JP3166445B2 - エラスティックコンボルバ - Google Patents
エラスティックコンボルバInfo
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、弾性表面波の非線形性
を利用したエラスティックコンボルバに関し、特に、Ｌ
ｉＮｂＯ3 圧電単結晶よりなる圧電基板上に圧電薄膜を
積層した構造を利用したエラスティックコンボルバに関
する。
を利用したエラスティックコンボルバに関し、特に、Ｌ
ｉＮｂＯ3 圧電単結晶よりなる圧電基板上に圧電薄膜を
積層した構造を利用したエラスティックコンボルバに関
する。
【０００２】
【従来の技術】エラスティックコンボルバは、圧電体の
非線形挙動を利用した信号処理デバイスの一種であり、
２つの入力信号の畳み込み積分を行う演算素子である。
このエラスティックコンボルバとして、マルチストリッ
プカプラー（以下、ＭＳＣと略す。）が組み込まれた構
造が、従来より公知である。この公知のエラスティック
コンボルバの一例を図７に示す。
非線形挙動を利用した信号処理デバイスの一種であり、
２つの入力信号の畳み込み積分を行う演算素子である。
このエラスティックコンボルバとして、マルチストリッ
プカプラー（以下、ＭＳＣと略す。）が組み込まれた構
造が、従来より公知である。この公知のエラスティック
コンボルバの一例を図７に示す。
【０００３】エラスティックコンボルバ１は、圧電体と
して、ＬｉＮｂＯ3 圧電単結晶からなる四角形の圧電基
板２を用いて構成されている。圧電基板２の両端面２
ａ，２ｂ近傍には、それぞれ、入力用インターデジタル
トランスデューサ（以下、入力用ＩＤＴと略す。）３が
形成されている。各入力用ＩＤＴ３は、互いに間挿し合
う複数本の電極指を有する一対のくし歯電極により構成
されている。
して、ＬｉＮｂＯ3 圧電単結晶からなる四角形の圧電基
板２を用いて構成されている。圧電基板２の両端面２
ａ，２ｂ近傍には、それぞれ、入力用インターデジタル
トランスデューサ（以下、入力用ＩＤＴと略す。）３が
形成されている。各入力用ＩＤＴ３は、互いに間挿し合
う複数本の電極指を有する一対のくし歯電極により構成
されている。
【０００４】また、入力用ＩＤＴ３，３間の領域中央部
分においては、表面波伝搬方向に平行に延びる導波路４
が形成されている。導波路４と、各入力用ＩＤＴ３との
間には、それぞれ、ＭＳＣ５が形成されている。
分においては、表面波伝搬方向に平行に延びる導波路４
が形成されている。導波路４と、各入力用ＩＤＴ３との
間には、それぞれ、ＭＳＣ５が形成されている。
【０００５】エラスティックコンボルバ１では、入力用
ＩＤＴ３，３に入力信号が加えられると、該入力信号に
より励振された弾性表面波が矢印Ａ，Ｂ方向に沿って伝
搬されるが、この弾性表面波はＭＳＣ５において、それ
ぞれ、圧縮され、しかる後、導波路４において重ね合わ
され、出力信号が取り出される。
ＩＤＴ３，３に入力信号が加えられると、該入力信号に
より励振された弾性表面波が矢印Ａ，Ｂ方向に沿って伝
搬されるが、この弾性表面波はＭＳＣ５において、それ
ぞれ、圧縮され、しかる後、導波路４において重ね合わ
され、出力信号が取り出される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】コンボルバの性能は、
一般的に効率Ｆ及びＢＴ積（Ｂは帯域幅、Ｔは積分ある
いはプロセス時間を示す。）で示され、効率Ｆ及びＢＴ
