルミン酸タンタル酸ランタンストロンチウムリチウム((LaSr)(AlTa)O3)・ガリウム酸ネオジウム(NdGaO3)等の複合酸化物、シリコンゲルマニウム(SiG)等のIV-IV族化合物、ガリウム砒素GaAs)・窒化アルミニウム(AlN)・窒化ガリウム(GaN)・窒化アルミニウムガリウム(AlGaN)等のIII-IV族化合物等を選択することが望ましい。
支持膜126を構成する絶縁材料は、特に制限されないが、二酸化シリコンを選択することが望ましい。支持膜126は、概ね、キャビティ領域の外側に設けられ、その下面は支持基板124の上面に接し、その上面は圧電体薄膜106の下面1062に接している。支持膜126は、キャビティ領域において支持基板124から積層体104を離隔させるスペーサの役割を果たしている。
ラム波装置102の各構成物の材質及び大きさは、その機能を果たすように選択されるが、典型的な設計例によれば、次のとおりである。ただし、この設計例は、本発明を制限するものではない。
圧電体薄膜106:ニオブ酸リチウムの128°Y板を薄膜化したもの(膜厚1μm)
支持膜126:二酸化シリコン(膜厚0.5μm)
支持基板124:ニオブ酸リチウムの128°Y板(板厚500μm)
図7〜図9は、ラム波装置102の製造方法を説明する模式図である。図7〜図9は、製造の途上の仕掛品の断面図となっている。
ラム波装置102の製造にあたっては、まず、図7に示すように、圧電体基板132の下面に支持膜126が形成された板状構造体130を作製する。支持膜126の形成は、支持膜126を構成する絶縁材料の膜を圧電体基板132の下面の全面に形成し、当該膜の不要部分をフッ酸によるエッチングで除去することにより行う。このとき、最終的に圧電体薄膜106となる圧電体基板132のフッ酸に対するエッチングレートは支持膜126よりも十分に遅いので、フッ酸でキャビティ180を形成するときに圧電体基板132はほとんどエッチングされない。エッチングは、温度を65℃に調整したフッ化水素濃度が50%のフッ酸に支持膜126を構成する絶縁材料の膜を圧電体基板132の下面の全面に形成した仕掛品を浸漬することにより行った。フッ酸の温度の調整は、フッ素樹脂製のビーカに入れたフッ酸を恒温水槽の内部で加熱することより行った。フッ酸への仕掛品の浸漬は、フッ酸の温度が安定した後に行った。キャビティの深さは、接触式段差計で測定した。なお、エッチングが行われる温度は、一定に維持されていれば必ずしも「65℃」である必要はないが、「65℃」であれば、エッチングレートが早くなりエッチングに要する時間が短くなる。
板状構造体130を作製した後に、図8に示すように、板状構造体130の下面と支持基板124の上面とを接合する。板状構造体130と支持基板124との接合は、特に制限されないが、例えば、表面活性化接合・接着剤接合・熱圧着接合・陽極接合・共晶結合等により行う。
板状構造体130と支持基板124とを接合した後に、図9に示すように、板状構造体130と支持基板124とを接合した状態を維持したまま圧電体基板132を除去加工し、単独で自重に耐えることができる板厚(例えば、50μm以上)を有する圧電体基板132を単独で自重に耐えることができない膜厚(例えば、10μm以下)まで薄くする。これにより、支持基板124の上面の全面を覆う圧電体薄膜106が形成される。
圧電体基板132を除去加工した後に、圧電体薄膜106の上面にIDT電極108を形成し、図1及び図2に示すラム波装置102を完成する。IDT電極108の形成は、圧電体薄膜106の上面の全面を覆う導電材料膜を形成し、当該導電材料膜の不要部分をエッチングで除去することにより行う。
IDT電極を圧電体薄膜106の下面に設ける場合は、支持膜126の形成に先立って圧電体基板132の下面にIDT電極を形成すればよい。
<2−1 ラム波装置202の構成>
第2実施形態は、第1実施形態の支持構造体122に代えて支持構造体222で第1実施形態と同様に圧電体薄膜206及びIDT電極208を備える積層体204を支持したラム波装置202に関する。図10は、第2実施形態のラム波装置202の模式図である。図10は、ラム波装置202の断面図となっている。
圧電体薄膜106:ニオブ酸リチウムの128°Y板を薄膜化したもの(膜厚1μm)
支持基板124:ニオブ酸リチウムの128°Y板(板厚500μm)
図12〜図14は、ラム波装置202の製造方法を説明する模式図である。図12〜図14は、製造の途上の仕掛品の断面図となっている。
ラム波装置202の製造にあたっては、まず、図12に示すように、圧電体基板232の下面と最終的に支持基板224となる素材基板230の上面とを接合する。圧電体基板232と素材基板230との接合は、第1実施形態の場合と同様に行う。
圧電体基板232と素材基板230とを接合した後に、図13に示すように、圧電体基板232と素材基板230とを接合した状態を維持したまま圧電体基板232を除去加工し、圧電体薄膜206を得る。圧電体基板232の除去加工は、第1実施形態の場合と同様に行う。
圧電体基板232を除去加工した後に、図14に示すように、素材基板230を下面の側からエッチングしてキャビティ280を形成された支持基板224を作製する。圧電体薄膜206のフッ酸に対するエッチングレートは素材基板230よりも十分に遅いので、フッ酸でキャビティ280を形成するときに圧電体薄膜206はほとんどエッチングされない。なお、IDT電極208を形成した後にキャビティ280を形成してもよい。
支持基板224を作製した後に、圧電体薄膜206の上面にIDT電極208を形成し、図10に示すラム波装置202を完成する。IDT電極208の形成は、第1実施形態の場合と同様に行う。
第3実施形態は、第1実施形態の積層体104及び第2実施形態の積層体204に代えて採用することができる積層体304に関する。図15は、第3実施形態の積層体304の模式図である。図15は、積層体304の断面図となっている。
