JP2017528006A5 - - Google Patents

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  1. リリース層をハンドル基板に取り付ける段階と、
    離散コンポーネントを暫定ハンドルから除去し、前記離散コンポーネントが前記リリース層に取り外し可能に取り付けられるように、前記離散コンポーネントを前記ハンドル基板上に配置する段階であって、前記離散コンポーネントが、超薄型、超小型、または超薄型かつ超小型の構成を有し、前記ハンドル基板の少なくとも1つの辺が、前記離散コンポーネントの少なくとも1つの辺よりも長い長さを有する、離散コンポーネントを暫定ハンドルから除去し、前記離散コンポーネントを前記ハンドル基板上に配置する段階と、
    前記離散コンポーネントをデバイス基板上へ配置し、前記離散コンポーネントを前記ハンドル基板から取り外す段階と、を含み、
    前記離散コンポーネントを前記デバイス基板上へ配置することが、前記離散コンポーネントを前記デバイス基板へ相互接続することを含む、
    方法。
  2. 前記リリース層が感熱性材料を含み、
    前記リリース層の感熱性が、熱エネルギーの印加に応じて、前記リリース層の接着強度に変化を生じさせる、請求項1に記載の方法。
  3. 前記リリース層が紫外線(「UV」)感光性材料を含み、
    前記リリース層のUV感光性が、UV光の印加に応じて前記リリース層の接着強度に変化を生じさせる、請求項1に記載の方法。
  4. 前記リリース層が、複数の層を含み、前記複数の層の第1の層が永久接着性であり、前記複数の層の第2の層が感熱性またはUV感光性のうち1つまたは複数である、請求項1に記載の方法。
  5. 前記離散コンポーネントを前記ハンドルから取り外す段階が、前記離散コンポーネントを前記デバイス基板に相互接続する段階と少なくとも部分的に同時に行われる、請求項1に記載の方法。
  6. 前記離散コンポーネントを前記ハンドルから取り外す段階及び前記離散コンポーネントを前記デバイス基板に相互接続する段階が、共通のトリガーに応じて行われる、請求項1に記載の方法。
  7. 前記相互接続がさらに、前記離散コンポーネントの前記基板への相互接続及び前記離散コンポーネントの前記ハンドルからの取り外しの両方を行うために、熱エネルギーまたはUV光を伝達する段階を含む、請求項1に記載の方法。
  8. a.超薄型、超小型、または超薄型かつ超小型の離散コンポーネントの表面と、前記超薄型かつ超小型の離散コンポーネントが取り付けられることとなる基板との間の材料を、前記材料が前記超薄型かつ超小型の離散コンポーネントを前記基板上に保持する状態に変化させるプロセス段階を適用する段階を含み、
    b.前記プロセス段階が、前記超薄型かつ超小型の離散コンポーネントの反対の表面をピックアンドプレースツールのチャックによって保持されているハンドル上に一時的に保持する材料を、前記材料が前記ハンドルに対して前記超薄型かつ超小型の離散コンポーネントをこれ以上保持しない状態に少なくとも部分的に同時に変化させる、方法。
  9. 状態の変化が、熱エネルギー、UV光またはその両方を伝達することを含む、請求項8に記載の方法。
  10. 前記離散コンポーネントの反対の表面をハンドル基板上に一時的に保持する前記材料が、複数の層を含むリリース層を含み、前記複数の層の第1の層が永久接着性であり、前記複数の層の第2の層が感熱性またはUV感光性のうち1つまたは複数である、請求項8に記載の方法。
  11. 前記リリース層が感熱性材料を含み、前記リリース層の前記感熱性が、熱エネルギーの印加に応じて前記リリース層の接着強度に変化を生じさせる、請求項10に記載の方法。
  12. 前記リリース層がUV感光性材料を含み、前記リリース層の前記UV感光性が、UV光の印加に応じて前記リリース層の接着強度に変化を生じさせる、請求項10に記載の方法。
  13. 超薄型ウェハをハンドル基板上に配置する段階と、
    離散コンポーネントを前記超薄型ウェハから取り外す段階であって、前記離散コンポーネントが、超薄型の構成を有し、前記ハンドル基板が、少なくとも50ミクロンの厚さを有する、離散コンポーネントを前記超薄型ウェハから取り外す段階と、
    前記離散コンポーネントをデバイス基板上に配置し、前記離散コンポーネントを前記ハンドル基板から取り外す段階と、を含み、
    前記離散コンポーネントを前記デバイス基板上に配置することが、前記離散コンポーネントを前記デバイス基板に相互接続することを含む、
    方法。
  14. リリース層を、前記超薄型ウェハが前記リリース層に取り外し可能に取り付けられるように、前記ハンドル基板に取り付ける段階をさらに含む、請求項13に記載の方法。
  15. 前記離散コンポーネントを取り外す段階が、前記超薄型ウェハをダイシングする段階を含む、請求項14に記載の方法。
  16. 前記超薄型ウェハをダイシングする段階が、前記離散コンポーネントが前記ハンドル基板に取り外し可能に取り付けられるように、前記ハンドル基板をダイシングして、ダイシングされたハンドル基板を形成する段階をさらに含む、請求項15に記載の方法。
  17. 前記リリース層が感熱性材料及び紫外線感光性材料のうち1つまたは複数を含む、請求項14に記載の方法。
  18. 前記リリース層が複数の層を含み、前記複数の層の第1の層が永久接着性であり、前記複数の層の第2の層が感熱性及びUV感光性のうち1つまたは複数である、請求項14に記載の方法。
  19. 前記離散コンポーネントを前記ハンドルから取り外す段階が、前記離散コンポーネントを前記デバイス基板に相互接続するのと少なくとも部分的に同時である、請求項13に記載の方法。
  20. 前記離散コンポーネントを前記ハンドルから取り外す段階が、前記離散コンポーネントの前記デバイス基板への相互接続に応じたものであるか、または相互接続によって引き起こされる、請求項13に記載の方法。
  21. 前記相互接続がさらに、前記離散コンポーネントを前記基板と相互接続し、前記離散コンポーネントを前記ハンドルから取り外すために、熱エネルギーまたはUV光を伝達する段階を含む、請求項13に記載の方法。
  22. リリース可能層を用いてハンドル基板を離散コンポーネントに取り付ける段階と、
    前記ハンドル基板が前記離散コンポーネントに取り付けられている間に、ツールを用いて前記ハンドル基板を保持し、前記離散コンポーネントを前記デバイス基板上の接着層に接触させる段階と、
    前記リリース可能層に、前記ハンドル基板を前記離散コンポーネントから取り外させ、前記離散コンポーネントを前記接着層において前記デバイス基板に取り付けさせる段階と
    を含む、方法。
  23. 前記リリース可能層が感熱性材料を含み、前記リリース可能層の感熱性が、熱エネルギーの印加に応じて前記リリース可能層の接着強度に変化を生じさせる、請求項22に記載の方法。
  24. 前記リリース可能層が紫外線感光性材料を含み、前記リリース可能層の紫外線感光性が、紫外線の印加に応じて前記リリース可能層の接着強度に変化を生じさせる、請求項22に記載の方法。
  25. 前記リリース可能層が複数の層を含み、前記複数の層の第1の層が永久接着性であり、前記複数の層の第2の層が感熱性及びUV感光性のうち1つまたは複数である、請求項22に記載の方法。
  26. 前記離散コンポーネントを前記ハンドルから取り外す段階が、前記離散コンポーネントを前記デバイス基板に取り付ける段階と少なくとも部分的に同時である、請求項22に記載の方法。
  27. 前記離散コンポーネントを前記ハンドルから取り外す段階及び前記離散コンポーネントを前記デバイス基板に相互接続する段階が、共通トリガーに応じたものである、請求項22に記載の方法。
  28. 前記超薄型ウェハを形成するために、ウェハを薄化する段階を含む、請求項13に記載の方法。
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220075241A (ko) 2014-08-05 2022-06-07 쿨리케 & 소파 네덜란드 비.브이. 쉬운 조립을 위한 초소형 또는 초박형 개별 컴포넌트의 구성
WO2016060677A1 (en) 2014-10-17 2016-04-21 Intel Corporation Micro pick and bond assembly
TWI783910B (zh) * 2016-01-15 2022-11-21 荷蘭商庫力克及索發荷蘭公司 放置超小或超薄之離散組件
WO2017189367A1 (en) 2016-04-29 2017-11-02 Uniqarta, Inc. Connecting electronic components to substrates
KR20240130146A (ko) 2017-06-12 2024-08-28 쿨리케 & 소파 네덜란드 비.브이. 개별 부품들의 기판 상으로의 병렬적 조립
DE102018009472A1 (de) * 2018-12-03 2020-06-04 Giesecke+Devrient Currency Technology Gmbh Aufbringung und Befestigung einer bestimmten Anzahl von Einzelelementen auf einer Substratbahn
WO2020168174A1 (en) 2019-02-15 2020-08-20 Uniqarta, Inc Dynamic release tapes for assembly of discrete components
US12046504B2 (en) 2019-06-11 2024-07-23 Kulicke & Soffa Netherlands B.V. Positional error compensation in assembly of discrete components by adjustment of optical system characteristics
CN115443525A (zh) * 2019-12-17 2022-12-06 库力索法荷兰有限公司 用于接收分立部件的胶带

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3006866B2 (ja) * 1990-10-18 2000-02-07 大日本印刷株式会社 転写箔
JP3197788B2 (ja) 1995-05-18 2001-08-13 株式会社日立製作所 半導体装置の製造方法
EP1041620A3 (en) 1999-04-02 2005-01-05 Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw Method of transferring ultrathin substrates and application of the method to the manufacture of a multi-layer thin film device
US6383833B1 (en) * 2000-05-23 2002-05-07 Silverbrook Research Pty Ltd. Method of fabricating devices incorporating microelectromechanical systems using at least one UV curable tape
JP4597323B2 (ja) * 2000-07-07 2010-12-15 リンテック株式会社 紫外線硬化型粘着剤組成物および紫外線硬化性粘着シート
US20040154733A1 (en) * 2001-02-08 2004-08-12 Thomas Morf Chip transfer method and apparatus
FR2823012B1 (fr) * 2001-04-03 2004-05-21 Commissariat Energie Atomique Procede de transfert selectif d'au moins un element d'un support initial sur un support final
KR100853410B1 (ko) * 2001-04-11 2008-08-21 소니 가부시키가이샤 소자의 전사방법 및 이를 이용한 소자의 배열방법,화상표시장치의 제조방법
WO2003014010A1 (en) * 2001-08-08 2003-02-20 Jsr Corporation Three-dimensional opto-electronic micro-system
US7535100B2 (en) * 2002-07-12 2009-05-19 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Wafer bonding of thinned electronic materials and circuits to high performance substrates
US7091108B2 (en) * 2003-09-11 2006-08-15 Intel Corporation Methods and apparatuses for manufacturing ultra thin device layers for integrated circuit devices
US7101620B1 (en) * 2004-09-07 2006-09-05 National Semiconductor Corporation Thermal release wafer mount tape with B-stage adhesive
WO2006105782A2 (de) * 2005-04-08 2006-10-12 Pac Tech-Packaging Technologies Gmbh Verfahren und vorrichtung zur übertragung eines chips auf ein kontaktsubstrat
US7300824B2 (en) * 2005-08-18 2007-11-27 James Sheats Method of packaging and interconnection of integrated circuits
JP5129939B2 (ja) * 2006-08-31 2013-01-30 沖電気工業株式会社 半導体装置の製造方法
JP2008258412A (ja) 2007-04-05 2008-10-23 Shinko Electric Ind Co Ltd シリコンウエハの個片化方法
KR101273871B1 (ko) * 2007-04-19 2013-06-11 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 다이싱ㆍ다이본딩 테이프 및 반도체칩의 제조 방법
US7802356B1 (en) * 2008-02-21 2010-09-28 Hrl Laboratories, Llc Method of fabricating an ultra thin quartz resonator component
TWI671811B (zh) * 2009-05-12 2019-09-11 美國伊利諾大學理事會 用於可變形及半透明顯示器之超薄微刻度無機發光二極體之印刷總成
US8912646B2 (en) * 2009-07-15 2014-12-16 Silanna Semiconductor U.S.A., Inc. Integrated circuit assembly and method of making
EP2434528A1 (en) 2010-09-28 2012-03-28 Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO An active carrier for carrying a wafer and method for release
EP2697822B1 (en) * 2011-04-11 2020-12-30 NDSU Research Foundation Selective laser-assisted transfer of discrete components
JP5845775B2 (ja) * 2011-09-26 2016-01-20 住友電気工業株式会社 薄膜個片の接合方法
EP4282665A1 (en) * 2012-08-17 2023-11-29 Visual Physics, LLC A process for transferring microstructures to a final substrate
US9136173B2 (en) * 2012-11-07 2015-09-15 Semiconductor Components Industries, Llc Singulation method for semiconductor die having a layer of material along one major surface
KR20220075241A (ko) 2014-08-05 2022-06-07 쿨리케 & 소파 네덜란드 비.브이. 쉬운 조립을 위한 초소형 또는 초박형 개별 컴포넌트의 구성
US9209142B1 (en) * 2014-09-05 2015-12-08 Skorpios Technologies, Inc. Semiconductor bonding with compliant resin and utilizing hydrogen implantation for transfer-wafer removal

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