積の向上が望まれている。
一般的に効率Ｆ及びＢＴ積（Ｂは帯域幅、Ｔは積分ある
いはプロセス時間を示す。）で示され、効率Ｆ及びＢＴ
積の向上が望まれている。
【０００７】エラスティックコンボルバは、弾性表面波
を利用するものであるため、効率Ｆを高めるには、電気
機械結合係数が大きく、非線形の大きな圧電基板２を用
いればよいと考えられる。
を利用するものであるため、効率Ｆを高めるには、電気
機械結合係数が大きく、非線形の大きな圧電基板２を用
いればよいと考えられる。
【０００８】他方、ＬｉＮｂＯ3 圧電単結晶よりなる圧
電基板上にＩＤＴを形成して弾性表面波を励振する際に
ＬｉＮｂＯ3 よりなる圧電基板表面にＺｎＯ圧電薄膜を
さらに積層することにより、より大きな電気機械結合係
数の得られることが報告されている（Ａ．Ａｒｍｓｔｒ
ｏｎｇ．ｅｔ ａｌ．，Ｐｒｏｃ．１９７２ ＩＥＥＥ
Ｕｌｔｒａｓｏｎ．Ｓｙｍｐ．第３７０頁〜第３７２
頁（１９７２）及び中村他：日本音響学会講演論文集、
平成３年１０月号、第９５３〜第９５４頁）。
電基板上にＩＤＴを形成して弾性表面波を励振する際に
ＬｉＮｂＯ3 よりなる圧電基板表面にＺｎＯ圧電薄膜を
さらに積層することにより、より大きな電気機械結合係
数の得られることが報告されている（Ａ．Ａｒｍｓｔｒ
ｏｎｇ．ｅｔ ａｌ．，Ｐｒｏｃ．１９７２ ＩＥＥＥ
Ｕｌｔｒａｓｏｎ．Ｓｙｍｐ．第３７０頁〜第３７２
頁（１９７２）及び中村他：日本音響学会講演論文集、
平成３年１０月号、第９５３〜第９５４頁）。
【０００９】そこで、図７に示したエラスティックコン
ボルバ１において、圧電基板２の上面の全面を覆うよう
にＺｎＯ圧電薄膜を形成したところ、従来のエラスティ
ックコンボルバ１に比べると効率が高められることが確
かめられた。
ボルバ１において、圧電基板２の上面の全面を覆うよう
にＺｎＯ圧電薄膜を形成したところ、従来のエラスティ
ックコンボルバ１に比べると効率が高められることが確
かめられた。
【００１０】しかしながら、ＺｎＯ圧電薄膜を上記のよ
うに積層したとしても、エラスティックコンボルバの効
率は未だ充分には高くならず、従って、より一層高効率
のエラスティックコンボルバの登場が望まれる。
うに積層したとしても、エラスティックコンボルバの効
率は未だ充分には高くならず、従って、より一層高効率
のエラスティックコンボルバの登場が望まれる。
【００１１】本発明の目的は、より一層高効率のエラス
ティックコンボルバを提供することにある。
ティックコンボルバを提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は、ＬｉＮｂＯ3
単結晶よりなる圧電基板を用いたエラスティックコンボ
ルバにおいて、より一層効率を高めるべく考えられたも
のであり、下記の構成を備えることを特徴とする。
単結晶よりなる圧電基板を用いたエラスティックコンボ
ルバにおいて、より一層効率を高めるべく考えられたも
のであり、下記の構成を備えることを特徴とする。
【００１３】すなわち、本発明は、ＹカットＺ方向伝搬
ＬｉＮｂＯ3 単結晶よりなる圧電基板と、前記圧電基板
の＋Ｙ面上において所定距離を隔てて配置された一対の
入力用ＩＤＴと、前記一対の入力用ＩＤＴ間に配置され
た導波路と、前記導波路と、各入力用ＩＤＴとの間にそ
れぞれ形成されたＭＳＣと、前記圧電基板上に形成され
たＺｎＯ、Ｔａ2 Ｏ5 またはＣｄＳよりなる圧電薄膜と
を備え、前記圧電薄膜の膜厚をＨ、伝搬する表面波の波