第3実施形態は、第1実施形態の積層体104及び第2実施形態の積層体204に代えて採用することができる積層体404に関する。図16は、第4実施形態の積層体404の模式図である。
図17は、A1モード及びS0モードのラム波並びに厚み方向縦波を励振したときの圧電体薄膜の膜厚による共振子の周波数の変化を示す図である。
この発明は詳細に説明されたが、上述の説明は、すべての局面において例示であって、この発明がそれに限定されるものではない。例示されていない無数の変形例が、この発明の範囲から外れることなく想定され得るものと解される。特に、第1実施形態〜第5実施形態において説明したことを組み合わせることは当然に予定されている。
104,204,304,404 積層体
106,206,306,406 圧電体薄膜
108,208,308,309,408 IDT電極
110,310 フィンガー
116 バスバー
122,222 支持構造体
124,224 支持基板
180,280 キャビティ
Claims (4)
- ラム波装置であって、
圧電体薄膜と、
前記圧電体薄膜の主面に設けられたIDT電極と、
前記圧電体薄膜及び前記IDT電極の積層体を支持する支持構造体と、
を備え、
前記支持構造体が、
支持基板と、
前記支持基板と前記積層体とを接合するとともに前記積層体の励振部を支持基板から離隔させるキャビティが形成された支持膜と、
を備え、
音速が5000m/s以上となる高次モードのラム波が目的の周波数において励振されるように前記圧電体薄膜の膜厚及び前記IDT電極のフィンガーのピッチが選択され、
前記圧電体薄膜の前記支持構造体の側にある主面のフッ化水素を含む溶液又はフッ化水素を含むガスに対する65℃におけるエッチングレートが前記支持膜の前記支持基板の側にある主面の1/2以下となるように前記圧電体薄膜の方位が選択されるラム波装置。 - 請求項1のラム波装置において、
前記圧電体薄膜の前記支持構造体の側にある主面のフッ化水素を含む溶液又はフッ化水素を含むガスに対する65℃におけるエッチングレートが前記支持膜の前記支持基板の側にある主面の1/20以下となるように前記圧電体薄膜の方位が選択されるラム波装置。 - ラム波装置であって、
圧電体薄膜と、
前記圧電体薄膜の主面に設けられたIDT電極と、
前記圧電体薄膜及び前記IDT電極の積層体を支持する支持構造体と、
を備え、
前記支持構造体が、
支持基板、
を備え、
目的の周波数において音速が5000m/s以上となる高次モードのラム波が励振されるように前記圧電体薄膜の膜厚及び前記IDT電極のフィンガーのピッチが選択され、
前記圧電体薄膜の前記支持構造体の側にある主面のフッ化水素を含む溶液又はフッ化水素を含むガスに対する65℃におけるエッチングレートが前記支持基板の前記圧電体薄膜の側とは反対の側にある主面の1/2以下となるように前記圧電体薄膜の方位が選択されるラム波装置。 - 請求項3のラム波装置において、
前記圧電体薄膜の前記支持構造体の側にある主面のフッ化水素を含む溶液又はフッ化水素を含むガスに対するに対する65℃におけるエッチングレートが前記支持基板の前記圧電体薄膜の側とは反対の側にある主面の1/20以下となるように前記圧電体薄膜の方位が選択されるラム波装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010028752A JP5367612B2 (ja) | 2009-02-17 | 2010-02-12 | ラム波装置 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009033757 | 2009-02-17 | ||
JP2009033757 | 2009-02-17 | ||
JP2010028752A JP5367612B2 (ja) | 2009-02-17 | 2010-02-12 | ラム波装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010220204A true JP2010220204A (ja) | 2010-09-30 |
JP5367612B2 JP5367612B2 (ja) | 2013-12-11 |
Family
ID=42978486
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010028752A Active JP5367612B2 (ja) | 2009-02-17 | 2010-02-12 | ラム波装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5367612B2 (ja) |
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012073871A1 (ja) * | 2010-11-30 | 2012-06-07 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置及びその製造方法 |
JP2013214954A (ja) * | 2012-03-07 | 2013-10-17 | Taiyo Yuden Co Ltd | 共振子、周波数フィルタ、デュプレクサ、電子機器及び共振子の製造方法 |
JPWO2013031650A1 (ja) * | 2011-09-02 | 2015-03-23 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置及びその製造方法 |
JPWO2013031651A1 (ja) * | 2011-09-02 | 2015-03-23 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置及びその製造方法 |
