WO2012127793A1 - 弾性波素子 - Google Patents

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WO2012127793A1
WO2012127793A1 PCT/JP2012/001489 JP2012001489W WO2012127793A1 WO 2012127793 A1 WO2012127793 A1 WO 2012127793A1 JP 2012001489 W JP2012001489 W JP 2012001489W WO 2012127793 A1 WO2012127793 A1 WO 2012127793A1
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WO
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electrode
dielectric film
region
bus bar
acoustic wave
Prior art date
Application number
PCT/JP2012/001489
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English (en)
French (fr)
Inventor
禎也 小松
中村　弘幸
哲也 鶴成
城二 藤原
中西　秀和
Original Assignee
パナソニック株式会社
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Publication date
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    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/25—Constructional features of resonators using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02818—Means for compensation or elimination of undesirable effects
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02992—Details of bus bars, contact pads or other electrical connections for finger electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/80—Constructional details
    • H10N30/87—Electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals

Definitions

  • the present invention relates to an acoustic wave element using a piezoelectric effect.
  • FIG. 35A is a schematic top view of a conventional acoustic wave device.
  • 35B is a schematic cross-sectional view taken along 35B-35B (electrode finger stretching direction) in FIG. 35A.
  • FIG. 35C is a diagram showing the speed of sound of the main elastic wave in FIG. 35B.
  • the acoustic wave element 101 includes a lithium tantalate-based piezoelectric substrate 102, an IDT (InterDigital Transducer) electrode 103, and a reflector electrode 104.
  • the IDT electrode 103 is formed on the piezoelectric substrate 102 and excites a main elastic wave having a wavelength ⁇ .
  • the reflector electrode 104 is formed on the piezoelectric substrate 102 so as to sandwich the IDT electrode 103.
  • the IDT electrode 103 includes a first bus bar electrode 121 and a second bus bar electrode 221 facing the first bus bar electrode 121. Further, the IDT electrode 103 includes a first electrode finger 123 extending from the first bus bar electrode 121 toward the second bus bar electrode 221, and a second bus bar electrode 221 toward the first bus bar electrode 121. The second electrode finger 223 is extended. Further, the IDT electrode 103 includes a first dummy electrode 122 extended from the first bus bar electrode 121 toward the second bus bar electrode 221, and a second bus bar electrode 221 toward the first bus bar electrode 121. The second dummy electrode 222 is extended.
  • a bus bar electrode region 106 On the piezoelectric substrate 102, a bus bar electrode region 106, a dummy electrode region 107, an intermediate region 108, and an alternately arranged region 109 are formed.
  • the first bus bar electrode 121 or the second bus bar electrode 221 is arranged in the bus bar electrode region 106.
  • One of the first dummy electrode 122 and the first electrode finger 123 or the second dummy electrode 222 and the second electrode finger 223 is arranged in the dummy electrode region 107.
  • the alternate arrangement region 109 the first electrode fingers 123 and the second electrode fingers 223 are alternately arranged.
  • One of the first electrode finger 123 and the second electrode finger 223 is arranged in the intermediate region 108.
  • the main acoustic wave in the alternate arrangement region 109 can be confined in the acoustic wave element 101.
  • the heavy metal layer 110 can be formed only in the bus bar electrode region 106 of the IDT electrode 103, and the confinement effect in the alternate arrangement region 109 of the main acoustic wave is not sufficient.
  • the energy of the main elastic wave excited by the IDT electrode 103 tends to move to a region where the sound velocity is high. This is because a lithium tantalate piezoelectric substrate has an anisotropy index in the propagation direction of ⁇ ⁇ 0.
  • the sound velocity of the main elastic wave in the intermediate region 108 is faster than the sound velocity of the main elastic wave in the interleaved region 109. Therefore, a characteristic loss of the acoustic wave element 101 may occur due to leakage of the main acoustic wave in the alternately arranged region 109 to the intermediate region 108.
  • Patent Documents 1 and 2 are known as prior art documents related to the present invention.
  • the acoustic wave device of the present invention includes a piezoelectric substrate, an IDT electrode provided in contact with the piezoelectric substrate, and a first dielectric film.
  • the IDT electrode includes a first bus bar electrode, a second bus bar electrode opposed to the first bus bar electrode, a first electrode finger extended from the first bus bar electrode toward the second bus bar electrode, And a second electrode finger extended from the second bus bar electrode toward the first bus bar electrode.
  • a region and an intermediate region in which one of the first electrode finger and the second electrode finger is disposed are formed.
  • a first dielectric film is formed on the outermost surface of the laminate composed of the piezoelectric substrate and the IDT electrode and at least partly in the extending direction of the first and second electrode fingers in the intermediate region.
  • the first dielectric film is formed of a medium in which the sound speed of the transverse wave propagating through the first dielectric film is slower than the sound speed of the main elastic wave in the alternately arranged region.
  • FIG. 1A is a schematic top view of an acoustic wave device according to Embodiment 1 of the present invention.
  • 1B is a schematic cross-sectional view taken along the line 1B-1B of FIG. 1A.
  • FIG. 1C is a diagram showing the speed of sound of the main elastic wave in FIG. 1B.
  • FIG. 1D is a schematic top view illustrating the configuration of the piezoelectric substrate, the IDT electrode, and the reflector electrode according to Embodiment 1 of the present invention.
  • FIG. 2A is a schematic top view of another acoustic wave device according to Embodiment 1 of the present invention.
  • 2B is a schematic cross-sectional view taken along 2B-2B in FIG. 2A.
  • FIG. 2C is a diagram showing the speed of sound of the main elastic wave in FIG. 2B.
  • FIG. 3 is a diagram showing characteristics of a conventional acoustic wave device.
  • FIG. 4 is a diagram showing the characteristics of the acoustic wave device according to Embodiment 1 of the present invention.
  • FIG. 5A is a schematic top view of another acoustic wave device according to Embodiment 1 of the present invention.
  • FIG. 5B is a schematic cross-sectional view taken along 5B-5B in FIG. 5A.
  • FIG. 6A is a schematic top view of another acoustic wave device according to Embodiment 1 of the present invention.
  • 6B is a schematic cross-sectional view taken along 6B-6B in FIG. 6A.
  • FIG. 7A is a schematic top view of another acoustic wave device according to Embodiment 1 of the present invention.
  • FIG. 7B is a schematic cross-sectional view taken along the line 7B-7B of FIG. 7A.
  • FIG. 8A is a schematic top view of another acoustic wave device according to Embodiment 1 of the present invention.
  • FIG. 8B is a schematic cross-sectional view taken along 8B-8B of FIG. 8A.
  • FIG. 9A is a schematic top view of another acoustic wave device according to Embodiment 1 of the present invention.
  • FIG. 9B is a schematic cross-sectional view taken along line 9B-9B of FIG. 9A.
  • 10A is a schematic top view of another acoustic wave device according to Embodiment 1 of the present invention.
  • 10B is a schematic cross-sectional view taken along 10B-10B of FIG. 10A.
  • FIG. 11A is a schematic top view of another acoustic wave device according to Embodiment 1 of the present invention.
  • FIG. 11B is a schematic cross-sectional view taken along 11B-11B of FIG. 11A.
  • FIG. 12A is a schematic top view of another acoustic wave device according to Embodiment 1 of the present invention.
  • 12B is a schematic cross-sectional view taken along 12B-12B in FIG. 12A.
  • FIG. 13A is a schematic top view of another acoustic wave device according to Embodiment 1 of the present invention.
  • 13B is a schematic cross-sectional view taken along 13B-13B of FIG. 13A.
  • FIG. 14A is a schematic top view of another acoustic wave device according to Embodiment 1 of the present invention.
  • 14B is a schematic cross-sectional view taken along the line 14B-14B of FIG. 14A.
  • FIG. 15A is a schematic top view of another acoustic wave device according to Embodiment 1 of the present invention.
  • FIG. 15B is a schematic cross-sectional view taken along the line 15B-15B of FIG. 15A.
  • FIG. 16A is a schematic top view of the acoustic wave device according to the second exemplary embodiment of the present invention.
  • FIG. 16B is a schematic cross-sectional view taken along 16B-16B of FIG. 16A.
  • FIG. 16C is a diagram showing the speed of sound of the main elastic wave in FIG. 16B.
  • FIG. 16D is a schematic top view illustrating the configuration of the piezoelectric substrate, the IDT electrode, and the reflector electrode according to Embodiment 2 of the present invention.
  • FIG. 17A is a schematic top view of another acoustic wave device according to Embodiment 2 of the present invention.
  • FIG. 17B is a schematic sectional view taken along line 17B-17B of FIG. 17A.
  • FIG. 17C is a diagram showing the speed of sound of the main elastic wave in FIG. 17B.
  • FIG. 18A is a schematic top view of the acoustic wave device according to Embodiment 3 of the present invention.
  • 18B is a schematic cross-sectional view taken along 18B-18B in FIG. 18A.
  • FIG. 18C is a diagram showing the speed of sound of the main elastic wave in FIG. 18B.
  • FIG. 19A is a schematic top view of another acoustic wave device according to Embodiment 3 of the present invention.
  • FIG. 19B is a schematic cross-sectional view taken along the line 19B-19B of FIG. 19A.
  • FIG. 20A is a schematic top view of another acoustic wave device according to Embodiment 3 of the present invention.
  • FIG. 20B is a schematic cross-sectional view taken along 20B-20B of FIG. 20A.
  • FIG. 20C is a diagram illustrating the speed of sound of the main elastic wave in FIG. 20B.
  • FIG. 21A is a schematic top view of another acoustic wave device according to Embodiment 3 of the present invention.
  • FIG. 21B is a schematic cross-sectional view taken along 21B-21B in FIG. 21A.
  • FIG. 22A is a schematic top view of the acoustic wave device according to the fourth exemplary embodiment of the present invention.
  • 22B is a schematic cross-sectional view taken along 22B-22B in FIG. 22A.
  • FIG. 22C is a diagram showing the speed of sound of the main elastic wave in FIG. 22B.
  • FIG. 23A is a schematic top view of another acoustic wave device according to Embodiment 4 of the present invention.
  • FIG. 23B is a schematic cross-sectional view taken along 23B-23B of FIG. 23A.
  • FIG. 24A is a schematic top view of another acoustic wave device according to Embodiment 4 of the present invention.
  • 24B is a schematic cross-sectional view taken along 24B-24B in FIG. 24A.
  • FIG. 25A is a schematic top view of the acoustic wave device according to the fifth exemplary embodiment of the present invention.
  • FIG. 25B is a schematic cross-sectional view taken along 25B-25B in FIG. 25A.
  • FIG. 25C is a diagram showing the speed of sound of the main elastic wave in FIG. 25B.
  • FIG. 26A is a schematic top view of the acoustic wave device according to the sixth exemplary embodiment of the present invention.
  • FIG. 26B is a schematic cross-sectional view taken along the line 26B-26B of FIG. 26A.
  • FIG. 27A is a schematic top view of the acoustic wave device according to the seventh exemplary embodiment of the present invention.
  • FIG. 27B is a schematic cross-sectional view taken along line 27B-27B in FIG. 27A.
  • FIG. 28A is a schematic top view of another acoustic wave device according to Embodiment 7 of the present invention.
  • 28B is a schematic cross-sectional view taken along 28B-28B in FIG. 28A.
  • FIG. 29A is a schematic top view of the acoustic wave device according to the eighth embodiment of the present invention.
  • FIG. 29B is a schematic cross-sectional view taken along 29B-29B in FIG. 29A.
  • FIG. 30A is a schematic top view of another acoustic wave device according to Embodiment 8 of the present invention.
  • 30B is a schematic cross-sectional view taken along 30B-30B in FIG. 30A.
  • FIG. 31A is a schematic top view of an acoustic wave device according to Embodiment 9 of the present invention.
  • FIG. 31B is a schematic cross-sectional view taken along 31B-31B of FIG. 31A.
  • FIG. 31C is a diagram showing the sound velocity of the main elastic wave in FIG. 31B.
  • 32A is a schematic top view of another acoustic wave device according to Embodiment 9 of the present invention.
  • 32B is a schematic cross-sectional view taken along line 32B-32B of FIG. 32A.
  • FIG. 32C is a diagram showing the speed of sound of the main elastic wave in FIG. 32B.
  • FIG. 33A is a schematic top view of the acoustic wave device according to the tenth embodiment of the present invention.
  • FIG. 33B is a schematic sectional view taken along line 33B-33B of FIG. 33A.
  • FIG. 33C is a schematic cross-sectional view of the wiring electrode taken along line 33C-33C in FIG. 33A.
  • 34A is a schematic top view of another acoustic wave device according to Embodiment 10 of the present invention.
  • 34B is a schematic cross-sectional view taken along line 34B-34B of FIG. 34A.
  • 34C is a schematic cross-sectional view of the wiring electrode taken along line 34C-34C in FIG. 34A.
  • FIG. 35A is a schematic top view of a conventional acoustic wave device.
  • FIG. 35B is a schematic cross-sectional view taken along line 35B-35B of FIG. 35A.
  • FIG. 35C is a diagram showing the speed of sound of the main elastic wave in FIG. 35B.
  • FIG. 35D is a top schematic view showing a configuration of a conventional piezoelectric substrate, IDT electrode, and reflector electrode.
  • FIG. 1A is a schematic top view of an acoustic wave device according to Embodiment 1 of the present invention.
  • 1B is a schematic cross-sectional view taken along the line 1B-1B (electrode finger stretching direction) in FIG. 1A.
  • FIG. 1C is a diagram showing the speed of sound of the main elastic wave in FIG. 1B.
  • FIG. 1D is a schematic top view illustrating the configuration of the piezoelectric substrate, the IDT electrode, and the reflector electrode according to Embodiment 1 of the present invention.
  • the acoustic wave element 1 includes a piezoelectric substrate 2, an IDT (InterDigital Transducer) electrode 3, a first dielectric film 10, and a reflector electrode 4.
  • IDT InterDigital Transducer
  • the IDT electrode 3 includes a first bus bar electrode 421 and a second bus bar electrode 521 facing the first bus bar electrode 421. Further, the IDT electrode 3 extends from the first bus bar electrode 421 toward the second bus bar electrode 521, and extends from the second bus bar electrode 521 toward the first bus bar electrode 421. Second electrode finger 523. Further, the IDT electrode 3 includes a first dummy electrode 422 extended from the first bus bar electrode 421 toward the second bus bar electrode 521, and the second bus bar electrode 521 toward the first bus bar electrode 421. The second dummy electrode 522 is extended.
  • a bus bar electrode region 6, a dummy electrode region 7, an intermediate region 8, and an alternately arranged region 9 are formed in order from the outside of the IDT electrode 3 in the electrode finger extending direction.
  • the first bus bar electrode 421 or the second bus bar electrode 521 is arranged.
  • One of the first dummy electrode 422 and the first electrode finger 423 or the second dummy electrode 522 and the second electrode finger 523 is arranged in the dummy electrode region 7.
  • the first electrode fingers 423 and the second electrode fingers 523 are alternately arranged.
  • One of the first electrode finger 423 and the second electrode finger 523 is arranged in the intermediate region 8.
  • the IDT electrode 3 excites a main elastic wave.
  • the first dielectric film 10 is formed in the intermediate region 8, the dummy electrode region 7, and the bus bar electrode region 6, but is not formed in the alternate arrangement region 9.
  • the IDT electrodes 3 in the alternate arrangement region 9 are exposed. That is, the first dielectric film 10 is the first and second in the intermediate region 8, the dummy electrode region 7, and the bus bar electrode region 6 on the outermost surface of the multilayer body 700 composed of the piezoelectric substrate 2 and the IDT electrode 3. Are formed along the extending direction of the electrode fingers.
  • the first dielectric film 10 is made of a medium in which the sound velocity of the transverse wave propagating through the first dielectric film 10 is slower than the sound velocity of the main elastic wave in the alternate arrangement region 9.
  • the bus bar electrode region 6 side is referred to as “outer side” and the alternate arrangement region 9 side is referred to as “inner side” in the electrode finger extending direction.
  • the IDT electrode 3 is formed on the piezoelectric substrate 2 and excites a main elastic wave having a wavelength ⁇ (a surface acoustic wave such as a shear horizontal wave).
  • the reflector electrode 4 is formed on the piezoelectric substrate 2 so as to sandwich the IDT electrode 3. At this time, the wavelength ⁇ is twice the electrode pitch 60 in FIG. 1D.
  • the difference between the sound velocity of the main elastic wave in the intermediate region 8 and the sound velocity of the main elastic wave in the alternate arrangement region 9 can be reduced. That is, since the sound velocity of the main elastic wave in the intermediate region 8 can be made slower than the sound velocity of the main elastic wave in the alternating region 9, the main elastic wave in the alternating region 9 can be prevented from leaking to the intermediate region 8. As a result, the characteristic loss of the acoustic wave device 1 can be reduced.
  • the piezoelectric substrate 2 is, for example, a lithium tantalate substrate whose anisotropy index ⁇ in the propagation direction is negative (hereinafter referred to as ⁇ ⁇ 0).
  • a lithium tantalate (LiTaO 3 ) substrate is used.
  • the piezoelectric substrate having an anisotropy index ⁇ ⁇ 0 is a piezoelectric substrate having a concave surface at the reverse speed surface with respect to the propagation direction of the main elastic wave. More specifically, for example, a 36 ° -50 ° Y-cut X-propagating lithium tantalate (LiTaO 3 ) substrate.
  • the IDT electrode 3 has a configuration in which, for example, a single metal made of aluminum, copper, silver, gold, titanium, tungsten, platinum, chromium, or molybdenum, an alloy containing these as a main component, or these metals are laminated.
  • the thickness of the IDT electrode 3 is about 0.01 ⁇ to 0.2 ⁇ , where ⁇ is the wavelength of the main acoustic wave.
