JP5713027B2 - 弾性表面波フィルタ装置 - Google Patents

Description

本発明は、弾性表面波フィルタ装置に関する。特に、本発明は、ラダー型弾性表面波フィルタ部を有する弾性表面波フィルタ装置に関する。

従来、例えば携帯電話機などの通信機におけるＲＦ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）回路に搭載される帯域通過フィルタや分波器として、弾性表面波を利用した弾性表面波フィルタ装置が用いられている。そのような弾性表面波フィルタ装置の一例として、例えば下記の特許文献１には、ラダー型弾性表面波フィルタ部を有する弾性表面波フィルタ装置が記載されている。特許文献１には、ラダー型弾性表面波フィルタ部を構成する複数の弾性表面波共振子において、各弾性表面波共振子のＩＤＴ電極の上に保護膜を設け、並列腕弾性表面波共振子におけるＩＤＴ電極の上の保護膜の厚さと、直列腕弾性表面波共振子におけるＩＤＴ電極の上の保護膜の厚さとを異ならせることにより、フィルタ特性を急峻にすると共に、通過帯域における周波数特性を平坦にすることが記載されている。

特開２０００−１９６４０９号公報

しかしながら、特許文献１に記載の弾性表面波フィルタ装置では、通過帯域内にリップルが発生してしまう場合があるという問題がある。

本発明は、斯かる点に鑑みて成されたものであり、その目的は、急峻なフィルタ特性を有すると共に、通過帯域が広く、かつ通過帯域内におけるリップルが抑圧された弾性表面波フィルタ装置を提供することにある。

本発明に係る弾性表面波フィルタ装置のある広い局面では、レイリー波を主モードとして利用し、ラダー型弾性表面波フィルタ部を備えている。ラダー型弾性表面波フィルタ部は、直列腕と、直列腕共振子と、並列腕と、並列腕共振子とを有する。直列腕共振子は、直列腕において接続されている。並列腕は、直列腕とグラウンドとを接続している。並列腕共振子は、並列腕に設けられている。直列腕共振子と並列腕共振子とのそれぞれは、圧電基板と、ＩＤＴ電極と、誘電体層とを有する弾性表面波共振子により構成されている。ＩＤＴ電極は、圧電基板の上に形成されている。誘電体層は、ＩＤＴ電極を覆うように形成されている。圧電基板がＬｉＮｂＯ _３ 基板からなり、オイラー角（φ，θ，ψ）において、θが２５°〜４５°の範囲内にあり、ψが直列腕共振子を構成する弾性表面波共振子における弾性表面波の伝搬方位及び並列腕共振子を構成する弾性表面波共振子における弾性表面波の伝搬方位である。直列腕共振子を構成する弾性表面波共振子の誘電体層が、並列腕共振子を構成する弾性表面波共振子の誘電体層よりも厚くされており、直列腕共振子を構成する弾性表面波共振子のψが０°±１°の範囲内にあり、並列腕共振子を構成する弾性表面波共振子のψが１°〜８°の範囲内にある。直列腕共振子を構成する弾性表面波共振子における弾性表面波の伝搬方位が、並列腕共振子を構成する弾性表面波共振子における弾性表面波の伝搬方位に対してなす角度が、０°より大きく８°以下である。

本発明に係る弾性表面波フィルタ装置の他の広い局面では、レイリー波を主モードとして利用し、ラダー型弾性表面波フィルタ部を備えている。ラダー型弾性表面波フィルタ部は、直列腕と、直列腕共振子と、並列腕と、並列腕共振子とを有する。直列腕共振子は、直列腕において接続されている。並列腕は、直列腕とグラウンドとを接続している。並列腕共振子は、並列腕に設けられている。直列腕共振子と並列腕共振子とのそれぞれは、圧電基板と、ＩＤＴ電極と、誘電体層とを有する弾性表面波共振子により構成されている。ＩＤＴ電極は、圧電基板の上に形成されている。誘電体層は、ＩＤＴ電極を覆うように形成されている。圧電基板がＬｉＮｂＯ_３基板からなり、オイラー角（φ，θ，ψ）において、θが２５°〜４５°の範囲内にあり、ψが直列腕共振子を構成する弾性表面波共振子における弾性表面波の伝搬方位及び並列腕共振子を構成する弾性表面波共振子における弾性表面波の伝搬方位である。直列腕共振子を構成する弾性表面波共振子の誘電体層が、並列腕共振子を構成する弾性表面波共振子の誘電体層よりも薄くされており、直列腕共振子を構成する弾性表面波共振子のψが１°〜８°の範囲内にあり、並列腕共振子を構成する弾性表面波共振子のψが０°±１°の範囲内にある。直列腕共振子を構成する弾性表面波共振子における弾性表面波の伝搬方位が、並列腕共振子を構成する弾性表面波共振子における弾性表面波の伝搬方位に対してなす角度が、０°より大きく８°以下である。

なお、本発明において、オイラー角（φ，θ，ψ）とは、圧電基板の切断面と弾性表面波の伝搬方向を表現するものである。本発明において、オイラー角（φ，θ，ψ）は、文献「弾性波素子技術ハンドブック」（日本学術振興会弾性波素子技術第１５０委員会、第１版第１刷、平成１３年１１月３０日発行、５４９頁）記載の右手系オイラー角である。すなわち、圧電基板の結晶軸Ｘ、Ｙ、Ｚに対し、Ｚ軸を軸としてＸ軸を反時計廻りにφ回転しＸａ軸を得る。次に、Ｘａ軸を軸としてＺ軸を反時計廻りにθ回転しＺ′軸を得る。Ｘａ軸を含み、Ｚ′軸を法線とする面を圧電基板の切断面とする。そして、Ｚ′軸を軸としてＸａ軸を反時計廻りにψ回転した軸Ｘ′方向を弾性表面波の伝搬方向とする。また、オイラー角の初期値として与える圧電基板の結晶軸Ｘ、Ｙ、Ｚは、Ｚ軸をｃ軸と平行とし、Ｘ軸を等価な３方向のａ軸のうち任意の１つと平行とし、Ｙ軸はＸ軸とＺ軸を含む面の法線方向とする。