WO2015137089A1 (ja) * | 2014-03-14 | 2015-09-17 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
US9148107B2 (en) | 2011-02-04 | 2015-09-29 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Method for manufacturing acoustic wave device |
CN105409119A (zh) * | 2013-07-25 | 2016-03-16 | 日本碍子株式会社 | 复合基板及其制造方法 |
CN106031033A (zh) * | 2014-03-14 | 2016-10-12 | 株式会社村田制作所 | 弹性波装置 |
JP2016535933A (ja) * | 2013-10-17 | 2016-11-17 | ロイヤル・メルボルン・インスティテュート・オブ・テクノロジーRoyal Melbourne Institute Of Technology | 圧電駆動プラットフォーム |
US9634226B2 (en) | 2012-07-04 | 2017-04-25 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Lamb wave device and manufacturing method thereof |
WO2017077892A1 (ja) * | 2015-11-02 | 2017-05-11 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
WO2020130128A1 (ja) * | 2018-12-21 | 2020-06-25 | 京セラ株式会社 | 弾性波装置、分波器および通信装置 |
WO2022102417A1 (ja) * | 2020-11-11 | 2022-05-19 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
WO2022102619A1 (ja) * | 2020-11-11 | 2022-05-19 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0583065A (ja) * | 1991-07-23 | 1993-04-02 | Citizen Watch Co Ltd | 圧電振動子の製造方法 |
JP2006217566A (ja) * | 2005-01-07 | 2006-08-17 | Seiko Epson Corp | ラム波型高周波共振子 |
WO2007046236A1 (ja) * | 2005-10-19 | 2007-04-26 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | ラム波デバイス |
JP2007228319A (ja) * | 2006-02-24 | 2007-09-06 | Ngk Insulators Ltd | 圧電薄膜デバイス及び当該圧電薄膜デバイスの製造方法 |
JP2007251910A (ja) * | 2006-02-16 | 2007-09-27 | Seiko Epson Corp | ラム波型高周波デバイス、ラム波型高周波デバイスの製造方法 |
JP2008054163A (ja) * | 2006-08-28 | 2008-03-06 | Seiko Epson Corp | ラム波型高周波共振子 |
JP2008182526A (ja) * | 2007-01-25 | 2008-08-07 | Seiko Epson Corp | 圧電振動子およびその製造方法 |
WO2010004741A1 (ja) * | 2008-07-11 | 2010-01-14 | パナソニック株式会社 | 板波素子と、これを用いた電子機器 |
JP2010154315A (ja) * | 2008-12-25 | 2010-07-08 | Ngk Insulators Ltd | 複合基板、弾性波素子の製造方法及び弾性波素子 |
JP2010154505A (ja) * | 2008-11-19 | 2010-07-08 | Ngk Insulators Ltd | ラム波装置 |
-
2010
- 2010-02-12 JP JP2010028752A patent/JP5367612B2/ja active Active
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0583065A (ja) * | 1991-07-23 | 1993-04-02 | Citizen Watch Co Ltd | 圧電振動子の製造方法 |
JP2006217566A (ja) * | 2005-01-07 | 2006-08-17 | Seiko Epson Corp | ラム波型高周波共振子 |
WO2007046236A1 (ja) * | 2005-10-19 | 2007-04-26 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | ラム波デバイス |
JP2007251910A (ja) * | 2006-02-16 | 2007-09-27 | Seiko Epson Corp | ラム波型高周波デバイス、ラム波型高周波デバイスの製造方法 |
JP2007228319A (ja) * | 2006-02-24 | 2007-09-06 | Ngk Insulators Ltd | 圧電薄膜デバイス及び当該圧電薄膜デバイスの製造方法 |