  • the IDT electrode 3 has a normal configuration in which the crossing width of the electrode fingers of the IDT electrode 3 is substantially constant. However, in order to suppress the spurious in the lateral mode, apodization weighting may be applied so that the crossing width decreases as the distance from the center of the IDT electrode 3 to the reflector electrode 4 decreases. At this time, the alternate arrangement region 9 has a diamond shape when viewed from above.
  • the first dielectric film 10 is made of, for example, tantalum oxide (Ta 2 O 5 ), tellurium oxide (TeO 2 ), silicon oxide (SiO 2 ), or the like.
  • tantalum oxide and tellurium oxide are preferable as the first dielectric film 10 because the sound velocity of the transverse waves is sufficiently slower than the sound velocity of the main elastic waves in the alternately arranged region.
  • the film thickness A of the first dielectric film 10 above the intermediate region 8 is desirably 0.001 ⁇ or more and 0.1 ⁇ or less.
  • the film thickness A of the first dielectric film 10 is less than 0.001 ⁇ , the sound velocity of the main elastic wave in the intermediate region 8 cannot be lowered sufficiently, and the film thickness A of the first dielectric film 10 is This is because if it is larger than 0.1 ⁇ , the characteristics of the acoustic wave device may be deteriorated.
  • the “film thickness of the dielectric film” in the present embodiment is an electrode finger formation portion of the IDT electrode 3 (for example, the dummy electrode region 7 in the 1B-1B cross section in FIG. 1A) and is shown in FIG. 1B.
  • the distance C from the upper surface of the IDT electrode 3 to the upper surface of the first dielectric film 10 is referred to.
  • the portion where the electrode fingers of the IDT electrode 3 are not formed for example, the intermediate region 8 of the 1B-1B cross section in FIG. 1A, or the dummy electrode region 7 and the intermediate region 8 of the BB ′ cross section of FIG. In the region 9), as shown in FIG. 1B, it means “distance A from the upper surface of the piezoelectric substrate 2 to the upper surface of the first dielectric film 10”.
  • FIG. 2A is a schematic top view of acoustic wave element 302 according to Embodiment 1 of the present invention.
  • 2B is a schematic cross-sectional view taken along 2B-2B (electrode finger stretching direction) in FIG. 2A.
  • FIG. 2C is a diagram showing the speed of sound of the main elastic wave in FIG. 2B.
  • the film thickness A of the first dielectric film 10 above the intermediate region 8 is desirably 0.05 ⁇ or more and 1 ⁇ or less.
  • the film thickness A of the first dielectric film 10 is less than 0.05 ⁇ , the sound velocity of the main elastic wave in the intermediate region 8 cannot be lowered sufficiently, and the film thickness A of the first dielectric film 10 is This is because if it is larger than 1 ⁇ , the characteristic of the acoustic wave element 302 may be deteriorated.
  • FIG. 3 is a diagram showing the pass characteristics of the acoustic wave device when the first dielectric film 10 is not formed in FIGS. 1A and 1B.
  • the vertical axis represents the pass characteristic (dB), and the horizontal axis represents the frequency (MHz).
  • the piezoelectric substrate 2 is a 43 ° Y-cut X-propagation lithium tantalate substrate.
  • the width 61 (electrode finger crossing width 61) of the alternating arrangement region 9 of the IDT electrode 3 is 25 ⁇
  • the width 62 (dummy electrode length 62) of the dummy electrode region 7 of the IDT electrode 3 is 1 ⁇ .
  • the IDT electrode pitch is 1.2 ⁇ m
  • the number of electrode fingers of the reflector electrode 4 is 30, the number of electrode finger pairs of the IDT electrode 3 is 100 pairs, and the duty ratio (electrode finger width / pitch) of the IDT electrode 3 is 0. .5.
  • An elastic wave element is configured as a one-terminal-pair resonator, and the frequency pass characteristics of the elastic wave element when the width of the intermediate region 8 of the IDT electrode 3 is 0.26 ⁇ (broken line) and 0.32 ⁇ (solid line) are shown. Measured.
  • the resonance frequency is obtained regardless of whether the width of the intermediate region 8 of the IDT electrode 3 is 0.26 ⁇ or 0.32 ⁇ . Loss of pass characteristics occurs in the vicinity (the part surrounded by the broken line).
  • FIG. 4 is a diagram showing the characteristics of the acoustic wave device 1 shown in FIGS. 1A and 1B. That is, the pass characteristic of the acoustic wave device 1 when the first dielectric film 10 is formed on the intermediate region 8, the dummy electrode region 7, and the bus bar electrode region 6 is shown.
  • the vertical axis indicates the pass characteristic
  • the horizontal axis indicates the frequency.
  • tantalum oxide having a thickness (height A from the upper surface of the piezoelectric substrate 2 to the upper surface of the first dielectric film 10 in the intermediate region 8 in FIG. 1) of 0.018 ⁇ is formed. Except for this, it is the same as the acoustic wave device having the characteristics of FIG.
  • the frequency pass characteristics of the acoustic wave device 1 when the width of the intermediate region 8 of the IDT electrode 3 is 0.26 ⁇ (broken line) and 0.32 ⁇ (solid line) are actually measured.
  • the IDT electrode 3 has an intermediate region 8 in the vicinity of the resonance frequency (indicated by a broken line) regardless of whether the width of the intermediate region 8 is 0.26 ⁇ or 0.32 ⁇ .
  • the loss of pass characteristics in the enclosed part) has been improved.
  • the loss of the pass characteristic is reduced by about 0.015 dB at 1650 Hz to 1670 Hz.
  • the first dielectric film 10 is formed on the IDT electrode 3.
  • the first dielectric film 10 in the alternately arranged region 9 may be removed by etching.
  • the alternate arrangement region 9 of the IDT electrode 3 may be masked, and the first dielectric film 10 may be formed on the IDT electrode 3.
  • FIG. 2B shows an acoustic wave element in which the height from the upper surface of the piezoelectric substrate 2 to the upper surface of the first dielectric film 10 above the intermediate region 8, the dummy electrode region 7, and the bus bar electrode region 6 is constant. 302 is shown.
  • Such a configuration is, for example, such that the upper surface of the first dielectric film 10 becomes flat before or after the first dielectric film 10 above the interleaved region 9 of the IDT electrode 3 is removed by etching. It can be obtained by polishing one dielectric film 10. However, the upper surface of the first dielectric film 10 may not be flat.
  • FIG. 5A is a schematic top view of acoustic wave element 305 according to Embodiment 1 of the present invention.
  • FIG. 5B is a schematic cross-sectional view taken along 5B-5B (electrode finger stretching direction) in FIG. 5A.
  • the first dielectric film 10 may be formed at least in the intermediate region 8.
  • the first dielectric film 10 may not be formed in the dummy electrode region 7 or the bus bar electrode region 6.
  • the difference between the sound velocity of the main elastic wave in the intermediate region 8 and the sound velocity of the main elastic wave in the alternate arrangement region 9 can be reduced. That is, since the sound velocity of the main elastic wave in the intermediate region 8 can be made slower than the sound velocity of the main elastic wave in the alternating region 9, the main elastic wave in the alternating region 9 can be prevented from leaking to the intermediate region 8. As a result, the characteristic loss of the acoustic wave element 305 can be reduced.
  • FIGS. 6A and 6B show an acoustic wave element 306 when the first dielectric film 10 is thicker than the IDT electrode 3. Also in this case, it is possible to suppress the main elastic waves in the alternately arranged regions 9 from leaking to the intermediate region 8.
  • the first dielectric is formed from the end on the intermediate region 8 side to a predetermined region inside the alternating arrangement region 9.
  • a film 10 may be formed. That is, the first dielectric film 10 may be formed in a part of the alternately arranged region 9. The first dielectric film 10 is not formed in the central portion 11 of the alternately arranged region 9 in the electrode finger extending direction. With such a configuration, it is not necessary to align the end portions of the first dielectric film 10 with the tips of the first dummy electrode 422 and the second dummy electrode 522.
  • the acoustic wave element 307 can suppress characteristic variations due to manufacturing variations of the acoustic wave element 307. Further, in the acoustic wave element 307, the difference between the acoustic velocity of the main acoustic wave in the intermediate region 8 and the acoustic velocity of the principal acoustic wave in the central portion 11 of the alternate arrangement region 9 can be reduced. That is, the sound velocity of the main elastic wave in the intermediate region 8 can be made slower than the sound velocity of the main elastic wave in the central portion 11 of the alternately arranged region 9. Therefore, it is possible to further suppress main elastic waves in the alternately arranged regions 9 from being concentrated in the central portion 11 and leaking into the intermediate region 8.
  • FIG. 7B shows a cross section of the acoustic wave element 307 when the first dielectric film 10 is thinner than the IDT electrode 3.
  • an acoustic wave element 308 in the case where the first dielectric film 10 is thicker than the IDT electrode 3 is shown in FIGS. 8A and 8B. Also in this case, it is possible to suppress the main elastic waves in the alternately arranged regions 9 from leaking into the intermediate region 8.
  • the first dielectric film 10 is formed in a predetermined region of the intermediate region 8 from the end of the alternately arranged region 9. It may not be formed. That is, the first dielectric film 10 may not be formed in a part of the intermediate region 8. With such a configuration, it is not necessary to align the end portions of the first dielectric film 10 with the tips of the first dummy electrode 422 and the second dummy electrode 522. Therefore, characteristic variations due to manufacturing variations of the acoustic wave element 309 can be suppressed.
  • FIGS. 10A and 10B show a cross section of the acoustic wave element 309 when the first dielectric film 10 is thinner than the IDT electrode 3.
  • an acoustic wave device 310 in the case where the first dielectric film 10 is thicker than the IDT electrode 3 is shown in FIGS. 10A and 10B. Also in this case, the above effect can be obtained.
  • the end portion of the first dielectric film 10 has a thickness of the first dielectric film 10 in the bus bar electrode region 6.
  • a taper shape that gradually decreases in the direction from the direction toward the center portion 11 of the alternating arrangement region 9 (the direction of the arrow 600 in FIG. 11B, that is, the extending direction of the first and second electrode fingers) may be used.
  • the end portion of the first dielectric film 10 has the thickness of the first dielectric film 10 in the alternating arrangement region 9.
  • FIG. 11A, FIG. 11B, FIG. 12A, and FIG. 12B show the structures of the acoustic wave elements 311 and 312 when the first dielectric film 10 is thinner than the IDT electrode 3.
  • the acoustic wave elements 311 and 312 are, for example, the acoustic wave elements 313 and 314 shown in FIGS. 13A, 13B, 14A, and 14B, respectively.
  • the end of the first dielectric film 10 has an intermediate height from the upper surface of the piezoelectric substrate 2 to the upper surface of the first dielectric film 10.
  • a tapered shape that gradually decreases from the region 8 to the alternately arranged region 9 may be used.
  • the end portion of the first dielectric film 10 in a tapered shape, the main elastic wave at the boundary between the formation portion of the first dielectric film 10 and the non-formation portion of the first dielectric film 10 is formed. Sudden changes in sound speed can be suppressed. As a result, generation of unnecessary spurious can be suppressed.
  • FIG. 16A is a schematic top view of the acoustic wave device according to the second exemplary embodiment of the present invention.
  • 16B is a schematic cross-sectional view taken along the line 16B-16B (electrode finger stretching direction) of FIG. 16A.
  • FIG. 16C is a diagram showing the speed of sound of the main elastic wave in FIG. 16B.
  • FIG. 16D is a schematic top view illustrating the configuration of the piezoelectric substrate, the IDT electrode, and the reflector electrode according to Embodiment 2 of the present invention.
  • the difference between the first embodiment and the second embodiment is that the IDT electrode 3 does not include a dummy electrode and the dummy electrode region 7 does not exist as shown in FIGS. 16A and 16B.
  • the difference between the sound velocity of the main elastic wave in the intermediate region 8 and the sound velocity of the main elastic wave in the alternate arrangement region 9 can be reduced. That is, the sound velocity of the main elastic wave in the intermediate region 8 can be made slower than the sound velocity of the main elastic wave in the alternately arranged region 9. Therefore, it is possible to suppress the main elastic waves in the alternately arranged regions 9 from leaking into the intermediate region 8. As a result, the characteristic loss of the acoustic wave element 316 can be reduced.
  • FIGS. 17A and 17B show the structure of the acoustic wave element 317 when the first dielectric film 10 is thicker than the IDT electrode 3
  • FIGS. 17C show the characteristics of the main elastic waves in the alternately arranged regions 9 from leaking into the intermediate region 8.
  • the intermediate region 8 side The first dielectric film 10 may be formed in a predetermined area inside the alternately arranged area 9 from the end of the first dielectric film 10.
  • the first dielectric film 10 may not be formed in a predetermined region from the end portion to the intermediate region 8.
  • the end of the first dielectric film 10 is formed at the end of the first dielectric film 10.
  • a taper shape in which the film thickness gradually decreases in the direction from the bus bar electrode region 6 toward the central portion 11 of the alternately arranged region 9 may be used.
  • the first dielectric film 10 is also formed in the bus bar electrode region 6, but the first dielectric film 10 may not be formed in the bus bar electrode region 6.
  • FIG. 18A is a schematic top view of the acoustic wave device according to Embodiment 3 of the present invention.
  • 18B is a schematic cross-sectional view taken along 18B-18B (electrode finger stretching direction) in FIG. 18A.
  • FIG. 18C is a diagram showing the speed of sound of the main elastic wave in FIG. 18B.
  • the configurations of the piezoelectric substrate 2, the IDT electrode 3, and the reflector electrode 4 are the same as those in FIG. 1D.
  • the difference between the first embodiment and the third embodiment is that, as shown in FIGS. 18A and 18B, the first dielectric film 10 is also formed in the alternately arranged region 9, and the first dielectric in the alternately arranged region 9 is the same.
  • the film thickness of the body film 10 is smaller than the film thickness of the first dielectric film 10 in the intermediate region 8.
  • the difference between the sound velocity of the main elastic wave in the intermediate region 8 and the sound velocity of the main elastic wave in the alternate arrangement region 9 can be reduced. That is, the sound velocity of the main elastic wave in the intermediate region 8 can be made slower than the sound velocity of the main elastic wave in the alternately arranged region 9. Therefore, it is possible to suppress the main elastic waves in the alternately arranged regions 9 from leaking into the intermediate region 8. As a result, the characteristic loss of the acoustic wave element 318 can be reduced.
  • the height from the upper surface of the piezoelectric substrate 2 to the upper surface of the first dielectric film 10 is a direction from the intermediate region 8 toward the center of the alternately arranged region 9. It may be gradually lowered. That is, the height from the upper surface of the piezoelectric substrate 2 to the upper surface of the first dielectric film 10 in the interleaved region 9 and the height from the upper surface of the piezoelectric substrate 2 to the upper surface of the first dielectric film 10 in the intermediate region 8.
  • the stepped portion formed by the difference may be tapered. With this configuration, it is possible to suppress an abrupt change in the sound velocity of the main elastic wave at the step portion of the first dielectric film 10.
  • the acoustic wave device 319 according to the third embodiment also has a second BB ′ cross section (cross section in the electrode finger extending direction between the electrode fingers of the IDT electrode 3) in FIG.
  • the thickness of the first dielectric film 10 is smaller than the thickness of the first dielectric film 10 in the intermediate region 8.
  • the height from the upper surface of the piezoelectric substrate 2 to the upper surface of the first dielectric film 10 in the alternate arrangement region 9 is high from the upper surface of the piezoelectric substrate 2 to the upper surface of the first dielectric film 10 in the intermediate region 8. Therefore, it is possible to further prevent the main elastic wave in the alternately arranged region 9 from leaking into the intermediate region 8. As a result, the characteristic loss of the acoustic wave element 319 can be further reduced.
  • 18A, 18B, 19A, and 19B show the structures of the acoustic wave elements 318 and 319 when the first dielectric film 10 is thinner than the IDT electrode 3.
  • FIG. when the first dielectric film 10 is thicker than the IDT electrode 3, for example, the structures and characteristics of the acoustic wave elements 320 and 321 shown in FIGS. 20A to 20C and FIGS. 21A and 21B are obtained. Also in this case, the above effect can be obtained.
  • FIG. 22A is a schematic top view of acoustic wave element 322 according to Embodiment 4 of the present invention.
  • 22B is a schematic cross-sectional view taken along 22B-22B (electrode finger stretching direction) of FIG. 22A.
  • FIG. 22C is a diagram showing the speed of sound of the main elastic wave in FIG. 22B.
  • the configurations of the piezoelectric substrate 2, the IDT electrode 3, and the reflector electrode 4 are the same as those in FIG. 1D.
  • the piezoelectric substrate 2 is, for example, a lithium tantalate substrate whose anisotropy index ⁇ in the propagation direction is ⁇ ⁇ 0.
  • the difference between the first embodiment and the fourth embodiment is that the first dielectric film 10 is not formed, and the second dielectric film 12 is formed in the alternate arrangement region 9.
  • the second dielectric film 12 is a point made of a medium in which the sound speed of the transverse wave propagating through the second dielectric film 12 is faster than the sound speed of the main elastic wave in the intermediate region 8.
  • the second dielectric film 12 is formed in the alternating region 9 and is not formed in the intermediate region 8. That is, the IDT electrode 3 in the intermediate region 8, the dummy electrode region 7, and the bus bar electrode region 6 is exposed. That is, the second dielectric film 12 is on the outermost surface of the laminate 700 composed of the piezoelectric substrate 2 and the IDT electrode 3 and along the extending direction of the first and second electrode fingers in the alternately arranged region 9. Is formed.
  • the second dielectric film 12 is made of, for example, silicon nitride (Si 3 N 4 ), aluminum nitride (AlN), aluminum oxide (Al 2 O 3 ), diamond (C), silicon (Si), or the like.
  • the insulating medium is not limited to these materials as long as the sound velocity of the transverse wave propagating through the second dielectric film 12 is faster than the sound velocity of the main elastic wave in the intermediate region 8.
  • aluminum nitride is preferable as the second dielectric film 12 because it is a medium in which the sound velocity of the transverse wave is sufficiently faster than the sound velocity of the main elastic wave in the intermediate region 8.
  • the difference between the sound velocity of the main elastic wave in the intermediate region 8 and the sound velocity of the main elastic wave in the alternate arrangement region 9 can be reduced. That is, the speed of sound of the main elastic wave in the alternate area 9 can be made faster than the speed of sound of the main elastic wave in the intermediate area 8. Therefore, it is possible to suppress the main elastic waves in the alternately arranged regions 9 from leaking into the intermediate region 8. As a result, the characteristic loss of the acoustic wave element 322 can be reduced.
  • the film thickness B of the second dielectric film 12 in the alternate arrangement region 9 is desirably 0.05 ⁇ or more and 1 ⁇ or less.
  • the film thickness B of the second dielectric film 12 is less than 0.05 ⁇ , the sound velocity of the main acoustic wave in the alternately arranged region 9 cannot be sufficiently increased, and the film thickness B of the second dielectric film 12 Is larger than 1 ⁇ , the characteristics of the acoustic wave element 322 may be deteriorated.
  • the film thickness B of the second dielectric film 12 in the alternately arranged region 9 is desirably 0.001 ⁇ or more and 0.1 ⁇ or less.
  • the film thickness B of the second dielectric film 12 is less than 0.001 ⁇ , the sound velocity of the main elastic wave in the alternately arranged region 9 cannot be sufficiently increased, and the film thickness B of the second dielectric film 12 Is greater than 0.1 ⁇ , the characteristics of the acoustic wave element 322 may be deteriorated.
  • the second dielectric is formed from the end on the intermediate region 8 side to a predetermined region inside the alternate arrangement region 9.
  • the film 12 may not be formed. That is, the second dielectric film 12 may not be formed in a part of the alternately arranged region 9.
  • the second dielectric film 12 may be formed only on the center part 11 of the first electrode finger 423 and the second electrode finger 523 in the alternately arranged region 9. In this case, it is not necessary to align the end of the second dielectric film 12 with the tip of the electrode finger of the IDT electrode 3, so that characteristic variations due to manufacturing variations of the acoustic wave element 323 can be suppressed.
  • the difference between the acoustic velocity of the main acoustic wave in the intermediate region 8 and the acoustic velocity of the principal acoustic wave in the central portion 11 of the alternate arrangement region 9 can be reduced. That is, the sound velocity of the main elastic wave in the central portion 11 of the alternating arrangement region 9 can be made faster than the sound velocity of the main elastic wave in the intermediate region 8. For this reason, it is possible to further suppress main elastic waves in the alternately arranged regions 9 from being concentrated in the central portion 11 and leaking into the intermediate region 8. As a result, the characteristic loss of the acoustic wave element 323 can be reduced.
  • the second dielectric film 12 may be formed in a predetermined region from the end of the alternately arranged region 9 to the intermediate region 8. That is, the second dielectric film 12 may be formed in a part of the intermediate region 8. In this case, since it is not necessary to align the end of the second dielectric film 12 with the tips of the first electrode finger 423 and the second electrode finger 523, variation in characteristics due to manufacturing variations of the acoustic wave element 324 can be suppressed. . In addition, since there is no boundary between the formation part and the non-formation part of the second dielectric film 12 in the alternating arrangement region 9 of the IDT electrode 3, the characteristic deterioration of the acoustic wave element 324 can be suppressed.
  • the end portion of the second dielectric film 12 has a thickness of the second dielectric film 12 from the central portion 11 of the alternating arrangement region 9.
  • the taper shape may be gradually reduced in the direction toward the intermediate region 8 (the direction of the arrow 610 in FIG. 23B, that is, the extending direction of the first and second electrode fingers).
  • FIG. 25A is a schematic top view of acoustic wave element 325 according to Embodiment 5 of the present invention.
  • FIG. 25B is a schematic cross-sectional view taken along 25B-25B (electrode finger stretching direction) in FIG. 25A.
  • FIG. 25C is a diagram showing the speed of sound of the main elastic wave in FIG. 25B.
  • the configurations of the piezoelectric substrate 2, the IDT electrode 3, and the reflector electrode 4 are the same as those in FIG. 16D.
  • the difference between the fourth embodiment and the fifth embodiment is that the IDT electrode 3 does not include the first dummy electrode 422 and the second dummy electrode 522 and the dummy electrode region 7 does not exist.
  • the difference between the sound speed of the main elastic wave in the intermediate region 8 and the sound speed of the main elastic wave in the alternating region 9 can be reduced. That is, the speed of sound of the main elastic wave in the alternate area 9 can be made faster than the speed of sound of the main elastic wave in the intermediate area 8. Therefore, it is possible to suppress the main elastic waves in the alternately arranged regions 9 from leaking into the intermediate region 8. As a result, the characteristic loss of the acoustic wave element 325 can be reduced.
  • FIG. 26A is a schematic top view of acoustic wave element 326 according to Embodiment 6 of the present invention.
  • 26B is a schematic cross-sectional view taken along 26B-26B (electrode finger stretching direction) in FIG. 26A.
  • the configurations of the piezoelectric substrate 2, the IDT electrode 3, and the reflector electrode 4 are the same as those in FIG. 1D.
  • a second dielectric film 12 is formed at least in the intermediate region 8.
  • the second dielectric film 12 is formed in the intermediate region 8, the dummy electrode region 7, and the bus bar electrode region 6.
  • the film thickness B of the second dielectric film 12 in the interleaved region 9 is larger than the film thickness A of the second dielectric film 12 in the intermediate region 8.
  • the difference between the sound velocity of the main elastic wave in the intermediate region 8 and the sound velocity of the main elastic wave in the alternate arrangement region 9 can be reduced. That is, the speed of sound of the main elastic wave in the alternate area 9 can be made faster than the speed of sound of the main elastic wave in the intermediate area 8. Therefore, it is possible to suppress the main elastic waves in the alternately arranged regions 9 from leaking into the intermediate region 8. As a result, the characteristic loss of the acoustic wave element 326 can be reduced.
  • the height from the upper surface of the piezoelectric substrate 2 to the upper surface of the second dielectric film 12 in the interleaved region 9 is the height from the upper surface of the piezoelectric substrate 2 to the upper surface of the second dielectric film 12 in the intermediate region 8. Higher than that. Therefore, it is possible to further suppress the main elastic waves in the alternately arranged regions 9 from leaking into the intermediate region 8. As a result, the characteristic loss of the acoustic wave element 326 can be further reduced.
  • the height from the upper surface of the piezoelectric substrate 2 to the upper surface of the second dielectric film 12 is the center of the alternately arranged region 9. It may be gradually lowered in the direction from 11 to the intermediate region 8. That is, the height from the upper surface of the piezoelectric substrate 2 to the upper surface of the second dielectric film 12 in the interleaved region 9 and the upper surface of the piezoelectric substrate 2 above the intermediate region 8 to the upper surface of the second dielectric film 12.
  • the stepped portion formed by the difference from the height is tapered.
  • the interleaved region 9 is tapered, but the intermediate region 8 may be tapered.
  • FIG. 27A is a schematic top view of acoustic wave element 327 according to Embodiment 7 of the present invention.
  • 27B is a schematic cross-sectional view taken along 27B-27B (electrode finger stretching direction) in FIG. 27A.
  • the configurations of the piezoelectric substrate 2, the IDT electrode 3, and the reflector electrode 4 are the same as those in FIG. 1D.
  • a first dielectric film 10 is formed in the intermediate region 8, and a third dielectric film in which the speed of sound of the transverse wave propagating in the alternating region 9 is faster than the speed of sound of the transverse wave propagating in the first dielectric film 10. 13 is formed.
  • the third dielectric film 13 includes silicon oxide (SiO 2 ), silicon nitride (Si 3 N 4 ), aluminum nitride (AlN), and aluminum oxide. (Al 2 O 3 ), diamond (C), silicon (Si), or the like.
  • the third dielectric film 13 may be an insulating medium in which the sound velocity of the transverse wave propagating through the third dielectric film 13 is faster than the sound velocity of the transverse wave propagating through the first dielectric film 10.
  • the difference between the sound velocity of the main elastic wave in the intermediate region 8 and the sound velocity of the main elastic wave in the alternately arranged region 9 can be reduced. That is, the sound velocity of the main elastic wave in the intermediate region 8 can be made slower than the sound velocity of the main elastic wave in the alternate arrangement region 9. Therefore, it is possible to suppress the main elastic waves in the alternately arranged regions 9 from leaking into the intermediate region 8. As a result, the characteristic loss of the acoustic wave element 327 can be reduced.
  • the frequency temperature characteristics of the acoustic wave element 327 are also improved.
  • the boundary between the first dielectric film 10 and the third dielectric film 13 may be in the alternately arranged region 9 of the IDT electrode 3.
  • the boundary between the first dielectric film 10 and the third dielectric film 13 does not have to be aligned with the tips of the first electrode finger 423 and the second electrode finger 523.
  • Variations in characteristics due to variations in manufacturing the acoustic wave element 327 can be suppressed.
  • the boundary between the first dielectric film 10 and the third dielectric film 13 may be in the intermediate region 8 of the IDT electrode 3. Also in this case, it is not necessary to align the boundary between the first dielectric film 10 and the third dielectric film 13 at the tips of the first electrode finger 423 and the second electrode finger 523. Characteristic variations due to manufacturing variations can be suppressed. In addition, since there is no boundary between the first dielectric film 10 and the third dielectric film 13 in the alternating arrangement region 9 of the IDT electrode 3, the characteristic deterioration of the acoustic wave element 327 can be suppressed.
  • FIGS. 28A and 28B show the configuration in which the first dielectric film 10 is thinner than the IDT electrode 3.
  • an acoustic wave element 328 in the case where the first dielectric film 10 is thicker than the IDT electrode 3 is shown in FIGS. 28A and 28B. Also in this case, it is possible to suppress the main elastic waves in the alternately arranged regions 9 from leaking into the intermediate region 8.
  • FIG. 29A is a schematic top view of acoustic wave element 329 according to Embodiment 8 of the present invention.
  • 29B is a schematic cross-sectional view taken along 29B-29B (electrode finger stretching direction) in FIG. 29A.
  • the configurations of the piezoelectric substrate 2, the IDT electrode 3, and the reflector electrode 4 are the same as those in FIG. 1D.
  • Formed in the intermediate region 8 is a first dielectric film 10 in which the sound velocity of the propagating transverse wave is slower than the sound velocity of the main elastic wave in the alternately arranged region 9.
  • a third dielectric film 13 is formed on the first dielectric film 10 and in the alternately arranged region 9 so that the speed of sound of the transverse wave propagating is higher than the speed of sound of the transverse wave propagating through the first dielectric film 10. Yes.
  • the difference between the sound velocity of the main elastic wave in the intermediate region 8 and the sound velocity of the main elastic wave in the alternately arranged region 9 can be reduced. That is, the sound velocity of the main elastic wave in the intermediate region 8 can be made slower than the sound velocity of the main elastic wave in the alternately arranged region 9. Therefore, it is possible to further suppress the main elastic wave in the alternately arranged region 9 from leaking to the intermediate region 8. As a result, the characteristic loss of the acoustic wave element 329 can be further reduced.
  • the first dielectric film 10 may be formed in a part of the alternately arranged region 9. That is, the boundary between the first dielectric film 10 and the third dielectric film 13 may be in the alternate arrangement region 9.
  • the boundary between the first dielectric film 10 and the third dielectric film 13 may be in the alternate arrangement region 9.
  • the first dielectric film 10 may not be formed in a part of the intermediate region 8. That is, the boundary between the first dielectric film 10 and the third dielectric film 13 may be in the intermediate region 8. Also in this case, the boundary between the first dielectric film 10 and the third dielectric film 13 does not have to be aligned with the tips of the first electrode finger 423 and the second electrode finger 523, and Characteristic variations due to manufacturing variations can be suppressed. In addition, since there is no boundary between the first dielectric film 10 and the third dielectric film 13 in the alternately arranged region 9, it is possible to suppress the characteristic deterioration of the acoustic wave element 329.
  • FIG. 29A and 29B show a configuration in which the first dielectric film 10 is thinner than the IDT electrode 3.
  • FIG. 30A and FIG. 30B show an acoustic wave device 330 when the first dielectric film 10 is thicker than the IDT electrode 3. Also in this case, the above effect can be obtained.
  • FIG. 31A is a schematic top view of acoustic wave element 331 according to Embodiment 9 of the present invention.
  • 31B is a schematic cross-sectional view taken along 31B-31B (electrode finger stretching direction) of FIG. 31A.
  • FIG. 31C is a diagram showing the sound velocity of the main elastic wave in FIG. 31B.
  • the configurations of the piezoelectric substrate 2, the IDT electrode 3, and the reflector electrode 4 are the same as those in FIG. 1D.
  • a fourth dielectric film 14 is formed between the first dielectric film 10 and the IDT electrode 3.
  • the fourth dielectric film 14 is used to prevent electrode oxidation, corrosion, disconnection, and the like, and materials such as AlN, Al 2 O 3 , SiO 2 , SiN, and SiON are used.
  • the deterioration of the characteristics of the acoustic wave element 331 in the process of forming the first dielectric film 10 is suppressed, and the passivation effect is enhanced.
  • the fourth dielectric film 14 may not be formed in the alternate arrangement region 9.
  • the difference between the sound velocity of the main elastic wave in the intermediate region 8 and the sound velocity of the main elastic wave in the alternate arrangement region 9 can be reduced. That is, the sound velocity of the main elastic wave in the intermediate region 8 can be made slower than the sound velocity of the main elastic wave in the alternately arranged region 9. Therefore, it is possible to further suppress the main elastic wave in the alternately arranged region 9 from leaking to the intermediate region 8. As a result, the characteristic loss of the acoustic wave element 331 can be further reduced.
  • 31A to 31C show the structure and characteristics of the acoustic wave element 331 when the first dielectric film 10 is thinner than the IDT electrode 3.
  • the acoustic wave device 332 has the structure shown in FIGS. 32A and 32B and the characteristics shown in FIG. 32C. Also in this case, the above effect can be obtained.
  • FIG. 33A is a schematic top view of acoustic wave element 333 according to Embodiment 10 of the present invention.
  • 33B is a schematic cross-sectional view taken along 33B-33B (electrode finger stretching direction) of FIG. 33A.
  • FIG. 33C is a schematic cross-sectional view of the wiring electrode taken along line 33C-33C in FIG. 33A.
  • the configurations of the piezoelectric substrate 2, the IDT electrode 3, and the reflector electrode 4 are the same as those in FIG. 1D.
  • the first dielectric film 10 is formed on the intermediate region 8 of the acoustic wave element 333 and the first wiring electrode 15.
  • a second wiring electrode 16 is formed above the first dielectric film 10.
  • the first wiring electrode 15 and the second wiring electrode 16 are disposed on the piezoelectric substrate 2 and electrically connect the IDT electrode 3 to other circuits, electrodes, terminals, and the like.
  • the difference between the sound velocity of the main elastic wave in the intermediate region 8 and the sound velocity of the main elastic wave in the alternate arrangement region 9 can be reduced. That is, the sound velocity of the main elastic wave in the intermediate region 8 can be slower than the sound velocity of the main elastic wave in the alternately arranged region 9. Therefore, it is possible to suppress the main elastic waves in the alternately arranged regions 9 from leaking into the intermediate region 8.
  • the anti-resonance frequency of the acoustic wave element 333 can be controlled by the capacitance generated by forming the first dielectric film 10 in the region where the first wiring electrode 15 and the second wiring electrode 16 intersect three-dimensionally. .
  • FIGS. 34A to 34C show the structure and characteristics of the acoustic wave element 333 when the thickness of the first dielectric film 10 is smaller than the thickness of the IDT electrode 3.
  • an acoustic wave element 334 in the case where the first dielectric film 10 is thicker than the IDT electrode 3 is shown in FIGS. 34A to 34C. Also in this case, the above effect can be obtained.
  • the elastic wave device has an effect of suppressing leakage of main elastic waves from the alternately arranged region to the intermediate region, and is applied to an electronic device such as a mobile phone.