長をλとしたときに、Ｈ／λが０．０８〜０．３の範囲
とされている、エラスティックコンボルバである。
ＬｉＮｂＯ3 単結晶よりなる圧電基板と、前記圧電基板
の＋Ｙ面上において所定距離を隔てて配置された一対の
入力用ＩＤＴと、前記一対の入力用ＩＤＴ間に配置され
た導波路と、前記導波路と、各入力用ＩＤＴとの間にそ
れぞれ形成されたＭＳＣと、前記圧電基板上に形成され
たＺｎＯ、Ｔａ2 Ｏ5 またはＣｄＳよりなる圧電薄膜と
を備え、前記圧電薄膜の膜厚をＨ、伝搬する表面波の波
長をλとしたときに、Ｈ／λが０．０８〜０．３の範囲
とされている、エラスティックコンボルバである。
【００１４】なお、好ましくは、請求項２に記載のよう
に、上記圧電薄膜は、圧電基板上の導波路上を除く残り
の領域のうち、少なくとも前記一対の入力用ＩＤＴが形
成されている領域上に形成される。
に、上記圧電薄膜は、圧電基板上の導波路上を除く残り
の領域のうち、少なくとも前記一対の入力用ＩＤＴが形
成されている領域上に形成される。
【００１５】
【作用】本願発明者は、ＬｉＮｂＯ3 単結晶よりなる圧
電基板を用いて構成されたエラスティックコンボルバの
効率を高めるべく鋭意検討した結果、ＹカットＺ方向伝
搬のＬＩＮｂＯ3 単結晶を用い、かつその＋Ｙ面上に上
記ＩＤＴ等を形成し、さらにその上に圧電薄膜を形成す
れば、エラスティックコンボルバの効率を効果的に高め
得ることを見出した。このように、＋Ｙ面を利用し、か
つ圧電薄膜の膜厚を上記特定の範囲とすることにより、
効率を高め得ることは、本願発明者により実験的に確か
められたものであるが、従来、ＹカットＺ方向伝搬のＬ
ｉＮｂＯ3単結晶の＋Ｙ面及び−Ｙ面の相違や上記圧電
基板上に積層される圧電薄膜の膜厚がエラスティックコ
ンボルバの効率に影響することは、報告されていない。
電基板を用いて構成されたエラスティックコンボルバの
効率を高めるべく鋭意検討した結果、ＹカットＺ方向伝
搬のＬＩＮｂＯ3 単結晶を用い、かつその＋Ｙ面上に上
記ＩＤＴ等を形成し、さらにその上に圧電薄膜を形成す
れば、エラスティックコンボルバの効率を効果的に高め
得ることを見出した。このように、＋Ｙ面を利用し、か
つ圧電薄膜の膜厚を上記特定の範囲とすることにより、
効率を高め得ることは、本願発明者により実験的に確か
められたものであるが、従来、ＹカットＺ方向伝搬のＬ
ｉＮｂＯ3単結晶の＋Ｙ面及び−Ｙ面の相違や上記圧電
基板上に積層される圧電薄膜の膜厚がエラスティックコ
ンボルバの効率に影響することは、報告されていない。
【００１６】なお、本発明において、膜厚を、上記特定
の範囲内としたのは、この範囲外では電気機械結合係数
を高め得ることができず、従ってエラスティックコンボ
ルバの効率を充分に高めることができないからである。
の範囲内としたのは、この範囲外では電気機械結合係数
を高め得ることができず、従ってエラスティックコンボ
ルバの効率を充分に高めることができないからである。
【００１７】また、請求項２に記載の発明では、上記圧
電薄膜が、導波路上を除く残りの領域のうち、少なくと
も前記一対の入力用ＩＤＴが形成されている領域上に形
成されるが、これは、まだ公知ではない特願平５−４１
４４３号に開示されているように、上記範囲にのみ圧電
薄膜を形成することにより、帯域幅を狭めることなく効
率を高める得ることによる。
電薄膜が、導波路上を除く残りの領域のうち、少なくと
も前記一対の入力用ＩＤＴが形成されている領域上に形
成されるが、これは、まだ公知ではない特願平５−４１
