JPS60124109A - 表面弾性波素子 - Google Patents
表面弾性波素子Info
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- JPS60124109A JPS60124109A JP58232446A JP23244683A JPS60124109A JP S60124109 A JPS60124109 A JP S60124109A JP 58232446 A JP58232446 A JP 58232446A JP 23244683 A JP23244683 A JP 23244683A JP S60124109 A JPS60124109 A JP S60124109A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/0538—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements
- H03H9/0542—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements consisting of a lateral arrangement
-
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
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- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
- H03H9/02574—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of combined substrates, multilayered substrates, piezoelectrical layers on not-piezoelectrical substrate
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、高効率で動作しｉＪる構造の表面弾性波素子
に関するものである。
に関するものである。
弾性体表面に沼って伝播１−る異面弾性波ン利用した各
種表面弾性波素子が最近盛んに開発されつつあるうこの
理由としてｈｓ、８ｔＳＩＶＣ表面弾性波の伝播速度は
霜磁波速度の釣用 倍であり、素子のｉＪ−型化と尚密
度化が可能であること。
種表面弾性波素子が最近盛んに開発されつつあるうこの
理由としてｈｓ、８ｔＳＩＶＣ表面弾性波の伝播速度は
霜磁波速度の釣用 倍であり、素子のｉＪ−型化と尚密
度化が可能であること。
第２に表面弾性波は物置表面を伝播するため伝送路の任
意の場Ｂ１から信号のタッピングが可能であることっに
４３に物質表面にエネルギーが集中していることから、
プＬや半導体のキャリアとの相互作用ケ利用しＴこテバ
イス、あるいは高いエネルギー密度により非駒形効果ン
利用しＴこテバイスに応用できること。
意の場Ｂ１から信号のタッピングが可能であることっに
４３に物質表面にエネルギーが集中していることから、
プＬや半導体のキャリアとの相互作用ケ利用しＴこテバ
イス、あるいは高いエネルギー密度により非駒形効果ン
利用しＴこテバイスに応用できること。
第４にその製造技術にＩＣ技術が活用できるｔこめ、Ｉ
Ｃと組み合わせに新しいふ子の実坊が期待でさること、
等が埜げられる。
Ｃと組み合わせに新しいふ子の実坊が期待でさること、
等が埜げられる。
第１図および第２図は従来の表面弾性波素子の構４ｉを
ボ丁もので、■はニオブ酸リチウム（し１ＮｂＱ３ ）
からなる圧電基板で、２はシリコンからなる半４体基板
で（Ｉｌｌ）面とほぼ等価な面でカントされ瓦ものから
なり、３は酸化亜鉛（ＺｎＯ）からなる圧電薄膜で（０
００１）面とほぼ等１曲な面が上記シリコン基板２のカ
ット面と平行になるように形成され１こものからなり、
４．５は上記ニオブ酸リチウム基板■上およびシリコン
基板２上に互いに交差するように設けられ１こ（し型電
極で１例えば４は人力電極、５は出力′亀惨として使用
される。
ボ丁もので、■はニオブ酸リチウム（し１ＮｂＱ３ ）
