JP2016072316A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
MEMS半導体ウエハとダイアタッチフィルム付きダイシングテープとの密着強度を向上した半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供すること。
【解決手段】
半導体ウエハに電極を形成する工程と、前記電極が形成されている側とは反対側の裏面側に接着シートとの密着性の強い保護膜を形成する工程と、を有する半導体装置の製造方法。あるいは、半導体ウエハと、前記半導体ウエハ形成された電極と、前記電極が形成されている側とは反対側の裏面側に形成された接着シートとの密着性の強い保護膜とを有する半導体装置。
【選択図】 図2
Description
保護膜の種類としては、半導体ウエハの回路面の保護膜として一般的に適用されているポリイミド系の有機膜もしくは、エポキシ樹脂系のレジスト膜が挙げられる。保護膜2の形成方法としては、薄膜化及び膜厚均一性の観点から、スピンコート法やスプレーコート法が好ましい。スピンコート法による塗布は、半導体ウエハのうねり、及びエッジ部の盛り上がりを防止するために、500〜4000rpmの回転数で行うことが好ましい。
(a)半導体ウエハの電極が形成されていない裏面側に保護膜を塗布する工程。
(b)前記(a)工程の後、保護膜を加熱硬化させる工程。
(c)前記(b)工程の後、前記半導体ウエハの前記(a)工程にて塗布した保護膜の面に対して、ダイアッタチ付きダイシングテープを貼り付ける工程。
(e)前記(d)工程の後、前記半導体チップを基板配線もしくは、別の半導体チップの上に搭載する工程。
Claims (7)
- 半導体ウエハに電極を形成する工程と、
前記電極が形成されている側とは反対側の裏面側に接着シートとの密着性の強い保護膜を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体ウエハと、
前記半導体ウエハ形成された電極と、
前記電極が形成されている側とは反対側の裏面側に形成された接着シートとの密着性の強い保護膜とを有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項2に記載の半導体装置において、
前記半導体ウエハは、内部に物理量を検出するための素子が形成され、ウエハの貼り合せ接合による積層体からなる半導体装置。 - 請求項2に記載の半導体装置において、
前記半導体ウエハの一方の面は、ミラー面を有し研削処理がなされていないことを特徴とする半導体装置。 - 請求項2に記載の半導体装置において、
前記半導体ウエハは、電極形成がされていない裏面側のみ、あるいは、両面に保護膜を有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項4に記載の半導体装置において、
前記半導体ウエハの電極が形成されていない裏面側に形成される保護膜は、ポリイミドもしくは、エポキシ樹脂を主成分とする半導体装置。 - 請求項2に記載の半導体装置において、
前記半導体ウエハは、前記接着シートとしてダイアッタチフィルムやダイアッタチフィルム付きダイシングテープを貼り合せることを特徴とする半導体装置。
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