４４３号に開示されているように、上記範囲にのみ圧電
薄膜を形成することにより、帯域幅を狭めることなく効
率を高める得ることによる。
【００１８】
【実施例の説明】以下、図面を参照しつつ非限定的な実
施例を説明することにより、本発明を明らかにする。
施例を説明することにより、本発明を明らかにする。
【００１９】図１は、本発明の第１の実施例に係るエラ
スティックコンボルバを示す平面図である。エラスティ
ックコンボルバ１１は、平面形状が四角形の圧電基板１
２を用いて構成されている。圧電基板１２は、Ｙカット
Ｚ方向伝搬ＬｉＮｂＯ3 単結晶基板により構成されてい
るが、図示されている面すなわち上面が＋Ｙ面とされて
いる。
スティックコンボルバを示す平面図である。エラスティ
ックコンボルバ１１は、平面形状が四角形の圧電基板１
２を用いて構成されている。圧電基板１２は、Ｙカット
Ｚ方向伝搬ＬｉＮｂＯ3 単結晶基板により構成されてい
るが、図示されている面すなわち上面が＋Ｙ面とされて
いる。
【００２０】圧電基板１２の端面１２ａ，１２ｂの近傍
には、入力用ＩＤＴ１３，１３が形成されている。入力
用ＩＤＴ１３，１３は、それぞれ、互いに間挿し合う複
数本の電極指を有する一対のくし歯電極により構成され
ている。また、入力用ＩＤＴ１３，１３間の中央には、
表面波伝搬方向に平行に延びる導波路１４が形成されて
いる。導波路１４と、各入力用ＩＤＴ１３との間にＭＳ
Ｃ１５，１５が形成されている。
には、入力用ＩＤＴ１３，１３が形成されている。入力
用ＩＤＴ１３，１３は、それぞれ、互いに間挿し合う複
数本の電極指を有する一対のくし歯電極により構成され
ている。また、入力用ＩＤＴ１３，１３間の中央には、
表面波伝搬方向に平行に延びる導波路１４が形成されて
いる。導波路１４と、各入力用ＩＤＴ１３との間にＭＳ
Ｃ１５，１５が形成されている。
【００２１】さらに、圧電基板１２の上面において、入
力用ＩＤＴ１３，１３及びＭＳＣ１５，１５が形成され
ている部分を覆うようにＺｎＯ圧電薄膜１６，１６が被
覆されている。ＺｎＯ圧電薄膜１６，１６の膜厚Ｈは、
励振される表面波の波長をλとしたときに、Ｈ／λが
０．０８〜０．３の範囲となるように選ばれている。従
って、後述の実験例から明らかなように、単にＺｎＯ圧
電薄膜を積層形成した場合に比べて、上記特定の範囲の
膜厚のＺｎＯ圧電薄膜１６を形成することにより、さら
に圧電基板の＋Ｙ面上にＩＤＴ１３や圧電薄膜１６等を
形成していることにより、エラスティックコンボルバ１
１の効率が効果的に高められる。
力用ＩＤＴ１３，１３及びＭＳＣ１５，１５が形成され
ている部分を覆うようにＺｎＯ圧電薄膜１６，１６が被
覆されている。ＺｎＯ圧電薄膜１６，１６の膜厚Ｈは、
励振される表面波の波長をλとしたときに、Ｈ／λが
０．０８〜０．３の範囲となるように選ばれている。従
って、後述の実験例から明らかなように、単にＺｎＯ圧
電薄膜を積層形成した場合に比べて、上記特定の範囲の
膜厚のＺｎＯ圧電薄膜１６を形成することにより、さら
に圧電基板の＋Ｙ面上にＩＤＴ１３や圧電薄膜１６等を
形成していることにより、エラスティックコンボルバ１
１の効率が効果的に高められる。
【００２２】さらに、本実施例のエラスティックコンボ
ルバ１１では、ＺｎＯ圧電薄膜１６，１６が導波路１４
上には被覆形成されていないため、導波路１４上におけ
る伝搬損失が小さくされている。従って、従来のエラス
ティックコンボルバ１に比べて効率が高められるだけで
なく、帯域幅が狭められることもない。
ルバ１１では、ＺｎＯ圧電薄膜１６，１６が導波路１４
上には被覆形成されていないため、導波路１４上におけ
る伝搬損失が小さくされている。従って、従来のエラス
ティックコンボルバ１に比べて効率が高められるだけで
なく、帯域幅が狭められることもない。
【００２３】次に、上記実施例においてＹカットＺ方向
伝搬ＬｉＮｂＯ3 単結晶よりなる圧電基板の＋Ｙ面上に
上記各構造を形成し、さらにＺｎＯ圧電薄膜１６の膜厚
を上記特定の範囲としたことにより効率が高められる理
由を、具体的な実験例に基づき説明する。
伝搬ＬｉＮｂＯ3 単結晶よりなる圧電基板の＋Ｙ面上に
上記各構造を形成し、さらにＺｎＯ圧電薄膜１６の膜厚
を上記特定の範囲としたことにより効率が高められる理
由を、具体的な実験例に基づき説明する。
【００２４】図２に示すように、ＹカットＺ方向伝搬Ｌ
ｉＮｂＯ3 圧電単結晶よりなる圧電基板１７上に、Ｚｎ
Ｏ圧電薄膜１８を形成した構造を用意した。なお、この
構造を用意するにあたっては、圧電基板１７としてその
＋Ｙ面上に圧電薄膜１８を形成したものと、−Ｙ面上に
圧電薄膜１８を形成したものとを用意し、さらに圧電薄
膜１８の膜厚を種々異ならせたものを用意した。また、
圧電基板１７と圧電薄膜１８との境界面に所定距離を隔
てて一対のＩＤＴを形成しておいた。
ｉＮｂＯ3 圧電単結晶よりなる圧電基板１７上に、Ｚｎ
Ｏ圧電薄膜１８を形成した構造を用意した。なお、この
構造を用意するにあたっては、圧電基板１７としてその
＋Ｙ面上に圧電薄膜１８を形成したものと、−Ｙ面上に
圧電薄膜１８を形成したものとを用意し、さらに圧電薄
膜１８の膜厚を種々異ならせたものを用意した。また、
圧電基板１７と圧電薄膜１８との境界面に所定距離を隔
てて一対のＩＤＴを形成しておいた。
【００２５】上記のようにして用意した各構造における
表面波の音速を測定した。結果を、図３に示す。また、
上記音速から求めた電気機械結合係数と、Ｈ／λとの関
係を図４に示す。
表面波の音速を測定した。結果を、図３に示す。また、
上記音速から求めた電気機械結合係数と、Ｈ／λとの関
係を図４に示す。
【００２６】なお、図３及び図４において、実線＋Ｙ
は、それぞれ、＋Ｙ面上にＺｎＯ圧電薄膜１８を形成し
た場合を、破線−Ｙは−Ｙ面上に圧電薄膜１８を形成し
た場合の特性を示す。
は、それぞれ、＋Ｙ面上にＺｎＯ圧電薄膜１８を形成し
た場合を、破線−Ｙは−Ｙ面上に圧電薄膜１８を形成し
た場合の特性を示す。
【００２７】図３及び図４から明らかなように、Ｙカッ
トＺ方向伝搬ＬｉＮｂＯ3 単結晶よりなる圧電基板１７
上にＺｎＯ圧電薄膜１８を形成する場合、＋Ｙ面上にＺ
ｎＯ圧電薄膜１８を形成した場合の方が電気機械結合係
数が高められることがわかる。特に、Ｈ／λが０．０８
〜０．３の範囲では、−Ｙ面上に圧電薄膜１８を形成し
た場合には得られない大きな電気機械結合係数ｋを実現
し得ることがわかる。従って、Ｈ／λが０．０８〜０．
３の範囲に入るようにＺｎＯ圧電薄膜１８の膜厚を選択
し、ＬｉＮｂＯ3 単結晶よりなる圧電基板１７の＋Ｙ面
上に積層することにより、極めて高い効率のエラスティ
ックコンボルバを構成し得ることがわかる。
トＺ方向伝搬ＬｉＮｂＯ3 単結晶よりなる圧電基板１７
上にＺｎＯ圧電薄膜１８を形成する場合、＋Ｙ面上にＺ
ｎＯ圧電薄膜１８を形成した場合の方が電気機械結合係
数が高められることがわかる。特に、Ｈ／λが０．０８
〜０．３の範囲では、−Ｙ面上に圧電薄膜１８を形成し
