CN112886938B - 可抑制横向模式的声表面波谐振器及其制造方法 - Google Patents
可抑制横向模式的声表面波谐振器及其制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112886938B CN112886938B CN202011536833.1A CN202011536833A CN112886938B CN 112886938 B CN112886938 B CN 112886938B CN 202011536833 A CN202011536833 A CN 202011536833A CN 112886938 B CN112886938 B CN 112886938B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- compensation layer
- temperature compensation
- layer
- manufacturing
- acoustic wave
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 32
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 title claims abstract description 32
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 25
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 claims abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 16
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 abstract description 3
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 4
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
本发明公开了可抑制横向模式的声表面波谐振器，包括压电基板以及位于所述压电基板表面上的叉指换能器，所述叉指换能器的中心区域和两侧汇流区域之间的至少部分区域分别覆盖有第一温度补偿层，所述叉指换能器在两侧的所述第一温度补偿层外侧的部分上以及两侧的所述第一温度补偿层之间覆盖有第二温度补偿层；所述第一温度补偿层的声速比第二温度补偿层低。本发明还公开了可抑制横向模式的声表面波谐振器的制作方法。
Description
技术领域
本发明属于声表面波技术领域，具体涉及一种可抑制横向模式的声表面波谐振器及其制造方法。
背景技术
SAW(surface acoustic wave)又称为声表面波，是在压电基片材料表面产生并传播，且振幅随着深入基片材料的深度增加而迅速减少的一种弹性波。SAW谐振器的基本结构是在具有压电特性的基片材料抛光面上制作的叉指换能器(Interdigital Transducer，IDT)。但发明人认为SAW相关技术中存在不足，声表面波谐振器中存在强烈的横向模式，反应在器件性能上，会使通带间出现剧烈的波动，对器件的性能造成不利影响。
发明内容
针对现有技术中所存在的不足，本发明提供了一种可抑制横向模式的声表面波谐振器及其制造方法。
可抑制横向模式的声表面波谐振器，包括压电基板以及位于所述压电基板表面上的叉指换能器，所述叉指换能器的中心区域和两侧汇流区域之间的至少部分区域分别覆盖有第一温度补偿层，所述叉指换能器在两侧的所述第一温度补偿层外侧的部分上以及两侧的所述第一温度补偿层之间覆盖有第二温度补偿层；所述第一温度补偿层的声速比第二温度补偿层低。
一种实施例中，所述第二温度补偿层包括声速不同的外侧补偿层和内侧补偿层，所述外侧补偿层位于所述第一温度补偿层外侧，所述内侧补偿层位于所述第一温度补偿层之间。
可抑制横向模式的声表面波谐振器的制造方法，包括：
提供压电基板，并在所述压电基板上制作叉指换能器；
在所述叉指换能器上设置第一覆盖层；
将所述第一覆盖层制作成第一温度补偿层，所述第一温度补偿层位于中心区域和两侧汇流区域之间；
在所述叉指换能器和第一温度补偿层上设置第二覆盖层；
制作第二温度补偿层；所述第二温度补偿层至少覆盖所述叉指换能器上未被所述第一温度补偿层覆盖的区域。
一种实施例中，所述制作第二温度补偿层，包括：
将所述第二覆盖层制作成外侧补偿层/内侧补偿层；
设置第三覆盖层；
将所述第三覆盖层制作成内侧补偿层/外侧补偿层；所述外侧补偿层和内侧补偿层的声速不同。
一种实施例中，所述第一温度补偿层位于边缘区域和/或间隙区域。
一种实施例中，所述第一温度补偿层的不高于所述第二温度补偿层。
一种实施例中，所述第一温度补偿层被所述第二温度补偿层覆盖。
一种实施例中，所述第一温度补偿层采用硼硅酸盐，所述第二温度补偿层采用SiO2或ZnO。
一种实施例中，所述外侧补偿层的声速高于所述内侧补偿层。
一种实施例中，所述外侧补偿层采用SiO2和ZnO中的其中一种，所述内侧补偿层采用SiO2和ZnO中与所述外侧补偿层不同的另一种。
相比于现有技术，本发明具有如下有益效果：
通过将设置在叉指换能器上的温度补偿层在不同区域采用不同声速的具有正温度系数的材料，在叉指换能器的中心区域和两侧汇流区域之间的至少部分区域覆盖声速较低的温度补偿层，在其他区域覆盖声速较高的温度补偿层，这样就可在不设置加重结构或piston结构的情况下抑制横向模式。本发明不但实现了对声速的调控，还一定程度上解决了piston工艺中复刻偏移以及电极间隙减小等技术问题，明显降低了对工艺的要求。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明中可抑制横向模式的声表面波谐振器一种实施例的结构示意图；
图2为图1中A-A剖面的示意图；
图3为本发明中可抑制横向模式的声表面波谐振器另一种实施例的结构示意图；
图4为图3中B-B剖面的示意图；
图5为本发明中可抑制横向模式的声表面波谐振器又一种实施例的结构示意图；
图6为本发明中可抑制横向模式的声表面波谐振器的制造方法的流程示意图；
图7为本发明中可抑制横向模式的声表面波谐振器的制造方法步骤1的结构示意图；
图8为本发明中可抑制横向模式的声表面波谐振器的制造方法步骤2的结构示意图；
图9为本发明中可抑制横向模式的声表面波谐振器的制造方法步骤3的结构示意图；
图10为本发明中可抑制横向模式的声表面波谐振器的制造方法步骤4的结构示意图；
图11为本发明中可抑制横向模式的声表面波谐振器一种实施方式的结构示意图。
其中，1、压电基板；2、叉指换能器；21、汇流排；22、电极；3、第一温度补偿层；4、第二温度补偿层；41、外侧补偿层；42、内侧补偿层。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本申请相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本申请的一些方面相一致的装置和方法的例子。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本申请使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本申请。在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。下面结合附图，对本申请示例性实施例进行详细说明。在不冲突的情况下，下述的实施例及实施方式中的特征可以相互补充或相互组合。
在本申请使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本申请。在本申请和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。在不冲突的情况下，下述的实施例及实施方式中的特征可以相互组合。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
发明人认为，相关技术中的抑制措施主要包括变迹技术和piston结构，早期主要采用变迹技术，即电极或假指长度不统一；后来发展出piston结构。所谓piston结构，是指在电极两端的部分区域进行加厚或加宽以减慢声速，配合与汇流条连接区域间(高声速区)，用以抑制横向模式。
然而在相关技术中采用的piston结构，如果采用加厚电极边缘部分，为避免复刻时的偏移，piston的宽度要小于电极宽度，制版和光刻工艺要求高；同样的，如果采用加宽电极边缘，则电极间隙减小，工艺要求需要提高。
第一方面，如图1-5所示，可抑制横向模式的声表面波谐振器，包括：
压电基板1以及位于所述压电基板1表面上的叉指换能器2，所述叉指换能器2的中心区域和两侧汇流区域之间的至少部分区域分别覆盖有第一温度补偿层3，所述叉指换能器2在两侧的所述第一温度补偿层3外侧的部分上以及两侧的所述第一温度补偿层3之间覆盖有第二温度补偿层4；所述第一温度补偿层3的声速比第二温度补偿层4低。
所述叉指换能器2通常包括相对设置的两个汇流排21以及沿x方向(即声传播方向)交替设置在所述两个汇流排21上的指状的电极22。所述叉指换能器在y方向上从中央到两侧可分为中心区域、边缘区域、间隙区域以及汇流区域。所述中心区域是声波主要通过的区域，所述边缘区域是叉指换能器靠近声孔径边缘的区域，所述间隙区域是指连接在一汇流排上的电极末端与相对另一汇流排之间的区域，所述汇流区域是叉指换能器的电极外侧的区域。所述中心区域和两侧汇流区域之间包括边缘区域和间隙区域，所述第一温度补偿层可设置在边缘区域或间隙区域，也可既在边缘区域也在间隙区域的至少一部分上设置。
所述第一、第二温度补偿层通过具有正温度系数的材料(如多晶硅或金属氧化物或别的具有正温度系数的材料)制成，以一定程度补偿压电基板以及电机导电材料的负温度系数。其中，为了抑制横向模式，所述第一温度补偿层采用声速较低的材料(如硼硅酸盐或其他横波速度较低的介质)，所述第二温度补偿层采用声速较高的材料(如SiO2或ZnO等)。在叉指换能器上，所述外侧是指朝向汇流区域的一侧。所述第一温度补偿层的高度可以与所述第二温度补偿层不同，也可以相同。作为一种实施方式，所述第一温度补偿层的高度不大于所述第二温度补偿层的高度；所述第一温度补偿层的高度小于所述第二温度补偿层的高度时，如图11所示，可包括所述第一温度补偿层被第二温度补偿层覆盖的情况。
本方案中的声表面波谐振器，通过将设置在叉指换能器上的温度补偿层在不同区域采用不同声速的具有正温度系数的材料，在叉指换能器的中心区域和两侧汇流区域之间的至少部分区域覆盖声速较低的温度补偿层，在其他区域覆盖声速较高的温度补偿层，这样就可在不专门设置加重结构或piston结构的情况下抑制横向模式。
本方案提出一种与现有技术不同的构思，不但同样实现了对声速的调控，还一定程度上解决了piston工艺中复刻偏移以及电极间隙减小等技术问题，明显降低了对工艺的要求。
列举一种实施例，如图1-2所示，可抑制横向模式的声表面波谐振器，包括：
压电基板1以及位于所述压电基板1表面上的叉指换能器2，所述叉指换能器2两侧的边缘区域分别覆盖有第一温度补偿层3，所述叉指换能器2在中心区域、汇流区域和间隙区域上覆盖有第二温度补偿层4；所述第一温度补偿层3的声速比第二温度补偿层4低。
作为进一步的实施方案，所述第二温度补偿层4包括声速不同的外侧补偿层41和内侧补偿层42(两者声速均高于第一温度补偿层3)，所述外侧补偿层41覆盖所述汇流区域和间隙区域，所述内侧补偿层42覆盖所述中心区域。
其中，通过将第二温度补偿层分为声速不同的外侧补偿层和内侧补偿层，可进一步提高抑制横向模式的效果。具体来说，可让外侧补偿层的声速高于内侧补偿层的声速。
列举另一种实施例，如图3-4所示，可抑制横向模式的声表面波谐振器，包括：
压电基板1以及位于所述压电基板1表面上的叉指换能器2，所述叉指换能器2两侧的间隙区域分别覆盖有第一温度补偿层3，所述叉指换能器2在第一温度补偿层3外侧以及中心区域和边缘区域覆盖有第二温度补偿层4；所述第一温度补偿层3的声速比第二温度补偿层4低。
作为进一步的实施方案，所述第二温度补偿层4包括声速不同的外侧补偿层41和内侧补偿层42，(两者声速均高于第一温度补偿层3)，所述外侧补偿层41覆盖第一温度补偿层3外侧的区域，所述内侧补偿层42覆盖所述中心区域和边缘区域。
其中，通过将第二温度补偿层分为声速不同的外侧补偿层和内侧补偿层，可进一步提高抑制横向模式的效果。具体来说，可让外侧补偿层的声速高于内侧补偿层的声速。
列举又一种实施例，如图5所示，可抑制横向模式的声表面波谐振器，包括：
压电基板1以及位于所述压电基板1表面上的叉指换能器2，所述叉指换能器2两侧的间隙区域及边缘区域的至少一部分上分别覆盖有第一温度补偿层3，所述叉指换能器2在第一温度补偿层3外侧(或汇流区域、间隙区域及边缘区域中未覆盖所述第一温度补偿层3的部分)以及中心区域覆盖有第二温度补偿层4；所述第一温度补偿层3的声速比第二温度补偿层4低。
作为进一步的实施方案，所述第二温度补偿层4包括声速不同的外侧补偿层41和内侧补偿层42，(两者声速均高于第一温度补偿层3)，所述外侧补偿层41用于覆盖所述汇流区域、间隙区域及边缘区域中未覆盖所述第一温度补偿层3的区域，所述内侧补偿层42覆盖所述中心区域。
其中，通过将第二温度补偿层分为声速不同的外侧补偿层和内侧补偿层，可进一步提高抑制横向模式的效果。具体来说，可让外侧补偿层的声速高于内侧补偿层的声速。
第二方面，如图6所示，可抑制横向模式的声表面波谐振器的制造方法，包括：
步骤1：如图7所示，提供压电基板，并在所述压电基板上制作叉指换能器；
步骤2：如图8所示，在所述叉指换能器上设置第一覆盖层；
其中，所述第一覆盖层可采用声速较低的正温度系数的材料，如硼硅酸盐或其他横波速度较低的介质。所述第一覆盖层可通过物理气相沉积的方式设置在叉指换能器上。
步骤3：如图9所示，将所述第一覆盖层制作成第一温度补偿层，所述第一温度补偿层位于中心区域和两侧汇流区域之间；
其中，可采用刻蚀的方式将第一覆盖层在所述叉指换能器中心区域和两侧汇流区域之间的部分区域的保留并除去其他部分，以形成第一温度补偿层。
步骤4：如图10所示，在所述叉指换能器和第一温度补偿层上设置第二覆盖层；
其中，所述第二覆盖层可采用声速较高的正温度系数的材料，如SiO2、ZnO或其他横波速度较高的材质。
步骤5：如图2或图11所示，制作第二温度补偿层，进行平坦化处理。所述第二温度补偿层至少覆盖所述叉指换能器上未被所述第一温度补偿层覆盖的区域。
其中，可直接将所述第二覆盖层制作成第二温度补偿层。所述第二温度补偿层包括外侧补偿层和内侧补偿层，此时外侧补偿层和内侧补偿层为相同材料。所述平坦化处理可采用CMP(化学机械抛光)工艺。
本方面的制造方法，第一温度补偿层和第二温度补偿层的制作顺序可视情况而定。比如既可如本实施方式中所述的先制作第一温度补偿层，再制作第二温度补偿层；也可以先制作第二温度补偿层，再制作第一温度补偿层。
在一种实施方案中，步骤5中的所述制作第二温度补偿层，包括：
将所述第二覆盖层制作成外侧补偿层和内侧补偿层中之一；
设置第三覆盖层；
将所述第三覆盖层制作成与所述第二覆盖层不同的内侧补偿层或外侧补偿层中的另一个；所述外侧补偿层和内侧补偿层的声速不同。
其中，所述外侧补偿层位于所述第一温度补偿层外侧，所述内侧补偿层位于两侧的所述第一温度补偿层之间。如果要进一步让外侧补偿层和内侧补偿层采用不同的材料，还可将所述第二覆盖层制作成外侧补偿层(或内侧补偿层)，然后在之上覆盖第三覆盖层，再将所述第三覆盖层制作成内侧补偿层(或外侧补偿层)。作为一种实施例，所述外侧补偿层的声速可大于所述内侧补偿层的声速。
以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (9)
1.可抑制横向模式的声表面波谐振器，包括压电基板以及位于所述压电基板表面上的叉指换能器，其特征在于：所述叉指换能器的中心区域和两侧汇流区域之间的至少部分区域分别覆盖有第一温度补偿层，所述叉指换能器在两侧的所述第一温度补偿层外侧的部分上以及两侧的所述第一温度补偿层之间覆盖有第二温度补偿层；第一、第二温度补偿层通过不同声速的具有正温度系数的材料制成，所述第一温度补偿层的声速比第二温度补偿层低，所述第一温度补偿层的高度不高于所述第二温度补偿层的高度。
2.如权利要求1所述的可抑制横向模式的声表面波谐振器，其特征在于：
所述第二温度补偿层包括声速不同的外侧补偿层和内侧补偿层，所述外侧补偿层位于所述第一温度补偿层外侧，所述内侧补偿层位于所述第一温度补偿层之间。
3.可抑制横向模式的声表面波谐振器的制造方法，其特征在于，包括：
提供压电基板，并在所述压电基板上制作叉指换能器；
在所述叉指换能器上设置第一覆盖层；
将所述第一覆盖层制作成第一温度补偿层，所述第一温度补偿层位于中心区域和两侧汇流区域之间；
在所述叉指换能器和第一温度补偿层上设置第二覆盖层；
制作第二温度补偿层；所述第二温度补偿层至少覆盖所述叉指换能器上未被所述第一温度补偿层覆盖的区域；
其中，第一、第二温度补偿层通过不同声速的具有正温度系数的材料制成，所述第一温度补偿层的声速比第二温度补偿层低，所述第一温度补偿层的高度不高于所述第二温度补偿层的高度。
4.根据权利要求3所述的可抑制横向模式的声表面波谐振器的制造方法，其特征在于：
所述制作第二温度补偿层，包括：
将所述第二覆盖层制作成外侧补偿层/内侧补偿层；
设置第三覆盖层；
将所述第三覆盖层制作成内侧补偿层/外侧补偿层；所述外侧补偿层和内侧补偿层的声速不同。
5.如权利要求3或4所述的可抑制横向模式的声表面波谐振器的制造方法，其特征在于：
所述第一温度补偿层位于边缘区域和/或间隙区域。
6.如权利要求5所述的可抑制横向模式的声表面波谐振器的制造方法，其特征在于：
所述第一温度补偿层被所述第二温度补偿层覆盖。
7.如权利要求3所述的可抑制横向模式的声表面波谐振器的制造方法，其特征在于：
所述第一温度补偿层采用硼硅酸盐，所述第二温度补偿层采用
或ZnO。
8.如权利要求4所述的可抑制横向模式的声表面波谐振器的制造方法，其特征在于：
所述外侧补偿层的声速高于所述内侧补偿层。
9.如权利要求4所述的可抑制横向模式的声表面波谐振器的制造方法，其特征在于：
所述外侧补偿层采用
和ZnO中的其中一种，所述内侧补偿层采用和ZnO中与所述外侧补偿层不同的另一种。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011536833.1A CN112886938B (zh) | 2020-12-23 | 2020-12-23 | 可抑制横向模式的声表面波谐振器及其制造方法 |
| PCT/CN2020/142444 WO2022134195A1 (zh) | 2020-12-23 | 2020-12-31 | 声表面波谐振器及其制造方法 |
| US18/258,247 US20240039508A1 (en) | 2020-12-23 | 2020-12-31 | Surface Acoustic Wave Resonator and Manufacturing Method Therefor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011536833.1A CN112886938B (zh) | 2020-12-23 | 2020-12-23 | 可抑制横向模式的声表面波谐振器及其制造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN112886938A CN112886938A (zh) | 2021-06-01 |
| CN112886938B true CN112886938B (zh) | 2022-04-26 |
Family
ID=76043463
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202011536833.1A Active CN112886938B (zh) | 2020-12-23 | 2020-12-23 | 可抑制横向模式的声表面波谐振器及其制造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN112886938B (zh) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113922782A (zh) * | 2021-10-19 | 2022-01-11 | 江苏卓胜微电子股份有限公司 | 一种温度补偿声表面波器件制备方法及器件 |
| CN114519215B (zh) * | 2022-04-19 | 2022-09-06 | 杭州左蓝微电子技术有限公司 | 适用于压电谐振器的数据处理方法及装置 |
| CN114884480B (zh) * | 2022-07-11 | 2022-10-25 | 常州承芯半导体有限公司 | 声表面波谐振装置的形成方法 |
| CN115296642B (zh) | 2022-10-08 | 2023-03-24 | 深圳新声半导体有限公司 | 声表面波谐振器结构及其形成方法、滤波器 |
| CN116208119B (zh) * | 2023-04-19 | 2023-07-14 | 深圳新声半导体有限公司 | 声表面波装置及其制造方法 |
| CN116865707A (zh) * | 2023-08-23 | 2023-10-10 | 浙江星曜半导体有限公司 | 一种温补型声表面波谐振器及制作方法 |
| CN117013980B (zh) * | 2023-09-28 | 2023-12-19 | 苏州声芯电子科技有限公司 | 一种横模抑制的声表面波装置及其成型方法 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5936393B2 (ja) * | 2011-03-07 | 2016-06-22 | トライクイント・セミコンダクター・インコーポレイテッドＴｒｉＱｕｉｎｔ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ，Ｉｎｃ． | トリミング効果とピストンモードでの不安定性を最小化する音響波導波装置および方法 |
| US9065424B2 (en) * | 2011-03-25 | 2015-06-23 | Skyworks Panasonic Filter Solutions Japan Co., Ltd | Acoustic wave device with reduced higher order transverse modes |
| CN110178307B (zh) * | 2017-01-17 | 2023-02-28 | 株式会社村田制作所 | 弹性波装置、高频前端电路以及通信装置 |
| CN107733393B (zh) * | 2017-11-22 | 2021-04-23 | 中国科学院微电子研究所 | 一种声子晶体声表面波滤波器及制作方法 |
| CN111919384B (zh) * | 2018-04-03 | 2024-01-30 | 株式会社村田制作所 | 弹性波装置 |
| US11368137B2 (en) * | 2018-12-28 | 2022-06-21 | Skyworks Solutions, Inc. | Acoustic wave device with transverse mode suppression |
| CN110572137A (zh) * | 2019-10-08 | 2019-12-13 | 开元通信技术（厦门）有限公司 | 一种声波器件及滤波装置 |
| CN111200417B (zh) * | 2020-02-17 | 2023-03-28 | 无锡市好达电子股份有限公司 | 一种具有横模抑制功能的声表面波换能器及其制备方法 |
-
2020
- 2020-12-23 CN CN202011536833.1A patent/CN112886938B/zh active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN112886938A (zh) | 2021-06-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN112886938B (zh) | 可抑制横向模式的声表面波谐振器及其制造方法 | |
| US20240039508A1 (en) | Surface Acoustic Wave Resonator and Manufacturing Method Therefor | |
| CN112886941B (zh) | 声表面波谐振器及其制造方法 | |
| KR102642910B1 (ko) | 음향 공진기 및 그 제조 방법 | |
| JP3944161B2 (ja) | 薄膜バルク波音響共振器及び薄膜バルク波音響共振器の製造方法 | |
| CN113328723B (zh) | 一种弹性波谐振器及其制备方法 | |
| CN112491379B (zh) | 一种具有声子晶体反射器的声表面波谐振器 | |
| CN110995196B (zh) | 谐振器的制备方法和谐振器 | |
| WO2023202597A1 (zh) | 一种声表面波谐振器 | |
| CN111200417A (zh) | 一种具有横模抑制功能的声表面波换能器及其制备方法 | |
| JP5141763B2 (ja) | 弾性境界波装置 | |
| CN110572137A (zh) | 一种声波器件及滤波装置 | |
| WO2021102640A1 (zh) | 声波器件及其制作方法 | |
| CN1610254A (zh) | 压电薄膜谐振器以及使用其的滤波器 | |
| JP2003017974A (ja) | 幅方向波動を抑制する薄膜共振器 | |
| CN103329436A (zh) | 弹性表面波装置 | |
| CN116865707A (zh) | 一种温补型声表面波谐振器及制作方法 | |
| CN117155332B (zh) | 一种横向激励体声波谐振器及滤波器 | |
| JP5115184B2 (ja) | 弾性境界波デバイス、及びそれを用いたフィルタ、アンテナ共用器 | |
| US20130320805A1 (en) | Electroacoustic transducer with reduced losses due to transverse emission and improved performance due to suppression of transverse modes | |
| JP5321678B2 (ja) | 弾性表面波装置 | |
| CN210405246U (zh) | 一种声波器件及滤波装置 | |
| WO2024192791A1 (zh) | 温度补偿声表面换能器及制造方法 | |
| CN109714017B (zh) | 一种抑制横向声波损耗的薄膜体声波谐振器及其制作方法 | |
| CN116505906A (zh) | 声表面波谐振器 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CP03 | Change of name, title or address |
Address after: 213004 7th Floor, Building 3, No. 5 Chuangzhi Road, Tianning District, Changzhou City, Jiangsu Province Patentee after: Zuolanwei (Jiangsu) Electronic Technology Co.,Ltd. Country or region after: China Address before: Room 1420, Guotou building, 398 Shaoxing Road, Xiacheng District, Hangzhou, Zhejiang 310000 Patentee before: HANGZHOU SAPPLAND MICROELECTRONICS TECHNOLOGY Co.,Ltd. Country or region before: China |
|
| CP03 | Change of name, title or address |