からなる圧電基板で、２はシリコンからなる半４体基板
で（Ｉｌｌ）面とほぼ等価な面でカントされ瓦ものから
なり、３は酸化亜鉛（ＺｎＯ）からなる圧電薄膜で（０
００１）面とほぼ等１曲な面が上記シリコン基板２のカ
ット面と平行になるように形成され１こものからなり、
４．５は上記ニオブ酸リチウム基板■上およびシリコン
基板２上に互いに交差するように設けられ１こ（し型電
極で１例えば４は人力電極、５は出力′亀惨として使用
される。
ここで人力電極４から励撮されＴこ表面弾性波は上記ニ
オブ酸リチウム基板工表面あるいは酸化亜鉛膜３表面を
伝播して出力電極５から取り出される。
オブ酸リチウム基板工表面あるいは酸化亜鉛膜３表面を
伝播して出力電極５から取り出される。
これらの構造において第１図においては表面弾性波とし
てレイリー波ケ用いて伝播させた場合。
てレイリー波ケ用いて伝播させた場合。
累子特性上京しな指標である電気機械結合係ｉＫの二栄
値には大ぎな値か雨ら第１るので、この利点を活かして
神々の分野に応用されているうしかしその及面基扱が単
一４Ｊ料から構成されているために、電気様械結合係し
Ｉ（が基板結晶４１１＋方向およびそれに対する表面弾
性波の伝籟１方向によって固定化されてしまう欠点があ
る。
値には大ぎな値か雨ら第１るので、この利点を活かして
神々の分野に応用されているうしかしその及面基扱が単
一４Ｊ料から構成されているために、電気様械結合係し
Ｉ（が基板結晶４１１＋方向およびそれに対する表面弾
性波の伝籟１方向によって固定化されてしまう欠点があ
る。
この点記２図においては表面弾性波としてレイリー波を
用いてシリコン基板２の（１１２）軸方向とほぼ等価な
方向に伝播さセｆ、Ｊ易合、酸化亜鉛膜３の膜厚ｂ】Ｙ
ＦＪｉ析によってまる成る値に選ぶことによりＫ ％性
ｖｃ４軟性ケ持１こセることかでき、ま１こ第１図構造
よりも大きな電気機械結合係ｉＫ馨鞠ることができるウ
レリえは上記酸化亜鉛膜厚ｈ１ンωＪ＝８５００ （ω
は表面弾性波の角周波数）Ｋ泗ふことによりに′は約３
．０５％を祷ることができる。
用いてシリコン基板２の（１１２）軸方向とほぼ等価な
方向に伝播さセｆ、Ｊ易合、酸化亜鉛膜３の膜厚ｂ】Ｙ
ＦＪｉ析によってまる成る値に選ぶことによりＫ ％性
ｖｃ４軟性ケ持１こセることかでき、ま１こ第１図構造
よりも大きな電気機械結合係ｉＫ馨鞠ることができるウ
レリえは上記酸化亜鉛膜厚ｈ１ンωＪ＝８５００ （ω
は表面弾性波の角周波数）Ｋ泗ふことによりに′は約３
．０５％を祷ることができる。
しかしこの構造では酸化亜鉛膜３はヌパツタ技術等によ
り形成されるか、上記のように最適特性ケ得るには七〇
膜厚ン比較的太さく形成する心安があるため生産性の点
でコストアツプになるのが避けられない欠点かある。こ
のためできるだけ小さな膜厚でできるだけ太さな′電気
（ぺ械結合係ｉＫが得られるような構造か望まれ℃いる
。
り形成されるか、上記のように最適特性ケ得るには七〇
膜厚ン比較的太さく形成する心安があるため生産性の点
でコストアツプになるのが避けられない欠点かある。こ
のためできるだけ小さな膜厚でできるだけ太さな′電気
（ぺ械結合係ｉＫが得られるような構造か望まれ℃いる
。
本発明は以上の問題に対処してなされ瓦もので。
（Ｉｌｌ）面とほぼ等１曲な面でカットされＵシリコン
基板と、このシリコン基板上に形成されＴこ二酸化シリ
コン膜と、この二酸化シリコン膜上１Ｃ（０００１）面
とほぼ等価な面が上記シリコン基板のカット面と平行に
なるように形成されに酸化亜鉛膜と、この酸化亜鉛膜上
に形成され１こ′屯他と馨含み。
基板と、このシリコン基板上に形成されＴこ二酸化シリ
コン膜と、この二酸化シリコン膜上１Ｃ（０００１）面
とほぼ等価な面が上記シリコン基板のカット面と平行に
なるように形成されに酸化亜鉛膜と、この酸化亜鉛膜上
に形成され１こ′屯他と馨含み。
上記シリコン基板の〔１１２〕軸方向とほぼ等価な方向
に表面弾性波７伝播さ＋！：るように構成して従来欠点
を除去するようにしＴｙ ｋ曲弾性波素子を提供するこ
とン目的とするもので））る。以下図面ン参照し−Ｃ本
発明実ＭＪｈレリン説明する。
に表面弾性波７伝播さ＋！：るように構成して従来欠点
を除去するようにしＴｙ ｋ曲弾性波素子を提供するこ
とン目的とするもので））る。以下図面ン参照し−Ｃ本
発明実ＭＪｈレリン説明する。
第３図は本発明実施列による表面弾性波素子２示す断面
図で、１１は（１１１）面とほぼ等価な面でカットされ
にシリコン基板、 １２はこのシリコン基板１１上に形
成され１こ膜厚ｂ２ヶ有する二酸化シリコン（５ｉＯ２
） ＰｊＡ、 １３はこの二酸化シリコン膜１２上に（
０（１０１）面とほぼ等価な面が上記シリコン基板１１
のカット面と平行になるように形成され１こ膜厚Ｉｌｌ
ン有する酸化亜鉛膜、 １４．１５は各ｋ ｊｊ−１，
・に反差するように二酸化シリコン膜９上に形成されｒ
ｓ＜シ型電極からなる人力亀４傘および出力１Ｍ、極、
１６は上記シリコン基板１１と二酸化シリコン膜１２間
に形成され１こ導電膜で膜厚は無限に小さいことが望ま
しいっ なお上記導１し膜１６あるいは酸化亜鉛膜１３はくし型
電極１４．１５の少な（とも反差幅部分の真下にあるい
は真上に位置するように形成されることが望ましい。
図で、１１は（１１１）面とほぼ等価な面でカットされ
にシリコン基板、 １２はこのシリコン基板１１上に形
成され１こ膜厚ｂ２ヶ有する二酸化シリコン（５ｉＯ２
） ＰｊＡ、 １３はこの二酸化シリコン膜１２上に（
０（１０１）面とほぼ等価な面が上記シリコン基板１１
のカット面と平行になるように形成され１こ膜厚Ｉｌｌ
ン有する酸化亜鉛膜、 １４．１５は各ｋ ｊｊ−１，
・に反差するように二酸化シリコン膜９上に形成されｒ
ｓ＜シ型電極からなる人力亀４傘および出力１Ｍ、極、
１６は上記シリコン基板１１と二酸化シリコン膜１２間
に形成され１こ導電膜で膜厚は無限に小さいことが望ま
しいっ なお上記導１し膜１６あるいは酸化亜鉛膜１３はくし型
電極１４．１５の少な（とも反差幅部分の真下にあるい
は真上に位置するように形成されることが望ましい。
以上の構造（Ｚｒ＋０（０００１）／ＳｉＯ２／Ｓｉ
（Ｉｌｌ ）（ｌ１２Ｊと略記）の表面弾性波素子に対
し１表面弾性波としてレイリー波ン用いてシリコン基板
１１の［＋２）軸方向とほぼ等１曲な方向に伝Ｔｉ１ｔ
さセることにより々ｔ４図のよりなに特性曲線が由られ
た。
（Ｉｌｌ ）（ｌ１２Ｊと略記）の表面弾性波素子に対
し１表面弾性波としてレイリー波ン用いてシリコン基板
１１の［＋２）軸方向とほぼ等１曲な方向に伝Ｔｉ１ｔ
さセることにより々ｔ４図のよりなに特性曲線が由られ
た。
第４図において＋Ｊ ｌ１１［１は酸化亜鉛膜ｈ］の厚
さをωｈｚ （ωは角周波し）で示し、縦軸は電気機械
結合係＆ｙ、にの二乗値１（ン百分褐で示すものである
。
さをωｈｚ （ωは角周波し）で示し、縦軸は電気機械
結合係＆ｙ、にの二乗値１（ン百分褐で示すものである
。
第４図はωｈ２＝２６００に設定し１こ状態でωｈ、ン
変化さ＋ｊ’Ｔこ（望ましくは４０００〜１２０００の
範囲内で）場合のＫの変化馨示しているウニ酸化シリコ
ン膜１２（１）膜厚ｂ２ ｋＩ Ｏ＜、 ωｂ２ ＜、
１００００のｓ、Ｂ内で変化させることができろう 第４図から明らかなように、酸化亜鉛膜１３の膜厚Ｊお
よび二酸化シリコン膜１２の膜厚ｂｚ’ｒ各々ω１１１
＝ ７６００およびωｈ２ ＝ ２６００１ｃ Ｓぷ
ことにより、Ａ点において極大値に２＝３．４９％か得
られたり 上記値は第２図の従来構造で由られＴこイ１な（Ｋ２＝
３０５％、ω１１． ＝ ８５００ ）よりも犬であり
、しかも酸化亜鉛１３の膜厚１１】は二酸化シリコン膜
１２ン介在さセることにより従来の（０’Ｕ ＝ ８５
００からωｂ４ ＝ ７６００へと小さくすることがで
きる。
変化さ＋ｊ’Ｔこ（望ましくは４０００〜１２０００の
範囲内で）場合のＫの変化馨示しているウニ酸化シリコ
ン膜１２（１）膜厚ｂ２ ｋＩ Ｏ＜、 ωｂ２ ＜、
１００００のｓ、Ｂ内で変化させることができろう 第４図から明らかなように、酸化亜鉛膜１３の膜厚Ｊお
よび二酸化シリコン膜１２の膜厚ｂｚ’ｒ各々ω１１１
＝ ７６００およびωｈ２ ＝ ２６００１ｃ Ｓぷ
ことにより、Ａ点において極大値に２＝３．４９％か得
られたり 上記値は第２図の従来構造で由られＴこイ１な（Ｋ２＝
３０５％、ω１１． ＝ ８５００ ）よりも犬であり
、しかも酸化亜鉛１３の膜厚１１】は二酸化シリコン膜
１２ン介在さセることにより従来の（０’Ｕ ＝ ８５
００からωｂ４ ＝ ７６００へと小さくすることがで
きる。
これにより’１４性の点でコストダウンン言することか
できる。
できる。
また酸化亜鉛膜１３の膜厚り、および二酸化シリコン膜
１２の膜厚１１２を前記し１こ範囲内で種々調整するこ
とにより、特性の点で従来構造より浸れた柔軟性を持っ
た表面弾性波素子ン実現することができる。
１２の膜厚１１２を前記し１こ範囲内で種々調整するこ
とにより、特性の点で従来構造より浸れた柔軟性を持っ
た表面弾性波素子ン実現することができる。
なおシリコン基板１１のカット面は（１１１）面とほぼ
等価な面、酸化亜鉛膜１３は（０００１）面とほぼ等価
な面およびシリコン基板１１の伝播軸は（１１２）軸方
向とほぼ等価な方向の場合に例ぞとって説明したが、そ
れらに示した９ｒ定値から１０以下の傾きを有している
場合でも素子特性には本質的差異は認められない。
等価な面、酸化亜鉛膜１３は（０００１）面とほぼ等価
な面およびシリコン基板１１の伝播軸は（１１２）軸方
向とほぼ等価な方向の場合に例ぞとって説明したが、そ
れらに示した９ｒ定値から１０以下の傾きを有している
場合でも素子特性には本質的差異は認められない。
第５図は本発明の１ｍの実施［ＦＩＩとしてコンボルバ
用素子に適用しＴこ例馨示すもので、１７は酸化亜鉛膜
１３上に設けられたゲート電極で人力電極１４と出力電
極１５間に相当しＴこ位置に設けられる。
用素子に適用しＴこ例馨示すもので、１７は酸化亜鉛膜
１３上に設けられたゲート電極で人力電極１４と出力電
極１５間に相当しＴこ位置に設けられる。
この構造によれは導Ｘ １１２１６がそのまま設けられ
ているので前実施例四様ＫＫ“特性に浸れた素子′ｆ！
：得ることができろう なおくし型電極の代りに、シリコン基板１１．二酸化シ
リコン膜１２および酸化亜鉛膜１３内ｖｃ晃生する電気
的ポテンシャルｒ利用することかできる。
ているので前実施例四様ＫＫ“特性に浸れた素子′ｆ！
：得ることができろう なおくし型電極の代りに、シリコン基板１１．二酸化シ
リコン膜１２および酸化亜鉛膜１３内ｖｃ晃生する電気
的ポテンシャルｒ利用することかできる。
以上述べて明らかなように本発明によれは、（１１１）
面とほぼ等１曲な面でカットされＴこシリコン基板と、
このシリコン基板上に形成され１こ二酸化シリコン膜と
、この二酸化シリコン膜上に（０００１’）面とほぼ等
１曲な面か上記シリコン基板のカット面と平行になるよ
うに形成され１こ酸化亜鉛膜と、この酸化亜鉛膜上に形
成され１こ電極とを含み、上記シリコン基板の（１１２
）軸方向とほぼ等価な方向に表面弾性波ケ伝播させるよ
うに構成したものであるから、電気機械結合係ｆ？ｘｖ
大きくとることができるので表面弾性波素子を効率よく
動作させることができる。
面とほぼ等１曲な面でカットされＴこシリコン基板と、
このシリコン基板上に形成され１こ二酸化シリコン膜と
、この二酸化シリコン膜上に（０００１’）面とほぼ等
１曲な面か上記シリコン基板のカット面と平行になるよ
うに形成され１こ酸化亜鉛膜と、この酸化亜鉛膜上に形
成され１こ電極とを含み、上記シリコン基板の（１１２
）軸方向とほぼ等価な方向に表面弾性波ケ伝播させるよ
うに構成したものであるから、電気機械結合係ｆ？ｘｖ
大きくとることができるので表面弾性波素子を効率よく
動作させることができる。
なお本発明によればシリコン基板として集積回路と共通
基板２用いることにより、集積回路仕術ン活用して機能
素子と半心体素子ン一体化した／Ｊ’ｓ型かつ高密度な
素子の実現が可能である。
基板２用いることにより、集積回路仕術ン活用して機能
素子と半心体素子ン一体化した／Ｊ’ｓ型かつ高密度な
素子の実現が可能である。
第１図およびｆｊＪ８Ｊ２図は共に従来例ン示す断面図
。 第３図および第５図は共に本発明実施例〉示す断面図、
第４図は本発明によって得られた結果を示す特性図であ
る。 １１・・・シリコン基板、１２・・・二酸化シリコン１
１４．１３・・・酸化亜鉛膜、１４・・・人力電極、１
５・・・出力電極、１６・・・導電膜、 １７・・・ケ
ート電極。 特許出願人 クラリオン株式会社 ＃Ｉ図 第２因 剣３図 手続補正書 昭和５９年４ 月）−３日 特許庁長官 若杉相夫 殿 １、事件の表示 昭和５８年特許願 第２３２４４６号 ２ 発明の名称 表面弾性波素子 ３ 補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 名 称 （１４８） クラリオン株式会社４代理人〒１
０５ 住 所 東京都港区芝３丁目２番１４号芝三丁目ビル５
補正の対象 明細曹の特許請求の範囲、発明の詳細な説明の掴 ６、補正の内容 （１） 本願の特許請求の範囲ケ下記の通り補正する。 ｒｔ （１１１）面とほぼ等イ曲な面でカットされただ
導電膜と、この碑？五繰上に形成された二酸化シリコン
膜と、この二酸化シリコン膜上に形成された電極と、該
電極の上に（０００１）面とほぼ等価な面が上記シリコ
ン基板仏のカット面と平行になるよ５に形成された酸化
亜鉛Ｊｌ！を含み、上記シリコン基板の（１１２）軸方
向とほぼ等価な方向に表面弾性波を伝播させるように払
底したことを特徴とする表面弾性波素子。 ２、 上記結晶面およびその伝播軸がＱｉ定結晶面およ
びｆｉｌｆ４１軸方向から１０°以円の１噴ぎ馨持つこ
とｔ％徴とする特許請求の馳ｌｌｌ１記１項記載の表面
弾性波菓子。 ３、上記表面弾性波素子としてレイリー波を用いること
ン竹微とする特許請求の範囲第り項又は第２狽記載の表
面弾性＆素子。 ４、 上記酸化亜鉛膜の膜厚ｈｌが、 ４０００≦ωｈ
１≦１２０００ （ただし、ωは表面弾性波の角周波数
）の範囲に属することを特徴とする特許請求の範囲第１
項乃至第３相のいずれかに記載の表面弾性波素子。 ５、 上記二酸化シリコン膜の膜厚ｂ２が、０≦ωｈ２
≦ｔｏｏｏｏ ＜ただし、ωは表面弾性波の角周波数）
の範囲に属することを特徴とする特許請求の範囲第１項
乃至第４項のいずれかに記載の表面弾性波素子。 ６、 上記電極がくし型構造ン有することを特徴とする
特許請求の範囲第１項乃至第５狗のいずれかに記載の表
面弾性波素子。 ７、 上記導電膜が上記くし型電極の少な（とも交差幅
部分の真下に位にすることｔｉｔ侍徴とする特許請求の
範囲第１項乃至８１！６項のいずれかに記載の表面弾性
波素子。 ８、 上記酸化亜鉛族か上記＜Ｌ［電極の少な（とも交
差＠部分の真上に位飯Ｔることを特徴とする特許請求の
範囲第１項乃至第７８１のいずれかに記載の表面弾性波
素子。 ９、 上記シリコン基板として集積回路と共通の基板を
用いたこと′１２ｒ：％徴とする特許請求の範囲第１項
乃至第８項のいずれかに記載の表面弾性波素子。」 （２） 本願明ａ書第６員第１＋ｊ？’ｉｌこの酸化亜
鉛膜」乞に酸化シリコン膜」に補止する。 （３＋ １８Ｊ曹第７貞第１４行Ｆ望ましい。」の後に
［また、ここで言う導電膜とは、金属膜のみに限らず、
基板表面の纏′ｗＬ率が商い性質をもつ層の１べてを含
んでいる。」ン加入する。 （４） 同書第９負第加行乃至第１０頁Ｂ１行の１々ｔ
゛屯膜１６がそのまま設けられているので」を削除する
。 （５） 同書第１Ｏ頁第３行１の代りに」を「を用いず
とも」に補正する。 （６） 同頁第５行「ことができる。」ヲ「素子の実現
が期待できる。」に補正１−る。 （７１向貞第１２行１この酸化亜鉛膜上」を「二酸化シ
リコン膜上」に補正する〇 （８） 同頁第１３行「み、」と「上記シリコン“・・
」との間に１さらに、シリコン基板と二酸化シリコン膜
界面に一％亀膜を形成し、」を加入する。
。 第３図および第５図は共に本発明実施例〉示す断面図、
第４図は本発明によって得られた結果を示す特性図であ
る。 １１・・・シリコン基板、１２・・・二酸化シリコン１
１４．１３・・・酸化亜鉛膜、１４・・・人力電極、１
５・・・出力電極、１６・・・導電膜、 １７・・・ケ
ート電極。 特許出願人 クラリオン株式会社 ＃Ｉ図 第２因 剣３図 手続補正書 昭和５９年４ 月）−３日 特許庁長官 若杉相夫 殿 １、事件の表示 昭和５８年特許願 第２３２４４６号 ２ 発明の名称 表面弾性波素子 ３ 補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 名 称 （１４８） クラリオン株式会社４代理人〒１
０５ 住 所 東京都港区芝３丁目２番１４号芝三丁目ビル５
補正の対象 明細曹の特許請求の範囲、発明の詳細な説明の掴 ６、補正の内容 （１） 本願の特許請求の範囲ケ下記の通り補正する。 ｒｔ （１１１）面とほぼ等イ曲な面でカットされただ
導電膜と、この碑？五繰上に形成された二酸化シリコン
膜と、この二酸化シリコン膜上に形成された電極と、該
電極の上に（０００１）面とほぼ等価な面が上記シリコ
ン基板仏のカット面と平行になるよ５に形成された酸化
亜鉛Ｊｌ！を含み、上記シリコン基板の（１１２）軸方
向とほぼ等価な方向に表面弾性波を伝播させるように払
底したことを特徴とする表面弾性波素子。 ２、 上記結晶面およびその伝播軸がＱｉ定結晶面およ
びｆｉｌｆ４１軸方向から１０°以円の１噴ぎ馨持つこ
とｔ％徴とする特許請求の馳ｌｌｌ１記１項記載の表面
弾性波菓子。 ３、上記表面弾性波素子としてレイリー波を用いること
ン竹微とする特許請求の範囲第り項又は第２狽記載の表
面弾性＆素子。 ４、 上記酸化亜鉛膜の膜厚ｈｌが、 ４０００≦ωｈ
１≦１２０００ （ただし、ωは表面弾性波の角周波数
）の範囲に属することを特徴とする特許請求の範囲第１
項乃至第３相のいずれかに記載の表面弾性波素子。 ５、 上記二酸化シリコン膜の膜厚ｂ２が、０≦ωｈ２
≦ｔｏｏｏｏ ＜ただし、ωは表面弾性波の角周波数）
の範囲に属することを特徴とする特許請求の範囲第１項
乃至第４項のいずれかに記載の表面弾性波素子。 ６、 上記電極がくし型構造ン有することを特徴とする
特許請求の範囲第１項乃至第５狗のいずれかに記載の表
面弾性波素子。 ７、 上記導電膜が上記くし型電極の少な（とも交差幅
部分の真下に位にすることｔｉｔ侍徴とする特許請求の
範囲第１項乃至８１！６項のいずれかに記載の表面弾性
波素子。 ８、 上記酸化亜鉛族か上記＜Ｌ［電極の少な（とも交
差＠部分の真上に位飯Ｔることを特徴とする特許請求の
範囲第１項乃至第７８１のいずれかに記載の表面弾性波
素子。 ９、 上記シリコン基板として集積回路と共通の基板を
用いたこと′１２ｒ：％徴とする特許請求の範囲第１項
乃至第８項のいずれかに記載の表面弾性波素子。」 （２） 本願明ａ書第６員第１＋ｊ？’ｉｌこの酸化亜
鉛膜」乞に酸化シリコン膜」に補止する。 （３＋ １８Ｊ曹第７貞第１４行Ｆ望ましい。」の後に
［また、ここで言う導電膜とは、金属膜のみに限らず、
基板表面の纏′ｗＬ率が商い性質をもつ層の１べてを含
んでいる。」ン加入する。 （４） 同書第９負第加行乃至第１０頁Ｂ１行の１々ｔ
゛屯膜１６がそのまま設けられているので」を削除する
。 （５） 同書第１Ｏ頁第３行１の代りに」を「を用いず
とも」に補正する。 （６） 同頁第５行「ことができる。」ヲ「素子の実現
が期待できる。」に補正１−る。 （７１向貞第１２行１この酸化亜鉛膜上」を「二酸化シ
リコン膜上」に補正する〇 （８） 同頁第１３行「み、」と「上記シリコン“・・
」との間に１さらに、シリコン基板と二酸化シリコン膜
界面に一％亀膜を形成し、」を加入する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、（Ｉｌｌ）面とほぼ等１曲な面でカットされたシリ
コン基板と、このシリコン基板上に形成された二酸化シ
リコン族と、この二酸化シリコン膜上Ｉｃ（０００１）
向とほぼ等１曲な面か上記シリコン基板のカット面と平
行になるように形成された酸化亜鉛膜と、この酸化亜鉛
膜上に形＠された電極と欠含み、上記シリコン基板の〔
１１２〕軸方向とほぼ等価な方向に表面弾性Ｓン伝播さ
せるよ５に構成しｋことン％―とする表面弾性波素子つ
２、 上記結晶面およびその伝播軸が所定結晶面および
伝播軸方向からｌＯ°以内の傾きを持つこと馨特鑓とす
る特許請求の範囲第１．ＩＪ記載の表向弾性波素子。 ３、 上記表面弾性波素子としてレイリー波ケ用いるこ
とン％徴とする特許請求の範囲第１項又は４、 上記酸
化亜鉛膜の膜厚り、が、 ４０００＜ωｈＪ＜、１２θ
００（ただし、ωは表面弾性波の角周波数）の範囲に属
することを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第３槍
のいずれかに記載の表面弾性波素子。 ５、 上記二酸化シリコン膜の膜厚ｈ２が、Ｑくωｈ２
＜１００００ ＜ただし、ωは表面弾性波の角周波Ｖ
）の範囲ＫｐＡ″ｆることン特饋とする特許請求の範囲
第１項乃至第４項のいずれかに記載の表面弾性波素子。 ６、 上記シリコン基板と二酸化シリコン膜間に導電膜
が形成されることン特徴と１゛る特許請求の範囲第１項