た場合には得られない大きな電気機械結合係数ｋを実現
し得ることがわかる。従って、Ｈ／λが０．０８〜０．
３の範囲に入るようにＺｎＯ圧電薄膜１８の膜厚を選択
し、ＬｉＮｂＯ3 単結晶よりなる圧電基板１７の＋Ｙ面
上に積層することにより、極めて高い効率のエラスティ
ックコンボルバを構成し得ることがわかる。
【００２８】なお、図３及び図４は、圧電薄膜として、
ＺｎＯ薄膜１８を形成した場合を説明したが、Ｔａ2 Ｏ
5 薄膜やＣｄＳ薄膜を圧電薄膜として用いた場合にも、
＋Ｙ面上に圧電薄膜を形成することによりエラスティッ
クコンボルバの効率を効果的に高め得ることが本願発明
者により確かめられている。
ＺｎＯ薄膜１８を形成した場合を説明したが、Ｔａ2 Ｏ
5 薄膜やＣｄＳ薄膜を圧電薄膜として用いた場合にも、
＋Ｙ面上に圧電薄膜を形成することによりエラスティッ
クコンボルバの効率を効果的に高め得ることが本願発明
者により確かめられている。
【００２９】また、図１に示した実施例では、ＺｎＯ圧
電薄膜１６，１６は、ＩＤＴ１３，１３及びＭＳＣ１
５，１５上を覆うように形成されていたが、圧電薄膜
は、ＹカットＺ方向伝搬ＬｉＮｂＯ3 単結晶よりなる圧
電基板の＋Ｙ面において全面に形成されていてもよい。
もっとも、全面に形成した場合には、導波路上の表面波
の伝搬ロスが大きくなるため、好ましくは、第１の実施
例や、図５及び図６に示す第２，第３の実施例のよう
に、導波路１４上を除く残りの領域を覆うようにＺｎＯ
圧電薄膜を形成することが好ましい。
電薄膜１６，１６は、ＩＤＴ１３，１３及びＭＳＣ１
５，１５上を覆うように形成されていたが、圧電薄膜
は、ＹカットＺ方向伝搬ＬｉＮｂＯ3 単結晶よりなる圧
電基板の＋Ｙ面において全面に形成されていてもよい。
もっとも、全面に形成した場合には、導波路上の表面波
の伝搬ロスが大きくなるため、好ましくは、第１の実施
例や、図５及び図６に示す第２，第３の実施例のよう
に、導波路１４上を除く残りの領域を覆うようにＺｎＯ
圧電薄膜を形成することが好ましい。
【００３０】図５は、第２の実施例のエラスティックコ
ンボルバ２１を示し、ここでは、圧電薄膜２６，２６
は、ＩＤＴ１３，１３上を覆うように形成されている。
また、図６に示す第３の実施例のエラスティックコンボ
ルバ３１では、導波路１４上を除く残りの領域において
＋Ｙ面上に圧電薄膜３６が形成されている。
ンボルバ２１を示し、ここでは、圧電薄膜２６，２６
は、ＩＤＴ１３，１３上を覆うように形成されている。
また、図６に示す第３の実施例のエラスティックコンボ
ルバ３１では、導波路１４上を除く残りの領域において
＋Ｙ面上に圧電薄膜３６が形成されている。
【００３１】第２，第３の実施例のエラスティックコン
ボルバ２１，３１においても、圧電薄膜２６，３６は、
第１の実施例と同様にＹカットＺ方向伝搬ＬｉＮｂＯ3
単結晶よりなる圧電基板の＋Ｙ面上に形成されており、
かつその膜厚が上記特定の範囲となるように選択されて
いる。従って、第１の実施例と同様に高効率のエラステ
ィックコンボルバを提供することができる。
ボルバ２１，３１においても、圧電薄膜２６，３６は、
第１の実施例と同様にＹカットＺ方向伝搬ＬｉＮｂＯ3
単結晶よりなる圧電基板の＋Ｙ面上に形成されており、
かつその膜厚が上記特定の範囲となるように選択されて
いる。従って、第１の実施例と同様に高効率のエラステ
ィックコンボルバを提供することができる。
【００３２】
【発明の効果】請求項１に記載の発明によれば、Ｙカッ