本発明に係る弾性表面波フィルタ装置のさらに他の特定の局面では、並列腕共振子を構成する弾性表面波共振子のψが３．５°〜６．５°の範囲内にある。

本発明に係る弾性表面波フィルタ装置のまた他の特定の局面では、直列腕共振子を構成する弾性表面波共振子のψが３．５°〜６．５°の範囲内にある。

本発明に係る弾性表面波フィルタ装置のまた別の特定の局面では、誘電体層は、ＳｉＯ_２層を含む。なお、誘電体層は、ＳｉＯ_２層のみにより構成されていてもよいし、ＳｉＯ_２層を含む積層体により構成されていてもよい。

本発明に係る弾性表面波フィルタ装置のまたさらに他の特定の局面では、直列腕共振子の圧電基板と、並列腕共振子の圧電基板とが共通の圧電基板により構成されている。

本発明によれば、急峻なフィルタ特性を有すると共に、通過帯域が広く、かつ通過帯域内におけるリップルが抑圧された弾性表面波フィルタ装置を提供することができる。

図１は、本発明の一実施形態に係る弾性表面波フィルタ装置の等価回路図である。 図２は、本発明の一実施形態における弾性表面波フィルタチップの模式的透視平面図である。 図３は、本発明の一実施形態における直列腕共振子を構成している弾性表面波共振子の一部分の略図的断面図である。 図４は、本発明の一実施形態における並列腕共振子を構成している弾性表面波共振子の一部分の略図的断面図である。 図５は、比較例１の弾性表面波フィルタ装置の送信フィルタのフィルタ特性と、比較例２の弾性表面波フィルタ装置の送信フィルタのフィルタ特性とを表すグラフである。 図６は、本発明の一実施形態に係る弾性表面波フィルタ装置の送信フィルタのフィルタ特性と、比較例１の弾性表面波フィルタ装置の送信フィルタのフィルタ特性とを表すグラフである。 図７は、本発明の一実施形態に係る弾性表面波フィルタ装置の送信フィルタのフィルタ特性と、比較例２の弾性表面波フィルタ装置の送信フィルタのフィルタ特性とを表すグラフである。 図８は、比較例３の弾性表面波フィルタ装置の送信フィルタのフィルタ特性を表すグラフである。 図９は、本発明の一実施形態に係る弾性表面波フィルタ装置の送信フィルタのフィルタ特性を表すグラフである。 図１０は、実験例において作製した１ポート型弾性表面波共振子のＩＤＴ電極の模式的平面図である。 図１１は、ψ＝０°であるときの１ポート型弾性表面波共振子のインピーダンス特性を表すグラフである。 図１２は、ψ＝０°であるときの１ポート型弾性表面波共振子のリターンロスを表すグラフである。 図１３は、ψ＝２．５°であるときの１ポート型弾性表面波共振子のインピーダンス特性を表すグラフである。 図１４は、ψ＝２．５°であるときの１ポート型弾性表面波共振子のリターンロスを表すグラフである。 図１５は、ψ＝５．０°であるときの１ポート型弾性表面波共振子のインピーダンス特性を表すグラフである。 図１６は、ψ＝５．０°であるときの１ポート型弾性表面波共振子のリターンロスを表すグラフである。 図１７は、ψ＝７．５°であるときの１ポート型弾性表面波共振子のインピーダンス特性を表すグラフである。 図１８は、ψ＝７．５°であるときの１ポート型弾性表面波共振子のリターンロスを表すグラフである。 図１９は、ψ＝１０°であるときの１ポート型弾性表面波共振子のインピーダンス特性を表すグラフである。 図２０は、ψ＝１０°であるときの１ポート型弾性表面波共振子のリターンロスを表すグラフである。 図２１は、オイラー角（φ，θ，ψ）のψとＳＨ波に起因するリップルのリターンロスの大きさとの関係を表すグラフである。 図２２は、実験例の１ポート型弾性表面波共振子において、ＩＤＴ電極の電極指を短絡させていないときのレイリー波及びＳＨ波それぞれの音速、並びにＩＤＴ電極の電極指を短絡させたときのレイリー波及びＳＨ波それぞれの音速を表すグラフである。 図２３は、酸化ケイ素からなる誘電体膜の膜厚と、ＴＣＦとの関係を表すグラフである。 図２４は、酸化ケイ素からなる誘電体膜の膜厚と、ＩＤＴ電極のフィンガー部の幅が１ｎｍ変化したときの周波数の変化量との関係を表すグラフである。

以下、本発明を実施した好ましい形態について、図１に示す弾性表面波フィルタ装置１を例に挙げて説明する。本実施形態の弾性表面波フィルタ装置１は、ラダー型弾性表面波フィルタ部を有する、デュプレクサである。デュプレクサは、分波器の一種である。但し、本発明に係る弾性表面波フィルタ装置は、デュプレクサに限定されない。本発明に係る弾性表面波フィルタ装置は、ラダー型弾性表面波フィルタ部を有するものである限りにおいて特に限定されず、トリプレクサなどの他の分波器であってもよいし、入力信号端子または出力信号端子の少なくとも一方が共通に接続されていない複数のフィルタ部を含むものであってもよいし、ひとつのラダー型弾性表面波フィルタ部のみを有するものであってもよい。

図１は、本実施形態に係る弾性表面波フィルタ装置１の等価回路図である。図２は、本実施形態における弾性表面波フィルタチップの模式的透視平面図である。図３は、本実施形態における直列腕共振子Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３を構成している弾性表面波共振子３０の一部分の略図的断面図である。図４は、本実施形態における並列腕共振子Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３を構成している弾性表面波共振子４０の一部分の略図的断面図である。

本実施形態の弾性表面波フィルタ装置１は、例えば、ＵＭＴＳのようなＣＤＭＡ方式に対応する携帯電話機などのＲＦ回路に搭載されるものである。具体的には、弾性表面波フィルタ装置１は、ＵＭＴＳ−ＢＡＮＤ３に対応するデュプレクサである。ＵＭＴＳ−ＢＡＮＤ３の送信周波数帯は、１７１０ＭＨｚ〜１７８５ＭＨｚであり、受信周波数帯は、１８０５ＭＨｚ〜１８８０ＭＨｚである。このように、ＵＭＴＳ−ＢＡＮＤ３においては、送信側周波数帯が受信側周波数帯よりも低周波数側に位置している。

図１に示すように、弾性表面波フィルタ装置１は、アンテナに接続されるアンテナ端子１０と、送信側信号端子１１と、受信側信号端子１２とを備えている。アンテナ端子１０と受信側信号端子１２との間には、受信フィルタ１３が接続されている。本実施形態において受信フィルタ１３の構成は、特に限定されない。受信フィルタ１３は、例えば、縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部により構成されていてもよいし、ラダー型弾性表面波フィルタ部により構成されていてもよい。なお、図１においては、ひとつの受信側信号端子１２のみを描画しているが、受信フィルタ１３が平衡−不平衡変換機能を有するバランス型のフィルタ部により構成されている場合は、２つの受信側信号端子が設けられる。

アンテナ端子１０と送信側信号端子１１との間には、送信フィルタ２０が接続されている。送信フィルタ２０と受信フィルタ１３との接続点とアンテナ端子１０との間の接続点と、グラウンドとの間には、整合回路としてのインダクタＬが接続されている。

送信フィルタ２０は、ラダー型弾性表面波フィルタ部により構成されている。送信フィルタ２０は、アンテナ端子１０と送信側信号端子１１とを接続している直列腕２１を有する。直列腕２１には、複数の直列腕共振子Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３が直列に接続されている。なお、直列腕共振子Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３は、それぞれ、ひとつの共振子として機能する複数の弾性表面波共振子によって構成されている。これにより、送信フィルタ２０の耐電力性が高められている。もっとも、本発明においては、直列腕共振子は、ひとつの共振子として機能する複数の弾性表面波共振子によって構成されていてもよいし、ひとつの弾性表面波共振子によって構成されていてもよい。

送信フィルタ２０は、直列腕２１とグラウンドとの間に接続されている複数の並列腕２２，２３，２４を有する。並列腕２２，２３，２４のそれぞれには、並列腕共振子Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３が設けられている。並列腕共振子Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３のそれぞれは、ひとつの共振子として機能する複数の弾性表面波共振子により構成されている。これにより、送信フィルタ２０の耐電力性が高められている。もっとも、本発明においては、並列腕共振子は、ひとつの共振子として機能する複数の弾性表面波共振子によって構成されていてもよいし、ひとつの弾性表面波共振子によって構成されていてもよい。

次に、図３及び図４を参照しながら、直列腕共振子Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３を構成している弾性表面波共振子３０と、並列腕共振子Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３を構成している弾性表面波共振子４０との構成について説明する。

弾性表面波共振子３０，４０は、圧電基板３１を備えている。すなわち、弾性表面波共振子３０，４０は、圧電基板３１を共有している。

弾性表面波共振子３０は、ＩＤＴ電極３２と、誘電体層３３とを有する。ＩＤＴ電極３２は、圧電基板３１の主面３１ａの上に形成されている。誘電体層３３は、ＩＤＴ電極３２と圧電基板３１の主面３１ａとの上に形成されている。すなわち、誘電体層３３によりＩＤＴ電極３２が覆われている。一方、弾性表面波共振子４０は、ＩＤＴ電極４２と、誘電体層４３とを有する。ＩＤＴ電極４２は、圧電基板３１の主面３１ａの上に形成されている。誘電体層４３は、ＩＤＴ電極４２と圧電基板３１の主面３１ａとの上に形成されている。すなわち、誘電体層４３によりＩＤＴ電極４２が覆われている。

ＩＤＴ電極３２，４２は、１組の櫛歯状電極により構成されている。櫛歯状電極は、複数の電極指と、複数の電極指が接続されているバスバーとを有する。図３及び図４では、ＩＤＴ電極３２，４２のうち、電極指の部分のみが図示されている。

本実施形態の送信フィルタ２０では、レイリー波を主モードとしている。そのため、圧電基板３１は、ＬｉＮｂＯ_３基板により構成されている。より具体的には、本実施形態では、圧電基板３１は、オイラー角（φ，θ，ψ）のθが２５°〜４５°の範囲にあるＬｉＮｂＯ_３基板により構成されている。このため、レイリー波の電気機械結合係数を大きくすることができ、送信フィルタ２０の通過帯域を広くすることができる。なお、φは、０°±５°の範囲内であることが好ましい。

もっとも、本発明において、圧電基板は、ＬｉＮｂＯ_３基板により構成されていなくてもよい。圧電基板は、例えば、ＬｉＴａＯ_３基板や水晶基板等により構成されていてもよい。以下、本実施形態においては、圧電基板３１が、オイラー角が（０°，３７．５°，ψ）であるＬｉＮｂＯ_３基板により構成されている例について説明する。この場合、送信フィルタ２０では、ψの方向に伝搬するレイリー波を主モードとする。すなわち、ψが伝搬方位となる。なお、オイラー角が（０°，３７．５°，ψ）であるＬｉＮｂＯ_３基板は、別の表現では、１２７．５°ＹカットＸ伝搬ＬｉＮｂＯ_３基板となる。

ＩＤＴ電極３２，４２は、特に限定されない。ＩＤＴ電極３２，４２は、例えば、Ａｌ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ａｕ，Ａｇ，Ｗ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｃｏ及びＴａからなる群から選ばれた金属、もしくは、Ａｌ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ａｕ，Ａｇ，Ｗ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｃｏ及びＴａからなる群から選ばれた一種以上の金属を含む合金により形成することができる。また、ＩＤＴ電極３２，４２は、上記金属や合金からなる複数の導電膜の積層体により構成されていてもよい。具体的には、本実施形態では、ＩＤＴ電極３２，４２は、共に、圧電基板３１側から、ＮｉＣｒ層（厚さ１０ｎｍ）と、Ｐｔ層（厚さ４０ｎｍ）と、Ｔｉ層（厚さ１０ｎｍ）と、Ａｌ層（厚さ１５０ｎｍ）と、Ｔｉ層（厚さ１０ｎｍ）とがこの順番で積層された積層体により構成されている。すなわち、ＩＤＴ電極３２とＩＤＴ電極４２とでは、同一の層構成となっている。本実施形態では、ＩＤＴ電極３２，４２は、レイリー波を主モードとすることができるように構成されている。

誘電体層３３，４３は、例えば、ＳｉＯ_２，ＳｉＮ，ＳｉＯＮ，Ｔａ_２Ｏ_５，ＡｌＮ，Ａｌ_２Ｏ_３，ＺｎＯなどの各種誘電体材料により形成することができる。また、誘電体層３３，４３は、例えば、上記誘電体材料からなる複数の誘電体層の積層体により構成されていてもよい。なかでも、誘電体層３３，４３は、ＳｉＯ_２層を含むことが好ましい。この場合、ＳｉＯ_２層は正の周波数温度係数（ＴＣＦ：Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ ｏｆ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）を有し、ＬｉＮｂＯ_３基板は負の周波数温度係数を有することから、誘電体層３３，４３の周波数温度係数と、圧電基板３１の周波数温度係数との符号が逆になるため、送信フィルタ２０の周波数温度特性を改善することができる。具体的には、本実施形態では、誘電体層３３，４３は、ＳｉＯ_２層３３ａ，４３ａとＳｉＮ層３３ｂ，４３ｂとの積層体により構成されている。ＳｉＯ_２層３３ａ，４３ａは、ＩＤＴ電極３２，４２と圧電基板３１の主面３１ａとを覆うように形成されている。ＳｉＮ層３３ｂ，４３ｂは、ＳｉＯ_２層３３ａ，４３ａの上に形成されている。なお、ＳｉＮ層３３ｂ，４３ｂは、その厚さを調整することにより、送信フィルタ２０の周波数を調整するための周波数調整膜として機能する。ＳｉＮ層３３ｂ，４３ｂの厚さは、例えば、２０ｎｍ程度とすることができる。

本実施形態においては、ＳｉＯ_２層３３ａの厚さが６７０ｎｍであり、ＳｉＯ_２層４３ａの厚さが３７０ｎｍである。このため、直列腕共振子Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３を構成している弾性表面波共振子３０における誘電体層３３の厚さｔ１が、並列腕共振子Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３を構成している弾性表面波共振子４０における誘電体層４３の厚さｔ２よりも厚い（ｔ１＞ｔ２）。ここで誘電体層の厚さは、誘電体層または電極指に当接する圧電基板の表面から誘電体層の圧電基板側と反対側の表面までの距離である。ただし１波長内において誘電体層の表面形状に起伏があって厚みが均一でない場合、電極指間に分布する誘電体層の上記厚みの算術平均値とする。さらにＩＤＴを覆う誘電体層の厚みが全体として一様でない場合は、弾性波が伝搬する方向のＩＤＴの中央部の電極指間の厚みを、ｔ１およびｔ２の値とする。

図２に、本実施形態の弾性表面波フィルタ装置１における弾性表面波フィルタチップである、送信フィルタチップ５０を示す。送信フィルタチップ５０には、送信フィルタ２０の直列腕共振子Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３及び並列腕共振子Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３を構成する複数の弾性表面波共振子３０，４０が形成されている。

図２に示すように、本実施形態では、直列腕共振子Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３を構成している弾性表面波共振子３０における弾性表面波の伝搬方位Ａ１が、並列腕共振子Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３を構成している弾性表面波共振子４０における弾性表面波の伝搬方位Ａ２と異ならされている。具体的には、圧電基板３１であるＬｉＮｂＯ_３基板のオイラー角（φ，θ，ψ）において、弾性表面波共振子３０ではψが０°とされており、弾性表面波共振子４０ではψが−５°とされている。このように、伝搬方位Ａ１が伝搬方位Ａ２に対してなす角度が、０°より大きく８°以下となるように弾性表面波共振子３０，４０が形成されている。すなわち、本実施形態では、図２に示すように、直列腕共振子を構成しているＩＤＴ電極３２において生じる弾性表面波の伝搬方位Ａ１と、並列腕共振子を構成しているＩＤＴ電極４２において生じる弾性表面波の伝搬方位Ａ２との差が０°より大きく８°以下となるように（すなわち、直列腕共振子と並列腕共振子とで弾性表面波の伝搬角の差が０°より大きく８°以下となるように）、ＩＤＴ電極３２，４２が形成されている。

ＵＭＴＳ−ＢＡＮＤ３では、送信周波数帯と受信周波数帯とは２０ＭＨｚしか離れていない。このように、送信周波数帯と受信周波数帯との間隔が狭いシステムに対応するデュプレクサにおいては、送信フィルタ及び受信フィルタの少なくとも一方は、急峻性が高いフィルタ特性を有することや周波数温度特性が優れていることが求められる。より詳細には、送信周波数帯が受信周波数帯よりも低域側に位置する場合、送信フィルタは、通過帯域高域側の急峻性が高いフィルタ特性を有することが求められる。また、送信周波数帯が受信周波数帯よりも高域側に位置する場合、送信フィルタは、通過帯域低域側の急峻性が高いフィルタ特性を有することが求められる。

ここで、送信フィルタがラダー型弾性表面波フィルタ部により構成されている場合、通過帯域高域側の急峻性が高いフィルタ特性を実現するためには、直列腕共振子を構成している弾性表面波共振子のΔｆ（共振周波数と反共振周波数との周波数差）を小さくすることが必要となる。これは、直列腕共振子を構成している弾性表面波共振子のΔｆが、通過帯域高域側の急峻性に大きく影響するためである。一方、通過帯域低域側の急峻性が高いフィルタ特性を実現するためには、並列腕共振子を構成している弾性表面波共振子のΔｆを小さくすることが必要となる。これは、並列腕共振子を構成している弾性表面波共振子のΔｆが、通過帯域低域側の急峻性に大きく影響するためである。

弾性表面波共振子においては、ＩＤＴ電極と圧電基板の主面とを覆うように形成されている誘電体層を厚くすることにより、Δｆを小さくすることができる。特に、圧電基板がＬｉＮｂＯ_３基板またはＬｉＴａＯ_３基板である弾性表面波共振子の場合、ＳｉＯ_２層を含む誘電体層とし、誘電体層を厚くすることにより、Δｆを小さくすることができるとともに、周波数温度特性を改善することができる。送信フィルタの通過帯域高域側の急峻性と通過帯域低域側の急峻性との両方を改善する観点からは、直列腕共振子及び並列腕共振子の両方を構成している弾性表面波共振子において、誘電体層を厚くすることが考えられる。

送信フィルタ２０を構成している弾性表面波共振子３０，４０における誘電体層３３，４３の厚さを３７０ｎｍとした弾性表面波フィルタ装置を比較例１として用意し、送信フィルタ２０を構成している弾性表面波共振子３０，４０における誘電体層３３，４３の厚さを６７０ｎｍとした弾性表面波フィルタ装置を比較例２として用意した。図５に、比較例１の弾性表面波フィルタ装置の送信フィルタのフィルタ特性と、比較例２の弾性表面波フィルタ装置の送信フィルタのフィルタ特性とを示す。図５において、実線が比較例１を示し、破線が比較例２を示す。

比較例１では、送信フィルタの直列腕共振子及び並列腕共振子の両方を構成している弾性表面波共振子において、誘電体層を薄くしたため、全ての弾性表面波共振子のΔｆが大きくなる。このため、図５から分かるように、通過帯域幅が広くなる一方で、通過帯域高域側の急峻性と通過帯域低域側の急峻性との両方が低くなっている。そのため、比較例１では、ＵＭＴＳ−ＢＡＮＤ３の受信周波数帯における減衰量が不十分となっている。

また、比較例２では、送信フィルタの直列腕共振子及び並列腕共振子の両方を構成している弾性表面波共振子において、誘電体層を厚くしたため、全ての弾性表面波共振子のΔｆが小さくなる。このため、図５から分かるように、通過帯域高域側の急峻性と通過帯域低域側の急峻性との両方が高くなる一方で、通過帯域幅が狭くなっている。そのため、比較例２では、ＵＭＴＳ−ＢＡＮＤ３の送信周波数帯に対応する通過帯域幅が実現できていない。このように、直列腕共振子を構成している弾性表面波共振子における誘電体層の厚さと並列腕共振子を構成している弾性表面波共振子における誘電体層の厚さとを等しくした場合は、高い急峻性と、広い通過帯域幅とを有するフィルタ特性を実現することは困難である。

図６に、本実施形態の弾性表面波フィルタ装置１の送信フィルタ２０のフィルタ特性と、比較例１の弾性表面波フィルタ装置の送信フィルタのフィルタ特性とを示す。図６において、実線が本実施形態を示し、破線が比較例１を示す。図７に、本実施形態の弾性表面波フィルタ装置１の送信フィルタ２０のフィルタ特性と、比較例２の弾性表面波フィルタ装置の送信フィルタのフィルタ特性とを示す。図７において、実線が本実施形態を示し、破線が比較例２を示す。

上述のように、本実施形態の弾性表面波フィルタ装置１の送信フィルタ２０においては、直列腕共振子Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３を構成している弾性表面波共振子３０における誘電体層３３の厚さｔ１が、並列腕共振子Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３を構成している弾性表面波共振子４０における誘電体層４３の厚さｔ２よりも厚くされている。そのため、本実施形態では、図６に示すように、比較例１とほぼ同等の広さの通過帯域幅を得ることができる。さらに、図７に示すように、比較例２と同等の急峻性を得ることができる。

本実施形態では、直列腕共振子Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３を構成している弾性表面波共振子３０における誘電体層３３が厚くされていることにより、弾性表面波共振子３０のΔｆが小さくなり、通過帯域高域側の急峻性が高くなっている。一方、並列腕共振子Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３を構成している弾性表面波共振子４０における誘電体層４３が薄くされていることにより、弾性表面波共振子４０のΔｆが大きくなり、通過帯域幅が広くなっている。すなわち、直列腕共振子Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３を構成している弾性表面波共振子３０における誘電体層３３の厚さｔ１が、並列腕共振子Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３を構成している弾性表面波共振子４０における誘電体層４３の厚さｔ２よりも厚くされている本実施形態では、高い急峻性と、広い通過帯域幅とを有するフィルタ特性を実現することができる。あるいは、直列腕共振子Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３を構成している弾性表面波共振子３０における誘電体層３３の厚さｔ１が、並列腕共振子Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３を構成している弾性表面波共振子４０における誘電体層４３の厚さｔ２よりも薄くされている実施形態でも、高い急峻性と、広い通過帯域幅とを有するフィルタ特性を実現することができる。誘電体層３３の厚さｔ１が小さくなることで、弾性表面波共振子３０のΔｆが大きくなるため通過帯域幅が広くなる。誘電体層４３の厚さｔ２が大きくなることで、弾性表面波素子４０のΔｆが小さくなるため、通過帯域低域側の急峻性が高くなるためである。

ここで、直列腕共振子Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３および並列腕共振子Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３の波長をそれぞれ、λ（Ｓ１）、λ（Ｓ２）、λ（Ｓ３）およびλ（Ｐ１）、λ（Ｐ２）、λ（Ｐ３）とする。

誘電体層を形成しないＬｉＴａＯ_３基板におけるリーキ波のＴＣＦが約−３５[ｐｐｍ/℃]である。図２３に、直列腕共振子Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３の、酸化ケイ素からなる誘電体層３３の膜厚と、ＴＣＦとの関係を示す。図２３において、縦軸がＴＣＦ[ｐｐｍ/℃]であり、横軸が酸化ケイ素からなる誘電体膜の膜厚［ｎｍ］を波長λで規格化した波長規格化膜厚である。図２３に示す結果から、誘電体層の波長規格化厚みを２３％以上とすることにより、ＬｉＴａＯ_３基板におけるリーキ波のＴＣＦを−３５[ｐｐｍ/℃]より小さくできることが分かる。従って、誘電体層３３の波長規格化厚みを２３％以上とすることが好ましいことが分かる。

誘電体層３３の厚さｔ１と誘電体層４３の厚さｔ２との差が大きくなると、ＩＤＴ電極の電極指の幅が単位長さ変化したときの周波数の変化量が大きくなる傾向がある。また、周波数帯域幅は、直列腕共振子Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３のＩＤＴ電極の最大波長と並列腕共振子Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３のＩＤＴ電極の最小波長への依存度が高い傾向がある。ここで、一般的なＩＤＴ電極の形成精度の観点から許容される電極指の幅の変化量が４０[ｎｍ]であるとき、これに対応する周波数の変化許容量は２．５[ＭＨｚ]である。図２４は、酸化ケイ素からなる誘電体膜の膜厚と、ＩＤＴ電極のフィンガー部の幅が１ｎｍ変化したときの周波数の変化量との関係を表すグラフである。図２４に示す結果から、誘電体層３３の波長規格化厚みと誘電体層４３の波長規格化厚みとの差を１６．６％以下とすることにより、周波数の変化許容量を２．５[ＭＨｚ]以下にできることが分かる。

ところで、本実施形態のように、送信フィルタ２０がレイリー波を主モードとして利用するものである場合、不要波であるＳＨ波に起因するリップルが通過帯域内に発生する場合がある。通常は、このＳＨ波に起因するリップルは、圧電基板であるＬｉＮｂＯ_３基板のオイラー角（φ，θ，ψ）のθを調整することにより抑圧されている。具体的には、ＬｉＮｂＯ_３基板のオイラー角（φ，θ，ψ）のθを、２５°〜４５°、特に好ましくは３７．５°とすることにより、ＳＨ波の電気機械結合係数が十分に小さくなり、ＳＨ波に起因するリップルが抑圧されている。ラダー型弾性表面波フィルタ部において、直列腕共振子を構成している弾性表面波共振子と並列腕共振子を構成している弾性表面波共振子とで誘電体層の厚さが等しくされていれば、この手法により、ＳＨ波に起因するリップルを抑圧することができる。

しかしながら、本実施形態では、ラダー型弾性表面波フィルタ部により構成されている送信フィルタ２０において、直列腕共振子Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３を構成している弾性表面波共振子３０における誘電体層３３の厚さｔ１が、並列腕共振子Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３を構成している弾性表面波共振子４０における誘電体層４３の厚さｔ２よりも厚い（ｔ１＞ｔ２）。ここで、レイリー波を主モードとして利用する場合、複数の弾性表面波共振子で誘電体層の厚さが異なると、ＳＨ波の電気機械結合係数を小さくするために最適なθの値も異なる。

このため、例えば、直列腕共振子を構成している弾性表面波共振子と並列腕共振子を構成している弾性表面波共振子とを１つの圧電基板を用いて形成するにあたって、直列腕共振子を構成している弾性表面波共振子と並列腕共振子を構成している弾性表面波共振子とで誘電体層の厚さが異なると、直列腕共振子を構成している弾性表面波共振子においてＳＨ波の電気機械結合係数を十分に小さくするために最適なθを選択すると、選択したθは、並列腕共振子を構成している弾性表面波共振子においては最適な値ではなくなる。

すなわち、直列腕共振子を構成している弾性表面波共振子と並列腕共振子を構成している弾性表面波共振子とを１つの圧電基板を用いて形成するにあたって、直列腕共振子を構成している弾性表面波共振子と並列腕共振子を構成している弾性表面波共振子とで誘電体層の厚さが異なる場合には、直列腕共振子を構成している弾性表面波共振子と並列腕共振子を構成している弾性表面波共振子との両方において、ＳＨ波の電気機械結合係数を小さくするために、直列腕共振子と並列腕共振子とのいずれにも最適なθを設定することができない。従って、圧電基板のオイラー角θの設定のみによって、ＳＨ波に起因するリップルを直列腕共振子と並列腕共振子とのいずれに対しても最適に抑圧することは困難である。その具体例を以下に示す。

送信フィルタ２０において、直列腕共振子Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３を構成している弾性表面波共振子３０における弾性表面波の伝搬方位Ａ１が、並列腕共振子Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３を構成している弾性表面波共振子４０における弾性表面波の伝搬方位Ａ２と等しくされている弾性表面波フィルタ装置を比較例３として用意した。すなわち、比較例３では、伝搬方位Ａ１が伝搬方位Ａ２に対してなす角度が０°となるように弾性表面波共振子３０，４０が形成されている。具体的には、直列腕共振子Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３を構成している弾性表面波共振子３０と、並列腕共振子Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３を構成している弾性表面波共振子４０とにおいて、圧電基板であるＬｉＮｂＯ_３基板のオイラー角（φ，θ，ψ）のψは０°とされている。図８に、比較例３の弾性表面波フィルタ装置の送信フィルタのフィルタ特性を示す。

比較例３の弾性表面波フィルタ装置では、圧電基板であるＬｉＮｂＯ_３基板のオイラー角（φ，θ，ψ）のθが３７．５°とされていることにより、直列腕共振子を構成している弾性表面波共振子において生じるＳＨ波の電気機械結合係数がゼロとなっている。図８に示すように、比較例３の弾性表面波フィルタ装置では、並列腕共振子を構成している弾性表面波共振子において生じるＳＨ波の電気機械結合係数が十分に小さくならないため、ＳＨ波に起因するリップルが十分に抑圧されていない。

それに対して本実施形態では、直列腕共振子Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３を構成している弾性表面波共振子３０における弾性表面波の伝搬方位Ａ１が、並列腕共振子Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３を構成している弾性表面波共振子４０における弾性表面波の伝搬方位Ａ２と異ならされている。具体的には、圧電基板３１であるＬｉＮｂＯ_３基板のオイラー角（φ，θ，ψ）において、弾性表面波共振子３０ではψが０°とされており、弾性表面波共振子４０ではψが−５°とされており、伝搬方位Ａ１が伝搬方位Ａ２に対してなす角度が、０°より大きく８°以下となるように弾性表面波共振子３０，４０が形成されている。すなわち、本実施形態では、図２に示すように、直列腕共振子Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３を構成している弾性表面波共振子３０における弾性表面波の伝搬方位Ａ１と、並列腕共振子Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３を構成している弾性表面波共振子４０における弾性表面波の伝搬方位Ａ２との差が０°より大きく８°以下となるように（すなわち、弾性表面波共振子３０と弾性表面波共振子４０とで弾性表面波の伝搬角の差が０°より大きく８°以下となるように）、ＩＤＴ電極３２，４２が形成されている。

本実施形態では、弾性表面波共振子３０のψが０°であるときに、弾性表面波共振子３０において生じるＳＨ波の電気機械結合係数がゼロになるように、圧電基板３１のオイラー角（φ，θ，ψ）のθが３７．５°とされている。このとき、弾性表面波共振子３０，４０で誘電体層３３，４３の厚さが異なるため、弾性表面波共振子４０において生じるＳＨ波の電気機械結合係数を小さくするために最適なθの値は３７．５°とは異なるが、弾性表面波共振子４０のψが−５°とすることにより、弾性表面波共振子４０において生じるＳＨ波の電気機械結合係数がゼロにすることができる。

このように、直列腕共振子を構成している弾性表面波共振子と並列腕共振子を構成している弾性表面波共振子とで誘電体層の厚さが異なっていても、直列腕共振子を構成している弾性表面波共振子において生じるＳＨ波の電気機械結合係数が小さくなるように圧電基板であるＬｉＮｂＯ_３基板のオイラー角（φ，θ，ψ）のθを設定した場合に、並列腕共振子を構成している弾性表面波共振子における弾性表面波の伝搬方位（ψ）を調整することで、並列腕共振子を構成している弾性表面波共振子において生じるＳＨ波の電気機械結合係数を小さくすることができる。その結果、ＳＨ波に起因するリップルを抑圧することができる。

オイラー角（φ，θ，ψ）のφ及びθは、弾性表面波を伝搬する圧電基板のカット面を決定する角度であり、ψは弾性表面波の伝搬方向を決定する角度である。従って、図２に示すように、同一のカット面の圧電基板上で、弾性表面波共振子３０における弾性表面波の伝搬方位Ａ１と弾性表面波共振子４０における弾性表面波の伝搬方位Ａ２とを異ならせることにより、ＳＨ波の電気機械結合係数が異なる条件を得ることができる。

図９に、本実施形態の弾性表面波フィルタ装置１の送信フィルタ２０のフィルタ特性を示す。図９に示すように、本実施形態では、高い急峻性と、広い通過帯域幅とを有するフィルタ特性を実現すると共に、通過帯域内におけるＳＨ波に起因するリップルを抑圧することができる。

本実施形態では、弾性表面波共振子３０のψが０°とされていたが、ψが０°±１°であればよい。本実施形態では、弾性表面波共振子３０のψが０°±１°であるときに、弾性表面波共振子３０において生じるＳＨ波の電気機械結合係数がゼロになるように、圧電基板３１のオイラー角（φ，θ，ψ）のθが３７．５°とされており、弾性表面波共振子４０のψが−５°とされていたが、伝搬方位Ａ１が伝搬方位Ａ２に対してなす角度が１°〜８°、好ましくは、３．５°〜６．５°となるような角度であればよい。これにより、弾性表面波共振子４０において生じるＳＨ波の電気機械結合係数がゼロにすることができる。但し、本発明は、この構成に限定されない。弾性表面波共振子３０，４０のψは、ＩＤＴ電極３２，４２の厚さ及び誘電体層３３，４３の厚さなどを考慮した上で、最適な値とされていればよい。

次に、弾性表面波共振子３０のψが０°±１°であるときに、弾性表面波共振子４０のψが１°〜８°であることが好ましく、３．５°〜６．５°であることがより好ましく、約５°であることがさらに好ましい理由について、実験例に基づいて詳細に説明する。

まず、上記実施形態の並列腕共振子を構成している弾性表面波共振子４０と実質的に同様の構成を有する、図１０に示すような１ポート型弾性表面波共振子を、圧電基板３１であるＬｉＮｂＯ_３基板のオイラー角（０°，３７．５°，ψ）のψを０°〜１０°の範囲で種々変化させて複数作製した。なお、この１ポート型弾性表面波共振子の構成は、本実施形態のＩＤＴ電極３２，４２と同様である。

次に、グラウンド端子とシグナル端子を持つプローブを用いて、１ポート型弾性表面波共振子のインピーダンス特性及びリターンロスを測定した。結果を、図１１〜図２０に示す。なお、図１０において、Ｇはグラウンド端子を持つプローブを示し、Ｓはシグナル端子を持つプローブを示す。

図１１は、ψ＝０°であるときの１ポート型弾性表面波共振子のインピーダンス特性を表すグラフである。図１２は、ψ＝０°であるときの１ポート型弾性表面波共振子のリターンロスを表すグラフである。図１３は、ψ＝２．５°であるときの１ポート型弾性表面波共振子のインピーダンス特性を表すグラフである。図１４は、ψ＝２．５°であるときの１ポート型弾性表面波共振子のリターンロスを表すグラフである。図１５は、ψ＝５．０°であるときの１ポート型弾性表面波共振子のインピーダンス特性を表すグラフである。図１６は、ψ＝５．０°であるときの１ポート型弾性表面波共振子のリターンロスを表すグラフである。図１７は、ψ＝７．５°であるときの１ポート型弾性表面波共振子のインピーダンス特性を表すグラフである。図１８は、ψ＝７．５°であるときの１ポート型弾性表面波共振子のリターンロスを表すグラフである。図１９は、ψ＝１０°であるときの１ポート型弾性表面波共振子のインピーダンス特性を表すグラフである。図２０は、ψ＝１０°であるときの１ポート型弾性表面波共振子のリターンロスを表すグラフである。図２１は、圧電基板３１であるＬｉＮｂＯ_３基板のオイラー角（φ，θ，ψ）のψとＳＨ波に起因するリップルのリターンロスの大きさとの関係を表すグラフである。

図１１〜図２１に示す結果より、ψを０°より大きくかつ８°より小さくすることにより、並列腕共振子を構成している弾性表面波共振子において生じるＳＨ波に起因するリップルを抑圧できることが分かる。

次に、ＩＤＴ電極の電極指を短絡させていないときのレイリー波及びＳＨ波それぞれの音速、並びにＩＤＴ電極の電極指を短絡させたときのレイリー波及びＳＨ波それぞれの音速を求めた。その結果を、図２２に示す。図２２に示す結果から、ＩＤＴ電極の電極指を短絡させていないときのレイリー波及びＳＨ波それぞれの音速、並びにＩＤＴ電極の電極指を短絡させたときのレイリー波及びＳＨ波それぞれの音速は、圧電基板であるＬｉＮｂＯ_３基板のψ＝０°を境界として正負で対称となっていることが分かる。従って、ψを０°より小さくかつ−８°より大きくすることによっても、並列腕共振子を構成している弾性表面波共振子において生じるＳＨ波に起因するリップルを抑圧できることが分かる。

次に、本実施形態の送信フィルタ２０の製造方法の一例について説明する。

まず、圧電基板３１上にＩＤＴ電極３２，４２を形成する。ＩＤＴ電極３２，４２は、例えば、蒸着法やスパッタリング法により形成することができる。好ましくは、蒸着法を用いたリフトオフ・プロセスにより形成される。

次に、ＩＤＴ電極３２，４２と圧電基板３１の主面３１ａとの上に、ＩＤＴ電極３２，４２を覆うように、ＳｉＯ_２層を形成する。ＳｉＯ_２層は、例えば、バイアススパッタリング法などにより形成することができる。次に、形成したＳｉＯ_２層の表面をエッチバック工法により平坦化する。

次に、ＳｉＯ_２層におけるＩＤＴ電極３２の上に位置する部分に、レジストなどからなるマスクを形成し、ＳｉＯ_２層におけるＩＤＴ電極４２の上に位置する部分をエッチングすることにより、ＳｉＯ_２層３３ａ，４３ａを形成する。その後、マスクを剥離する。

最後に、ＳｉＮ層３３ｂ、４３ｂを形成することにより送信フィルタ２０を形成することができる。

上記の実施形態では、送信周波数帯が受信周波数帯よりも低域側に位置するものであったが、送信周波数帯が受信周波数帯よりも高域側に位置する場合は、送信フィルタは通過帯域低域側の急峻性が高いフィルタ特性を有することが求められる。そのため、直列腕共振子を構成している弾性表面波共振子３０における誘電体層３３の厚さｔ１が、並列腕共振子を構成している弾性表面波共振子４０における誘電体層４３の厚さｔ２よりも薄く（ｔ２＞ｔ１）すると共に、圧電基板３１であるＬｉＮｂＯ_３基板のオイラー角（φ，θ，ψ）において、弾性表面波共振子３０のψを１°〜８°とし、弾性表面波共振子４０のψを０°±１°とすることにより、高い急峻性と、広い通過帯域幅とを有するフィルタ特性を実現すると共に、通過帯域内におけるＳＨ波に起因するリップルを抑圧することができる。

詳細には、弾性表面波共振子３０における誘電体層３３が薄くされていることにより、弾性表面波共振子３０のΔｆが大きくなり、通過帯域幅が広くなる。そして、弾性表面波共振子４０における誘電体層４３が厚くされていることにより、弾性表面波共振子４０のΔｆが小さくなり、通過帯域低域側の急峻性が高くなる。さらに、弾性表面波共振子３０のψを１°〜８°、弾性表面波共振子４０のψを０°±１°とすることにより、通過帯域内におけるＳＨ波に起因するリップルが抑圧される。この場合においても、伝搬方位Ａ１が伝搬方位Ａ２に対してなす角度が１°〜８°、好ましくは、３．５°〜６．５°となるような角度であればよい。

１…弾性表面波フィルタ装置
１０…アンテナ端子
１１…送信側信号端子
１２…受信側信号端子
１３…受信フィルタ
２０…送信フィルタ
２１…直列腕
２２，２３，２４…並列腕
３０，４０…弾性表面波共振子
３１…圧電基板
３１ａ…主面
３２，４２…ＩＤＴ電極
３３，４３…誘電体層
３３ａ，４３ａ…ＳｉＯ_２層
３３ｂ，４３ｂ…ＳｉＮ層
５０…送信フィルタチップ
Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３…並列腕共振子
Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３…直列腕共振子

Claims (4)

1. 直列腕と、
   前記直列腕において接続されている直列腕共振子と、
   前記直列腕とグラウンドとを接続している並列腕と、
   前記並列腕に設けられている並列腕共振子と、
   を有するラダー型弾性表面波フィルタ部を備え、レイリー波を主モードとして利用する弾性表面波フィルタ装置であって、
   前記直列腕共振子と前記並列腕共振子とのそれぞれは、圧電基板と、前記圧電基板の上に形成されたＩＤＴ電極と、前記ＩＤＴ電極を覆うように形成された誘電体層とを有する弾性表面波共振子により構成されており、
   前記圧電基板がＬｉＮｂＯ_３基板からなり、オイラー角（φ，θ，ψ）において、θが２５°〜４５°の範囲内にあり、ψが前記直列腕共振子を構成する弾性表面波共振子における弾性表面波の伝搬方位及び前記並列腕共振子を構成する弾性表面波共振子における弾性表面波の伝搬方位であって、
   前記直列腕共振子を構成する弾性表面波共振子の誘電体層が、前記並列腕共振子を構成する弾性表面波共振子の誘電体層よりも薄くされており、前記直列腕共振子を構成する弾性表面波共振子のψが１°〜８°の範囲内にあり、前記並列腕共振子を構成する弾性表面波共振子のψが０°±１°の範囲内にあり、
   前記直列腕共振子を構成する弾性表面波共振子における弾性表面波の伝搬方位が、前記並列腕共振子を構成する弾性表面波共振子における弾性表面波の伝搬方位に対してなす角度が、０°より大きく８°以下である、弾性表面波フィルタ装置。
2. 前記直列腕共振子を構成する弾性表面波共振子のψが３．５°〜６．５°の範囲内にある、請求項１に記載の弾性表面波フィルタ装置。
3. 前記誘電体層は、ＳｉＯ_２層を含む、請求項１または２に記載の弾性表面波フィルタ装置。
4. 前記直列腕共振子の圧電基板と、前記並列腕共振子の圧電基板とが共通の圧電基板により構成されている、請求項１〜３のいずれか一項に記載の弾性表面波フィルタ装置。

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