JP2006196588A - マイクロマシン及び静電容量型センサの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 半導体チップを破損することなく分割することができるという効果を有するマイクロマシンの製造方法を提供すること。
【解決手段】 シリコンマイク素子の製造方法を、半導体基板１１と半導体基板１２とを接着層１３を介して接着する工程と、熱処理によって酸化膜１４を成長させ、この酸化膜１４をフォトリソグラフィ技術で加工し、エッチングマスクを形成する工程と、酸化膜１４で形成されたエッチングマスクを用いて振動板１５と、背面板１６と、枠１７とを形成する工程と、背面板１６をエッチングマスクにし、接着層１３をエッチングして空隙部１９を形成する工程と、背面板１６側から金属膜を蒸着して電極端子２０を形成する工程とすることで、両面に粘着フィルムを貼り付けてダイシングによりチップに分割する際、枠１７によって、背面板１６が粘着フィルムに取り込まれてしまうのを防ぐ。
【選択図】 図１

Description

本発明は、マイクロマシン及び静電容量型センサの製造方法に関するもので、特に半導体チップを区切る枠を形成して個々のマイクロマシンや静電容量型センサに分割して製造する方法に関するものである。

従来、この種のマイクロマシンとしては、図６に示すようなものが知られている。図６（ａ）に示されたマイクロマシン１は、半導体基板に形成された振動板２と、空隙を介して振動板２と対向配置された背面板３と、振動板２と背面板３とを電気的に絶縁させる絶縁膜４とを有し、振動板２及び背面板３は、外部装置と電気的に接続された電極５及び６をそれぞれ備え、音波による音圧変化で生じる振動板２の変位を、振動板２と背面板３との間の容量変化として検出するようになっている（例えば、特許文献１参照。）。なお、背面板３には、振動板２の振動のダンピングを制御するための穴が設けられている。

従来のマイクロマシン１は、図６（ｂ）に示すように製造される。すなわち、マイクロマシン１を構成する半導体チップが半導体基板７上に複数個形成された後に、ダイシングによって半導体チップが個々に分割される。このダイシングにおいて、切削水が用いられ、また切断する過程で切削屑が生じるので、従来のマイクロマシン１は、切削水や切削屑が振動板２と背面板３との間に入り込み、切削水が蒸発する際に振動板２と背面板３との貼り付きを起こしたり、切削屑が背面板３の穴を塞いだりして、マイクロマシンの特性に悪影響を及ぼすという問題があった。また、ダイシングにおいて切削水は比較的高圧で吹きつけられるため、振動板２や背面板３が破損されるという問題があった。

これらの問題の対策としては、特許文献２に示された粘着フィルムを用いる製造方法が知られている。図７に示すように、粘着フィルムを用いた従来のマイクロマシンの製造方法は、ダイシングに先立って振動板及び背面板に紫外線硬化性の粘着フィルムを貼り付けてからダイシングを行い、ダイシング後に紫外線を照射して粘着フィルムの粘着力を低下させた状態で粘着フィルムを剥離するものである。

特開２００２−２７５９５号公報（第３−５頁、第３図） 特開昭５９−２１０３８号公報（第４−８頁、第４図）

しかしながら、このような従来のマイクロマシンの製造方法では、粘着フィルムを振動板及び背面板に貼り付けた時点で、粘着フィルムの粘着剤が背面板に設けられた穴や背面板の周囲に入り込んで背面板が粘着剤に取り込まれてしまい、さらにこれらの場所までは紫外線が十分に届かず粘着フィルムの粘着力が低下しないので、粘着フィルムを剥がす際に半導体チップを破損してしまうという問題があった。

本発明は、このような問題を解決するためになされたものであり、半導体基板から半導体チップを破損することなく分割することができるマイクロマシンの製造方法を提供するものである。

本発明のマイクロマシンの製造方法は、半導体基板を複数の領域に区切り、前記複数の領域に複数の半導体チップを形成するチップ形成工程と、前記複数の領域に区切る枠を前記半導体基板に形成する枠形成工程と、前記枠の位置を基準とした所定の範囲内において前記複数の半導体チップを個々に分割するチップ分割工程とを含む構成を有している。

この構成により、本発明のマイクロマシンの製造方法は、枠形成工程において、複数の半導体チップが形成された領域を区切る枠を半導体基板に形成するので、枠によって、粘着剤を用いたダイシングにおける粘着剤が背面板の穴や周囲に入り込むことを防止することができ、半導体チップが複数個形成された半導体基板から半導体チップを破損することなく分割することができる。

また、本発明のマイクロマシンの製造方法は、前記チップ分割工程は、前記所定の範囲内において、前記枠が形成された半導体基板の面と反対の面から前記枠が形成された半導体基板の面に向かう方向の溝を形成する分割溝形成工程を含む構成を有している。

この構成により、本発明のマイクロマシンの製造方法は、分割溝形成工程において、枠の位置を基準とした所定の範囲内で、枠が形成された半導体基板の面と反対の面から枠が形成された半導体基板の面に向かう方向の溝を形成し、この溝は半導体チップの形成領域と分離されて形成されるので、ダイシングにおける切削水や切削屑が半導体チップの形成領域に入り込むことを防止することができ、半導体チップが複数個形成された半導体基板から半導体チップを破損することなく分割することができる。

さらに、本発明のマイクロマシンの製造方法は、前記チップ分割工程は、前記枠の位置において、前記枠の幅よりも狭い幅の溝を前記枠が形成された半導体基板の面から前記枠が形成されていない半導体基板の面に向かう方向に形成する分割溝形成工程を含む構成を有している。

この構成により、本発明のマイクロマシンの製造方法は、分割溝形成工程において、枠の位置を基準とした所定の範囲内で、枠が形成された半導体基板の面から枠が形成されていない半導体基板の面に向かう方向の溝が形成され、この溝は半導体チップの形成領域とは分離されて形成されるので、ダイシングにおける切削水や切削屑が半導体チップの形成領域に入り込むことを防止することができ、半導体チップが複数個形成された半導体基板から半導体チップを破損することなく分割することができる。

さらに、本発明のマイクロマシンの製造方法は、前記枠形成工程が、アルカリ性の溶液を用いたエッチングによって行われる構成を有している。

この構成により、本発明のマイクロマシンの製造方法は、枠形成工程において、アルカリ性の溶液を用いたエッチングによって行われるので、従来のマイクロマシンの製造工程を変更することなく、半導体チップの形成領域を分離する枠を容易に形成することができる。

さらに、本発明のマイクロマシンの製造方法は、前記チップ形成工程が、前記アルカリ性の溶液を用いたエッチングによって前記枠形成工程と同時に行われる構成を有している。

この構成により、本発明のマイクロマシンの製造方法は、チップ形成工程が、アルカリ性の溶液を用いたエッチングによって枠形成工程と同時に行われるので、枠を形成する専用のエッチングマスクが不要になり、従来のマイクロマシンの製造工程を変更することなく、半導体チップと枠とを同時に容易に形成することができる。

さらに、本発明のマイクロマシンの製造方法は、前記チップ分割工程の前に前記半導体基板の両面に粘着性フィルムを貼付するフィルム貼付工程を含む構成を有している。

この構成により、本発明のマイクロマシンの製造方法は、フィルム貼付工程において、チップ分割工程の前に半導体基板の両面に粘着性フィルムが貼付されるので、ダイシングにおける切削水や切削屑が半導体チップの形成領域に入り込むことを防止することができ、半導体チップが複数個形成された半導体基板から半導体チップを破損することなく分割することができる。

さらに、本発明のマイクロマシンの製造方法は、前記粘着性フィルムは、紫外線硬化性粘着フィルムである構成を有している。

この構成により、本発明のマイクロマシンの製造方法は、粘着性フィルムとして紫外線硬化性粘着フィルムを用いるので、従来のマイクロマシンの製造工程で使用される設備を流用して新たな設備投資を必要することなく、マイクロマシンを安価に製造することができる。

さらに、本発明のマイクロマシンの製造方法は、前記半導体基板は、第１の半導体基板と第２の半導体基板とを接着して１つの半導体基板とした構成を有している。

この構成により、本発明のマイクロマシンの製造方法は、第１の半導体基板と第２の半導体基板とが接着された後、枠形成工程において、複数の半導体チップが形成された領域を区切る枠を第２の半導体基板に形成するので、枠によって、粘着剤を用いたダイシングにおける粘着剤が背面板の穴や周囲に入り込むことを防止することができ、半導体チップが複数個形成された半導体基板から半導体チップを破損することなく分割することができる。

さらに、本発明の静電容量型センサの製造方法は、マイクロマシン製造方法を含み、前記第２の半導体基板は前記枠を含む固定電極板として形成され、前記第１の半導体基板は前記固定電極板から所定の間隔をおいて配置される振動電極板として形成される構成を有している。

この構成により、本発明の静電容量型センサの製造方法は、第２の半導体基板が、半導体チップの形成領域を分離する枠を含む固定電極板として形成され、第１の半導体基板は固定電極板から所定の間隔をおいて配置される振動電極板として形成されるので、ダイシングにおける切削水や切削屑が半導体チップの形成領域に入り込むことを防止することができ、半導体チップが複数個形成された半導体基板から半導体チップを破損することなく分割することができる。

本発明は、半導体チップを破損することなく分割することができるという効果を有するマイクロマシンの製造方法を提供することができるものである。

以下、本発明の実施の形態について図面を用いて説明する。ただし、本発明のマイクロマシンの製造方法を静電容量型センサの１つであるシリコンマイク素子の製造に適用した例を挙げて説明する。なお、シリコンマイク素子は、音波に応じて振動する振動電極板と、この振動電極板と対向配置された固定電極板とを備え、振動電極板の振動によって生じる、固定電極板と振動電極板との間の静電容量の変化を捉えて、音を電気信号に変換するものである。

（第１の実施の形態）
本発明の第１の実施の形態のシリコンマイク素子の製造方法について、図１を用いて説明する。

最初に、シリコンマイク素子を１つの半導体基板上に一括して複数個形成する工程について説明する。

まず、図１（ａ）に示すように、シリコンマイク素子の振動板となる半導体基板１１に、粉体酸化ケイ素を主成分としホウ素又はリンを高濃度に含む接着層１３を所望の厚さに堆積する。例えば、化学気相堆積法によって、膜厚３〜１５μｍ程度の接着層１３を３００μｍ以上の厚さの半導体基板１１に堆積する。ここで、半導体基板１１に代えてシリコンマイク素子の固定電極板となる半導体基板１２に接着層１３を堆積する工程としてもよい。なお、半導体基板１１及び半導体基板１２は、単結晶シリコン半導体で形成され、それぞれ、本発明の第１の半導体基板及び本発明の第２の半導体基板を構成している。

次いで、図１（ｂ）に示すように、半導体基板１１と半導体基板１２とを接着層１３を介して重ね合わせて熱処理を行い接着する（接着工程）。そして、半導体基板１２を研削及び研磨して、半導体基板１２の厚さを例えば５０μｍ程度にする。なお、以下の記載において、半導体基板１１と半導体基板１２とが接着されたものをシリコンウェハという。また、シリコンウェハの半導体基板１２側の面を表面といい、半導体基板１１側の面を裏面という。

さらに、図１（ｃ）に示すように、シリコンウェハの表面及び裏面に例えば熱処理によって酸化膜１４を成長させ、この酸化膜１４をフォトリソグラフィ技術で加工し、エッチングマスクを形成する。

図２は、エッチングマスクの一例を示したものであり、説明を簡略化するため、２行２列からなる４個のシリコンマイク素子を製造する場合のものを示している。図２において、図２（ａ）はエッチングマスクを形成したシリコンマイク素子の断面図、図２（ｂ）は半導体基板１１からエッチングマスクを見た図、図２（ｃ）は半導体基板１２からエッチングマスクを見た図である。

引き続き、図１（ｄ）に示すように、酸化膜１４で形成されたエッチングマスクを用いてアルカリ性の溶液、例えばＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド）によるエッチングによって、振動板１５と、背面板１６と、枠１７とを形成する（チップ形成工程及び枠形成工程）。ここで、枠１７は、背面板１６と同時に形成され、図２（ｃ）に示すように、シリコンマイク素子を１つ１つのチップの領域に分割するように形成される。

なお、例えば８０℃のＴＭＡＨを使用する場合は、エッチングレートは約２０〜２５μｍ／時間であり、半導体基板１１の厚さが３００μｍ以上であるので、エッチング時間は１５〜１８時間程度となる。また、エッチングに用いるアルカリ性の溶液は、ＴＭＡＨに限定されるものではなく、例えば、水酸化カリウム溶液やＥＤＰ（エチレンジアミンピロカテコール）溶液等を用いてもよい。

続いて、図１（ｅ）に示すように、背面板１６をエッチングマスクにして接着層１３をフッ化水素酸でエッチングすることにより、空隙部１９が得られる。そして、背面板１６側から金属膜を蒸着して電極端子２０を形成する。

次に、シリコンウェハからシリコンマイク素子を分割する工程について図３を用いて説明する。図３は、シリコンウェハの裏面を上にして、半導体基板１１から半導体基板１２に向かう方向で、シリコンマイク素子を分割する工程を示したものである。

まず、図３（ａ）に示すように、シリコンウェハの表面及び裏面に、紫外線硬化性の粘着剤３１を有する粘着フィルム３２を貼り付ける（フィルム貼付工程）。

次いで、図３（ｂ）及び（ｂ１）に示すように、シリコンウェハの裏面からダイシングを行う（分割溝形成工程）。図３（ｂ）には、シリコンウェハの裏面から表面に向かう方向の溝が形成された例が示されている。この溝は、枠１７の幅よりも狭い幅のダイシングブレードによって枠１７の幅内に所定の深さで形成される。また、図３（ｂ１）には、枠１７と背面板１６との間において、シリコンウェハの裏面から表面に向かう方向の溝が所定の深さで形成された例が示されている。

図３（ｂ）に示すように、枠１７の位置でダイシングする場合は、背面板１６の厚さを含む寸法Ａが５０μｍ以上になるようダイシングブレードの切削位置を設定する。一方、図３（ｂ１）に示すように、枠１７の位置から外れた範囲でダイシングする場合は、振動板１５の残り寸法Ｂが５０μｍ以上になるようダイシングのブレードの切削位置を設定する。以上の設定で溝を形成することによって、ダイシングの際の切削水や切削屑が、振動板１５と背面板１６との間、すなわち空隙部１９及び背面板周囲部３３に入り込むことがない。

引き続き、図３（ｃ）及び（ｃ１）に示すように、シリコンウェハの表面及び裏面に紫外線を照射して粘着フィルム３２の粘着力を低下させ、粘着フィルム３２を剥離する。このとき、背面板１６を破損することなく粘着フィルム３２を剥離することができる。

ここで、背面板１６を破損せずに粘着フィルム３２を剥離することができる理由を、図４を用いて説明する。図４（ａ）は、本実施の形態のシリコンマイク素子の製造方法によって枠１７を設け、粘着フィルム３２を貼付した場合を示している。図４（ｂ）は、従来のように、枠を設けないものに粘着フィルム３２を貼付した場合を示している。

図４（ｂ）に示すように、背面板周囲部８において、粘着フィルム３２の粘着剤３１は、半導体基板７の裏面及び背面板３の側面部９に接着されている。また、粘着フィルム３２は背面板周囲部８において半導体基板７側に曲げられているため、図４（ａ）の場合と比較して粘着フィルム３２は背面板３に強く押しつけられる。その結果、背面板３の穴に粘着剤３１が入り込むこととなる。このような状態で、ダイシング後に紫外線を照射し粘着フィルム３２を剥離すると、特に背面板３の側面部９や、背面板３の穴において、粘着フィルム３２と背面板３とが強固に接着してしまうか、又は紫外線が十分に届かないという理由で、粘着フィルム３２を剥離する際に背面板３を破損してしまうという問題があった。

しかしながら、図４（ａ）に示すように、本実施の形態のシリコンマイク素子の製造方法によって枠１７を設けることで、粘着フィルム３２の粘着剤１３が背面板１６の穴や背面板周囲部３３に入り込みにくくなっており、背面板１６が粘着フィルム３２に取り込まれてしまうのを防ぎ、また、紫外線が粘着フィルム３２の粘着剤３１に十分届くため、背面板１６を破損せずに粘着フィルム３２を剥離することができる。

次いで、図３（ｄ）及び（ｄ１）に示すように、ダイシングによって形成された溝３４に沿って、シリコンウェハを例えば手で割ることによりシリコンウェハから個々のチップ３５単体に分割する（チップ分割工程）。または、シリコンウェハの表面にクッション材を敷き、シリコンウェハの裏面から例えばくさび状の治具で溝３４を押さえつけてチップ３５を分割する。

なお、前述の説明では、図３（ｃ）に示されたフィルム剥離工程の後に、図３（ｄ）及び（ｄ１）に示されたチップ分割工程を行う手順としたが、チップ分割工程の後にフィルム剥離工程を行う手順としてもよい。

以上のように、本実施の形態のシリコンマイク素子の製造方法によれば、枠形成工程において、複数の半導体チップが形成された領域を区切る枠１７を半導体基板１２に形成し、分割溝形成工程において、枠１７を基準として、シリコンウェハを分割するための溝３４を所定の深さで形成する構成としたので、ダイシングにおける切削水や切削屑が半導体チップの形成領域に入り込むことを防止することができ、半導体チップが複数個形成されたシリコンウェハから半導体チップを破損することなく分割することができる。

また、本実施の形態のシリコンマイク素子の製造方法によれば、枠形成工程において、複数の半導体チップが形成された領域を区切る枠１７を半導体基板１２に形成する構成としたので、粘着フィルム３２の粘着剤３１が背面板１６の穴や背面板周囲部３３に入り込みにくくして粘着剤３１の接着力を低下させ、背面板１６を破損することなく粘着フィルム３２を剥離することができ、半導体チップが複数個形成されたシリコンウェハから半導体チップを破損することなく分割することができる。

なお、前述の実施の形態において、半導体チップと枠１７とを同時に形成する例を挙げて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、半導体チップと枠１７とを別個に製造する工程としても同様の効果を得ることができる。

また、前述の実施の形態において、半導体基板１１と半導体基板１２とを接着し、その表面及び裏面に酸化膜１４を成長させる例を挙げて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、１つの半導体基板の表面及び裏面に酸化膜１４を成長させる工程としても同様の効果を得ることができる。

（第２の実施の形態）
本発明の第２の実施の形態のシリコンマイク素子の製造方法について説明する。ただし、本実施の形態のシリコンマイク素子を１つの半導体基板上に一括して複数個形成する工程は、本発明の第１の実施の形態のシリコンマイク素子の製造工程（図１及び図２参照）と同様であるので説明を省略する。

本実施の形態のシリコンマイク素子をシリコンウェハから分割する工程について図５を用いて説明する。図５は、シリコンウェハの表面を上にして、半導体基板１２から半導体基板１１に向かう方向で、シリコンマイク素子を分割する工程を示したものである。

まず、図５（ａ）に示すように、シリコンウェハの表面及び裏面に、紫外線硬化性の粘着剤４１を有する粘着フィルム４２を貼り付ける（フィルム貼付工程）。

次いで、図５（ｂ）に示すように、シリコンウェハの表面から裏面に向かう方向の溝を形成する（分割溝形成工程）。この溝は、枠１７の幅よりも狭い幅のダイシングブレードによって枠１７の幅内に所定の深さで形成される。

ここで、振動板１５の残り寸法Ｃが５０μｍ以上になるようダイシングブレードの切削位置を設定する。また、ダイシング溝の幅Ｅは、枠１７の幅Ｄよりも小さく、好ましくは幅Ｄの半分以下になるようにする。例えば、ダイシング溝の幅Ｅが３０〜４０μｍ程度になるようダイシングブレードの厚さを選定する。そして、ダイシングの際は、枠１７の中心を狙ってダイシングブレード位置を設定し、ダイシングによって形成される溝４３の両側に枠１７の切断残部が残るようにする。以上の設定により、ダイシングの際の切削水や切削屑が、振動板１５と背面板１６との間、すなわち空隙部１９及び背面板周囲部４４に入り込むことがない。

さらに、図５（ｃ）に示すように、シリコンウェハの表面及び裏面に紫外線を照射して粘着フィルム４２の粘着力を低下させ、粘着フィルム４２を剥離する。このとき、背面板１６を破損することなく粘着フィルム４２を剥離することができる。粘着フィルム４２が貼り付けられた時点（図５（ａ））において、枠１７が形成されているので、粘着フィルム４２の粘着剤４１が背面板１６の穴や背面板周囲部４４に入り込みにくくなっており、背面板が粘着剤４１に取り込まれてしまうのを防ぎ、また、紫外線が粘着フィルム４２の粘着剤４１に十分に届くからである。

引き続き、図５（ｄ）に示すように、ダイシングによって形成された溝４３に沿って、シリコンウェハを例えば手で割ることによりシリコンウェハから個々のチップ４５の単体に分割する（チップ分割工程）。または、シリコンウェハの表面にクッション材を敷き、シリコンウェハの裏面から例えばくさび状のウエッジで溝４３を押さえつけてチップ４５を分割する。

なお、前述の説明では、図５（ｃ）に示されたフィルム剥離工程の後に、図５（ｄ）に示されたチップ分割工程を行う手順としたが、チップ分割工程の後にフィルム剥離工程を行う手順としてもよい。

以上のように、本実施の形態のシリコンマイク素子の製造方法によれば、枠形成工程において、複数の半導体チップが形成された領域を区切る枠１７を半導体基板１２に形成し、分割溝形成工程において、シリコンウェハを分割するための溝４３を、枠１７の幅よりも狭い幅のダイシングブレードによって枠１７の幅内に所定の深さで形成する構成としたので、ダイシングにおける切削水や切削屑が半導体チップの形成領域に入り込むことを防止することができ、半導体チップが複数個形成されたシリコンウェハから半導体チップを破損することなく分割することができる。

また、本実施の形態のシリコンマイク素子の製造方法によれば、枠形成工程において、複数の半導体チップが形成された領域を区切る枠１７を半導体基板１２に形成する構成としたので、粘着フィルム４２の粘着剤４１を背面板１６の穴や背面板周囲部４４に入り込みにくくして粘着剤４１の接着力を低下させ、背面板１６を破損することなく粘着フィルム４２を剥離することができ、半導体チップが複数個形成されたシリコンウェハから半導体チップを破損することなく分割することができる。

なお、前述の実施の形態において、シリコンウェハを分割するための溝４３を形成し、溝４３に沿ってチップ４５を分割する例を挙げて説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。

本発明の第１の実施の形態のシリコンマイク素子の製造方法のうち、シリコンマイク素子を１つの半導体基板上に一括して複数個形成する工程を示す図 （ａ）本発明の第１の実施の形態のシリコンマイク素子の製造方法のうち、酸化膜のエッチングマスク形成工程後のシリコンマイク素子の断面図 （ｂ）本発明の第１の実施の形態のシリコンマイク素子の製造方法のうち、酸化膜のエッチングマスク形成工程後のシリコンマイク素子を振動板側から見た平面図 （ｃ）本発明の第１の実施の形態のシリコンマイク素子の製造方法のうち、酸化膜のエッチングマスク形成工程後のシリコンマイク素子を背面板側から見た平面図 本発明の第１の実施の形態のシリコンマイク素子の製造方法のうち、シリコンウェハからシリコンマイク素子を分割する工程を示す図 （ａ）本実施の形態に係る製造方法によって枠１７を設け、粘着フィルム３２を貼付した場合の断面図 （ｂ）従来のように、枠を設けないものに粘着フィルム３２を貼付した場合の断面図 本発明の第２の実施の形態のシリコンマイク素子の製造方法のうち、シリコンウェハからシリコンマイク素子を分割する工程を示す図 （ａ）従来のマイクロマシンの構成図 （ｂ）従来のマイクロマシンの製造工程の説明図 従来のマイクロマシンに係る紫外線硬化性粘着フィルムを用いたダイシング手順を示す図

符号の説明

１１ 半導体基板（第１の半導体基板）
１２ 半導体基板（第２の半導体基板）
１３ 接着層
１４ 酸化膜
１５ 振動板
１６ 背面板
１７ 枠
１９ 空隙部
２０ 電極端子
３１、４１ 粘着剤
３２、４２ 粘着フィルム
３３、４４ 背面板周囲部
３４、４３ 溝
３５、４５ チップ

Claims (9)

1. 半導体基板を複数の領域に区切り、前記複数の領域に複数の半導体チップを形成するチップ形成工程と、前記複数の領域に区切る枠を前記半導体基板に形成する枠形成工程と、前記枠の位置を基準とした所定の範囲内において前記複数の半導体チップを個々に分割するチップ分割工程とを含むことを特徴とするマイクロマシンの製造方法。
2. 前記チップ分割工程は、前記所定の範囲内において、前記枠が形成された半導体基板の面と反対の面から前記枠が形成された半導体基板の面に向かう方向の溝を形成する分割溝形成工程を含むことを特徴とする請求項１に記載のマイクロマシンの製造方法。
3. 前記チップ分割工程は、前記枠の位置において、前記枠の幅よりも狭い幅の溝を前記枠が形成された半導体基板の面から前記枠が形成されていない半導体基板の面に向かう方向に形成する分割溝形成工程を含むことを特徴とする請求項１に記載のマイクロマシンの製造方法。
4. 前記枠形成工程は、アルカリ性の溶液を用いたエッチングによって行われることを特徴とする請求項１から請求項３までのいずれか１項に記載のマイクロマシンの製造方法。
5. 前記チップ形成工程は、前記アルカリ性の溶液を用いたエッチングによって前記枠形成工程と同時に行われることを特徴とする請求項４に記載のマイクロマシンの製造方法。
6. 前記チップ分割工程の前に前記半導体基板の両面に粘着性フィルムを貼付するフィルム貼付工程を含むことを特徴とする請求項１から請求項５までのいずれか１項に記載のマイクロマシンの製造方法。
7. 前記粘着性フィルムは、紫外線硬化性粘着フィルムであることを特徴とする請求項６に記載のマイクロマシンの製造方法。
8. 前記半導体基板は、第１の半導体基板と第２の半導体基板とを接着して１つの半導体基板としたことを特徴とする請求項１から請求項７までのいずれか１項に記載のマイクロマシンの製造方法。
9. 請求項８に記載のマイクロマシンの製造方法を含み、前記第２の半導体基板は前記枠を含む固定電極板として形成され、前記第１の半導体基板は前記固定電極板から所定の間隔をおいて配置される振動電極板として形成されることを特徴とする静電容量型センサの製造方法。

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