JP2008054163A (ja) * | 2006-08-28 | 2008-03-06 | Seiko Epson Corp | ラム波型高周波共振子 |
JP2008182526A (ja) * | 2007-01-25 | 2008-08-07 | Seiko Epson Corp | 圧電振動子およびその製造方法 |
WO2010004741A1 (ja) * | 2008-07-11 | 2010-01-14 | パナソニック株式会社 | 板波素子と、これを用いた電子機器 |
JP2010154505A (ja) * | 2008-11-19 | 2010-07-08 | Ngk Insulators Ltd | ラム波装置 |
JP2010154315A (ja) * | 2008-12-25 | 2010-07-08 | Ngk Insulators Ltd | 複合基板、弾性波素子の製造方法及び弾性波素子 |
Cited By (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5601377B2 (ja) * | 2010-11-30 | 2014-10-08 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置及びその製造方法 |
WO2012073871A1 (ja) * | 2010-11-30 | 2012-06-07 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置及びその製造方法 |
US9748923B2 (en) | 2010-11-30 | 2017-08-29 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Elastic wave device and manufacturing method for same |
US9148107B2 (en) | 2011-02-04 | 2015-09-29 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Method for manufacturing acoustic wave device |
JPWO2013031650A1 (ja) * | 2011-09-02 | 2015-03-23 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置及びその製造方法 |
JPWO2013031651A1 (ja) * | 2011-09-02 | 2015-03-23 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置及びその製造方法 |
JP2013214954A (ja) * | 2012-03-07 | 2013-10-17 | Taiyo Yuden Co Ltd | 共振子、周波数フィルタ、デュプレクサ、電子機器及び共振子の製造方法 |
US9634226B2 (en) | 2012-07-04 | 2017-04-25 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Lamb wave device and manufacturing method thereof |
JPWO2015012005A1 (ja) * | 2013-07-25 | 2017-03-02 | 日本碍子株式会社 | 複合基板及びその製法 |
US11239405B2 (en) | 2013-07-25 | 2022-02-01 | Ngk Insulators, Ltd. | Method of producing a composite substrate |
CN105409119A (zh) * | 2013-07-25 | 2016-03-16 | 日本碍子株式会社 | 复合基板及其制造方法 |
US10211389B2 (en) | 2013-07-25 | 2019-02-19 | Ngk Insulators, Ltd. | Composite substrate |
US10404232B2 (en) | 2013-10-17 | 2019-09-03 | Royal Melbourne Institute Of Technology | Piezoelectric actuation platform |
JP2016535933A (ja) * | 2013-10-17 | 2016-11-17 | ロイヤル・メルボルン・インスティテュート・オブ・テクノロジーRoyal Melbourne Institute Of Technology | 圧電駆動プラットフォーム |
CN105993129A (zh) * | 2014-03-14 | 2016-10-05 | 株式会社村田制作所 | 弹性波装置 |
US10454448B2 (en) | 2014-03-14 | 2019-10-22 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Elastic wave device |
WO2015137089A1 (ja) * | 2014-03-14 | 2015-09-17 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
JPWO2015137089A1 (ja) * | 2014-03-14 | 2017-04-06 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
CN106031033B (zh) * | 2014-03-14 | 2018-12-21 | 株式会社村田制作所 | 弹性波装置 |
