WO2019065667A1 - 弾性波フィルタ装置 - Google Patents

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大村　正志
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株式会社村田製作所
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    • H03H9/02866—Means for compensation or elimination of undesirable effects of bulk wave excitation and reflections

Definitions

  • the present invention relates generally to acoustic wave filter devices, and more particularly to an acoustic wave filter device comprising a piezoelectric layer.
  • an elastic wave device used for a resonator a band-pass filter (elastic wave filter device), etc.
  • an elastic wave device using a plate wave is known (for example, see Patent Document 1).
  • the elastic wave device described in Patent Document 1 includes a support substrate, an acoustic reflection layer (acoustic impedance layer), a piezoelectric layer, and an IDT (Interdigital Transducer) electrode.
  • the acoustic reflection layer of the elastic wave device described in Patent Document 1 includes a low acoustic impedance layer and a high acoustic impedance layer whose acoustic impedance is higher than that of the low acoustic impedance layer.
  • Patent Document 1 a plate wave can be effectively reflected by increasing an acoustic impedance ratio which is a ratio of the acoustic impedance of the high acoustic impedance layer and the acoustic impedance of the low acoustic impedance layer, which is favorable. It is stated that the filter characteristic can be obtained. Further, Patent Document 1 discloses a combination of W (tungsten) and SiO 2 (silicon oxide) as a combination of materials that maximizes the acoustic impedance ratio.
  • the elastic wave filter device provided with the acoustic reflection layer (acoustic impedance layer)
  • the acoustic reflection layer acoustic impedance layer
  • An object of the present invention is to provide an elastic wave filter device capable of suppressing a reduction in attenuation.
  • An elastic wave filter device includes a substrate, a first acoustic impedance layer, a second acoustic impedance layer, a piezoelectric layer, a first IDT electrode, a second IDT electrode, an input terminal, and an output terminal. , A ground terminal, a series arm circuit, and a parallel arm circuit.
  • the first acoustic impedance layer and the second acoustic impedance layer are formed on the substrate.
  • the piezoelectric layer is formed on the first acoustic impedance layer and the second acoustic impedance layer.
  • the first IDT electrode is formed on the piezoelectric layer, and at least partially overlaps the first acoustic impedance layer in a plan view from the thickness direction of the piezoelectric layer.
  • the second IDT electrode is formed on the piezoelectric layer, and at least partially overlaps the second acoustic impedance layer in plan view from the thickness direction.
  • the input terminal is formed on the piezoelectric layer.
  • the output terminal is formed on the piezoelectric layer.
  • the ground terminal is formed on the piezoelectric layer.
  • the series arm circuit is provided on a first path connecting the input terminal and the output terminal, and includes the first IDT electrode and the second IDT electrode.
  • the parallel arm circuit is provided on a second path connecting a node on the first path and the ground terminal.
  • Each of the first acoustic impedance layer and the second acoustic impedance layer includes at least one high acoustic impedance layer and at least one low acoustic impedance layer having an acoustic impedance lower than that of the at least one high acoustic impedance layer.
  • At least one of the at least one high acoustic impedance layer and the at least one low acoustic impedance layer is a conductive layer.
  • the conductive layer in the first acoustic impedance layer and the conductive layer in the second acoustic impedance layer are electrically insulated.
  • the elastic wave filter device In the elastic wave filter device according to one aspect of the present invention, it is possible to suppress the decrease in the amount of attenuation.
  • FIG. 1 is a plan view of an elastic wave filter device according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of the elastic wave filter device of the above, taken along line AA of FIG.
  • FIG. 3A is a plan view of a first IDT electrode (or a second IDT electrode) in the elastic wave filter device as above.
  • FIG. 3B is a plan view of the third IDT electrode in the elastic wave filter device of the same.
  • FIG. 4 is a circuit diagram of the above elastic wave filter device.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view of an essential part of an elastic wave filter device of a comparative example.
  • FIG. 6 is a partially broken plan view of an elastic wave filter device according to a second embodiment of the present invention.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view along line X1-X1 of FIG. 6 regarding the elastic wave filter device of the same.
  • FIG. 8A is a plan view of the first IDT electrode (or the second IDT electrode) and each reflector in the elastic wave filter device of the same.
  • FIG. 8B is a plan view of the third IDT electrode and each reflector in the elastic wave filter device of the same.
  • FIG. 9 is a circuit diagram of the above elastic wave filter device.
  • Figures 1, 2, 3A, 3B, 5, 6, 7, 8A and 8B referred to in the following embodiments and the like are all schematic views, and the sizes and thicknesses of the respective components in the figures are shown respectively.
  • the ratio does not necessarily reflect the actual dimensional ratio.
  • the elastic wave filter device 1 is a ladder type filter.
  • the elastic wave filter device 1 comprises, as shown in FIGS. 1 and 4, an input terminal 15, an output terminal 16, a plurality of (two) ground terminals 17 and 18, a series arm circuit 12, and a plurality of parallel arm circuits. 13, 14 and.
  • the series arm circuit 12 is provided on a first path connecting the input terminal 15 and the output terminal 16.
  • Two parallel arm circuits 13 and 14 are respectively provided on two second paths connecting a node on the first path and two ground terminals 17 and 18 in a one-to-one manner.
  • the series arm circuit 12 has a plurality (three) of series arm resonators S1.
  • Each of the two parallel arm circuits 13, 14 has a parallel arm resonator P1.
  • a plurality of series arm resonators S1 are connected in series with each other.
  • the three series arm resonators S1 may be referred to as a series arm resonator S11, a series arm resonator S12, and a series arm resonator S13 in the order closer to the input terminal 15.
  • the two parallel arm resonators P1 are referred to as a parallel arm resonator P11 and a parallel arm resonator P12 in the order closer to the input terminal 15.
  • One end of the parallel arm resonator P11 is connected to a connection point (a node on the first path) of the two series arm resonators S11 and S12.
  • the other end of the parallel arm resonator P11 is connected to the ground terminal 17.
  • One end of the parallel arm resonator P12 is connected to a connection point (a node on the first path) of the two series arm resonators S12 and S13.
  • the other end of the parallel arm resonator P12 is connected to the ground terminal 18.
  • the elastic wave filter device 1 includes a substrate 2, a first acoustic impedance layer 4A and a second acoustic impedance layer 4B, a piezoelectric layer 5, and an input terminal 15. And an output terminal 16, a plurality of (two) ground terminals 17 and 18, a first IDT electrode 7A and a second IDT electrode 7B, and a plurality (two) third IDT electrodes 8.
  • the first acoustic impedance layer 4A and the second acoustic impedance layer 4B are formed on the substrate 2.
  • the piezoelectric layer 5 is formed on the first acoustic impedance layer 4A and the second acoustic impedance layer 4B.
  • the input terminal 15 is formed on the piezoelectric layer 5.
  • the output terminal 16 is formed on the piezoelectric layer 5.
  • the plurality of ground terminals 17 and 18 are formed on the piezoelectric layer 5.
  • the first IDT electrode 7A and the second IDT electrode 7B are formed on the piezoelectric layer 5.
  • the first IDT electrode 7A and the second IDT electrode 7B are IDT electrodes for a plurality of serial arm resonators S1 provided on a first path connecting the input terminal 15 and the output terminal 16.
  • the plurality of third IDT electrodes 8 are formed on the piezoelectric layer 5.
  • the plurality of third IDT electrodes 8 are IDT electrodes for a plurality of parallel arm resonators P1 provided on a plurality of second paths connecting a node on the first path and the plurality of ground terminals 17 and 18, respectively.
  • the substrate 2 is, as shown in FIG. 2, a first acoustic impedance layer 4A, a second acoustic impedance layer 4B, a piezoelectric layer 5, a first IDT electrode 7A, a second IDT electrode 7B, and a plurality of third IDTs.
  • the laminate including the electrode 8 is supported.
  • a layer including the first acoustic impedance layer 4A and the second acoustic impedance layer 4B and interposed between the substrate 2 and the piezoelectric layer 5 is referred to as an intermediate layer 3.
  • the substrate 2 has a first main surface 201 and a second main surface 202 which are opposite to each other in the thickness direction D1.
  • the first major surface 201 and the second major surface 202 face each other.
  • the plan view shape of the substrate 2 (the outer peripheral shape when the substrate 2 is viewed in the thickness direction D1) is a rectangular shape, but is not limited to a rectangular shape, and may be, for example, a square shape.
  • the substrate 2 is, for example, a silicon substrate.
  • the thickness of the substrate 2 is, for example, 120 ⁇ m.
  • the first acoustic impedance layer 4A and the second acoustic impedance layer 4B are formed on the first major surface 201 of the substrate 2 as shown in FIG. ing.
  • the first acoustic impedance layer 4A faces the first IDT electrode 7A in the thickness direction D1 of the substrate 2.
  • the second acoustic impedance layer 4B faces the second IDT electrode 7B in the thickness direction D1 of the substrate 2.
  • the plurality of third acoustic impedance layers 40 face the plurality (two) of the third IDT electrodes 8 in the thickness direction D1 of the substrate 2.
  • the elastic wave filter device 1 further includes an insulating layer 30 interposed between the first acoustic impedance layer 4A and the second acoustic impedance layer 4B on the substrate 2.
  • the insulating layer 30 is formed on the substrate 2.
  • the insulating layer 30 is included in the above-described stack.
  • the first acoustic impedance layer 4A, the second acoustic impedance layer 4B, the plurality of third acoustic impedance layers 40, and the insulating layer 30 are interposed between the substrate 2 and the piezoelectric layer 5.
  • the series arm resonators S11 and S13 include the first IDT electrode 7A, the first acoustic impedance layer 4A facing the first IDT electrode 7A, and the first IDT electrode 7A and the first electrode layer of the piezoelectric layer 5 And a portion between the first acoustic impedance layer 4A.
  • the serial arm resonator S12 includes a second IDT electrode 7B, a second acoustic impedance layer 4B facing the second IDT electrode 7B, and the second IDT electrode 7B and the second acoustic impedance layer 4B of the piezoelectric layer 5. And a part between them.
  • the parallel arm resonators P11 and P12 include the third IDT electrode 8, the third acoustic impedance layer 40 facing the third IDT electrode 8, and the third IDT electrode 8 and the third acoustic impedance layer 40 of the piezoelectric layer 5. And a part between them.
  • the first acoustic impedance layer 4A has a function of suppressing the elastic wave excited by the first IDT electrode 7A from leaking to the substrate 2.
  • the second acoustic impedance layer 4B has a function of suppressing the elastic wave excited by the second IDT electrode 7B from leaking to the substrate 2.
  • a plurality of (three) low acoustic impedance layers 42 and a plurality (two) high acoustic impedance layers 41 are provided one by one in the thickness direction D1. It has a stacked structure alternately arranged.
  • the acoustic impedance of the low acoustic impedance layer 42 is lower than the acoustic impedance of the high acoustic impedance layer 41.
  • the two high acoustic impedance layers 41 are arranged in the order close to the first major surface 201 of the substrate 2, the high acoustic impedance layer 411. , And may be referred to as a high acoustic impedance layer 412.
  • the three low acoustic impedance layers 42 may be referred to as a low acoustic impedance layer 420, a low acoustic impedance layer 421, and a low acoustic impedance layer 422 in order of proximity to the first major surface 201 of the substrate 2.
  • the low acoustic impedance layer 420, the high acoustic impedance layer 411, the low acoustic impedance layer 421, the high acoustic impedance layer 412, and the low acoustic impedance layer 422 are arranged in this order.
  • each of the first acoustic impedance layer 4A and the second acoustic impedance layer 4B is an interface between the low acoustic impedance layer 422 and the high acoustic impedance layer 412, an interface between the low acoustic impedance layer 421 and the high acoustic impedance layer 411, At each of the interfaces between the acoustic impedance layer 411 and the low acoustic impedance layer 420, elastic waves (plate waves) from the piezoelectric layer 5 can be reflected.
  • the material of the plurality of high acoustic impedance layers 41 is, for example, Pt (platinum).
  • the material of the plurality of low acoustic impedance layers 42 is, for example, SiO 2 (silicon oxide).
  • Each of the first acoustic impedance layer 4A and the second acoustic impedance layer 4B includes two conductive layers because each of the plurality of high acoustic impedance layers 41 is formed of Pt.
  • the plurality of third acoustic impedance layers 40 have a function of suppressing the elastic wave excited by the third IDT electrode 8 from leaking to the substrate 2.
  • Each of the plurality of third acoustic impedance layers 40 has the same laminated structure as the first acoustic impedance layer 4A and the second acoustic impedance layer 4B.
  • the insulating layer 30 is interposed between the substrate 2 and the piezoelectric layer 5 at a position different from the first acoustic impedance layer 4A, the second acoustic impedance layer 4B, and the plurality of third acoustic impedance layers 40.
  • the insulating layer 30 is other than the first acoustic impedance layer 4A, the second acoustic impedance layer 4B, and the plurality of third acoustic impedance layers 40 in the intermediate layer 3 interposed between the substrate 2 and the piezoelectric layer 5.
