CN117013980B - 一种横模抑制的声表面波装置及其成型方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种横模抑制的声表面波装置及其成型方法，属于声表面波滤波器技术领域，声表面波装置包括压电基板、叉指换能器和反射栅，叉指换能器包括第一汇流条和第二汇流条；压电基板的一侧设置有横模抑制金属层，横模抑制金属层包括第一横模抑制金属条和第二横模抑制金属条，第一横模抑制金属条和第二横模抑制金属条的表面覆盖有非金属介质层，第一横模抑制金属条横跨第一叉指电极和第二叉指电极且与第一叉指电极的端部对应，第二横模抑制金属条横跨第一叉指电极和第二叉指电极且与第二叉指电极的端部对应。该成型方法用于成型上述的声表面波装置，该声表面波装置不但可以有效的抑制横模，而且可以减低成型工艺难度。
Description
技术领域
本发明涉及声表面波技术领域，尤其涉及一种横模抑制的声表面波装置及其成型方法。
背景技术
随着移动通信技术的快速发展，声表面波装置（Surface Acoustic Wave,SAW）由于其尺寸小，性能好等特点，在射频前端中占有越来越重要的地位。而由于声表面波装置的结构限制，叉指电极在采用叠层结构的声表面波装置中不可避免会激发出高阶的横向杂波，反应到导纳曲线可以发现，谐振频率往高频方向会出现很多尖刺，导致滤波器的性能恶化。
而目前的横模抑制手段是改变叉指电极的末端区域的声速，从而抑制横向杂波，例如发明专利公布号CN116683885A公开了一种具有活塞模式的声表面波装置，该发明申请文件中公开了在电极指的端部设置了电极指增重部，从而改变声速以达到横模抑制的作用。然而对于一些高频滤波器，周期很小，叉指指条和间隙也相应很窄，而由于增加了电极指增重部，使得精度的要求非常高，这对成型的工艺要求非常苛刻，对光刻机的分辨率要求也非常高，而一旦工艺精度不满足，就容易造成增重部的偏差，影响产品性能，甚至造成短路的情况。
另外，目前的声表面波装置，叉指电极直接设置在压电基体上，以方便形成压电效应，而压电基体的导热系数并不高，因此，大功率的环境下，叉指电极产生的热量难以快速释放，滤波器可能出现积热的情况，从而导致滤波器容易出现烧毁。
发明内容
本发明所要解决的第一个技术问题是：提供一种横模抑制的声表面波装置，该声表面波装置不但可以有效的抑制横模，而且可以减低成型工艺难度。
本发明所要解决的第二个技术问题是：提供一种横模抑制的声表面波装置的成型方法，该成型方法可以成型上述的滤波器，成型工艺更简单。
为解决上述技术问题，本发明的技术方案是：一种横模抑制的声表面波装置，包括压电基板、叉指换能器和反射栅，所述叉指换能器包括第一汇流条和第二汇流条；第一汇流条和第二汇流条之间交替间隔设置有多个第一叉指电极和多个第二叉指电极；所述第一叉指电极自第一汇流条引出并向第二汇流条延伸，所述第二叉指电极自第二汇流条引出并向第一汇流条延伸，所述压电基板的一侧设置有横模抑制金属层，所述横模抑制金属层包括纵向延伸的第一横模抑制金属条和第二横模抑制金属条，所述第一横模抑制金属条和第二横模抑制金属条的表面覆盖有非金属介质层，所述叉指换能器和反射栅设置于非金属介质层的表面，所述第一横模抑制金属条横跨所述第一叉指电极和第二叉指电极且与第一叉指电极的端部位置对应，所述第二横模抑制金属条横跨所述第一叉指电极和第二叉指电极且与第二叉指电极的端部位置对应。
作为一种优选的方案，所述非金属介质层的导热系数高于压电基板的导热系数。
作为一种优选的方案，所述第一横模抑制金属条和第二横模抑制金属条设置于所述压电基板的一侧表面上；或者所述压电基板的一侧面设置有容纳所述第一横模抑制金属条和第二横模抑制金属条的容纳槽，所述第一横模抑制金属条和第二横模抑制金属条设置于所述容纳槽内。
作为一种优选的方案，所述非金属介质层包括间隔的第一覆盖区域和第二覆盖区域，所述第一覆盖区域覆盖所述第一横模抑制金属条，所述第二覆盖区域覆盖所述第二横模抑制金属条，所述第一叉指电极和第二叉指电极在非金属介质层以外的区域与压电基板接触。
