CN103283147A - 弹性波装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

提供利用了板波的弹性波装置，不需要空腔的形成，能谋求制造工序的简化，并且机械强度优良，处置容易，且改善了温度特性。弹性波装置(1)传播板波，在支承基板(2)上层叠声反射层(3)、压电体层(4)以及IDT电极(5)，压电体层(4)的厚度小于IDT电极(5)的电极指的周期，其中，声反射层(3)具有低声阻抗层(3b、3d、3f、3h)和高声阻抗层(3a、3c、3e、3g)，低声阻抗层由SiO2构成，所述高声阻抗层由从W、LiTaO3、Al2O3、AlN、LiNbO3、SiN以及ZnO所构成的群中选择的至少一种材料构成。

Description

弹性波装置及其制造方法
技术领域
本发明涉及在谐振器或带通滤波器等中使用的弹性波装置，更详细地，涉及使用板波(plate waves)的弹性波装置及其制造方法。
背景技术
现有技术中，提出使用了瑞利波、SH波等的各种弹性波的弹性波装置。在下述的专利文献1中，公开了利用板波的弹性波装置。
专利文献1公开的弹性波装置具备：硅基板、层叠于硅基板上的声反射器、和形成于该声反射器上的压电膜。在压电膜上具备IDT电极。另外，声反射器由交替重叠高弹性波阻抗膜和低弹性波阻抗膜形成的镜构成。在此，示出作为高弹性波阻抗膜和低弹性波阻抗膜交替重叠钨膜和铝膜的声反射器。
先行技术文献
专利文献
专利文献1：JP特表2008-530874公报
发明的概要
发明要解决的课题
在专利文献1所公开的弹性波装置中，声反射器由钨膜和铝膜、即金属膜构成。这种情况下，由于金属的温度特性差，因此存在弹性波装置的频率温度特性劣化这样的问题。
发明内容
本发明的目的在于，提供能得到良好的特性且改善了温度特性的弹性波装置。
用于解决课题的手段
本发明所涉及的弹性波装置具备：支承基板；形成于所述支承基板上的声反射层；形成于所述声反射层上的压电体层；和形成于所述压电体层的上表面或下表面的IDT电极。压电体层的厚度小于IDT电极的电极指的周期。因此，通过IDT电极激励板波，传播该板波。所述声反射层具有：低声阻抗层、和声阻抗高于该低声阻抗层的高声阻抗层。进而，所述低声阻抗层由SiO2构成，所述高声阻抗层由从W、LiTaO3、Al2O3、AlN、LiNbO3、SiN以及ZnO所构成的群中选择的至少一种的材料构成。
在本发明所涉及的弹性波装置的某特定的方面，所述高声阻抗层由从LiTaO3、Al2O3、AlN、LiNbO3、SiN以及ZnO所构成的群中选择的至少一种的材料构成。
在本发明所涉及的弹性波装置的其它的特定的方面下，所述压电体层由从LiTaO3、LiNbO3、ZnO、AlN以及水晶所构成的群中选择的至少一种材料构成。
在本发明所涉及的弹性波装置的再其它的特定的方面下，所述压电体层由LiNbO3或LiTaO3构成，该LiNbO3或LiTaO3的欧拉角，在利用A1模、S0模或SH0模的情况下，为表1所示的范围内。
[表1]
Figure BDA00003395160700021
本发明所涉及的弹性波装置的制造方法是按照本发明而构成的弹性波装置的制造方法，具备：在支承基板上形成声反射层的工序；在所述声反射层上设置压电体层的工序；和在所述压电体层上形成IDT电极的工序。
在本发明所涉及的弹性波装置的制造方法的某特定的方面下，在所述声反射层上形成所述压电体层的工序如下地进行：在所述声反射层上接合压电体层，接下来使该压电体层变薄来形成所述压电体层。
在本发明所涉及的弹性波装置的制造方法的其它的特定的方面下，在所述压电体层上设置所述声反射层的工序如下地进行：在所述声反射层上成膜所述压电体层。这种情况下，能通过蒸镀或溅镀等的薄膜形成方法容易且高精度地形成厚度较薄的压电体层。