乃至第５項のいずれかに記載の表面弾性波素子。 ７、 上記電極が（し型構造を有することを特徴とする
特許請求の範囲第１項乃至第６項のいずれかに記載の表
面弾性波素子。 ８、 上記導電膜が上記（し型電惚の少なくとも交差＠
部分の真下に位置することン特畝とする特Ｒ子績Ｎンの
飾 開会巨 １１自 乃 ３５竿 ７ ■白 ６１ 隻
１１− 柄 清、ｒｆ ニー−？の表面弾性波素子。 ９． 上記酸化亜鉛膜が上記（し型筒、極の少なくとも
交差幅部分の真上に位ｕ１することン特歳とする特許請
求の範囲第１項乃至第８項のいずれかに記載の表面弾性
波素子。 １０、上記シリコン基板として条種回路と共通の基板を
用い定ことを特徴とする特許請求の範四第■頂乃至第９
項のいずれかに記載の表面弾性波素子。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58232446A JPS60124109A (ja) | 1983-12-09 | 1983-12-09 | 表面弾性波素子 |
| US06/677,713 US4562371A (en) | 1983-12-09 | 1984-12-04 | Rayleigh surface-acoustic-wave device using ZnO(0001)/SiO2 /Si(111) [11] |
| GB08430860A GB2152316B (en) | 1983-12-09 | 1984-12-06 | Surface-acoustic-wave device |
| DE19843444748 DE3444748A1 (de) | 1983-12-09 | 1984-12-07 | Akustische oberflaechenwellen ausbildendes bauelement |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58232446A JPS60124109A (ja) | 1983-12-09 | 1983-12-09 | 表面弾性波素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60124109A true JPS60124109A (ja) | 1985-07-03 |
Family
ID=16939400
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58232446A Pending JPS60124109A (ja) | 1983-12-09 | 1983-12-09 | 表面弾性波素子 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4562371A (ja) |
| JP (1) | JPS60124109A (ja) |
| DE (1) | DE3444748A1 (ja) |
| GB (1) | GB2152316B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6750592B2 (en) | 2000-11-09 | 2004-06-15 | Nrs Technologies, Inc. | Surface acoustic wave filter and surface acoustic wave filter apparatus |
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| FR2838577B1 (fr) * | 2002-04-12 | 2005-11-25 | Thales Sa | Module comprenant des composants a ondes acoustiques d'interface |
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| WO2005083882A1 (en) * | 2004-02-26 | 2005-09-09 | Mnt Innovations Pty Ltd | Layered surface acoustic wave sensor |