作为一种优选的方案，所述第一横模抑制金属条与第二横模抑制金属条相邻的一侧为第一临近侧面，所述第二横模抑制金属条与第一横模抑制金属条的相邻的一侧为第二临近侧面，所述第一临近侧面和/或第二临近侧面包括至少一个方便横向杂波导向侧面的导出斜面段，该导出斜面段与纵向方向线成一夹角。
作为一种优选的方案，所述第一横模抑制金属条和第二横模抑制金属条上分别设置有若干个第一分隔间隙和第二分隔间隙，所述第一分隔间隙将第一横模抑制金属条分隔成若干个间隔的第一横模抑制金属条单体，所述第二分隔间隙将第二横模抑制金属条分隔成若干个间隔的第二横模抑制金属条单体，各第一横模抑制金属条单体一一对应位于第一叉指电极和第二叉指电极的下方，各第二横模抑制金属条单体一一对应位于第一叉指电极和第二叉指电极的下方。
作为一种优选的方案，所述横模抑制金属层还包括至少一条第一辅助抑制金属条和至少一条第二辅助抑制金属条，所述第一辅助抑制金属条位于第一横模抑制金属条和第二汇流条之间，所述第二辅助抑制金属条位于第二横模抑制金属条和第一汇流条之间。
作为一种优选的方案，所述第一横模抑制金属条和第二横模抑制金属条的两端延伸至两侧的反射栅的下方，所述叉指换能器和反射栅的表面设置有钝化层或者温度补偿层。
采用了上述技术方案后，本发明的效果是：由于所述压电基板的一侧设置有横模抑制金属层，所述横模抑制金属层包括纵向延伸的第一横模抑制金属条和第二横模抑制金属条，所述第一横模抑制金属条和第二横模抑制金属条的表面覆盖有非金属介质层，所述叉指换能器和反射栅设置于非金属介质层的表面，所述第一横模抑制金属条横跨所述第一叉指电极和第二叉指电极且与第一叉指电极的端部位置对应，所述第二横模抑制金属条横跨所述第一叉指电极和第二叉指电极且与第二叉指电极的端部位置对应，因此，该滤波器的第一横模抑制金属条和第二横模抑制金属条是设置在压电基板的一侧，然后利用非金属介质层进行覆盖隔离，首先第一横模抑制金属条和第二横模抑制金属条的制作时可以直接在作为压电基板的晶圆上直接成型即可，成型精度要求比较低；而由于有非金属介质层的阻隔，也方便叉指换能器和反射栅的成型，第一叉指电极和第二叉指电极的端部没有体积更大的电极指增重部，因此叉指换能器和反射栅之间的间隙正常，这样极大降低了光刻分辨率要求，也不用考虑横向的偏差以及叉指换能器、反射栅短路的问题。
又由于所述非金属介质层的导热系数高于压电基板的导热系数，由于滤波器的叉指换能器各部位产生的热量并不相同，因此就会有温度更高的积热区域，而目前常规的滤波器的叉指换能器的热量直接传导到压电基板，但是压电基板的热传导效率比较低，导致局部积热严重，最终滤波器的功率耐受性比较低，而本发明中非金属介质层的导热效果就比压电基板的导热效果更好，这样可以将滤波器的积热区域的热量更好更快速的传导和分散到其他温度相对低点的区域，最终解决了局部积热严重的问题，极大的提高了滤波器的功率耐受性能。
又由于所述第一横模抑制金属条和第二横模抑制金属条设置于所述压电基板的一侧表面上；或者所述压电基板的一侧面设置有容纳所述第一横模抑制金属条和第二横模抑制金属条的容纳槽，所述第一横模抑制金属条和第二横模抑制金属条设置于所述容纳槽内，当所述第一横模抑制金属条和第二横模抑制金属条设置于所述容纳槽内时，这样在保证第一横模抑制金属条和第二横模抑制金属条有足够厚度的情况，使第一横模抑制金属条和第二横模抑制金属条上表面尽可能的与压电基板平齐或者略高于压电基板的表面，这样就非金属介质层的厚度就可以做得比较薄，从而缩小了叉指换能器与压电基板之间的间距，这样就可以减少非金属介质层对压电效应的负面影响，保证滤波器的性能正常和稳定。
又由于所述非金属介质层包括间隔的第一覆盖区域和第二覆盖区域，所述第一覆盖区域覆盖所述第一横模抑制金属条，所述第二覆盖区域覆盖所述第二横模抑制金属条，所述第一叉指电极和第二叉指电极在非金属介质层以外的区域与压电基板接触，因此，第一叉指电极和第二叉指电极在非金属介质层以外的区域与压电基板接触，最大限度的保证了第一叉指电极和第二叉指电极和压电基板的接触面积，从而保证两者的接触面的压电效应，减小了滤波器性能的改变。
又由于所述第一横模抑制金属条与第二横模抑制金属条相邻的一侧为第一临近侧面，所述第二横模抑制金属条与第一横模抑制金属条的相邻的一侧为第二临近侧面，所述第一临近侧面和/或第二临近侧面包括至少一个方便横向杂波导向侧面的导出斜面段，该导出斜面段与纵向方向线成一夹角，因此通过该导出斜面段可以使不同的第一叉指电极和第二叉指电极的横向传播的声速场不同，从而将横向横模能量纵向引导向两侧，横模抑制的效果更好。
为解决上述第二个技术问题，本发明的技术方案为：一种横模抑制的声表面波装置的成型方法，该成型方法用于成型上述的声表面波装置，包括以下步骤：
S1、提供一个压电基板，利用光刻镀膜工艺在压电基板上制作所述的横模抑制金属层；
S2、在横模抑制金属层上沉积非金属介质层，该非金属介质层覆盖所述横模抑制金属层；
S3、利用套刻工艺在非金属介质层上成型叉指换能器和反射栅。
其中优选的，所述步骤S1中，先在压电基板的一侧按照横模抑制金属层的形状刻蚀出容纳槽，再在容纳槽内成型出所述横模抑制金属层。
采用了上述技术方案后，本发明的效果是：利用该成型方法可以更好的成型上述的声表面波装置，工艺更简单，光刻分辨率要求更低，产品的良品率也更高。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。
图1是本发明实施例一的结构示意图；
图2是图1中A-A处的剖视图；
图3是实施例一采用单层压电基板时的剖视图；
图4是本发明实施例二的结构示意图；
图5是图4中B-B处的剖视图；
图6是本发明实施例一的导纳曲线图；
图7是本发明实施例一的电导曲线图；
图8是本发明实施例三的结构示意图；
图9是图8中C-C处的剖视图；
图10是本发明实施例四的结构示意图；
图11是本发明实施例五的结构示意图；
图12是本发明实施例六的结构示意图；
附图中：1、叉指换能器；11、第一汇流条；12、第二汇流条；13、第一叉指电极；14、第二叉指电极；15、第一假指；16、第二假指；2、反射栅；3、第一横模抑制金属条；31、导出斜面段；32、第一横模抑制金属条单体；4、第二横模抑制金属条；41、第二横模抑制金属条单体；5、压电基板；6、非金属介质层；61、第一覆盖区域；62、第二覆盖区域；7、钝化层；8、温度补偿层； 9、第一辅助抑制金属条；10、第二辅助抑制金属条。
具体实施方式
下面通过具体实施例对本发明作进一步的详细描述。
实施例一
如图1至图3所示，一种横模抑制的声表面波装置，包括压电基板5、叉指换能器1和反射栅2，其中声表面波装置可以是单独的谐振器或者是声表面波滤波器，其中压电基板5可包括压电晶体、压电陶瓷等合适的压电材料。例如压电基板5的材料可为氮化铝（AlN）、经掺杂的氮化铝、氧化锌（ZnO）、锆钛酸铅（PZT）、铌酸锂、（LiNbO3）、石英（Quartz）、铌酸钾（KNbO3）、钽酸锂（LiTaO3）、其类似物或其组合。而压电基板5可为单层结构或多层结构，如图3所示，图3中的压电基板5就是单层结构，而图2中的压电基板5为多层基底，例如可以为POI基板，也可以为是压电薄膜、二氧化硅和硅衬底的复合结构。
所述叉指换能器1包括第一汇流条11和第二汇流条12；第一汇流条11和第二汇流条12之间交替间隔设置有多个第一叉指电极13和多个第二叉指电极14；所述第一叉指电极13自第一汇流条11引出并向第二汇流条12延伸，所述第二叉指电极14自第二汇流条12引出并向第一汇流条11延伸。本领域技术人员一般定义第一汇流条11和第二汇流条12延伸的方向为纵向，该纵向也是第一叉指电极13、第二叉指电极14排列的方向，而第一叉指电极13延伸的方向则为横向。第一叉指电极13和第二叉指电极14为金属材料，叉指换能器1的材料包括金属或金属合金，例如包括金、银、钨、钛、铂、铝、铜、钼、或者各成分的组合。
其中，如图1所示，本实施例中的第一叉指电极13和第二叉指电极14均为真指，本实施例中叉指换能器1还包括第一假指15和第二假指16，第一假指15和第一叉指电极13相互交错且等间距设置，第二叉指电极14和第二假指16相互交错且等间距设置，第一假指15与第二叉指电极14位置对应，第二假指16与第一叉指电极13位置对应。当然，叉指换能器1也可以不包含假指。
所述压电基板5的一侧设置有横模抑制金属层，所述横模抑制金属层包括纵向延伸的第一横模抑制金属条3和第二横模抑制金属条4，本实施例中的，所述第一横模抑制金属条3和第二横模抑制金属条4设置于所述压电基板5的一侧表面上；其中，如图2所示，本实施例中的第一横模抑制金属条3和第二横模抑制金属条4的材料可以是钛、铜、铝、金、银、铂等金属的合金或者复合结构。其中第一横模抑制金属条3和第二横模抑制金属条4在横向宽度上为0.2-3 倍的叉指波长，厚度为0.5-100nm。
所述第一横模抑制金属条3和第二横模抑制金属条4的表面覆盖有非金属介质层6，其中，本实施例中优选的，所述非金属介质层6的导热系数高于压电基板5的导热系数。非金属介质层6选用导热系数好的氮化铝、氧化铝、氮化镓、砷化镓、碳化硅。而非金属介质层6的厚度为0.5-100nm，而一般，本实施例中，非金属介质层6的厚度要大于横模抑制金属层的厚度，以保证完全覆盖。
所述叉指换能器1和反射栅2设置于非金属介质层6的表面，所述第一横模抑制金属条3横跨所述第一叉指电极13和第二叉指电极14且与第一叉指电极13的端部位置对应，所述第二横模抑制金属条4横跨所述第一叉指电极13和第二叉指电极14且与第二叉指电极14的端部位置对应。而本实施中，第一横模抑制金属条3和第二横模抑制金属条4直接延伸反射栅2的侧面。
另外本实施例公开了一种实现上述的滤波器的成型方法，其包括以下步骤：
S1、提供一个压电基板5，一般在成型时，该压电基板5为晶圆，利用光刻镀膜工艺在压电基板5上制作所述的横模抑制金属层；而光刻镀膜工艺是目前半导体的常规工艺，利用该工艺可以在压电基板5上形成指定图形的金属。
S2、在横模抑制金属层上沉积非金属介质层6，该非金属介质层6覆盖所述横模抑制金属层，而沉积的方法可以通过PVD、PECVD、ALD等方式实现；
S3、利用套刻工艺在非金属介质层6上成型叉指换能器1和反射栅2。
而本实施例中，如图2所示，在叉指换能器1和反射栅2的上方覆盖有钝化层7，如图3所示，在叉指换能器1和反射栅2的上方覆盖了温度补偿层8，温度补偿层8可以优选二氧化硅。该温度补偿层8或钝化层7也可以通过PVD、PECVD、ALD等方式沉积，其层数可以为一层或者多层，介质材料通常是二氧化硅，氮化硅或者其他类似特性的非金属介质，厚度为0.001-1倍叉指波长。
如图6和图7所示，从附图中可以明确发现，本实施例中的导纳曲线和电导曲线的平滑程度明显优于目前现有的无横模抑制结构的声表面波滤波器，并且本实施例中的滤波器的由于非金属介质层6的导热系数高于压电基板5的导热系数，因此经过测试发现，当不使用导热系数高于压电基板5的方案时，滤波器在34.2dBm损毁，而本实施例使用5nm的氧化铝材质的非金属介质层6以后在 36.6dBm损毁，因此，功率耐受性有一定提高。
实施例二
如图4和图5所示，本实施例中的方案与实施例一基本相同，只是本发明方案中，非金属介质层6并不是直接设置在压电基板5的表面，所述压电基板的一侧面设置有容纳所述第一横模抑制金属条3和第二横模抑制金属条4的容纳槽，所述第一横模抑制金属条3和第二横模抑制金属条4设置于所述容纳槽内。而其中优选的，第一横模抑制金属条3和第二横模抑制金属条4的上表面与压电基板5的上表面平齐。这样可以更好的方便非金属介质层6的成型，并且非金属介质层6的厚度可以比较薄，这样压电基板5与叉指换能器1之间的间距就非常小，因此，两者之间的压电效应也比较好，从而减少非金属介质层6对滤波器性能带来的影响。
而实现本实施例中的方法与实施例一也基本相同，只是在所述步骤S1中，先在压电基板5的一侧按照横模抑制金属层的形状刻蚀出容纳槽，再在容纳槽内成型出所述横模抑制金属层。
实施例三
如图8和图9所示，本实施例的方案与实施例2的方案类似，为了进一步保证压电基板5与叉指换能器1之间的压电效应，本实施例中，所述非金属介质层6包括间隔的第一覆盖区域61和第二覆盖区域62，所述第一覆盖区域61覆盖所述第一横模抑制金属条3，所述第二覆盖区域62覆盖所述第二横模抑制金属条4，所述第一叉指电极13和第二叉指电极14在非金属介质层6以外的区域与压电基板5接触。这样，既可以保证第一叉指电极13和第二叉指电极14与压电基板5接触面积，又能避免第一叉指电极13和第二叉指电极14之间的短路问题。
而至于实现本实施例的成型方法中，其中之一是在步骤S2沉积完非金属介质层后，在横模抑制金属区域设置遮挡的保护胶，然后通过刻蚀去除未保护区域的非金属介质层6，再移除保护胶，最终就可以形成间隔的第一覆盖区域61和第二覆盖区域62。
实施例四
如图10所示，本实施例的结构与实施例1的结构相似，只是对第一横模抑制金属条3与第二横模抑制金属条4的形状进行了优化，本实施例中，所述第一横模抑制金属条3与第二横模抑制金属条4相邻的一侧为第一临近侧面，所述第二横模抑制金属条4与第一横模抑制金属条3的相邻的一侧为第二临近侧面，所述第一临近侧面和/或第二临近侧面包括至少一个方便横向杂波导向侧面的导出斜面段31，该导出斜面段31与纵向方向线成一夹角。而本实施例中导出斜面段31位两段形成的尖状。当然，该导出斜面段31还可以有多种变形结构，例如，该导出斜面段31可以为梯形腰。而由于导出斜面段31的存在，使得每根第一叉指电极13和第二叉指电极14的声场不同，有利于将横向杂波传导至两侧，进一步抑制横模。
实施例五
如图11所示，本实施例的结构与实施例1的结构基本相同，只是，所述第一横模抑制金属条3和第二横模抑制金属条4上分别设置有若干个第一分隔间隙和第二分隔间隙，所述第一分隔间隙将第一横模抑制金属条3分隔成若干个间隔的第一横模抑制金属条单体32，所述第二分隔间隙将第二横模抑制金属条4分隔成若干个间隔的第二横模抑制金属条单体41，各第一横模抑制金属条单体32一一对应位于第一叉指电极13和第二叉指电极14的下方，各第二横模抑制金属条单体41一一对应位于第一叉指电极13和第二叉指电极14的下方，其中，第一横模抑制金属条单体32和第二横模抑制金属条单体41并非需要完全处于第一叉指电极13和第二叉指电极14的正下方，例如，第一横模抑制金属条单体32和第二横模抑制金属条单体41可以与第一叉指电极13和第二叉指电极14部分重叠。
而图11中的所述第一横模抑制金属条单体32和第二横模抑制金属条单体41为矩形结构，所述第一横模抑制金属条单体32的横向长度为0.2λ~3λ，第二横模抑制金属条单体41的横向长度为0.2λ~3λ，所述第一横模抑制金属条单体32和第二横模抑制金属条单体41的纵向长度大于或者等于第一叉指电极13或第二叉指电极14的宽度，一般优选纵向长度大于第一叉指电极13或第二叉指电极14的宽度，这样对精度的要求更低。当然，由第一分隔间隙和第二分隔间隙分隔而成的第一横模抑制金属条单体32的和第二横模抑制金属条单体41的形状也可以是其他形状，例如多边形，甚至于可以采用不同形状的组合，例如第一横模抑制金属条单体32为多边形，第二横模抑制金属条单体41为矩形。
实施例六
如图12所示，本实施例中在实施例一的基础上进行了变形，其中，所述横模抑制金属层还包括至少一条第一辅助抑制金属条9和至少一条第二辅助抑制金属条10，所述第一辅助抑制金属条9位于第一横模抑制金属条3和第二汇流条12之间，所述第二辅助抑制金属条10位于第二横模抑制金属条4和第一汇流条11之间。而第一辅助抑制金属条9和第二辅助抑制金属条10的数量可以多条且相互平行，这样也形成了栅格状，可以进一步抑制横向杂波的传播。
以上所述实施例仅是对本发明的优选实施方式的描述，不作为对本发明范围的限定，在不脱离本发明设计精神的基础上，对本发明技术方案作出的各种变形和改造，均应落入本发明的权利要求书确定的保护范围内。
Claims (9)
1.一种横模抑制的声表面波装置，包括压电基板、叉指换能器和反射栅，所述叉指换能器包括第一汇流条和第二汇流条；第一汇流条和第二汇流条之间交替间隔设置有多个第一叉指电极和多个第二叉指电极；所述第一叉指电极自第一汇流条引出并向第二汇流条延伸，所述第二叉指电极自第二汇流条引出并向第一汇流条延伸，其特征在于：所述压电基板的一侧设置有横模抑制金属层，所述横模抑制金属层包括纵向延伸的第一横模抑制金属条和第二横模抑制金属条，所述第一横模抑制金属条和第二横模抑制金属条的表面覆盖有非金属介质层，所述叉指换能器和反射栅设置于非金属介质层的表面，所述第一横模抑制金属条横跨所述第一叉指电极和第二叉指电极且与第一叉指电极的端部位置对应，所述第二横模抑制金属条横跨所述第一叉指电极和第二叉指电极且与第二叉指电极的端部位置对应；所述非金属介质层包括间隔的第一覆盖区域和第二覆盖区域，所述第一覆盖区域覆盖所述第一横模抑制金属条，所述第二覆盖区域覆盖所述第二横模抑制金属条，所述第一叉指电极和第二叉指电极在非金属介质层以外的区域与压电基板接触。
2.如权利要求1所述的一种横模抑制的声表面波装置，其特征在于：所述非金属介质层的导热系数高于压电基板的导热系数。
3.如权利要求1或2所述的一种横模抑制的声表面波装置，其特征在于：所述第一横模抑制金属条和第二横模抑制金属条设置于所述压电基板的一侧表面上；或者所述压电基板的一侧面设置有容纳所述第一横模抑制金属条和第二横模抑制金属条的容纳槽，所述第一横模抑制金属条和第二横模抑制金属条设置于所述容纳槽内。
4.如权利要求3所述的一种横模抑制的声表面波装置，其特征在于：所述第一横模抑制金属条与第二横模抑制金属条相邻的一侧为第一临近侧面，所述第二横模抑制金属条与第一横模抑制金属条的相邻的一侧为第二临近侧面，所述第一临近侧面和/或第二临近侧面包括至少一个方便横向杂波导向侧面的导出斜面段，该导出斜面段与纵向方向线成一夹角。
5.如权利要求4所述的一种横模抑制的声表面波装置，其特征在于：所述第一横模抑制金属条和第二横模抑制金属条上分别设置有若干个第一分隔间隙和第二分隔间隙，所述第一分隔间隙将第一横模抑制金属条分隔成若干个间隔的第一横模抑制金属条单体，所述第二分隔间隙将第二横模抑制金属条分隔成若干个间隔的第二横模抑制金属条单体，各第一横模抑制金属条单体一一对应位于第一叉指电极和第二叉指电极的下方，各第二横模抑制金属条单体一一对应位于第一叉指电极和第二叉指电极的下方。
6.如权利要求5所述的一种横模抑制的声表面波装置，其特征在于：所述横模抑制金属层还包括至少一条第一辅助抑制金属条和至少一条第二辅助抑制金属条，所述第一辅助抑制金属条位于第一横模抑制金属条和第二汇流条之间，所述第二辅助抑制金属条位于第二横模抑制金属条和第一汇流条之间。
7.如权利要求6所述的一种横模抑制的声表面波装置，其特征在于：所述第一横模抑制金属条和第二横模抑制金属条的两端延伸至两侧的反射栅的下方，所述叉指换能器和反射栅的表面设置有钝化层或者温度补偿层。
8.一种横模抑制的声表面波装置的成型方法，其特征在于：该成型方法用于成型权利要求1中所述的声表面波装置，包括以下步骤：
S1、提供一个压电基板，利用光刻镀膜工艺在压电基板上制作所述的横模抑制金属层；
S2、在横模抑制金属层上沉积非金属介质层，该非金属介质层覆盖所述横模抑制金属层；
S3、利用套刻工艺在非金属介质层上成型叉指换能器和反射栅。
9.如权利要求8所述的一种横模抑制的声表面波装置的成型方法，其特征在于：所述步骤S1中，先在压电基板的一侧按照横模抑制金属层的形状刻蚀出容纳槽，再在容纳槽内成型出所述横模抑制金属层。
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