JP6188869B2 - 高次横モード波を抑制した弾性波デバイス - Google Patents
高次横モード波を抑制した弾性波デバイス Download PDFInfo
- Publication number
- JP6188869B2 JP6188869B2 JP2016107009A JP2016107009A JP6188869B2 JP 6188869 B2 JP6188869 B2 JP 6188869B2 JP 2016107009 A JP2016107009 A JP 2016107009A JP 2016107009 A JP2016107009 A JP 2016107009A JP 6188869 B2 JP6188869 B2 JP 6188869B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- dielectric film
- wave device
- electrode
- thickness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 43
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 34
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical group O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 32
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 26
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 26
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 19
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 16
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 description 15
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 9
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 3
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 3
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical group [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/87—Electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
- H03H9/02559—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of lithium niobate or lithium-tantalate substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02818—Means for compensation or elimination of undesirable effects
- H03H9/02834—Means for compensation or elimination of undesirable effects of temperature influence
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02818—Means for compensation or elimination of undesirable effects
- H03H9/02858—Means for compensation or elimination of undesirable effects of wave front distortion
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02818—Means for compensation or elimination of undesirable effects
- H03H9/02881—Means for compensation or elimination of undesirable effects of diffraction of wave beam
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02984—Protection measures against damaging
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02992—Details of bus bars, contact pads or other electrical connections for finger electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/54—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Description
本発明の第1の実施形態について以下に説明する。図1は本実施形態に係る弾性波デバイス100を透過的に描いた上面図およびそのA−A´線に沿った断面図である。弾性波デバイス100は、圧電基板101に2つのIDT電極102と、2つの反射器103を配置している。また、これらは、誘電体膜104によって被覆されている。IDT電極102はそれぞれ、バスバー111および当該バスバー111から交互に延伸する複数の電極指112およびダミー電極指113を有する。IDT電極102のそれぞれの電極指112は、他方のIDT電極102の電極指112と交互に並び、かつ、先端が他方のIDT電極102のダミー電極指113の先端と対向するよう配置される。また、反射器103はこれらのIDT電極をはさんで、1つずつ配置される。圧電基板としては、そのカット角および伝播角を右手系直交座標のオイラー角(φ,θ,ψ)で表した場合、θ=36°以上41°以下であるニオブ酸リチウムであることが好ましい。尚、φとψは夫々−10°以上10°以下の任意の値である。なお、IDT電極102と反射器103の材質としては、白金、タングステン、モリブデンのいずれかを主成分とする第1の金属層と、第1の金属層の上に第1の金属層より導電率の高い第2の金属層との積層構造を含む構成であることが好ましい。これにより、弾性波デバイス100の特性ロス低下と電極抵抗の抑制を図ることができる。また、誘電体膜の材質としては、二酸化ケイ素(SiO2)が挙げられる。
本発明の第2の実施形態について以下に説明する。図8は本実施形態に係る弾性波デバイス400を透過的に描いた上面図およびそのA−A´線に沿った断面図である。弾性波デバイス400は、第1の実施形態の弾性波デバイス100と同様、圧電基板101に2つのIDT電極102と、2つの反射器103を配置している。しかし、これらを第1の誘電体膜404によって被覆したのち、さらに第2の誘電体膜405で被覆した点で弾性波デバイス100と異なる。
本発明の第3の実施形態について以下に説明する。図15は本実施形態に係る弾性波デバイス700を透過的に描いた上面図およびそのA−A’線に沿った断面図である。弾性波デバイス700は、第1の実施形態の弾性波デバイス100と同様、圧電基板101に2つのIDT電極102と、2つの反射器103を配置している。しかし、これらを第1の誘電体膜704によって被覆したのち、さらに第3の誘電体膜705で被覆した点で弾性波デバイス100と異なる。
本発明の第4の実施形態について以下に説明する。図21は本実施形態に係る弾性波デバイス800を透過的に描いた上面図およびそのA−A´線に沿った断面図である。弾性波デバイス800は、圧電基板101の上において2つの反射器803の間に、複数対のIDT電極802a、802b、802cを主要弾性波の伝搬方向に配置して縦結合型フィルタとした点で弾性波デバイス100と異なる。尚、図21では弾性波デバイス800が3組のIDT電極を有する構成を示したが、弾性波デバイス800は、2組、或は4組以上のIDT電極を有していても構わない。
