JP4744463B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 58
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 41
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 claims description 28
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 22
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 11
- 238000004380 ashing Methods 0.000 claims description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 47
- 238000000708 deep reactive-ion etching Methods 0.000 description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 230000008929 regeneration Effects 0.000 description 1
- 238000011069 regeneration method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
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- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
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Description
スクライブライン領域に設けられる前記面方位110のSOI層を所定の除去幅で予めエッチングして除去する第1のエッチング工程と、前記所定の除去幅よりも小さいブレード幅のダイシング装置によって、前記第1のエッチング工程で除去された箇所に対向する前記支持基板及び前記ガラス基板の所定箇所を、前記第1のエッチング工程で除去された前記SOI層側から切削する工程とを有し、
前記SOI基板を個片化することを特徴とする。
図1は、SOI基板を用いて製造され、本発明方法によって個片化されたMEMSチップであるピエゾ抵抗型加速度センサの平面図であり、図2は、図1に示すピエゾ抵抗型加速度センサ1をA−A線で切る断面を概略的に示す部分断面図である。
ピエゾ抵抗型加速度センサ1に加速度が印加されると、その加速度の大きさに応じて錘部22が変位すると同時に梁部42が歪み、梁部42に備えられたピエゾ抵抗素子51の抵抗値が変化する。各ピエゾ抵抗素子51は、図示しない配線によってブリッジ回路を構成して抵抗値変化が検出される。これにより、梁部42の歪みが検出され、最終的にピエゾ抵抗型加速度センサ1に印加された加速度情報が抽出される。
切削幅Bは、
B=70μm+α (α:切削時のぶれ等)
≒70μm
であり、
このとき除去幅Aを、例えば
A=B+50μm=120μm
程度とする。このとき、上記アッセンブリ工程における、ブレードとその両側の活性層101のSiとは、各側においてそれぞれ25μm程度の間隔を保つことができる。
1a,1b,1c,1d 領域、
11 ガラス基板、
21 筐体、
22 錘部、
22a 個別錘部、
22b 中心部、
31 中間膜、
32 錘中間膜、
41 外枠部、
41a ストッパ部、
42 梁部、
42a,42b,42c,42d 梁腕部、
43 保持部、
43a 個別保持部、
43b 中心保持部、
51 ピエゾ抵抗素子、
61,62,64,65 空隙、
71 Si片、
100,100´ SOI基板、
101 活性層(Si層)、
102 支持基板(Si層)、
103 BOX層、
150 ダイシングライン、
160 レジストパターン。
Claims (5)
- BOX層の一方の面に面方位110のSOI層が形成され、他方の面に該SOI層から45度回転させて面方位100のSi層からなる支持基板を重ね合わせたSOI基板を、前記支持基板に接して形成されたガラス基板と共に個片化する方法において、
スクライブライン領域に設けられる前記面方位110のSOI層を所定の除去幅で予めエッチングして除去する第1のエッチング工程と、
前記所定の除去幅よりも小さいブレード幅のダイシング装置によって、前記第1のエッチング工程で除去された箇所に対向する前記支持基板及び前記ガラス基板の所定箇所を、前記第1のエッチング工程で除去された前記SOI層側から切削する工程と
を有し、
前記SOI基板を個片化することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第1のエッチング工程では、D−RIE装置を用いてドライエッチングすることを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記エッチング工程でのマスクとなるレジストパターンを形成する工程と、
前記エッチング工程後に、
前記レジストパターンをアッシングする工程と、
前記SOI層の、前記第1のエッチング工程で除去された箇所に対向する前記BOX層をエッチングする第2のエッチング工程と
を更に有することを特徴とする請求項1又は2記載の半導体装置の製造方法。 - 前記SOI基板には、複数のMEMS構造体が形成されており、前記第1のエッチング工程は前記MEMS構造体の形成時に同時に実行され、前記スクライブラインが複数のMEMS構造体を個々に分離する分離領域に形成されることを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記MEMS構造体がピエゾ抵抗型加速度センサとしての構成を有することを特徴とする請求項4記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007063373A JP4744463B2 (ja) | 2007-03-13 | 2007-03-13 | 半導体装置の製造方法 |
US12/073,200 US8030180B2 (en) | 2007-03-13 | 2008-03-03 | Method of manufacturing a semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007063373A JP4744463B2 (ja) | 2007-03-13 | 2007-03-13 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008227152A JP2008227152A (ja) | 2008-09-25 |
JP4744463B2 true JP4744463B2 (ja) | 2011-08-10 |
Family
ID=39763114
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007063373A Expired - Fee Related JP4744463B2 (ja) | 2007-03-13 | 2007-03-13 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8030180B2 (ja) |
JP (1) | JP4744463B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8187903B2 (en) * | 2009-01-13 | 2012-05-29 | Robert Bosch Gmbh | Method of epitaxially growing piezoresistors |
US8003482B2 (en) | 2009-11-19 | 2011-08-23 | Micron Technology, Inc. | Methods of processing semiconductor substrates in forming scribe line alignment marks |
CN102464296A (zh) * | 2010-11-05 | 2012-05-23 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种mems结构切割分离方法 |
US9070747B2 (en) * | 2013-06-27 | 2015-06-30 | Flipchip International Llc | Electroplating using dielectric bridges |
JP6135528B2 (ja) * | 2014-01-31 | 2017-05-31 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
IT201700071798A1 (it) * | 2017-06-27 | 2018-12-27 | St Microelectronics Srl | Sensore di forza multiassiale, metodo di fabbricazione del sensore di forza multiassiale, e metodo di funzionamento del sensore di forza multiassiale |
US11402579B2 (en) * | 2017-12-27 | 2022-08-02 | Medlumics S.L. | Techniques for fabricating waveguide facets and die separation |
CN113504392B (zh) * | 2021-07-05 | 2023-11-03 | 美满芯盛(杭州)微电子有限公司 | 一种高g值、高灵敏度MEMS加速度传感器及其制备方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001308036A (ja) | 2000-04-25 | 2001-11-02 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP4258105B2 (ja) | 2000-06-27 | 2009-04-30 | 株式会社デンソー | 半導体装置の製造方法 |
US6743653B2 (en) * | 2002-05-08 | 2004-06-01 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Micromachine manufacturing method |
JP2005349486A (ja) | 2004-06-08 | 2005-12-22 | Denso Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2006029827A (ja) | 2004-07-12 | 2006-02-02 | Fujitsu Media Device Kk | 慣性センサ |
JP2006032716A (ja) | 2004-07-16 | 2006-02-02 | Topcon Corp | メンブレンチップ製造方法 |
JP2006062002A (ja) | 2004-08-25 | 2006-03-09 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の個片化方法 |
US20080191318A1 (en) * | 2007-02-09 | 2008-08-14 | Advanced Micro Devices, Inc. | Semiconductor device and method of sawing semiconductor device |
-
2007
- 2007-03-13 JP JP2007063373A patent/JP4744463B2/ja not_active Expired - Fee Related
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2008
- 2008-03-03 US US12/073,200 patent/US8030180B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2008227152A (ja) | 2008-09-25 |
US20080227234A1 (en) | 2008-09-18 |
US8030180B2 (en) | 2011-10-04 |
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A621 | Written request for application examination |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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S531 | Written request for registration of change of domicile |
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