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Abstract

　弾性波素子は、圧電基板と、ＩＤＴ電極と、第１の誘電体膜とを有する。ＩＤＴ電極は、第１のバスバー電極と、第２のバスバー電極と、第１の電極指と、第２の電極指とを有する。圧電基板上には、バスバー電極領域と、交互配置領域と、中間領域が形成されている。第１の誘電体膜は、中間領域の少なくとも一部に形成され、第１の誘電体膜を伝搬する横波の音速が、交互配置領域における主要弾性波の音速より遅い媒質からなる。

Description

弾性波素子
　本発明は、圧電効果を利用した弾性波素子に関する。
　図３５Ａは、従来の弾性波素子の上面模式図である。図３５Ｂは、図３５Ａの３５Ｂ－３５Ｂ（電極指延伸方向）における断面模式図である。図３５Ｃは、図３５Ｂにおける主要弾性波の音速を示す図である。
　弾性波素子１０１は、タンタル酸リチウム系の圧電基板１０２と、ＩＤＴ（ＩｎｔｅｒＤｉｇｉｔａｌ　Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）電極１０３と、反射器電極１０４を有する。ＩＤＴ電極１０３は、圧電基板１０２の上に形成され、波長λの主要弾性波を励振させる。反射器電極１０４は、圧電基板１０２の上に、ＩＤＴ電極１０３を挟むように形成されている。
　ＩＤＴ電極１０３は、第１のバスバー電極１２１と、第１のバスバー電極１２１に対向した第２のバスバー電極２２１とを有する。さらに、ＩＤＴ電極１０３は、第１のバスバー電極１２１から第２のバスバー電極２２１に向けて延伸された第１の電極指１２３と、第２のバスバー電極２２１から第１のバスバー電極１２１に向けて延伸された第２の電極指２２３とを有する。さらに、ＩＤＴ電極１０３は、第１のバスバー電極１２１から第２のバスバー電極２２１に向けて延伸された第１のダミー電極１２２と、第２のバスバー電極２２１から第１のバスバー電極１２１に向けて延伸された第２のダミー電極２２２とを有する。
　圧電基板１０２の上には、バスバー電極領域１０６と、ダミー電極領域１０７と、中間領域１０８と、交互配置領域１０９とが形成されている。バスバー電極領域１０６には、第１のバスバー電極１２１または第２のバスバー電極２２１が配置されている。ダミー電極領域１０７には、第１のダミー電極１２２と第１の電極指１２３もしくは第２のダミー電極２２２と第２の電極指２２３のうちどちらかが配置されている。交互配置領域１０９には、第１の電極指１２３と第２の電極指２２３が交互に配置されている。中間領域１０８には、第１の電極指１２３と第２の電極指２２３のうちのどちらか一方が配置されている。
　さらに、バスバー電極領域１０６の一部に例えば重金属層１１０を形成して厚くすることで、交互配置領域１０９内における主要弾性波を弾性波素子１０１内に閉じ込めることができる。
　しかしながら、弾性波素子１０１では、重金属層１１０がＩＤＴ電極１０３のバスバー電極領域１０６にしか形成できず、主要弾性波の交互配置領域１０９内における閉じ込め効果が十分ではない。
　タンタル酸リチウム系の圧電基板１０２で形成した共振器において、ＩＤＴ電極１０３によって励振される主要弾性波のエネルギーは音速が速い領域に移動する傾向を示す。これは、タンタル酸リチウム系の圧電基板は、伝搬方向の異方性指数が、γ＜０であるからである。
　図３５Ｃに示すように、中間領域１０８における主要弾性波の音速が、交互配置領域１０９における主要弾性波の音速よりも速い。そのため、交互配置領域１０９の主要弾性波が中間領域１０８に漏れることにより、弾性波素子１０１の特性ロスが発生する場合がある。
　なお、この発明に関連する先行技術文献として特許文献１、２が知られている。
特許第３４１２６１号公報 特許第３９２９４１５号公報
　本発明の弾性波素子は、圧電基板と、圧電基板に接して設けられたＩＤＴ電極と、第１の誘電体膜を有する。ＩＤＴ電極は、第１のバスバー電極と、第１のバスバー電極に対向した第２のバスバー電極と、第１のバスバー電極から第２のバスバー電極に向けて延伸された第１の電極指と、第２のバスバー電極から第１のバスバー電極に向けて延伸された第２の電極指とを有する。圧電基板上には、第１のバスバー電極と第２のバスバー電極のうちどちらか一方が配置されたバスバー電極領域と、第１の電極指と第２の電極指が交互に配置された交互配置領域と、第１の電極指と第２の電極指のうちのどちらか一方が配置された中間領域が形成されている。
　圧電基板とＩＤＴ電極で構成された積層体の最表面で、かつ中間領域における第１、第２の電極指の延伸方向の少なくとも一部に、第１の誘電体膜が形成されている。第１の誘電体膜は、第１の誘電体膜を伝搬する横波の音速が、交互配置領域における主要弾性波の音速より遅い媒質で形成されている。
図１Ａは、本発明の実施の形態１における弾性波素子の上面模式図である。 図１Ｂは、図１Ａの１Ｂ－１Ｂにおける断面模式図である。 図１Ｃは、図１Ｂにおける主要弾性波の音速を示す図である。 図１Ｄは、本発明の実施の形態１における圧電基板とＩＤＴ電極と反射器電極の構成を示す上面模式図である。 図２Ａは、本発明の実施の形態１における他の弾性波素子の上面模式図である。 図２Ｂは、図２Ａの２Ｂ－２Ｂにおける断面模式図である。 図２Ｃは、図２Ｂにおける主要弾性波の音速を示す図である。 図３は、従来の弾性波素子の特性を示す図である。 図４は、本発明の実施の形態１における弾性波素子の特性を示す図である。 図５Ａは、本発明の実施の形態１における他の弾性波素子の上面模式図である。 図５Ｂは、図５Ａの５Ｂ－５Ｂにおける断面模式図である。 図６Ａは、本発明の実施の形態１における他の弾性波素子の上面模式図である。 図６Ｂは、図６Ａの６Ｂ－６Ｂにおける断面模式図である。 図７Ａは、本発明の実施の形態１における他の弾性波素子の上面模式図である。 図７Ｂは、図７Ａの７Ｂ－７Ｂにおける断面模式図である。 図８Ａは、本発明の実施の形態１における他の弾性波素子の上面模式図である。 図８Ｂは、図８Ａの８Ｂ－８Ｂにおける断面模式図である。 図９Ａは、本発明の実施の形態１における他の弾性波素子の上面模式図である。 図９Ｂは、図９Ａの９Ｂ－９Ｂにおける断面模式図である。 図１０Ａは、本発明の実施の形態１における他の弾性波素子の上面模式図である。 図１０Ｂは、図１０Ａの１０Ｂ－１０Ｂにおける断面模式図である。 図１１Ａは、本発明の実施の形態１における他の弾性波素子の上面模式図である。 図１１Ｂは、図１１Ａの１１Ｂ－１１Ｂにおける断面模式図である。 図１２Ａは、本発明の実施の形態１における他の弾性波素子の上面模式図である。 図１２Ｂは、図１２Ａの１２Ｂ－１２Ｂにおける断面模式図である。 図１３Ａは、本発明の実施の形態１における他の弾性波素子の上面模式図である。 図１３Ｂは、図１３Ａの１３Ｂ－１３Ｂにおける断面模式図である。 図１４Ａは、本発明の実施の形態１における他の弾性波素子の上面模式図である。 図１４Ｂは、図１４Ａの１４Ｂ－１４Ｂにおける断面模式図である。 図１５Ａは、本発明の実施の形態１における他の弾性波素子の上面模式図である。 図１５Ｂは、図１５Ａの１５Ｂ－１５Ｂにおける断面模式図である。 図１６Ａは、本発明の実施の形態２における弾性波素子の上面模式図である。 図１６Ｂは、図１６Ａの１６Ｂ－１６Ｂにおける断面模式図である。 図１６Ｃは、図１６Ｂにおける主要弾性波の音速を示す図である。 図１６Ｄは、本発明の実施の形態２における圧電基板とＩＤＴ電極と反射器電極の構成を示す上面模式図である。 図１７Ａは、本発明の実施の形態２における他の弾性波素子の上面模式図である。 図１７Ｂは、図１７Ａの１７Ｂ－１７Ｂにおける断面模式図である。 図１７Ｃは、図１７Ｂにおける主要弾性波の音速を示す図である。 図１８Ａは、本発明の実施の形態３における弾性波素子の上面模式図である。 図１８Ｂは、図１８Ａの１８Ｂ－１８Ｂにおける断面模式図である。 図１８Ｃは、図１８Ｂにおける主要弾性波の音速を示す図である。 図１９Ａは、本発明の実施の形態３における他の弾性波素子の上面模式図である。 図１９Ｂは、図１９Ａの１９Ｂ－１９Ｂにおける断面模式図である。 図２０Ａは、本発明の実施の形態３における他の弾性波素子の上面模式図である。 図２０Ｂは、図２０Ａの２０Ｂ－２０Ｂにおける断面模式図である。 図２０Ｃは、図２０Ｂにおける主要弾性波の音速を示す図である。 図２１Ａは、本発明の実施の形態３における他の弾性波素子の上面模式図である。 図２１Ｂは、図２１Ａの２１Ｂ－２１Ｂにおける断面模式図である。 図２２Ａは、本発明の実施の形態４における弾性波素子の上面模式図である。 図２２Ｂは、図２２Ａの２２Ｂ－２２Ｂにおける断面模式図である。 図２２Ｃは、図２２Ｂにおける主要弾性波の音速を示す図である。 図２３Ａは、本発明の実施の形態４における他の弾性波素子の上面模式図である。 図２３Ｂは、図２３Ａの２３Ｂ－２３Ｂにおける断面模式図である。 図２４Ａは、本発明の実施の形態４における他の弾性波素子の上面模式図である。 図２４Ｂは、図２４Ａの２４Ｂ－２４Ｂにおける断面模式図である。 図２５Ａは、本発明の実施の形態５における弾性波素子の上面模式図である。 図２５Ｂは、図２５Ａの２５Ｂ－２５Ｂにおける断面模式図である。 図２５Ｃは、図２５Ｂにおける主要弾性波の音速を示す図である。 図２６Ａは、本発明の実施の形態６における弾性波素子の上面模式図である。 図２６Ｂは、図２６Ａの２６Ｂ－２６Ｂにおける断面模式図である。 図２７Ａは、本発明の実施の形態７における弾性波素子の上面模式図である。 図２７Ｂは、図２７Ａの２７Ｂ－２７Ｂにおける断面模式図である。 図２８Ａは、本発明の実施の形態７における他の弾性波素子の上面模式図である。 図２８Ｂは、図２８Ａの２８Ｂ－２８Ｂにおける断面模式図である。 図２９Ａは、本発明の実施の形態８における弾性波素子の上面模式図である。 図２９Ｂは、図２９Ａの２９Ｂ－２９Ｂにおける断面模式図である。 図３０Ａは、本発明の実施の形態８における他の弾性波素子の上面模式図である。 図３０Ｂは、図３０Ａの３０Ｂ－３０Ｂにおける断面模式図である。 図３１Ａは、本発明の実施の形態９における弾性波素子の上面模式図である。 図３１Ｂは、図３１Ａの３１Ｂ－３１Ｂにおける断面模式図である。 図３１Ｃは、図３１Ｂにおける主要弾性波の音速を示す図である。 図３２Ａは、本発明の実施の形態９における他の弾性波素子の上面模式図である。 図３２Ｂは、図３２Ａの３２Ｂ－３２Ｂにおける断面模式図である。 図３２Ｃは、図３２Ｂにおける主要弾性波の音速を示す図である。 図３３Ａは、本発明の実施の形態１０における弾性波素子の上面模式図である。 図３３Ｂは、図３３Ａの３３Ｂ－３３Ｂにおける断面模式図である。 図３３Ｃは、図３３Ａの３３Ｃ－３３Ｃにおける配線電極の断面模式図である。 図３４Ａは、本発明の実施の形態１０における他の弾性波素子の上面模式図である。 図３４Ｂは、図３４Ａの３４Ｂ－３４Ｂにおける断面模式図である。 図３４Ｃは、図３４Ａの３４Ｃ－３４Ｃにおける配線電極の断面模式図である。 図３５Ａは、従来の弾性波素子の上面模式図である。 図３５Ｂは、図３５Ａの３５Ｂ－３５Ｂにおける断面模式図である。 図３５Ｃは、図３５Ｂにおける主要弾性波の音速を示す図である。 図３５Ｄは、従来の圧電基板とＩＤＴ電極と反射器電極の構成を示す上面模式図である。
　以下に発明を実施するための形態を図面を参照して説明する。各実施の形態において、同一の要素は同一の符号を付し、その説明を省略する。
　（実施の形態１）
　図１Ａは、本発明の実施の形態１における弾性波素子の上面模式図である。図１Ｂは、図１Ａの１Ｂ－１Ｂ（電極指延伸方向）における断面模式図である。図１Ｃは、図１Ｂにおける主要弾性波の音速を示す図である。図１Ｄは、本発明の実施の形態１における圧電基板とＩＤＴ電極と反射器電極の構成を示す上面模式図である。
　弾性波素子１は、圧電基板２と、ＩＤＴ（ＩｎｔｅｒＤｉｇｉｔａｌ　Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）電極３と、第１の誘電体膜１０と、反射器電極４とを有する。
　ＩＤＴ電極３は、第１のバスバー電極４２１と、第１のバスバー電極４２１に対向した第２のバスバー電極５２１とを有する。さらにＩＤＴ電極３は、第１のバスバー電極４２１から第２のバスバー電極５２１に向けて延伸された第１の電極指４２３と、第２のバスバー電極５２１から第１のバスバー電極４２１に向けて延伸された第２の電極指５２３とを有する。さらに、ＩＤＴ電極３は、第１のバスバー電極４２１から第２のバスバー電極５２１に向けて延伸された第１のダミー電極４２２と、第２のバスバー電極５２１から第１のバスバー電極４２１に向けて延伸された第２のダミー電極５２２とを有する。
　圧電基板２の上には、電極指延伸方向において、ＩＤＴ電極３の外側から順に、バスバー電極領域６と、ダミー電極領域７と、中間領域８と、交互配置領域９とが形成されている。
　バスバー電極領域６には、第１のバスバー電極４２１または第２のバスバー電極５２１が配置されている。ダミー電極領域７には、第１のダミー電極４２２と第１の電極指４２３もしくは第２のダミー電極５２２と第２の電極指５２３のうちどちらか一方が配置されている。
　交互配置領域９には、第１の電極指４２３と第２の電極指５２３が交互に配置されている。中間領域８には、第１の電極指４２３と第２の電極指５２３のうちのどちらか一方が配置されている。ＩＤＴ電極３は、主要弾性波を励振させる。
　第１の誘電体膜１０は、中間領域８、ダミー電極領域７、およびバスバー電極領域６に形成されており、交互配置領域９には形成されていない。交互配置領域９におけるＩＤＴ電極３は露出されている。すなわち、第１の誘電体膜１０が、圧電基板２とＩＤＴ電極３で構成された積層体７００の最表面で、中間領域８、ダミー電極領域７、およびバスバー電極領域６における第１、第２の電極指の延伸方向に沿って形成されている。
　第１の誘電体膜１０は、第１の誘電体膜１０を伝搬する横波の音速が、交互配置領域９における主要弾性波の音速より遅い媒質からなる。
　尚、本実施の形態においては、電極指延伸方向において、バスバー電極領域６側を「外側」といい、交互配置領域９側を「内側」と呼ぶ。
　ＩＤＴ電極３は、圧電基板２の上に形成され、波長λの主要弾性波（Ｓｈｅａｒ　Ｈｏｒｉｚｏｎｔａｌ波等の弾性表面波）を励振させる。反射器電極４は、圧電基板２の上に、ＩＤＴ電極３を挟むように形成されている。このとき波長λは図１Ｄにおける電極ピッチ６０の２倍とする。
　上記の構成により、図１Ｃに示すように、中間領域８における主要弾性波の音速と交互配置領域９における主要弾性波の音速との差を小さくできる。すなわち、中間領域８における主要弾性波の音速を交互配置領域９における主要弾性波の音速より遅くできるため、交互配置領域９の主要弾性波が中間領域８に漏れることを抑制できる。その結果、弾性波素子１の特性ロスを低減できる。
　本実施の形態の弾性波素子１の各構成について以下に詳述する。圧電基板２は、例えば、伝搬方向の異方性指数γが負（以降γ＜０と記す）であるタンタル酸リチウム系の基板である。本実施の形態では、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）基板を用いている。ここで、異方性指数γ＜０の圧電基板とは、主要弾性波の伝搬方向に対する逆速度面が凹面となる圧電基板である。より具体的には、例えば、３６°～５０°ＹカットＸ伝搬タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）基板である。
　ＩＤＴ電極３は、例えば、アルミニウム、銅、銀、金、チタン、タングステン、白金、クロム、若しくはモリブデンからなる単体金属、又はこれらを主成分とする合金又はこれらの金属が積層された構成である。ＩＤＴ電極３の厚さは、主要弾性波の波長をλとした場合に、０．０１λ～０．２λ程度である。
　尚、図１Ａでは、ＩＤＴ電極３は、ＩＤＴ電極３の電極指の交差幅が略一定の正規型の構成を示している。しかし、横モードのスプリアス抑圧のために、ＩＤＴ電極３の中央から反射器電極４に近づくに従って交差幅が小さくなるようなアポダイズ重み付けが施されていても良い。このとき、交互配置領域９は、上面から見て菱型となる。
　第１の誘電体膜１０は、例えば、酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）、酸化テルル（ＴｅＯ２）又は酸化ケイ素（ＳｉＯ２）等からなる。しかしこれらの材料に限らず、第１の誘電体膜１０を伝搬する横波の音速が、交互配置領域における主要弾性波の音速より遅い絶縁媒質であればよい。特に、酸化タンタルや酸化テルルは、横波の音速が交互配置領域における主要弾性波の音速より十分に遅い媒質であるので、第１の誘電体膜１０として好ましい。