在本发明所涉及的弹性波装置的制造方法的再另外的特定的方面下，具备：在比所述压电体层厚的压电体上形成所述声反射层的工序；在所述声反射层的与层叠了所述压电体一侧相反侧的面接合所述支承基板的工序；使所述压电体变薄来形成所述压电体层的工序；和在所述压电体层上形成IDT电极的工序。这种情况下，在使压电体变薄的工序中，由于压电体通过声反射层以及支承基板来层叠从而形成衬底，也因此，能容易且稳定地进行使压电体变薄的工序。
发明的效果
在本发明所涉及的弹性波装置中，在声反射层上设置小于IDT电极的电极指的周期的薄的压电体层，由SiO2构成低声阻抗层，由从W、LiTaO3、Al2O3、AlN、LiNbO3、SiN以及ZnO所构成的群中选择的至少一种材料构成高声阻抗层，因此，低声阻抗层和高声阻抗层的阻抗比较大。由此，能有效果地使板波反射。由此，能得到良好的谐振特性、滤波器特性等。进而，由于作为与压电层相接的低声阻抗层的材料使用温度特性良好的SiO2，因此，能改善弹性波装置的温度特性。
附图说明
图1(a)是本发明的第1实施方式所涉及的弹性波装置的主视截面图，图1(b)是表示其电极构造的示意俯视图。
图2是表示本发明的一个实施方式所涉及的弹性波装置的阻抗特性以及相位特性的图。
图3是表示不具有声反射层的比较例的弹性波装置的阻抗特性以及相位特性的图。
图4是为了比较而准备的不具有声反射层且设有空腔的弹性波装置的阻抗特性以及相位特性的图。
图5是表示在本发明的第1实施方式中将声反射层设为交替层叠由SiO2构成的低声阻抗层、和由W构成的高声阻抗层的6层层叠构造的情况下的弹性波装置的阻抗特性以及相位特性的图。
图6是表示在本发明的第1实施方式中将声反射层设为交替层叠由SiO2构成的低声阻抗层、和由AlN构成的高声阻抗层，作为10层层叠构造的情况下的弹性波装置的阻抗特性以及相位特性的图。
图7是表示在本发明的第1实施方式中将声反射层设为交替层叠由SiO2构成的低声阻抗层、和由ZnO构成的高声阻抗层，作为14层层叠构造的情况下的弹性波装置的阻抗特性以及相位特性的图。
图8是表示在本发明的第1实施方式中将声反射层设为交替层叠由ZnO构成的低声阻抗层、和由LiTaO3构成的高声阻抗层，作为20层层叠构造的情况下的弹性波装置的阻抗特性以及相位特性的图。
图9是在本发明的第1实施方式的弹性波装置中，关于A1模的板波表示由LiTaO3构成的压电体层中的欧拉角(0°，θ，0°)的θ、和带宽率以及阻抗比的关系的图。
图10是在本发明的第1实施方式的弹性波装置中，关于SH0模的板波表示由LiTaO3构成的压电体层中的欧拉角(0°，θ，0°)的θ、和带宽率以及阻抗比的关系的图。
图11是在本发明的第1实施方式的弹性波装置中，关于S0模的板波表示由LiTaO3构成的压电体层中的欧拉角
Figure BDA00003395160700045
的和带宽率以及阻抗比的关系的图。
图12是在本发明的第1实施方式的弹性波装置中，关于A1模的板波表示由LiNbO3构成的压电体层中的欧拉角(0°，θ，0°)的θ、和带宽率以及阻抗比的关系的图。
图13是在本发明的第1实施方式的弹性波装置中，关于SH0模的板波表示由LiTaO3构成的压电体层中的欧拉角(0°，θ，0°)的θ、和带宽率以及阻抗比的关系的图。
图14是在本发明的第1实施方式的弹性波装置中，关于S0模的板波表示由LiNbO3构成的压电体层中的欧拉角的
Figure BDA00003395160700043
和带宽率以及阻抗比的关系的图。
图15(a)～(d)是表示S0模兰姆波、S1模兰姆波、A0模兰姆波、A1模兰姆波的传播状态的图，图15(e)～(f)是表示SH0模以及SH1模的传播状态的图。
具体实施方式
下面，通过参照附图说明本发明的具体的实施方式来使本发明变得明了。
图1(a)是本发明的第1实施方式所涉及的弹性波装置的主视截面图，(b)是表示其电极构造的示意俯视图。
弹性波装置1是利用了板波的弹性波装置。弹性波装置1具有支承基板2。支承基板2由LiNbO3构成。构成支承基板2的材料没有特别的限定，能使用其它的适宜的陶瓷、LiTaO3、水晶、Si、玻璃等。