  • Area of The insulating layer 30 is formed of the same material as the low acoustic impedance layer 42.
  • the insulating layer 30 has electrical insulation.
  • the piezoelectric layer 5 is made of, for example, LiNbO 3 piezoelectric single crystal.
  • the thickness of the piezoelectric layer 5 is 2 ⁇ T1 (see FIG. 3A for T1) which is the electrode finger pitch of the first IDT electrode 7A and the second IDT electrode 7B and 2 ⁇ T21 (the electrode finger pitch of the third IDT electrode 8).
  • T21 when the wavelength of the elastic wave determined by FIG. Thereby, in the elastic wave filter device 1, a plate wave is excited by each of the first IDT electrode 7A, the second IDT electrode 7B and the third IDT electrode 8, and the plate wave is propagated.
  • the electrode finger pitch 2 ⁇ T 1, 2 ⁇ T 21 will be described in the section “(2.4) First IDT electrode, second IDT electrode and third IDT electrode” described later.
  • the wavelength of the elastic wave is 1.7 ⁇ m
  • the thickness of the piezoelectric layer 5 is 340 nm.
  • the first IDT 7A, the second IDT electrode 7B, and the plurality of third IDT electrodes 8 are formed on the piezoelectric layer 5. More specifically, the first IDT 7A, the second IDT electrode 7B, and the plurality of third IDT electrodes 8 are formed on the surface of the piezoelectric layer 5 opposite to the intermediate layer 3 side. The first IDT 7A, the second IDT electrode 7B, and the plurality of third IDT electrodes 8 have conductivity.
  • the material of the first IDT 7A, the second IDT electrode 7B, and the plurality of third IDT electrodes 8 is, for example, Al.
  • the thicknesses of the first IDT 7A, the second IDT electrode 7B, and the plurality of third IDT electrodes 8 are, for example, 85 nm.
  • each of the first IDT electrode 7A and the second IDT electrode 7B includes a pair of bus bars 71 and 72 (hereinafter also referred to as first bus bar 71 and second bus bar 72) and a plurality of electrode fingers 73 (hereinafter referred to as And a plurality of electrode fingers 74 (hereinafter also referred to as second electrode fingers 74).
  • first bus bar 71 and second bus bar 72 a pair of bus bars 71 and 72
  • a plurality of electrode fingers 73 hereinafter referred to as And a plurality of electrode fingers 74 (hereinafter also referred to as second electrode fingers 74).
  • the first IDT electrode 7A (or the second IDT electrode 7B) is hatched with dots, but this hatching does not represent a cross section, and the first IDT electrode 7A (or the second IDT electrode 7B) and the It is only attached for the purpose of making the relationship with the one acoustic impedance layer 4A (or the second acoustic impedance layer 4B) intelligible.
  • the first bus bar 71 and the second bus bar 72 have a long shape in which one direction orthogonal to the thickness direction D1 of the substrate 2 is a longitudinal direction.
  • the first bus bar 71 and the second bus bar 72 are opposed to each other in the direction orthogonal to both the thickness direction D1 of the substrate 2 and the one direction.
  • the plurality of first electrode fingers 73 are connected to the first bus bar 71 and extend toward the second bus bar 72.
  • the plurality of first electrode fingers 73 extend from the first bus bar 71 along the direction orthogonal to the longitudinal direction of the first bus bar 71.
  • the tips of the plurality of first electrode fingers 73 and the second bus bar 72 are separated.
  • the plurality of first electrode fingers 73 have the same length and width.
  • the plurality of second electrode fingers 74 are connected to the second bus bar 72 and extend toward the first bus bar 71.
  • the plurality of second electrode fingers 74 extend from the second bus bar 72 along the direction orthogonal to the longitudinal direction of the second bus bar 72.
  • the tips of the plurality of second electrode fingers 74 are apart from the first bus bar 71.
  • the plurality of second electrode fingers 74 have the same length and width.
  • the lengths and widths of the plurality of second electrode fingers 74 are the same as the lengths and widths of the plurality of first electrode fingers 73, respectively.
  • each of the first IDT electrode 7A and the second IDT electrode 7B the plurality of first electrode fingers 73 and the plurality of second electrode fingers 74 are orthogonal to the opposing direction of the first bus bar 71 and the second bus bar 72, One by one alternately spaced apart from one another. Therefore, the first electrode fingers 73 and the second electrode fingers 74 adjacent in the longitudinal direction of the first bus bar 71 are separated.
  • the electrode finger pitch (2 ⁇ T1) of each of the first IDT electrode 7A and the second IDT electrode 7B is, as shown in FIG. 3A, the corresponding sides of the adjacent first electrode finger 73 and second electrode finger 74 (see FIG.
  • the value is twice the distance T1 between the left side of each of the first electrode finger 73 and the second electrode finger 74 parallel to the center line.
  • the value (duty ratio) obtained by dividing the electrode finger width T2 (see FIG. 3A) by the distance T1 is 0.5.
  • the electrode finger width T2 is the width of the first electrode finger 73 and the second electrode finger 74.
  • Each of the first IDT electrode 7A and the second IDT electrode 7B excites an elastic wave (plate wave) in a defined area 10 indicated by an alternate long and short dash line in FIG. 3A.
  • the defined area 10 is an area in which the plurality of first electrode fingers 73 and the plurality of second electrode fingers 74 overlap in the direction along the longitudinal direction of the first bus bar 71.
  • the third IDT electrode 8 includes a pair of bus bars 81 and 82 (hereinafter also referred to as first bus bars 81 and second bus bars 82) and a plurality of electrode fingers 83 (hereinafter also referred to as first electrode fingers 83). And a plurality of electrode fingers 84 (hereinafter also referred to as second electrode fingers 84).
  • the third IDT electrode 8 is hatched with dots, but this hatching does not represent a cross section, and the relationship between the third IDT electrode 8 and the third acoustic impedance layer 40 can be easily understood. It is only attached.
  • the first bus bar 81 and the second bus bar 82 have a long shape in which one direction orthogonal to the thickness direction D1 of the substrate 2 is a longitudinal direction.
  • the first bus bar 81 and the second bus bar 82 are opposed to each other in the direction orthogonal to both the thickness direction D1 of the substrate 2 and the one direction.
  • the plurality of first electrode fingers 83 are connected to the first bus bar 81 and extend toward the second bus bar 82.
  • the plurality of first electrode fingers 83 extend from the first bus bar 81 along the direction orthogonal to the longitudinal direction of the first bus bar 81.
  • the tips of the plurality of first electrode fingers 83 and the second bus bar 82 are separated.
  • the plurality of first electrode fingers 83 have the same length and width.
  • the plurality of second electrode fingers 84 are connected to the second bus bar 82 and extend toward the first bus bar 81.
  • the plurality of second electrode fingers 84 extend from the second bus bar 82 along the direction orthogonal to the longitudinal direction of the second bus bar 82.
  • the tip of each of the plurality of second electrode fingers 84 is separated from the first bus bar 81.
  • the plurality of second electrode fingers 84 have the same length and width.
  • the lengths and widths of the plurality of second electrode fingers 84 are the same as the lengths and widths of the plurality of first electrode fingers 83, respectively.
  • the plurality of first electrode fingers 83 and the plurality of second electrode fingers 84 are alternately separated one by one in the direction orthogonal to the opposing direction of the first bus bar 81 and the second bus bar 82. Side by side. Therefore, the first electrode fingers 83 and the second electrode fingers 84 adjacent in the longitudinal direction of the first bus bar 81 are separated.
  • the electrode finger pitch 2 ⁇ T 21 of the third IDT electrode 8 is, as shown in FIG. 3B, corresponding sides of the adjacent first electrode finger 83 and second electrode finger 84 (first electrode finger 83 in FIG. 3B).
  • the second side electrode finger 84 has a double value of the distance T21 between the left side parallel to the center line).
  • the value (duty ratio) obtained by dividing the electrode finger width T22 (see FIG. 3B) by the distance T21 is 0.5.
  • the electrode finger width T22 is the width of the first electrode finger 83 and the second electrode finger 84.
  • the third IDT electrode 8 excites an elastic wave (plate wave) in a defined area 11 indicated by an alternate long and short dash line in FIG. 3B.
  • the defined area 11 is an area in which the plurality of first electrode fingers 83 and the plurality of second electrode fingers 84 overlap in the direction along the longitudinal direction of the first bus bar 81.
  • the electrode finger pitch 2 ⁇ T1 of the first IDT electrode 7A and the second IDT electrode 7B and the electrode finger pitch 2 ⁇ T21 of the third IDT electrode 8 have the same value.
  • the input terminal 15, the output terminal 16, the plurality of ground terminals 17, 18, the first IDT electrode 7A, the second IDT electrode 7B, and the plurality of third IDT electrodes 8 They are separated from each other on the piezoelectric layer 5.
  • the first IDT electrode 7A opposed to the first acoustic impedance layer 4A in the thickness direction D1 of the substrate 2 has a high acoustic impedance of the first acoustic impedance layer 4A in the thickness direction D1.
  • Overlapping layer 41 conductive layer.
  • the entire area of the first IDT electrode 7A overlaps the conductive layer facing the first IDT electrode 7A.
  • the second IDT electrode 7B opposed to the second acoustic impedance layer 4B in the thickness direction D1 of the substrate 2 has the height of the second acoustic impedance layer 4B in the thickness direction D1.
  • the elastic wave filter device 1 It overlaps with the acoustic impedance layer 41 (conductive layer). Further, in the elastic wave filter device 1, the entire area of the second IDT electrode 7B is overlapped with the conductive layer facing the second IDT electrode 7B.
  • the first acoustic impedance layer 4A and the second acoustic impedance layer 4B are disposed apart from each other. In addition, the plurality of (two) first acoustic impedance layers 4A are disposed apart from each other.
  • the third IDT electrode 8 facing the third acoustic impedance layer 40 in the thickness direction D1 of the substrate 2 is the height of the third acoustic impedance layer 40 in the thickness direction D1. It overlaps with the acoustic impedance layer 41 (conductive layer). Further, in the elastic wave filter device 1, the entire area of the third IDT electrode 8 overlaps the conductive layer facing the third IDT electrode 8. The plurality of third acoustic impedance layers 40 are disposed apart from one another.
  • the insulating layer 30 is formed in the intermediate layer 3 except for the first acoustic impedance layer 4A, the second acoustic impedance layer 4B, and the plurality of third acoustic impedance layers 40. Therefore, in the elastic wave filter device 1 according to the first embodiment, the two conductive layers (high acoustic impedance layers 411 and 412) in each of the first acoustic impedance layer 4A and the second acoustic impedance layer 4B are separated from the substrate 2 A portion of the insulating layer 30 is interposed between the conductive layers (high acoustic impedance layer 412).
  • the elastic wave filter device 1 includes the substrate 2, the first acoustic impedance layer 4A and the second acoustic impedance layer 4B, the piezoelectric layer 5, the first IDT electrode 7A, and the second IDT electrode 7B, an input terminal 15, an output terminal 16, ground terminals 17 and 18, a series arm circuit 12, and parallel arm circuits 13 and 14.
  • the first acoustic impedance layer 4A and the second acoustic impedance layer 4B are formed on the substrate 2.
  • the piezoelectric layer 5 is formed on the first acoustic impedance layer 4A and the second acoustic impedance layer 4B.
  • the first IDT electrode 7A is formed on the piezoelectric layer 5 and at least partially overlaps the first acoustic impedance layer 4A in a plan view from the thickness direction D1 of the piezoelectric layer 5.
  • the second IDT electrode 7B is formed on the piezoelectric layer 5 and at least partially overlaps the second acoustic impedance layer 4B in a plan view from the thickness direction D1.
  • the input terminal 15 is formed on the piezoelectric layer 5.
  • the output terminal 16 is formed on the piezoelectric layer 5.
  • the ground terminals 17 and 18 are formed on the piezoelectric layer 5.
  • the serial arm circuit 12 is provided on a first path connecting the input terminal 15 and the output terminal 16 and has a first IDT electrode 7A and a second IDT electrode 7B.
  • the parallel arm circuits 13 and 14 are provided on a second path connecting a node on the first path and the ground terminals 17 and 18.
  • Each of the first acoustic impedance layer 4A and the second acoustic impedance layer 4B has a high acoustic impedance layer 41 and a low acoustic impedance layer 42 whose acoustic impedance is lower than that of the high acoustic impedance layer 41.
  • the high acoustic impedance layer 41 or the low acoustic impedance layer 42 is a conductive layer.
  • the conductive layer in the first acoustic impedance layer 4A and the conductive layer in the second acoustic impedance layer 4B are electrically insulated.
  • a capacitance is formed by such capacitive coupling (in other words, a capacitance by unnecessary capacitive coupling is connected in parallel to the series arm circuit 12), and the attenuation amount in the filter characteristic is reduced.
  • the capacitance of the capacitance generated by the capacitive coupling between the input terminal 15 and the output terminal 16 It is possible to reduce the value and to suppress the decrease in attenuation outside the passband.
  • the elastic wave is determined by 2 ⁇ T1, 2 ⁇ T1, and 2 ⁇ T21 which are electrode finger pitches of the first IDT electrode 7A, the second IDT electrode 7B and the third IDT electrode 8.
  • the wavelength is ⁇
  • the thickness of the piezoelectric layer 5 is 1 ⁇ or less.
  • the elastic wave is a plate wave.
  • the elastic wave filter device 1 according to the first embodiment can be used as an elastic wave filter device using plate waves.
  • the elastic wave filter device 1a according to the second embodiment will be described below based on FIGS.
  • the same components as those of the elastic wave filter device 1 according to the first embodiment are given the same reference numerals, and the description thereof will be appropriately omitted.
  • the elastic wave filter device 1a includes an input terminal 15a, an output terminal 16a, a plurality of (two) ground terminals 17a and 18a, and a plurality of (three) series arms.
  • a resonator S1a and a plurality (two) of parallel arm resonators P1a are provided.
  • the plurality of series arm resonators S1a are included in a series arm circuit 12a provided on a first path connecting the input terminal 15a and the output terminal 16a.
  • the plurality of parallel arm resonators P1a are included in the plurality of parallel arm circuits 13a and 14a provided on the plurality of second paths connecting the node on the first path and the two ground terminals 17a and 18a.
  • the plurality of series arm resonators S1a are connected in series with each other.
  • the three series arm resonators S1a may be referred to as a series arm resonator S11a, a series arm resonator S12a, and a series arm resonator S13a in the order closer to the input terminal 15a.
  • the two parallel arm resonators P1a are also referred to as a parallel arm resonator P11a and a parallel arm resonator P12a in the order closer to the input terminal 15a.
  • One end of the parallel arm resonator P11a is connected to the connection point (node on the first path) of the two series arm resonators S11a and S12a.
  • the other end of the parallel arm resonator P11a is connected to the ground terminal 17a.
  • One end of the parallel arm resonator P12a is connected to a connection point (node on the first path) of the two series arm resonators S12a and S13a.
  • the other end of the parallel arm resonator P12a is connected to the ground terminal 18a.
  • the first capacitor C1 and the second capacitor are connected between the connection point of the input terminal 15a and the series arm resonator S11a and the connection point of the parallel arm resonator P11a and the ground terminal 17a.
  • a series circuit with C2 is connected.
  • each of the series arm resonators S11a and 13a is disposed in the direction along the longitudinal direction of the first bus bar 71 of the first IDT electrode 7A as shown in FIG. 8A. It includes a reflector 91 disposed on one side of the 1 IDT electrode 7A and a reflector 92 disposed on the other side.
  • the direction along the longitudinal direction of the first bus bar 71 of the first IDT electrode 7A is the direction along the propagation direction of the elastic wave (in the present embodiment, a plate wave).
  • the reflectors 91 and 92 are grating reflectors.
  • the reflectors 91 and 92 reflect elastic waves. In FIG.
  • the first IDT electrode 7A and the reflectors 91 and 92 are hatched with dots, but this hatching does not represent a cross section, and the first IDT electrode 7A, the reflectors 91 and 92, and the first acoustic wave are not shown. It is merely attached for the purpose of making the relationship with the impedance layer 4A easy to understand.
  • the first acoustic impedance layer 4A overlaps not only the first IDT electrode 7A but also the reflectors 91 and 92 on both sides of the first IDT electrode 7A in the thickness direction D1. Further, in the elastic wave filter device 1a, as shown in FIG. 8A, the series arm resonator S12a (see FIG.
  • the second IDT electrode 7B is the second IDT electrode 7B in the direction along the longitudinal direction of the first bus bar 71 of the second IDT electrode 7B. It includes a reflector 91 disposed on one side and a reflector 92 disposed on the other side.
  • the direction along the longitudinal direction of the first bus bar 71 of the second IDT electrode 7B is the direction along the propagation direction of the elastic wave (in the present embodiment, a plate wave).
  • the reflectors 91 and 92 on both sides of the second IDT electrode 7B are grating reflectors and reflect elastic waves. In FIG.
  • the second IDT electrode 7B and the reflectors 91 and 92 are hatched with dots, but this hatching does not represent a cross section, and the second IDT electrode 7B, the reflectors 91 and 92, and the second acoustic wave are not shown. It is merely attached for the purpose of making the relationship with the impedance layer 4B intelligible.
  • the second acoustic impedance layer 4B overlaps not only the second IDT electrode 7B in the thickness direction D1, but also the reflectors 91 and 92 on both sides of the second IDT electrode 7B.
  • each of the plurality of parallel arm resonators P1a is one side of the third IDT electrode 8 in the direction along the longitudinal direction of the first bus bar 81 of the third IDT electrode 8.
  • a reflector 94 disposed on the other side.
  • the direction along the longitudinal direction of the first bus bar 81 of the third IDT electrode 8 is the direction along the propagation direction of the elastic wave (in the present embodiment, a plate wave).
  • the reflectors 93 and 94 are grating reflectors.
  • the reflectors 93 and 94 reflect elastic waves.
  • the third IDT electrode 8 and the reflectors 93 and 94 are hatched with dots, but this hatching does not represent a cross section, and the third IDT electrode 8, the reflectors 93 and 94 and the third acoustic wave are not shown. It is merely attached for the purpose of making the relationship with the impedance layer 40 intelligible.
  • the third acoustic impedance layer 40 overlaps not only the third IDT electrode 8 but also the reflectors 93 and 94 on both sides of the third IDT electrode 8 in the thickness direction D1.
  • the elastic wave filter device 1 a further includes a first electrode 21 and a second electrode 22 as shown in FIGS. 6 and 7.
  • the first electrode 21 is an electrode for forming the first capacitor C 1, and is formed on the piezoelectric layer 5.
  • the first electrode 21 is electrically connected to the bus bar 71 on the side of the input terminal 15 a in the pair of bus bars 71 and 72 of one of the plurality of first IDT electrodes 7A and the second IDT electrode 7B.
  • the first electrode 21 is adjacent to the series arm resonator S11 a in a plan view from the thickness direction D1 (see FIG. 7) of the substrate 2.
  • the first electrode 21 is connected together with the bus bar 71 of the first IDT electrode 7A of the series arm resonator S11a to a portion at the same potential in the series arm circuit 12a.
  • the second electrode 22 is an electrode for forming the second capacitor C 2, and is formed on the piezoelectric layer 5.
  • the second electrode 22 is electrically connected to the bus bar 82 on the ground terminal 17 a side of the pair of bus bars 81 and 82 of one third IDT electrode 8 among the plurality of third IDT electrodes 8.
  • the second electrode 22 is adjacent to the parallel arm resonator P11a in a plan view from the thickness direction D1 of the substrate 2.
  • the second electrode 22 is connected to a portion of the parallel arm circuit 13a which has the same potential as the parallel arm resonator P11a.
  • the intermediate layer 3 further includes an acoustic impedance layer 400 (hereinafter, also referred to as a fourth acoustic impedance layer 400).
  • the fourth acoustic impedance layer 400 is interposed between the substrate 2 and the piezoelectric layer 5 in the thickness direction D1 of the substrate 2.
  • the fourth acoustic impedance layer 400 overlaps at least a portion of the first electrode 21 and at least a portion of the second electrode 22 in a plan view from the thickness direction D1.
  • the fourth acoustic impedance layer 400 has the same laminated structure as the first acoustic impedance layer 4A, the second acoustic impedance layer 4B, and the third acoustic impedance layer 40. Therefore, the fourth acoustic impedance layer 400 includes at least one (two in the second embodiment) conductive layers (high acoustic impedance layers 411 and 412).
  • the first capacitor C ⁇ b> 1 includes the first electrode 21 and the first portion 4121 of the high acoustic impedance layer 412 of the fourth acoustic impedance layer 400 facing the first electrode 21, and the piezoelectric layer 5.
  • the second capacitor C2 includes the second electrode 22 and the second portion 4122 of the high acoustic impedance layer 412 of the fourth acoustic impedance layer 400 facing the second electrode 22;
  • the layer 5 is configured of a portion interposed between the second electrode 22 and the second portion 4122 of the high acoustic impedance layer 412.
  • the third portion 4123 between the first portion 4121 and the second portion 4122 of the high acoustic impedance layer 412 of the fourth acoustic impedance layer 400 electrically connects the first capacitor C1 and the second capacitor C2. Wiring is configured.
  • the first capacitor C 1 and the second capacitor C 2 can be formed by providing the first electrode 21, the second electrode 22, and the fourth acoustic impedance layer 400, so It is possible to further suppress the decrease (decrease in the amount of attenuation). Further, in the acoustic wave filter device 1a according to the second embodiment, the area of each of the first electrode 21 and the second electrode 22 (the facing area of the fourth acoustic impedance layer 400 with the conductive layer) is determined in the design thereof. It is possible to determine the capacitance value of each of the first capacitor C1 and the second capacitor C2.
  • the size is smaller than when the wire is formed on the piezoelectric layer 5. It is possible to achieve
  • Embodiments 1 and 2 above are only one of various embodiments of the present invention.
  • the above-described first and second embodiments can be variously modified according to the design and the like as long as the object of the present invention can be achieved.
  • the plurality of ground terminals 17 and 18 are provided, and the plurality of parallel arm resonators P1 are connected to the plurality of ground terminals 17 and 18 in a one-to-one manner.
  • a plurality of parallel arm resonators P1 may be connected to one ground terminal. That is, the ground terminals 17 and 18 may be shared as one ground terminal. Also in the elastic wave filter device 1a, the ground terminals 17a and 18a may be commonly used as one ground terminal.
  • the material of the substrate 2 is not limited to Si, and may be, for example, LiNbO 3 , LiTaO 3 , quartz, glass or the like.
  • substrate 2 may be not only rectangular shape but square shape, for example.
  • the number of high acoustic impedance layers 41 and low acoustic impedance layers 42 in each of the first acoustic impedance layer 4A and the second acoustic impedance layer 4B is not limited to two and three, but two or more and three or more. It may be Further, the number of high acoustic impedance layers 41 and the number of low acoustic impedance layers 42 are not limited to each other, and may be the same. The number of low acoustic impedance layers 42 is more than the number of high acoustic impedance layers 41 There may be one less.
  • each of the first acoustic impedance layer 4A and the second acoustic impedance layer 4B at least one high acoustic impedance layer 41 and at least one low acoustic impedance layer 42 overlap in the thickness direction D1 of the substrate 2 Just do it.
  • the material of the plurality of high acoustic impedance layers 41 is not limited to Pt (platinum), and may be, for example, a metal such as W (tungsten).
  • each of the first acoustic impedance layer 4A and the second acoustic impedance layer 4B is not limited to the example in which the high acoustic impedance layer 41 is a conductive layer, and the low acoustic impedance layer 42 may be a conductive layer.
  • the conductive layer of the first acoustic impedance layer 4A and the conductive layer of the second acoustic impedance layer 4B may be electrically insulated.
  • the conductive layers of the first acoustic impedance layers 4A may be electrically insulated.
  • the high acoustic impedance layer 41 of the third acoustic impedance layer 40a and the fourth acoustic impedance layer 400 of the elastic wave filter device 1a according to the second embodiment is the same as the first acoustic impedance layer 4A and the second acoustic impedance layer 4B.
  • the low acoustic impedance layer 42 may be a conductive layer.
  • the plurality of high acoustic impedance layers 41 are not limited to the same material as each other, and may be different materials, for example.
  • the plurality of low acoustic impedance layers 42 are not limited to the same material as each other, and may be different materials, for example.
  • the material of the piezoelectric layer 5 is not limited to LiNbO 3, for example, it may be a LiTaO 3 or the like.
  • the material of the first IDT electrode 7A, the second IDT electrode 7B, the third IDT electrode 8, and the reflectors 91, 92, 93, and 94 is not limited to Al, and may be an Al alloy.
  • the materials of the first IDT electrode 7A, the second IDT electrode 7B, the third IDT electrode 8, and the reflectors 91, 92, 93 and 94 are, for example, Cu, Pt, Au, Ag, Ti, Ni, Cr, Mo, W, or these. It may be an alloy or the like mainly composed of any of the metals listed above.
  • the first IDT electrode 7A, the second IDT electrode 7B, the third IDT electrode 8, and the reflectors 91, 92, 93, and 94 are not limited to a single layer structure, and may have a multilayer structure.
  • the entire area of the first IDT electrode 7A overlaps the conductive layer (high acoustic impedance layer 41) of the first acoustic impedance layer 4A in a plan view from the thickness direction D1.
  • only a part (for example, the defined region 10) of the first IDT electrode 7A may overlap the conductive layer in plan view from the thickness direction D1.
  • the entire area of the second IDT electrode 7B overlaps the conductive layer (high acoustic impedance layer 41) of the second acoustic impedance layer 4B in plan view from the thickness direction D1.
  • only a part (for example, the defined region 10) of the second IDT electrode 7B may overlap the conductive layer in a plan view from the thickness direction D1.
  • one end of the second capacitor C2 opposite to the first capacitor C1 is a connection point between the parallel arm resonator P11a (the second bus bar 82 of the third IDT electrode 8) and the ground terminal 17a.
  • the parallel arm resonator P11a the second bus bar 82 of the third IDT electrode 8
  • the ground terminal 17a Connected to, but not limited to.
  • one end of the second capacitor C2 opposite to the first capacitor C1 may be connected to the connection point between the parallel arm resonator P12a (the second bus bar 82 of the third IDT electrode 8) and the ground terminal 18a.
  • the fourth acoustic impedance layer 400 is separated from each of the first acoustic impedance layer 4A of the series arm resonator S11a and the third acoustic impedance layer 40 of the parallel arm resonator P11a. Not limited to.
  • the fourth acoustic impedance layer 400 is the first acoustic impedance of the series arm resonator S11a. It may be connected to each of the layer 4A and the third acoustic impedance layer of the parallel arm resonator P11a or one of them.
  • the elastic wave filter device 1 includes the two parallel arm circuits 13 and 14, the number of parallel arm circuits is not limited to two, and may be one, for example, three or more. It may be Also with regard to the elastic wave filter device 1a, the number of parallel arm circuits is not limited to two, and may be one or three or more, for example. Further, the parallel arm circuit is not limited to the configuration having the parallel arm resonator, and may have, for example, an inductor, a capacitor, and the like.
  • the elastic wave filter device (1; 1a) comprises a substrate (2), a first acoustic impedance layer (4A) and a second acoustic impedance layer (4B), and a piezoelectric layer (5).
  • the first acoustic impedance layer (4A) and the second acoustic impedance layer (4B) are formed on the substrate (2).
  • the piezoelectric layer (5) is formed on the first acoustic impedance layer (4A) and the second acoustic impedance layer (4B).
  • the first IDT electrode (7A) is formed on the piezoelectric layer (5), and at least a part of the first acoustic impedance layer (4A) in plan view from the thickness direction (D1) of the piezoelectric layer (5) Duplicate.
  • the second IDT electrode (7B) is formed on the piezoelectric layer (5), and at least partially overlaps the second acoustic impedance layer (4B) in plan view from the thickness direction (D1).
  • the input terminal (15; 15a) is formed on the piezoelectric layer (5).
  • the output terminal (16; 16a) is formed on the piezoelectric layer (5).
  • the ground terminals (17, 18; 17a, 18a) are formed on the piezoelectric layer (5).
  • the series arm circuit (12; 12a) is provided on a first path connecting the input terminal (15; 15a) and the output terminal (16; 16a), and the first IDT electrode (7A) and the second IDT electrode (7B) Have.
  • the parallel arm circuit (13, 14; 13a, 14a) is provided on a second path connecting a node on the first path and the ground terminals (17, 18; 17a, 18a).
  • Each of the first acoustic impedance layer (4A) and the second acoustic impedance layer (4B) has at least one high acoustic impedance layer (41) and at least one acoustic impedance lower than the at least one high acoustic impedance layer (41) And one low acoustic impedance layer (42).
  • at least one of the at least one high acoustic impedance layer (41) and the at least one low acoustic impedance layer (42) is a conductive layer .
  • the conductive layer in the first acoustic impedance layer (4A) and the conductive layer in the second acoustic impedance layer (4B) are electrically isolated.
  • the elastic wave filter device (1; 1a) according to the first aspect, it is possible to suppress the decrease in the amount of attenuation.
  • the at least one high acoustic impedance layer (41) includes a plurality of high acoustic impedance layers (41).
  • the at least one low acoustic impedance layer (42) comprises a plurality of low acoustic impedance layers (42).
  • a plurality of high acoustic impedance layers (41) and a plurality of low acoustic impedance layers (42) are alternately arranged in layers in the thickness direction (D1).
  • the filter characteristics can be improved.
  • the parallel arm circuit (13, 14; 13a, 14a) is a third IDT formed on the piezoelectric layer (5) It has an electrode (8).
  • Each of the first IDT electrode (7A), the second IDT electrode 7B and the third IDT electrode (8) includes a pair of bus bars (71, 72, 71, 72 and 81, 82).
  • the elastic wave filter device (1a) further includes a first electrode (21) and a second electrode (22). The first electrode (21) is formed on the piezoelectric layer (5).
  • the first electrode (21) is electrically connected to the bus bar (71) on the input terminal (15a) side of one pair of bus bars (71, 72) of the first IDT electrode (7A) and the second IDT electrode (7B) It is connected.
  • the second electrode (22) is formed on the piezoelectric layer (5).
  • the second electrode (22) is electrically connected to the bus bar (82) on the side of the ground terminal (17a) in the pair of bus bars (81, 82) of one third IDT electrode (8) among the plurality of third IDT electrodes (8) It is connected to the.
  • the elastic wave filter device (1a) further comprises an acoustic impedance layer (400).
  • the acoustic impedance layer (400) overlaps at least a portion of the first electrode (21) and at least a portion of the second electrode (22) in plan view between the substrate (2) and the piezoelectric layer (5). And at least one conductive layer.
  • the elastic wave filter device (1a) according to the third aspect it is possible to further suppress the decrease in the attenuation amount.
  • the elastic wave filter device (1; 1a) is the electrode finger pitch (2 ⁇ ) of the first IDT electrode (7A), the second IDT electrode (7B) and the third IDT electrode (8) in the third aspect.
  • the wavelength of the elastic wave determined by T1, 2 ⁇ T1 and 2 ⁇ T21) is ⁇
  • the thickness of the piezoelectric layer 5 is 1 ⁇ or less.
  • a plate wave can be excited.
  • the elastic wave is a plate wave.
  • the elastic wave filter device (1; 1a) according to the fifth aspect can be used as an elastic wave filter device using plate waves.

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Abstract

減衰量の低下を抑制する。弾性波フィルタ装置（１）は、基板、第１音響インピーダンス層（４Ａ）、第２音響インピーダンス層（４Ｂ）、圧電体層（５）、第１ＩＤＴ電極（７Ａ）、第２ＩＤＴ電極（７Ｂ）、入力端子（１５）、出力端子（１６）、複数のグラウンド端子（１７、１８）、直列腕回路（１２）、及び並列腕回路（１３、１４）を備える。第１ＩＤＴ電極（７Ａ）は、平面視において、第１音響インピーダンス層（４Ａ）と少なくとも一部重複する。第２ＩＤＴ電極（７Ｂ）は、平面視において、第２音響インピーダンス層（４Ｂ）と少なくとも一部重複する。直列腕回路（１２）は、入力端子（１５）と出力端子（１６）とを結ぶ第１経路上に設けられ、第１ＩＤＴ電極（７Ａ）及び第２ＩＤＴ電極（７Ｂ）を有する。第１音響インピーダンス層（４Ａ）における導電層と、第２音響インピーダンス層（４Ｂ）における導電層とが、電気的に絶縁されている。

Description

弾性波フィルタ装置
　本発明は、一般に弾性波フィルタ装置に関し、より詳細には、圧電体層を備える弾性波フィルタ装置に関する。
　従来、共振子や帯域フィルタ（弾性波フィルタ装置）等に用いられる弾性波装置として、板波を用いた弾性波装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。
　特許文献１に記載された弾性波装置は、支持基板と、音響反射層（音響インピーダンス層）と、圧電体層と、ＩＤＴ（Interdigital Transducer）電極と、を備えている。
　特許文献１に記載された弾性波装置の音響反射層は、低音響インピーダンス層と、低音響インピーダンス層よりも音響インピーダンスが高い高音響インピーダンス層と、を有している。
　特許文献１には、高音響インピーダンス層の音響インピーダンスと、低音響インピーダンス層の音響インピーダンスとの比である音響インピーダンス比を大きくすることにより、板波を効果的に反射することができ、良好なフィルタ特性を得ることができる旨が記載されている。また、特許文献１には、音響インピーダンス比が最大となる材料の組み合わせとして、Ｗ（タングステン）とＳｉＯ2（酸化ケイ素）との組み合わせが開示されている。
国際公開第２０１２／０８６４４１号
　しかしながら、音響反射層（音響インピーダンス層）を備える弾性波フィルタ装置では、音響反射層の材料としてＷ等の金属を採用した場合に、通過帯域外の減衰量が低下してしまうという問題があった。
　本発明の目的は、減衰量の低下を抑制することが可能な弾性波フィルタ装置を提供することにある。
　本発明の一態様に係る弾性波フィルタ装置は、基板と、第１音響インピーダンス層及び第２音響インピーダンス層と、圧電体層と、第１ＩＤＴ電極と、第２ＩＤＴ電極と、入力端子と、出力端子と、グラウンド端子と、直列腕回路と、並列腕回路と、を備える。第１音響インピーダンス層及び第２音響インピーダンス層は、前記基板上に形成されている。前記圧電体層は、前記第１音響インピーダンス層及び前記第２音響インピーダンス層上に形成されている。前記第１ＩＤＴ電極は、前記圧電体層上に形成され、前記圧電体層の厚さ方向からの平面視において、前記第１音響インピーダンス層と少なくとも一部重複する。前記第２ＩＤＴ電極は、前記圧電体層上に形成され、前記厚さ方向からの平面視において、前記第２音響インピーダンス層と少なくとも一部重複する。前記入力端子は、前記圧電体層上に形成されている。前記出力端子は、前記圧電体層上に形成されている。前記グラウンド端子は、前記圧電体層上に形成されている。前記直列腕回路は、前記入力端子と前記出力端子とを結ぶ第１経路上に設けられ、前記第１ＩＤＴ電極及び前記第２ＩＤＴ電極を有する。前記並列腕回路は、前記第１経路上のノードと前記グラウンド端子とを結ぶ第２経路上に設けられている。前記第１音響インピーダンス層及び前記第２音響インピーダンス層の各々は、少なくとも１つの高音響インピーダンス層と、前記少なくとも１つの高音響インピーダンス層よりも音響インピーダンスが低い少なくとも１つの低音響インピーダンス層と、を有する。前記第１音響インピーダンス層及び前記第２音響インピーダンス層の各々について、前記少なくとも１つの高音響インピーダンス層及び前記少なくとも１つの低音響インピーダンス層の少なくとも１つが導電層である。前記第１音響インピーダンス層における前記導電層と、前記第２音響インピーダンス層における前記導電層とが、電気的に絶縁されている。
　本発明の一態様に係る弾性波フィルタ装置では、減衰量の低下を抑制することが可能となる。
図１は、本発明の実施形態１に係る弾性波フィルタ装置の平面図である。 図２は、同上の弾性波フィルタ装置に関し、図１のＡ－Ａ線断面図である。 図３Ａは、同上の弾性波フィルタ装置における第１ＩＤＴ電極（又は第２ＩＤＴ電極）の平面図である。図３Ｂは、同上の弾性波フィルタ装置における第３ＩＤＴ電極の平面図である。 図４は、同上の弾性波フィルタ装置の回路図である。 図５は、比較例の弾性波フィルタ装置の要部断面図である。 図６は、本発明の実施形態２に係る弾性波フィルタ装置の一部破断した平面図である。 図７は、同上の弾性波フィルタ装置に関し、図６のＸ１－Ｘ１線断面図である。 図８Ａは、同上の弾性波フィルタ装置における第１ＩＤＴ電極（又は第２ＩＤＴ電極）及び各反射器の平面図である。図８Ｂは、同上の弾性波フィルタ装置における第３ＩＤＴ電極及び各反射器の平面図である。 図９は、同上の弾性波フィルタ装置の回路図である。
　以下、実施形態に係る弾性波フィルタ装置について、図面を参照して説明する。
　以下の実施形態等において参照する図１、２、３Ａ、３Ｂ、５、６、７、８Ａ及び８Ｂは、いずれも模式的な図であり、図中の各構成要素の大きさや厚さそれぞれの比が、必ずしも実際の寸法比を反映しているとは限らない。
　（実施形態１）
　（１）弾性波フィルタ装置の全体構成
　以下、実施形態に係る弾性波フィルタ装置１について、図面を参照して説明する。
　実施形態１に係る弾性波フィルタ装置１は、ラダー型フィルタである。弾性波フィルタ装置１は、図１及び４に示すように、入力端子１５と、出力端子１６と、複数（２つ）のグラウンド端子１７、１８と、直列腕回路１２と、複数の並列腕回路１３、１４と、を備えている。直列腕回路１２は、入力端子１５と出力端子１６とを結ぶ第１経路上に設けられている。２つの並列腕回路１３、１４は、第１経路上のノードと２つのグラウンド端子１７、１８とを一対一に結ぶ２つの第２経路上のそれぞれ設けられている。直列腕回路１２は、複数（３つ）の直列腕共振子Ｓ１を有する。２つの並列腕回路１３、１４の各々は、並列腕共振子Ｐ１を有する。
　弾性波フィルタ装置１では、複数の直列腕共振子Ｓ１は、互いに直列に接続されている。以下では、説明の便宜上、３つの直列腕共振子Ｓ１を、入力端子１５に近い順に、直列腕共振子Ｓ１１、直列腕共振子Ｓ１２、直列腕共振子Ｓ１３と称することもある。また、２つの並列腕共振子Ｐ１を、入力端子１５に近い順に、並列腕共振子Ｐ１１、並列腕共振子Ｐ１２と称する。並列腕共振子Ｐ１１の一端は、２つの直列腕共振子Ｓ１１、Ｓ１２の接続点（第１経路上のノード）に接続されている。並列腕共振子Ｐ１１の他端は、グラウンド端子１７に接続されている。並列腕共振子Ｐ１２の一端は、２つの直列腕共振子Ｓ１２、Ｓ１３の接続点（第１経路上のノード）に接続されている。並列腕共振子Ｐ１２の他端は、グラウンド端子１８に接続されている。
　弾性波フィルタ装置１は、具体的には、図１及び２に示すように、基板２と、第１音響インピーダンス層４Ａ及び第２音響インピーダンス層４Ｂと、圧電体層５と、入力端子１５と、出力端子１６と、複数（２つ）のグラウンド端子１７、１８と、第１ＩＤＴ電極７Ａ及び第２ＩＤＴ電極７Ｂと、複数（２つ）の第３ＩＤＴ電極８と、を備える。第１音響インピーダンス層４Ａ及び第２音響インピーダンス層４Ｂは、基板２上に形成されている。圧電体層５は、第１音響インピーダンス層４Ａ及び第２音響インピーダンス層４Ｂ上に形成されている。入力端子１５は、圧電体層５上に形成されている。出力端子１６は、圧電体層５上に形成されている。複数のグラウンド端子１７、１８は、圧電体層５上に形成されている。第１ＩＤＴ電極７Ａ及び第２ＩＤＴ電極７Ｂは、圧電体層５上に形成されている。第１ＩＤＴ電極７Ａ及び第２ＩＤＴ電極７Ｂは、入力端子１５と出力端子１６とを結ぶ第１経路上に設けられる複数の直列腕共振子Ｓ１用のＩＤＴ電極である。複数の第３ＩＤＴ電極８は、圧電体層５上に形成されている。複数の第３ＩＤＴ電極８は、第１経路上のノードと複数のグラウンド端子１７，１８とを結ぶ複数の第２経路にそれぞれ設けられる複数の並列腕共振子Ｐ１用のＩＤＴ電極である。
　（２）弾性波フィルタ装置の各構成要素
　次に、弾性波フィルタ装置１の各構成要素について、図面を参照して説明する。
　（２．１）基板
　基板２は、図２に示すように、第１音響インピーダンス層４Ａ、第２音響インピーダンス層４Ｂ、圧電体層５、第１ＩＤＴ電極７Ａ、第２ＩＤＴ電極７Ｂ及び複数の第３ＩＤＴ電極８を含む積層体を支持している。以下では、積層体のうち、第１音響インピーダンス層４Ａ及び第２音響インピーダンス層４Ｂを含み、基板２と圧電体層５との間に介在する層を、中間層３と称する。基板２は、その厚さ方向Ｄ１において互いに反対側にある第１主面２０１及び第２主面２０２を有する。第１主面２０１及び第２主面２０２は、互いに背向する。基板２の平面視形状（基板２を厚さ方向Ｄ１から見たときの外周形状）は、長方形状であるが、長方形状に限らず、例えば正方形状であってもよい。基板２は、例えばシリコン基板である。基板２の厚さは、例えば、１２０μｍである。
　（２．２）第１音響インピーダンス層及び第２音響インピーダンス層
　第１音響インピーダンス層４Ａ及び第２音響インピーダンス層４Ｂは、図２に示すように、基板２の第１主面２０１上に形成されている。第１音響インピーダンス層４Ａは、基板２の厚さ方向Ｄ１において第１ＩＤＴ電極７Ａに対向する。第２音響インピーダンス層４Ｂは、基板２の厚さ方向Ｄ１において第２ＩＤＴ電極７Ｂに対向する。また、複数の第３音響インピーダンス層４０は、基板２の厚さ方向Ｄ１において複数（２つ）の第３ＩＤＴ電極８に対向する。また、弾性波フィルタ装置１は、は、基板２上で第１音響インピーダンス層４Ａと第２音響インピーダンス層４Ｂとの間に介在している絶縁層３０を更に備える。絶縁層３０は、基板２上に形成されている。絶縁層３０は、上述の積層体に含まれている。第１音響インピーダンス層４Ａ、第２音響インピーダンス層４Ｂ、複数の第３音響インピーダンス層４０及び絶縁層３０は、基板２と圧電体層５との間に介在している。弾性波フィルタ装置１では、直列腕共振子Ｓ１１及び１３は、第１ＩＤＴ電極７Ａと、当該第１ＩＤＴ電極７Ａに対向する第１音響インピーダンス層４Ａと、圧電体層５のうち第１ＩＤＴ電極７Ａと第１音響インピーダンス層４Ａとの間にある部分と、を含む。また、直列腕共振子Ｓ１２は、第２ＩＤＴ電極７Ｂと、当該第２ＩＤＴ電極７Ｂに対向する第２音響インピーダンス層４Ｂと、圧電体層５のうち第２ＩＤＴ電極７Ｂと第２音響インピーダンス層４Ｂとの間にある部分と、を含む。並列腕共振子Ｐ１１及びＰ１２は、第３ＩＤＴ電極８と、当該第３ＩＤＴ電極８に対向する第３音響インピーダンス層４０と、圧電体層５のうち第３ＩＤＴ電極８と第３音響インピーダンス層４０との間にある部分と、を含む。
　第１音響インピーダンス層４Ａは、第１ＩＤＴ電極７Ａで励振された弾性波が基板２に漏洩するのを抑制する機能を有する。第２音響インピーダンス層４Ｂは、第２ＩＤＴ電極７Ｂで励振された弾性波が基板２に漏洩するのを抑制する機能を有する。第１音響インピーダンス層４Ａ及び第２音響インピーダンス層４Ｂの各々は、複数（３つ）の低音響インピーダンス層４２と複数（２つ）の高音響インピーダンス層４１とが厚さ方向Ｄ１において一層ごとに交互に並んだ積層構造を有する。低音響インピーダンス層４２の音響インピーダンスは、高音響インピーダンス層４１の音響インピーダンスよりも低い。
　以下では、説明の便宜上、第１音響インピーダンス層４Ａ及び第２音響インピーダンス層４Ｂの各々において、２つの高音響インピーダンス層４１を、基板２の第１主面２０１に近い順に、高音響インピーダンス層４１１、高音響インピーダンス層４１２と称することもある。また、３つの低音響インピーダンス層４２を、基板２の第１主面２０１に近い順に、低音響インピーダンス層４２０、低音響インピーダンス層４２１、低音響インピーダンス層４２２と称することもある。
　第１音響インピーダンス層４Ａ及び第２音響インピーダンス層４Ｂの各々では、基板２側から、低音響インピーダンス層４２０、高音響インピーダンス層４１１、低音響インピーダンス層４２１、高音響インピーダンス層４１２及び低音響インピーダンス層４２２が、この順に並んでいる。したがって、第１音響インピーダンス層４Ａ及び第２音響インピーダンス層４Ｂの各々は、低音響インピーダンス層４２２と高音響インピーダンス層４１２との界面、低音響インピーダンス層４２１と高音響インピーダンス層４１１との界面、高音響インピーダンス層４１１と低音響インピーダンス層４２０との界面のそれぞれにおいて、圧電体層５からの弾性波（板波）を反射することが可能である。
　第１音響インピーダンス層４Ａ及び第２音響インピーダンス層４Ｂの各々において、複数の高音響インピーダンス層４１の材料は、例えば、Ｐｔ（白金）である。また、第１音響インピーダンス層４Ａ及び第２音響インピーダンス層４Ｂの各々において、複数の低音響インピーダンス層４２の材料は、例えば、ＳｉＯ2（酸化ケイ素）である。第１音響インピーダンス層４Ａ及び第２音響インピーダンス層４Ｂの各々は、複数の高音響インピーダンス層４１の各々がＰｔにより形成されているので、２層の導電層を含んでいる。
　複数の第３音響インピーダンス層４０は、第３ＩＤＴ電極８で励振された弾性波が基板２に漏洩するのを抑制する機能を有する。複数の第３音響インピーダンス層４０の各々は、第１音響インピーダンス層４Ａ及び第２音響インピーダンス層４Ｂと同一の積層構造を有する。
　絶縁層３０は、第１音響インピーダンス層４Ａ、第２音響インピーダンス層４Ｂ及び複数の第３音響インピーダンス層４０とは異なる位置で基板２と圧電体層５との間に介在している。本実施形態では、絶縁層３０は、基板２と圧電体層５との間に介在する中間層３において第１音響インピーダンス層４Ａ、第２音響インピーダンス層４Ｂ及び複数の第３音響インピーダンス層４０以外の領域である。絶縁層３０は、低音響インピーダンス層４２と同じ材料により形成されている。絶縁層３０は、電気絶縁性を有する。
　（２．３）圧電体層
　圧電体層５は、例えば、ＬｉＮｂＯ3圧電単結晶からなる。
　圧電体層５の厚さは、第１ＩＤＴ電極７Ａ並びに第２ＩＤＴ電極７Ｂの電極指ピッチである２×Ｔ１（Ｔ１については図３Ａ参照）及び第３ＩＤＴ電極８の電極指ピッチである２×Ｔ２１（Ｔ２１については図３Ｂ参照）により定まる弾性波の波長をλとしたときに、１λ以下である。これにより、弾性波フィルタ装置１では、第１ＩＤＴ電極７Ａ、第２ＩＤＴ電極７Ｂ及び第３ＩＤＴ電極８それぞれによって板波が励振され、板波が伝搬する。電極指ピッチである２×Ｔ１、２×Ｔ２１については、後述の「（２．４）第１ＩＤＴ電極、第２ＩＤＴ電極及び第３ＩＤＴ電極」の欄で説明する。本実施形態の弾性波フィルタ装置１では、例えば、弾性波の波長が１．７μｍであり、圧電体層５の厚さが３４０ｎｍである。
　（２．４）第１ＩＤＴ電極、第２ＩＤＴ電極及び第３ＩＤＴ電極
　第１ＩＤＴ７Ａ、第２ＩＤＴ電極７Ｂ及び複数の第３ＩＤＴ電極８は、圧電体層５上に形成されている。より詳細には、第１ＩＤＴ７Ａ、第２ＩＤＴ電極７Ｂ及び複数の第３ＩＤＴ電極８は、圧電体層５の中間層３側とは反対の表面上に形成されている。第１ＩＤＴ７Ａ、第２ＩＤＴ電極７Ｂ及び複数の第３ＩＤＴ電極８は、導電性を有する。第１ＩＤＴ７Ａ、第２ＩＤＴ電極７Ｂ及び複数の第３ＩＤＴ電極８の材料は、例えば、Ａｌである。第１ＩＤＴ７Ａ、第２ＩＤＴ電極７Ｂ及び複数の第３ＩＤＴ電極８の厚さは、例えば、８５ｎｍである。
　第１ＩＤＴ電極７Ａ及び第２ＩＤＴ電極７Ｂの各々は、図３Ａに示すように、一対のバスバー７１、７２（以下、第１バスバー７１及び第２バスバー７２ともいう）と、複数の電極指７３（以下、第１電極指７３ともいう）と、複数の電極指７４（以下、第２電極指７４ともいう）と、を含む。図３Ａでは、第１ＩＤＴ電極７Ａ（又は第２ＩＤＴ電極７Ｂ）にドットのハッチングを付してあるが、このハッチングは、断面を表すものではなく、第１ＩＤＴ電極７Ａ（又は第２ＩＤＴ電極７Ｂ）と第１音響インピーダンス層４Ａ（又は第２音響インピーダンス層４Ｂ）との関係を分かりやすくするために付してあるにすぎない。
　第１バスバー７１及び第２バスバー７２は、基板２の厚さ方向Ｄ１に直交する一方向を長手方向とする長尺状である。第１ＩＤＴ電極７Ａ及び第２ＩＤＴ電極７Ｂの各々では、第１バスバー７１と第２バスバー７２とは、基板２の厚さ方向Ｄ１と上記一方向との両方に直交する方向において対向し合っている。
　複数の第１電極指７３は、第１バスバー７１に接続され第２バスバー７２に向かって延びている。ここにおいて、複数の第１電極指７３は、第１バスバー７１から第１バスバー７１の長手方向に直交する方向に沿って延びている。複数の第１電極指７３の先端と第２バスバー７２とは離れている。複数の第１電極指７３は、互いの長さ及び幅が同じである。
　複数の第２電極指７４は、第２バスバー７２に接続され第１バスバー７１に向かって延びている。ここにおいて、複数の第２電極指７４は、第２バスバー７２から第２バスバー７２の長手方向に直交する方向に沿って延びている。複数の第２電極指７４のそれぞれの先端は、第１バスバー７１とは離れている。複数の第２電極指７４は、互いの長さ及び幅が同じである。複数の第２電極指７４の長さ及び幅は、複数の第１電極指７３の長さ及び幅それぞれと同じである。
　第１ＩＤＴ電極７Ａ及び第２ＩＤＴ電極７Ｂの各々では、複数の第１電極指７３と複数の第２電極指７４とが、第１バスバー７１と第２バスバー７２との対向方向に直交する方向において、１本ずつ交互に互いに離隔して並んでいる。したがって、第１バスバー７１の長手方向において隣り合う第１電極指７３と第２電極指７４とは離れている。第１ＩＤＴ電極７Ａ及び第２ＩＤＴ電極７Ｂの各々の電極指ピッチ（２×Ｔ１）は、図３Ａに示すように、隣り合う第１電極指７３と第２電極指７４との互いに対応する辺（図３Ａでは第１電極指７３及び第２電極指７４それぞれにおいて中心線に平行な左側の辺）間の距離Ｔ１の２倍の値である。電極指幅Ｔ２（図３Ａ参照）を距離Ｔ１で除した値（デューティ比）は、０．５である。電極指幅Ｔ２は、第１電極指７３及び第２電極指７４の幅である。
　第１ＩＤＴ電極７Ａ及び第２ＩＤＴ電極７Ｂの各々は、図３Ａに一点鎖線で示す規定領域１０において、弾性波（板波）を励振する。規定領域１０は、複数の第１電極指７３と複数の第２電極指７４とが第１バスバー７１の長手方向に沿った方向において重なる領域である。
　第３ＩＤＴ電極８は、図３Ｂに示すように、一対のバスバー８１、８２（以下、第１バスバー８１及び第２バスバー８２ともいう）と、複数の電極指８３（以下、第１電極指８３ともいう）と、複数の電極指８４（以下、第２電極指８４ともいう）と、を含む。図３Ｂでは、第３ＩＤＴ電極８にドットのハッチングを付してあるが、このハッチングは、断面を表すものではなく、第３ＩＤＴ電極８と第３音響インピーダンス層４０との関係を分かりやすくするために付してあるにすぎない。
　第１バスバー８１及び第２バスバー８２は、基板２の厚さ方向Ｄ１に直交する一方向を長手方向とする長尺状である。第３ＩＤＴ電極８の各々では、第１バスバー８１と第２バスバー８２とは、基板２の厚さ方向Ｄ１と上記一方向との両方に直交する方向において対向し合っている。
　複数の第１電極指８３は、第１バスバー８１に接続され第２バスバー８２に向かって延びている。ここにおいて、複数の第１電極指８３は、第１バスバー８１から第１バスバー８１の長手方向に直交する方向に沿って延びている。複数の第１電極指８３の先端と第２バスバー８２とは離れている。複数の第１電極指８３は、互いの長さ及び幅が同じである。
　複数の第２電極指８４は、第２バスバー８２に接続され第１バスバー８１に向かって延びている。ここにおいて、複数の第２電極指８４は、第２バスバー８２から第２バスバー８２の長手方向に直交する方向に沿って延びている。複数の第２電極指８４のそれぞれの先端は、第１バスバー８１とは離れている。複数の第２電極指８４は、互いの長さ及び幅が同じである。複数の第２電極指８４の長さ及び幅は、複数の第１電極指８３の長さ及び幅それぞれと同じである。
　第３ＩＤＴ電極８では、複数の第１電極指８３と複数の第２電極指８４とが、第１バスバー８１と第２バスバー８２との対向方向に直交する方向において、１本ずつ交互に互いに離隔して並んでいる。したがって、第１バスバー８１の長手方向において隣り合う第１電極指８３と第２電極指８４とは離れている。第３ＩＤＴ電極８の電極指ピッチである２×Ｔ２１は、図３Ｂに示すように、隣り合う第１電極指８３と第２電極指８４との互いに対応する辺（図３Ｂでは第１電極指８３及び第２電極指８４それぞれにおいて中心線に平行な左側の辺）間の距離Ｔ２１の２倍の値である。電極指幅Ｔ２２（図３Ｂ参照）を距離Ｔ２１で除した値（デューティ比）は、０．５である。電極指幅Ｔ２２は、第１電極指８３及び第２電極指８４の幅である。
　第３ＩＤＴ電極８は、図３Ｂに一点鎖線で示す規定領域１１において、弾性波（板波）を励振する。規定領域１１は、複数の第１電極指８３と複数の第２電極指８４とが第１バスバー８１の長手方向に沿った方向において重なる領域である。
　第１ＩＤＴ電極７Ａ及び第２ＩＤＴ電極７Ｂの電極指ピッチである２×Ｔ１と第３ＩＤＴ電極８の電極指ピッチである２×Ｔ２１とは、同じ値である。
　（３）レイアウト
　実施形態１に係る弾性波フィルタ装置１では、入力端子１５、出力端子１６、複数のグラウンド端子１７、１８、第１ＩＤＴ電極７Ａ、第２ＩＤＴ電極７Ｂ及び複数の第３ＩＤＴ電極８は、圧電体層５上において互いに離れている。
　実施形態１に係る弾性波フィルタ装置１では、基板２の厚さ方向Ｄ１において第１音響インピーダンス層４Ａに対向する第１ＩＤＴ電極７Ａが、厚さ方向Ｄ１において第１音響インピーダンス層４Ａの高音響インピーダンス層４１（導電層）に重なっている。また、弾性波フィルタ装置１では、第１ＩＤＴ電極７Ａの全域が、当該第１ＩＤＴ電極７Ａに対向する導電層に重なっている。また、実施形態１に係る弾性波フィルタ装置１では、基板２の厚さ方向Ｄ１において第２音響インピーダンス層４Ｂに対向する第２ＩＤＴ電極７Ｂが、厚さ方向Ｄ１において第２音響インピーダンス層４Ｂの高音響インピーダンス層４１（導電層）に重なっている。また、弾性波フィルタ装置１では、第２ＩＤＴ電極７Ｂの全域が、当該第２ＩＤＴ電極７Ｂに対向する導電層に重なっている。第１音響インピーダンス層４Ａ及び第２音響インピーダンス層４Ｂは、互いに離れて配置されている。また、複数（２つ）の第１音響インピーダンス層４Ａは、互いに離れて配置されている。
　また、実施形態１に係る弾性波フィルタ装置１では、基板２の厚さ方向Ｄ１において第３音響インピーダンス層４０に対向する第３ＩＤＴ電極８が、厚さ方向Ｄ１において第３音響インピーダンス層４０の高音響インピーダンス層４１（導電層）に重なっている。また、弾性波フィルタ装置１では、第３ＩＤＴ電極８の全域が、当該第３ＩＤＴ電極８に対向する導電層に重なっている。複数の第３音響インピーダンス層４０は、互いに離れて配置されている。
　実施形態１に係る弾性波フィルタ装置１では、中間層３において、第１音響インピーダンス層４Ａ、第２音響インピーダンス層４Ｂ及び複数の第３音響インピーダンス層４０以外が絶縁層３０となっている。したがって、実施形態１に係る弾性波フィルタ装置１では、第１音響インピーダンス層４Ａ及び第２音響インピーダンス層４Ｂの各々における２層の導電層（高音響インピーダンス層４１１、４１２）のうち基板２から離れている導電層（高音響インピーダンス層４１２）どうしの間に、絶縁層３０の一部が介在している。
　（４）効果
　実施形態１に係る弾性波フィルタ装置１は、基板２と、第１音響インピーダンス層４Ａ及び第２音響インピーダンス層４Ｂと、圧電体層５と、第１ＩＤＴ電極７Ａと、第２ＩＤＴ電極７Ｂと、入力端子１５と、出力端子１６と、グラウンド端子１７、１８と、直列腕回路１２と、並列腕回路１３、１４と、を備える。第１音響インピーダンス層４Ａ及び第２音響インピーダンス層４Ｂは、基板２上に形成されている。圧電体層５は、第１音響インピーダンス層４Ａ及び第２音響インピーダンス層４Ｂ上に形成されている。第１ＩＤＴ電極７Ａは、圧電体層５上に形成され、圧電体層５の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、第１音響インピーダンス層４Ａと少なくとも一部重複する。第２ＩＤＴ電極７Ｂは、圧電体層５上に形成され、厚さ方向Ｄ１からの平面視において、第２音響インピーダンス層４Ｂと少なくとも一部重複する。入力端子１５は、圧電体層５上に形成されている。出力端子１６は、圧電体層５上に形成されている。グラウンド端子１７、１８は、圧電体層５上に形成されている。直列腕回路１２は、入力端子１５と出力端子１６とを結ぶ第１経路上に設けられ、第１ＩＤＴ電極７Ａ及び第２ＩＤＴ電極７Ｂを有する。並列腕回路１３、１４は、第１経路上のノードとグラウンド端子１７、１８とを結ぶ第２経路上に設けられている。第１音響インピーダンス層４Ａ及び第２音響インピーダンス層４Ｂの各々は、高音響インピーダンス層４１と、高音響インピーダンス層４１よりも音響インピーダンスが低い低音響インピーダンス層４２と、を有する。第１音響インピーダンス層４Ａ及び第２音響インピーダンス層４Ｂの各々について、高音響インピーダンス層４１又は低音響インピーダンス層４２が導電層である。第１音響インピーダンス層４Ａにおける導電層と、第２音響インピーダンス層４Ｂにおける導電層とが、電気的に絶縁されている。ところで、厚さ方向Ｄ１において第１ＩＤＴ電極７Ａに対向する導電層と厚さ方向Ｄ１において第２ＩＤＴ電極７Ｂに対向する導電層とがつながっていると、入力端子１５と出力端子１６との間に不要な容量結合による容量が形成され（言い換えれば、不要な容量結合による容量が直列腕回路１２に並列接続され）、フィルタ特性における減衰量が低下してしまう。これに対して、実施形態１に係る弾性波フィルタ装置１では、例えば、図５に示す、比較例に係る弾性波フィルタ装置１００のように基板２の厚さ方向Ｄ１において第１ＩＤＴ電極７Ａと第２ＩＤＴ電極７Ｂとに重なる大きさの導電層（高音響インピーダンス層４１）を含む音響インピーダンス層４を備える場合と比べて、入力端子１５と出力端子１６との間において容量結合により発生する容量の容量値を低減でき、通過帯域外の減衰量の低下を抑制することが可能となる。
　また、実施形態１に係る弾性波フィルタ装置１では、第１ＩＤＴ電極７Ａ、第２ＩＤＴ電極７Ｂ及び第３ＩＤＴ電極８の電極指ピッチである２×Ｔ１、２×Ｔ１及び２×Ｔ２１により定まる弾性波の波長をλとしたときに、圧電体層５の厚さが、１λ以下である。これにより、実施形態１に係る弾性波フィルタ装置１では、板波を励振することができる。
　また、実施形態１に係る弾性波フィルタ装置１では、弾性波が板波である。これにより、実施形態１に係る弾性波フィルタ装置１では、板波を利用する弾性波フィルタ装置として使用することが可能となる。
　（実施形態２）
　以下、実施形態２に係る弾性波フィルタ装置１ａについて図６～９に基づいて説明する。実施形態２に係る弾性波フィルタ装置１ａに関し、実施形態１に係る弾性波フィルタ装置１と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を適宜省略する。
　実施形態２に係る弾性波フィルタ装置１ａは、図９に示すように、入力端子１５ａと、出力端子１６ａと、複数（２つ）のグラウンド端子１７ａ、１８ａと、複数（３つ）の直列腕共振子Ｓ１ａと、複数（２つ）の並列腕共振子Ｐ１ａと、を備えている。複数の直列腕共振子Ｓ１ａは、入力端子１５ａと出力端子１６ａとを結ぶ第１経路上に設けられた直列腕回路１２ａに含まれている。複数の並列腕共振子Ｐ１ａは、第１経路上のノードと２つのグラウンド端子１７ａ、１８ａとを結ぶ複数の第２経路上に設けられた複数の並列腕回路１３ａ、１４ａに含まれている。
　弾性波フィルタ装置１ａでは、複数の直列腕共振子Ｓ１ａは、互いに直列に接続されている。以下では、説明の便宜上、３つの直列腕共振子Ｓ１ａを、入力端子１５ａに近い順に、直列腕共振子Ｓ１１ａ、直列腕共振子Ｓ１２ａ、直列腕共振子Ｓ１３ａと称することもある。また、２つの並列腕共振子Ｐ１ａを、入力端子１５ａに近い順に、並列腕共振子Ｐ１１ａ、並列腕共振子Ｐ１２ａと称する。並列腕共振子Ｐ１１ａの一端は、２つの直列腕共振子Ｓ１１ａ、Ｓ１２ａの接続点（第１経路上のノード）に接続されている。並列腕共振子Ｐ１１ａの他端は、グラウンド端子１７ａに接続されている。並列腕共振子Ｐ１２ａの一端は、２つの直列腕共振子Ｓ１２ａ、Ｓ１３ａの接続点（第１経路上のノード）に接続されている。並列腕共振子Ｐ１２ａの他端は、グラウンド端子１８ａに接続されている。
　また、弾性波フィルタ装置１ａでは、入力端子１５ａと直列腕共振子Ｓ１１ａとの接続点と、並列腕共振子Ｐ１１ａとグラウンド端子１７ａとの接続点と、の間に第１キャパシタＣ１と第２キャパシタＣ２との直列回路が接続されている。
　また、弾性波フィルタ装置１ａでは、直列腕共振子Ｓ１１ａ、１３ａ（図９参照）の各々が、図８Ａに示すように、第１ＩＤＴ電極７Ａの第１バスバー７１の長手方向に沿った方向において第１ＩＤＴ電極７Ａの一方側に配置されている反射器９１と、他方側に配置されている反射器９２と、を含んでいる。第１ＩＤＴ電極７Ａの第１バスバー７１の長手方向に沿った方向は、弾性波（本実施形態では、板波）の伝搬方向に沿った方向である。反射器９１及び９２は、グレーティング反射器である。反射器９１及び９２は、弾性波を反射する。図８Ａでは、第１ＩＤＴ電極７Ａ、反射器９１及び９２にドットのハッチングを付してあるが、このハッチングは、断面を表すものではなく、第１ＩＤＴ電極７Ａ、反射器９１及び９２と第１音響インピーダンス層４Ａとの関係を分かりやすくするために付してあるにすぎない。弾性波フィルタ装置１ａでは、第１音響インピーダンス層４Ａは、厚さ方向Ｄ１において第１ＩＤＴ電極７Ａだけでなく、第１ＩＤＴ電極７Ａの両側の反射器９１及び９２とも重複している。また、弾性波フィルタ装置１ａでは、直列腕共振子Ｓ１２ａ（図９参照）が、図８Ａに示すように、第２ＩＤＴ電極７Ｂの第１バスバー７１の長手方向に沿った方向において第２ＩＤＴ電極７Ｂの一方側に配置されている反射器９１と、他方側に配置されている反射器９２と、を含んでいる。第２ＩＤＴ電極７Ｂの第１バスバー７１の長手方向に沿った方向は、弾性波（本実施形態では、板波）の伝搬方向に沿った方向である。第２ＩＤＴ電極７Ｂの両側の反射器９１及び９２は、グレーティング反射器であり、弾性波を反射する。図８Ａでは、第２ＩＤＴ電極７Ｂ、反射器９１及び９２にドットのハッチングを付してあるが、このハッチングは、断面を表すものではなく、第２ＩＤＴ電極７Ｂ、反射器９１及び９２と第２音響インピーダンス層４Ｂとの関係を分かりやすくするために付してあるにすぎない。弾性波フィルタ装置１ａでは、第２音響インピーダンス層４Ｂは、厚さ方向Ｄ１において第２ＩＤＴ電極７Ｂだけでなく、第２ＩＤＴ電極７Ｂの両側の反射器９１及び９２とも重複している。
　また、弾性波フィルタ装置１ａでは、複数の並列腕共振子Ｐ１ａの各々が図８Ｂに示すように、第３ＩＤＴ電極８の第１バスバー８１の長手方向に沿った方向において第３ＩＤＴ電極８の一方側に配置されている反射器９３と、他方側に配置されている反射器９４と、を含んでいる。第３ＩＤＴ電極８の第１バスバー８１の長手方向に沿った方向は、弾性波（本実施形態では、板波）の伝搬方向に沿った方向である。反射器９３及び９４は、グレーティング反射器である。反射器９３及び９４は、弾性波を反射する。図８Ｂでは、第３ＩＤＴ電極８、反射器９３及び９４にドットのハッチングを付してあるが、このハッチングは、断面を表すものではなく、第３ＩＤＴ電極８、反射器９３及び９４と第３音響インピーダンス層４０との関係を分かりやすくするために付してあるにすぎない。弾性波フィルタ装置１ａでは、第３音響インピーダンス層４０は、厚さ方向Ｄ１において第３ＩＤＴ電極８だけでなく、第３ＩＤＴ電極８の両側の反射器９３及び９４とも重複している。
　弾性波フィルタ装置１ａは、図６及び７に示すように、第１電極２１と、第２電極２２と、を更に備える。
　第１電極２１は、第１キャパシタＣ１形成用の電極であり、圧電体層５上に形成されている。第１電極２１は、複数の第１ＩＤＴ電極７Ａと第２ＩＤＴ電極７Ｂとのうち１つの第１ＩＤＴ電極７Ａの一対のバスバー７１、７２における入力端子１５ａ側のバスバー７１に電気的に接続されている。第１電極２１は、図６に示すように、基板２の厚さ方向Ｄ１（図７参照）からの平面視において直列腕共振子Ｓ１１ａに隣接している。第１電極２１は、直列腕共振子Ｓ１１ａの第１ＩＤＴ電極７Ａのバスバー７１とともに、直列腕回路１２ａにおいて同電位となる部分に接続されている。
　第２電極２２は、第２キャパシタＣ２形成用の電極であり、圧電体層５上に形成されている。第２電極２２は、複数の第３ＩＤＴ電極８のうち１つの第３ＩＤＴ電極８の一対のバスバー８１、８２におけるグラウンド端子１７ａ側のバスバー８２に電気的に接続されている。第２電極２２は、図６に示すように、基板２の厚さ方向Ｄ１からの平面視において並列腕共振子Ｐ１１ａに隣接している。第２電極２２は、並列腕共振子Ｐ１１ａとともに、並列腕回路１３ａにおいて同電位となる部分に接続されている。
　弾性波フィルタ装置１ａでは、中間層３は、音響インピーダンス層４００（以下、第４音響インピーダンス層４００ともいう）を更に有する。第４音響インピーダンス層４００は、基板２の厚さ方向Ｄ１において基板２と圧電体層５との間に介在している。第４音響インピーダンス層４００は、厚さ方向Ｄ１からの平面視で第１電極２１の少なくとも一部と第２電極２２の少なくとも一部とに重複する。第４音響インピーダンス層４００は、第１音響インピーダンス層４Ａ、第２音響インピーダンス層４Ｂ及び第３音響インピーダンス層４０と同一の積層構造を有している。したがって、第４音響インピーダンス層４００は、少なくとも１層（実施形態２では２層）の導電層（高音響インピーダンス層４１１、４１２）を含んでいる。弾性波フィルタ装置１ａでは、第１キャパシタＣ１が、第１電極２１と、第４音響インピーダンス層４００の高音響インピーダンス層４１２のうち第１電極２１に対向する第１部分４１２１と、圧電体層５のうち第１電極２１と高音響インピーダンス層４１２の第１部分４１２１との間に介在する部分とで構成されている。また、弾性波フィルタ装置１ａでは、第２キャパシタＣ２が、第２電極２２と、第４音響インピーダンス層４００の高音響インピーダンス層４１２のうち第２電極２２に対向する第２部分４１２２と、圧電体層５のうち第２電極２２と高音響インピーダンス層４１２の第２部分４１２２との間に介在する部分とで構成されている。また、第４音響インピーダンス層４００の高音響インピーダンス層４１２のうち第１部分４１２１と第２部分４１２２との間の第３部分４１２３が、第１キャパシタＣ１と第２キャパシタＣ２とを電気的に接続する配線を構成している。
　実施形態２に係る弾性波フィルタ装置１ａでは、第１電極２１、第２電極２２及び第４音響インピーダンス層４００を備えることにより、第１キャパシタＣ１及び第２キャパシタＣ２を形成できるので、フィルタ特性の低下（減衰量の低下）をより抑制することが可能となる。また、実施形態２に係る弾性波フィルタ装置１ａでは、その設計に際して、第１電極２１及び第２電極２２それぞれの面積（第４音響インピーダンス層４００の導電層との対向面積）を決めることによって、第１キャパシタＣ１及び第２キャパシタＣ２それぞれの容量値を決めることが可能となる。
　また、実施形態２に係る弾性波フィルタ装置１ａでは、第４音響インピーダンス層４００の第３部分４１２３が配線を構成しているので、配線を圧電体層５上に形成する場合に比べて、小型化を図ることが可能となる。
　上記の実施形態１及び２は、本発明の様々な実施形態の一つに過ぎない。上記の実施形態１及び２は、本発明の目的を達成できれば、設計等に応じて種々の変更が可能である。
　（変形例）
　例えば、弾性波フィルタ装置１では、複数のグラウンド端子１７、１８を備え、複数のグラウンド端子１７、１８に複数の並列腕共振子Ｐ１が一対一で接続されているが、これに限らず、１つのグラウンド端子に複数の並列腕共振子Ｐ１が接続されていてもよい。つまり、グラウンド端子１７、１８は、１つのグラウンド端子として共通化されていてもよい。弾性波フィルタ装置１ａに関しても、同様に、グラウンド端子１７ａ，１８ａが１つのグラウンド端子として共通化されていてもよい。
　また、基板２の材料は、Ｓｉに限らず、例えば、ＬｉＮｂＯ3、ＬｉＴａＯ3、水晶、ガラス等であってもよい。また、基板２の厚さ方向Ｄ１から見た基板２の平面視形状は、長方形状に限らず、例えば、正方形状であってもよい。
　また、第１音響インピーダンス層４Ａ及び第２音響インピーダンス層４Ｂの各々における高音響インピーダンス層４１及び低音響インピーダンス層４２それぞれの数は、２つ及び３つに限らず、２つ以上及び３つ以上であってもよい。また、高音響インピーダンス層４１の数と低音響インピーダンス層４２の数とは異なる場合に限らず、同じであってもよいし、低音響インピーダンス層４２の数が高音響インピーダンス層４１の数よりも１つ少なくてもよい。また、第１音響インピーダンス層４Ａ及び第２音響インピーダンス層４Ｂの各々は、少なくとも１つの高音響インピーダンス層４１と少なくとも１つの低音響インピーダンス層４２とが基板２の厚さ方向Ｄ１において重複していればよい。
　また、複数の高音響インピーダンス層４１の材料は、Ｐｔ（白金）に限らず、例えば、Ｗ（タングステン）等の金属でもよい。また、第１音響インピーダンス層４Ａ及び第２音響インピーダンス層４Ｂの各々は、高音響インピーダンス層４１が導電層である例に限らず、低音響インピーダンス層４２が導電層であってもよい。いずれにしても、第１音響インピーダンス層４Ａの導電層と第２音響インピーダンス層４Ｂの導電層とが電気的に絶縁されていればよい。また、弾性波フィルタ装置１のように第１音響インピーダンス層４Ａを複数備える場合、第１音響インピーダンス層４Ａの導電層どうしが電気的に絶縁されていればよい。また、実施形態２に係る弾性波フィルタ装置１ａの第３音響インピーダンス層４０ａ及び第４音響インピーダンス層４００についても第１音響インピーダンス層４Ａ及び第２音響インピーダンス層４Ｂと同様、高音響インピーダンス層４１が導電層である例に限らず、低音響インピーダンス層４２が導電層であってもよい。
　また、複数の高音響インピーダンス層４１は、互いに同じ材料である場合に限らず、例えば、互いに異なる材料であってもよい。また、複数の低音響インピーダンス層４２は、互いに同じ材料である場合に限らず、例えば、互いに異なる材料であってもよい。
　圧電体層５の材料は、ＬｉＮｂＯ3に限らず、例えば、ＬｉＴａＯ3等でもよい。
　第１ＩＤＴ電極７Ａ、第２ＩＤＴ電極７Ｂ、第３ＩＤＴ電極８、反射器９１、９２、９３及び９４の材料は、Ａｌに限らず、Ａｌ合金でもよい。また、第１ＩＤＴ電極７Ａ第２ＩＤＴ電極７Ｂ、第３ＩＤＴ電極８、反射器９１、９２、９３及び９４の材料は、例えば、Ｃｕ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ又はこれらの金属のいずれかを主体とする合金等であってもよい。また、第１ＩＤＴ電極７Ａ、第２ＩＤＴ電極７Ｂ、第３ＩＤＴ電極８、反射器９１、９２、９３及び９４は、単層構造に限らず、多層構造であってもよい。
　弾性波フィルタ装置１、１ａでは、厚さ方向Ｄ１からの平面視において第１ＩＤＴ電極７Ａの全域が第１音響インピーダンス層４Ａの導電層（高音響インピーダンス層４１）に重なっているが、これに限らず、厚さ方向Ｄ１からの平面視において第１ＩＤＴ電極７Ａのうち一部（例えば、規定領域１０）のみが導電層に重なっていてもよい。また、弾性波フィルタ装置１、１ａでは、厚さ方向Ｄ１からの平面視において第２ＩＤＴ電極７Ｂの全域が第２音響インピーダンス層４Ｂの導電層（高音響インピーダンス層４１）に重なっているが、これに限らず、厚さ方向Ｄ１からの平面視において第２ＩＤＴ電極７Ｂのうち一部（例えば、規定領域１０）のみが導電層に重なっていてもよい。
　また、弾性波フィルタ装置１ａでは、第２キャパシタＣ２の第１キャパシタＣ１とは反対側の一端が並列腕共振子Ｐ１１ａ（の第３ＩＤＴ電極８の第２バスバー８２）とグラウンド端子１７ａとの接続点に接続されているが、これに限らない。例えば、第２キャパシタＣ２の第１キャパシタＣ１とは反対側の一端が並列腕共振子Ｐ１２ａ（の第３ＩＤＴ電極８の第２バスバー８２）とグラウンド端子１８ａとの接続点に接続されていてもよい。
　また、弾性波フィルタ装置１ａでは、第４音響インピーダンス層４００が、直列腕共振子Ｓ１１ａの第１音響インピーダンス層４Ａ及び並列腕共振子Ｐ１１ａの第３音響インピーダンス層４０それぞれと離れているが、これに限らない。弾性波フィルタ装置１ａでは、例えば、第１キャパシタＣ１と第２キャパシタＣ２との直列回路の容量値を大きくしたい場合には、第４音響インピーダンス層４００が、直列腕共振子Ｓ１１ａの第１音響インピーダンス層４Ａ及び並列腕共振子Ｐ１１ａの第３音響インピーダンス層それぞれ若しくはどちらか一方とつながっていてもよい。
　また、弾性波フィルタ装置１では、２つの並列腕回路１３、１４を備えているが、並列腕回路の数は、２つに限らず、例えば、１つであってもよいし、３つ以上であってもよい。弾性波フィルタ装置１ａに関しても、並列腕回路の数は、２つに限らず、例えば、１つであってもよいし、３つ以上であってもよい。また、並列腕回路は、並列腕共振子を有する構成に限らず、例えば、インダクタ、キャパシタ等を有する構成であってもよい。
　（まとめ）
　以上説明した実施形態等から以下の態様が開示されている。
　第１の態様に係る弾性波フィルタ装置（１；１ａ）は、基板（２）と、第１音響インピーダンス層（４Ａ）及び第２音響インピーダンス層（４Ｂ）と、圧電体層（５）と、第１ＩＤＴ電極（７Ａ）と、第２ＩＤＴ電極（７Ｂ）と、入力端子（１５；１５ａ）と、出力端子（１６；１６ａ）と、グラウンド端子（１７、１８；１７ａ、１８ａ）と、直列腕回路（１２；１２ａ）と、並列腕回路（１３、１４；１３ａ、１４ａ）と、を備える。第１音響インピーダンス層（４Ａ）及び第２音響インピーダンス層（４Ｂ）は、基板（２）上に形成されている。圧電体層（５）は、第１音響インピーダンス層（４Ａ）及び第２音響インピーダンス層（４Ｂ）上に形成されている。第１ＩＤＴ電極（７Ａ）は、圧電体層（５）上に形成され、圧電体層（５）の厚さ方向（Ｄ１）からの平面視において、第１音響インピーダンス層（４Ａ）と少なくとも一部重複する。第２ＩＤＴ電極（７Ｂ）は、圧電体層（５）上に形成され、厚さ方向（Ｄ１）からの平面視において、第２音響インピーダンス層（４Ｂ）と少なくとも一部重複する。入力端子（１５；１５ａ）は、圧電体層（５）上に形成されている。出力端子（１６；１６ａ）は、圧電体層（５）上に形成されている。グラウンド端子（１７、１８；１７ａ、１８ａ）は、圧電体層（５）上に形成されている。直列腕回路（１２；１２ａ）は、入力端子（１５；１５ａ）と出力端子（１６；１６ａ）とを結ぶ第１経路上に設けられ、第１ＩＤＴ電極（７Ａ）及び第２ＩＤＴ電極（７Ｂ）を有する。並列腕回路（１３、１４；１３ａ、１４ａ）は、第１経路上のノードとグラウンド端子（１７、１８；１７ａ、１８ａ）とを結ぶ第２経路上に設けられている。第１音響インピーダンス層（４Ａ）及び第２音響インピーダンス層（４Ｂ）の各々は、少なくとも１つの高音響インピーダンス層（４１）と、少なくとも１つの高音響インピーダンス層（４１）よりも音響インピーダンスが低い少なくとも１つの低音響インピーダンス層（４２）と、を有する。第１音響インピーダンス層（４Ａ）及び第２音響インピーダンス層（４Ｂ）の各々について、少なくとも１つの高音響インピーダンス層（４１）及び少なくとも１つの低音響インピーダンス層（４２）の少なくとも１つが導電層である。第１音響インピーダンス層（４Ａ）における導電層と、第２音響インピーダンス層（４Ｂ）における導電層とが、電気的に絶縁されている。
　第１の態様に係る弾性波フィルタ装置（１；１ａ）では、減衰量の低下を抑制することが可能となる。
　第２の態様に係る弾性波フィルタ装置（１；１ａ）は、第１の態様において、少なくとも１つの高音響インピーダンス層（４１）は、複数の高音響インピーダンス層（４１）を含む。少なくとも１つの低音響インピーダンス層（４２）は、複数の低音響インピーダンス層（４２）を含む。複数の高音響インピーダンス層（４１）と複数の低音響インピーダンス層（４２）とが厚さ方向（Ｄ１）において一層ごとに交互に並んでいる。
　第２の態様に係る弾性波フィルタ装置（１；１ａ）では、フィルタ特性の向上を図れる。
　第３の態様に係る弾性波フィルタ装置（１ａ）は、第１又は２の態様において、並列腕回路（１３、１４；１３ａ、１４ａ）は、圧電体層（５）上に形成された第３ＩＤＴ電極（８）を有する。第１ＩＤＴ電極（７Ａ）、第２ＩＤＴ電極７Ｂ及び第３ＩＤＴ電極（８）の各々は、一対のバスバー（７１、７２，７１、７２及び８１、８２）を含む。弾性波フィルタ装置（１ａ）は、第１電極（２１）と、第２電極（２２）と、を更に備える。第１電極（２１）は、圧電体層（５）上に形成されている。第１電極（２１）は、第１ＩＤＴ電極（７Ａ）と第２ＩＤＴ電極（７Ｂ）とのうち１つの一対のバスバー（７１、７２）における入力端子（１５ａ）側のバスバー（７１）に電気的に接続されている。第２電極（２２）は、圧電体層（５）上に形成されている。第２電極（２２）は、複数の第３ＩＤＴ電極（８）のうち１つの第３ＩＤＴ電極（８）の一対のバスバー（８１、８２）におけるグラウンド端子（１７ａ）側のバスバー（８２）に電気的に接続されている。弾性波フィルタ装置（１ａ）は、音響インピーダンス層（４００）を更に有する。音響インピーダンス層（４００）は、基板（２）と圧電体層（５）との間において平面視で第１電極（２１）の少なくとも一部と第２電極（２２）の少なくとも一部とに重複する少なくとも一層の導電層を含む。
　第３の態様に係る弾性波フィルタ装置（１ａ）では、減衰量の低下をより抑制することが可能となる。
　第４の態様に係る弾性波フィルタ装置（１；１ａ）は、第３の態様において、第１ＩＤＴ電極（７Ａ）、第２ＩＤＴ電極（７Ｂ）及び第３ＩＤＴ電極（８）の電極指ピッチ（２×Ｔ１、２×Ｔ１及び２×Ｔ２１）により定まる弾性波の波長をλとしたときに、圧電体層（５）の厚さが、１λ以下である。
　第４の態様に係る弾性波フィルタ装置（１；１ａ）では、板波を励振することができる。
　第５の態様に係る弾性波フィルタ装置（１；１ａ）は、第４の態様において、弾性波が板波である。
　第５の態様に係る弾性波フィルタ装置（１；１ａ）では、板波を利用する弾性波フィルタ装置として使用することが可能となる。
　１、１ａ　弾性波フィルタ装置
　１００　弾性波フィルタ装置
　２　基板
　２０１　第１主面
　２０２　第２主面
　３　中間層
　３０　絶縁層
　４Ａ　第１音響インピーダンス層
　４Ｂ　第２音響インピーダンス層
　４０　第３音響インピーダンス層
　４００　音響インピーダンス層（第４音響インピーダンス層）
　４１　高音響インピーダンス層（導電層）
　４２　低音響インピーダンス層
　４１２１　第１部分
　４１２２　第２部分
　４１２３　第３部分
　５　圧電体層
　７Ａ　第１ＩＤＴ電極
　７Ｂ　第２ＩＤＴ電極
　７１　バスバー（第１バスバー）
　７２　バスバー（第２バスバー）
　７３　電極指（第１電極指）
　７４　電極指（第２電極指）
　８　第３ＩＤＴ電極
　８１　バスバー（第１バスバー）
　８２　バスバー（第２バスバー）
　８３　電極指（第１電極指）
　８４　電極指（第２電極指）
　１０　規定領域
　１１　規定領域
　１２、１２ａ　直列腕回路
　１３、１３ａ　並列腕回路
　１４、１３ａ　並列腕回路
　１５、１５ａ　入力端子
　１６、１６ａ　出力端子
　１７、１７ａ　グラウンド端子
　１８、１８ａ　グラウンド端子
　２１　第１電極
　２２　第２電極
　９１、９３　反射器
　９２、９４　反射器
　Ｃ１　第１キャパシタ
　Ｃ２　第２キャパシタ
　Ｔ１、Ｔ２１　距離
　Ｔ２、Ｔ２２　電極指幅
　Ｄ１　厚さ方向
　Ｓ１、Ｓ１ａ　直列腕共振子
　Ｐ１、Ｐ１ａ　並列腕共振子

Claims (5)

  1. 　基板と、
    　前記基板上に形成された第１音響インピーダンス層及び第２音響インピーダンス層と、
    　前記第１音響インピーダンス層及び前記第２音響インピーダンス層上に形成された圧電体層と、
    　前記圧電体層上に形成され、前記圧電体層の厚さ方向からの平面視において、前記第１音響インピーダンス層と少なくとも一部重複する第１ＩＤＴ電極と、
    　前記圧電体層上に形成され、前記厚さ方向からの平面視において、前記第２音響インピーダンス層と少なくとも一部重複する第２ＩＤＴ電極と、
    　前記圧電体層上に形成された入力端子と、
    　前記圧電体層上に形成された出力端子と、
    　前記圧電体層上に形成されたグラウンド端子と、
    　前記入力端子と前記出力端子とを結ぶ第１経路上に設けられ、前記第１ＩＤＴ電極及び前記第２ＩＤＴ電極を有する直列腕回路と、
    　前記第１経路上のノードと前記グラウンド端子とを結ぶ第２経路上に設けられた並列腕回路と、を備え、
    　前記第１音響インピーダンス層及び前記第２音響インピーダンス層の各々は、
    　　少なくとも１つの高音響インピーダンス層と、
    　　前記少なくとも１つの高音響インピーダンス層よりも音響インピーダンスが低い少なくとも１つの低音響インピーダンス層と、を有し、
    　前記第１音響インピーダンス層及び前記第２音響インピーダンス層の各々について、前記高音響インピーダンス層及び前記低音響インピーダンス層の少なくとも１つが導電層であり、
    　前記第１音響インピーダンス層における前記導電層と、前記第２音響インピーダンス層における前記導電層とが、電気的に絶縁されている、
    　弾性波フィルタ装置。
  2. 　前記少なくとも１つの高音響インピーダンス層は、複数の高音響インピーダンス層を含み、
    　前記少なくとも１つの低音響インピーダンス層は、複数の低音響インピーダンス層を含み、
    　前記複数の高音響インピーダンス層と前記複数の低音響インピーダンス層とが前記厚さ方向において一層ごとに交互に並んでいる、
    　請求項１に記載の弾性波フィルタ装置。
  3. 　前記並列腕回路は、前記圧電体層上に形成された複数の第３ＩＤＴ電極を有し、
    　前記第１ＩＤＴ電極、前記第２ＩＤＴ電極及び前記複数の第３ＩＤＴ電極の各々は、一対のバスバーを含み、
    　前記圧電体層上に形成され、前記第１ＩＤＴ電極と前記第２ＩＤＴ電極とのうち１つの前記一対のバスバーにおける前記入力端子側のバスバーに電気的に接続されている第１電極と、
    　前記圧電体層上に形成され、前記複数の第３ＩＤＴ電極のうち１つの第３ＩＤＴ電極の前記一対のバスバーにおける前記グラウンド端子側のバスバーに電気的に接続されている第２電極と、を更に備え、
    　前記基板と前記圧電体層との間において平面視で前記第１電極の少なくとも一部と前記第２電極の少なくとも一部とに重複する少なくとも１層の導電層を含む第３音響インピーダンス層を更に有する、
    　請求項１又は２に記載の弾性波フィルタ装置。
  4. 　前記第１ＩＤＴ電極、前記第２ＩＤＴ電極及び前記複数の第３ＩＤＴ電極の電極指ピッチにより定まる弾性波の波長をλとしたときに、前記圧電体層の厚さが、１λ以下である、
    　請求項３に記載の弾性波フィルタ装置。
  5. 　前記弾性波が板波である、
    　請求項４に記載の弾性波フィルタ装置。
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