トＺ方向伝搬ＬｉＮｂＯ3 単結晶よりなる圧電基板の＋
Ｙ面上において、上記特定の膜厚を有するＺｎＯ、Ｔａ
2 Ｏ5またはＣｄＳからなる圧電薄膜が被覆形成されて
いるため、エラスティックコンボルバの効率を効果的に
高めることが可能となる。また、従来のエラスティック
コンボルバと同じ効率のものを得ようとした場合には、
ＭＳＣのストリップの本数を減らすことができるため、
R>より小型のエラスティックコンボルバを提供すること
が可能となる。
トＺ方向伝搬ＬｉＮｂＯ3 単結晶よりなる圧電基板の＋
Ｙ面上において、上記特定の膜厚を有するＺｎＯ、Ｔａ
2 Ｏ5またはＣｄＳからなる圧電薄膜が被覆形成されて
いるため、エラスティックコンボルバの効率を効果的に
高めることが可能となる。また、従来のエラスティック
コンボルバと同じ効率のものを得ようとした場合には、
ＭＳＣのストリップの本数を減らすことができるため、
R>より小型のエラスティックコンボルバを提供すること
が可能となる。
【００３３】請求項２に記載の発明では、圧電薄膜が導
波路上を除く残りの領域のうち、少なくとも前記一対の
入力用ＩＤＴが形成されている領域上に上記圧電薄膜が
形成されているため、帯域幅を狭めることなく高効率の
エラスティックコンボルバを提供することができる。
波路上を除く残りの領域のうち、少なくとも前記一対の
入力用ＩＤＴが形成されている領域上に上記圧電薄膜が
形成されているため、帯域幅を狭めることなく高効率の
エラスティックコンボルバを提供することができる。
【図１】第１の実施例のエラスティックコンボルバを示
す平面図。
す平面図。
【図２】ＬｉＮｂＯ3 単結晶よりなる圧電基板上にＺｎ
Ｏ圧電薄膜を形成した構造を説明するための模式的断面
図。
Ｏ圧電薄膜を形成した構造を説明するための模式的断面
図。
【図３】図２に示した構造におけるＺｎＯ圧電薄膜の膜
厚の波長に対する比Ｈ／λと、弾性表面波の音速との関
係を示す図。
厚の波長に対する比Ｈ／λと、弾性表面波の音速との関
係を示す図。
【図４】図２に示した構造におけるＺｎＯ圧電薄膜の膜
厚の波長に対する比Ｈ／λと、電気機械結合係数ｋとの
関係を示す図。
厚の波長に対する比Ｈ／λと、電気機械結合係数ｋとの
関係を示す図。
【図５】第２の実施例のエラスティックコンボルバを示
す平面図。
す平面図。
【図６】第３の実施例のエラスティックコンボルバを示
す平面図。
す平面図。
【図７】従来のエラスティックコンボルバを示す平面
図。
図。
１１，２１，３１…エラスティックコンボルバ １２…ＹカットＺ方向伝搬ＬｉＮｂＯ3 単結晶よりなる
圧電基板 １３…ＩＤＴ １４…導波路 １５，１５…ＭＳＣ １６，２６，３６…圧電薄膜
圧電基板 １３…ＩＤＴ １４…導波路 １５，１５…ＭＳＣ １６，２６，３６…圧電薄膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−35211（ＪＰ，Ａ) 特開 昭54−66792（ＪＰ，Ａ) ＰＲＯＣＥＥＤＩＮＧＳ ＯＦ ＴＨ Ｅ ＩＥＥＥ，ＶＯＬ．64，ＮＯ．５, ＭＡＹ 1976，Ｐ748−751 昭和51年度電子通信学会全国大会講演 論文集［分冊１］、昭和51年３月，ｐ. １−56 (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H03H 9/72 H03H 9/145 H03H 9/25
Claims (2)
- 【請求項１】 ＹカットＺ方向伝搬ＬｉＮｂＯ3 単結晶