在支承基板2上层叠有声反射层3。声反射层3在本实施方式中具有高声阻抗层3a、3c、3e、3g和低声阻抗层3b、3d、3f、3h。高声阻抗层3a、3c、3e、3g的声阻抗高于低声阻抗层3b、3d、3f、3h的声阻抗。在本实施方式中，高声阻抗层3a、3c、3e、3g和低声阻抗层3b、3d、3f、3h在层叠方向上交替配置。
在本实施方式中，高声阻抗层3a、3c、3e、3g由AlN构成，低声阻抗层3b、3d、3f、3h由SiO2构成。
在上述声反射层3中，由于高声阻抗层3a、3c、3e、3g和低声阻抗层3b、3d、3f、3h交替层叠，因此，从上方传播来的板波在低声阻抗层3b、3d、3f、3h的下方表面、即低声阻抗层3b、3d、3f、3h和高声阻抗层3a、3c、3e、3g的界面被反射。
在上述声反射层3的上表面层叠有压电体层4。压电体层4由适宜的压电材料构成，在本实施方式中由LiNbO3构成。
优选地，压电体层4能适当地使用从由LiTaO3、LiNbO3、ZnO、AlN以及水晶构成的群中选择的一种材料。这样的压电材料是在弹性波装置等中一般使用并容易获得的压电材料。使用这样的压电材料，依照本发明能有效果地激励板波。另外，关于构成压电体层4的压电材料，选择具有需要的带宽以及足够的机电耦合系数的适宜的压电材料即可。
在压电体层4上形成IDT电极5以及反射器6、7。因此，构成单端口型弹性波谐振器。IDT电极5以及反射器6、7由Al构成。但是，电极材料并没有特别的限定，能使用Al、Cu、Pt、Au、Ti、Ni、Cr、Ag、W、Mo、Ta等的适宜的金属或合金。另外，也可以使用层叠这些金属的层叠体。
压电体层4的厚度小于IDT电极5的电极指的周期。例如，在构成在5GHz有谐振点的弹性波装置1的情况下，电极指的周期成为3μm程度。因此，压电体层4的厚度薄于3μm。例如，在本实施方式中，非常薄到0.4μm程度。
在本实施方式的弹性波装置1中，由于压电体层4的厚度如上述那样薄，因此，在对IDT电极5施加交变电场的情况下，效率良好地激励板波且使其在压电体层4中传播。并且，由于形成声反射层3，因此在声反射层3侧泄漏的板波通过声反射层3被反射。因此，能以高能量强度来在压电体层4传播板波。
另外，也可以在上述IDT电极5上进一步形成温度补偿膜、保护膜或频率调整膜等。这样的温度补偿膜、保护膜或频率调整膜能以适宜的材料形成，例如能举出SiO2、SiN、Al2O3等绝缘膜。
另外，在第1发明中，低声阻抗层由SiO2构成，高声阻抗层由从W、LiTaO3、Al2O3、AlN、LiNbO3、SiN以及ZnO所构成的群中选择的至少一种材料构成。由于是这样的低声阻抗层以及高声阻抗层的组合，因此，能使高声阻抗层的声阻抗相对低声阻抗层的声阻抗之比、即声阻抗比较大。由此，能有效果地反射板波，能得到良好的谐振特性、滤波器特性等。基于以下的实验例来详述这样的效果。
以下述的表2所示的规格来作成上述实施方式的弹性波装置1。
[表2]
另外，高声阻抗层以及低声阻抗层的层叠数在图1(a)中为8层，但在本实验例中为合计10层。
在图2中示出上述实施方式的弹性波装置的阻抗特性以及相位特性。
为了比较，准备除了没有设置声反射层以外其它都同样构成的弹性波装置作为比较例1。在图3中示出该比较例1的弹性波装置的阻抗特性以及相位特性。
进而，准备作为比较例2的弹性波装置，其使用与上述实施方式的实验例相同的材料，但未设置声反射层，在支承基板设置凹部而形成空腔。在图4中示出该比较例2的弹性波装置的阻抗特性以及相位特性。
若比较图2和图4，则可知，不管有没有空腔，根据上述实施方式，都能得到作为板波的A1模的兰姆波(Lamb waves)带来的良好的谐振特性。另外，若比较图2和图3，则可知，在未设置声反射层的情况下，几乎得不到基于板波的响应。因此，如图2所示，在本实施方式中，就算不设置空腔，也由于设置了声反射层3，因此与具有空腔的比较例2同样，能得到A1模的兰姆波带来的良好的谐振特性。