　第１の誘電体膜１０が酸化タンタルの場合、第１の誘電体膜１０がＩＤＴ電極３より薄くても主要弾性波の交互配置領域９への閉じ込め効果を得ることができる。具体的には、中間領域８の上方における第１の誘電体膜１０の膜厚Ａは、０．００１λ以上、０．１λ以下が望ましい。第１の誘電体膜１０の膜厚Ａが０．００１λ未満の場合は、中間領域８の主要弾性波の音速を十分に下げることができず、第１の誘電体膜１０の膜厚Ａが０．１λより大きい場合は、弾性波素子の特性劣化を招くおそれがあるからである。
　尚、本実施の形態でいう「誘電体膜の膜厚」とは、ＩＤＴ電極３の電極指形成箇所（例えば図１Ａにおける１Ｂ－１Ｂ断面のダミー電極領域７）であれば、図１Ｂに示すように、「ＩＤＴ電極３の上面から第１の誘電体膜１０の上面までの距離Ｃ」をいう。あるいは、ＩＤＴ電極３の電極指が形成されていない箇所（例えば図１Ａにおける１Ｂ－１Ｂ断面の中間領域８、或は図１ＡのＢ－Ｂ´断面のダミー電極領域７、中間領域８、交互配置領域９）では、図１Ｂに示すように、「圧電基板２の上面から第１の誘電体膜１０の上面までの距離Ａ」をいう。
　図２Ａは、本発明の実施の形態１における弾性波素子３０２の上面模式図である。図２Ｂは、図２Ａの２Ｂ－２Ｂ（電極指延伸方向）における断面模式図である。図２Ｃは、図２Ｂにおける主要弾性波の音速を示す図である。
　第１の誘電体膜１０が酸化ケイ素の場合、図２Ｂに示すように、第１の誘電体膜１０がＩＤＴ電極３より厚い場合に特に上記主要弾性波の交互配置領域９への閉じ込め効果を十分に得ることができる。具体的には、中間領域８の上方における第１の誘電体膜１０の膜厚Ａは、０．０５λ以上、１λ以下が望ましい。第１の誘電体膜１０の膜厚Ａが０．０５λ未満の場合は、中間領域８の主要弾性波の音速を十分に下げることができず、第１の誘電体膜１０の膜厚Ａが１λより大きい場合は、弾性波素子３０２の特性劣化を招くおそれがあるからである。
　図３は、図１Ａ、図１Ｂにおいて第１の誘電体膜１０を形成していない場合の弾性波素子の通過特性を示す図である。縦軸は通過特性（ｄＢ）を示し、横軸は周波数（ＭＨｚ）を示す。圧電基板２は４３°ＹカットＸ伝搬のタンタル酸リチウム基板である。図１Ｄにおいて、ＩＤＴ電極３の交互配置領域９の幅６１（電極指交差幅６１）が２５λ、ＩＤＴ電極３のダミー電極領域７の幅６２（ダミー電極長６２）が１λである。ＩＤＴ電極のピッチは１．２μｍ、反射器電極４の電極指の本数が３０本、ＩＤＴ電極３の電極指対の数が１００対、ＩＤＴ電極３のデューティ比（電極指幅／ピッチ）が０．５である。１端子対共振器として弾性波素子を構成し、ＩＤＴ電極３の中間領域８の幅が０．２６λの場合（破線）と、０．３２λの場合（実線）の弾性波素子の周波数通過特性を実測している。
　図３に示すように、第１の誘電体膜１０を形成しない場合の弾性波素子において、ＩＤＴ電極３の中間領域８の幅が０．２６λの場合も、０．３２λの場合も、共振周波数付近（破線で囲んだ部分）で通過特性の損失が発生している。
　図４は、図１Ａ、図１Ｂに示す弾性波素子１の特性を示す図である。すなわち中間領域８と、ダミー電極領域７と、バスバー電極領域６の上に第１の誘電体膜１０を形成した場合の弾性波素子１の通過特性を示している。縦軸は通過特性を示し、横軸は周波数を示している。第１の誘電体膜１０として厚さ（図１の中間領域８における圧電基板２の上面から第１の誘電体膜１０の上面までの高さＡ）が０．０１８λの酸化タンタルが形成されていること以外は、図３の特性を示す弾性波素子と同様である。ＩＤＴ電極３の中間領域８の幅が０．２６λの場合（破線）と、０．３２λの場合（実線）の弾性波素子１の周波数通過特性を実測している。
　図４に示すように、第１の誘電体膜１０を形成することにより、ＩＤＴ電極３の中間領域８の幅が０．２６λの場合も、０．３２λの場合も、共振周波数付近（破線で囲んだ部分）での通過特性の損失が改善されている。図３と比較して図４では、通過特性の損失が、１６５０Ｈｚ～１６７０Ｈｚにおいて０．０１５ｄＢ程度低減している。
　尚、交互配置領域９を除いて中間領域８とダミー電極領域７とバスバー電極領域６に第１の誘電体膜１０を形成する方法としては、ＩＤＴ電極３上に第１の誘電体膜１０を成膜した後に交互配置領域９の第１の誘電体膜１０をエッチングにより除去してもよい。または、ＩＤＴ電極３の交互配置領域９をマスキングし、ＩＤＴ電極３の上に第１の誘電体膜１０を成膜してもよい。
　尚、図２Ｂには、中間領域８とダミー電極領域７とバスバー電極領域６の上方における、圧電基板２の上面から第１の誘電体膜１０の上面までの高さを一定とした弾性波素子３０２を示している。このような構成は、例えばＩＤＴ電極３の交互配置領域９の上方の第１の誘電体膜１０をエッチングにより除去する前か後に、第１の誘電体膜１０の上面が平坦になるように第１の誘電体膜１０を研磨することにより得られる。但し、第１の誘電体膜１０の上面は平坦でなくとも良い。
　図５Ａは、本発明の実施の形態１における弾性波素子３０５の上面模式図である。図５Ｂは、図５Ａの５Ｂ－５Ｂ（電極指延伸方向）における断面模式図である。
　図５Ａ、５Ｂに示すように、第１の誘電体膜１０は、少なくとも中間領域８に形成されていれば良い。ダミー電極領域７やバスバー電極領域６に第１の誘電体膜１０が形成されてなくても良い。この場合も、弾性波素子３０５において、中間領域８における主要弾性波の音速と交互配置領域９における主要弾性波の音速との差を小さくできる。すなわち、中間領域８における主要弾性波の音速を交互配置領域９における主要弾性波の音速より遅くすることができるため、交互配置領域９の主要弾性波が中間領域８に漏れることを抑制できる。その結果、弾性波素子３０５の特性ロスを低減できる。尚、図５Ａ、図５Ｂでは、第１の誘電体膜１０がＩＤＴ電極３より薄い場合の弾性波素子３０５の断面を示している。第１の誘電体膜１０がＩＤＴ電極３より厚い場合の弾性波素子３０６を図６Ａ、図６Ｂに示す。この場合も、交互配置領域９の主要弾性波が中間領域８に漏れることを抑制することができる。
　また、図７Ａ、図７Ｂに示す弾性波素子３０７のように、ＩＤＴ電極３の交互配置領域９において、中間領域８側の端部から交互配置領域９の内側の所定領域に第１の誘電体膜１０が形成されていてもよい。すなわち、交互配置領域９の一部に第１の誘電体膜１０が形成されていてもよい。電極指延伸方向における交互配置領域９の中央部１１には、第１の誘電体膜１０は形成されていない。このような構成にすることにより、第１のダミー電極４２２、第２のダミー電極５２２の先端に第１の誘電体膜１０の端部を合わせなくとも良い。そのため、弾性波素子３０７の製造ばらつきによる特性ばらつきを抑制できる。また、弾性波素子３０７において、中間領域８における主要弾性波の音速と交互配置領域９の中央部１１における主要弾性波の音速との差を小さくできる。すなわち、中間領域８における主要弾性波の音速を交互配置領域９の中央部１１における主要弾性波の音速より遅くできる。そのため、交互配置領域９の主要弾性波がより中央部１１に集中し、中間領域８に漏れることを更に抑制できる。その結果、弾性波素子３０７の特性ロスを低減できる。尚、図７Ｂでは、第１の誘電体膜１０がＩＤＴ電極３より薄い場合の弾性波素子３０７の断面を示している。一方、第１の誘電体膜１０がＩＤＴ電極３より厚い場合の弾性波素子３０８を図８Ａ、図８Ｂに示す。この場合も、交互配置領域９の主要弾性波が中間領域８に漏れることを抑制できる。
　さらに、図９Ａ、図９Ｂに示す弾性波素子３０９のように、ＩＤＴ電極３の中間領域８において、交互配置領域９の端部から中間領域８の所定領域には第１の誘電体膜１０が形成されていなくてもよい。すなわち、中間領域８の一部に第１の誘電体膜１０が形成されていなくてもよい。このような構成にすることにより、第１のダミー電極４２２、第２のダミー電極５２２の先端に第１の誘電体膜１０の端部を合わせなくとも良い。そのため、弾性波素子３０９の製造ばらつきによる特性ばらつきを抑制できる。また、ＩＤＴ電極３の交互配置領域９に第１の誘電体膜１０の形成部と非形成部の境界がないので、弾性波素子３０９の特性劣化を抑制できる。尚、図９Ａ、図９Ｂでは、第１の誘電体膜１０がＩＤＴ電極３より薄い場合の弾性波素子３０９の断面を示している。一方、第１の誘電体膜１０がＩＤＴ電極３より厚い場合の弾性波素子３１０を図１０Ａ、１０Ｂに示す。この場合も、上記の効果が得られる。
　また、図１１Ａ、図１１Ｂに示す弾性波素子３１１のように、交互配置領域９において、第１の誘電体膜１０の端部は、第１の誘電体膜１０の膜厚がバスバー電極領域６から交互配置領域９の中央部１１に向かう方向（図１１Ｂの矢印６００の方向、すなわち第１、第２の電極指の延伸方向）に徐々に小さくなるテーパー形状であってもよい。さらに、図１２Ａ、図１２Ｂに示す弾性波素子３１２のように、中間領域８において、第１の誘電体膜１０の端部は、第１の誘電体膜１０の膜厚が交互配置領域９の中央部１１に向かう方向に徐々に小さくなるテーパー形状であってもよい。尚、図１１Ａ、図１１Ｂ、図１２Ａ、図１２Ｂでは、第１の誘電体膜１０がＩＤＴ電極３より薄い場合の弾性波素子３１１、３１２の構造を示している。しかし、第１の誘電体膜１０がＩＤＴ電極３より厚い場合には、弾性波素子３１１、３１２は夫々例えば図１３Ａ、図１３Ｂ、図１４Ａ、図１４Ｂに示す弾性波素子３１３、３１４となる。さらにまた、図１５Ａ、１５Ｂに示す弾性波素子３１５のように、第１の誘電体膜１０の端部は、圧電基板２の上面から第１の誘電体膜１０の上面までの高さが中間領域８から交互配置領域９にかけて徐々に低くなるテーパー形状であってもよい。
　このように第１の誘電体膜１０の端部をテーパー形状とすることで、第１の誘電体膜１０の形成部と第１の誘電体膜１０の非形成部の境界における主要弾性波の音速の急激な変化を抑制できる。その結果、不要なスプリアスの発生を抑制できる。
　（実施の形態２）
　図１６Ａは、本発明の実施の形態２における弾性波素子の上面模式図である。図１６Ｂは、図１６Ａの１６Ｂ－１６Ｂ（電極指延伸方向）における断面模式図である。図１６Ｃは、図１６Ｂにおける主要弾性波の音速を示す図である。図１６Ｄは、本発明の実施の形態２における圧電基板とＩＤＴ電極と反射器電極の構成を示す上面模式図である。
　実施の形態１と実施の形態２の相違点は、図１６Ａ、図１６Ｂに示すように、ＩＤＴ電極３がダミー電極を含まず、ダミー電極領域７が存在しないことである。
　上記構成においても、図１６Ｃに示すように、中間領域８における主要弾性波の音速と交互配置領域９における主要弾性波の音速との差を小さくできる。すなわち、中間領域８における主要弾性波の音速を交互配置領域９における主要弾性波の音速より遅くできる。そのため、交互配置領域９の主要弾性波が中間領域８に漏れることを抑制できる。その結果、弾性波素子３１６の特性ロスを低減できる。
　尚、図１６Ａ～１６Ｄでは、第１の誘電体膜１０がＩＤＴ電極３より薄い場合を示した。一方、第１の誘電体膜１０がＩＤＴ電極３より厚い場合の弾性波素子３１７の構造を図１７Ａ、図１７Ｂに、特性を図１７Ｃに示す。この場合も、交互配置領域９の主要弾性波が中間領域８に漏れることを抑制できる。
　また、本実施の形態のように、ダミー電極領域７が存在しない構成において、図７Ａ、図７Ｂ、図８Ａ、図８Ｂに示すように、ＩＤＴ電極３の交互配置領域９において、中間領域８側の端部から交互配置領域９の内側の所定領域に第１の誘電体膜１０が形成されていてもよい。
　また、本実施の形態のように、ダミー電極領域７が存在しない構成において、図９Ａ、図９Ｂ、図１０Ａ、図１０Ｂに示すように、ＩＤＴ電極３の中間領域８において、交互配置領域９の端部から中間領域８の所定領域には第１の誘電体膜１０が形成されていなくてもよい。
　また、本実施の形態のように、ダミー電極領域７が存在しない構成において、図１１Ａ～図１５Ｂに示すように、第１の誘電体膜１０の端部において、第１の誘電体膜１０の膜厚がバスバー電極領域６から交互配置領域９の中央部１１に向かう方向に徐々に小さくなるテーパー形状であってもよい。
　また、本実施の形態ではバスバー電極領域６にも第１の誘電体膜１０を形成したが、バスバー電極領域６には第１の誘電体膜１０は形成しなくてもよい。
　（実施の形態３）
　図１８Ａは、本発明の実施の形態３における弾性波素子の上面模式図である。図１８Ｂは、図１８Ａの１８Ｂ－１８Ｂ（電極指延伸方向）における断面模式図である。図１８Ｃは、図１８Ｂにおける主要弾性波の音速を示す図である。本実施の形態において、圧電基板２とＩＤＴ電極３と反射器電極４の構成は図１Ｄと同じである。
　実施の形態１と実施の形態３の相違点は、図１８Ａ、図１８Ｂに示すように、交互配置領域９にも第１の誘電体膜１０が形成され、交互配置領域９における第１の誘電体膜１０の膜厚が、中間領域８における第１の誘電体膜１０の膜厚より薄い点である。
　上記構成においても、図１８Ｃに示すように、中間領域８における主要弾性波の音速と交互配置領域９における主要弾性波の音速との差を小さくできる。すなわち、中間領域８における主要弾性波の音速を交互配置領域９における主要弾性波の音速より遅くすることができる。そのため、交互配置領域９の主要弾性波が中間領域８に漏れることを抑制できる。その結果、弾性波素子３１８の特性ロスを低減できる。
　また、図１９Ａ、図１９Ｂに示す弾性波素子３１９のように、圧電基板２の上面から第１の誘電体膜１０の上面までの高さが中間領域８から交互配置領域９の中央に向かう方向に徐々に低くなってもよい。即ち、交互配置領域９における圧電基板２の上面から第１の誘電体膜１０の上面までの高さと、中間領域８における圧電基板２の上面から第１の誘電体膜１０の上面までの高さとの差からなる段差部分をテーパー形状としてもよい。この構成により、第１の誘電体膜１０の段差部分における主要弾性波の音速の急激な変化を抑制できる。その結果、不要なスプリアスの発生を抑制できる。尚、本実施の形態３の弾性波素子３１９は、図１９ＡのＢ－Ｂ´断面（ＩＤＴ電極３の電極指と電極指の間の電極指延伸方向断面）においても、交互配置領域９における第１の誘電体膜１０の膜厚が、中間領域８における第１の誘電体膜１０の膜厚より薄い。
　また、交互配置領域９における圧電基板２の上面から第１の誘電体膜１０の上面までの高さが、中間領域８における圧電基板２の上面から第１の誘電体膜１０の上面までの高さより低いので、更に、交互配置領域９の主要弾性波が中間領域８に漏れることを抑制できる。その結果、弾性波素子３１９の特性ロスを更に低減できる。
　尚、図１８Ａ、１８Ｂ、図１９Ａ、１９Ｂでは、第１の誘電体膜１０がＩＤＴ電極３より薄い場合の弾性波素子３１８、３１９の構造を示した。しかし、第１の誘電体膜１０がＩＤＴ電極３より厚い場合には、例えば図２０Ａ～２０Ｃ、図２１Ａ、２１Ｂに示す弾性波素子３２０、３２１の構造および特性となる。この場合も、上記の効果が得られる。
　（実施の形態４）
　図２２Ａは、本発明の実施の形態４における弾性波素子３２２の上面模式図である。図２２Ｂは、図２２Ａの２２Ｂ－２２Ｂ（電極指延伸方向）における断面模式図である。図２２Ｃは、図２２Ｂにおける主要弾性波の音速を示す図である。本実施の形態において、圧電基板２とＩＤＴ電極３と反射器電極４の構成は図１Ｄと同じである。圧電基板２は、例えば、伝搬方向の異方性指数γが、γ＜０であるタンタル酸リチウム系の基板である。
　実施の形態１と実施の形態４の相違点は、第１の誘電体膜１０が形成されておらず、第２の誘電体膜１２が交互配置領域９に形成されている点である。また、第２の誘電体膜１２は、第２の誘電体膜１２を伝搬する横波の音速が中間領域８における主要弾性波の音速より速い媒質からなる点である。
　さらにまた、第２の誘電体膜１２は交互配置領域９において形成されており、中間領域８には形成されていない。すなわち、中間領域８とダミー電極領域７とバスバー電極領域６におけるＩＤＴ電極３は露出している。すなわち、第２の誘電体膜１２が、圧電基板２とＩＤＴ電極３で構成された積層体７００の最表面で、かつ交互配置領域９における第１、第２の電極指の延伸方向に沿って形成されている。
　第２の誘電体膜１２は、例えば、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）、窒化アルミ二ウム（ＡｌＮ）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、ダイヤモンド（Ｃ）、若しくはシリコン（Ｓｉ）等からなる。しかし、これらの材料に限らず、第２の誘電体膜１２を伝搬する横波の音速が、中間領域８における主要弾性波の音速より速い絶縁媒質であればよい。特に、窒化アルミ二ウムは、横波の音速が中間領域８における主要弾性波の音速より十分に速い媒質であるので、第２の誘電体膜１２として好ましい。
　上記構成により、図２２Ｃに示すように、中間領域８における主要弾性波の音速と交互配置領域９における主要弾性波の音速との差を小さくできる。すなわち、交互配置領域９における主要弾性波の音速を中間領域８における主要弾性波の音速より速くすることができる。そのため、交互配置領域９の主要弾性波が中間領域８に漏れることを抑制できる。その結果、弾性波素子３２２の特性ロスを低減できる。