上述の各実施形態において、弾性波の主要な伝搬路となる交差領域およびエッジ領域の各端部において誘電体膜の膜厚が変化する箇所に、テーパー部1201を設け、誘電体膜の膜厚の急峻な変化を緩和し、連続的に膜厚を変化させることが好ましい。図22の(a)は、一例として、図1に示した第1の実施形態に係る弾性波デバイス100において、誘電体膜104の交差領域とエッジ領域との境界部分にテーパー部1201を設けた場合の断面図である。図22の(b)は、他の例として、図3に示した第1の実施形態に係る弾性波デバイス300において、誘電体膜104の交差領域とエッジ領域との境界部分、および、エッジ領域とギャップ領域との境界部分にテーパー部1201を設けた場合の断面図である。また、図23は、さらに他の例として、図11に示した第2の実施形態に係る弾性波デバイス600において、第2の誘電体膜405およびパッシベーション膜408の交差領域とエッジ領域との境界部分にテーパー部1201を設けた場合の断面図である。これらのように、テーパー部1201によって誘電体膜の膜厚を連続的に変化させる場合、膜厚を急峻に変化させる場合に比べて、当該箇所を伝搬する弾性波の音速の急速な変化が抑制され、不要なスプリアス波の発生を低減することができる。
上述の各実施形態において、パッシベーション膜を設ける場合、交差領域にのみパッシベーション膜を設けてもよい。図24は、第1の実施形態に係る弾性波デバイス100において、誘電体膜104の交差領域にのみパッシベーション膜108を被覆した弾性波デバイス110、120および130の断面図である。図24の(a)に示す弾性波デバイス110は、パッシベーション膜108の厚さが、誘電体膜104の交差領域における膜厚とエッジ領域における膜厚の差より小さい。図24の(b)に示す弾性波デバイス120は、パッシベーション膜108の厚さが、誘電体膜104の交差領域における膜厚とエッジ領域における膜厚の差に等しい。図24の(c)に示す弾性波デバイス130は、パッシベーション膜108の厚さが、誘電体膜104の交差領域における膜厚とエッジ領域における膜厚の差より大きい。
101、901 圧電基板
102、902 IDT電極
103、903 反射器
104、104a、104b、404、405、704、705、1154、1204 誘電体膜
108、408、708 パッシベーション膜
111、911 バスバー
112、912 電極指
113、913 ダミー電極指
1004 被膜
1201 テーパー部
Claims (20)
- 圧電基板と、前記圧電基板上に形成される1対のIDT電極と、前記圧電基板及び前記1対のIDT電極の少なくとも一部を被覆する誘電体膜とを含む弾性波デバイスであって、
前記1対のIDT電極の第1IDT電極は、第1の複数の電極指を有し、
前記1対のIDT電極の第2IDT電極は、第2の複数の電極指を有し、
前記第1の複数の電極指は前記第2の複数の電極指と交互に並ぶよう配置され、
前記誘電体膜は、前記第1の複数の電極指及び前記第2の複数の電極指が交互に並ぶように配置された交差領域と、前記交差領域から前記電極指の先端まで延びる複数のエッジ領域と、一方のIDT電極の電極指の先端から他方のIDT電極まで延びる複数のギャップ領域とを被覆し、
前記交差領域における弾性波の音速は、前記エッジ領域における音速よりも大きく、
前記誘電体膜は、
前記交差領域を被覆しかつ第1厚さを有する第1領域と、
前記エッジ領域及び前記ギャップ領域を被覆しかつ第2厚さを有する第2領域と
を含み、
前記第2厚さは前記第1厚さよりも大きい、弾性波デバイス。 - 前記交差領域のみの前記誘電体膜上に形成されたパッシベーション膜をさらに含む、請求項1に記載の弾性波デバイス。
- 前記パッシベーション膜は、前記第1厚さと前記第2厚さの差よりも小さい厚さを有する、請求項2に記載の弾性波デバイス。
- 前記パッシベーション膜は、前記第1厚さと前記第2厚さの差と同じ厚さを有する、請求項2に記載の弾性波デバイス。
- 前記パッシベーション膜は、前記第1厚さと前記第2厚さの差よりも大きい厚さを有する、請求項2に記載の弾性波デバイス。
- 前記誘電体膜上に形成されたパッシベーション膜をさらに含み、
前記パッシベーション膜は、前記交差領域における厚さが前記エッジ領域における厚さよりも大きい、請求項1に記載の弾性波デバイス。 - 前記パッシベーション膜は平坦な上表面を有する、請求項6に記載の弾性波デバイス。
- 前記パッシベーション膜は、一部が突出して前記交差領域に張り出す上表面を有する、請求項6に記載の弾性波デバイス。
- 前記誘電体膜は、
第1誘電体膜と、
前記エッジ領域及び前記ギャップ領域を含むが前記交差領域を除く領域において前記第1誘電体膜を被覆する第2誘電体膜と
を含む、請求項8に記載の弾性波デバイス。 - 圧電基板と、前記圧電基板上に形成される1対のIDT電極と、前記圧電基板及び前記1対のIDT電極の少なくとも一部を被覆する誘電体膜とを含む弾性波デバイスであって、
前記1対のIDT電極の第1IDT電極は、第1の複数の電極指を有し、
前記1対のIDT電極の第2IDT電極は、第2の複数の電極指を有し、
前記第1の複数の電極指は前記第2の複数の電極指と交互に並ぶよう配置され、
前記誘電体膜は、前記第1の複数の電極指及び前記第2の複数の電極指が交互に並ぶように配置された交差領域と、前記交差領域から前記電極指の先端まで延びる複数のエッジ領域と、一方のIDT電極の電極指の先端から他方のIDT電極まで延びる複数のギャップ領域とを被覆し、
前記交差領域における弾性波の音速は、前記エッジ領域における音速よりも大きく、
前記誘電体膜は、
前記交差領域を被覆しかつ第1厚さを有する第1領域と、
前記エッジ領域を被覆しかつ第2厚さを有する第2領域と、
前記ギャップ領域を被覆しかつ第3厚さを有する第3領域と
を含み、
前記第2厚さは前記第1厚さよりも大きく、
前記第1厚さは前記第3厚さよりも大きい、弾性波デバイス。 - 前記エッジ領域における前記誘電体膜は、
第1誘電体膜と、
前記第1誘電体膜上に形成された第2誘電体膜と
を含む、請求項10に記載の弾性波デバイス。 - 前記第2誘電体膜における弾性波の音速は、前記第1誘電体膜における弾性波の音速よりも小さい、請求項11に記載の弾性波デバイス。
- 圧電基板と、前記圧電基板上に形成される1対のIDT電極と、前記圧電基板及び前記1対のIDT電極の少なくとも一部を被覆する第1誘電体膜とを含む弾性波デバイスであって、
前記1対のIDT電極の第1IDT電極は、第1の複数の電極指を有し、
前記1対のIDT電極の第2IDT電極は、第2の複数の電極指を有し、
前記第1の複数の電極指は前記第2の複数の電極指と交互に並ぶよう配置され、
前記第1誘電体膜は、前記第1の複数の電極指及び前記第2の複数の電極指が交互に並ぶように配置された交差領域と、前記交差領域から前記電極指の先端まで延びる複数のエッジ領域と、一方のIDT電極の電極指の先端から他方のIDT電極まで延びる複数のギャップ領域とを被覆し、
前記交差領域における弾性波の音速は、前記エッジ領域における音速よりも大きく、
前記第1誘電体膜は、
前記交差領域及び前記エッジ領域を被覆しかつ第1厚さを有する第1領域と、
前記ギャップ領域を被覆しかつ第2厚さを有する第2領域と
を含み、
前記第1厚さは前記第2厚さよりも大きく、
前記弾性波デバイスはさらに、前記交差領域において前記第1誘電体膜を被覆する第2誘電体膜を含む、弾性波デバイス。 - 前記第2誘電体膜は前記エッジ領域を被覆しない、請求項13に記載の弾性波デバイス。
- 前記第2誘電体膜における弾性波の音速は、前記第1誘電体膜における弾性波の音速よりも大きい、請求項13に記載の弾性波デバイス。
- 圧電基板と、前記圧電基板上に形成される1対のIDT電極と、前記圧電基板及び前記1対のIDT電極の少なくとも一部を被覆する第1誘電体膜とを含む弾性波デバイスであって、
前記1対のIDT電極の第1IDT電極は、第1の複数の電極指を有し、
前記1対のIDT電極の第2IDT電極は、第2の複数の電極指を有し、
前記1IDT電極はさらに、前記第2の複数の電極指の先端に対向する先端を有する第1の複数のダミー電極指を含み、
前記2IDT電極はさらに、前記第1の複数の電極指の先端に対向する先端を有する第2の複数のダミー電極指を含み、
前記第1の複数の電極指は前記第2の複数の電極指と交互に並ぶよう配置され、
前記第1誘電体膜は、前記第1の複数の電極指及び前記第2の複数の電極指が交互に並ぶように配置された交差領域と、前記交差領域から前記電極指の先端まで延びる複数のエッジ領域と、一方のIDT電極の電極指の先端から他方のIDT電極のダミー電極指の先端まで延びる複数のギャップ領域と、前記ダミー電極指に沿って延びる複数のダミー領域とを被覆し、
前記交差領域における弾性波の音速は、前記エッジ領域における音速よりも大きく、
前記第1誘電体膜は、前記交差領域、前記ギャップ領域及び前記エッジ領域において同じ厚さを有し、
前記弾性波デバイスはさらに、
前記交差領域、前記ギャップ領域及び前記エッジ領域において前記第1誘電体膜を被覆するパッシベーション膜と、
前記交差領域において前記パッシベーション膜を被覆する第2誘電体膜と
を含む、弾性波デバイス。 - 前記パッシベーション膜は、前記第1誘電体膜よりも耐湿性が高い、請求項16に記載の弾性波デバイス。
- 前記第2誘電体膜における弾性波の音速は、前記第1誘電体膜における弾性波の音速よりも大きい、請求項16に記載の弾性波デバイス。
- 圧電基板と、前記圧電基板上に形成される1対のIDT電極と、前記圧電基板及び前記1対のIDT電極の少なくとも一部を被覆する第1誘電体膜とを含む弾性波デバイスであって、
前記1対のIDT電極の第1IDT電極は、第1の複数の電極指を有し、
前記1対のIDT電極の第2IDT電極は、第2の複数の電極指を有し、
前記第1の複数の電極指は前記第2の複数の電極指と交互に並ぶよう配置され、
前記第1誘電体膜は、前記第1の複数の電極指及び前記第2の複数の電極指が交互に並ぶように配置された交差領域と、前記交差領域から前記電極指の先端まで延びる複数のエッジ領域と、一方のIDT電極の電極指の先端から他方のIDT電極まで延びる複数のギャップ領域とを被覆し、
前記交差領域における弾性波の音速は、前記エッジ領域における音速よりも大きく、
前記第1誘電体膜は、前記交差領域及び前記エッジ領域において第1厚さを有し、かつ、前記ギャップ領域において第2厚さを有し、
前記第1厚さは前記第2厚さよりも大きく、
前記弾性波デバイスはさらに、前記交差領域において前記第1誘電体膜を被覆する第2誘電体膜を含む、弾性波デバイス。 - 前記第2誘電体膜における弾性波の音速は、前記第1誘電体膜における弾性波の音速よりも大きい、請求項19に記載の弾性波デバイス。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011068857 | 2011-03-25 | ||
JP2011068857 | 2011-03-25 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015024143A Division JP6019146B2 (ja) | 2011-03-25 | 2015-02-10 | 高次横モード波を抑制した弾性波デバイス |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016184951A JP2016184951A (ja) | 2016-10-20 |
JP6188869B2 true JP6188869B2 (ja) | 2017-08-30 |
Family
ID=45976985
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013524280A Active JP5697751B2 (ja) | 2011-03-25 | 2012-03-05 | 高次横モード波を抑制した弾性波デバイス |
JP2015024143A Active JP6019146B2 (ja) | 2011-03-25 | 2015-02-10 | 高次横モード波を抑制した弾性波デバイス |
JP2016107009A Active JP6188869B2 (ja) | 2011-03-25 | 2016-05-30 | 高次横モード波を抑制した弾性波デバイス |
Family Applications Before (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013524280A Active JP5697751B2 (ja) | 2011-03-25 | 2012-03-05 | 高次横モード波を抑制した弾性波デバイス |
JP2015024143A Active JP6019146B2 (ja) | 2011-03-25 | 2015-02-10 | 高次横モード波を抑制した弾性波デバイス |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9065424B2 (ja) |
JP (3) | JP5697751B2 (ja) |
WO (1) | WO2012132238A1 (ja) |
Families Citing this family (114)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102010053674B4 (de) * | 2010-12-07 | 2017-08-24 | Snaptrack Inc. | Elektroakustischer Wandler |
WO2012127793A1 (ja) * | 2011-03-22 | 2012-09-27 | パナソニック株式会社 | 弾性波素子 |
US9065424B2 (en) * | 2011-03-25 | 2015-06-23 | Skyworks Panasonic Filter Solutions Japan Co., Ltd | Acoustic wave device with reduced higher order transverse modes |
JP6504551B2 (ja) * | 2013-06-10 | 2019-04-24 | 太陽誘電株式会社 | 共振器、フィルタおよび分波器 |
EP3022841A1 (en) | 2013-07-18 | 2016-05-25 | Epcos AG | Electroacoustic transducer with improved suppression of unwanted modes |
JP2015073207A (ja) * | 2013-10-03 | 2015-04-16 | スカイワークス・パナソニック フィルターソリューションズ ジャパン株式会社 | 弾性波共振器 |
DE112014006013B4 (de) * | 2013-12-26 | 2024-06-20 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Vorrichtung für elastische Wellen und Filtervorrichtung |
JP6284800B2 (ja) * | 2014-03-26 | 2018-02-28 | 太陽誘電株式会社 | 弾性表面波デバイス及びフィルタ |
JP6441590B2 (ja) * | 2014-05-23 | 2018-12-19 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイス |
KR101838085B1 (ko) | 2014-05-26 | 2018-03-13 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 탄성파 장치 |
EP3235130A1 (en) * | 2014-12-16 | 2017-10-25 | SnapTrack, Inc. | Electroacoustic transducer with improved suppression of unwanted modes |
US10355668B2 (en) | 2015-01-20 | 2019-07-16 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Acoustic wave device |
JP6401088B2 (ja) * | 2015-03-18 | 2018-10-03 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイス |
KR101652297B1 (ko) * | 2015-03-31 | 2016-08-31 | (주)와이솔 | Saw 필터 |
KR101989462B1 (ko) * | 2015-06-24 | 2019-06-14 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 필터 장치 |
WO2017086004A1 (ja) | 2015-11-17 | 2017-05-26 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置及びその製造方法 |
JP6573836B2 (ja) * | 2016-01-13 | 2019-09-11 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波共振器、フィルタ、及びデュプレクサ |
JP6465047B2 (ja) * | 2016-02-19 | 2019-02-06 | 株式会社村田製作所 | 弾性波共振子、帯域通過型フィルタ及びデュプレクサ |
JP6415469B2 (ja) | 2016-03-22 | 2018-10-31 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波共振器、フィルタおよびマルチプレクサ並びに弾性波共振器の製造方法 |
WO2017212787A1 (ja) * | 2016-06-07 | 2017-12-14 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
KR102082798B1 (ko) | 2016-06-28 | 2020-02-28 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 탄성파 장치 |
JP6624289B2 (ja) * | 2016-06-28 | 2019-12-25 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
WO2018008252A1 (ja) * | 2016-07-07 | 2018-01-11 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
JP6572856B2 (ja) | 2016-09-22 | 2019-09-11 | 株式会社デンソー | ヘッドアップディスプレイ装置 |
KR102311837B1 (ko) | 2016-12-05 | 2021-10-13 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 탄성파 장치, 고주파 프론트 엔드 회로 및 통신 장치 |
KR102229772B1 (ko) | 2016-12-20 | 2021-03-19 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 탄성파 장치, 고주파 프론트 엔드 회로 및 통신 장치 |
WO2018123657A1 (ja) * | 2016-12-28 | 2018-07-05 | 株式会社村田製作所 | 縦結合共振子型弾性波フィルタ |
JPWO2018131360A1 (ja) * | 2017-01-10 | 2019-11-07 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
JP6941944B2 (ja) * | 2017-02-01 | 2021-09-29 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイス |
JP2018157564A (ja) | 2017-03-16 | 2018-10-04 | スカイワークス ソリューションズ, インコーポレイテッドSkyworks Solutions, Inc. | 酸窒化ケイ素膜により覆われたインターディジタル電極を含む弾性波デバイス |
CN110419161B (zh) * | 2017-03-23 | 2023-03-03 | 株式会社村田制作所 | 弹性波装置 |
JP6882929B2 (ja) | 2017-05-01 | 2021-06-02 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波共振器、フィルタおよびマルチプレクサ |
WO2018216548A1 (ja) * | 2017-05-22 | 2018-11-29 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
US10840876B2 (en) | 2017-08-23 | 2020-11-17 | Resonant Inc. | Temperature compensated acoustic wave devices |
CN111034040B (zh) * | 2017-09-07 | 2023-07-18 | 株式会社村田制作所 | 弹性波装置 |
JP6954799B2 (ja) | 2017-10-20 | 2021-10-27 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
WO2019139076A1 (ja) * | 2018-01-11 | 2019-07-18 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
US11323090B2 (en) | 2018-06-15 | 2022-05-03 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator using Y-X-cut lithium niobate for high power applications |
US10756697B2 (en) | 2018-06-15 | 2020-08-25 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator |
US11323089B2 (en) | 2018-06-15 | 2022-05-03 | Resonant Inc. | Filter using piezoelectric film bonded to high resistivity silicon substrate with trap-rich layer |
US11509279B2 (en) | 2020-07-18 | 2022-11-22 | Resonant Inc. | Acoustic resonators and filters with reduced temperature coefficient of frequency |
US11146232B2 (en) | 2018-06-15 | 2021-10-12 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with reduced spurious modes |
US11936358B2 (en) | 2020-11-11 | 2024-03-19 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with low thermal impedance |
US11206009B2 (en) | 2019-08-28 | 2021-12-21 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with interdigital transducer with varied mark and pitch |
US20210328574A1 (en) | 2020-04-20 | 2021-10-21 | Resonant Inc. | Small transversely-excited film bulk acoustic resonators with enhanced q-factor |
US20220116015A1 (en) | 2018-06-15 | 2022-04-14 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with optimized electrode thickness, mark, and pitch |
US10790802B2 (en) | 2018-06-15 | 2020-09-29 | Resonant Inc. | Transversely excited film bulk acoustic resonator using rotated Y-X cut lithium niobate |
US11929731B2 (en) | 2018-02-18 | 2024-03-12 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with optimized electrode mark, and pitch |
US11323096B2 (en) | 2018-06-15 | 2022-05-03 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with periodic etched holes |
KR20190138096A (ko) * | 2018-06-04 | 2019-12-12 | (주)와이솔 | 표면 탄성파 소자 |
US11901878B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-02-13 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonators with two-layer electrodes with a wider top layer |
US11146238B2 (en) | 2018-06-15 | 2021-10-12 | Resonant Inc. | Film bulk acoustic resonator fabrication method |
US11876498B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-01-16 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with multiple diaphragm thicknesses and fabrication method |
US11349452B2 (en) | 2018-06-15 | 2022-05-31 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic filters with symmetric layout |
US11996822B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-05-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Wide bandwidth time division duplex transceiver |
US10992284B2 (en) * | 2018-06-15 | 2021-04-27 | Resonant Inc. | Filter using transversely-excited film bulk acoustic resonators with multiple frequency setting layers |
US11329628B2 (en) | 2020-06-17 | 2022-05-10 | Resonant Inc. | Filter using lithium niobate and lithium tantalate transversely-excited film bulk acoustic resonators |
US11323091B2 (en) | 2018-06-15 | 2022-05-03 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with diaphragm support pedestals |
US11228296B2 (en) | 2018-06-15 | 2022-01-18 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with a cavity having a curved perimeter |
US11916539B2 (en) | 2020-02-28 | 2024-02-27 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Split-ladder band N77 filter using transversely-excited film bulk acoustic resonators |
US11264966B2 (en) | 2018-06-15 | 2022-03-01 | Resonant Inc. | Solidly-mounted transversely-excited film bulk acoustic resonator with diamond layers in Bragg reflector stack |
US11374549B2 (en) | 2018-06-15 | 2022-06-28 | Resonant Inc. | Filter using transversely-excited film bulk acoustic resonators with divided frequency-setting dielectric layers |
US10826462B2 (en) * | 2018-06-15 | 2020-11-03 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonators with molybdenum conductors |
US11728785B2 (en) | 2018-06-15 | 2023-08-15 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator using pre-formed cavities |
US11967945B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-04-23 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversly-excited film bulk acoustic resonators and filters |
US11171629B2 (en) | 2018-06-15 | 2021-11-09 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator using pre-formed cavities |
US11909381B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-02-20 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonators with two-layer electrodes having a narrower top layer |
US11349450B2 (en) | 2018-06-15 | 2022-05-31 | Resonant Inc. | Symmetric transversely-excited film bulk acoustic resonators with reduced spurious modes |
US11323095B2 (en) | 2018-06-15 | 2022-05-03 | Resonant Inc. | Rotation in XY plane to suppress spurious modes in XBAR devices |
US11888463B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-01-30 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Multi-port filter using transversely-excited film bulk acoustic resonators |
US11201601B2 (en) | 2018-06-15 | 2021-12-14 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with multiple diaphragm thicknesses and fabrication method |
US12009798B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-06-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonators with electrodes having irregular hexagon cross-sectional shapes |
US11949402B2 (en) | 2020-08-31 | 2024-04-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Resonators with different membrane thicknesses on the same die |
JP7178881B2 (ja) * | 2018-11-16 | 2022-11-28 | NDK SAW devices株式会社 | 弾性表面波素子 |
US11368137B2 (en) * | 2018-12-28 | 2022-06-21 | Skyworks Solutions, Inc. | Acoustic wave device with transverse mode suppression |
CN113519120B (zh) | 2019-03-13 | 2023-05-23 | 株式会社村田制作所 | 弹性波装置 |
US11901873B2 (en) | 2019-03-14 | 2024-02-13 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with partial BRAGG reflectors |
CN113615083A (zh) | 2019-03-14 | 2021-11-05 | 谐振公司 | 带有半λ介电层的横向激励的薄膜体声波谐振器 |
WO2020209359A1 (ja) * | 2019-04-12 | 2020-10-15 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
WO2020250572A1 (ja) * | 2019-06-14 | 2020-12-17 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
US11239817B2 (en) * | 2019-07-02 | 2022-02-01 | Skyworks Solutions, Inc. | Low loss temperature compensated surface acoustic wave filter and duplexer |
DE102019120942A1 (de) * | 2019-08-02 | 2021-02-04 | RF360 Europe GmbH | Elektroakustischer Resonator |
US11652466B2 (en) * | 2019-08-29 | 2023-05-16 | Skyworks Solutions, Inc. | Suppression of transverse mode spurious signals in surface acoustic wave devices utilizing a dense film above gap region of interdigital transducer electrodes |
US11444599B2 (en) * | 2019-08-29 | 2022-09-13 | Skyworks Solutions, Inc. | Suppression of spurious signals in surface acoustic wave devices |
US11811392B2 (en) * | 2019-10-23 | 2023-11-07 | Skyworks Solutions, Inc. | Surface acoustic wave resonator with suppressed transverse modes using selective dielectric removal |
US11804822B2 (en) * | 2019-10-23 | 2023-10-31 | Skyworks Solutions, Inc. | Surface acoustic wave resonator with reduced frequency shift |
US11870421B2 (en) * | 2019-10-23 | 2024-01-09 | Skyworks Solutions, Inc. | Surface acoustic wave resonator with suppressed transverse modes using second bus bar |
US11616491B2 (en) * | 2019-11-19 | 2023-03-28 | Skyworks Solutions, Inc. | Surface acoustic wave device |
FR3105894B1 (fr) | 2019-12-30 | 2023-11-03 | Frecnsys | Structure de transducteur pour résonateur à accès unique |
US20210273629A1 (en) | 2020-02-28 | 2021-09-02 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with multi-pitch interdigital transducer |
US11811391B2 (en) | 2020-05-04 | 2023-11-07 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with etched conductor patterns |
US11469733B2 (en) | 2020-05-06 | 2022-10-11 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonators with interdigital transducer configured to reduce diaphragm stress |
US11817845B2 (en) | 2020-07-09 | 2023-11-14 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method for making transversely-excited film bulk acoustic resonators with piezoelectric diaphragm supported by piezoelectric substrate |
US11264969B1 (en) | 2020-08-06 | 2022-03-01 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator comprising small cells |
US11671070B2 (en) | 2020-08-19 | 2023-06-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonators using multiple dielectric layer thicknesses to suppress spurious modes |
US11271539B1 (en) | 2020-08-19 | 2022-03-08 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with tether-supported diaphragm |
US11894835B2 (en) | 2020-09-21 | 2024-02-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Sandwiched XBAR for third harmonic operation |
US11476834B2 (en) | 2020-10-05 | 2022-10-18 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator matrix filters with switches in parallel with sub-filter shunt capacitors |
US11728784B2 (en) | 2020-10-05 | 2023-08-15 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator matrix filters with split die sub-filters |
US11929733B2 (en) | 2020-10-05 | 2024-03-12 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator matrix filters with input and output impedances matched to radio frequency front end elements |
US11405017B2 (en) | 2020-10-05 | 2022-08-02 | Resonant Inc. | Acoustic matrix filters and radios using acoustic matrix filters |
US11658639B2 (en) | 2020-10-05 | 2023-05-23 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator matrix filters with noncontiguous passband |
US12003226B2 (en) | 2020-11-11 | 2024-06-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with low thermal impedance |
US11496113B2 (en) | 2020-11-13 | 2022-11-08 | Resonant Inc. | XBAR devices with excess piezoelectric material removed |
US11405020B2 (en) * | 2020-11-26 | 2022-08-02 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonators with structures to reduce acoustic energy leakage |
CN112886938B (zh) * | 2020-12-23 | 2022-04-26 | 杭州左蓝微电子技术有限公司 | 可抑制横向模式的声表面波谐振器及其制造方法 |
US11239816B1 (en) | 2021-01-15 | 2022-02-01 | Resonant Inc. | Decoupled transversely-excited film bulk acoustic resonators |
US20220352867A1 (en) * | 2021-04-30 | 2022-11-03 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with oxide strip acoustic confinement structures |
CN113839648B (zh) * | 2021-09-14 | 2023-08-29 | 常州承芯半导体有限公司 | 声表面波谐振装置及形成方法、滤波装置及射频前端装置 |
CN113872556A (zh) * | 2021-09-27 | 2021-12-31 | 江苏卓胜微电子股份有限公司 | 一种声表面波谐振器和射频滤波器 |
WO2023110081A1 (en) * | 2021-12-15 | 2023-06-22 | Huawei Technologies Co., Ltd. | Surface acoustic wave resonator element and electronic apparatus comprising said surface acoustic wave resonator element |
WO2023204272A1 (ja) * | 2022-04-21 | 2023-10-26 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
US20230402989A1 (en) * | 2022-06-13 | 2023-12-14 | RF360 Europe GmbH | Surface-Acoustic-Wave (SAW) Filter with Dielectric Material Disposed in a Piezoelectric Layer |
CN115642895B (zh) * | 2022-11-10 | 2024-05-28 | 锐石创芯(重庆)科技有限公司 | 声表面波器件、滤波器及电子设备 |
Family Cites Families (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3201088B2 (ja) | 1993-08-20 | 2001-08-20 | 株式会社明電舎 | 弾性表面波共振子 |
JPH0897671A (ja) | 1994-09-27 | 1996-04-12 | Oki Electric Ind Co Ltd | 弾性表面波装置 |
JPH08148968A (ja) * | 1994-11-24 | 1996-06-07 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜圧電素子 |
JP3864665B2 (ja) * | 2000-03-15 | 2007-01-10 | セイコーエプソン株式会社 | Saw共振子 |
DE10154242A1 (de) | 2001-11-07 | 2003-05-22 | Ticona Gmbh | Kühlvorrichtung für elektrische Einrichtungen und Verwendung von Polymeren in Kühlkreisläufen |
JP2003198317A (ja) * | 2001-12-21 | 2003-07-11 | Fujitsu Media Device Kk | 弾性表面波共振子及び弾性表面波フィルタ |
WO2005034347A1 (ja) | 2003-10-03 | 2005-04-14 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 弾性表面波装置 |
JP4637600B2 (ja) * | 2005-02-07 | 2011-02-23 | 京セラ株式会社 | 弾性表面波素子および通信装置 |
US7453334B1 (en) * | 2005-03-21 | 2008-11-18 | Triquint Semiconductor, Inc. | Leaky SAW resonator and method |
KR100839788B1 (ko) | 2005-05-20 | 2008-06-19 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 탄성 경계파 장치 |
JP2007058582A (ja) | 2005-08-24 | 2007-03-08 | Fujitsu Ltd | 電子機器および基板アセンブリ |
JP2007110342A (ja) | 2005-10-12 | 2007-04-26 | Kyocera Corp | 弾性表面波素子及びその製造方法 |
EP2023485A4 (en) * | 2006-05-30 | 2010-02-03 | Murata Manufacturing Co | RAND SOUND WAVE DEVICE |
JP4670956B2 (ja) * | 2006-09-22 | 2011-04-13 | 株式会社村田製作所 | 縦結合共振子型弾性波フィルタ装置 |
JP4765885B2 (ja) | 2006-10-06 | 2011-09-07 | セイコーエプソン株式会社 | メディアスタッカ及びそれを備えたメディア処理装置 |
KR100963341B1 (ko) | 2006-12-27 | 2010-06-14 | 파나소닉 주식회사 | 탄성 표면파 공진기 및 그것을 이용한 탄성 표면파 필터 및안테나 공용기 |
WO2008146449A1 (ja) * | 2007-05-25 | 2008-12-04 | Panasonic Corporation | 弾性波素子 |
US7576471B1 (en) | 2007-09-28 | 2009-08-18 | Triquint Semiconductor, Inc. | SAW filter operable in a piston mode |
JP5115184B2 (ja) * | 2007-12-25 | 2013-01-09 | パナソニック株式会社 | 弾性境界波デバイス、及びそれを用いたフィルタ、アンテナ共用器 |
JP5156448B2 (ja) | 2008-03-24 | 2013-03-06 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波素子、フィルタ、通信モジュール、および通信装置 |
WO2010058544A1 (ja) * | 2008-11-18 | 2010-05-27 | 株式会社村田製作所 | チューナブルフィルタ |
WO2010137279A1 (ja) | 2009-05-27 | 2010-12-02 | パナソニック株式会社 | 弾性波共振器と、これを用いたアンテナ共用器 |
US7939989B2 (en) * | 2009-09-22 | 2011-05-10 | Triquint Semiconductor, Inc. | Piston mode acoustic wave device and method providing a high coupling factor |
DE102010005596B4 (de) | 2010-01-25 | 2015-11-05 | Epcos Ag | Elektroakustischer Wandler mit verringerten Verlusten durch transversale Emission und verbesserter Performance durch Unterdrückung transversaler Moden |
JP5422441B2 (ja) * | 2010-02-26 | 2014-02-19 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイス |
DE102010053674B4 (de) * | 2010-12-07 | 2017-08-24 | Snaptrack Inc. | Elektroakustischer Wandler |
US9065424B2 (en) * | 2011-03-25 | 2015-06-23 | Skyworks Panasonic Filter Solutions Japan Co., Ltd | Acoustic wave device with reduced higher order transverse modes |
JP2014187568A (ja) * | 2013-03-25 | 2014-10-02 | Panasonic Corp | 弾性波装置 |
-
2012
- 2012-03-05 US US13/992,624 patent/US9065424B2/en active Active
- 2012-03-05 WO PCT/JP2012/001495 patent/WO2012132238A1/en active Application Filing
- 2012-03-05 JP JP2013524280A patent/JP5697751B2/ja active Active
-
2015
- 2015-02-10 JP JP2015024143A patent/JP6019146B2/ja active Active
- 2015-05-11 US US14/708,762 patent/US9640750B2/en active Active
-
2016
- 2016-05-30 JP JP2016107009A patent/JP6188869B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6019146B2 (ja) | 2016-11-02 |
JP2015111923A (ja) | 2015-06-18 |
JP5697751B2 (ja) | 2015-04-08 |
US20150243873A1 (en) | 2015-08-27 |
JP2013544041A (ja) | 2013-12-09 |
US9640750B2 (en) | 2017-05-02 |
US9065424B2 (en) | 2015-06-23 |
WO2012132238A1 (en) | 2012-10-04 |
US20130249647A1 (en) | 2013-09-26 |
JP2016184951A (ja) | 2016-10-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6188869B2 (ja) | 高次横モード波を抑制した弾性波デバイス | |
CN109698681B (zh) | 弹性波装置 | |
JP6307021B2 (ja) | 弾性波デバイス | |
US9035725B2 (en) | Acoustic wave device | |
JP5012977B2 (ja) | 弾性表面波共振器並びにそれを用いた弾性表面波フィルタ及びアンテナ共用器 | |
JP5105026B2 (ja) | 弾性波共振子及びラダー型フィルタ | |
US9413330B2 (en) | Elastic wave resonator including a constant pitch region with a tapering width | |
JP6284800B2 (ja) | 弾性表面波デバイス及びフィルタ | |
JP5156478B2 (ja) | 弾性表面波デバイス | |
JPWO2007108269A1 (ja) | 弾性波共振子 | |
JP6777221B2 (ja) | 弾性波装置 | |
US20180212581A1 (en) | Elastic wave device and manufacturing method thereof | |
CN109417372A (zh) | 弹性波装置 | |
WO2017077892A1 (ja) | 弾性波装置 | |
WO2015137089A1 (ja) | 弾性波装置 | |
JP5115184B2 (ja) | 弾性境界波デバイス、及びそれを用いたフィルタ、アンテナ共用器 | |
JP6276354B2 (ja) | インタデジタルトランスデューサ | |
JP2007096527A (ja) | 弾性表面波デバイス | |
JP2011041082A (ja) | 一ポート型弾性波共振子及び弾性波フィルタ装置 | |
KR102107393B1 (ko) | 탄성파 장치 | |
WO2023048256A1 (ja) | 弾性波装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170530 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170704 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170801 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6188869 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |