JP5914010B2 - 半導体集積回路装置の製造方法 - Google Patents
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Description
先ず、本願において開示される発明の代表的な実施の形態について概要を説明する。
(a)第1の主面および第2の主面を有する半導体ウエハの前記第1の主面上に、配線層およびMEMS素子を形成する工程;
(b)前記MEMS素子の可動部分を固定する工程;
(c)前記(b)工程の後、前記MEMS素子の前記可動部分が固定された状態で、前記半導体ウエハの前記第1の主面上の前記配線層上に、再配線層を形成する工程;
(d)前記(c)工程の後、前記MEMS素子の前記可動部分が固定された状態で、前記半導体ウエハに対して、ダイシングを実行する工程;
(e)前記(d)工程の後、前記半導体ウエハの前記第1の主面側に対して、エッチング処理を実行することより、前記MEMS素子の前記可動部分の前記固定を解く工程。
(x1)前記半導体ウエハの前記第1の主面上に設けられた下部電極;
(x2)前記下部電極上に設けられたキャビティ;
(x3)前記半導体ウエハの前記第1の主面上において、前記キャビティを覆うように設けられたダイヤフラム型上部電極;
(x4)前記ダイヤフラム型上部電極を外界から隔離するダイヤフラムカバー。
(f)前記工程(b)の後であって、前記工程(c)の前に、前記半導体ウエハの前記第2の主面側に対して、グラインディング処理を実行する工程。
(g)前記工程(c)の後であって、前記工程(e)の前に、前記半導体ウエハの前記第2の主面側に対して、グラインディング処理を実行する工程。
1.本願において、実施の態様の記載は、必要に応じて、便宜上複数のセクションに分けて記載する場合もあるが、特にそうでない旨明示した場合を除き、これらは相互に独立別個のものではなく、単一の例の各部分、一方が他方の一部詳細または一部または全部の変形例等である。また、原則として、同様の部分は繰り返しを省略する。また、実施の態様における各構成要素は、特にそうでない旨明示した場合、理論的にその数に限定される場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、必須のものではない。
実施の形態について更に詳述する。各図中において、同一または同様の部分は同一または類似の記号または参照番号で示し、説明は原則として繰り返さない。
以下の例では、一般集積回路領域8とMEMS素子領域9が平面的に完全に分離しているが、MEMS素子領域9を一般集積回路領域8にオーバラップするように形成してもよいことはいうまでもない。分離しているときは、相互の影響を小さくできる。一方、オーバラップするように形成すると、チップ面積を節約することができる。なお、図1では、煩雑さを避けるために、パッドやバンプ電極は、チップ周辺領域4のみに形成されている例を示すが、実際には、チップ内部領域7にも形成されていることが多い。
ここでは、配線層の最上層のアルミニウム系パッド層をMEMS素子(具体的には、気圧センサ)の下部電極とする例を説明する。しかし、下部電極の材料としては、ゲート電極等のポリシリコン系ゲート電極材料、メタルゲート電極、タングステン配線膜、銅配線膜、その他の導電膜を使用することができる。ただし、配線層の最上層のアルミニウム系パッド層を利用することで、工程の簡素化が可能となる。
このセクションでは、図9および図16における犠牲酸化シリコン膜の除去プロセスについて、その詳細を説明する。ここでは、一例として、弗化水素系気相エッチングを適用した場合を説明するが、犠牲絶縁膜(一般に犠牲膜)の除去は、ここで説明するような非プラズマ気相エッチに限らず、プラズマ気相エッチ(すなわち、ドライエッチ)でも、ウエットエッチでもよいことはいうまでもない。ただし、非プラズマ気相エッチを用いた場合は、プラズマダメージがないほか、静止摩擦(Stiction)等の問題もないメリットがある。
このセクションでは、セクション2で説明した図7から図16のプロセスに対する変形例を説明する。ただし、実質的に異なるのは、図11と図15のみであり、以下では原則として異なる部分のみを説明する。
セクション2の例では、図11に於いて、BG工程の処理を実行しているが、この例では、BG先行プロセスという点では同じであるが、BG工程の処理を図15に於いて実行している点が異なっている。なお、BG先行プロセス(セクション2のプロセスも同じ)は、DAFの適用に好適であるというメリットを有する。また、本セクションのサブセクション(2)の例と比較して、ダイシング工程の処理が比較的単純になるメリットがある。更に、サブセクション(2)の例と同様に、このサブセクション(1)の例では、WLP工程105およびウエハテスト工程107をウエハ1が厚い状態で実行できるメリットがある。
この例は、上記セクション4のサブセクション(1)の更なる変形例であり、サブセクション(1)のBG先行プロセスに代えて、ダイシング先行プロセスを採用している点が特徴となっている。これは、ダイシング先行プロセスの方が、チッピング等が少ないからである。なお、本サブセクションの例は、WLP工程105、ウエハテスト工程107およびダイシング工程106cをウエハ1が厚い状態で実行できるメリットがある。
前記各実施の形態では、図5のMEMS素子形成工程300の主要部(すなわち可動部固定工程103と可動部解放工程120を除く部分)は、BEOL工程102の一部又はその延長部分(またはWLP工程105の一部)で実行している。しかし、MEMS素子領域9の属性によっては、FEOL工程101またはWLP工程105の一部をMEMS素子形成工程300の主要部の一部とすることもできる。
以上本発明者によってなされた発明を実施形態に基づいて具体的に説明したが、本発明はそれに限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは言うまでもない。
1a ウエハまたはチップのデバイス面(第1の主面)
1b ウエハまたはチップの裏面(第2の主面)
1s 単結晶シリコン基板(ウエハまたはチップの基板部)
2 半導体チップまたはチップ領域
3 ノッチ
4 チップ周辺領域
5 バンプ下電極パッド(UBM)
6 バンプ電極
7 チップ内部領域
8 一般集積回路領域
9 MEMS素子領域
10 ウエハのデバイス非形成領域
11 ダイヤフラムカバー
11h ダイヤフラムカバーの通気孔
12 有機系ファイナルパッシベーション膜
14 配線層等を含む基板上絶縁膜
15 配線最上層絶縁膜
16 クロム&銅シード膜(再配線下地メタル膜)
17 再配線主メタル膜
18 再配線層有機系層間絶縁膜
19 ダイヤフラム金属膜
19h ダイヤフラム金属膜のアパチャ
20 再配線メタル膜
21 下層埋め戻し酸化シリコン膜
22 内側プラズマ窒化シリコン膜
23 上層埋め戻し酸化シリコン膜
24 外側プラズマ窒化シリコン膜
25 犠牲酸化シリコン膜
26 BGで除去する範囲
27 再配線形成用レジスト膜
28 ウエハ&フレーム複合体
51 ダイシングテープ
52 ダイシングフレーム
54 ダイシング溝
55 DAF
56 犠牲膜気相エッチング装置
57 処理チャンバ
58 ウエハステージ
59 シャワーヘッド
61 ガス導入口
62 ガス排出口
100 ウエハ工程
101 FEOL工程
102 BEOL工程
103 可動部固定工程
104a,104b,104c BG工程
105 WLP工程
105a 再配線工程
105b バンプ形成工程
106a106b,106c ダイシング工程
107 ウエハテスト工程
112 配線工程
120 可動部解放工程
200 チップ工程
201 ダイボンド工程
300 MEMS素子形成工程
AC キャビティ前室
BP 配線層最上層の電極パッド
CV キャビティ
CW 配線層
DP ダイヤフラム型上部電極
LE 下部電極
MD MEMS素子
ML 電極パッドより下層の配線
PM プリメタル層
Q MISFET
R1 MEMS素子領域等切り出し領域
RW 再配線層
Claims (5)
- 以下の工程を含む半導体集積回路装置の製造方法:
(a)第1の主面および第2の主面を有する半導体ウエハの前記第1の主面上に、配線層およびMEMS素子を形成する工程;
(b)前記MEMS素子の可動部分を固定する工程;
(c)前記(b)工程の後、前記MEMS素子の前記可動部分が固定された状態で、前記半導体ウエハの前記第1の主面上の前記配線層上に、再配線層を形成する工程;
(d)前記(c)工程の後、前記MEMS素子の前記可動部分が固定された状態で、前記半導体ウエハに対して、ダイシングを実行する工程;
(e)前記(d)工程の後、前記半導体ウエハの前記第1の主面側に対して、エッチング処理を実行することより、前記MEMS素子の前記可動部分の前記固定を解く工程、
ここで、前記(d)工程は、前記半導体ウエハの前記第2の主面をダイシングテープに貼り付けた状態で、実行され、
前記MEMS素子は、気圧センサであり、
前記MEMS素子は、前記工程(d)において以下を有する:
(x1)前記半導体ウエハの前記第1の主面上に設けられた下部電極;
(x2)前記下部電極上に設けられたキャビティ;
(x3)前記半導体ウエハの前記第1の主面上において、前記キャビティを覆うように設けられたダイヤフラム型上部電極;
(x4)前記ダイヤフラム型上部電極を外界から隔離するダイヤフラムカバー、
さらに、ここで、前記工程(b)は、保護膜によって前記ダイヤフラムカバーに明けられた通気孔を塞ぐことによって実行される。 - 請求項1の半導体集積回路装置の製造方法において、前記工程(e)は、前記ダイヤフラムカバーに明けられた通気孔を開放することによって実行される。
- 請求項2の半導体集積回路装置の製造方法において、前記工程(e)における前記ダイヤフラムカバーに明けられた前記通気孔の前記開放は、前記半導体ウエハの前記第2の主面を前記ダイシングテープに貼り付けた状態で、前記半導体ウエハの前記第1の主面に対して、前記保護膜のエッチング処理によって実行される。
- 請求項3の半導体集積回路装置の製造方法において、更に、以下の工程を含む:
(f)前記工程(b)の後であって、前記工程(c)の前に、前記半導体ウエハの前記第2の主面側に対して、グラインディング処理を実行する工程。 - 請求項3の半導体集積回路装置の製造方法において、更に、以下の工程を含む:
(g)前記工程(c)の後であって、前記工程(e)の前に、前記半導体ウエハの前記第2の主面側に対して、グラインディング処理を実行する工程。
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