よりなる圧電基板と、 前記圧電基板の＋Ｙ面上において所定距離を隔てて配置
された一対の入力用インターデジタルトランスデューサ
と、 前記一対の入力用インターデジタルトランスデューサ間
に配置された導波路と、 前記導波路と、各入力用インターデジタルトランスデュ
ーサとの間にそれぞれ形成されたマルチストリップカプ
ラーと、 前記圧電基板上に形成されたＺｎＯ、Ｔａ2 Ｏ5 及びＣ
ｄＳの内の１種からなる圧電薄膜とを備え、 前記圧電薄膜の膜厚をＨ、伝搬する表面波の波長をλと
したときに、Ｈ／λが０．０８〜０．３の範囲とされて
いる、エラスティックコンボルバ。 - 【請求項２】前記圧電薄膜が、圧電基板上の前記導波路
上を除く領域のうち、少なくとも前記一対の入力用イン
ターデジタルトランスデューサが形成されている領域を
覆うように形成されている、請求項１に記載のエラステ
ィックコンボルバ。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26377093A JP3166445B2 (ja) | 1993-10-21 | 1993-10-21 | エラスティックコンボルバ |
| DE4406501A DE4406501C2 (de) | 1993-03-02 | 1994-02-28 | Oberflächenwellen-Konvolver |
| US08/204,591 US5444322A (en) | 1993-03-02 | 1994-03-01 | Elastic convolver |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26377093A JP3166445B2 (ja) | 1993-10-21 | 1993-10-21 | エラスティックコンボルバ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07122971A JPH07122971A (ja) | 1995-05-12 |
| JP3166445B2 true JP3166445B2 (ja) | 2001-05-14 |
Family
ID=17394048
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26377093A Expired - Fee Related JP3166445B2 (ja) | 1993-03-02 | 1993-10-21 | エラスティックコンボルバ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3166445B2 (ja) |
-
1993
- 1993-10-21 JP JP26377093A patent/JP3166445B2/ja not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| ＰＲＯＣＥＥＤＩＮＧＳ ＯＦ ＴＨＥ ＩＥＥＥ，ＶＯＬ．６４，ＮＯ．５，ＭＡＹ １９７６，Ｐ７４８−７５１ |
| 昭和５１年度電子通信学会全国大会講演論文集［分冊１］、昭和５１年３月，ｐ．１−５６ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07122971A (ja) | 1995-05-12 |
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