JP2002261570A - 水晶振動子用パッケージベースおよびそれを用いた水晶振動子パッケージ構造体の製造方法 - Google Patents
水晶振動子用パッケージベースおよびそれを用いた水晶振動子パッケージ構造体の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 水晶振動子と水晶振動子用パッケージベース
の接合に際し、接合部材としてＡｕＳｎ合金ペーストを
用いた場合、フラックスの洗浄残滓が生じ経時変化が大
きい。また、接合部材にＡｕバンプを用いて超音波接合
すると残滓は生じないが接合強度が小さい。 【解決手段】 接合部材を接合合金にＡｕを被覆したも
のとした。被覆したＡｕで超音波接合して水晶振動子を
仮止めし、その後接合合金を溶融することによって接合
を行う製造方法をとった。これにより、接合後に汚れが
生じず洗浄する必要がなく、しかも接合強度を大きくす
ることができた。
の接合に際し、接合部材としてＡｕＳｎ合金ペーストを
用いた場合、フラックスの洗浄残滓が生じ経時変化が大
きい。また、接合部材にＡｕバンプを用いて超音波接合
すると残滓は生じないが接合強度が小さい。 【解決手段】 接合部材を接合合金にＡｕを被覆したも
のとした。被覆したＡｕで超音波接合して水晶振動子を
仮止めし、その後接合合金を溶融することによって接合
を行う製造方法をとった。これにより、接合後に汚れが
生じず洗浄する必要がなく、しかも接合強度を大きくす
ることができた。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、時計や移動体通信
機の基準信号源として用いられる表面実装型の水晶振動
子パッケージ構造体の構成部品である水晶振動子用パッ
ケージベースとそれを用いた水晶振動子パッケージ構造
体の製造方法に関する。
機の基準信号源として用いられる表面実装型の水晶振動
子パッケージ構造体の構成部品である水晶振動子用パッ
ケージベースとそれを用いた水晶振動子パッケージ構造
体の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】時計や移動体通信機の基準信号源として
利用される水晶振動子が広く用いられている。これらの
水晶振動子は図９に示すような水晶振動子パッケージ構
造体として用いられる。図９は従来より用いられている
水晶振動子パッケージ構造体の断面図である。水晶振動
子パッケージ構造体は水晶振動子１９、水晶振動子１９
を接合している水晶振動子用パッケージベース１、接合
部材９、水晶振動子用パッケージベース１に付き合わせ
て密封空間２９を形成するキャップ３１、および水晶振
動子用パッケージベース１とキャップ３１とを封止する
封止部材３３から構成される。密封空間内は水晶振動子
のＱ値を高めることと経時変化を減少させる目的で真空
にしてあるか、あるいは窒素などの不活性な気体が封入
されている。
利用される水晶振動子が広く用いられている。これらの
水晶振動子は図９に示すような水晶振動子パッケージ構
造体として用いられる。図９は従来より用いられている
水晶振動子パッケージ構造体の断面図である。水晶振動
子パッケージ構造体は水晶振動子１９、水晶振動子１９
を接合している水晶振動子用パッケージベース１、接合
部材９、水晶振動子用パッケージベース１に付き合わせ
て密封空間２９を形成するキャップ３１、および水晶振
動子用パッケージベース１とキャップ３１とを封止する
封止部材３３から構成される。密封空間内は水晶振動子
のＱ値を高めることと経時変化を減少させる目的で真空
にしてあるか、あるいは窒素などの不活性な気体が封入
されている。
【０００３】図１０は従来の水晶振動子用パッケージベ
ース１の断面図である。従来の水晶振動子用パッケージ
ベース１は、キャップを付き合わせて密封空間を形成す
るための基体３、密封空間の内と外とを電気的に結ぶた
めの配線５、水晶振動子を固定すると同時に電気的に繋
ぐための内部電極７、および外部回路と接続をとるため
の外部電極１１から構成されている。基体３の材料には
アルミナ等のセラミックスあるいはガラスセラミックス
が用いられる。配線５、内部電極７、外部電極１１は基
体３の上にＷ、Ｍｏ、ＡｇＰｄ合金などを焼成して形成
され、適宜Ｎｉ、Ａｕメッキなどが施されている。
ース１の断面図である。従来の水晶振動子用パッケージ
ベース１は、キャップを付き合わせて密封空間を形成す
るための基体３、密封空間の内と外とを電気的に結ぶた
めの配線５、水晶振動子を固定すると同時に電気的に繋
ぐための内部電極７、および外部回路と接続をとるため
の外部電極１１から構成されている。基体３の材料には
アルミナ等のセラミックスあるいはガラスセラミックス
が用いられる。配線５、内部電極７、外部電極１１は基
体３の上にＷ、Ｍｏ、ＡｇＰｄ合金などを焼成して形成
され、適宜Ｎｉ、Ａｕメッキなどが施されている。
【０００４】水晶振動子１９と水晶振動子用パッケージ
ベース１とを接合する接合部材９には以前より導電性接
着剤が用いられていたが、水晶振動子１９のＱ値を向上
させるとともに長期間安定した特性を得るためには硬く
また経時変化の少ない金属を材料として用いた方が望ま
しいため、最近では本出願人が先に特許出願を行って開
示したように接合部材９としてＡｕＳｎ合金ペーストを
用いる例や、特開２０００−２３２３３２号報に開示さ
れているようにＡｕバンプを水晶振動子の電極に形成し
て水晶振動子用パッケージベースと超音波接合すること
が提案されている。
ベース１とを接合する接合部材９には以前より導電性接
着剤が用いられていたが、水晶振動子１９のＱ値を向上
させるとともに長期間安定した特性を得るためには硬く
また経時変化の少ない金属を材料として用いた方が望ま
しいため、最近では本出願人が先に特許出願を行って開
示したように接合部材９としてＡｕＳｎ合金ペーストを
用いる例や、特開２０００−２３２３３２号報に開示さ
れているようにＡｕバンプを水晶振動子の電極に形成し
て水晶振動子用パッケージベースと超音波接合すること
が提案されている。
【０００５】以下に従来の水晶振動子パッケージ構造体
の製造方法を説明する。始めに接合部材９としてＡｕＳ
ｎ合金ペーストを用いた例を説明する。まず、図１１に
示す様にＡｕＳｎ合金ペースト３５を水晶振動子用パッ
ケージベース１の内部電極７に塗布し、その上に水晶振
動子１９を当接する。ＡｕＳｎ合金ペースト３５は２９
at.％Ｓｎを含有するＡｕＳｎ合金の球状粒子をフラッ
クス中に分散させペースト状にしたものである。ＡｕＳ
ｎ合金ペースト３５には粘性があるため水晶振動子１９
は水晶振動子用パッケージベース１の内部電極上に仮止
めされる。その後、ＡｕＳｎ合金の融点である２７８℃
以上に加熱して溶融し、水晶振動子１９と水晶振動子用
パッケージベース１とを接合する。接合後はフラックス
を除去する目的で洗浄を行い、乾燥後キャップを被せ真
空槽中に入れ真空封止する。
の製造方法を説明する。始めに接合部材９としてＡｕＳ
ｎ合金ペーストを用いた例を説明する。まず、図１１に
示す様にＡｕＳｎ合金ペースト３５を水晶振動子用パッ
ケージベース１の内部電極７に塗布し、その上に水晶振
動子１９を当接する。ＡｕＳｎ合金ペースト３５は２９
at.％Ｓｎを含有するＡｕＳｎ合金の球状粒子をフラッ
クス中に分散させペースト状にしたものである。ＡｕＳ
ｎ合金ペースト３５には粘性があるため水晶振動子１９
は水晶振動子用パッケージベース１の内部電極上に仮止
めされる。その後、ＡｕＳｎ合金の融点である２７８℃
以上に加熱して溶融し、水晶振動子１９と水晶振動子用
パッケージベース１とを接合する。接合後はフラックス
を除去する目的で洗浄を行い、乾燥後キャップを被せ真
空槽中に入れ真空封止する。
【０００６】次に接合部材９としてＡｕバンプを用いる
例について説明する。まず、水晶振動子１９の電極上に
Ａｕバンプを形成する。Ａｕバンプの形成にはボールボ
ンダを用いる。その後、図１２に示すように水晶振動子
１９を水晶振動子用パッケージベース１に当接し、水晶
振動子１９の上部より超音波振動を加える超音波圧子２
３を当て荷重を加えながら超音波によって水晶振動子１
９を水平方向に動かしＡｕバンプ３７と水晶振動子用パ
ッケージベースの内部電極の間を摩擦して超音波接合を
行う。接合はＡｕバンプが水晶振動子用パッケージベー
スに接触する範囲でのみ生じるので、接合面積は限られ
る。接合後はキャップを被せ真空槽中に入れ真空封止す
る。
例について説明する。まず、水晶振動子１９の電極上に
Ａｕバンプを形成する。Ａｕバンプの形成にはボールボ
ンダを用いる。その後、図１２に示すように水晶振動子
１９を水晶振動子用パッケージベース１に当接し、水晶
振動子１９の上部より超音波振動を加える超音波圧子２
３を当て荷重を加えながら超音波によって水晶振動子１
９を水平方向に動かしＡｕバンプ３７と水晶振動子用パ
ッケージベースの内部電極の間を摩擦して超音波接合を
行う。接合はＡｕバンプが水晶振動子用パッケージベー
スに接触する範囲でのみ生じるので、接合面積は限られ
る。接合後はキャップを被せ真空槽中に入れ真空封止す
る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の技術では、ＡｕＳｎ合金のペーストを用いた場
合には接合後の水晶振動子と水晶振動子用パッケージベ
ースとの間隔が狭いため、フラックスを洗浄により除去
することが困難であり、水晶振動子にフラックスの残滓
が残りこれが経時変化の原因になるという課題があっ
た。また、Ａｕバンプによる超音波接合を用いる場合に
は接合面積が小さく接合強度が不足し耐衝撃性が小さい
という課題があった。また、接合強度を増すために超音
波接合の際の荷重を増加させると水晶振動子の欠けやク
ラックを生じるという課題があった。
た従来の技術では、ＡｕＳｎ合金のペーストを用いた場
合には接合後の水晶振動子と水晶振動子用パッケージベ
ースとの間隔が狭いため、フラックスを洗浄により除去
することが困難であり、水晶振動子にフラックスの残滓
が残りこれが経時変化の原因になるという課題があっ
た。また、Ａｕバンプによる超音波接合を用いる場合に
は接合面積が小さく接合強度が不足し耐衝撃性が小さい
という課題があった。また、接合強度を増すために超音
波接合の際の荷重を増加させると水晶振動子の欠けやク
ラックを生じるという課題があった。
【０００８】上記課題を解決するため、本発明の目的
は、製造が容易であり、経時変化が少なく安定した特性
を得ることができ、また耐衝撃性が良い水晶振動子パッ
ケージ構造体を得ることができる水晶振動子用パッケー
ジベースとそれを用いた水晶振動子パッケージ構造体の
製造方法を提供することにある。
は、製造が容易であり、経時変化が少なく安定した特性
を得ることができ、また耐衝撃性が良い水晶振動子パッ
ケージ構造体を得ることができる水晶振動子用パッケー
ジベースとそれを用いた水晶振動子パッケージ構造体の
製造方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明による水晶振動子用パッケージベースは、水
晶振動子との接合を行う内部電極に設けた接合部材が、
接合合金にＡｕを被覆した構成であることを特徴とす
る。
に、本発明による水晶振動子用パッケージベースは、水
晶振動子との接合を行う内部電極に設けた接合部材が、
接合合金にＡｕを被覆した構成であることを特徴とす
る。
【００１０】本発明による水晶振動子パッケージベース
は接合合金がＡｕとＳｎとを含有する合金であり、接合
合金をＡｕで被覆したことを特徴とする。
は接合合金がＡｕとＳｎとを含有する合金であり、接合
合金をＡｕで被覆したことを特徴とする。
【００１１】本発明による水晶振動子パッケージベース
は接合合金がＡｕとＧｅとを含有する合金であり、接合
合金をＡｕで被覆したことを特徴とする。
は接合合金がＡｕとＧｅとを含有する合金であり、接合
合金をＡｕで被覆したことを特徴とする。
【００１２】本発明による水晶振動子パッケージベース
は接合合金がＡｕとＳｉとを含有する合金であり、接合
合金をＡｕで被覆したことを特徴とする。
は接合合金がＡｕとＳｉとを含有する合金であり、接合
合金をＡｕで被覆したことを特徴とする。
【００１３】本発明による水晶振動子パッケージベース
は接合合金がＡｕとＧａとを含有する合金であり、接合
合金をＡｕで被覆したことを特徴とする。
は接合合金がＡｕとＧａとを含有する合金であり、接合
合金をＡｕで被覆したことを特徴とする。
【００１４】本発明による水晶振動子パッケージ構造体
の製造方法は水晶振動子と水晶振動子用パッケージベー
スとの接合に際し、水晶振動子を水晶振動子用パッケー
ジベースの内部電極の上に設けた接合部材へ超音波接合
により仮止めした後、加熱を行い該接合部材を構成する
接合合金を溶融して接合する工程を備えたことを特徴と
する。
の製造方法は水晶振動子と水晶振動子用パッケージベー
スとの接合に際し、水晶振動子を水晶振動子用パッケー
ジベースの内部電極の上に設けた接合部材へ超音波接合
により仮止めした後、加熱を行い該接合部材を構成する
接合合金を溶融して接合する工程を備えたことを特徴と
する。
【００１５】接合合金のままだと表面が酸化するため超
音波接合することが困難だが、本発明のようにＡｕを被
覆すれば容易に超音波接合して仮止めすることができ
る。本発明ではフラックスを用いないので接合後に洗浄
の必要がなく製造が容易となる。また、フラックス残滓
が生じないので経時変化が小さくなる。接合合金を溶融
して接合を行うと接合面積が広くなるので接合強度が増
加し耐衝撃性が向上する。さらに、超音波接合により仮
止めすることにより熱伝導が均一になり接合の確実性が
得られ接合強度が向上する。
音波接合することが困難だが、本発明のようにＡｕを被
覆すれば容易に超音波接合して仮止めすることができ
る。本発明ではフラックスを用いないので接合後に洗浄
の必要がなく製造が容易となる。また、フラックス残滓
が生じないので経時変化が小さくなる。接合合金を溶融
して接合を行うと接合面積が広くなるので接合強度が増
加し耐衝撃性が向上する。さらに、超音波接合により仮
止めすることにより熱伝導が均一になり接合の確実性が
得られ接合強度が向上する。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明による実施の形態を
図面に基づいて説明する。
図面に基づいて説明する。
【００１７】（実施例）図１は本発明による水晶振動子
用パッケージベース１の実施の形態を示す図であり、水
晶振動子用パッケージベース１の断面図である。本実施
例の水晶振動子用パッケージベース１はキャップを被せ
密封空間を作るための基体３、密封空間の内外を電気的
に結ぶ配線５、水晶振動子を接合するための内部電極
７、接合部材９、外部回路との接続に用いられる外部電
極１１、および水晶振動子を接合する際に水晶振動子を
支持する目的で使われる枕１３から構成されている。
用パッケージベース１の実施の形態を示す図であり、水
晶振動子用パッケージベース１の断面図である。本実施
例の水晶振動子用パッケージベース１はキャップを被せ
密封空間を作るための基体３、密封空間の内外を電気的
に結ぶ配線５、水晶振動子を接合するための内部電極
７、接合部材９、外部回路との接続に用いられる外部電
極１１、および水晶振動子を接合する際に水晶振動子を
支持する目的で使われる枕１３から構成されている。
【００１８】基体３の材料は絶縁性、気密性、耐熱性を
兼ね備えたものとしてアルミナ等のセラミックス、ガラ
スセラミックスおよび、ガラス等から選択される。配線
５、内部電極７、外部電極１１は基体３の上にＷ、Ｍ
ｏ、ＡｇＰｄ合金などを焼成して形成され、適宜Ｎｉ，
Ａｕメッキなどが施される。
兼ね備えたものとしてアルミナ等のセラミックス、ガラ
スセラミックスおよび、ガラス等から選択される。配線
５、内部電極７、外部電極１１は基体３の上にＷ、Ｍ
ｏ、ＡｇＰｄ合金などを焼成して形成され、適宜Ｎｉ，
Ａｕメッキなどが施される。
【００１９】接合部材は図２に示すように内部電極７の
上に形成された接合合金１５と接合合金１５を覆う被覆
層１７とよりなる。接合合金１５、被覆層１７は焼成、
メッキ、蒸着、スパッタリングなどにより形成される。
接合合金１５の材料は次のような理由に基づき選択され
る。水晶振動子パッケージ構造体は回路基板に半田によ
って実装されるが、クリーム半田を用いてリフロー炉に
入れられることが多い。リフロー炉では通常２２０℃〜
２４０℃に加熱される。最近では環境問題から鉛フリー
の半田が用いられることもあり、鉛フリー半田の融点が
高いので２６０℃程度の温度に加熱される場合もある。
従って接合合金１５はこれより充分に高い融点を持つ必
要がある。一方、あまり温度を高くすると水晶振動子の
配線等にダメージを与えるので製造時の温度はなるべく
低く抑える必要がある。このため接合合金１５は、２９
at.％Ｓｎを含有し２７８℃の融点を持つＡｕＳｎ合
金、２８at.％Ｇｅを含有し３６１℃の融点を持つＡｕ
Ｇｅ合金、１８．６at.％Ｓｉを含有し３６３℃の融点
を持つＡｕＳｉ合金、３０at.％Ｇａを含有し３４１℃
の融点を持つＡｕＧａ合金のいずれかを用いる。これら
の接合合金１５はそのままだと酸化層が形成されるこ
と、超音波接合するには展延性に富む材料が望ましいこ
とから表面をＡｕで被覆して被覆層を設ける。被覆層１
７はその表面がＡｕで覆わていれば良いが、接合合金１
５との密着性を得るためＮｉ、Ｃｒ、Ｔｉなどの中間層
を接合合金１５とＡｕとの間に設けた二層構造とした方
が好ましい。
上に形成された接合合金１５と接合合金１５を覆う被覆
層１７とよりなる。接合合金１５、被覆層１７は焼成、
メッキ、蒸着、スパッタリングなどにより形成される。
接合合金１５の材料は次のような理由に基づき選択され
る。水晶振動子パッケージ構造体は回路基板に半田によ
って実装されるが、クリーム半田を用いてリフロー炉に
入れられることが多い。リフロー炉では通常２２０℃〜
２４０℃に加熱される。最近では環境問題から鉛フリー
の半田が用いられることもあり、鉛フリー半田の融点が
高いので２６０℃程度の温度に加熱される場合もある。
従って接合合金１５はこれより充分に高い融点を持つ必
要がある。一方、あまり温度を高くすると水晶振動子の
配線等にダメージを与えるので製造時の温度はなるべく
低く抑える必要がある。このため接合合金１５は、２９
at.％Ｓｎを含有し２７８℃の融点を持つＡｕＳｎ合
金、２８at.％Ｇｅを含有し３６１℃の融点を持つＡｕ
Ｇｅ合金、１８．６at.％Ｓｉを含有し３６３℃の融点
を持つＡｕＳｉ合金、３０at.％Ｇａを含有し３４１℃
の融点を持つＡｕＧａ合金のいずれかを用いる。これら
の接合合金１５はそのままだと酸化層が形成されるこ
と、超音波接合するには展延性に富む材料が望ましいこ
とから表面をＡｕで被覆して被覆層を設ける。被覆層１
７はその表面がＡｕで覆わていれば良いが、接合合金１
５との密着性を得るためＮｉ、Ｃｒ、Ｔｉなどの中間層
を接合合金１５とＡｕとの間に設けた二層構造とした方
が好ましい。
【００２０】以下に本発明の水晶振動子用パッケージベ
ース１を用いた水晶振動子パッケージ構造体の製造方法
を説明する。図３は水晶振動子用パッケージベース１に
水晶振動子１９を仮止めする様子を現した図である。図
３の様に水晶振動子用パッケージベース１を真空吸着な
どにより固定し、その上に水晶振動子１９を接合部材９
と枕１３とを支持として置く。水晶振動子１９に設けら
れた電極２１はＮｉを下地としたＡｕ膜である。水晶振
動子１９の上から接合部材９の真上に超音波圧子２３を
当て荷重を加えながら超音波を印加する。超音波により
水晶振動子１９は水平方向に動かされ、水晶振動子１９
の電極２１のＡｕと接合部材９の被覆層１７のＡｕとが
摩擦されて一体となり超音波接合が行われ水晶振動子１
９は仮止めされる。この時、ミクロに見ると図４のよう
に被覆層１７と水晶振動子１９の電極２１は部分的にの
み接合された状態であり、接合力は弱い。
ース１を用いた水晶振動子パッケージ構造体の製造方法
を説明する。図３は水晶振動子用パッケージベース１に
水晶振動子１９を仮止めする様子を現した図である。図
３の様に水晶振動子用パッケージベース１を真空吸着な
どにより固定し、その上に水晶振動子１９を接合部材９
と枕１３とを支持として置く。水晶振動子１９に設けら
れた電極２１はＮｉを下地としたＡｕ膜である。水晶振
動子１９の上から接合部材９の真上に超音波圧子２３を
当て荷重を加えながら超音波を印加する。超音波により
水晶振動子１９は水平方向に動かされ、水晶振動子１９
の電極２１のＡｕと接合部材９の被覆層１７のＡｕとが
摩擦されて一体となり超音波接合が行われ水晶振動子１
９は仮止めされる。この時、ミクロに見ると図４のよう
に被覆層１７と水晶振動子１９の電極２１は部分的にの
み接合された状態であり、接合力は弱い。
【００２１】次に真空槽の中へ投入し、真空に引いた
後、接合合金１５の融点以上に加熱して接合合金１５を
溶融し接合する。この際、水晶振動子１９と水晶振動子
用パッケージベース１は仮止めされているので熱伝導が
効率良く生じ接合部の温度が均一になり接合強度の向上
に寄与する。仮止めを行わないと真空中なので水晶振動
子の電極と接合合金との間に温度差が生じるため全く接
合されないか、接合されても部分的に留まってしまうの
で仮止めは不可欠である。加熱の際、水晶振動子１９は
溶融された接合合金１５の表面張力によって引っ張られ
枕１３から離れる。上手く加熱温度を制御すれば、図５
に示すように水晶振動子１９が枕１３から離れ、しかも
水晶振動子用パッケージベース１の上面より下に位置す
る位置で固定することができる。しかしながら、多数個
を処理する場合、加熱温度の場所による違いにより水晶
振動子１９が水晶振動子用パッケージベース１の上面か
ら上に出てしまう場合がある。その場合には図６に示す
ように突起２５を有した接合用治具２７をあらかじめ水
晶振動子用パッケージベース１の上から被せて加熱すれ
ば、最大でも水晶振動子１９は接合用治具の突起２５に
突き当たって止まるので水晶振動子用パッケージベース
１の上面より上に出ることはないので良い。最後にキャ
ップを被せ真空槽中に入れ真空封止を行う。
後、接合合金１５の融点以上に加熱して接合合金１５を
溶融し接合する。この際、水晶振動子１９と水晶振動子
用パッケージベース１は仮止めされているので熱伝導が
効率良く生じ接合部の温度が均一になり接合強度の向上
に寄与する。仮止めを行わないと真空中なので水晶振動
子の電極と接合合金との間に温度差が生じるため全く接
合されないか、接合されても部分的に留まってしまうの
で仮止めは不可欠である。加熱の際、水晶振動子１９は
溶融された接合合金１５の表面張力によって引っ張られ
枕１３から離れる。上手く加熱温度を制御すれば、図５
に示すように水晶振動子１９が枕１３から離れ、しかも
水晶振動子用パッケージベース１の上面より下に位置す
る位置で固定することができる。しかしながら、多数個
を処理する場合、加熱温度の場所による違いにより水晶
振動子１９が水晶振動子用パッケージベース１の上面か
ら上に出てしまう場合がある。その場合には図６に示す
ように突起２５を有した接合用治具２７をあらかじめ水
晶振動子用パッケージベース１の上から被せて加熱すれ
ば、最大でも水晶振動子１９は接合用治具の突起２５に
突き当たって止まるので水晶振動子用パッケージベース
１の上面より上に出ることはないので良い。最後にキャ
ップを被せ真空槽中に入れ真空封止を行う。
【００２２】図７は製造後一定期間経過した後の水晶振
動子パッケージ構造体の共振周波数ｆと初期の共振周波
数ｆ０との差の絶対値｜ｆ−ｆ０｜の分布を示した図で
ある。本発明の水晶振動子用パッケージベースを用いた
水晶振動子パッケージ構造体は従来例に比べて経時変化
が少なく、安定している。
動子パッケージ構造体の共振周波数ｆと初期の共振周波
数ｆ０との差の絶対値｜ｆ−ｆ０｜の分布を示した図で
ある。本発明の水晶振動子用パッケージベースを用いた
水晶振動子パッケージ構造体は従来例に比べて経時変化
が少なく、安定している。
【００２３】図８は本発明による水晶振動子用パッケー
ジベースを用いた水晶振動子パッケージ構造体の水晶振
動子の接合強度の分布を従来のものと比較した図であ
る。本発明による水晶振動子用パッケージベースを用い
た水晶振動子パッケージ構造体は従来例に比べて接合強
度が大きく、分布の広がりも小さい。
ジベースを用いた水晶振動子パッケージ構造体の水晶振
動子の接合強度の分布を従来のものと比較した図であ
る。本発明による水晶振動子用パッケージベースを用い
た水晶振動子パッケージ構造体は従来例に比べて接合強
度が大きく、分布の広がりも小さい。
【００２４】
【発明の効果】以上に記したように、本発明による水晶
振動子用パッケージベースを用いれば、容易に水晶振動
子を超音波接合して仮止めすることができ、フラックス
を用いないので接合後に洗浄の必要がなく製造が容易と
なるという効果がある。本発明による水晶振動子用パッ
ケージベースを用いて本発明の製造方法により製造され
た水晶振動子パッケージ構造体はフラックス残滓が生じ
ないので経時変化が小さくなるという効果がある。ま
た、水晶振動子の接合強度が向上し、分布も小さくなる
という効果がある。
振動子用パッケージベースを用いれば、容易に水晶振動
子を超音波接合して仮止めすることができ、フラックス
を用いないので接合後に洗浄の必要がなく製造が容易と
なるという効果がある。本発明による水晶振動子用パッ
ケージベースを用いて本発明の製造方法により製造され
た水晶振動子パッケージ構造体はフラックス残滓が生じ
ないので経時変化が小さくなるという効果がある。ま
た、水晶振動子の接合強度が向上し、分布も小さくなる
という効果がある。
【００２５】
【図１】本発明による実施例を示す図であり、水晶振動
子用パッケージベースの断面図である。
子用パッケージベースの断面図である。
【図２】本発明による実施例を示す図であり、接合部材
の構成を説明するための拡大図である。
の構成を説明するための拡大図である。
【図３】本発明による水晶振動子パッケージ構造体の製
造方法を示す図である。
造方法を示す図である。
【図４】本発明による水晶振動子パッケージ構造体の製
造方法を説明する図であり、水晶振動子を超音波接合し
た後の接合部の状態を示した拡大図である。
造方法を説明する図であり、水晶振動子を超音波接合し
た後の接合部の状態を示した拡大図である。
【図５】本発明による水晶振動子パッケージ構造体の製
造方法を説明する図である。
造方法を説明する図である。
【図６】本発明による水晶振動子パッケージ構造体の製
造方法を示す図である。
造方法を示す図である。
【図７】本発明による水晶振動子用パッケージベースを
用いた水晶振動子パッケージ構造体の共振周波数分布を
示す図である。
用いた水晶振動子パッケージ構造体の共振周波数分布を
示す図である。
【図８】本発明による水晶振動子用パッケージベースを
用いた水晶振動子パッケージ構造体の水晶振動子の接合
強度分布を示す図である。
用いた水晶振動子パッケージ構造体の水晶振動子の接合
強度分布を示す図である。
【図９】従来の水晶振動子パッケージ構造体を示す図で
ある。
ある。
【図１０】従来の水晶振動子用パッケージベースを示す
図である。
図である。
【図１１】従来の水晶振動子パッケージ構造体の製造方
法を示す図である。
法を示す図である。
【図１２】従来の水晶振動子パッケージ構造体の製造方
法を示す図である。
法を示す図である。
１ 水晶振動子用パッケージベース ３ 基体 ５ 配線 ７ 内部電極 ９ 接合部材 １１ 外部電極 １３ 枕 １５ 接合合金 １７ 被覆層 １９ 水晶振動子 ２１ 電極 ２３ 超音波圧子 ２５ 突起 ２７ 接合用治具 ２９ 密封空間 ３１ キャップ ３３ 封止部材 ３５ ＡｕＳｎ合金ペースト ３７ Ａｕバンプ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０３Ｈ 9/19 Ｈ０１Ｌ 41/22 Ｚ
Claims (7)
- 【請求項１】 水晶振動子を接合して用いられる水晶振
動子用パッケージベースにおいて、水晶振動子との接合
を行う内部電極の上に設けた接合部材が、接合合金にＡ
ｕを被覆した構成であることを特徴とする水晶振動子用
パッケージベース。 - 【請求項２】 前記接合合金は、ＡｕとＳｎとを含有す
る合金であることを特徴とする請求項１記載の水晶振動
子用パッケージベース。 - 【請求項３】 前記接合合金は、ＡｕとＧｅとを含有す
る合金であることを特徴とする請求項１記載の水晶振動
子用パッケージベース。 - 【請求項４】 前記接合合金は、ＡｕとＳｉとを含有す
る合金であることを特徴とする請求項１記載の水晶振動
子用パッケージベース。 - 【請求項５】 前記接合合金は、ＡｕとＧａとを含有す
る合金であることを特徴とする請求項１記載の水晶振動
子用パッケージベース。 - 【請求項６】 水晶振動子用パッケージベースを用いた
水晶振動子パッケージ構造体の製造方法において、水晶
振動子と水晶振動子用パッケージベースとの接合に際
し、水晶振動子を水晶振動子用パッケージベースの内部
電極の上に設けた接合部材へ超音波接合により仮止めす
る仮止め工程と、加熱を行い該接合部材を構成する接合
合金を溶融して接合する接合工程を備えたことを特徴と
する水晶振動子パッケージ構造体の製造方法。 - 【請求項７】 前記接合工程では、突起を有した接合用
治具を前記水晶振動子用パッケージベースの上に被せる
ことを特徴とする請求項６記載の水晶振動子パッケージ
構造体の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001061026A JP2002261570A (ja) | 2001-03-06 | 2001-03-06 | 水晶振動子用パッケージベースおよびそれを用いた水晶振動子パッケージ構造体の製造方法 |
| US10/087,945 US6538208B2 (en) | 2001-03-06 | 2002-03-05 | Package base for mounting electronic element, electronic device and method of producing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001061026A JP2002261570A (ja) | 2001-03-06 | 2001-03-06 | 水晶振動子用パッケージベースおよびそれを用いた水晶振動子パッケージ構造体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002261570A true JP2002261570A (ja) | 2002-09-13 |
Family
ID=18920384
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001061026A Pending JP2002261570A (ja) | 2001-03-06 | 2001-03-06 | 水晶振動子用パッケージベースおよびそれを用いた水晶振動子パッケージ構造体の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6538208B2 (ja) |
| JP (1) | JP2002261570A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009135829A (ja) * | 2007-11-30 | 2009-06-18 | Kyocera Kinseki Corp | 圧電振動子の製造方法及び圧電発振器の製造方法 |
| JP2010124180A (ja) * | 2008-11-19 | 2010-06-03 | Seiko Instruments Inc | 水晶振動デバイス |
| JP2010177810A (ja) * | 2009-01-27 | 2010-08-12 | Daishinku Corp | 圧電振動デバイスおよび圧電振動デバイスの製造方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20090090452A1 (en) * | 2005-06-29 | 2009-04-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Process for producing nonflat ceramic substrate |
| KR100819554B1 (ko) * | 2006-12-04 | 2008-04-07 | 삼성전자주식회사 | 재생 가능한 전자 부품을 구비한 전자 장치, 이 전자장치의 제조방법 및 전자 부품의 재생 방법 |
| JP2009253883A (ja) * | 2008-04-10 | 2009-10-29 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 圧電振動デバイス |
| JP5699498B2 (ja) * | 2010-09-13 | 2015-04-08 | 富士通株式会社 | 振動子の作製方法、振動子作製用マスク、および振動子用パッケージ |
| JP2012222537A (ja) * | 2011-04-07 | 2012-11-12 | Seiko Epson Corp | パッケージ、振動子、発振器及び電子機器 |
| JP6167494B2 (ja) * | 2012-09-26 | 2017-07-26 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイス用容器の製造方法、電子デバイスの製造方法、電子デバイス、電子機器及び移動体機器 |
| CN103296991B (zh) * | 2013-04-28 | 2016-08-10 | 电子科技大学 | 基于柔性基板的石墨烯高频纳机电谐振器及其制备工艺 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0738334A (ja) | 1993-07-22 | 1995-02-07 | Seikosha Co Ltd | 水晶発振器 |
| JPH07193294A (ja) * | 1993-11-01 | 1995-07-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品およびその製造方法 |
| JP3516367B2 (ja) * | 1996-01-31 | 2004-04-05 | エヌイーシー ショット コンポーネンツ株式会社 | ガラス−セラミック複合体およびそれを用いたフラットパッケージ型圧電部品 |
| US5945774A (en) * | 1997-03-28 | 1999-08-31 | Industrial Technology Research Institute | Open package for crystal oscillator chips |
| US6249049B1 (en) * | 1998-06-12 | 2001-06-19 | Nec Corporation | Ceramic package type electronic part which is high in connection strength to electrode |
| US6133674A (en) * | 1998-10-27 | 2000-10-17 | Cts | Low profile integrated oscillator having a stepped cavity |
| JP2000232332A (ja) | 1999-02-09 | 2000-08-22 | Toyo Commun Equip Co Ltd | 表面実装型圧電共振子 |
-
2001
- 2001-03-06 JP JP2001061026A patent/JP2002261570A/ja active Pending
-
2002
- 2002-03-05 US US10/087,945 patent/US6538208B2/en not_active Expired - Fee Related
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|---|---|---|---|---|
| JP2009135829A (ja) * | 2007-11-30 | 2009-06-18 | Kyocera Kinseki Corp | 圧電振動子の製造方法及び圧電発振器の製造方法 |
| JP2010124180A (ja) * | 2008-11-19 | 2010-06-03 | Seiko Instruments Inc | 水晶振動デバイス |
| JP2010177810A (ja) * | 2009-01-27 | 2010-08-12 | Daishinku Corp | 圧電振動デバイスおよび圧電振動デバイスの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20020125041A1 (en) | 2002-09-12 |
| US6538208B2 (en) | 2003-03-25 |
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