另外，板波按照位移分量而被分类为兰姆波(以弹性波传播方向以及压电体厚度方向的分量为主)和SH波(以SH分量为主)。进而，兰姆波被分类为对称模(S模)和反对称模(A模)。在以压电体厚度的一半的线折返时，将位移重叠的模称作对称模，将位移为相反方向的模称作反对称模。下标的数值表示厚度方向的波节的数量。在此，A1模兰姆波是指1次反对称模兰姆波。在图15中示出这些兰姆波的S模和A模、以及SH波的传输模的样子。在图15(a)～(d)中箭头的方向，在(e)、(f)中纸面厚度方向分别表示弹性波的位移方向。
但是，为了在声反射层3有效率地反射弹性波，期望高声阻抗层3a、3c、3e、3g的声阻抗和低声阻抗层3b、3d、3f、3f的声阻抗之比、即声阻抗比较大。在下述的表3，示出各种声阻抗层构成材料的密度、A1模兰姆波的音速、和声阻抗。
[表3]
Figure BDA00003395160700081
若从表3求取基于各种材料的组合的声阻抗比，则成为下述表4所示那样。
[表4]
Figure BDA00003395160700082
图5～图8表示与上述实施方式相同、但使构成声反射层3的材料不同且使低声阻抗层以及高声阻抗层的层叠数不同的情况下的弹性波装置的阻抗特性以及相位特性的图。另外，除了声反射层以外，其它都与前述的第1实施方式的实验例相同。
图5表示声反射层3是交替重叠3层由SiO2构成的低声阻抗层和3层由W构成的高声阻抗层的情况下的结果。
图6表示使用层叠5层由SiO2构成的低声阻抗层和5层由AlN构成的高声阻抗层的声反射层的情况下的结果。
图7表示使用层叠7层由SiO2构成的低声阻抗层和7层由ZnO构成的低声阻抗层的声反射层的情况下的结果。
图8表示使用由10层ZnO构成的低声阻抗层和10层由LiTaO3层构成的声反射层的情况下的结果。
另外，在下述表5示出根据图5～图8所示的阻抗特性以及相位特性求得的谐振器的阻抗比以及带宽率。另外，谐振器的阻抗比表示反谐振频率下的阻抗相对于谐振频率下的阻抗之比、即所谓的峰谷比。
[表5]
Figure BDA00003395160700091
表5中的*1表示低声阻抗层的膜厚/高声阻抗层的膜厚。另外，带宽率，是指反谐振频率与谐振频率之差相对于谐振频率的比例的值。
如图5～图8以及表3所明了那样，在阻抗比为1.70的LiTaO3和ZnO的组合中，阻抗比小到33.2dB，带宽率也小到2.5％。与此相对，在声阻抗比为6.77、2.41以及2.01的组合中，谐振特性的阻抗比大到50dB以上，带宽率也宽到5.7％以上。认为这是因为由于声阻抗比高到2.01以上，因此A1模兰姆波更有效果地被声反射层3反射。由此，能提供具有良好的谐振特性、滤波器特性的弹性波装置。
如上述那样，若高声阻抗层的声阻抗与低声阻抗层的声阻抗之比高到2.0以上，则能通过声反射层有效果地反射A1模兰姆波。另外，另外，并不限于A1模兰姆波，也能同样有效果地反射S0模兰姆波、SH0模兰姆波。
如上述那样，作为使声阻抗比为2.0以上的最佳组合，适当地使用使前述第1发明中的低声阻抗层由SiO2构成、高声阻抗层由从W、LiTaO3、Al2O3、AlN、LiNbO3、SiN以及ZnO所构成的群中选择的至少一种材料构成的组合。这样的各声阻抗构成材料的声阻抗值如前述的表3所示那样。
另外，高声阻抗层并不一定要由单一的材料形成，也可以通过上述多个材料构成。即，可以将构成前述组合的高声阻抗层构成材料混合多个来构成高声阻抗层，也可以层叠由不同的材料构成的高声阻抗层。
另外，在反射层中使用金属的构成的情况下，由于因包含于反射层材料中的金属和引导电极(routing electrodes)间的寄生电容的影响而发生弹性波装置的特性劣化这样的问题，因此，反射层的图案形成成为必须。但是，若如本实施方式中的第2发明那样，使用由SiO2构成低声阻抗层、由从LiTaO3、Al2O3、AlN、LiNbO3、SiN以及ZnO所构成的群中选择的至少一种材料构成高声阻抗层的组合，则由于是在反射层材料中包含金属的构成，因此不需要反射层的图案形成。因而能减少反射层的图案形成工序，其结果能降低制作成本。
另外，还示出了通过在低声阻抗层中使用SiO2能将频率温度特性改善到何种程度。在专利文献1中，使用铝作为低声阻抗层，使用W作为高声阻抗层。在本发明的一个形态中，使用SiO2作为低声阻抗层，使用W作为高声阻抗层。将此外的条件设为相同来求取两者的频率温度特性时，在前者中，在谐振点为-144ppm/℃，在反谐振点为-107ppm/℃，与此相对，在作为本发明的一个实施方式的后者中，在谐振点为-62ppm/℃，在反谐振点为-42ppm/℃，可知能较大地改善频率温度特性。与压电层直接接触的反射层材料在前者中为铝，在后者中为SiO2。由于铝的弹性常数的温度系数具有与LiNbO3等的压电体正负号相同的温度系数，因此无法得到改善弹性波装置的频率温度特性的效果。另一方面，由于SiO2的温度系数具有与LiNbO3等的压电体正负号相反的温度系数，因此，能得到改善弹性波装置的频率温度特性的效果。
接下来，在将LiTaO3作为压电体层4使用的情况下，使压电体层4中的欧拉角发生各种变化，由此来求取上述谐振特性中的阻抗比以及带宽率BW。在图9～图11中示出结果。另外，图9表示A1模，图10表示SH0模，图11表示S0模的各兰姆波的结果。
另外，同样地求取使压电体层4为LiNbO3的情况下的欧拉角和谐振特性中的阻抗比以及带宽率的关系。在图12～图14中示出结果。图12表示A1模兰姆波的情况下的结果，图13表示SH0模兰姆波的情况下的结果，图14表示S0模兰姆波的情况下的结果。
另外，在图9以及图10还有图12以及图13中，使欧拉角(0°，θ，0°)的θ发生变化。在图11以及图14中，使欧拉角
Figure BDA00003395160700101
的
Figure BDA00003395160700102
发生变化。
具体地，以下述表6中的规格来制作与上述实施方式相同的弹性波装置，使压电体层4的欧拉角θ或变化，求取欧拉角θ或
Figure BDA00003395160700112
与谐振特性中的阻抗比以及带宽率的关系。
[表6]
Figure BDA00003395160700113
如图9～图11以及图12～图14所明了那样，在使用LiTaO3或LaNbO3的情况下，若根据各模而将欧拉角设为下述表7所示的范围内，则可知，在将本来阻抗比高的情况下的阻抗比设为X的情况下，能将阻抗比设为X-0.1～X的范围内。即，可知能提供从最佳的阻抗比到降低了10％的阻抗比的良好的阻抗比范围的弹性波装置。这种情况下，能得到与最佳的特性大致同等的特性，能得到实用上没有问题的特性。
[表7]
Figure BDA00003395160700114
(制造方法)
本发明的弹性波装置的制造方法并没有特别的限定，但优选地能适当地实用以下第2～第4实施方式的制造方法。
在作为第2实施方式的弹性波装置的制造方法中，首先准备支承基板2。接下来，在支承基板2上通过CVD、溅镀、蒸镀这样的薄膜形成法来形成声反射层3。然后，通过接合等的方法贴合形成声反射层3的支承基板2和厚度比压电体层4厚的压电体。接下来，在贴合后，通过抛光或蚀刻这样的适宜的方法使压电体变薄，形成压电体层4。如此地设置压电体层4。最后，在压电体层4上形成IDT电极5。
这种情况下，作为准备的压电体能使用单晶材料。因此，能得到结晶性优良的压电体层4。从而能提高弹性波装置1的谐振特性。另外，也可以在压电体层4和声反射层3之间设置由SiO2等构成的接合层。
在第3实施方式的制造方法中，首先准备比压电体层4厚的压电体。接下来，通过CVD、溅射或蒸镀这样的薄膜形成法在压电体上成膜声反射层3。然后，将在一个面形成了声反射层3的压电体、和支承基板2与声反射层3直接接合或介由接合材料接合。然后，通过抛光或蚀刻等的方法对压电体进行加工，使其变薄，从而形成压电体层4。最后，在压电体层4上形成IDT电极5。