CN106031033A (zh) * | 2014-03-14 | 2016-10-12 | 株式会社村田制作所 | 弹性波装置 |
US20160352305A1 (en) * | 2014-03-14 | 2016-12-01 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Elastic wave device |
JPWO2015137054A1 (ja) * | 2014-03-14 | 2017-04-06 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
US10312883B2 (en) | 2014-03-14 | 2019-06-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Elastic wave device |
WO2017077892A1 (ja) * | 2015-11-02 | 2017-05-11 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
WO2020130128A1 (ja) * | 2018-12-21 | 2020-06-25 | 京セラ株式会社 | 弾性波装置、分波器および通信装置 |
JPWO2020130128A1 (ja) * | 2018-12-21 | 2021-02-15 | 京セラ株式会社 | 弾性波装置、分波器および通信装置 |
CN113302840A (zh) * | 2018-12-21 | 2021-08-24 | 京瓷株式会社 | 弹性波装置、分波器以及通信装置 |
WO2022102417A1 (ja) * | 2020-11-11 | 2022-05-19 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
WO2022102619A1 (ja) * | 2020-11-11 | 2022-05-19 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5367612B2 (ja) | 2013-12-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5367612B2 (ja) | ラム波装置 | |
JP5433367B2 (ja) | ラム波装置 | |
CN110011637B (zh) | 弹性波装置 | |
JP5270412B2 (ja) | バルク弾性波装置の製造方法 | |
JP5904591B2 (ja) | 弾性波デバイス | |
JP6284726B2 (ja) | 窒化アルミニウム膜の成膜方法、弾性波デバイスの製造方法、及び窒化アルミニウム膜の製造装置 | |
JP4149444B2 (ja) | 圧電薄膜共振子及びこれを用いたフィルタ | |
JP5815329B2 (ja) | 弾性波デバイス | |
JP3953315B2 (ja) | 窒化アルミニウム薄膜−金属電極積層体およびそれを用いた薄膜圧電共振子 | |
JP4478910B2 (ja) | 圧電薄膜共振子 | |
JP2018506930A5 (ja) | ||
JP2018506930A (ja) | 波閉じ込め構造を有する板波デバイス及び作製方法 | |
JP2008153797A (ja) | 圧電薄膜共振器およびフィルタ | |
JP2008109414A (ja) | 圧電薄膜共振器およびフィルタ | |
US11770111B2 (en) | Elastic wave device | |
WO2002093740A1 (fr) | Resonateur d'onde acoustique en volume a couche mince | |
JP7081041B2 (ja) | 薄膜バルク音響波共振器とその製造方法、フィルタ、および無線周波数通信システム | |
JP7081981B2 (ja) | 窒化アルミニウム膜、圧電デバイス、共振器、フィルタおよびマルチプレクサ | |
JP7269719B2 (ja) | 圧電膜およびその製造方法、圧電デバイス、共振器、フィルタ並びにマルチプレクサ | |
JP2008098974A (ja) | ラム波型高周波デバイス | |
EP4318945A1 (en) | Baw filter structure and preparation method | |
US11108375B2 (en) | Acoustic wave device, method of fabricating the same, filter, and multiplexer | |
JP2008306280A (ja) | 圧電薄膜デバイス | |
JP2007228190A (ja) | バルク弾性波共振素子及び該製造方法並びにフィルタ回路 | |
JP2011077810A (ja) | フィルタ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20121119 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130829 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130903 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130911 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5367612 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |