CN109428564A - 弹性波装置、高频前端电路以及通信装置 - Google Patents

弹性波装置、高频前端电路以及通信装置 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种能够增大主模式的频率与产生杂散的频率之差的弹性波装置。弹性波装置(1)具备：支承基板(2)；声反射层(3)，具有声阻抗相对低的多个低声阻抗层(4a～4d)和声阻抗相对高的多个高声阻抗层(5a～5c)，且设置在支承基板(2)上；压电体层(6)，设置在声反射层(3)上；以及IDT电极(7)，设置在压电体层(6)上。声反射层(3)中的各层的膜厚的关系为如下关系中的至少一种关系：位于最靠压电体层(6)侧的低声阻抗层(4a)的膜厚比其它所有的低声阻抗层(4b～4d)的膜厚薄；以及位于最靠压电体层(6)侧的高声阻抗层(5a)的膜厚比其它所有的高声阻抗层(5b、5c)的膜厚薄。

Description

弹性波装置、高频前端电路以及通信装置
技术领域
本发明涉及弹性波装置、高频前端电路以及通信装置。
背景技术
以往，弹性波装置广泛用于便携式电话机的滤波器等。在下述的专利文献1公开了弹性波装置的一个例子。该弹性波装置具有设置在支承基板与压电体层之间的声反射层。在声反射层中，交替地层叠有低声阻抗层和高声阻抗层。专利文献1的弹性波装置利用S0模式等的板波作为主模式。多个低声阻抗层的膜厚和多个高声阻抗层的膜厚分别设为全部相等。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：国际公开第2012/086441号
在专利文献1记载的弹性波装置中，具有在主模式的频率附近产生大的杂散的倾向。因此，上述杂散有可能对弹性波装置的滤波器特性造成影响。
发明内容
发明要解决的课题
本发明的目的在于，提供一种能够增大主模式的频率与产生杂散的频率之差的弹性波装置、高频前端电路以及通信装置。
用于解决课题的技术方案
本发明涉及的弹性波装置具备：支承基板；声反射层，具有声阻抗相对低的至少三层以上的低声阻抗层和声阻抗相对高的至少两层以上的高声阻抗层，且设置在所述支承基板上；压电体层，设置在所述声反射层上；以及IDT电极，设置在所述压电体层上，所述低声阻抗层和所述高声阻抗层交替地层叠，所述声反射层中的各层的膜厚的关系为如下关系中的至少一种关系：位于最靠所述压电体层侧的所述低声阻抗层的膜厚比其它所有的所述低声阻抗层的膜厚薄；以及位于最靠所述压电体层侧的所述高声阻抗层的膜厚比其它所有的所述高声阻抗层的膜厚薄。
在本发明涉及的弹性波装置的某个特定的局面中，在所述声反射层中，所述低声阻抗层位于最靠所述压电体层侧，位于最靠所述压电体层侧的所述低声阻抗层的膜厚比其它所述低声阻抗层的膜厚薄。在该情况下，能够更进一步增大主模式的频率与产生杂散的频率之差。
在本发明涉及的弹性波装置的另一个特定的局面中，在所述声反射层中，位于最靠所述压电体层侧的所述低声阻抗层的膜厚比其它所有的所述低声阻抗层的膜厚薄，且位于最靠所述压电体层侧的所述高声阻抗层的膜厚比其它所有的所述高声阻抗层的膜厚薄。在该情况下，能够更进一步增大主模式的频率与产生杂散的频率之差。
在本发明涉及的弹性波装置的另一个特定的局面中，利用了S0模式的板波。
本发明的高频前端电路具备按照本发明构成的弹性波装置和功率放大器。
本发明的通信装置具备按照本发明构成的高频前端电路和RF信号处理电路。
发明效果
根据本发明，能够提供一种能够增大主模式的频率与产生杂散的频率之差的弹性波装置、高频前端电路以及通信装置。
附图说明
图1是本发明的第一实施方式涉及的弹性波装置的主视剖视图。
图2是示出板波的传播模式的例子的图。
图3是示出比较例的弹性波装置的阻抗特性的图。
图4是示出比较例的主模式的频率处的压电体层的厚度方向上的位移的分布的图。
图5是示出比较例的产生杂散的频率处的压电体层的厚度方向上的位移的分布的图。
图6是示出本发明的第一实施方式以及比较例的弹性波装置的阻抗特性的图。
图7是示出在本发明的第一实施方式中位于最靠压电体层侧的低声阻抗层的膜厚与谐振频率比Fs/Fm的关系的图。
图8是本发明的第二实施方式涉及的弹性波装置的主视剖视图。
图9是示出本发明的第二实施方式以及比较例的弹性波装置的阻抗特性的图。
图10是示出在本发明的第二实施方式中位于最靠压电体层侧的高声阻抗层的膜厚与谐振频率比Fs/Fm的关系的图。
图11是具有高频前端电路的通信装置的结构图。
附图标记说明
1：弹性波装置，2：支承基板，3：声反射层，4a～4d：低声阻抗层，5a～5c：高声阻抗层，6：压电体层，7：IDT电极，13：声反射层，14a：低声阻抗层，15a：高声阻抗层，201A、201B：双工器，202：天线元件，203：RF信号处理电路，211、212：滤波器，214：低噪声放大器电路，221、222：滤波器，224：低噪声放大器电路，225：开关，230：高频前端电路，231、232：滤波器，234a、234b：功率放大器电路，240：通信装置，244a、244b：功率放大器电路。
具体实施方式
以下，通过参照附图对本发明的具体的实施方式进行说明，从而明确本发明。
另外，需要指出的是，在本说明书记载的各实施方式是例示性的，能够在不同的实施方式间进行结构的部分置换或组合。
图1是本发明的第一实施方式涉及的弹性波装置的主视剖视图。
弹性波装置1具有支承基板2。支承基板2没有特别限定，在本实施方式中由Si构成。
在支承基板2上，设置有声反射层3。在声反射层3上设置有压电体层6。在压电体层6上设置有IDT电极7。通过对IDT电极7施加交流电压，从而激励弹性波。声反射层3为了使弹性波向压电体层6侧反射并将板波封闭在压电体层6侧而设置。
声反射层3具有声阻抗相对低的多个低声阻抗层和声阻抗相对高的多个高声阻抗层。在本实施方式中，声反射层3是交替地层叠了低声阻抗层和高声阻抗层的层叠膜。
弹性波装置1中的声反射层3作为多个低声阻抗层而具有低声阻抗层4a、低声阻抗层4b、低声阻抗层4c以及低声阻抗层4d这四层低声阻抗层。声反射层3作为多个高声阻抗层而具有高声阻抗层5a、高声阻抗层5b以及高声阻抗层5c这三层高声阻抗层。
在本实施方式中，低声阻抗层4a、低声阻抗层4b、低声阻抗层4c以及低声阻抗层4d由氧化硅构成。氧化硅利用SiOx(x为整数)来表示。x的值没有特别限定，在本实施方式中，各低声阻抗层由SiO2构成。另外，上述多个低声阻抗层的材料并不限定于上述材料，只要是声阻抗相对低的材料即可。
另一方面，高声阻抗层5a、高声阻抗层5b以及高声阻抗层5c由Pt构成。另外，上述多个高声阻抗层的材料并不限定于上述材料，只要是声阻抗相对高的材料即可。
声反射层3的多个低声阻抗层中的位于最靠压电体层6侧的层是低声阻抗层4a。多个高声阻抗层中的位于最靠压电体层6侧的层是高声阻抗层5a。
在此，声反射层3只要具有至少三层以上的低声阻抗层即可，并且只要具有至少两层以上的高声阻抗层即可。由于声反射层3中的多个低声阻抗层以及多个高声阻抗层的层数的合计为五层以上，所以能够将弹性波有效地封闭在压电体层6侧。在本实施方式中，在声反射层3中，多个低声阻抗层的层数比多个高声阻抗层的层数多。因此，低声阻抗层4a位于最靠压电体层6侧，且低声阻抗层4d位于最靠支承基板2侧。在本实施方式中，低声阻抗层4a以及低声阻抗层4d由氧化硅构成，因此能够改善频率温度特性，且能够容易地将支承基板2和声反射层3接合。另外，在声反射层3中，并不限定于多个低声阻抗层的层数比多个高声阻抗层的层数多的结构。
低声阻抗层4a的膜厚比作为其它低声阻抗层的低声阻抗层4b、低声阻抗层4c以及低声阻抗层4d的膜厚薄。另外，低声阻抗层4b、低声阻抗层4c以及低声阻抗层4d的膜厚相同。另一方面，在本实施方式中，高声阻抗层5a、高声阻抗层5b以及高声阻抗层5c的膜厚全部相同。在此，在本说明书中，所谓膜厚相同，表示膜厚实质上相同到弹性波装置的滤波器特性等不会受损的程度。
低声阻抗层4b、4c、4d的膜厚和高声阻抗层5a、5b、5c的膜厚被设定为，在激励在弹性波装置1中用作主模式的模式的频带中提高弹性波的反射率，并且充分减小弹性波向支承基板2的泄漏。因为在压电体层6内激励的弹性波在声反射层3内的各层的边界面处反射，所以关于存在于声反射层3内的各层的弹性波的能量，越是靠近压电体层6的层，则越大。
在本实施方式中，压电体层6由LiNbO3构成。另外，压电体层6也可以由LiNbO3以外的LiTaO3等的压电单晶、适当的压电陶瓷构成。
IDT电极7没有特别限定，在本实施方式中，由Al构成。IDT电极7可以由单层的金属膜构成，也可以由层叠了多个金属层的层叠金属膜构成。
弹性波装置1没有特别限定，利用S0模式的板波作为主模式。在此，所谓板波，是在将激励的波的波长设为λ时，在利用波长λ进行了归一化的膜厚为1λ以下的压电体层中激励的各种波的总称。只要波集中于压电体层，则其方式无关紧要。即，可以是压电体层的上下成为空洞而将波仅封闭在压电体层的膜片类型的构造，也可以是向压电体层的上下的至少一方反射弹性波的构造，例如，存在声反射层的构造。本申请涉及使用声反射层将板波封闭在压电体层的构造。
图2是示出板波的传播模式的例子的图。
在图2中，示出了板波的各种传播模式中的位移的方向。U1方向、U2方向以及U3方向表示坐标系，U1方向以及U3方向以箭头的方向为正，U2方向以纸面的向里方向为正。U1方向是板波的传播方向。U2方向是与压电体层的主面平行且与板波的传播方向垂直的方向。即，U2方向是SH方向。U3方向是压电体层的厚度方向。
如图2所示，所谓A0模式、SH0模式、S0模式的板波，是位移的主分量分别为U3方向、U2方向、U1方向的分量且在压电体层的厚度方向上不具有波节的波的总称。在压电体层的厚度方向上不具有波节的模式中，一般来说，频率按照A0模式、SH0模式、S0模式的顺序降低。此外，如图2所示，SH1模式、A1模式、S1模式的板波是在压电体层的厚度方向上具有一个波节的模式。一般来说，这些模式与S0模式等在压电体层的厚度方向上不具有波节的模式相比，频率高。
本实施方式的特征在于，位于最靠压电体层6侧的低声阻抗层4a的膜厚比作为其它低声阻抗层的低声阻抗层4b、低声阻抗层4c以及低声阻抗层4d的膜厚薄。由此，能够增大主模式的频率与产生杂散的频率之差。因此，能够充分抑制上述杂散对弹性波装置1的插入损耗等滤波器特性的影响。以下，通过将本实施方式和比较例进行比较，从而对此进行说明。
另外，比较例的弹性波装置与本实施方式的不同点在于，多个低声阻抗层的膜厚全部相同。
制作具有本实施方式的结构的弹性波装置以及比较例的弹性波装置，并对阻抗特性进行了比较。具有本实施方式的结构的弹性波装置的条件如下。另外，参照图1中的附图标记。
压电体层6：材料为LiNbO3，膜厚为340nm，欧拉角为(90°，90°，40°)
IDT电极7：材料为Al，膜厚为85nm，占空比为0.5
由IDT电极7的电极指间距规定的弹性波的波长λ：1.7μm
低声阻抗层4a～4d：材料为SiO2，层数为四层
低声阻抗层4a的膜厚：204nm
低声阻抗层4b～4d的各膜厚：272nm
高声阻抗层5a～5c：材料为Pt，层数为三层
高声阻抗层5a～5c的各膜厚：105nm
支承基板：材料为Si
比较例的弹性波装置的条件如下。
压电体层：材料为LiNbO3，膜厚为340nm，欧拉角为(90°，90°，40°)
IDT电极：材料为Al，膜厚为85nm，占空比为0.5
由IDT电极的电极指间距规定的弹性波的波长λ：1.7μm
低声阻抗层：材料为SiO2，层数为四层
低声阻抗层的各膜厚：272nm
高声阻抗层：材料为Pt，层数为三层
低声阻抗层的各膜厚：105nm
支承基板：材料为Si
在比较例中，低声阻抗层以及高声阻抗层的膜厚被设定为，在激励被用作主模式的S0模式的频带中弹性波的反射率足够高。另一方面，在本实施方式中，低声阻抗层4b、4c、4d以及高声阻抗层5a、5b、5c的膜厚设为与比较例相同，低声阻抗层4a的膜厚设定得比其它所有的低声阻抗层4b、4c、4d的膜厚薄。
图3是示出比较例的弹性波装置的阻抗特性的图。图3的横轴是利用作为主模式的S0模式的谐振频率对频率进行了归一化的归一化频率。
在比较例中，在归一化频率1.5附近出现了阻抗成为极小、极大的点，可知产生了大的杂散。在产生杂散的频率与主模式的频率之差小的情况下，对弹性波装置的滤波器特性的影响有可能变大。
另外，将主模式的频率以及产生杂散的频率处的压电体层的厚度方向的位移的分布分别示于下述的图4以及图5。
图4是示出比较例的主模式的频率处的压电体层的厚度方向上的位移的分布的图。图5是示出比较例的产生杂散的频率处的压电体层的厚度方向上的位移的分布的图。图4中的实线表示U1方向的分量，虚线表示U2方向的分量。另外，U3方向的分量大致成为0，因此在图4中省略。双点划线表示弹性波装置中的各层的边界。图4中的位于上方的各文字示出了比较例中的各层。更具体地，Al表示IDT电极，LN表示压电体层，SiO2表示各低声阻抗层，Pt表示各高声阻抗层，Si表示支承基板。在图5中也是同样的。
如图4所示，在主模式中，U1方向的分量为主体，在压电体层中，不具有位移成为0的波节。因此，主模式相当于图2所示的S0模式。另一方面，如图5所示，在杂散的模式中，U2方向的分量为主体，在压电体层中具有一个波节。因此，杂散的模式相当于图2所示的SH1模式。另外，在第一实施方式中也同样地，主模式为S0模式，杂散的模式为SH1模式。
图6是示出第一实施方式以及比较例的弹性波装置的阻抗特性的图。图6的横轴与图3同样地，是对于第一实施方式以及比较例各自的阻抗特性，利用各自的主模式的谐振频率对频率进行了归一化的归一化频率。第一实施方式中的主模式的谐振频率实际上比比较例低1％左右，但是在图6中，使第一实施方式以及比较例中的主模式的谐振频率一致而进行了图示。另外，实线表示第一实施方式的结果，虚线表示比较例的结果。
如图6所示，在第一实施方式以及比较例中，主模式大致重叠。相对于此，关于产生杂散的频率，可知第一实施方式成为高频段侧。更具体地，在比较例中，杂散的谐振频率Fs相对于主模式的谐振频率Fm的谐振频率比Fs/Fm为1.464。相对于此，在第一实施方式中，谐振频率比Fs/Fm成为1.512。因此，在第一实施方式中，与比较例相比，能够增大主模式的频率与产生杂散的频率之差。因此，能够充分抑制上述杂散对弹性波装置的滤波器特性的影响。除此以外，在第一实施方式的弹性波装置与其它滤波器共同连接于天线的情况下，还能够充分抑制上述杂散对该滤波器的滤波器特性的影响。
在此，使位于最靠压电体层侧的低声阻抗层的膜厚变化，并分别求出了谐振频率比Fs/Fm。
图7是示出在第一实施方式中位于最靠压电体层侧的低声阻抗层的膜厚与谐振频率比Fs/Fm的关系的图。
如图7所示，可知，位于最靠压电体层侧的低声阻抗层的膜厚越薄，谐振频率比Fs/Fm变得越大。
如上所述，第一实施方式中的杂散的模式为SH1模式。像SH1模式那样在压电体层的厚度方向上具有波节且位移的变动大的模式，与在厚度方向上位移的变动小的S0模式等相比，对于波的能量所存在的层的膜厚的变动，频率等特性值容易变动。因此，通过将在声反射层中位于最靠压电体层侧的层的膜厚减薄，从而能够增大S0模式与SH1模式的频率间隔。
在图2所示的板波的模式之中，在压电体层的厚度方向上不具有波节的模式中，S0模式的频率最高。因此，在将S0模式作为主模式使用的情况下，成为产生在高频段侧的杂散的原因的模式为SH1模式、A1模式等在压电体层的厚度方向上具有波节的模式。因此，即使在A1模式等SH1模式以外的模式成为杂散的情形下，通过将声反射层设为与第一实施方式同样的结构，也能够增大主模式的频率与产生杂散的频率之差。
至于哪种模式被激励而成为杂散，取决于压电体层的种类、取向等条件。在利用S0模式作为主模式的情况下，即使杂散为SH1模式以外的模式，也能够适当地应用本发明。
另外，虽然减薄压电体层的膜厚也可得到上述效果，但是在该情况下，主模式的机电耦合系数等特性会大幅变化。相对于此，在本实施方式中，由于仅是位于最靠压电体层侧的低声阻抗层的膜厚比其它低声阻抗层薄，所以能够在不对主模式的特性造成大的影响的情况下增大主模式的频率与产生杂散的频率之差。
除此以外，位于最靠压电体层侧的低声阻抗层以外的低声阻抗层以及多个高声阻抗层的膜厚被设定为，在激励主模式的频带中弹性波的反射率变高。因此，能够在不导致声反射层的反射特性的劣化的情况下增大主模式的频率与产生杂散的频率之差。
图8是第二实施方式涉及的弹性波装置的主视剖视图。
本实施方式与第一实施方式的不同点在于，位于最靠压电体层6侧的高声阻抗层15a的膜厚比其它所有的高声阻抗层的膜厚薄，以及多个低声阻抗层的膜厚全部相同。除了上述的方面以外，本实施方式的弹性波装置具有与第一实施方式的弹性波装置1同样的结构。
制作具有本实施方式的结构的弹性波装置以及比较例的弹性波装置，并对阻抗特性进行了比较。具有本实施方式的结构的弹性波装置的条件如下。
压电体层6：材料为LiNbO3，膜厚为340nm，欧拉角为(90°，90°，40°)
IDT电极7：材料为Al，膜厚为85nm，占空比0.5
由IDT电极7的电极指间距规定的弹性波的波长λ：1.7μm
低声阻抗层4a～4d：材料为SiO2，层数为四层
低声阻抗层14a、4b～4d的各膜厚：272nm
高声阻抗层15a、5b、5c：材料为Pt，层数为三层
高声阻抗层15a的膜厚：88nm
高声阻抗层5b、5c的各膜厚：105nm
支承基板：材料为Si
比较例的弹性波装置的条件设为与在上述中和第一实施方式进行比较的比较例相同的条件。在本实施方式中，低声阻抗层4a、4b、4c、4d以及高声阻抗层5b、5c的膜厚设为与比较例相同，高声阻抗层5a的膜厚设定得比其它所有的高声阻抗层5b、5c的膜厚薄。
图9是示出第二实施方式以及比较例的弹性波装置的阻抗特性的图。图9的横轴与图3同样地，是对于第二实施方式以及比较例各自的阻抗特性，利用各自的主模式的谐振频率对频率进行了归一化的归一化频率。第二实施方式中的主模式的谐振频率实际上比比较例低1％左右，但是在图9中，使第二实施方式以及比较例中的主模式的谐振频率一致而进行了图示。另外，实线表示第二实施方式的结果，虚线表示比较例的结果。
如图9所示，在第二实施方式以及比较例中，主模式大致重叠。相对于此，关于产生杂散的频率，可知第二实施方式成为高频段侧。更具体地，在比较例中，谐振频率比Fs/Fm为1.464。相对于此，在第二实施方式中，谐振频率比Fs/Fm成为1.473。因此，在第二实施方式中，与比较例相比，能够增大主模式的频率与产生杂散的频率之差。
在此，使位于最靠压电体层侧的高声阻抗层的膜厚变化，并分别求出了谐振频率比Fs/Fm。
图10是示出在第二实施方式中位于最靠压电体层侧的高声阻抗层的膜厚与谐振频率比Fs/Fm的关系的图。
如图10所示，可知，位于最靠压电体层侧的高声阻抗层的膜厚越薄，谐振频率比Fs/Fm变得越大。
另外，也可以是，在本实施方式中，位于最靠压电体层6侧的低声阻抗层14a的膜厚也比低声阻抗层4b、低声阻抗层4c以及低声阻抗层4d的膜厚薄。在声反射层13中，可以是，低声阻抗层14a的膜厚比其它所有的低声阻抗层的膜厚薄，且高声阻抗层15a的膜厚比其它所有的高声阻抗层的膜厚薄。在该情况下，能够更进一步增大主模式的频率与产生杂散的频率之差。
上述各实施方式的弹性波装置能够用作高频前端电路的双工器等。以下对该例子进行说明。
图11是通信装置以及高频前端电路的结构图。另外，在该图中，还一并图示了与高频前端电路230连接的各构成要素，例如，天线元件202、RF信号处理电路(RFIC)203。高频前端电路230以及RF信号处理电路203构成了通信装置240。另外，通信装置240也可以包括电源、CPU、显示器。
高频前端电路230具备开关225、双工器201A、201B、滤波器231、232、低噪声放大器电路214、224以及功率放大器电路234a、234b、244a、244b。另外，图11的高频前端电路230以及通信装置240是高频前端电路以及通信装置的一个例子，并不限定于该结构。
双工器201A具有滤波器211、212。双工器201B具有滤波器221、222。双工器201A、201B经由开关225与天线元件202连接。另外，上述弹性波装置也可以是双工器201A、201B，还可以是滤波器211、212、221、222。
进而，上述弹性波装置也能够应用于例如将三个滤波器的天线端子公共化的三工器、将六个滤波器的天线端子公共化的六工器等具备三个以上的滤波器的多工器。
即，上述弹性波装置包括弹性波谐振器、滤波器、双工器、具备三个以上的滤波器的多工器。而且，该多工器并不限于具备发送滤波器以及接收滤波器这两者的结构，也可以是仅具备发送滤波器或仅具备接收滤波器的结构。
开关225根据来自控制部(未图示)的控制信号，将天线元件202和对应于给定的波段的信号路径连接，例如由SPDT(Single Pole Double Throw，单刀双掷)型的开关构成。另外，与天线元件202连接的信号路径并不限于一个，也可以是多个。即，高频前端电路230也可以应对载波聚合。
低噪声放大器电路214是如下的接收放大电路，即，将经由天线元件202、开关225以及双工器201A的高频信号(在此为高频接收信号)放大，并向RF信号处理电路203输出。低噪声放大器电路224是如下的接收放大电路，即，将经由天线元件202、开关225以及双工器201B的高频信号(在此为高频接收信号)放大，并向RF信号处理电路203输出。
功率放大器电路234a、234b是如下的发送放大电路，即，将从RF信号处理电路203输出的高频信号(在此为高频发送信号)放大，并经由双工器201A以及开关225输出到天线元件202。功率放大器电路244a、244b是如下的发送放大电路，即，将从RF信号处理电路203输出的高频信号(在此为高频发送信号)放大，并经由双工器201B以及开关225输出到天线元件202。
RF信号处理电路203通过下变频等对从天线元件202经由接收信号路径输入的高频接收信号进行信号处理，并输出进行该信号处理而生成的接收信号。此外，RF信号处理电路203通过上变频等对输入的发送信号进行信号处理，并将进行该信号处理而生成的高频发送信号向功率放大器电路234a、234b、244a、244b输出。RF信号处理电路203例如是RFIC。另外，通信装置也可以包括BB(基带)IC。在该情况下，BBIC对用RFIC进行了处理的接收信号进行信号处理。此外，BBIC对发送信号进行信号处理，并输出到RFIC。用BBIC进行了处理的接收信号、BBIC进行信号处理之前的发送信号例如是图像信号、声音信号等。
另外，高频前端电路230也可以代替上述双工器201A、201B而具备双工器201A、201B的变形例涉及的双工器。
另一方面，通信装置240中的滤波器231、232不经由低噪声放大器电路214、224以及功率放大器电路234a、234b、244a、244b而连接在RF信号处理电路203与开关225之间。滤波器231、232也与双工器201A、201B同样地，经由开关225与天线元件202连接。
根据像以上那样构成的高频前端电路230以及通信装置240，通过具备作为本发明的弹性波装置的弹性波谐振器、滤波器、双工器、具备三个以上的滤波器的多工器等，从而能够充分增大主模式的频率与产生杂散的频率之差。
以上，举出实施方式及其变形例对本发明的实施方式涉及的弹性波装置、高频前端电路以及通信装置进行了说明，但是就本发明而言，将上述实施方式以及变形例中的任意的构成要素进行组合而实现的其它实施方式、在不脱离本发明的主旨的范围内对上述实施方式实施本领域技术人员想到的各种变形而得到的变形例、内置有本发明涉及的高频前端电路以及通信装置的各种设备也包含于本发明。
本发明能够作为弹性波谐振器、滤波器、双工器、能够应用于多波段系统的多工器、前端电路以及通信装置而广泛利用于便携式电话机等通信设备。

Claims (6)

1.一种弹性波装置，具备：
支承基板；
声反射层，具有声阻抗相对低的至少三层以上的低声阻抗层和声阻抗相对高的至少两层以上的高声阻抗层，且设置在所述支承基板上；
压电体层，设置在所述声反射层上；以及
IDT电极，设置在所述压电体层上，
所述低声阻抗层和所述高声阻抗层交替地层叠，
所述声反射层中的各层的膜厚的关系为如下关系中的至少一种关系：
位于最靠所述压电体层侧的所述低声阻抗层的膜厚比其它所有的所述低声阻抗层的膜厚薄；以及
位于最靠所述压电体层侧的所述高声阻抗层的膜厚比其它所有的所述高声阻抗层的膜厚薄。
2.根据权利要求1所述的弹性波装置，其中，
在所述声反射层中，所述低声阻抗层位于最靠所述压电体层侧，
位于最靠所述压电体层侧的所述低声阻抗层的膜厚比其它所有的所述低声阻抗层的膜厚薄。
3.根据权利要求1或2所述的弹性波装置，其中，
在所述声反射层中，位于最靠所述压电体层侧的所述低声阻抗层的膜厚比其它所有的所述低声阻抗层的膜厚薄，且位于最靠所述压电体层侧的所述高声阻抗层的膜厚比其它所有的所述高声阻抗层的膜厚薄。
4.根据权利要求1～3中的任一项所述的弹性波装置，其中，
利用了S0模式的板波。
5.一种高频前端电路，具备：
权利要求1～4中的任一项所述的弹性波装置；以及
功率放大器。
6.一种通信装置，具备：
权利要求5所述的高频前端电路；以及
RF信号处理电路。
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