在这种情况下，由于也是使用单晶材料作为压电体，因此能形成结晶性优良的压电体层，能得到具有良好的谐振特性、滤波器特性的弹性波装置1。进而，由于在支承基板2和声反射层3的界面存在接合面，因此也可以使用粘接剂这样的使弹性波衰减的材料来接合。因此，能使用更合适的接合方法来确实且容易地接合支承基板和声反射层。这认为是出于以下的理由。由于在压电体层4中传播的板波被声反射层3反射，因此，弹性波能量被封闭在上述压电体层4中。由此，弹性波能量不会到达支承基板2和声反射层3的接合界面。因此，板波难以通过上述接合界面衰减。
另外，也可以使SiO2等的粘接层介于支承基板2和声反射层3之间。
在第4实施方式的制造方法中，首先在支承基板2上形成声反射层3。声反射层3的形成与第2以及第3实施方式的情况相同，能通过适宜的薄膜形成法成膜来进行。或者也可以使用粘接剂等将另外准备的声反射层3接合在支承基板2上。接下来，通过CVD或溅镀等的薄膜形成法在声反射层3上成膜压电体层4。然后，在压电体层4上形成IDT电极5。
在第4实施方式的制造方法中，不需要使压电体变薄的加工工序。因而，能谋求制造成本以及加工工序的减少。此外，能通过薄膜形成法高精度地形成更薄的压电体层4。
另外，也可以在压电体层4和声反射层3之间设置用于提高压电体层4的结晶性的缓冲层。能使用AlN、LiTaO3、LiNbO3、ZnO或Ta2O5等来形成这样的缓冲层。
另外，在本发明中，包含IDT电极的电极构造没有特别的限定，并不限于用于构成图1(b)所示的单端口型弹性波谐振器的电极构造，能根据频带滤波器等的各种功能来对电极构造进行适宜的变形。
符号的说明
1  弹性波装置
2  支承基板
3  声反射层
3a、3c、3e、3g 高声阻抗层
3b、3d、3f、3h 低声阻抗层
4  压电体层
5  IDT电极
6、7 反射器

Claims (8)

1.一种弹性波装置，传播板波，具备：
支承基板；
形成于所述支承基板上的声反射层；
形成于所述声反射层上的压电体层；和
形成于所述压电体层的上表面或下表面的IDT电极，
所述压电体层的厚度小于所述IDT电极的电极指的周期，
其中，所述声反射层具有：低声阻抗层、和声阻抗高于该低声阻抗层的高声阻抗层，
所述低声阻抗层由SiO2构成，所述高声阻抗层由从W、LiTaO3、Al2O3、AlN、LiNbO3、SiN以及ZnO所构成的群中选择的至少一种材料构成。
2.根据权利要求1所述的弹性波装置，其中，
所述高声阻抗层由从LiTaO3、Al2O3、AlN、LiNbO3、SiN以及ZnO所构成的群中选择的至少一种材料构成。
3.根据权利要求1或2所述的弹性波装置，其中，
所述压电体层由从LiTaO3、LiNbO3、ZnO、AlN以及水晶所构成的群中选择的至少一种材料构成。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的弹性波装置，其中，
所述压电体层由LiNbO3或LiTaO3构成，该LiNbO3或LiTaO3的欧拉角，在利用A1模、S0模、SH0模的情况下，为表1所示的范围内，
[表1]
Figure FDA00003395160600011
5.一种弹性波装置的制造方法，是权利要求1～4中任一项所述的弹性波装置的制造方法，具备：
在支承基板上形成声反射层的工序；
在所述声反射层上层叠压电体层的工序；和
在所述压电体层上形成IDT电极的工序。
6.根据权利要求5所述的弹性波装置的制造方法，其中，
在所述声反射层上形成所述压电体层的工序如下地进行：在所述声反射层上接合压电体层，接下来使该压电体层变薄来形成所述压电体层。
7.根据权利要求5所述的弹性波装置的制造方法，其中，
在所述声反射层上层叠所述压电体层的工序如下地进行：在所述声反射层上成膜所述压电体层。
8.一种弹性波装置的制造方法，是权利要求1～4中任一项所述的弹性波装置的制造方法，具备：
在比所述压电体层厚的压电体上形成所述声反射层的工序；
在所述声反射层的与层叠了所述压电体一侧相反侧的面接合所述支承基板的工序；
使所述压电体变薄来形成所述压电体层的工序；和
在所述压电体层上形成IDT电极的工序。
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