　第２の誘電体膜１２が窒化ケイ素や酸化アルミニウムの場合、図２２Ｂに示すように、第１の誘電体膜１０がＩＤＴ電極３より厚い場合に、主要弾性波の交互配置領域９への閉じ込め効果を十分に得ることができる。具体的には、交互配置領域９における第２の誘電体膜１２の膜厚Ｂは、０．０５λ以上、１λ以下が望ましい。第２の誘電体膜１２の膜厚Ｂが０．０５λ未満の場合は、交互配置領域９の主要弾性波の音速を十分に上げることができず、第２の誘電体膜１２の膜厚Ｂが１λより大きい場合は、弾性波素子３２２の特性劣化を招くおそれがある。
　第２の誘電体膜１２が窒化アルミ二ウムの場合、第１の誘電体膜１０の膜厚がＩＤＴ電極３の厚さより小さくても上記主要弾性波の交互配置領域９への閉じ込め効果を得ることができる。具体的には、交互配置領域９における第２の誘電体膜１２の膜厚Ｂは、０．００１λ以上、０．１λ以下が望ましい。第２の誘電体膜１２の膜厚Ｂが０．００１λ未満の場合は、交互配置領域９の主要弾性波の音速を十分に上げることができず、第２の誘電体膜１２の膜厚Ｂが０．１λより大きい場合は、弾性波素子３２２の特性劣化を招くおそれがある。
　また、図２３Ａ、図２３Ｂに示す弾性波素子３２３のように、ＩＤＴ電極３の交互配置領域９において、中間領域８側の端部から交互配置領域９の内側の所定領域に第２の誘電体膜１２が形成されていなくてもよい。すなわち、交互配置領域９の一部に第２の誘電体膜１２が形成されていなくてもよい。交互配置領域９の第１の電極指４２３、第２の電極指５２３の中央部１１のみに第２の誘電体膜１２が形成されてもよい。この場合、ＩＤＴ電極３の電極指の先端に第２の誘電体膜１２の端部を合わせなくても良くなるので、弾性波素子３２３の製造ばらつきによる特性ばらつきを抑制することができる。また、弾性波素子３２３において、中間領域８における主要弾性波の音速と交互配置領域９の中央部１１における主要弾性波の音速との差を小さくできる。すなわち、交互配置領域９の中央部１１における主要弾性波の音速を中間領域８における主要弾性波の音速より速くすることができる。そのため、交互配置領域９の主要弾性波が中央部１１により集中し、中間領域８に漏れることを更に抑制できる。その結果、弾性波素子３２３の特性ロスを低減できる。
　さらに、図２４Ａ、図２４Ｂに示す弾性波素子３２４のように、交互配置領域９の端部から中間領域８の所定領域に第２の誘電体膜１２が形成されていてもよい。すなわち、中間領域８の一部に第２の誘電体膜１２が形成されていてもよい。この場合、第１の電極指４２３、第２の電極指５２３の先端に第２の誘電体膜１２の端部を合わせなくとも良くなるので、弾性波素子３２４の製造ばらつきによる特性ばらつきを抑制できる。また、ＩＤＴ電極３の交互配置領域９に第２の誘電体膜１２の形成部と非形成部の境界がないので、弾性波素子３２４の特性劣化を抑制できる。
　また、図２３Ａ、図２３Ｂ、図２４Ａ、図２４Ｂに示すように、第２の誘電体膜１２の端部は、第２の誘電体膜１２の膜厚が交互配置領域９の中央部１１から中間領域８に向かう方向（図２３Ｂの矢印６１０の方向、すなわち第１、第２の電極指の延伸方向）に徐々に小さくなるテーパー形状であってもよい。このように第２の誘電体膜１２の端部をテーパー形状とすることで、第２の誘電体膜１２の形成部と第２の誘電体膜１２の非形成部の境界における主要弾性波の音速の急激な変化を抑制できる。その結果、不要なスプリアスの発生を抑制できる。
　（実施の形態５）
　図２５Ａは、本発明の実施の形態５における弾性波素子３２５の上面模式図である。図２５Ｂは、図２５Ａの２５Ｂ－２５Ｂ（電極指延伸方向）における断面模式図である。図２５Ｃは、図２５Ｂにおける主要弾性波の音速を示す図である。本実施の形態において、圧電基板２とＩＤＴ電極３と反射器電極４の構成は図１６Ｄと同じである。
　実施の形態４と実施の形態５の相違点は、ＩＤＴ電極３が第１のダミー電極４２２、第２のダミー電極５２２を含まず、ダミー電極領域７が存在しないことである。
　上記構成においても、図２５Ｃに示すように、弾性波素子３２５において、中間領域８における主要弾性波の音速と交互配置領域９における主要弾性波の音速との差を小さくできる。すなわち、交互配置領域９における主要弾性波の音速を中間領域８における主要弾性波の音速より速くすることができる。そのため、交互配置領域９の主要弾性波が中間領域８に漏れることを抑制できる。その結果、弾性波素子３２５の特性ロスを低減できる。
　（実施の形態６）
　図２６Ａは、本発明の実施の形態６における弾性波素子３２６の上面模式図である。図２６Ｂは、図２６Ａの２６Ｂ－２６Ｂ（電極指延伸方向）における断面模式図である。本実施の形態において、圧電基板２とＩＤＴ電極３と反射器電極４の構成は図１Ｄと同じである。
　実施の形態４と実施の形態６の相違点は、少なくとも中間領域８に第２の誘電体膜１２が形成されている点である。図２６では中間領域８とダミー電極領域７とバスバー電極領域６に第２の誘電体膜１２が形成されている。そして、交互配置領域９における第２の誘電体膜１２の膜厚Ｂが、中間領域８における第２の誘電体膜１２の膜厚Ａより大きい点である。
　上記構成においても、中間領域８における主要弾性波の音速と交互配置領域９における主要弾性波の音速との差を小さくできる。すなわち、交互配置領域９における主要弾性波の音速を中間領域８における主要弾性波の音速より速くすることができる。そのため、交互配置領域９の主要弾性波が中間領域８に漏れることを抑制できる。その結果、弾性波素子３２６の特性ロスを低減できる。
　また、交互配置領域９における圧電基板２の上面から第２の誘電体膜１２の上面までの高さが、中間領域８における圧電基板２の上面から第２の誘電体膜１２の上面までの高さより高い。そのため、更に、交互配置領域９の主要弾性波が中間領域８に漏れることを抑制できる。その結果、弾性波素子３２６の特性ロスを更に低減することができる。
　また、図２６Ｂに示すように、弾性波素子３２６の構成の交互配置領域９において、圧電基板２の上面から第２の誘電体膜１２の上面までの高さが、交互配置領域９の中央部１１から中間領域８に向かう方向に徐々に低くなっても良い。即ち、交互配置領域９における圧電基板２の上面から第２の誘電体膜１２の上面までの高さと、中間領域８の上方における圧電基板２の上面から第２の誘電体膜１２の上面までの高さとの差からなる段差部分をテーパー形状とする。この構成により、第２の誘電体膜１２の上面の段差部分における主要弾性波の音速の急激な変化を抑制できる。その結果、不要なスプリアスの発生を抑制できる。なお、図２６Ｂでは、交互配置領域９にテーパー形状を設けたが、中間領域８にテーパー形状を設けてもよい。
　（実施の形態７）
　図２７Ａは、本発明の実施の形態７における弾性波素子３２７の上面模式図である。図２７Ｂは、図２７Ａの２７Ｂ－２７Ｂ（電極指延伸方向）における断面模式図である。本実施の形態において、圧電基板２とＩＤＴ電極３と反射器電極４の構成は図１Ｄと同じである。中間領域８には、第１の誘電体膜１０が形成され、交互配置領域９には伝搬する横波の音速が第１の誘電体膜１０を伝搬する横波の音速より速い第３の誘電体膜１３が形成されている。
　例えば、第１の誘電体膜１０が酸化タンタルの場合、第３の誘電体膜１３は、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）、窒化アルミ二ウム（ＡｌＮ）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、ダイヤモンド（Ｃ）、若しくはシリコン（Ｓｉ）等からなる。第３の誘電体膜１３は、第３の誘電体膜１３を伝搬する横波の音速が第１の誘電体膜１０を伝搬する横波の音速より速い絶縁媒質であればよい。
　上記構成により、弾性波素子３２７において、中間領域８における主要弾性波の音速と交互配置領域９における主要弾性波の音速との差を小さくできる。すなわち中間領域８における主要弾性波の音速を交互配置領域９における主要弾性波の音速より遅くすることができる。そのため、交互配置領域９の主要弾性波が中間領域８に漏れることを抑制できる。その結果、弾性波素子３２７の特性ロスを低減できる。
　また、交互配置領域９に形成された第３の誘電体膜１３が酸化ケイ素（ＳｉＯ２）の場合、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）と圧電基板２とで、周波数の温度係数が逆であるため、上記の効果に加え、弾性波素子３２７の周波数温度特性も向上する。
　また、第１の誘電体膜１０と第３の誘電体膜１３の境界はＩＤＴ電極３の交互配置領域９にあっても良い。このような構成にすることにより、第１の電極指４２３、第２の電極指５２３の先端に第１の誘電体膜１０と第３の誘電体膜１３の境界を合わせなくとも良くなるので、弾性波素子３２７の製造ばらつきによる特性ばらつきを抑制することができる。また、弾性波素子３２７において、交互配置領域９の主要弾性波がより交互配置領域９の中央部１１に集中し、中間領域８に漏れることを更に抑制できる。その結果、弾性波素子３２７の特性ロスを低減できる。
　さらにまた、第１の誘電体膜１０と第３の誘電体膜１３の境界はＩＤＴ電極３の中間領域８にあっても良い。この場合も、第１の電極指４２３、第２の電極指５２３の先端に第１の誘電体膜１０と第３の誘電体膜１３の境界を合わせなくとも良くなるので、弾性波素子３２７の製造ばらつきによる特性ばらつきを抑制できる。また、ＩＤＴ電極３の交互配置領域９に第１の誘電体膜１０と第３の誘電体膜１３の境界がないので、弾性波素子３２７の特性劣化を抑制できる。
　尚、図２７Ａ、図２７Ｂでは、第１の誘電体膜１０がＩＤＴ電極３より薄い場合の構成を示した。一方、第１の誘電体膜１０がＩＤＴ電極３より厚い場合の弾性波素子３２８を図２８Ａ，図２８Ｂに示す。この場合も、交互配置領域９の主要弾性波が中間領域８に漏れることを抑制できる。
　（実施の形態８）
　図２９Ａは、本発明の実施の形態８における弾性波素子３２９の上面模式図である。図２９Ｂは、図２９Ａの２９Ｂ－２９Ｂ（電極指延伸方向）における断面模式図である。本実施の形態において、圧電基板２とＩＤＴ電極３と反射器電極４の構成は図１Ｄと同じである。中間領域８には伝搬する横波の音速が、交互配置領域９における主要弾性波の音速より遅い第１の誘電体膜１０が形成されている。さらに、第１の誘電体膜１０の上と交互配置領域９に、伝搬する横波の音速が第１の誘電体膜１０を伝搬する横波の音速より速い第３の誘電体膜１３が形成されている。第１の誘電体膜１０を第３の誘電体膜１３で保護することにより、弾性波素子３２９の周波数特性の経時変化を抑制し、パッシベーション効果が高められる。
　上記構成により、弾性波素子３２９において、中間領域８における主要弾性波の音速と交互配置領域９における主要弾性波の音速との差を小さくできる。すなわち、中間領域８における主要弾性波の音速を交互配置領域９における主要弾性波の音速より遅くすることができる。そのため、交互配置領域９の主要弾性波が中間領域８に漏れることを更に抑制できる。その結果、弾性波素子３２９の特性ロスを更に低減できる。
　また、第１の誘電体膜１０は、交互配置領域９の一部に形成されていてもよい。すなわち第１の誘電体膜１０と第３の誘電体膜１３の境界は交互配置領域９にあっても良い。このような構成にすることにより、第１の電極指４２３、第２の電極指５２３の先端に第１の誘電体膜１０と第３の誘電体膜１３の境界を合わせなくても良くなり、弾性波素子３２９の製造ばらつきによる特性ばらつきを抑制できる。また、弾性波素子３２９において、交互配置領域９の主要弾性波がより交互配置領域９の中央部１１に集中し、中間領域８に漏れることを更に抑制できる。その結果、弾性波素子３２９の特性ロスを低減できる。
　さらにまた、第１の誘電体膜１０は、中間領域８の一部に形成されていなくてもよい。すなわち第１の誘電体膜１０と第３の誘電体膜１３の境界は中間領域８にあっても良い。この場合も、第１の電極指４２３、第２の電極指５２３の先端に第１の誘電体膜１０と第３の誘電体膜１３の境界を合わせなくても良くなり、弾性波素子３２９の製造ばらつきによる特性ばらつきを抑制できる。また、交互配置領域９に第１の誘電体膜１０と第３の誘電体膜１３の境界がないので、弾性波素子３２９の特性劣化を抑制できる。
　尚、図２９Ａ、図２９Ｂでは、第１の誘電体膜１０がＩＤＴ電極３より薄い場合の構成を示した。一方、第１の誘電体膜１０がＩＤＴ電極３より厚い場合の弾性波素子３３０を図３０Ａ、図３０Ｂに示す。この場合も、上記の効果が得られる。
　（実施の形態９）
　図３１Ａは、本発明の実施の形態９における弾性波素子３３１の上面模式図である。図３１Ｂは、図３１Ａの３１Ｂ－３１Ｂ（電極指延伸方向）における断面模式図である。図３１Ｃは、図３１Ｂにおける主要弾性波の音速を示す図である。本実施の形態において、圧電基板２とＩＤＴ電極３と反射器電極４の構成は図１Ｄと同じである。
　実施の形態１と実施の形態９の相違点は、第１の誘電体膜１０とＩＤＴ電極３との間に第４の誘電体膜１４が形成されている点である。第４の誘電体膜１４は、電極の酸化、腐食、断線などを防ぐために用いられ、ＡｌＮ、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＳｉＮ、ＳｉＯＮなどの材料が用いられる。ＩＤＴ電極を第４の誘電体膜１４で保護することにより、第１の誘電体膜１０の形成工程における弾性波素子３３１の特性劣化を抑制し、パッシベーション効果が高められる。尚、第４の誘電体膜１４は、交互配置領域９には形成しなくてもよい。
　上記構成においても、中間領域８における主要弾性波の音速と交互配置領域９における主要弾性波の音速との差を小さくできる。すなわち、中間領域８における主要弾性波の音速を交互配置領域９における主要弾性波の音速より遅くできる。そのため、交互配置領域９の主要弾性波が中間領域８に漏れることを更に抑制できる。その結果、弾性波素子３３１の特性ロスを更に低減できる。
　尚、図３１Ａ～３１Ｃでは、第１の誘電体膜１０がＩＤＴ電極３より薄い場合の弾性波素子３３１の構造と特性を示している。第１の誘電体膜１０がＩＤＴ電極３より厚い場合の弾性波素子３３２は図３２Ａ、図３２Ｂに示す構造、図３２Ｃに示す特性となる。この場合も、上記の効果が得られる。
　（実施の形態１０）
　図３３Ａは、本発明の実施の形態１０における弾性波素子３３３の上面模式図である。図３３Ｂは、図３３Ａの３３Ｂ－３３Ｂ（電極指延伸方向）における断面模式図である。図３３Ｃは、図３３Ａの３３Ｃ－３３Ｃにおける配線電極の断面模式図である。本実施の形態において、圧電基板２とＩＤＴ電極３と反射器電極４の構成は図１Ｄと同じである。
　本実施の形態では、図３３Ａ～３３Ｃに示すように、第１の誘電体膜１０が弾性波素子３３３の中間領域８及び第１の配線電極１５の上に形成される。そして、第１の誘電体膜１０の上方に第２の配線電極１６が形成されている。第１の配線電極１５と第２の配線電極１６は、圧電基板２の上に配置されると共にＩＤＴ電極３を他の回路、電極、端子等と電気的に接続する。
　上記構成により、中間領域８における主要弾性波の音速と交互配置領域９における主要弾性波の音速との差を小さくできる。すなわち、中間領域８における主要弾性波の音速を交互配置領域９における主要弾性波の音速より遅くきる。そのため、交互配置領域９の主要弾性波が中間領域８に漏れることを抑制できる。また、第１の配線電極１５と第２の配線電極１６が立体交差する領域に第１の誘電体膜１０を形成することで生じる静電容量により、弾性波素子３３３の反共振周波数を制御できる。
　尚、図３３Ａ～３３Ｃでは、第１の誘電体膜１０の膜厚がＩＤＴ電極３の膜厚より小さい場合の弾性波素子３３３の構造と特性を示した。一方、第１の誘電体膜１０がＩＤＴ電極３より厚い場合の弾性波素子３３４を図３４Ａ～３４Ｃに示す。この場合も、上記の効果が得られる。
　本発明にかかる弾性波素子は、交互配置領域から中間領域への主要弾性波の漏れを抑制するという効果を有し、携帯電話等の電子機器に適用される。
　１，１０１，３０２，３０５，３０６，３０７，３０８，３０９，３１０，３１１，３１２，３１３，３１４，３１５，３１６，３１７，３１８，３１９，３２０，３２１，３２２，３２３，３２４，３２５，３２６，３２７，３２８，３２９，３３０，３３１，３３２，３３３，３３４　　弾性波素子
　２　　圧電基板
　３　　ＩＤＴ電極
　４　　反射器電極
　６　　バスバー電極領域
　７　　ダミー電極領域
　８　　中間領域
　９　　交互配置領域
　１０　　第１の誘電体膜
　１１　　中央部
　１２　　第２の誘電体膜
　１３　　第３の誘電体膜
　１４　　第４の誘電体膜
　１５　　第１の配線電極
　１６　　第２の配線電極
　６０　　電極ピッチ
　６１　　交互配置領域の幅（電極指交差幅）
　６２　　ダミー電極領域の幅（ダミー電極長）
　４２１　　第１のバスバー電極
　５２１　　第２のバスバー電極
　４２２　　第１のダミー電極
　５２２　　第２のダミー電極
　４２３　　第１の電極指
　５２３　　第２の電極指
　６００，６１０　　矢印
　７００　　積層体

Claims (20)

  1. 圧電基板と、前記圧電基板に接して設けられたＩＤＴ電極とを備え、
    前記ＩＤＴ電極は、
    　第１のバスバー電極と、前記第１のバスバー電極に対向した第２のバスバー電極と、
    　前記第１のバスバー電極から前記第２のバスバー電極に向けて延伸された第１の電極指と、前記第２のバスバー電極から前記第１のバスバー電極に向けて延伸された第２の電極指とを有し、
    前記圧電基板上には、
    　前記第１のバスバー電極と前記第２のバスバー電極のうちどちらか一方が配置されたバスバー電極領域と、
    　前記第１の電極指と前記第２の電極指が交互に配置された交互配置領域と、
    　前記第１の電極指と前記第２の電極指のうちのどちらか一方が配置された中間領域が形成され、
    第１の誘電体膜が、前記中間領域の少なくとも一部に形成され、
    前記第１の誘電体膜は、前記第１の誘電体膜を伝搬する横波の音速が、前記交互配置領域における主要弾性波の音速より遅い媒質で形成された
    弾性波素子。
  2. 前記圧電基板は、タンタル酸リチウム系の基板である
    請求項１に記載の弾性波素子。
  3. 前記圧電基板における、前記主要弾性波の伝搬方向の異方性指数γが負である
    請求項１に記載の弾性波素子。
  4. 前記第１の誘電体膜は、前記主要弾性波の波長をλとした場合に、０．００１λ以上、０．１λ以下の膜厚を有する酸化タンタルである
    請求項１に記載の弾性波素子。
  5. 前記第１の誘電体膜が前記バスバー電極領域に形成されている
    請求項１に記載の弾性波素子。
  6. 前記ＩＤＴ電極は、前記第１のバスバー電極から前記第２のバスバー電極に向けて延伸された第１のダミー電極と、前記第２のバスバー電極から前記第１のバスバー電極に向けて延伸された第２のダミー電極とをさらに備え、
    前記バスバー電極領域と前記中間領域の間に、前記第１のダミー電極と前記第１の電極指もしくは、前記第２のダミー電極と前記第２の電極指のうちどちらか一方が配置されたダミー電極領域がさらに形成され、
    前記第１の誘電体膜が、前記ダミー電極領域にも形成されている
    請求項１に記載の弾性波素子。
  7. 前記交互配置領域の一部に前記第１の誘電体膜が延伸されている
    請求項１に記載の弾性波素子。
  8. 前記第１、第２の電極指の延伸方向における前記第１の誘電体膜の端部は、前記第１の誘電体膜の膜厚が前記バスバー電極領域から前記交互配置領域に向かう方向に徐々に小さくなるテーパー形状である
    請求項１に記載の弾性波素子。
  9. 前記第１の誘電体膜が前記交互配置領域に延伸され、
    前記交互配置領域における前記第１の誘電体膜は、前記中間領域における前記第１の誘電体膜より薄い
    請求項１に記載の弾性波素子。
  10. 前記交互配置領域における、前記圧電基板の上面から前記第１の誘電体膜の上面までの高さが、前記中間領域における、前記圧電基板の上面から前記第１の誘電体膜の上面までの高さより低い
    請求項１に記載の弾性波素子。
  11. 前記交互配置領域に、第３の誘電体膜をさらに備え、
    前記第３の誘電体膜は、前記第３の誘電体膜を伝搬する横波の音速が、前記第１の誘電体膜を伝搬する横波の音速より速い媒質で形成された
    請求項１に記載の弾性波素子。
  12. 前記第１の誘電体膜と前記ＩＤＴ電極との間に第４の誘電体膜が形成されている
    請求項１に記載の弾性波素子。
  13. 圧電基板と、前記圧電基板に接して設けられたＩＤＴ電極とを備え、
    前記ＩＤＴ電極は、
    　第１のバスバー電極と、前記第１のバスバー電極に対向した第２のバスバー電極と、
    　前記第１のバスバー電極から前記第２のバスバー電極に向けて延伸された第１の電極指と、前記第２のバスバー電極から前記第１のバスバー電極に向けて延伸された第２の電極指とを有し、
    前記圧電基板上には、
    　前記第１のバスバー電極と前記第２のバスバー電極のうちどちらか一方が配置されたバスバー電極領域と、
    　前記第１の電極指と前記第２の電極指が交互に配置された交互配置領域と、
    　前記第１の電極指と前記第２の電極指のうちのどちらか一方が配置された中間領域が形成され、
    第２の誘電体膜が、前記交互配置領域の少なくとも一部に形成され、
    前記第２の誘電体膜は、前記第２の誘電体膜を伝搬する横波の音速が、前記中間領域における主要弾性波の音速より速い媒質で形成された
    弾性波素子。
  14. 前記圧電基板は、タンタル酸リチウム系の基板である
    請求項１３に記載の弾性波素子。
  15. 前記第２の誘電体膜は、前記主要弾性波の波長をλとした場合に、０．０５λ以上、１λ以下の膜厚を有する窒化ケイ素である
    請求項１３に記載の弾性波素子。
  16. 前記第２の誘電体膜は、前記主要弾性波の波長をλとした場合に、０．００１λ以上、０．１λ以下の膜厚を有する窒化アルミ二ウムである
    請求項１３に記載の弾性波素子。
  17. 前記中間領域の一部に前記第２の誘電体膜が延伸されている
    請求項１５に記載の弾性波素子。
  18. 前記第１、第２の電極指の延伸方向における前記第２の誘電体膜の端部は、前記第２の誘電体膜の膜厚が前記交互配置領域から前記バスバー電極領域に向かう方向に徐々に小さくなるテーパー形状である
    請求項１３に記載の弾性波素子。
  19. 前記第２の誘電体膜が前記中間領域に延伸され、前記交互配置領域における前記第２の誘電体膜は、前記中間領域における前記第２の誘電体膜より厚い
    請求項１３に記載の弾性波素子。
  20. 前記交互配置領域における、前記圧電基板の上面から前記第２の誘電体膜の上面までの高さが、前記中間領域における、前記圧電基板の上面から前記第２の誘電体膜の上面までの高さより高い
    請求項１３に記載の弾性波素子。
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Cited By (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014143657A (ja) * 2012-12-27 2014-08-07 Kyocera Corp 弾性波素子、分波器および通信モジュール
JP2014239385A (ja) * 2013-06-10 2014-12-18 太陽誘電株式会社 共振器、フィルタおよび分波器
JP2015089069A (ja) * 2013-11-01 2015-05-07 太陽誘電株式会社 弾性表面波デバイス及びフィルタ
JP2015119413A (ja) * 2013-12-19 2015-06-25 太陽誘電株式会社 弾性表面波デバイス及びフィルタ
US20150280689A1 (en) * 2014-03-26 2015-10-01 Taiyo Yuden Co., Ltd. Surface acoustic wave device and filter
JP2016026444A (ja) * 2011-03-22 2016-02-12 スカイワークス・パナソニック フィルターソリューションズ ジャパン株式会社 弾性波素子
EP3022841A1 (en) * 2013-07-18 2016-05-25 Epcos AG Electroacoustic transducer with improved suppression of unwanted modes
JP2016136712A (ja) * 2015-01-20 2016-07-28 太陽誘電株式会社 弾性波デバイス
JP2016178387A (ja) * 2015-03-18 2016-10-06 太陽誘電株式会社 弾性波デバイス
JP2017011442A (ja) * 2015-06-19 2017-01-12 太陽誘電株式会社 弾性表面波デバイス及びフィルタ
JP2017112603A (ja) * 2015-12-14 2017-06-22 太陽誘電株式会社 弾性波共振器、フィルタおよびデュプレクサ
JP2018088601A (ja) * 2016-11-28 2018-06-07 京セラ株式会社 弾性波素子および弾性波装置
WO2018131454A1 (ja) * 2017-01-13 2018-07-19 株式会社村田製作所 弾性波装置
CN108770380A (zh) * 2015-11-27 2018-11-06 追踪有限公司 具有减少的二阶非线性的电声转换器
US10355668B2 (en) 2015-01-20 2019-07-16 Taiyo Yuden Co., Ltd. Acoustic wave device
WO2020045442A1 (ja) * 2018-08-30 2020-03-05 株式会社村田製作所 弾性波装置及びラダー型フィルタ
WO2020100744A1 (ja) * 2018-11-16 2020-05-22 株式会社村田製作所 弾性波装置
WO2021205987A1 (ja) * 2020-04-06 2021-10-14 株式会社村田製作所 弾性波装置
WO2022059586A1 (ja) * 2020-09-17 2022-03-24 株式会社村田製作所 弾性波装置
WO2022158370A1 (ja) * 2021-01-22 2022-07-28 株式会社村田製作所 弾性波装置
US11588469B2 (en) 2017-10-20 2023-02-21 Murata Manufacturing Co., Ltd. Acoustic wave device

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9322809B2 (en) * 2012-01-20 2016-04-26 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Elastic wave sensor
US9518863B2 (en) * 2012-10-01 2016-12-13 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Elastic wave element and elastic wave sensor using same
CN105814794B (zh) * 2013-12-26 2019-05-17 株式会社村田制作所 弹性波装置以及滤波器装置
JP6686027B2 (ja) 2014-12-16 2020-04-22 スナップトラック・インコーポレーテッド 不要なモードの抑制が改善された電気音響変換器
DE102014118897B4 (de) * 2014-12-17 2019-02-21 Snaptrack, Inc. Wandler für SAW mit unterdrückter Modenkonversion
KR101652297B1 (ko) * 2015-03-31 2016-08-31 (주)와이솔 Saw 필터
JP7441125B2 (ja) 2015-10-14 2024-02-29 タイ ユニオン グループ パブリック カンパニー リミテッド 組織化された食肉製品を製造するための高圧および高温処理（ｈｐｔｐ）の組み合わせ方法ならびにその方法から得られた改良された食肉製品
JP6573836B2 (ja) * 2016-01-13 2019-09-11 太陽誘電株式会社 弾性波共振器、フィルタ、及びデュプレクサ
JP6624289B2 (ja) * 2016-06-28 2019-12-25 株式会社村田製作所 弾性波装置
CN109417379B (zh) * 2016-06-28 2022-08-12 株式会社村田制作所 多工器、高频前端电路及通信装置
US10476481B2 (en) * 2016-08-08 2019-11-12 Qorvo Us, Inc. Acoustic filtering circuitry including capacitor
CN110073596B (zh) * 2016-12-20 2023-03-24 株式会社村田制作所 弹性波装置、高频前端电路以及通信装置
CN110419161B (zh) * 2017-03-23 2023-03-03 株式会社村田制作所 弹性波装置
US10840876B2 (en) 2017-08-23 2020-11-17 Resonant Inc. Temperature compensated acoustic wave devices
JP7027079B2 (ja) * 2017-09-12 2022-03-01 太陽誘電株式会社 弾性波デバイスおよびその製造方法
KR20190138096A (ko) * 2018-06-04 2019-12-12 (주)와이솔 표면 탄성파 소자
US11451212B2 (en) 2019-06-19 2022-09-20 Skyworks Solutions, Inc. Acoustic wave resonator with transverse spurious mode for filter steepness
US11742829B2 (en) 2019-08-28 2023-08-29 Skyworks Solutions, Inc. Multiplexer with filter having increased reflection characteristic
US11652466B2 (en) * 2019-08-29 2023-05-16 Skyworks Solutions, Inc. Suppression of transverse mode spurious signals in surface acoustic wave devices utilizing a dense film above gap region of interdigital transducer electrodes
US11811392B2 (en) * 2019-10-23 2023-11-07 Skyworks Solutions, Inc. Surface acoustic wave resonator with suppressed transverse modes using selective dielectric removal
US11804822B2 (en) * 2019-10-23 2023-10-31 Skyworks Solutions, Inc. Surface acoustic wave resonator with reduced frequency shift
US11881837B2 (en) * 2019-11-21 2024-01-23 Skyworks Solutions, Inc. Acoustic wave device with acoustic velocity regions
FR3105894B3 (fr) * 2019-12-30 2023-11-03 Frecnsys Structure de transducteur pour résonateur à accès unique
US11405017B2 (en) 2020-10-05 2022-08-02 Resonant Inc. Acoustic matrix filters and radios using acoustic matrix filters
WO2023129921A1 (en) * 2021-12-28 2023-07-06 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transatirsely-excited film bulk acoustic resonators with gap dielectric stripes in busbar-electrode gaps

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56100512A (en) * 1980-01-17 1981-08-12 Victor Co Of Japan Ltd Elastic surface wave element and its production
JPH0832397A (ja) * 1994-07-21 1996-02-02 Oki Electric Ind Co Ltd 弾性表面波装置
JP2007110342A (ja) * 2005-10-12 2007-04-26 Kyocera Corp 弾性表面波素子及びその製造方法
JP2009232242A (ja) * 2008-03-24 2009-10-08 Fujitsu Ltd 弾性波素子、フィルタ、通信モジュール、および通信装置
JP2009290472A (ja) * 2008-05-28 2009-12-10 Fujitsu Ltd 弾性波デバイス、フィルタ、通信モジュール、および通信装置
WO2011030519A1 (ja) * 2009-09-11 2011-03-17 パナソニック株式会社 弾性波素子と弾性波素子センサ

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4657587A (en) 1985-02-21 1987-04-14 Canadian Liquid Air Ltd./Air Liquide Canada Ltee Molten metal casting
US5654680A (en) * 1996-01-30 1997-08-05 Motorola, Inc. Saw-based ladder filter including multiple coUpling coefficients (K2), Method therefor and radio incorporating same
JPH1174751A (ja) * 1997-08-28 1999-03-16 Murata Mfg Co Ltd 弾性表面波装置
JP3412611B2 (ja) * 2000-09-25 2003-06-03 株式会社村田製作所 弾性表面波装置
JP2003037467A (ja) * 2001-07-24 2003-02-07 Murata Mfg Co Ltd 弾性表面波装置
JP3929415B2 (ja) 2003-04-23 2007-06-13 富士通メディアデバイス株式会社 弾性表面波デバイス
DE10331323B4 (de) * 2003-07-10 2013-09-05 Epcos Ag Mit akustischen Wellen arbeitender Wandler mit Unterdrückung transversaler Moden
JP2006237750A (ja) * 2005-02-22 2006-09-07 Seiko Epson Corp 弾性表面波素子および電子機器
JP2006319887A (ja) * 2005-05-16 2006-11-24 Murata Mfg Co Ltd 弾性境界波装置
CN101379699B (zh) * 2006-12-27 2012-04-11 松下电器产业株式会社 声表面波谐振器及使用该声表面波谐振器的声表面波滤波器以及天线共用器
US7576471B1 (en) * 2007-09-28 2009-08-18 Triquint Semiconductor, Inc. SAW filter operable in a piston mode
JP2009209472A (ja) * 2008-03-03 2009-09-17 Daio Paper Corp 目止め塗工紙
WO2010119796A1 (ja) * 2009-04-14 2010-10-21 株式会社村田製作所 弾性境界波装置
WO2010137279A1 (ja) * 2009-05-27 2010-12-02 パナソニック株式会社 弾性波共振器と、これを用いたアンテナ共用器
WO2010137648A1 (ja) * 2009-05-29 2010-12-02 株式会社村田製作所 ラダー型フィルタ及び弾性波共振子
US7939989B2 (en) * 2009-09-22 2011-05-10 Triquint Semiconductor, Inc. Piston mode acoustic wave device and method providing a high coupling factor
DE102010005596B4 (de) * 2010-01-25 2015-11-05 Epcos Ag Elektroakustischer Wandler mit verringerten Verlusten durch transversale Emission und verbesserter Performance durch Unterdrückung transversaler Moden
US9136458B2 (en) * 2011-03-22 2015-09-15 Skyworks Panasonic Filter Solutions Japan Co., Ltd. Elastic wave element
JP5697751B2 (ja) * 2011-03-25 2015-04-08 スカイワークス・パナソニック フィルターソリューションズ ジャパン株式会社 高次横モード波を抑制した弾性波デバイス

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56100512A (en) * 1980-01-17 1981-08-12 Victor Co Of Japan Ltd Elastic surface wave element and its production
JPH0832397A (ja) * 1994-07-21 1996-02-02 Oki Electric Ind Co Ltd 弾性表面波装置
JP2007110342A (ja) * 2005-10-12 2007-04-26 Kyocera Corp 弾性表面波素子及びその製造方法
JP2009232242A (ja) * 2008-03-24 2009-10-08 Fujitsu Ltd 弾性波素子、フィルタ、通信モジュール、および通信装置
JP2009290472A (ja) * 2008-05-28 2009-12-10 Fujitsu Ltd 弾性波デバイス、フィルタ、通信モジュール、および通信装置
WO2011030519A1 (ja) * 2009-09-11 2011-03-17 パナソニック株式会社 弾性波素子と弾性波素子センサ

Cited By (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016026444A (ja) * 2011-03-22 2016-02-12 スカイワークス・パナソニック フィルターソリューションズ ジャパン株式会社 弾性波素子
JP2014143657A (ja) * 2012-12-27 2014-08-07 Kyocera Corp 弾性波素子、分波器および通信モジュール
JP2014239385A (ja) * 2013-06-10 2014-12-18 太陽誘電株式会社 共振器、フィルタおよび分波器
EP3022841A1 (en) * 2013-07-18 2016-05-25 Epcos AG Electroacoustic transducer with improved suppression of unwanted modes
JP2015089069A (ja) * 2013-11-01 2015-05-07 太陽誘電株式会社 弾性表面波デバイス及びフィルタ
JP2015119413A (ja) * 2013-12-19 2015-06-25 太陽誘電株式会社 弾性表面波デバイス及びフィルタ
US9698755B2 (en) * 2014-03-26 2017-07-04 Taiyo Yuden Co., Ltd. Surface acoustic wave device and filter
JP2015188123A (ja) * 2014-03-26 2015-10-29 太陽誘電株式会社 弾性表面波デバイス及びフィルタ
US20150280689A1 (en) * 2014-03-26 2015-10-01 Taiyo Yuden Co., Ltd. Surface acoustic wave device and filter
JP2016136712A (ja) * 2015-01-20 2016-07-28 太陽誘電株式会社 弾性波デバイス
US10355668B2 (en) 2015-01-20 2019-07-16 Taiyo Yuden Co., Ltd. Acoustic wave device
JP2016178387A (ja) * 2015-03-18 2016-10-06 太陽誘電株式会社 弾性波デバイス
JP2017011442A (ja) * 2015-06-19 2017-01-12 太陽誘電株式会社 弾性表面波デバイス及びフィルタ
US10069477B2 (en) 2015-06-19 2018-09-04 Taiyo Yuden Co., Ltd. Surface acoustic wave device and filter
CN108770380A (zh) * 2015-11-27 2018-11-06 追踪有限公司 具有减少的二阶非线性的电声转换器
JP2017112603A (ja) * 2015-12-14 2017-06-22 太陽誘電株式会社 弾性波共振器、フィルタおよびデュプレクサ
JP2018088601A (ja) * 2016-11-28 2018-06-07 京セラ株式会社 弾性波素子および弾性波装置
WO2018131454A1 (ja) * 2017-01-13 2018-07-19 株式会社村田製作所 弾性波装置
US10797679B2 (en) 2017-01-13 2020-10-06 Murata Manufacturing Co., Ltd. Elastic wave device
US11588469B2 (en) 2017-10-20 2023-02-21 Murata Manufacturing Co., Ltd. Acoustic wave device
WO2020045442A1 (ja) * 2018-08-30 2020-03-05 株式会社村田製作所 弾性波装置及びラダー型フィルタ
JPWO2020045442A1 (ja) * 2018-08-30 2021-08-10 株式会社村田製作所 弾性波装置及びラダー型フィルタ
JP7001172B2 (ja) 2018-08-30 2022-01-19 株式会社村田製作所 弾性波装置及びラダー型フィルタ
US11973487B2 (en) 2018-08-30 2024-04-30 Murata Manufacturing Co., Ltd. Acoustic wave device and ladder filter
WO2020100744A1 (ja) * 2018-11-16 2020-05-22 株式会社村田製作所 弾性波装置
CN112997403A (zh) * 2018-11-16 2021-06-18 株式会社村田制作所 弹性波装置
JPWO2020100744A1 (ja) * 2018-11-16 2021-09-27 株式会社村田製作所 弾性波装置
WO2021205987A1 (ja) * 2020-04-06 2021-10-14 株式会社村田製作所 弾性波装置
WO2022059586A1 (ja) * 2020-09-17 2022-03-24 株式会社村田製作所 弾性波装置
WO2022158370A1 (ja) * 2021-01-22 2022-07-28 株式会社村田製作所 弾性波装置

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