| CN1829082B (zh) * | 2005-03-04 | 2010-05-26 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 声表面波器件及多频移动电话 |
| ATE551777T1 (de) * | 2006-04-24 | 2012-04-15 | Murata Manufacturing Co | Elastische oberflächenwellenvorrichtung |
| CN108593765A (zh) * | 2018-04-04 | 2018-09-28 | 深圳大学 | 一种基于声表面波模式的生物传感器及其检测方法 |
| CN109041919B (zh) * | 2018-09-25 | 2021-08-03 | 绵阳鹏志远科技有限公司 | 一种用于智能家居的点阵式植物墙及种植盆 |
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|---|---|---|---|---|
| US4037176A (en) * | 1975-03-18 | 1977-07-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Multi-layered substrate for a surface-acoustic-wave device |
| US4194171A (en) * | 1978-07-07 | 1980-03-18 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Zinc oxide on silicon device for parallel in, serial out, discrete fourier transform |
| JPS57145419A (en) * | 1981-03-05 | 1982-09-08 | Clarion Co Ltd | Surface acoustic wave element |
| US4480209A (en) * | 1981-10-09 | 1984-10-30 | Clarion Co., Ltd. | Surface acoustic wave device having a specified crystalline orientation |
-
1983
- 1983-12-09 JP JP58232446A patent/JPS60124109A/ja active Pending
-
1984
- 1984-12-04 US US06/677,713 patent/US4562371A/en not_active Expired - Fee Related
- 1984-12-06 GB GB08430860A patent/GB2152316B/en not_active Expired
- 1984-12-07 DE DE19843444748 patent/DE3444748A1/de not_active Ceased
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| APPL.PHYS.LETT=1978 * |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6750592B2 (en) | 2000-11-09 | 2004-06-15 | Nrs Technologies, Inc. | Surface acoustic wave filter and surface acoustic wave filter apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4562371A (en) | 1985-12-31 |
| GB8430860D0 (en) | 1985-01-16 |
| GB2152316B (en) | 1987-03-25 |
| DE3444748A1 (de) | 1985-06-13 |
| GB2152316A (en) | 1985-07-31 |
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